JP2000223767A - 近接場光発生素子及び光ヘッド - Google Patents
近接場光発生素子及び光ヘッドInfo
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- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1387—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector using the near-field effect
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接場光を利用した高密度光メモリにおい
て、簡単なプロセスによって製作でき、光の利用効率の
高い近接場光発生素子及び光ヘッドを得る。 【解決手段】 高屈折率物質からなる固浸レンズ１５の
出射平面に、Ａｌからなる第１の薄膜２５と、ＳｉＮか
らなる中間膜２６と、Ａｌからなる第２の薄膜２７とを
設けた。薄膜２５には第１の開口２５ａが形成され、薄
膜２７には第２の開口２７ａが形成され、開口２７ａは
開口２５ａよりも小面積とされている。
て、簡単なプロセスによって製作でき、光の利用効率の
高い近接場光発生素子及び光ヘッドを得る。 【解決手段】 高屈折率物質からなる固浸レンズ１５の
出射平面に、Ａｌからなる第１の薄膜２５と、ＳｉＮか
らなる中間膜２６と、Ａｌからなる第２の薄膜２７とを
設けた。薄膜２５には第１の開口２５ａが形成され、薄
膜２７には第２の開口２７ａが形成され、開口２７ａは
開口２５ａよりも小面積とされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度光メモリ
（記録／読取り）や高分解能顕微鏡あるいは光加工に用
いられる近接場光発生素子及び光ヘッドに関する。
（記録／読取り）や高分解能顕微鏡あるいは光加工に用
いられる近接場光発生素子及び光ヘッドに関する。
【０００２】
【発明の背景】近年、光学的に情報を記録／読取りする
光メモリの分野においては、コンピュータの高速化やマ
ルチメディアの発達に伴い、より大容量の情報を記録で
きる、即ち、記録密度の著しく向上した光ヘッドが望ま
れ、近接場光記録技術が提案されている。レーザ光を用
いた従来の光メモリにおいて、記録密度は光の回折限界
で上限が決まり、光の波長程度（約数１００ｎｍ）のマ
ークしか記録／読取りができなかった。近年提案されて
いる近接場光現象を用いた光メモリでは、光の波長以下
の微小開口を有するプローブやSolid Immersion Lens
（固浸レンズ）を用いて記録媒体（光ディスク）に対し
て光ヘッドと記録媒体との間隔を数１０ｎｍまで近づけ
た状態で記録／読取り用の光を照射することで、光の回
折限界を超えて数１０ｎｍという小さなマークを信号と
して書き込み、読み取ることが可能である。
光メモリの分野においては、コンピュータの高速化やマ
ルチメディアの発達に伴い、より大容量の情報を記録で
きる、即ち、記録密度の著しく向上した光ヘッドが望ま
れ、近接場光記録技術が提案されている。レーザ光を用
いた従来の光メモリにおいて、記録密度は光の回折限界
で上限が決まり、光の波長程度（約数１００ｎｍ）のマ
ークしか記録／読取りができなかった。近年提案されて
いる近接場光現象を用いた光メモリでは、光の波長以下
の微小開口を有するプローブやSolid Immersion Lens
（固浸レンズ）を用いて記録媒体（光ディスク）に対し
て光ヘッドと記録媒体との間隔を数１０ｎｍまで近づけ
た状態で記録／読取り用の光を照射することで、光の回
折限界を超えて数１０ｎｍという小さなマークを信号と
して書き込み、読み取ることが可能である。
【０００３】また、このような近接場光技術は、光の回
折限界を超える微細パターンを加工する光加工技術や、
高分解能顕微鏡にも応用することができる。
折限界を超える微細パターンを加工する光加工技術や、
高分解能顕微鏡にも応用することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近接場光技
術においては、なるべく大きい光量で微小な光スポット
を形成できる光プローブが望まれている。光ファイバの
先端をとがらせて開口を形成する方法では、開口の大き
さは１００ｎｍ程度であり、これでは透過光量が１／１
００以下と極端に小さくなってしまう不具合を有してい
た。
術においては、なるべく大きい光量で微小な光スポット
を形成できる光プローブが望まれている。光ファイバの
先端をとがらせて開口を形成する方法では、開口の大き
さは１００ｎｍ程度であり、これでは透過光量が１／１
００以下と極端に小さくなってしまう不具合を有してい
た。
【０００５】このため、シリコン基板を異方性エッチン
グによってテーパ状の開口を形成することが提案されて
いる（米国特許第５，６８９，４８０号明細書）。これ
によれば、透過光量を増大させることが可能である。し
かし、この方法では、単結晶シリコンの薄膜に異方性エ
ッチングで開口を形成するために製作が煩雑であるばか
りかコストが上昇するという問題点を有している。
グによってテーパ状の開口を形成することが提案されて
いる（米国特許第５，６８９，４８０号明細書）。これ
によれば、透過光量を増大させることが可能である。し
かし、この方法では、単結晶シリコンの薄膜に異方性エ
ッチングで開口を形成するために製作が煩雑であるばか
りかコストが上昇するという問題点を有している。
【０００６】そこで、本発明の目的は、簡単なプロセス
によって製作でき、光の利用効率の高い近接場光発生素
子及び光ヘッドを提供することにある。
によって製作でき、光の利用効率の高い近接場光発生素
子及び光ヘッドを提供することにある。
【０００７】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る近接場光発生素子は、高屈折率物質か
らなる素子本体の出射面に、第１の光透過部と中間膜と
第２の光透過部とを設け、第２の光透過部は第１の光透
過部よりも小面積とした。第１又は第２の光透過部の少
なくとも一方は、薄膜に形成した微小開口、あるいは、
高温で合金化して光透過性を有する多層薄膜に形成され
た微小光透過部である。
め、本発明に係る近接場光発生素子は、高屈折率物質か
らなる素子本体の出射面に、第１の光透過部と中間膜と
第２の光透過部とを設け、第２の光透過部は第１の光透
過部よりも小面積とした。第１又は第２の光透過部の少
なくとも一方は、薄膜に形成した微小開口、あるいは、
高温で合金化して光透過性を有する多層薄膜に形成され
た微小光透過部である。
【０００８】本発明において、素子に入射した光ビーム
は第１の光透過部で集光され、中間膜を介して第２の光
透過部へ向い、第２の光透過部でさらにビーム幅を狭め
られて近接場光として出射する。この近接場光の透過率
は従来の単一のスリット状開口よりも高く、透過率を改
善したテーパを有するスリット状開口とほぼ同等あるい
はそれよりも向上する。
は第１の光透過部で集光され、中間膜を介して第２の光
透過部へ向い、第２の光透過部でさらにビーム幅を狭め
られて近接場光として出射する。この近接場光の透過率
は従来の単一のスリット状開口よりも高く、透過率を改
善したテーパを有するスリット状開口とほぼ同等あるい
はそれよりも向上する。
【０００９】しかも、本発明に係る素子は、従来周知の
成膜技術やエッチング技術等を用いて第１及び第２の光
透過部や中間層を形成することができ、単結晶シリコン
薄膜を異方性エッチングするといった方法に比べて容易
に製作することができる。
成膜技術やエッチング技術等を用いて第１及び第２の光
透過部や中間層を形成することができ、単結晶シリコン
薄膜を異方性エッチングするといった方法に比べて容易
に製作することができる。
【００１０】さらに、本発明に係る近接場光発生素子に
おいて、第１及び第２の光透過部は互いに平行に延在す
るスリット状の開口であることが好ましい。この場合、
第２の光透過部（スリット）は第１の光透過部（スリッ
ト）よりもその幅寸法が小さく形成される。このような
素子にあっても良好な透過率が得られるが、特に、入射
光の偏光方向をスリットの延在方向と一致させれば、透
過率がより向上する。
おいて、第１及び第２の光透過部は互いに平行に延在す
るスリット状の開口であることが好ましい。この場合、
第２の光透過部（スリット）は第１の光透過部（スリッ
ト）よりもその幅寸法が小さく形成される。このような
素子にあっても良好な透過率が得られるが、特に、入射
光の偏光方向をスリットの延在方向と一致させれば、透
過率がより向上する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る近接場光発生
素子及び光ヘッドの実施形態について添付図面を参照し
て説明する。
素子及び光ヘッドの実施形態について添付図面を参照し
て説明する。
【００１２】（光ヘッドの全体構成、図１参照）まず、
光ヘッド１０の全体構成について図１を参照して説明す
る。本光ヘッド１０は光ディスク１に対して情報の記録
／読取りを行うものであり、レーザ光源１１から放射さ
れた光ビームＬＢ（拡散光）をカップリングレンズ１２
で平行光とし、ミラー１３で反射し、集光レンズ１４で
収束させ、半球形状の固浸レンズ１５を介して光ディス
ク１上を照射する。光ディスク１を透過した透過光Ｌ
Ｂ’は集光レンズ２１で収束され、光検出器２２で検出
される。光検出器２２は光信号を電気信号に変換するも
ので、その出力が図示しない読取り回路に転送され、読
取り信号として生成される。
光ヘッド１０の全体構成について図１を参照して説明す
る。本光ヘッド１０は光ディスク１に対して情報の記録
／読取りを行うものであり、レーザ光源１１から放射さ
れた光ビームＬＢ（拡散光）をカップリングレンズ１２
で平行光とし、ミラー１３で反射し、集光レンズ１４で
収束させ、半球形状の固浸レンズ１５を介して光ディス
ク１上を照射する。光ディスク１を透過した透過光Ｌ
Ｂ’は集光レンズ２１で収束され、光検出器２２で検出
される。光検出器２２は光信号を電気信号に変換するも
ので、その出力が図示しない読取り回路に転送され、読
取り信号として生成される。
【００１３】固浸レンズ１５は、よく知られているよう
に、Liquid Immersion Lens Microscope（液浸法に
よる顕微鏡の分解能向上）の原理を応用したもので、高
屈折率物質からなり、半球面から入射された光ビームＬ
Ｂを出射平面の中心部に集光する。集光された光ビーム
ＬＢは以下に説明する光透過部（開口又は固体光透過
部）で絞られ、近接場光として微小な領域に浸み出し、
光ディスク１上の記録層を照射し、情報の記録／読取り
が行われる。
に、Liquid Immersion Lens Microscope（液浸法に
よる顕微鏡の分解能向上）の原理を応用したもので、高
屈折率物質からなり、半球面から入射された光ビームＬ
Ｂを出射平面の中心部に集光する。集光された光ビーム
ＬＢは以下に説明する光透過部（開口又は固体光透過
部）で絞られ、近接場光として微小な領域に浸み出し、
光ディスク１上の記録層を照射し、情報の記録／読取り
が行われる。
【００１４】なお、光ビームＬＢの光路中には、必要に
応じて偏光子１６が設けられる。この偏光子１６は光ビ
ームＬＢの偏光方向を一定の方向に揃えるために設置さ
れる。
応じて偏光子１６が設けられる。この偏光子１６は光ビ
ームＬＢの偏光方向を一定の方向に揃えるために設置さ
れる。
【００１５】（近接場光発生素子の第１実施形態、図２
参照）図２に示すように、第１実施形態としての固浸レ
ンズ１５Ａは、屈折率ｎが１．７のガラス材からなり、
半径２ｍｍの半球形状とされている。この場合、光ビー
ムＬＢの波長λは４８８ｎｍで、集光レンズ１４の開口
数ＮＡは０．６である。
参照）図２に示すように、第１実施形態としての固浸レ
ンズ１５Ａは、屈折率ｎが１．７のガラス材からなり、
半径２ｍｍの半球形状とされている。この場合、光ビー
ムＬＢの波長λは４８８ｎｍで、集光レンズ１４の開口
数ＮＡは０．６である。
【００１６】固浸レンズ１５Ａの出射平面には、第１の
開口２５ａを有する第１の薄膜２５、中間膜２６、第２
の開口２７ａを有する第２の薄膜２７が成膜されてい
る。第１の薄膜２５は厚さ３０ｎｍのＡｌ薄膜であり、
第１の開口２５ａは一辺が４００ｎｍの正方形とされて
いる。中間膜２６は厚さ６５ｎｍのＳｉＮ薄膜である。
第２の薄膜２７は厚さ３０ｎｍのＡｌ薄膜であり、第２
の開口２７ａは一辺が２００ｎｍの正方形とされてい
る。各膜２５，２６，２７はスパッタリングや蒸着等の
各種薄膜成形法によって成膜され、開口２５ａ，２７ａ
はエッチング、フォトリソグラフィ等によって重なる位
置に形成される。
開口２５ａを有する第１の薄膜２５、中間膜２６、第２
の開口２７ａを有する第２の薄膜２７が成膜されてい
る。第１の薄膜２５は厚さ３０ｎｍのＡｌ薄膜であり、
第１の開口２５ａは一辺が４００ｎｍの正方形とされて
いる。中間膜２６は厚さ６５ｎｍのＳｉＮ薄膜である。
第２の薄膜２７は厚さ３０ｎｍのＡｌ薄膜であり、第２
の開口２７ａは一辺が２００ｎｍの正方形とされてい
る。各膜２５，２６，２７はスパッタリングや蒸着等の
各種薄膜成形法によって成膜され、開口２５ａ，２７ａ
はエッチング、フォトリソグラフィ等によって重なる位
置に形成される。
【００１７】以上の構成からなる固浸レンズ１５Ａにお
いて、半球面から入射した光ビームＬＢは、出射平面に
集光され、第１の開口２５ａで集光され、中間膜２６を
介して第２の開口２７ａへ向い、第２の開口２７ａでさ
らにビーム幅を狭められて近接場光として比較的良好な
透過率で出射する。
いて、半球面から入射した光ビームＬＢは、出射平面に
集光され、第１の開口２５ａで集光され、中間膜２６を
介して第２の開口２７ａへ向い、第２の開口２７ａでさ
らにビーム幅を狭められて近接場光として比較的良好な
透過率で出射する。
【００１８】また、開口２５ａ，２７ａは半導体製造技
術として一般的に用いられている成膜技術及びエッチン
グやフォトリソグラフィによる微細加工技術を用いて形
成することができ、複雑な異方性エッチングを行う必要
がなく、容易かつ安価に製作することができる。
術として一般的に用いられている成膜技術及びエッチン
グやフォトリソグラフィによる微細加工技術を用いて形
成することができ、複雑な異方性エッチングを行う必要
がなく、容易かつ安価に製作することができる。
【００１９】（近接場光発生素子の第２実施形態、図
３、図４参照）図３に示すように、第２実施形態として
の固浸レンズ１５Ｂは、前記固浸レンズ１５Ａと同様
に、屈折率ｎが１．７のガラス材からなり、半径２ｍｍ
の半球形状とされている。光ビームＬＢの波長λは４８
８ｎｍで、集光レンズ１４の開口数ＮＡは０．６であ
る。第１の薄膜２５、中間膜２６及び第２の薄膜２７も
それぞれ前記第１実施形態と同様の厚さ及び材料で成膜
されている。但し、第１の開口２５ｂは幅４００ｎｍの
スリットとされ、第２の開口２７ｂは幅２００ｎｍのス
リットとされている。これらのスリット２５ｂ，２７ｂ
は互いに重なって平行に延在するように形成されてい
る。第１及び第２のスリット２５ｂ，２７ｂの作用は、
前記開口２５ａ，２７ａと同様であり、本第２実施形態
の作用、効果は前記第１実施形態と同様である。
３、図４参照）図３に示すように、第２実施形態として
の固浸レンズ１５Ｂは、前記固浸レンズ１５Ａと同様
に、屈折率ｎが１．７のガラス材からなり、半径２ｍｍ
の半球形状とされている。光ビームＬＢの波長λは４８
８ｎｍで、集光レンズ１４の開口数ＮＡは０．６であ
る。第１の薄膜２５、中間膜２６及び第２の薄膜２７も
それぞれ前記第１実施形態と同様の厚さ及び材料で成膜
されている。但し、第１の開口２５ｂは幅４００ｎｍの
スリットとされ、第２の開口２７ｂは幅２００ｎｍのス
リットとされている。これらのスリット２５ｂ，２７ｂ
は互いに重なって平行に延在するように形成されてい
る。第１及び第２のスリット２５ｂ，２７ｂの作用は、
前記開口２５ａ，２７ａと同様であり、本第２実施形態
の作用、効果は前記第１実施形態と同様である。
【００２０】ところで、本第２実施形態では、図１に示
したように偏光子１６を入射光路中に挿入し、光ビーム
ＬＢを一定の方向に偏光させることが好ましい。偏光方
向はスリット２５ｂ，２７ｂの延在方向と一致する方向
である。このように偏光方向（電場の振動方向）がスリ
ットの延在方向と一致する光はＴＥ波と称される。一
方、偏光方向がスリットの延在方向と直交する光はＴＭ
波と称されている。
したように偏光子１６を入射光路中に挿入し、光ビーム
ＬＢを一定の方向に偏光させることが好ましい。偏光方
向はスリット２５ｂ，２７ｂの延在方向と一致する方向
である。このように偏光方向（電場の振動方向）がスリ
ットの延在方向と一致する光はＴＥ波と称される。一
方、偏光方向がスリットの延在方向と直交する光はＴＭ
波と称されている。
【００２１】本発明者らは、本第２実施形態をモデルと
して、２次元ＦＤＴＤ法（Finitedifference time do
main method、有限領域時間差分法）と呼ばれるシミュ
レーション方法を用いて、スリット２５ｂ，２７ｂによ
る光の透過率を解析した。図４は、スリット２７ｂから
３０ｎｍ離れた位置における電場の強度分布を示す。
（Ａ）はＴＭ波、（Ｂ）はＴＥ波の強度分布であり、Ｔ
Ｅ波の方がビーム径が絞られ、強度も高いことが分か
る。ビーム径及び透過率の計算値を以下の第１表に示
す。
して、２次元ＦＤＴＤ法（Finitedifference time do
main method、有限領域時間差分法）と呼ばれるシミュ
レーション方法を用いて、スリット２５ｂ，２７ｂによ
る光の透過率を解析した。図４は、スリット２７ｂから
３０ｎｍ離れた位置における電場の強度分布を示す。
（Ａ）はＴＭ波、（Ｂ）はＴＥ波の強度分布であり、Ｔ
Ｅ波の方がビーム径が絞られ、強度も高いことが分か
る。ビーム径及び透過率の計算値を以下の第１表に示
す。
【００２２】第１表には第２実施形態である本発明例と
併せて、幅２００ｎｍの単一スリット及び開口幅が２０
０ｎｍのテーパ状スリットにおけるビーム径及び透過率
の計算値も比較のために示した。
併せて、幅２００ｎｍの単一スリット及び開口幅が２０
０ｎｍのテーパ状スリットにおけるビーム径及び透過率
の計算値も比較のために示した。
【００２３】
【表１】
【００２４】前記第１表から明らかなように、ビーム径
は本発明例及び従来例共に略同等である。しかし、透過
率に関して、本発明例は従来例である単一スリットに対
しては勿論、テーパ状スリットよりも好ましい値を得る
ことができた。
は本発明例及び従来例共に略同等である。しかし、透過
率に関して、本発明例は従来例である単一スリットに対
しては勿論、テーパ状スリットよりも好ましい値を得る
ことができた。
【００２５】（近接場光発生素子の第３実施形態、図５
参照）図５に示すように、第３実施形態としての固浸レ
ンズ１５Ｃは、前記固浸レンズ１５Ａ，１５Ｂと同様
に、屈折率ｎが１．７のガラス材からなり、半径２ｍｍ
の半球形状とされている。光ビームＬＢの波長λは４８
８ｎｍであり、集光レンズ１４の開口数ＮＡは０．６で
ある。第１の薄膜２５及び中間膜２６はそれぞれ第１実
施形態と同様の厚さ及び材料で成膜されており、第１の
薄膜２５に形成した第１の開口２５ａも一辺が４００ｎ
ｍの正方形とされている。
参照）図５に示すように、第３実施形態としての固浸レ
ンズ１５Ｃは、前記固浸レンズ１５Ａ，１５Ｂと同様
に、屈折率ｎが１．７のガラス材からなり、半径２ｍｍ
の半球形状とされている。光ビームＬＢの波長λは４８
８ｎｍであり、集光レンズ１４の開口数ＮＡは０．６で
ある。第１の薄膜２５及び中間膜２６はそれぞれ第１実
施形態と同様の厚さ及び材料で成膜されており、第１の
薄膜２５に形成した第１の開口２５ａも一辺が４００ｎ
ｍの正方形とされている。
【００２６】さらに、第２の薄膜は、厚さ５ｎｍのＳｂ
薄膜２８と厚さ２５ｎｍのＡｕ薄膜２９の２層とされて
いる。この２層薄膜２８，２９をヒータで約３００℃ま
で昇温し、レーザ光を固浸レンズ１５Ｃに入射して第１
の開口２５ａに集光させる。すると、ＡｕとＳｂが高温
で相互に拡散／合金化して微小な光透過部３０が形成さ
れる。この光透過部３０は直径約２００ｎｍの円形であ
り、前述の第２の開口２７ａと同じ作用を奏する。従っ
て、本第３実施形態における作用、効果は前記第１実施
形態と同じである。
薄膜２８と厚さ２５ｎｍのＡｕ薄膜２９の２層とされて
いる。この２層薄膜２８，２９をヒータで約３００℃ま
で昇温し、レーザ光を固浸レンズ１５Ｃに入射して第１
の開口２５ａに集光させる。すると、ＡｕとＳｂが高温
で相互に拡散／合金化して微小な光透過部３０が形成さ
れる。この光透過部３０は直径約２００ｎｍの円形であ
り、前述の第２の開口２７ａと同じ作用を奏する。従っ
て、本第３実施形態における作用、効果は前記第１実施
形態と同じである。
【００２７】なお、２層薄膜２８，２９は高温で合金化
して光透過性を有する材料であれば種々の材料が使用で
きる。Ａｕに代えてＡｇ，Ｐｔ，Ｐｄ等を挙げることが
でき、Ｓｂに代えてＳｉ，Ｇｅ等を挙げることができ
る。
して光透過性を有する材料であれば種々の材料が使用で
きる。Ａｕに代えてＡｇ，Ｐｔ，Ｐｄ等を挙げることが
でき、Ｓｂに代えてＳｉ，Ｇｅ等を挙げることができ
る。
【００２８】（他の実施形態）なお、本発明に係る近接
場光発生素子及び光ヘッドは前記実施形態に限定するも
のではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することが
できる。
場光発生素子及び光ヘッドは前記実施形態に限定するも
のではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することが
できる。
【００２９】特に、近接場光発生素子としては、固浸レ
ンズ以外に、高屈折率物質からなるプローブであっても
よい。また、第１及び第２の薄膜や中間膜は種々の材料
を適宜選択して用いることができる。さらに、入射光学
系や読取り光学系の構成は任意である。
ンズ以外に、高屈折率物質からなるプローブであっても
よい。また、第１及び第２の薄膜や中間膜は種々の材料
を適宜選択して用いることができる。さらに、入射光学
系や読取り光学系の構成は任意である。
【図１】本発明に係る光ヘッドの一実施形態を示す概略
構成図。
構成図。
【図２】本発明に係る近接場光発生素子の第１実施形態
を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は斜視図。
を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は斜視図。
【図３】本発明に係る近接場光発生素子の第２実施形態
を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は斜視図。
を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は斜視図。
【図４】第２実施形態における近接場光の強度を示すグ
ラフ。
ラフ。
【図５】本発明に係る近接場光発生素子の第３実施形態
を示す断面図。
を示す断面図。
１０…光ヘッド １５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ…固浸レンズ １６…偏光子 ２５…第１の薄膜 ２５ａ，２５ｂ…第１の光透過部 ２６…中間膜 ２７…第２の薄膜 ２７ａ，２７ｂ，３０…第２の光透過部 ２８，２９…２層薄膜
フロントページの続き (72)発明者 富永 淳二 茨城県つくば市東一丁目１番地４ 工業技 術院産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 阿刀田 伸史 茨城県つくば市東一丁目１番地４ 工業技 術院産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 佐藤 彰 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 波多野 卓史 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H052 AA00 AA07 AC05 AC18 AC34 5D119 AA11 AA22 BA01 CA06 JA33 JA44 JA64 5F073 AB25 AB27 BA06 DA35 FA06
Claims (5)
- 【請求項１】 高屈折率物質からなる素子本体の出射面
に、第１の光透過部と中間膜と第２の光透過部を設け、
第２の光透過部は第１の光透過部よりも小面積であるこ
とを特徴とする近接場光発生素子。 - 【請求項２】 第１又は第２の光透過部の少なくとも一
方は、薄膜に形成した微小開口であることを特徴とする
請求項１記載の近接場光発生素子。 - 【請求項３】 第１又は第２の光透過部の少なくとも一
方は、高温で合金化して光透過性を有する多層薄膜に形
成された微小光透過部であることを特徴とする請求項１
記載の近接場光発生素子。 - 【請求項４】 第１及び第２の光透過部は互いに平行に
延在するスリット状の開口をなし、第２の光透過部は第
１の光透過部よりもその幅寸法が小さいことを特徴とす
る請求項１記載の近接場光発生素子。 - 【請求項５】 請求項４記載の近接場光発生素子と、光
源と、該光源から放射された光の偏光方向を第１及び第
２の光透過部の延在方向と一致させる偏光子とを備えた
ことを特徴とする光ヘッド。
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| JP11023969A JP2000223767A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | 近接場光発生素子及び光ヘッド |
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