JP2000075299A - 液晶素子とその駆動方法 - Google Patents

液晶素子とその駆動方法

Info

Publication number
JP2000075299A
JP2000075299A JP34544098A JP34544098A JP2000075299A JP 2000075299 A JP2000075299 A JP 2000075299A JP 34544098 A JP34544098 A JP 34544098A JP 34544098 A JP34544098 A JP 34544098A JP 2000075299 A JP2000075299 A JP 2000075299A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
alignment
region
alignment film
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP34544098A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3347678B2 (ja
Inventor
Akira Tsuboyama
明 坪山
Shinjiro Okada
伸二郎 岡田
Hirohide Munakata
博英 棟方
Yasuyuki Watabe
泰之 渡部
Yasushi Asao
恭史 浅尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP34544098A priority Critical patent/JP3347678B2/ja
Priority to US09/333,038 priority patent/US6542211B1/en
Priority to EP99304734A priority patent/EP0965876B1/en
Priority to KR1019990022837A priority patent/KR100308511B1/ko
Publication of JP2000075299A publication Critical patent/JP2000075299A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3347678B2 publication Critical patent/JP3347678B2/ja
Priority to US10/341,443 priority patent/US6693695B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • G02F1/1393—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the birefringence of the liquid crystal being electrically controlled, e.g. ECB-, DAP-, HAN-, PI-LC cells
    • G02F1/1395—Optically compensated birefringence [OCB]- cells or PI- cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133738—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers for homogeneous alignment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133742—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers for homeotropic alignment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/13787—Hybrid-alignment cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • G02F1/1396—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the liquid crystal being selectively controlled between a twisted state and a non-twisted state, e.g. TN-LC cell
    • G02F1/1397—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the liquid crystal being selectively controlled between a twisted state and a non-twisted state, e.g. TN-LC cell the twist being substantially higher than 90°, e.g. STN-, SBE-, OMI-LC cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ベンド配向を利用して表示を行なう液晶素子
において、ベンド化電圧及びベンド配向の保持電圧の低
減を図る。 【解決手段】 水平平行配向領域を取り囲むようにハイ
ブリッド配向領域或いは垂直配向領域を形成することに
より、ベンド化処理後の無電界時において水平平行配向
処理領域の液晶を、ベンド配向に連続的に変移可能なツ
イスト配向状態で保持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータ等のディスプレイに用いられる液晶素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示装置として液晶素子が用いら
れるようになってきたが、一般に広く用いられているの
は、液晶セルの上下基板の配向膜のラビング方向を９０
°回転させ、ネマチック液晶を挟持したＴＮ（Ｔｗｉｓ
ｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの液晶素子であるが、
上下基板の配向膜のラビング方向を同一としてネマチッ
ク液晶をスプレイ配向させた液晶素子も知られている。
また、上記スプレイ配向した液晶に電圧を印加してベン
ド配向に配向変化させることによって、応答速度を改善
した方式が１９８３年にＰ．Ｊ．ボス（Ｂｏｓ）等によ
って発表されている（πセル）。さらに、このようなベ
ンド配向セルに位相補償を行なうことで視野角特性を改
善した技術が１９９２年に内田等によって発表されてい
る（ＯＣＢセル）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなベンド配
向型のネマチック液晶素子は、液晶の応答におけるバッ
クフロー現象を抑制することによって応答性を改善、高
速化したものであるが、液晶素子として実用化するには
いくつかの問題点があった。
【０００４】その一つには、上記したようにスプレイ配
向をベンド配向に転移させるには、電界処理が必要なこ
とであった。スプレイ−ベンド間の配向転移は連続的で
はなく、その二つの配向状態間にはディスクリネーショ
ンラインが存在するために、核発生（ｎｕｃｌｅａｔｉ
ｏｎ）及びその成長（ｇｒｏｗｔｈ）というプロセスが
必要である。このようなプロセスは全ての領域で核発生
させることが困難であると同時に、核発生閾値の制御が
難しく、上記電界処理には高電圧をかける必要があっ
た。また、上記核発生によって形成されたベンド領域が
成長する速度も印加電圧が高いほど速いが、低電圧では
数秒〜数分かかる。さらに、実際のマトリクス構造セル
では、画素電極間を経由してベンド領域が成長しにくい
という問題もあった。ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用
いたアクティブマトリクス型のセルにおける電圧の印加
法に関してもいくつかの検討がなされている（例えば、
ＩＭＢ、ＩＤＷ１９９６，ｐ１３３”Ｉｎｉｔｉａｌｉ
ｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅ
ｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ−ｍｏｄｅ ＬＣＤｓ”，や特
開平９−１８５０３２号公報）。さらに、上記ベンド化
のために印加した電圧を切ると、ベンド配向もスプレイ
配向に復帰してしまうために、使用時には再度ベンド化
処理が必要であるという問題もあった。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的は、上記したようなベンド配向を用い
る液晶素子において、（１）スプレイ配向状態をベンド
配向状態に転移させるための電界処理、及び（２）使用
時の再ベンド化処理について改善を図ることにあり、具
体的には、再ベンド化電圧や保持電圧を低減することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶に電圧を
印加する電極と、液晶層との界面に配向膜を有する一対
の基板と、該基板間に挟持されたネマチック液晶層とを
有する液晶素子であって、上記基板の少なくとも一方の
配向膜が部分的に、液晶分子の長軸が基板面に対して８
０〜９０°の角度をもって配向する垂直配向膜領域を有
し、該垂直配向膜領域以外の領域において上記液晶がベ
ンド化電圧を印加することによってベンド配向する配向
状態にあることを特徴とする液晶素子である。
【０００７】また本発明は、上記液晶素子において、ツ
イスト配向状態とベンド配向状態間の状態変移を光学変
換して表示を行なうことを特徴とする液晶素子の駆動方
法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】一対の基板間に液晶を挟持してな
る液晶素子において、上下基板の液晶層との界面に水平
配向処理を施し、上下基板で該配向処理方向が平行とな
るように構成すると、液晶注入後の初期状態において
は、液晶層の配向状態はプレチルトが５〜１０°の場合
にはスプレイ配向となる。しかし、この状態から液晶層
に電圧を印加すると、Ｎp型ネマチック液晶の場合に
は、少なくともセル厚み方向の中央部で液晶分子が電界
方向に平行に配向し、ベンド配向ないし垂直配向状態を
呈する。この状態で電界を切ると液晶層は元のスプレイ
配向ではなく、液晶分子長軸が１８０°ねじれたツイス
ト配向状態となる。この配向状態はひずみエネルギーが
高く、不安定で、通常（周囲がハイブリッド配向ではな
い場合）は短時間のうちにスプレイ配向状態に戻ってし
まうが、周囲がハイブリッド配向或いは垂直配向である
場合には１８０°ねじれたツイスト配向が周囲の影響で
安定化され、保存することが可能であることを本発明者
等は見出した。
【０００９】スプレイ配向状態からベンド配向状態には
連続的に変化することができず、この二つの配向状態間
にはディスクリネーションラインが存在する。また、上
下平行ラビングの場合には、電圧無印加状態ではスプレ
イ配向が安定で、電圧印加状態ではベンド配向ないしツ
イスト配向が安定化する。図７に示すように、ツイスト
配向状態からベンド配向状態へは連続的に変化すること
ができ、この二つの配向状態の間にはディスクリネーシ
ョンラインを形成しないことが可能である。従って、ツ
イスト配向状態からベンド配向状態を形成するには核発
生からベンドドメインの成長というプロセスを経由させ
る必要はない。
【００１０】このことは、ベンド配向を利用する液晶素
子の実用化にとって大きなメリットになる。即ち、無電
界時にツイスト配向を安定に存在させることができれ
ば、使用開始時に毎回ベンド化処理を行なう必要がな
く、また、核発生からベンドドメインの成長という実用
上の不安定なプロセスを排除できるからである。
【００１１】一般に、無電界時にツイスト配向を安定化
させるには、液晶にセル厚に見合った適切な量のカイラ
ルドーパントを混入することで実現される。しかしなが
ら、本発明者等が、自発的にツイスト構造を持つ液晶材
料を用いて前述のπセル或いはＯＣＢモードの液晶素子
を作製して駆動したところ、 （１）所定の電圧を印加してベンド配向状態とした場合
にも、ある程度ツイスト成分が残り、ＯＣＢモードで
は、位相補償が不完全になり、コントラストや視野角特
性が悪くなる。 （２）所定の電圧を印加してベンド配向間のスイッチン
グ挙動を光学応答で見ると、特に低電圧側への応答で光
量が「バウンド」し、カイラルドーパントを混入しない
場合に比べて実質的に応答速度が低下する。
【００１２】そこで、我々は、先に述べたように、ノン
カイラル液晶を用いて、無電界時に液晶のツイスト配向
を安定化させる方法として、液晶素子の配向処理を２つ
の領域に分けて、一方の領域の液晶層の配向状態によっ
て他方の領域の液晶層の配向状態が制御できるかを検討
した。
【００１３】具体的には、無電界時に液晶をツイスト配
向させる領域に隣接するように、少なくとも一方の基板
に垂直配向膜領域を形成することによって可能である。
液晶をツイスト配向させる領域（即ちベンド化電圧を印
加して液晶をベンド配向させる領域）は、例えば、上下
基板に水平配向膜を設け、その配向方向を平行とした水
平平行配向領域とすることで形成される。また、垂直配
向領域は、上下基板に垂直配向膜領域を設けた垂直配向
領域或いは、一方の基板に垂直配向膜領域を、他方の基
板には水平配向膜領域を形成したハイブリッド配向領域
とする。以下、垂直配向膜領域によりツイスト配向を安
定化しうる作用を説明する。
【００１４】図８に示すように、液晶素子の画素に相当
する領域３を水平平行配向領域とし、当該領域を囲むよ
うに画素間４をハイブリッド配向領域とした液晶素子を
構成する。尚、ハイブリッド配向領域にも電界印加する
必要があるため、この領域にも電界が十分にかかるよう
な電極構成にする。この素子の配向を観察すると、電界
処理前後の無電界時において、各配向領域にいくつかの
特徴的な液晶の配向構造の異なる配向状態が観察され
た。各配向構造について図１を参照しながら説明する。
尚、図１中（ａ）はハイブリッド配向領領域の、（ｂ）
は水平平行配向領域の液晶分子の配向構造を示し、１
ａ，１ｂは基板、２は液晶のダイレクタである。また、
基板１ａ，１ｂに平行な矢印はラビング方向を示す。
【００１５】先ず、ハイブリッド配向領域に着目する。
ハイブリッド配向は、配向処理であるラビング方向を含
む基板に垂直な面にのみ液晶分子が存在し、そのためク
ロスニコルに配置した偏光板間で観察すると、偏光子の
偏光軸とラビング軸を合致させた時、消光位が得られ
る。この状態で、電界を基板法線方向に印加する（電界
印加処理）と、ディスクリネーションを介した配向転移
が起きる。再び、無電界に戻すと、電界印加処理前とは
異なる配向構造が保持されていることが観察される。こ
の配向構造でも、偏光軸とラビング軸を一致させた時に
消光位を持つ。ここで、電界処理前の配向状態をハイブ
リッドＢ構造、処理後の配向状態をハイブリッドＡ構造
と呼ぶ。両配向構造とも、クロスニコル偏光板下での偏
光軸方向に消光位を持つことと、電界印加処理後のハイ
ブリッドＡ構造の方がリタデーション値が小さかったこ
とから、図１（ａ）のような配向構造が帰属できる。
【００１６】一方、水平平行配向領域においては、液晶
素子作製後、電界印加処理（ベンド化処理）を施すまで
はスプレイ配向をとる。電界印加処理により、一旦、図
２に示すベンド配向化した後、再度無電界状態に戻す
と、左回りか右回りのツイスト配向ＬまたはＲをとる。
ツイスト配向は、ラビング軸に平行でない成分が存在す
るために消光位を持たず、簡単にスプレイ配向と判別す
ることができる。このツイスト配向状態は、無電界時で
も保持されることが確認された。また、このツイスト配
向に１〜２Ｖ程度の電圧を印加すると、図２のベンド配
向に連続的にスムーズに転移する。そのため、ベンド配
向を表示に用いるπセルやＯＣＢモードでは非常に有用
である。
【００１７】以上のように、液晶素子内に２つの異なる
配向処理を施した領域を形成することで、電界印加処理
により無電界時に異なる配向構造をとらせることができ
る。即ち、電界印加処理まではスプレイ−ハイブリッド
Ｂ配向を安定にとり、処理後はツイスト−ハイブリッド
Ａ配向を安定にとる。ツイスト配向には、左回りと右回
りの２種類があるが、どちらか一方に揃う場合が多い。
【００１８】上記のように、電界印加処理前後でそれぞ
れの配向状態が安定になる理由を、図３〜７を参照しな
がら説明する。
【００１９】これらの配向状態の安定性について重要な
ことは、２つの異なる配向状態の境界領域部にディスク
リネーションが介在するかどうかである。２つの異なる
配向状態が連続的につながる場合、境界領域部の弾性的
なひずみエネルギーは相対的に小さい。一方で、境界領
域部で連続的な変化で２つの配向状態をつなげることが
できない時には、不連続点を介することになり、ディス
クリネーションが生まれる。ディスクリネーションは局
所的に非常に大きな弾性ひずみエネルギーを持つ。
【００２０】例えば、図３及び図４は、スプレイ配向と
ハイブリッドＢ配向、Ａ配向との連続性を調べるため
に、液晶素子をラビング方向を含む基板に対して垂直な
断面で切断した時の、液晶ダイレクタの模式図を描いた
ものである。スプレイ配向とハイブリッドＢ配向とは、
連続的なダイレクタ変化でつなげることができるが、ス
プレイ配向とハイブリッドＡ配向とは連続的につなげる
ことができず、黒丸で示すようなディスクリネーション
（不連続点）の存在が不可欠である。この図４のディス
クリネーションは、「液晶の物理学」（チャンドラセカ
ール著、物理学叢書 ７２、吉岡書店、第１４５頁）に
記載された「ねじれ転傾（ねじれディスクリネーショ
ン）」の一種であると考えられる。ディスクリネーショ
ン周りのダイレクタがディスクリネーションを挟んで相
対するダイレクタの向きが互いに９０°の角度を有し、
ディスクリネーションを１回転するとダイレクタは１８
０°回転する。同じように、図５と図６に示したよう
に、ハイブリッドＢ配向とツイスト配向には、ディスク
リネーションの介在が必要であるが、一方で、ツイスト
配向とハイブリッドＡ配向は連続的につながる。
【００２１】境界領域部の弾性ひずみエネルギーは、デ
ィスクリネーションの有無で、 ディスクリネーション有り＞ディクリネーション無し である。一方、境界領域部の配向状態の弾性的なひずみ
エネルギーの大小を考えると、図１から明らかなよう
に、 ハイブリッドＡ配向＜ハイブリッドＢ配向 スプレイ配向＜ツイスト配向 である。本来、それぞれの配向状態単独ではエネルギー
の高いハイブリッドＢ配向やツイスト配向が電界無印加
状態で安定に存在できる理由は、ディスクリネーション
が介在する配向状態の組み合わせでは、その部分のエネ
ルギーが局所的に高いために、系全体のエネルギーが高
くなるためである。従って、 電界印加処理前無電界時：スプレイ配向とハイブリッド
Ｂ配向 電界印加処理後無電界時：ツイスト配向とハイブリッド
Ａ配向 という連続的な変化が可能な組み合わせが最も安定にな
る。
【００２２】電界印加処理後のツイスト配向は、ハイブ
リッド配向領域を垂直配向にしても保たれることが確認
されている。これは、垂直配向とツイスト配向との境界
領域部で連続性が保たれるからだと考えられる。
【００２３】以上の結果に基づいて、本発明において
は、少なくとも一方の基板に垂直配向膜領域を設けるこ
とにより、該領域以外の領域における液晶の配向状態を
制御することが可能になる。一方の領域の配向状態に着
目した時、その配向状態のみを取り出した場合にはエネ
ルギー的に高い状態でも２領域化することで該配向状態
を安定化することができる。この技術を用いれば、電界
印加処理により配向を転移させた後、無電界でその状態
を保持することができ、液晶双安定素子への応用が可能
になる。
【００２４】液晶双安定素子の例を挙げると、例えば、
タナカ（Ｔａｎａｋａ）ら（ＡＳＩＡ ＤＩＳＰＬＡＹ
（１９９５），ｐ２５９）の発表におけるＢｉｓｔａｂ
ｌｅＴｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ（ＢＴＮ）が挙げ
られる。この方式は、例えばユニフォーム状態と２πツ
イスト状態の２つの準安定状態を表示に用いるものであ
る。この素子において、配向領域の異なる２つの領域を
形成し、例えば非表示領域をハイブリッド配向とすれ
ば、ユニフォーム状態と２πツイスト状態を電圧無印加
状態で保持することができる。本来、このＢＴＮは、電
圧無印加状態では、数秒から数十秒で（表示には用いな
い）安定状態であるπツイスト状態に戻ってしまうた
め、電気信号無印加状態でも表示が可能なメモリー表示
素子にはなり得なかった。しかしながら、配向状態の異
なる領域による安定化作用を利用することにより、この
ような素子においてもメモリー表示素子の可能性が開か
れる。
【００２５】本発明の液晶素子における配向状態の変化
を図９を用いて説明する。図９中、１１はスプレイ配向
領域、１２はハイブリッド配向領域、１３はベンド配向
領域、１４はツイスト配向領域である。図９において、
（ａ−１）〜（ａ−３）はハイブリッド配向領域１２を
持たない従来の構成、（ｂ−１）〜（ｂ−４）は本発明
の好ましい一実施形態で、所定の領域をハイブリッド配
向領域１２で取り囲んだ構成の、それぞれの配向状態を
示す。
【００２６】液晶を注入した直後の液晶素子において
は、（ａ−１）、（ｂ−１）に示すように、ベンド化電
圧を印加してベンド配向する領域は全てスプレイ配向領
域１１となる。この時点ではハイブリッド配向領域１２
の液晶はハイブリッドＢ配向している。次に、これらの
素子に核発生電圧を印加すると、（ａ−２）、（ｂ−
２）に示すように、スプレイ配向領域１１内にベンド配
向領域１３の核が発生し、さらに昇圧してベンド化電圧
を印加すると、（ａ−３）、（ｂ−３）に示すように、
スプレイ配向領域１１は全面ベンド配向領域１３とな
る。ここで、ベンド配向を維持するためには保持電圧の
印加が必要になる。また、この時点で、ハイブリッド配
向領域１２の液晶は、ツイスト配向に連続的に変移可能
なハイブリッドＡ配向となっている。
【００２７】さらに、（ａ−３）の構成では、保持電圧
を切ると（ａ−１）の全面スプレイ配向に戻ってしま
う。一方、本発明の液晶素子である（ｂ−３）の場合に
は、周囲をハイブリッド領域１２においてハイブリッド
Ａ配向している液晶で取り囲まれているため、保持電圧
を切ってもスプレイ配向に戻る前のツイスト配向状態で
安定化する（ｂ−４）。前記したように、ベンド配向と
ツイスト配向とは連続しているため、ツイスト配向状態
をベンド化するには、上記ベンド化電圧よりも大幅に低
い電圧で可能である。また、このようなベンド化電圧を
印加せずに、ツイスト配向状態と実質的な垂直配向状態
（ベンド配向状態に電圧を印加して基板の液晶との界面
を除く液晶層を実質的に垂直配向させた状態）との間で
の状態変化を利用して表示を行なうことができる。但
し、この場合の応答速度は、ベンド配向状態と実質的な
垂直配向状態間での応答速度に比べて遅くなる。応答速
度は、液晶にカイラル性を持たせないことで改善するこ
とができる。その理由は、カイラル成分を含んだ液晶の
場合には、一旦ツイストさせた後にベンド配向させた場
合に、駆動電圧の低電圧側でベンド配向よりもツイスト
配向が優勢になってしまうためである。
【００２８】またさらに、上記構成においては、安定な
ツイスト配向状態を利用して、ツイスト配向状態とベン
ド配向状態との間での状態変化を利用して表示を行なう
こともできる。
【００２９】図９に示した構成は、所定の領域をハイブ
リッド配向領域で取り囲んだものであるが、ハイブリッ
ド配向領域から距離のある部分では、ベンド配向状態で
電圧を切るとツイスト配向で留まることができずスプレ
イ配向に戻ってしまう場合もある。この時、スプレイ配
向に戻った液晶分子によって、ツイスト配向領域の大部
分がスプレイ配向に戻る場合もある。しかしながら、ハ
イブリッド配向領域１２は、無電界時でもツイスト配向
に連続的に変移し得るハイブリッドＡ配向を維持してい
るため、該ハイブリッドＡ配向の存在によって初期状態
におけるベンド化電圧よりも低い電圧印加によってスプ
レイ配向をベンド配向とすることができる。また、ハイ
ブリッド配向領域１２に隣接する領域の液晶分子はハイ
ブリッドＡ配向の影響を受けて部分的にツイスト配向状
態で留まると考えられ、このようなツイスト配向状態の
液晶分子が再度ベンド化する際のベンド配向の核となる
ため再ベンド化電圧の低減に寄与するものとも考えられ
る。
【００３０】このような、スプレイ配向に戻った場合の
再ベンド化電圧の低減効果は、ハイブリッド配向領域を
垂直配向領域とした場合にも同様に得られ、この場合
も、垂直配向領域に隣接する領域の液晶分子が部分的に
ツイスト配向状態に留まり、ベンド配向の核となるため
に再ベンド化電圧を低減できるものと考えられる。
【００３１】本発明において、特に、電界印加処理後の
無電界時にツイスト配向状態を保持する上では、ハイブ
リッド配向領域或いは垂直配向領域はベンド配向させる
領域を取り囲むように形成することが好ましいが、特に
この構成に限定されるものではなく、必要な効果が得ら
れる範囲でドット状或いはストライプ状に形成してもよ
い。また、この時、各画素をベンド配向させる領域と
し、画素間を全てハイブリッド配向領域或いは垂直配向
領域としても良いが、複数画素を連続してベンド配向さ
せる領域としても構わない。さらに、ハイブリッド配向
領域と垂直配向領域が共存していても構わない。
【００３２】本発明において用いられる配向膜として
は、少なくとも一方の配向膜に部分的に、液晶分子の長
軸が基板面に対して８０〜９０°の角度をもって配向す
る垂直配向膜領域を形成する。このような部分的に垂直
配向膜領域を有する配向膜としては、（１）ラビング処
理によって水平配向性を発現し、未処理の場合には垂直
配向性を示す配向膜や、（２）レジストを利用して水平
配向膜上に部分的に垂直配向膜を形成した複層構成の配
向膜を用いることが好ましい。このような配向膜の形成
工程の一例を図１４、図１５に示す。図１４は上記
（１）の配向膜、図１５は上記（２）の配向膜の形成工
程を示す断面模式図である。図中、３２は基板、３３は
共通電極、３４は絶縁層、３５ａは垂直配向膜領域、３
５ｂは水平配向膜領域、３５は配向膜、４１は水平配向
膜、４２は垂直配向膜、７１はレジスト、７２はラビン
グローラーである。以下に各工程を説明する。
【００３３】先ず、図１４の工程について説明する。基
板３２上に共通電極３３、絶縁層３４等必要な部材を形
成し、その上にラビング処理によって水平配向性を示
し、未処理の場合には垂直配向性を示す配向膜を形成す
る。この時点では、配向膜は全面垂直配向膜領域３５ａ
である。（図１４（ａ））。
【００３４】上記配向膜３５ａの垂直配向性を残す領域
にレジスト７１を形成する（図１４（ｂ））。
【００３５】ラビングローラー７２で全面にラビング処
理を施す（図１４（ｃ））。
【００３６】レジスト７１を剥離すると、ラビング時に
レジスト７１で保護されていた垂直配向膜領域３５ａ
と、ラビング処理による水平配向膜領域３５ｂとを有す
る配向膜３５が得られる。
【００３７】次に、図１５の工程について説明する。基
板３２上に共通電極３３、絶縁層３４等必要な部材を形
成し、その上に水平配向膜４１を形成する（図１５
（ａ））。
【００３８】次いで、水平配向膜４１上の水平配向膜領
域を残す領域にレジスト７１を形成し、その上に全面に
垂直配向膜４２を形成する（図１５（ｂ））。
【００３９】レジスト７１を剥離することにより、水平
配向膜領域上の垂直配向膜が剥離され、垂直配向膜領域
にのみ垂直配向膜４２が残される（図１５（ｃ））。
【００４０】必要に応じて、ラビングローラー７２によ
りラビング処理を施す（図１５（ｄ））。
【００４１】本発明において用いられる配向膜として、
例えば、図１４の形成工程によって部分的に垂直配向膜
領域を形成し得る素材としては、フッ素置換基を有する
ポリイミドが挙げられる。また、図１５の形成工程によ
って形成される水平配向膜４１としては、例えば、ポリ
ビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセター
ル、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポ
リスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹
脂、アクリル樹脂などの樹脂類、或いは感光性ポリイミ
ド、感光性ポリアミド、環状ゴム系フォトレジスト、フ
ェノールノボラック系フォトレジスト或いは電子線フォ
トレジスト（ポリメチルメタクリレート、エポキシ化−
１，４−ポリブタジエンなど）などが挙げられ、垂直配
向膜４２としては、下記構造式で示される化合物が挙げ
られる。 ＣＨ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 ＣＨ3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3 Ｃ6Ｈ13Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 Ｃ8Ｈ17Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 Ｃ10Ｈ21Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 Ｃ18Ｈ37Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 Ｃ18Ｈ37Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3 ＣＦ3Ｃ2Ｈ4Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 Ｃ4Ｆ9Ｃ2Ｈ4Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 Ｃ6Ｆ13Ｃ2Ｈ4Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 Ｃ8Ｆ17Ｃ2Ｈ4Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 Ｃ8Ｆ17Ｃ2Ｈ4Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
【００４２】
【化１】
【００４３】［ｎ−Ｃ8Ｆ17ＳＯ2Ｎ（Ｃ2Ｈ5）ＣＨ2Ｃ
ＯＯ］ＣｒＣｌ2 ｎ−Ｃ8Ｆ17ＳＯ2Ｎ（Ｃ3Ｈ7）Ｃ3Ｈ6Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
【００４４】
【化２】
【００４５】次に、本発明の液晶素子の一実施形態の１
画素分の断面模式図を図１０に、当該液晶素子を組み込
んだディスプレイパネルの平面模式図を図１２に示す。
本液晶素子は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いた
アクティブマトリクス型の液晶素子であり、図１２に示
すように、複数の画素電極３０をマトリクス状に配置
し、各画素電極３０毎に配置したＴＦＴ３７のゲート電
極を走査信号線５３に、ソース電極を情報信号線５４に
それぞれマトリクス配線し、各走査信号線５３には走査
信号印加回路より順次走査選択信号（ＴＦＴ３７のオン
信号）を印加し、該走査選択信号と同期して情報信号印
加回路５２より所定の階調表示情報を持った情報信号を
印加して選択されたラインの画素電極３０に書き込み、
所定の電圧を液晶層に印加して表示を行なう。
【００４６】図１０において、２０は基板、２１はゲー
ト電極、２２はゲート絶縁膜、２３は半導体層、２４は
オーミックコンタクト層、２５はソース電極、２６はド
レイン電極、２７は絶縁層、２８はパッシベーション
膜、２９は保持容量電極、３０は画素電極、３１は水平
配向膜、３２は基板、３３は共通電極、３４は絶縁層、
３５は垂直配向膜領域３５ａと水平配向膜領域３５ｂと
を有する配向膜、３７はＴＦＴ、３８は液晶層、３６
ａ、３６ｂはラビング方向である。
【００４７】図１０の液晶素子において、透過型の場合
には基板２０には通常ガラスやプラスチック等の透明性
を有する基板が用いられ、反射型の場合にはシリコン基
板など不透明な基板が用いられる場合もある。画素電極
３０及び共通電極３３は、透過型の場合にはいずれもＩ
ＴＯ等透明導電材を例えば真空成膜法により１５０ｎｍ
程度の厚みで成膜して用いる。反射型の液晶素子の場合
には、画素電極３０を反射性の高い金属で形成して反射
板を兼ねる場合もある。半導体層２３としては、一般に
アモルファス（ａ−）Ｓｉが用いられ、例えば、水素希
釈したモノシラン（ＳｉＨ4）をグロー放電分解法（プ
ラズマＣＶＤ）によって約３００℃のガラス基板上に約
２００ｎｍの厚みで堆積して用いる。その他、多結晶
（ｐ−）Ｓｉも好ましく用いられる。さらに、オーミッ
クコンタクト層２４としては、例えば、ｎ+ ａ−Ｓｉ層
にリンをドーピングして用いる。ゲート絶縁膜２２とし
ては、窒化シリコン（ＳｉＮx）が用いられ、例えばグ
ロー放電分解法により形成される。さらに、ゲート電極
２１、ソース電極２５、ドレイン電極２６、保持容量電
極２９、配線等には一般にＡｌ等の金属が用いられる。
保持容量電極２９については、面積が広い場合には、Ｉ
ＴＯ等の透明導電材を用いる場合もある。絶縁層３４に
はＴａ2Ｏ5などが用いられ、例えば真空成膜法により厚
さ１００ｎｍ程度に堆積する。さらに、絶縁層２７及び
パッシベーション膜２８には窒化シリコン等の絶縁膜が
好ましく用いられる。
【００４８】本実施形態の液晶素子は、全面ツイスト配
向させて保持する上では、個々の画素電極３０を取り囲
むように垂直配向膜領域３５ａを形成し、該領域におい
て液晶分子をハイブリッド配向させることが望ましい。
本発明においては、ツイスト配向を安定化させるために
設けるハイブリッド配向領域は、表示に影響しない領域
に形成することが好ましい。従って、図１０の実施形態
に示されるように、画素電極間隙に形成し、該領域に対
応するブラックマトリクス（不図示）によって当該領域
を遮光すれば、ハイブリッド配向領域はブラックマトリ
クスの開口部で形成される画素の外側に配置することに
なる。また、ハイブリッド配向領域を形成する場合、垂
直配向膜領域は図１０に示すように共通電極基板側に限
定されず、ＴＦＴ基板側（２０）に形成しても構わな
い。
【００４９】また、図１１に、水平配向膜４１上に部分
的に垂直配向膜４２を形成して、垂直配向膜領域におい
て液晶分子をハイブリッド配向させる形態を示す。本実
施形態においては、垂直配向膜４２を、画素電極に若干
入り込んだ領域にまで形成することにより、画素電極間
隙がツイスト配向状態になり液晶に印加された電圧の減
衰によって画素内の配向を変化させる影響を避けること
ができる。この場合にも、垂直配向膜４２に対応してブ
ラックマトリクス（不図示）を形成することにより、ハ
イブリッド配向領域は画素の外側に配置することにな
る。
【００５０】ハイブリッド配向領域或いは垂直配向領域
は、ツイスト配向状態の無電界時における安定化のため
には、図１０、図１１に示した実施形態の如く、画素毎
に画素電極を取り囲む画素電極間や、図１７の１０１に
示すように、複数の画素を取り囲むように配線上に形成
することが好ましいが、所望の効果が得られるのであれ
ば、配線上にドット状或いはストライプ状（図１８）に
形成する等、適宜形成領域は選択することができる。
尚、図１７及び図１８の如く、配線上にハイブリッド配
向領域或いは垂直配向領域を形成することにより、配線
に印加される電圧と対向する基板の共通電極に印加され
る電圧とによって、当該領域の液晶に電圧が印加され、
ハイブリッドＡ配向状態或いは垂直配向状態とすること
ができる。
【００５１】上記図１０、図１１に示した実施形態の液
晶素子の駆動波形の一例を図１６に示す。図中（ａ）〜
（ｃ）は１ライン目、２ライン目、及びｎライン（最終
ライン）目の走査信号線に印加する走査信号波形、
（ｄ）は１列目の情報信号線に印加する情報信号波形、
（ｅ）は１ライン目で且つ１列目の画素の液晶に印加さ
れる電圧波形を示す。
【００５２】本発明の液晶素子をベンド配向状態で駆動
する場合においても、駆動電圧の低電圧側に保持電圧以
上の電圧を印加することにより、より応答速度を向上す
ることができる。
【００５３】本発明の液晶素子は、透過型の場合には、
図１３に示すように、その外側に偏光子６３ａ、６３ｂ
を配置して用いる。図中、６１が本発明の液晶素子であ
る。この時、液晶素子６１の配向膜のラビング方向６４
に対して、クロスニコルに配置した偏光子６３ａ、６３
ｂの偏光軸が４５°をなすように配置する。液晶素子が
反射型の場合には、偏光子６３ａは不要である。
【００５４】また、本発明の液晶素子には、リタデーシ
ョンが正の一軸性の位相補償板（複数の位相差フィルム
を重ね合わせたもの）６２ａを配置することにより、所
定の電圧値における液晶層を通過する光のリタデーショ
ンを相殺し、当該電圧値における黒表示の光学補償を行
なうことができるため、このような位相補償板６２ａを
用いることが好ましい。さらに、液晶層の中央部の液晶
分子は、電圧を印加した状態では基板法線方向の成分が
多く、視野角特性を悪くする原因となるため、ｚ方向
（基板の法線方向）の成分を相対的に小さくしたリタデ
ーションが負の位相補償板６２ｂ（Ｒ＜０）を用いるこ
とにより、液晶層中の基板に垂直な方向と水平な方向と
のリタデーション差を補正して視野角特性を改善するこ
とが好ましい。尚、位相補償板６２ａ、６２ｂの代わり
に、両者の機能を有する２軸性の位相補償板を用いるこ
ともできる。
【００５５】本発明の液晶素子においては、上記したよ
うにネマチック液晶を用い、特定の配向膜を形成して所
定の液晶配向が得られるように構成すれば、他の構成部
材についてはその素材、形状、大きさ、製法等について
は特に限定されず、従来の液晶素子の技術を適用するこ
とが可能である。
【００５６】
【実施例】（実施例１）本発明の第一の実施例として、
画素電極の周囲にハイブリッド配向領域を形成した液晶
素子を作製した。本液晶素子は、図１４に示した工程を
用いて作製した。即ち、ガラス基板上に透明電極として
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を真空成膜法で形成し、その
上に厚さ１００ｎｍのＴａ2Ｏ5を真空成膜法で成膜し
た。その上に、配向膜材料（日立化成社製「ＬＱ１８０
０」）をスピンナー塗布し、２７０°で２０分間、ホッ
トプレート上で焼成して厚さ２０ｎｍの配向膜を形成し
た。さらにその上に所望のパターンのフォトマスクレジ
スト（東京応化社製「ＴＰＡＲ」）を形成し、ラビング
処理した後、上記レジストを剥離した。ラビング強度
は、プレチルト角が１０°になる条件に設定した。その
結果、１ｃｍ×１ｃｍの電極面積の範囲に、正方形の水
平配向領域を囲むように２００μｍピッチで幅１０μｍ
の垂直配向領域を有する第一の基板が得られた。
【００５７】上記レジストを形成しない以外は全く同じ
工程で、全面が水平配向処理を施された第二の基板を形
成した。
【００５８】上記２枚の基板を、ラビング方向が同一方
向になるように対向配置して直径５μｍのスペーサーを
介して貼り合わせ、ノンカイラルネマチック液晶（チッ
ソ社製「ＫＮ−５０２７」）を注入して液晶素子を作製
した。
【００５９】上記液晶の主な物性パラメータは以下の通
りである。 ネマチック相→等方相転移温度：８１℃ Δε（誘電率異方性）：７．９ Δｎ（屈折率異方性）：０．１５９
【００６０】上記液晶素子は、液晶注入直後は全面スプ
レイ配向していた。この素子に、電圧Ｖb＝２．０Ｖを
印加することで、スプレイ配向領域内にベンド配向の核
を発生させることができ、さらに、４．４Ｖまで昇圧す
ることで、全面ベンド化することができた。次に、印加
電圧を０Ｖとすると、ハイブリッド配向領域で囲まれた
水平平行配向領域の液晶がツイスト配向に変化した。
【００６１】さらに、上記ツイスト配向している素子に
電圧を印加してゆくと、Ｖe1＝０．７Ｖでベンド配向に
変化した。
【００６２】比較のために、前記第一の基板においてレ
ジストを形成しない以外は全く同様にして液晶素子を作
製し、同様に電圧を印加したところ、ベンド配向の核は
２．５Ｖで発生し、全面ベンド配向するために必要な電
圧は５．８Ｖであった。さらに、ベンド配向状態を保持
するために必要な保持電圧は１．９Ｖであった。先の本
実施例の液晶素子においては、ツイスト配向とベンド配
向間の配向変化が連続的に行なわれるため、ベンド配向
を保持するための保持電圧Ｖe2はＶe1と同じ０．７Ｖで
あった。即ち、使用時直前の再度のベンド配向処理が実
質不要になり、保持電圧も大幅に低減することができ
た。
【００６３】（実施例２）実施例１における第二の基板
をＴＦＴ基板に変更し、光学補償を用いた駆動特性を測
定した。本実施例の液晶素子は図１０に示した構成を有
し、画素電極間隙を埋めるようにハイブリッド配向領域
を設け、ＴＦＴ３７の半導体層２３にはグロー放電分解
法による厚さ約２００ｎｍのａ−Ｓｉ層を用いた。また
保持容量は約９ｐｆに設定した。
【００６４】駆動電圧として±２．０Ｖと±５．３Ｖを
用い、ベンド化処理には５．３Ｖで６０Ｈｚの矩形信号
と０Ｖを交互に印加して行なった。
【００６５】駆動波形は図１６の波形を用い、Ｖ+g＝１
０Ｖ、Ｖ-g＝−１０Ｖ、ΔＴ＝１６μｓ、情報信号電圧
は画像表示時に±２．０〜±５．３Ｖ、共通電極電位を
基準電位にそれぞれ設定した。２．０Ｖ印加時と５．３
Ｖ印加時のリタデーション差は１９０ｎｍであり、±
２．０Ｖで黒表示（ノーマリブラック）を行なうために
３２０ｎｍの位相補償板を用いて光学補償を行なった。
応答速度は電圧２．０Ｖの状態から５．３Ｖへの時間が
０．５ｍｓであり、電圧５．３Ｖの状態から２．０Ｖへ
の時間が５．０ｍｓであった。本実施例の液晶素子で
は、画像表示時に０Ｖ〜４．０Ｖを用いるとツイスト−
ベンド間のスイッチングを行なうこともできる。
【００６６】本実施例の液晶素子は図１３に示すように
一対の偏光子をクロスニコルに配置してその間に本例の
液晶素子をラビング軸が偏光軸に４５°傾いて位置する
ように配置した。ノーマリーブラック表示での黒表示の
光学補償を行なうためにリタデーション＝３２０ｎｍの
正の位相補償板を配置し、さらに、負のリタデーション
の位相補償板を配置して視野角特性を改善した。図１３
において、液晶素子６１と位相補償板６２ａを通過した
光の屈折率楕円体の基板に垂直な方向の屈折率をｎz、
それに直交する方向の屈折率をｎx（ｎxとｎxに直交す
る方向の屈折率ｎy＝ｎx）とし、位相補償板６２ｂの屈
折率楕円体の基板に垂直な方向の屈折率をｎZ’、それ
に直交する方向の屈折率をｎx’（ｎx’とｎx’に直交
する方向の屈折率ｎy’＝ｎx’）とすると、ｎz’＝
ｎx、ｎx’＝ｎzとなるように位相補償板６２ｂを設定
した。
【００６７】（実施例３）配向膜材料と液晶材料を変え
る以外は、実施例２と同じ構成の液晶素子を作製した。
第一の基板の配向膜は、図８に示した工程を用いて作製
した。即ち、第一の基板のＩＴＯ膜上に、配向膜材料
（日本合成ゴム社製「ＡＬ−０６５６」）をスピンナー
塗布し、２００℃で３０分間焼成して厚さ５０ｎｍの配
向膜を形成した後、水平配向領域を保護するレジスト
（東京応化社製「ＯＦＰＲ８００」）を形成し、表面処
理剤（スリーエム社製「ＦＣ−８０５」）を水とＩＰＡ
（イソプロパノール）の混合溶液に希釈して散布し、１
１０℃にて焼成した。その後、レジストを剥離除去し、
水平配向領域においてプレチルト角が７°になるように
ラビング処理を施した。第二の基板の配向膜は、上記水
平配向膜（ＡＬ−０６５６）のみである。
【００６８】液晶材料としては、チッソ社製「ＫＮ−５
０３０」を用いた。その主な物性パラメータは下記の通
りである。 ネマチック相→等方相転移温度：８０℃ Δε（誘電率異方性）：１０．４ Δｎ（屈折率異方性）：０．１３０
【００６９】駆動電圧として±２．０Ｖと±６．０Ｖを
用い、ベンド化処理には６．０Ｖで６０Ｈｚの矩形信号
と０Ｖを交互に印加して行なった。
【００７０】駆動波形は図１６の波形を用い、Ｖ＋ｇ＝
１０Ｖ、Ｖ−ｇ＝−１０Ｖ、ΔＴ＝１６μｓ、情報信号
電圧は画像表示時に±２．０〜±６．０Ｖ、共通電極電
位を基準電位にそれぞれ設定した。２．０Ｖ印加時と
６．０Ｖ印加時のリタデーション差は１５０ｎｍであ
り、±２．０Ｖで黒表示（ノーマリブラック）を行なう
ために２５０ｎｍの位相補償板を用いて光学補償を行な
った。応答速度は電圧２．０Ｖの状態から６．０Ｖへの
時間が１ｍｓであり、電圧６．０Ｖの状態から２．０Ｖ
への時間が１０ｍｓであった。本実施例の液晶素子で
は、画像表示時に０Ｖ〜４．０Ｖを用いるとツイスト−
ベンド間のスイッチングを行なうこともできる。
【００７１】本実施例の液晶素子は、実施例２と同様
に、１度の電界印加処理によって安定したツイスト配向
が得られ、ベンド配向の保持電圧も低減し、２．０Ｖで
ツイスト配向からベンド配向に転移し、実質的に使用時
直前のベンド配向処理が不要となった。
【００７２】（実施例４）図８に示したような、３×４
画素の画素電極を形成し、各画素に独立に電圧を与える
ことができるように、各画素電極から独立に信号線を引
き出し、対向電極については全面共通電極とした液晶素
子を構成した。画素電極に対応する領域は水平平行配向
領域とし、画素電極間をハイブリッド配向領域とした。
配向処理及び液晶材料は実施例１と同様である。
【００７３】この液晶素子をラビング方向に平行にクロ
スニコルに配置した偏光板間に挟むと、初期状態ではス
プレイ配向のため、各画素とも「暗」状態であった。次
いで、「明」状態にした画素に、±５Ｖの交流を印加し
て、一度ベンド配向させた後、電圧を切ると、該当する
画素のみツイスト配向を保持して「明」状態となった。
数日間、無電界で放置しても各画素の配向状態は保持さ
れ、無電界で表示がメモリーさせることが確認された。
表示が無電界で保持されることから、消費電力の非常に
小さいディスプレイに適応できる。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ベンド配向を用いて表示する液晶素子において、再使用
時のベンド化電圧及び保持電圧を大幅に低減して、駆動
電圧を低減して省電力化を図ることができる。
【００７５】特に、本発明においては、ハイブリッド配
向領域或いは垂直領域で適宜所定の領域を取り囲むよう
に構成し、ツイスト配向を安定化して保持することによ
り、実質的に再ベンド化処理を不要とし、同時にベンド
配向の保持電圧を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる液晶の配向構造を模式的に示し
た図である。
【図２】本発明にかかるベンド配向構造を模式的に示し
た図である。
【図３】本発明にかかるスプレイ配向領域とハイブリッ
ドＢ配向領域の境界領域部における液晶ダイレクタの模
式図である。
【図４】本発明にかかるスプレイ配向領域とハイブリッ
ドＡ配向領域の境界領域部における液晶ダイレクタの模
式図である。
【図５】本発明にかかるツイスト配向領域とハイブリッ
ドＢ配向領域の境界領域部における液晶ダイレクタの模
式図である。
【図６】本発明にかかるツイスト配向領域とハイブリッ
ドＡ配向領域の境界領域部における液晶ダイレクタの模
式図である。
【図７】本発明にかかるツイスト配向領域とベンド配向
領域の境界領域部における液晶ダイレクタの模式図であ
る。
【図８】本発明の液晶素子の配向領域の組み合わせの一
例の模式図である。
【図９】本発明にかかる液晶の配向状態の変化を模式的
に示した図である。
【図１０】本発明の液晶素子の一実施形態の１画素の断
面模式図である。
【図１１】本発明の液晶素子の他の実施形態の１画素の
断面模式図である。
【図１２】本発明の液晶素子の一実施形態と周辺駆動回
路を組み込んだディスプレイパネルの平面模式図であ
る。
【図１３】本発明の液晶素子と他の部材との組み合わせ
を模式的に示した図である。
【図１４】本発明にかかる配向膜の形成工程の一例を示
す断面模式図である。
【図１５】本発明にかかる配向膜の形成工程の他の例を
示す断面模式図である。
【図１６】本発明の液晶素子の一実施形態の駆動波形の
一例を示す図である。
【図１７】本発明の液晶素子におけるハイブリッド配向
領域或いは垂直配向領域の一例を示す平面模式図であ
る。
【図１８】本発明の液晶素子におけるハイブリッド配向
領域或いは垂直配向領域の他の例を示す平面模式図であ
る。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ 基板 ２ 液晶ダイレクタ ３ 水平平行配向領域 ４ ハイブリッド配向領域 １１ スプレイ配向領域 １２ ハイブリッド配向領域 １３ ベンド配向領域 １４ ツイスト配向領域 ２０ 基板 ２１ ゲート電極 ２２ ゲート絶縁膜 ２３ 半導体層 ２４ オーミックコンタクト層 ２５ ソース電極 ２６ ドレイン電極 ２７ 絶縁層 ２８ パッシベーション膜 ２９ 保持容量 ３０ 画素電極 ３１ 配向膜 ３２ 基板 ３３ 共通電極 ３４ 絶縁膜 ３５ 配向膜 ３５ａ 垂直配向膜領域 ３５ｂ 水平配向膜領域 ３６ａ、３６ｂ ラビング方向 ３７ ＴＦＴ ３８ 液晶層 ４１ 水平配向膜 ４２ 垂直配向膜 ５１ 走査信号印加回路 ５２ 情報信号印加回路 ５３ 走査信号線 ５４ 情報信号線 ６１ 液晶素子 ６２ａ、６２ｂ 位相補償板 ６３ａ、６３ｂ 偏光子 ６４ （平均）ラビング方向 ７１ レジスト ７２ ラビングローラー １０１ 垂直配向膜領域
フロントページの続き (72)発明者 棟方 博英 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 渡部 泰之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 浅尾 恭史 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HA14 HB08Y HB15Y HC01 HC05 HC11 KA04 KA13 LA01 LA04 LA05 LA06 MA01 MA02 MA03 MA15 MB01 MB14 2H091 FA08X FA08Z FA11X FA34Y FD10 GA06 GA13 HA06 HA12 LA30 2H092 JA24 JA28 JA36 JA40 JA44 JA47 JB09 JB52 KA05 KA12 KA15 KA22 KB25 MA03 NA26 PA02 PA09 PA11 QA06 QA12 5C006 BB15 BC06 FA46 FA47 GA03

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液晶に電圧を印加する電極と、液晶層と
    の界面に配向膜を有する一対の基板と、該基板間に挟持
    されたネマチック液晶層とを有する液晶素子であって、
    上記基板の少なくとも一方の配向膜が部分的に、液晶分
    子の長軸が基板面に対して８０〜９０°の角度をもって
    配向する垂直配向膜領域を有し、該垂直配向膜領域以外
    の領域において上記液晶がベンド化電圧を印加すること
    によってベンド配向する配向状態にあることを特徴とす
    る液晶素子。
  2. 【請求項２】 上記垂直配向膜領域の液晶がツイスト配
    向状態に連続的に変移し得る配向状態にある請求項１記
    載の液晶素子。
  3. 【請求項３】 上記垂直配向膜領域以外の領域の液晶が
    全面ツイスト配向している請求項１または２記載の液晶
    素子。
  4. 【請求項４】 上記垂直配向膜領域以外の領域の液晶が
    部分的にスプレイ配向している請求項１または２記載の
    液晶素子。
  5. 【請求項５】 上記垂直配向膜領域が該領域以外の領域
    を取り囲んで形成されている請求項１〜４のいずれかに
    記載の液晶素子。
  6. 【請求項６】 上記垂直配向膜領域以外の領域が水平配
    向膜領域である請求項１〜５のいずれかに記載の液晶素
    子。
  7. 【請求項７】 上記垂直配向膜領域の液晶がハイブリッ
    ド配向している請求項６記載の液晶素子。
  8. 【請求項８】 上記垂直配向膜領域の液晶が垂直配向し
    ている請求項６記載の液晶素子。
  9. 【請求項９】 上下基板のそれぞれの水平配向膜領域の
    配向方向が上下基板で平行である請求項６記載の液晶素
    子。
  10. 【請求項１０】 上下基板のそれぞれの水平配向膜領域
    の配向方向が上下基板で平行且つ同じ方向である請求項
    ９記載の液晶素子。
  11. 【請求項１１】 上記垂直配向膜領域が少なくとも画素
    外に形成されている請求項１〜１０のいずれかに記載の
    液晶素子。
  12. 【請求項１２】 上記液晶がカイラル成分を含まない請
    求項１〜１１のいずれかに記載の液晶素子。
  13. 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかに記載の液
    晶素子の駆動方法であって、ツイスト配向状態とベンド
    配向状態間の状態変移を光学変換して表示を行なうこと
    を特徴とする液晶素子の駆動方法。
JP34544098A 1998-06-18 1998-12-04 液晶素子とその駆動方法 Expired - Fee Related JP3347678B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34544098A JP3347678B2 (ja) 1998-06-18 1998-12-04 液晶素子とその駆動方法
US09/333,038 US6542211B1 (en) 1998-06-18 1999-06-15 Liquid crystal device and driving method therefor
EP99304734A EP0965876B1 (en) 1998-06-18 1999-06-17 Liquid crystal device and driving method therefor
KR1019990022837A KR100308511B1 (ko) 1998-06-18 1999-06-18 액정 장치 및 그 구동 방법
US10/341,443 US6693695B2 (en) 1998-06-18 2003-01-14 Liquid crystal device and driving method therefor

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17123298 1998-06-18
JP10-171232 1998-06-18
JP34544098A JP3347678B2 (ja) 1998-06-18 1998-12-04 液晶素子とその駆動方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000075299A true JP2000075299A (ja) 2000-03-14
JP3347678B2 JP3347678B2 (ja) 2002-11-20

Family

ID=26494033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34544098A Expired - Fee Related JP3347678B2 (ja) 1998-06-18 1998-12-04 液晶素子とその駆動方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6542211B1 (ja)
EP (1) EP0965876B1 (ja)
JP (1) JP3347678B2 (ja)
KR (1) KR100308511B1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040429A (ja) * 2000-06-13 2002-02-06 Samsung Electronics Co Ltd 補償フィルムを利用した広視野角液晶表示装置
KR20020071766A (ko) * 2001-03-06 2002-09-13 샤프 가부시키가이샤 네마틱 액정 장치 및 그 제조 방법
JP2003005189A (ja) * 1999-10-05 2003-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子、液晶表示素子用基板、液晶表示装置、液晶表示素子の製造方法、及び液晶表示素子の駆動方法
WO2004063801A1 (ja) * 2003-01-08 2004-07-29 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. 液晶表示装置
JP2005070729A (ja) * 2003-08-23 2005-03-17 Changu Kim Jae 双安定キラルスプレーネマチック液晶表示装置
KR100682012B1 (ko) 2004-01-22 2007-02-15 후지쯔 가부시끼가이샤 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2007183626A (ja) * 2005-12-29 2007-07-19 Au Optronics Corp 平面表示基板の製造方法
CN100399121C (zh) * 2003-01-08 2008-07-02 东芝松下显示技术有限公司 液晶显示装置
JP2008541182A (ja) * 2005-05-20 2008-11-20 ネモプティック 改良された単一偏光子反射型双安定性ツイストネマチック（ｂｔｎ）液晶表示装置
WO2010004991A1 (ja) * 2008-07-08 2010-01-14 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP2010262061A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 液晶光学素子およびその製造方法
JP4817589B2 (ja) * 2000-07-05 2011-11-16 ロリク アーゲー ネマチック液晶電気光学要素及びデバイス
JP2012048197A (ja) * 2010-08-09 2012-03-08 Rwal D Inc 同期されたバックライト、偏光制御パネル及び液晶ディスプレイを備える立体視フラットパネルディスプレイ

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6191836B1 (en) * 1996-11-07 2001-02-20 Lg Philips Lcd, Co., Ltd. Method for fabricating a liquid crystal cell
GB2343011A (en) * 1998-10-20 2000-04-26 Sharp Kk A liquid crystal display device
US7145536B1 (en) * 1999-03-26 2006-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6927825B1 (en) * 1999-05-14 2005-08-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid crystal display using liquid crystal with bend alignment and driving method thereof
KR100670058B1 (ko) * 2000-03-30 2007-01-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100389091B1 (ko) * 2000-08-29 2003-06-25 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판
CN1394294A (zh) * 2000-10-23 2003-01-29 松下电器产业株式会社 液晶显示装置及其制造方法
US6603525B2 (en) * 2001-01-25 2003-08-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display
US6654089B2 (en) * 2001-05-03 2003-11-25 International Business Machines Corporation Maskless method and system for creating a dual-domain pattern on a diamond-like carbon alignment layer
JP4274713B2 (ja) 2001-09-11 2009-06-10 シャープ株式会社 液晶表示装置および光学素子、並びにこれらの製造方法
JP4883514B2 (ja) * 2001-09-11 2012-02-22 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP3791377B2 (ja) * 2001-09-28 2006-06-28 株式会社日立製作所 液晶表示素子及びそれを用いた表示装置
GB2380557A (en) * 2001-10-02 2003-04-09 Sharp Kk A liquid crystal display device
KR100840311B1 (ko) * 2001-10-08 2008-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치와 이의 구동 방법
JP3989238B2 (ja) * 2001-12-07 2007-10-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6966184B2 (en) * 2002-11-25 2005-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic power generating apparatus, method of producing same and photovoltaic power generating system
KR100951358B1 (ko) * 2003-09-05 2010-04-08 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 장치
US20050140634A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-30 Nec Corporation Liquid crystal display device, and method and circuit for driving liquid crystal display device
JP2005351953A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Alps Electric Co Ltd 双安定化型液晶表示装置
CN101010573A (zh) * 2004-08-27 2007-08-01 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于光谱分析的基于透射的成像
KR100669377B1 (ko) * 2004-10-13 2007-01-15 삼성에스디아이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4536489B2 (ja) * 2004-11-15 2010-09-01 株式会社 日立ディスプレイズ 光学素子及びそれを用いた表示装置
US8836621B2 (en) * 2004-12-15 2014-09-16 Nlt Technologies, Ltd. Liquid crystal display apparatus, driving method for same, and driving circuit for same
JP2007011139A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Toshiba Corp 液晶表示装置及びその製造方法
TWI286638B (en) * 2006-05-12 2007-09-11 Innolux Display Corp Liquid crystal display device
TW200801733A (en) * 2006-06-23 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Liquid crystal display devices and fabrication methods thereof
KR101189090B1 (ko) * 2006-07-18 2012-11-09 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 구동 방법
JP4345797B2 (ja) * 2006-09-29 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、プロジェクタ及び電子機器
TWI372293B (en) 2007-12-21 2012-09-11 Au Optronics Corp Method for forming multiple alignment films on a substrate and pixel structure of a liquid crystal display
KR20100098036A (ko) * 2009-02-27 2010-09-06 에스케이에너지 주식회사 2개 이상의 메소젠이 일정한 결합각을 갖는 네마틱 액정화합물의 두께 방향으로의 배열이 하이브리드 형태를 갖는 광학 보상 필름 및 이의 제조방법
US20110058132A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 Himax Display, Inc. Display device and manufacturing method thereof
TWI427376B (zh) * 2009-10-16 2014-02-21 Himax Display Inc 顯示器及其製作方法
CN102053432A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 立景光电股份有限公司 显示器及其制作方法

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3313405A1 (de) 1982-04-13 1983-10-20 Canon K.K., Tokyo Elektrooptische vorrichtung
FR2571526B1 (fr) 1984-08-22 1991-02-08 Canon Kk Panneau d'affichage et son procede de commande
JPS61156229A (ja) 1984-12-28 1986-07-15 Canon Inc 液晶装置
JPS61163324A (ja) 1985-01-14 1986-07-24 Canon Inc 液晶セルの駆動方法
US4712877A (en) 1985-01-18 1987-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric display panel of varying thickness and driving method therefor
US4778260A (en) 1985-04-22 1988-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for driving optical modulation device
US4923285A (en) 1985-04-22 1990-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Drive apparatus having a temperature detector
FR2581209B1 (fr) 1985-04-26 1993-11-05 Canon Kk Dispositif optique a cristal liquide
US4844590A (en) 1985-05-25 1989-07-04 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for driving ferroelectric liquid crystal device
GB2178581B (en) 1985-07-12 1989-07-19 Canon Kk Liquid crystal apparatus and driving method therefor
JPS6232424A (ja) 1985-08-05 1987-02-12 Canon Inc 液晶装置
JPS6259922A (ja) 1985-09-10 1987-03-16 Canon Inc 強誘電性液晶素子
JPS62278540A (ja) 1986-05-27 1987-12-03 Canon Inc 液晶素子、その配向制御法及びその駆動法
US5041821A (en) 1987-04-03 1991-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal apparatus with temperature dependent DC offset voltage
DE3856474T2 (de) 1987-11-12 2001-11-08 Canon Kk Flüssigkristallgerät
JP2651204B2 (ja) 1988-07-14 1997-09-10 キヤノン株式会社 液晶装置の駆動法
JP2614280B2 (ja) 1988-08-17 1997-05-28 キヤノン株式会社 液晶装置
US5233447A (en) 1988-10-26 1993-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal apparatus and display system
JPH02137819A (ja) * 1988-11-18 1990-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置とその製造方法
JPH02251821A (ja) 1989-03-24 1990-10-09 Canon Inc 拡散装置
ES2075866T3 (es) 1989-10-27 1995-10-16 Canon Kk Dispositivo visualizador de cristal liquido con desconexion de potencia controlada.
JP2941987B2 (ja) 1990-04-09 1999-08-30 キヤノン株式会社 液晶表示装置およびその駆動方法
JP2915104B2 (ja) 1990-07-30 1999-07-05 キヤノン株式会社 液晶素子および液晶駆動方法
JP2826776B2 (ja) 1991-02-20 1998-11-18 キヤノン株式会社 強誘電性液晶装置
JP2794226B2 (ja) 1991-04-15 1998-09-03 キヤノン株式会社 強誘電性液晶素子の駆動装置および駆動方法
JP2847331B2 (ja) 1991-04-23 1999-01-20 キヤノン株式会社 液晶表示装置
JP3227197B2 (ja) 1991-06-18 2001-11-12 キヤノン株式会社 表示装置
JP2868650B2 (ja) 1991-07-24 1999-03-10 キヤノン株式会社 表示装置
JP3133107B2 (ja) 1991-08-28 2001-02-05 キヤノン株式会社 表示装置
JPH05127616A (ja) 1991-10-31 1993-05-25 Canon Inc 電気光学表示装置および電気光学素子駆動装置
US5650797A (en) 1991-11-11 1997-07-22 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JPH05158444A (ja) 1991-12-04 1993-06-25 Canon Inc 液晶表示装置
DE69321279T2 (de) 1992-04-01 1999-04-01 Canon Kk Anzeigegerät
JPH063675A (ja) * 1992-06-24 1994-01-14 Toshiba Corp 液晶表示素子とその製造方法
US5469281A (en) 1992-08-24 1995-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for liquid crystal device which is not affected by a threshold characteristic change
US5673062A (en) 1992-11-06 1997-09-30 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal apparatus
US5815133A (en) 1992-11-17 1998-09-29 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
US5657038A (en) 1992-12-21 1997-08-12 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus having substantially the same average amount of transmitted light after white reset as after black reset
US5521727A (en) 1992-12-24 1996-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for driving liquid crystal device whereby a single period of data signal is divided into plural pulses of varying pulse width and polarity
EP0607598B1 (en) 1992-12-24 1998-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for liquid crystal display
DE69314921T2 (de) 1992-12-25 1998-03-19 Canon Kk Flüssigkristallanzeigevorrichtung
EP0605865B1 (en) 1992-12-28 1998-03-25 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for liquid crystal display
JP2759589B2 (ja) 1992-12-28 1998-05-28 キヤノン株式会社 強誘電性液晶表示素子
US5471229A (en) 1993-02-10 1995-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for liquid crystal device
US5583534A (en) 1993-02-18 1996-12-10 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for driving liquid crystal display having memory effect
US5532713A (en) 1993-04-20 1996-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for liquid crystal device
JP2942092B2 (ja) 1993-04-20 1999-08-30 キヤノン株式会社 液晶素子の制御方法
US5446570A (en) 1993-04-27 1995-08-29 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with projecting portions on the electrodes
US5592190A (en) 1993-04-28 1997-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus and drive method
JP2932229B2 (ja) 1993-06-04 1999-08-09 キヤノン株式会社 液晶表示素子
EP0701241B1 (en) 1994-09-12 2001-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for a ferroelectric liquid crystal device
US5808594A (en) 1994-09-26 1998-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for display device and display apparatus
EP0703561A3 (en) 1994-09-26 1996-12-18 Canon Kk Method and device for controlling a display device
JP3286503B2 (ja) 1994-09-28 2002-05-27 キヤノン株式会社 液晶素子の駆動法、及び該駆動法が用いられる液晶装置
JP3318640B2 (ja) * 1995-04-26 2002-08-26 ソニー株式会社 捩じれネマティック型液晶表示装置及び配向膜の分割配向処理方法
US5777710A (en) 1995-04-28 1998-07-07 Canon Kabushiki Kaisha Electrode substrate, making the same, liquid crystal device provided therewith, and making the same
US5825448A (en) * 1995-05-19 1998-10-20 Kent State University Reflective optically active diffractive device
EP0872757A4 (en) * 1995-09-26 1999-11-24 Chisso Corp SPREADED HOMEOTROPE, NEMATIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY
JPH09105941A (ja) * 1995-10-13 1997-04-22 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示装置
KR0175023B1 (ko) * 1995-10-31 1999-03-20 김광호 액정표시장치 및 그 제조방법
KR0181782B1 (ko) 1995-12-08 1999-05-01 구자홍 광을 이용한 벤드배향된 액정셀 제조방법
US5999157A (en) 1995-12-27 1999-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Suppressing liquid crystal movement based on the relationship between a display pattern and a driving waveform
KR0163897B1 (ko) * 1995-12-28 1999-01-15 김광호 화소를 4분할 배향하는 액정 표시 장치의 제조 방법
JP3526996B2 (ja) 1995-12-28 2004-05-17 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 液晶表示装置の駆動方法
JP3182070B2 (ja) 1996-01-16 2001-07-03 キヤノン株式会社 液晶素子及び液晶素子の駆動方法
US5956010A (en) 1996-05-31 1999-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal apparatus and driving method
US6028579A (en) 1996-06-12 2000-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for liquid crystal devices
JP3649818B2 (ja) * 1996-09-19 2005-05-18 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 液晶表示装置
JPH10206834A (ja) * 1997-01-22 1998-08-07 Toshiba Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US6452581B1 (en) 1997-04-11 2002-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for liquid crystal device and liquid crystal apparatus
JP4009344B2 (ja) * 1997-04-28 2007-11-14 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US6222517B1 (en) 1997-07-23 2001-04-24 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal apparatus
US6177968B1 (en) 1997-09-01 2001-01-23 Canon Kabushiki Kaisha Optical modulation device with pixels each having series connected electrode structure
US6097463A (en) * 1997-10-06 2000-08-01 Alps Electric Co., Ltd. Liquid crystal display device
GB9811579D0 (en) * 1998-05-30 1998-07-29 Sharp Kk Surface mode liquid crystal device
US6221444B1 (en) * 1998-06-10 2001-04-24 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003005189A (ja) * 1999-10-05 2003-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子、液晶表示素子用基板、液晶表示装置、液晶表示素子の製造方法、及び液晶表示素子の駆動方法
JP2002040429A (ja) * 2000-06-13 2002-02-06 Samsung Electronics Co Ltd 補償フィルムを利用した広視野角液晶表示装置
JP4817589B2 (ja) * 2000-07-05 2011-11-16 ロリク アーゲー ネマチック液晶電気光学要素及びデバイス
KR20020071766A (ko) * 2001-03-06 2002-09-13 샤프 가부시키가이샤 네마틱 액정 장치 및 그 제조 방법
US7714819B2 (en) 2003-01-08 2010-05-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display
WO2004063801A1 (ja) * 2003-01-08 2004-07-29 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. 液晶表示装置
CN100399121C (zh) * 2003-01-08 2008-07-02 东芝松下显示技术有限公司 液晶显示装置
JP2005070729A (ja) * 2003-08-23 2005-03-17 Changu Kim Jae 双安定キラルスプレーネマチック液晶表示装置
KR100682012B1 (ko) 2004-01-22 2007-02-15 후지쯔 가부시끼가이샤 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2008541182A (ja) * 2005-05-20 2008-11-20 ネモプティック 改良された単一偏光子反射型双安定性ツイストネマチック（ｂｔｎ）液晶表示装置
JP2007183626A (ja) * 2005-12-29 2007-07-19 Au Optronics Corp 平面表示基板の製造方法
WO2010004991A1 (ja) * 2008-07-08 2010-01-14 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP5304786B2 (ja) * 2008-07-08 2013-10-02 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP2010262061A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 液晶光学素子およびその製造方法
JP2012048197A (ja) * 2010-08-09 2012-03-08 Rwal D Inc 同期されたバックライト、偏光制御パネル及び液晶ディスプレイを備える立体視フラットパネルディスプレイ

Also Published As

Publication number Publication date
JP3347678B2 (ja) 2002-11-20
KR20000006273A (ko) 2000-01-25
EP0965876A2 (en) 1999-12-22
US6693695B2 (en) 2004-02-17
EP0965876B1 (en) 2012-12-12
EP0965876A3 (en) 2001-03-14
KR100308511B1 (ko) 2001-11-01
US20030133065A1 (en) 2003-07-17
US6542211B1 (en) 2003-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3347678B2 (ja) 液晶素子とその駆動方法
US6384889B1 (en) Liquid crystal display with sub pixel regions defined by sub electrode regions
KR100209531B1 (ko) 액정표시장치
KR100225910B1 (ko) 액정표시장치(liquid crystal display device)
US6774967B2 (en) Multi-domain liquid crystal display device
KR100236518B1 (ko) 액정표시장치
EP0964289A1 (en) Liquid crystal device
JP4883514B2 (ja) 液晶表示装置
KR100587365B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
JP2576765B2 (ja) 液晶表示装置
JP2621110B2 (ja) 液晶表示素子とその製造方法
JP3937587B2 (ja) 液晶素子
GB2318880A (en) Liquid crystal display
JPH08271921A (ja) 液晶装置及びその製造方法
JP2809980B2 (ja) 液晶表示素子とその製造方法
JP2000206535A (ja) 透過型ハイブリッド配向液晶表示装置
KR100379198B1 (ko) 액정 장치, 액정 표시 장치, 및 표시 패널
JPH06235914A (ja) 液晶表示装置
JP2001166341A (ja) 液晶素子
KR20000073286A (ko) 광시야수직배향 액정표시소자
JP2000305115A (ja) 液晶素子
JP3308076B2 (ja) 液晶表示素子とその製造方法
KR20050069422A (ko) 광시야각모드 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2004078099A (ja) 液晶素子の製造方法
JP2004046267A (ja) 液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020806

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100906

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100906

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110906

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110906

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120906

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120906

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130906

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees