JP2010262061A - 液晶光学素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶光学素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010262061A JP2010262061A JP2009111210A JP2009111210A JP2010262061A JP 2010262061 A JP2010262061 A JP 2010262061A JP 2009111210 A JP2009111210 A JP 2009111210A JP 2009111210 A JP2009111210 A JP 2009111210A JP 2010262061 A JP2010262061 A JP 2010262061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- alignment
- thin film
- alignment film
- optical element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【解決手段】第1基板11aの一面上に形成される第1電極12a上に形成される第1配向膜13aと、第1基板と対向する第2基板11bの一面上に形成される第2電極12b上に形成される第2配向膜13bと、第1基板と第2基板との間に介在される液晶層14とを備え、第1配向膜および第2配向膜の少なくとも一方の配向膜に、この配向膜の表面自由エネルギー値より小さい値の表面自由エネルギー値を持つ薄膜領域15をパターン状に有する液晶光学素子10を構成する。薄膜領域部分が転移核となり、低い電気エネルギーでベンド配向への転移が迅速、確実に行われる。
【選択図】 図1
Description
前記第1配向膜および前記第2配向膜の少なくとも一方に、パターン状の薄膜領域を設け、該薄膜領域は、設けられた配向膜の表面自由エネルギー値より小さい値の表面自由エネルギー値を持つように設定されていることを特徴とする。
前記第2電極は前記複数の薄膜トランジスタに連結される複数の画素電極であり、前記第1電極は前記複数の画素電極と対向する単一の共通電極であるように構成することができる。
前記第1配向膜および第2配向膜の少なくとも一方の配向膜に、印刷工程によって前記配向膜の表面自由エネルギー値より小さい値の表面自由エネルギー値を持つ薄膜領域をパターン状に形成することを特徴とする。
前記第1電極および第2電極の少なくとも一方の電極に、印刷工程または塗布工程によって前記配向膜の表面自由エネルギー値より小さい値の表面自由エネルギー値を持つ薄膜領域をパターン状に形成し、該薄膜領域と同一平面内に第1配向膜および/または第2配向膜を形成することを特徴とする。
本発明の第1の実施形態に係る液晶光学素子について、図1を参照して説明する。
本発明の第2の実施形態に係る液晶光学素子について、図2を参照して説明する。
なお、上記薄膜領域25の形成パターンは、図3(a)に示すドットパターン状に形成してもよい。
本発明の第3の実施形態に係る液晶光学素子について、図4(a)を参照して説明する。
本発明の第4の実施形態に係る液晶光学素子について、図4(b)を参照して説明する。
<第5の実施形態>
本発明の第5の実施形態に係る液晶光学素子について、図5(a)を参照して説明する。
本発明の第6の実施形態に係る液晶光学素子について、図5(b)を参照して説明する。
本発明の第7の実施形態に係る液晶光学素子について、図6および図7を参照して説明する。
数ヶ月間、無電圧で放置しても各画素の配向状態は保持され、ベンド配向の安定化が図れることが分かった。
11a,21a,31a,41a,51a,61a,101a 第1基板
11b,21b,31b,41b,51b,61b,101b 第2基板
12a,22a,32a,42a,52a,62a,102a 第1電極
12b,22b,32b,42b,52b,62b,102b 第2電極
13a,23a,33a,43a,53a,63a,103a 第1配向膜
13b,23b,33b,43b,53b,63b,103b 第2配向膜
14,24,34,44,54,64,104 液晶層
14a,24a,34a,44a,54a,64a 液晶分子
15,25,35a,35b,45a,45b,55a,55b,65a,65b,105a,105b 薄膜領域
106 半導体薄膜
107 ゲート絶縁膜
108 ゲート電極
109 ドレイン電極
110 ソース電極
111 パッシベーション膜
112 データ線
113 ゲート線
Claims (9)
- 第1基板、第1電極、および第1配向膜を、この順に積層してなる第1積層体と、第2基板、第2電極、および第2配向膜を、この順に積層してなる第2積層体とを、前記第1配向膜および前記第2配向膜が対面するようにして、間に液晶層を介在させてなり、
前記第1配向膜および前記第2配向膜の少なくとも一方に、パターン状の薄膜領域を設け、該薄膜領域は、設けられた配向膜の表面自由エネルギー値より小さい値の表面自由エネルギー値を持つように設定されていることを特徴とする液晶光学素子。 - 前記薄膜領域の表面自由エネルギー値の上限が38mJ/m2であり、また、前記第1配向膜および第2配向膜の表面自由エネルギー値の下限が38mJ/m2である、ことを特徴とする請求項1記載の液晶光学素子。
- 前記薄膜領域のパターン形状がドット状構造、格子状構造、およびストライプ状構造のいずれかである、ことを特徴とする請求項1または2記載の液晶光学素子。
- 前記薄膜領域がストライプ状構造からなり、かつ当該ストライプ構造の平行方向が前記第1配向膜と前記第2配向膜の配向方向に対して直交する、ことを特徴とする請求項1から3のうちいずれか1項記載の液晶光学素子。
- 前記第1配向膜に形成される前記薄膜領域と前記第2配向膜に形成される前記薄膜領域が対向する位置に配されている、ことを特徴とする請求項1から4のうちいずれか1項記載の液晶光学素子。
- 前記第2基板の前記一面に形成される複数のゲート線と、複数の前記ゲート線と交差する複数のデータ線と、前記ゲート線と前記データ線とに連結される複数の薄膜トランジスタと、をさらに備え、
前記第2電極は前記複数の薄膜トランジスタに連結される複数の画素電極であり、前記第1電極は前記複数の画素電極と対向する単一の共通電極である、ことを特徴とする請求項1から5のうちいずれか1項記載の液晶光学素子。 - 前記薄膜領域は、表示領域を区画する非表示領域に形成される、ことを特徴とする請求項1から6のうちいずれか1項載の液晶光学素子。
- 前記請求項1から7のうちいずれか1項記載の液晶光学素子を作製する製造方法であって、
前記第1配向膜および第2配向膜の少なくとも一方の配向膜に、印刷工程によって前記配向膜の表面自由エネルギー値より小さい値の表面自由エネルギー値を持つ薄膜領域をパターン状に形成することを特徴とする液晶光学素子の製造方法。 - 前記請求項1から7のうちいずれか1項記載の液晶光学素子を作製する製造方法であって、
前記第1電極および第2電極の少なくとも一方の電極に、印刷工程または塗布工程によって前記配向膜の表面自由エネルギー値より小さい値の表面自由エネルギー値を持つ薄膜領域をパターン状に形成し、該薄膜領域と同一平面内に第1配向膜および/または第2配向膜を形成することを特徴とする液晶光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009111210A JP5264613B2 (ja) | 2009-04-30 | 2009-04-30 | 液晶光学素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009111210A JP5264613B2 (ja) | 2009-04-30 | 2009-04-30 | 液晶光学素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010262061A true JP2010262061A (ja) | 2010-11-18 |
JP5264613B2 JP5264613B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=43360190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009111210A Expired - Fee Related JP5264613B2 (ja) | 2009-04-30 | 2009-04-30 | 液晶光学素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5264613B2 (ja) |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09179123A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-11 | Toshiba Corp | 液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法 |
JPH1020284A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル |
JPH117018A (ja) * | 1996-09-04 | 1999-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、およびその製造方法 |
JP2000075299A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-03-14 | Canon Inc | 液晶素子とその駆動方法 |
JP2000122099A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Sharp Corp | 液晶ディスプレイデバイスおよびその製造方法、ならびに基板およびその製造方法 |
JP2000305115A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Canon Inc | 液晶素子 |
JP2000330141A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Canon Inc | 液晶素子 |
JP2001166341A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Canon Inc | 液晶素子 |
JP2001290153A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2001350146A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子、及びその製造方法 |
JP2002079603A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜およびその製造方法、それを用いた液晶配向膜およびその製造方法、それを用いた液晶表示装置およびその製造方法、ならびに導電性薄膜およびその製造方法 |
JP2002287151A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子とその製造方法 |
JP2003075842A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | Advanced Display Inc | 液晶表示素子 |
JP2003084286A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置および光学素子、並びにこれらの製造方法 |
JP2003149646A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-21 | Sharp Corp | 不揮発性記録媒体およびその製造方法、ならびにそれを用いた情報の記録および読み出し方法 |
JP2007114333A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法、及び投射型表示装置 |
JP2007183626A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Au Optronics Corp | 平面表示基板の製造方法 |
JP2007232848A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2008033079A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Seiko Epson Corp | 液晶装置 |
-
2009
- 2009-04-30 JP JP2009111210A patent/JP5264613B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09179123A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-11 | Toshiba Corp | 液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法 |
JPH1020284A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル |
JPH117018A (ja) * | 1996-09-04 | 1999-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、およびその製造方法 |
JP2000075299A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-03-14 | Canon Inc | 液晶素子とその駆動方法 |
JP2000122099A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Sharp Corp | 液晶ディスプレイデバイスおよびその製造方法、ならびに基板およびその製造方法 |
JP2000305115A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Canon Inc | 液晶素子 |
JP2000330141A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Canon Inc | 液晶素子 |
JP2001166341A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Canon Inc | 液晶素子 |
JP2001290153A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2001350146A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子、及びその製造方法 |
JP2002079603A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜およびその製造方法、それを用いた液晶配向膜およびその製造方法、それを用いた液晶表示装置およびその製造方法、ならびに導電性薄膜およびその製造方法 |
JP2002287151A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子とその製造方法 |
JP2003075842A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | Advanced Display Inc | 液晶表示素子 |
JP2003084286A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置および光学素子、並びにこれらの製造方法 |
JP2003149646A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-21 | Sharp Corp | 不揮発性記録媒体およびその製造方法、ならびにそれを用いた情報の記録および読み出し方法 |
JP2007114333A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法、及び投射型表示装置 |
JP2007183626A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Au Optronics Corp | 平面表示基板の製造方法 |
JP2007232848A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2008033079A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Seiko Epson Corp | 液晶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5264613B2 (ja) | 2013-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW556031B (en) | Non-rubbing liquid crystal alignment method | |
KR20070119624A (ko) | 액정 디스플레이에서 사용되는 낮은 표면 에너지 고분자물질 | |
US8178288B2 (en) | Method for fabricating display substrate and liquid crystal display | |
US20090174851A1 (en) | Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof | |
US20060017876A1 (en) | Displays and method for fabricating displays | |
JP2011175147A (ja) | 画像表示システム | |
JP2008158186A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
TW200813533A (en) | Liquid crystal display panel and method of fabricating the liquid crystal display panel | |
US20090174855A1 (en) | Self-developed micro-relief substrate for uniform cell gap | |
JP4797468B2 (ja) | 位相差制御部材、その製造方法、及び液晶ディスプレイ装置 | |
US7525620B2 (en) | Structure of an optical compensated bend nematic liquid crystal display panel | |
JP5264613B2 (ja) | 液晶光学素子およびその製造方法 | |
JP2006215349A (ja) | 液晶光変調器および液晶表示装置 | |
JP5317107B2 (ja) | 書き換え可能な液晶配向表面と配向記憶の評価法 | |
KR20130091212A (ko) | 액정 표시 장치, 액정 표시 장치 제조 방법 및 액정 셀 기판 제조 방법 | |
JP2008052048A (ja) | 液晶表示装置 | |
Minami et al. | Transfer fabrication of liquid crystal devices with microgroove and wall structure on plastic substrate for flexible in-plane switching liquid crystal displays | |
KR20080020057A (ko) | 인쇄 기술법을 이용한 배향막의 제조방법 | |
Shibata et al. | Low-Temperature Processed Interdigitated Polymer Spacer on Plastic Substrate Using Structural Transfer Method for Flexible Liquid Crystal Displays | |
KR101096699B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 | |
Kim et al. | Fabrication of a highly bendable LCD with an elastomer substrate by using a replica‐molding method | |
Chung et al. | Polarized UV cured reactive mesogens for fast switching and low voltage driving liquid crystal device | |
KR102179535B1 (ko) | 배향막 형성 방법과 이를 이용한 액정 디스플레이 제조 방법 | |
Jung et al. | 56.2: Invited Paper: Pixel‐Isolated Liquid Crystal Mode for Plastic Liquid Crystal Displays | |
TWI382218B (zh) | Ocb型液晶盒及其製作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5264613 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |