KR20010109738A - 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 및 그 제조 방법과,그를 이용한 광픽업 장치 - Google Patents

광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 및 그 제조 방법과,그를 이용한 광픽업 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 광픽업 장치를 제공하기 위한 것으로서, 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러는 실리콘 웨이퍼의 소정 영역이 식각되어 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 각각 소정의 기울기를 갖는 하나 이상의 미러면으로 구성되고, 미러면 위에 형성된 금속을 더 포함하여 구성되며, 마이크로머시닝 기술 및 반도체 소자 일괄 제조 공정으로 높은 정밀도와, 소형화 및 양산성을 갖는 마이크로 미러를 제조함으로써, 광 픽업 헤드의 중량을 최소화하여 광학계의 회절 한계를 극복하고 고속 데이터 탐색이 가능한 광 픽업 헤드를 제공함으로써 초고밀도 광 정보 저장 장치를 구현할 수 있다.

Description

광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 광픽업 장치{optical information record micro mirror and method for fabricating the same and method for optical pick up apparatus using the same}
본 발명은 광 정보 저장 장치 등에 이용되는 광학계에 관한 것으로, 특히 입력광의 광로를 수직으로 변경하기 위한 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 광픽업 장치에 관한 것이다.
광 정보 저장 장치는 고밀도의 정보 용량을 실현할 수 있는 잠재성으로 인해 최근 활발히 연구되고 있고, 상업화가 급속히 진전되고 있는 추세이다.
광학 방식의 정보 저장 장치는 빠른 응답 속도, 비 접촉식 픽업 등의 장점, 간편한 휴대성 등의 장점을 갖고 있으며, 무엇보다 데이터 밀도가 기록 및 재생을위한 레이저 광원의 파장 범위까지 고밀도화 할 수 있다는 장점이 있다.
고밀도의 광 정보를 기록 및 재생할 수 있는 데이터 비트 크기를 줄이기 위해서는 보다 단파장의 입력광을 쓰거나 광학계의 수차를 크게 함으로써 가능하다. 특히, 광학계의 수차를 증가시킴으로써 입력광의 회절 한계를 극복할 수 있게 하는 기술로서 SIL(solid immersion lens)를 이용한 방법의 실용화에 대한 연구가 활발하며, SIL을 이용한 광 픽업 헤드의 구현이 고밀도 광 정보 저장 장치의 핵심 요소로 주요하게 대두되고 있다.
도 1 은 종래 기술에 따른 광 정보 저장 장치에 이용되는 광학계를 나타낸 도면이다. 기존의 광 정보 저장 장치에서는 레이저 다이오드, 시준 렌즈, 광 분할기 등을 포함하는 광학계와 대물 렌즈를 포함하는 광픽업 헤드가 조립되어 함께 이동하여 광 정보를 기록 및 재생하는 방식을 이용하였다.
그러나 이상에서 설명한 종래 기술에 따른 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 광픽업 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
정보 밀도가 증가하여 광 정보를 가지고 있는 데이터 비트의 크기가 축소되고 데이터 트랙간의 피치(pitch) 역시 현격하게 줄어들게 되면, 기존의 방식에 의한 광픽업 헤드는 과도한 중량으로 인해 트래킹(tracking) 정밀도가 떨어질 뿐만 아니라, 트래킹 속도 역시 현격하게 떨어지게 되는 문제가 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 고밀도 정보 저장 장치에 요구되는 트래킹을 수행하는 근접장 광픽업 헤드의 중량을최소화하기 위해 필수적인 광학 요소 이외의 광학 장치는 광 정보 저장 장치의 일부에 독립적으로 고정함으로써, 광 발생부에서 방출되는 레이저의 광 경로를 정밀하게 변경하여 근접장 광학계에 조사를 가능하게 하는 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 광픽업 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 은 종래 기술에 따른 광 정보 저장 장치에 이용되는 광학계 구조 단면도
도 2 및 도 7 은 본 발명에 따른 45° 마이크로 미러의 3차원 입체 형상도
도 3 은 본 발명에 따른 고밀도 광 정보 저장 장치용 광 픽업 헤드의 구성도
도 4 는 실리콘 잉곳(ingot) 및 {100} 결정 방향에 대해 9.74° 오프-엑시스(off-axis)된 실리콘 웨이퍼의 사시도
도 5 는 본 발명에 따른 오프-엑시스 결정 방향 실리콘 웨이퍼를 이용한 45° 마이크로 미러 단면도
도 6a 내지 도 6f 는 본 발명에 따른 초소형 실리콘 45° 마이크로 미러의 제조 공정 단면도
도 8 은 본 발명에 따른 초소형 실리콘 45° 마이크로 미러를 이용한 광 정보 저장 장치의 광학 시스템 다이아그램(diagram)
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘 잉곳(ingot)
10 : {100} 결정 방향에 대해 9.74° 오프-엑시스된 실리콘 웨이퍼
11 : 45° 마이크로 미러
12 : 경사진 벽면 21 : 전면 식각 마스크
22 : 후면 식각 마스크 23 : 식각창
24 : 다이싱 레인(dicing lane) 31 : 1차 집속 렌즈
32 : SIL 33 : SIL 프레임
40 : 고정 광학계 41 : 레이저 광원
42 : 시준 렌즈 43 : 광 분할기
44 : 광 분석기 45 : 집속 렌즈
46 : 광 검출기 50 : 광 디스크
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러의 특징은 실리콘 웨이퍼의 소정 영역이 식각되어 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 각각 소정의 기울기를 갖는 하나 이상의 미러면으로 구성되며, 상기 미러면 위에 형성된 금속을 더 포함하여 구성되는데 있다.
상기 미러면 중 적어도 하나 이상의 미러면이 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 45도 각도를 가지고, 상기 실리콘 웨이퍼는 {100} 방향 실리콘 잉곳(ingot)의 축과 수직인 평면에 대해 9.74°의 각도로 기울어진 구조를 가진다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 제조 방법의 특징은 실리콘 웨이퍼의 전면에 제 1 마스크 박막을 증착하고, 상기 실리콘 웨이퍼의 후면에 제 2 마스크 박막을 증착하는 단계와, 상기 실리콘 웨이퍼의 전면의 소정 영역이 노출되도록 상기 제 1 마스크 박막을 제거하는 단계와, 상기 노출된 실리콘 웨이퍼를 이방성 식각하여 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 각각 소정의 기울기를 갖는 다수 개의 미러면을 형성하는 단계와, 상기 제 1 및 제 2 마스크 박막을 제거하고, 하나 이상의 미러면을 가지도록 상기 다수 개의 미러면을 절단하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있으며, 상기 다수 개의 미러면을 형성하는 단계 이후, 상기 다수 개의 미러면에 금속을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는데 있다.
상기 하나 이상의 미러면 중 적어도 하나는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 45도의 기울기를 갖고 형성되며, 상기 실리콘 웨이퍼는 {100} 방향 실리콘 잉곳(ingot)의 축과 수직인 평면에 대해 9.74°의 각도로 기울어진다.
상기 이방성 식각은 KOH, EDP(ethylene diamine pyrocatechol), TMAH(tetramethyle ammonium hydroxide) 중 어느 하나를 이용하여 습식 식각하며, 상기 제 1 및 제 2 마스크 박막은 실리콘 질화막(), 실리콘 산화막(), 금속막 중 어느 하나이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러를 이용한 광픽업 장치의 특징은 외부 광학계에서 조사되는 광을 일차 집속하는 집속 렌즈와, 실리콘 웨이퍼의 소정 영역이 식각되어 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 각각 소정의 기울기를 갖는 하나 이상의 미러면으로 형성되고, 상기 외부에서 입사되는 광의 경로를 변경하여 상기 집속 렌즈에 입사시키는 미러와, 상기 집속 렌즈로부터 입사된 광을 이차 집속하는 솔리드 이머션 렌즈와, 상기 집속 렌즈와, 상기 미러와, 상기 솔리드 이머션 렌즈를 이동시키는 구동기로 이루어지는데 있다.
상기 미러면 중 적어도 하나는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 45도의 기울기를 가진다.
본 발명의 특징에 따른 작용은 입력 레이저 광원에서 방출되는 레이저 빔의 방향을 근접장 광 픽업 헤드로 변경해 주는 정밀 45° 미러를 구성하여 소형화에 적합하며, 근접장 광학계와 조립/일체화하여 고속 탐색이 가능한 근접장 광 픽업 헤드를 구성하기 때문에 광의 회절 한계를 뛰어 넘는 해상도를 제공할 수 있는 근접장 광학계를 이용하여 고밀도의 정보 저장 장치를 빠른 속도로 트랙킹할 수 있다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 광픽업 장치의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2 는 본 발명에 따른 45° 마이크로 미러(11)의 3차원 입체 형상도이다.
실리콘 웨이퍼(10)의 표면과 45°각도를 이루는 45° 마이크로 미러(11) 면은 상기 실리콘 웨이퍼(10)의 표면에 수평으로 입사되는 광의 경로를 수직으로 변경시킨다.
도 3 은 고밀도 광 정보 저장 장치용 광 픽업 헤드의 단면도이다.
도 3 에 도시된 바와 같이, 평행광 레이저의 광 경로를 수직하게 변경하는 45° 마이크로 미러(11)의 특성을 이용하여 SIL(solid immersion lens : 32)을 포함하는 근접장 광학계로 레이저 광을 조사시킨다.
45° 마이크로 미러(11)가 일체화된 광 픽업 헤드는 정보 저장 장치의 일부에 고정되는 평행광 레이저 발생부로부터 방출되는 레이저 빔을 반사하여 근접장 광 발생부인 SIL(32) 에 레이저 빔이 집속되도록 한다.
근접장 광학계를 구성하는 SIL(32)과 일차 집속 렌즈(31)의 광축이 도시되진 않았지만 기록 및 재생하고자 하는 광 디스크 표면과 수직하게 형성되어 있으며, 광 디스크 표면과 평행인 방향으로 방출되는 평행광 레이저의 광 경로를 45° 마이크로 미러(11)를 통하여 변경하여 일차 집속 렌즈(31)의 광축과 정렬되어 입사되도록 광 픽업 헤드를 구성한다.
특히, 유체 역학적인 공기 부양력을 이용하는 플라잉 헤드(flying head) 형상을 이용하여 근접장 간극을 유지하는 슬라이더(33)에 SIL(32)이 장착되어 있는 에어-베어링 슬라이더(air-bearing slider) 형태의 근접장 광 픽업 헤드에 45° 마이크로 미러(11)가 형성된다. 이 경우 슬라이더(33)에 의해 부양되는 픽업 헤드의 중량을 최소화하는 것이 근접장 간극의 조절에 있어 중요한 파라미터가 된다.
도 4 는 실리콘 잉곳(1) 및 {100} 결정 방향에 대해 9.74° 오프-엑시스(off-axis)된 실리콘 웨이퍼(10)의 사시도를 나타낸다.
도 4 에 도시된 바와 같이, 45° 마이크로 미러(11)가 제작되는 {100} 결정 방향에 대해 9.74° 오프-엑시스된 실리콘 웨이퍼(10)를 준비하는 과정을 보여 준다.
CZ(Czochralski)법이나 FZ(floating zone)법으로 준비되는 단결정 실리콘 잉곳(ingot : 1)을 실리콘 성장 방향인 실리콘 잉곳(1)의 축과 수직인 평면, 즉 통상적인 {100} 결정 방향 실리콘 웨이퍼에 대해 9.74° 만큼의 일정 각도 θ를 가지도록 비스듬하게 잘라 내어(cutting or slicing) 표면을 경면 처리(mirror polishing)한다.
그러면, 실리콘 웨이퍼(10)의 표면에 수직인 면 벡터의 방향이 실리콘 결정 구조가 {100} 결정 방향 실리콘 웨이퍼에 대해 9.74° 기울어진 오프-엑시스 (off-axis) 실리콘 웨이퍼(10)가 완성된다.
이러한 {100} 결정 방향에 대해 9.74° 오프-엑시스된 결정 방향 실리콘 웨이퍼(10)를 이방성 식각(anisotropic etching) 용액인 KOH, EDP(ethylene diamine pyrocatechol), TMAH(tetramethyle ammonium hydroxide) 등에서 습식 식각을 한다.
도 5 는 습식 이방성 식각을 이용하여 오프-엑시스 실리콘 웨이퍼(10)를 이용한 45° 마이크로 미러(11)면의 단면도이다.
도 5 에 도시된 바와 같이 오프-엑시스(off-axis) 실리콘 웨이퍼(10)의 표면에 대해 45° 를 갖는 마이크로 미러(11) 면과 이 면과 마주보면서 오프-엑시스(off-axis) 실리콘 웨이퍼(10)의 표면에 대해 64.48°를 갖는 면이 나타난다.
일반적으로 실리콘 이방성 식각액의 경우, {111} 결정 방향의 식각율은 여타의 실리콘 결정면의 식각율에 비해 매우 낮으므로 {111} 결정면에서 식각 정지가 일어난다.
{100} 결정 방향 실리콘 웨이퍼를 사용하게 될 경우, 식각 정지에 의해 형성되는 결정면의 각도는 {100} 결정 방향 실리콘 웨이퍼 표면과 54.74°를 이루게 된다.
그러므로, 9.74°만큼 비스듬하게 가공된 오프-엑시스(off-axis) 실리콘 웨이퍼(10)를 이방성 습식 식각하게 되면 실리콘 웨이퍼(10)의 표면과 45°를 이루는 45° 마이크로 미러(11)면을 얻을 수 있으며, 이면의 표면 거칠기(surface roughness)는 경면으로 사용될 수 있을 만큼 평탄하게 되므로 45°마이크로 미러(11)로 이용할 수 있게 된다.
만일, 입력광의 반사 효율을 높이고자 한다면, 가공된 45° 마이크로 미러(11)면에 고 반사도의 금속을 증착한다.
또한 도 4 에서 알 수 있는 바와 같이, 45° 마이크로 미러(11)면의 가공은 자동적인 식각 정지에 의해 달성되며, 45° 마이크로 미러(11)의 크기는 전면 식각 마스크 박막(21)의 패턴 크기와 오프-엑시스(off-axis) 실리콘 웨이퍼(10)의 두께에 의해 결정되므로, 45° 마이크로 미러(11)의 크기 및 형상을 반도체 일괄 제조 공정의 사진 묘화 공정으로 정밀하게 제어할 수 있다.
도 6a 내지 도 6f 는 초소형 실리콘 45° 마이크로 미러(11)의 제조 공정단면도이다.
먼저, 도 6a 에 도시된 바와 같이, 오프-엑시스(off-axis) 실리콘 웨이퍼(10)의 전 후면에 전후면 식각 마스크 박막(21, 22)을 증착, 산화 또는 도금 등의 반도체 소자 제조 공정을 이용하여 박막을 형성한다. 일반적인 전후면 식각 마스크 박막(21, 22)으로서는 실리콘 질화막()이 가장 널리 쓰이며, 이 외에도 실리콘 산화막(), 몇몇 금속 박막 등 적당한 물질을 선택한다.
이어, 도 6b 에 도시된 바와 같이, 사진 묘화 공정(photolithography)을 이용하여 식각이 진행될 식각창(etch window : 23)을 전면 식각 마스크(21) 박막 층에 형성한다.
이어 도 6c 에 도시된 바와 같이, 식각창(23)이 형성된 오프-엑시스(off-axis) 실리콘 웨이퍼(10)를 KOH, TMAH, 또는 EDP, hydrazine 등의 실리콘 이방성 식각 액에 담가 적정 온도로 가열하여 습식 식각을 한다. 이 과정에서 식각이 진행되지 않고 남아 있는 경사진 벽면(12)들은 단결정 실리콘의 (111) 결정면이 된다.
45° 마이크로 미러(11)면이 형성될 때까지 이방성 식각을 필요한 깊이만큼 진행한 후, 이어 도 5d 에 도시된 바와 같이 남아 있는 전후면 식각 마스크 박막(21, 22)을 제거한다. 앞서 설명한 바와 같이 식각 정지로 형성된 네 개의 결정면 중의 하나가 실리콘 웨이퍼(10) 표면과 45°를 이루게 되며, 이 결정면을 마이크로 미러(11)면으로 사용한다.
이어 도 6e 에 도시된 바와 같이 45° 마이크로 미러(11)면을 포함하여 실리콘 웨이퍼(10)를 일정한 크기로 잘라 내면 초소형의 실리콘 45° 마이크로 미러(11)가 완성된다.
도 6f 는 개별 칩(chip) 형태로 잘라진 45° 마이크로 미러(11)의 평면도, 측면도 및 정면도를 보여 준다.
도 7 은 제작된 실리콘 45° 마이크로 미러(11)의 형상을 입체적으로 보여 주는 도면이다.
도 7 에 도시된 바와 같이, {100} 결정 방향에 대해 9.74°오프-엑시스(off-axis)된 실리콘 웨이퍼(10)의 경사진 벽면(12)은 필요에 따라 제거할 수 있으며, 45° 마이크로 미러(11)면을 제외한 부분의 치수 역시 응용되는 광학계의 요구에 맞게 조절할 수 있다. 또한, 반사도를 향상시키기 위해 마이크로 미러(11) 면에 높은 반사도를 갖는 금속 등을 추가로 증착하여 사용할 수도 있다.
도 8 에는 본 발명에 의한 초소형 실리콘 45° 마이크로 미러(11)를 채용한 광 정보 저장 장치의 광학 시스템 다이아그램(diagram)이다.
도 8 에 도시된 바와 같이, 레이저 다이오드 등의 레이저 광원(41)로부터 방사되는 입력 레이저 빔이 시준 렌즈(collimator : 42)에 의해 평행광으로 바뀌며 광 분할기(43)를 통과한다.
이어, 레이저 빔은 근접장 광 픽업 헤드의 일차 집속 렌즈(31)를 투과하여 근접장 광학 요소인 SIL(32)에 집속되며, SIL(32)을 거쳐 발생한 근접장 광은 근접장 간극을 통하여 광 디스크(50)의 기록층으로부터 일부가 반사된다.
이어 반사된 입력광의 일부가 광로를 역행하여 SIL(32), 일차 집속 렌즈(31)을 거쳐, 45° 마이크로 미러(11)에 반사되어 독립적으로 구성된 고정 광학계(40)으로 되돌아 오며, 고정 광학계(40)의 광 분할기(43)를 거쳐 광 분석기(44)에 입사되고 집속 렌즈(45)를 통하여 광 검출기(46)에 도달하여 광 신호를 검출함으로써 광 정보 신호를 변별할 수 있게 된다.
이러한 과정으로 평방 인치 당 수십 기가 바이트 이상의 기록 밀도를 갖는 초고밀도 광 정보 저장 장치의 픽업 헤드를 구성하기 위한 45° 마이크로 미러(11)를 제작한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 광픽업 장치는 다음과 같은 효과가 있다.
마이크로머시닝 기술 및 반도체 소자 일괄 제조 공정에 의해 구현되어 높은 정밀도와, 소형화 및 양산성을 갖는 마이크로 미러를 제조함으로써, 마이크로 미러와, 일차 집속 렌즈 및 SIL을 소형화 및 일체화되게 구성할 수 있기 때문에 광학계의 회절 한계를 극복하고 고속 데이터 탐색 및 초정밀 트래킹을 가능하게 하는 중량이 최소화된 광 픽업 헤드를 제공하여 초고밀도 광 정보 저장 장치를 구현한다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (11)

  1. 실리콘 웨이퍼의 소정 영역이 식각되어 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 각각 소정의 기울기를 갖는 하나 이상의 미러면으로 구성됨을 특징으로 하는 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 미러면 위에 형성된 금속을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 미러면 중 적어도 하나는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 45도 각도를 가짐을 특징으로 하는 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 실리콘 잉곳(ingot)의 축과 수직인 평면에 대해 9.74°의 각도로 기울어진 구조임을 특징으로 하는 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러.
  5. 실리콘 웨이퍼의 전면에 제 1 마스크 박막을 증착하고, 상기 실리콘 웨이퍼의 후면에 제 2 마스크 박막을 증착하는 단계와,
    상기 실리콘 웨이퍼의 전면의 소정 영역이 노출되도록 상기 제 1 마스크 박막을 제거하는 단계와,
    상기 노출된 실리콘 웨이퍼를 이방성 식각하여 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 각각 소정의 기울기를 갖는 다수 개의 미러면을 형성하는 단계와,
    상기 제 1 및 제 2 마스크 박막을 제거하고, 하나 이상의 미러면을 가지도록 상기 다수 개의 미러면을 절단하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 다수 개의 미러면을 형성하는 단계 이후, 상기 다수 개의 미러면에 금속을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 광 정보 저 장 장치용 마이크로 미러 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 하나 이상의 미러면 중 적어도 하나는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 45도의 기울기를 갖고 형성됨을 특징으로 하는 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 제조 방법.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 이방성 식각은 KOH, EDP(ethylene diamine pyrocatechol), TMAH(tetramethyle ammonium hydroxide) 중 어느 하나를 이용하여 습식 식각함을 특징으로 하는 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 제조 방법.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 마스크 박막은 실리콘 질화막(), 실리콘 산화막(), 금속막 중 어느 하나임을 특징으로 하는 광정보 저장 장치용 마이크로 미러 제조 방법.
  10. 외부 광학계에서 조사되는 광을 일차 집속하는 집속 렌즈와,
    실리콘 웨이퍼의 소정 영역이 식각되어 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 각각 소정의 기울기를 갖는 하나 이상의 미러면으로 형성되고, 상기 외부에서 입사되는 광의 경로를 변경하여 상기 집속 렌즈에 입사시키는 미러와,
    상기 집속 렌즈로부터 입사된 광을 이차 집속하는 솔리드 이머션 렌즈와,
    상기 집속 렌즈와, 상기 미러와, 상기 솔리드 이머션 렌즈를 이동시키는 구동기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러를 이용한 광 픽업 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 미러면 중 적어도 하나는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 45도의 기울기를 가짐을 특징으로 하는 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러를 이용한 광픽업 장치.
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