JP2007114333A - 液晶装置の製造方法、及び投射型表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 簡便な工程により、OCBモードにおける配向転移を良好に行う信頼性の高い液晶装置を得る、液晶装置の製造方法、及び投射型表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶層50と液晶層50を挟持する一対の基板10,20と、基板10,20の液晶層50側にそれぞれ設けられた配向膜16,22とを備え、液晶層50の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示動作を行う液晶装置100の製造方法である。液滴吐出法により、少なくとも一方の基板10,20の第1の領域に水平配向膜形成材料を塗布するとともに、第1の領域を囲む第2の領域に垂直配向膜形成材料を塗布する。そして、水平配向膜形成材料及び垂直配向膜形成材料から水平配向膜と垂直配向膜とを有してなる配向膜16,22を形成する。
【選択図】 図3
【解決手段】 液晶層50と液晶層50を挟持する一対の基板10,20と、基板10,20の液晶層50側にそれぞれ設けられた配向膜16,22とを備え、液晶層50の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示動作を行う液晶装置100の製造方法である。液滴吐出法により、少なくとも一方の基板10,20の第1の領域に水平配向膜形成材料を塗布するとともに、第1の領域を囲む第2の領域に垂直配向膜形成材料を塗布する。そして、水平配向膜形成材料及び垂直配向膜形成材料から水平配向膜と垂直配向膜とを有してなる配向膜16,22を形成する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、液晶装置の製造方法、及び投射型表示装置に関する。
液晶装置の分野において、近年、動画の画質向上を目的として応答速度の速いOCBモードの液晶装置が脚光を浴びている。OCBモードでは、初期状態では液晶分子が2枚の基板間でスプレイ状に開いたスプレイ配向となっており、表示動作時には液晶分子が弓なりに配列した状態(ベンド配向)になっている必要がある。すなわち、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することで高速応答性を実現している。したがってOCBモードの液晶装置の場合、電源遮断時に液晶はスプレイ配向となっていることから、高い電圧を印加することによって初期のスプレイ配向から表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる必要がある。ここで、ある画素でベンド領域が発生し、隣接する画素ではベンド領域が発生しないといった、配向転移が十分になされないと、表示不良が生じたり、所望の高速応答性が得られないといった不具合が生じてしまう。
このような不具合を解決すべく、垂直配向領域と水平配向領域とを有した配向膜を形成し、前記垂直配向領域に予め上記のベンド配向領域を形成しておくことで、電圧印加時に高速応答性が得られるようにした技術がある(例えば、特許文献1参照)
特許文献1には、ラビング処理を施した場合に水平配向領域となり、ラビング処理を施さない場合に垂直配向領域となる材料を用いて配向膜を形成する方法が開示されている。また、基体の全面に水平配向膜を形成し、該水平配向膜上にレジスト層を塗布し、該レジスト層をパターニングする。そして、パターニングされたレジスト層上に垂直配向膜を形成し、前記レジスト層を剥離する、いわゆるリフトオフ加工を行うことで水平配向膜と垂直配向膜とを別々に形成する方法も開示されている。
特開2000−75299号公報
特許文献1には、ラビング処理を施した場合に水平配向領域となり、ラビング処理を施さない場合に垂直配向領域となる材料を用いて配向膜を形成する方法が開示されている。また、基体の全面に水平配向膜を形成し、該水平配向膜上にレジスト層を塗布し、該レジスト層をパターニングする。そして、パターニングされたレジスト層上に垂直配向膜を形成し、前記レジスト層を剥離する、いわゆるリフトオフ加工を行うことで水平配向膜と垂直配向膜とを別々に形成する方法も開示されている。
しかしながら、上記特許文献1では、ラビング処理の可否により垂直配向膜又は水平配向膜をそれぞれ構成する、特殊な材料を用いる必要があり、したがって実用性が低い。また、上述したようにリフトオフ加工を用いて水平配向膜及び垂直配向膜を別々に形成する必要があることから製造プロセスが煩雑となったり、上記レジスト層をパターニングする際に用いたレジスト現像液によって配向膜が汚染されるおそれがあった。さらに、前記配向膜は、水平配向膜と垂直配向膜とが積層された部分において絶縁体容量増大に起因する、焼き付きと呼ばれる液晶の動作不良が生じるおそれもあった。このように汚染、及び焼き付きが生じると、液晶分子の配向状態を良好に転移させることが難しくなり、例えばスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示動作を行うOCBモードの液晶装置としての信頼性が低下してしまう。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、簡便な工程により、OCBモードにおける配向転移を良好に行う信頼性の高い液晶装置を得る、液晶装置の製造方法、及び投射型表示装置を提供することを目的とする。
本発明の液晶装置の製造方法は、液晶層と該液晶層を挟持する一対の基板と、該基板の前記液晶層側にそれぞれ設けられた配向膜とを備え、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示動作を行う液晶装置の製造方法において、液滴吐出法により、少なくとも一方の基板の第1の領域に水平配向膜形成材料を塗布するとともに、前記第1の領域を囲む第2の領域に垂直配向膜形成材料を塗布する工程と、前記水平配向膜形成材料及び前記垂直配向膜形成材料から水平配向膜と垂直配向膜とを有してなる前記配向膜を形成する工程とを、を備えたことを特徴とする。
本発明の液晶装置の製造方法によれば、液滴吐出法として、例えばインクジェット法を用いることで、異なる2つの材料を塗り分けて垂直配向膜と水平配向膜とを形成しているので、簡便かつ効率的に配向膜を形成することができる。ここで、一般的に垂直配向膜は、水平配向膜に比べるとプレチルト角が大きくなっているので、前記垂直配向膜によって配向規制された液晶分子は基板間に電圧印加しない状態で、上述したベンド配向となる。また、プレチルト角が相対的に小さい水平配向膜によって配向規制された液晶分子は、基板間に電圧印加しない状態で、上述したスプレイ配向となる。したがって、本発明により得られる液晶装置は、電圧印加時に前記ベンド配向を起点とし液晶層全体をベンド配向状態へと移行することでOCBモードの液晶装置として好適に採用できる。
また、本構成によれば、従来のようにレジスト層を用いることなく水平配向膜と垂直配向膜とを形成できるので、前記レジスト層のパターニング時の現像液による配向膜の汚染といった不具合が防止される。さらに、異なる配向膜形成材料をインクジェット法によって所定の領域に塗り分けているので、水平配向膜と垂直配向膜とが積層されることがなく、したがって絶縁体容量増大に起因する、焼き付きと呼ばれる液晶の動作不良が防止された信頼性の高い配向膜を備えた液晶装置を製造できる。
また、本構成によれば、従来のようにレジスト層を用いることなく水平配向膜と垂直配向膜とを形成できるので、前記レジスト層のパターニング時の現像液による配向膜の汚染といった不具合が防止される。さらに、異なる配向膜形成材料をインクジェット法によって所定の領域に塗り分けているので、水平配向膜と垂直配向膜とが積層されることがなく、したがって絶縁体容量増大に起因する、焼き付きと呼ばれる液晶の動作不良が防止された信頼性の高い配向膜を備えた液晶装置を製造できる。
また、上記の液晶装置の製造方法においては、前記第1の領域は表示領域に対応し、前記第2の領域は前記表示領域を区画する非表示領域に対応しているのが好ましい。
このようにすれば、表示領域に水平配向膜が形成されているので、電圧無印加時において表示領域がスプレイ配向となる。よって、表示領域は、表示用と非表示用ドメインの境界および非表示用ドメインが見えないので高品位の表示品質を有した液晶装置が得られる。
このようにすれば、表示領域に水平配向膜が形成されているので、電圧無印加時において表示領域がスプレイ配向となる。よって、表示領域は、表示用と非表示用ドメインの境界および非表示用ドメインが見えないので高品位の表示品質を有した液晶装置が得られる。
また、上記の液晶装置の製造方法においては、前記配向膜を形成する工程で、前記水平配向膜に対応するラビング処理を、前記水平配向膜形成材料及び前記垂直配向膜形成材料に対して一括処理で行うのが好ましい。
このようにすれば、水平配向膜と垂直配向膜との間においてラビング処理を一括して行っているので、製造工程をより簡略化することができる。
このようにすれば、水平配向膜と垂直配向膜との間においてラビング処理を一括して行っているので、製造工程をより簡略化することができる。
また、上記の液晶装置の製造方法においては、前記水平配向膜形成材料として、液晶分子のプレチルト角が0〜10°となるものを用いているのが好ましい。
このようにすれば、水平配向膜によって配向規制される液晶分子は、基板間に電圧印加しない状態で良好にスプレイ配向とすることができる。
このようにすれば、水平配向膜によって配向規制される液晶分子は、基板間に電圧印加しない状態で良好にスプレイ配向とすることができる。
また、上記の液晶装置の製造方法においては、前記垂直配向膜形成材料として、液晶分子のプレチルト角が80°以上となるものを用いているのが好ましい。
このようにすれば、垂直配向膜によって配向規制される液晶分子は、基板間に電圧印加しない状態で良好にベンド配向とすることができる。
このようにすれば、垂直配向膜によって配向規制される液晶分子は、基板間に電圧印加しない状態で良好にベンド配向とすることができる。
本発明の投射型表示装置は、上記の液晶装置を備えたこと特徴とする。
本発明の投射型表示装置によれば、上述した応答特性の高い液晶装置を備えているので、動画表示性能に優れた高画質表示が可能であり、かつ信頼性にも優れたものとなる。
本発明の投射型表示装置によれば、上述した応答特性の高い液晶装置を備えているので、動画表示性能に優れた高画質表示が可能であり、かつ信頼性にも優れたものとなる。
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
(第1の実施形態)
以下、本発明の液晶装置の製造方法に関する一実施形態について説明する。ここで、液晶装置の製造方法を説明するに際し、該製造方法により得られた液晶装置の構成について先に説明する。
本実施形態では、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, 以下、TFTと略記する)を画素スイッチング素子として用いたTFTアクティブマトリクス方式のOCBモード液晶装置の例を挙げて説明する。
以下、本発明の液晶装置の製造方法に関する一実施形態について説明する。ここで、液晶装置の製造方法を説明するに際し、該製造方法により得られた液晶装置の構成について先に説明する。
本実施形態では、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, 以下、TFTと略記する)を画素スイッチング素子として用いたTFTアクティブマトリクス方式のOCBモード液晶装置の例を挙げて説明する。
図1(a)は本実施形態の液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図、図1(b)は(a)図のH−H’線に沿う断面図、図2は同液晶装置の等価回路図、図3は液晶装置の画素領域における部分断面構成図である。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
図1(a)に示すように、本実施形態の液晶装置100は、TFTアレイ基板10と対向基板20とがシール材52によって貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域内に液晶層50が封入されている。液晶層50は、正の誘電率異方性を有する液晶から構成されており、後述するように初期状態ではスプレイ配向、表示動作時にはベンド配向を呈するものとなっている。シール材52の形成領域の内側の領域に、遮光性材料からなる遮光膜(周辺見切り)53が形成されている。シール材52の外側の周辺回路領域には、データ線駆動回路101および外部回路実装端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。TFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路104の間を接続するための複数の配線105が設けられている。また、対向基板20の角部においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通材106が配設されている。また、図1(b)に示すように、TFTアレイ基板10の内側には画素電極9が形成されていて、前記TFTアレイ基板10に対向配置された対向基板20の内側には共通電極21が形成されている。
図2の等価回路図に示すように、液晶装置の表示領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極9がそれぞれ形成されている。また、その画素電極9の側方には、当該画素電極9への通電制御を行う画素スイッチング素子であるTFT素子30が形成されている。TFT素子30のソースには、データ線6aが電気的に接続されている。各データ線6aには画像信号S1、S2、…、Snが供給される。なお画像信号S1、S2、…、Snは、各データ線6aに対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線6aに対してグループ毎に供給してもよい。
TFT素子30のゲートには、走査線3aが電気的に接続されている。走査線3aには、所定のタイミングでパルス的に走査信号G1、G2、…、Gnが供給される。なお、走査信号G1、G2、…、Gnは、各走査線3aに対してこの順に線順次で印加される。また、TFT素子30のドレインには、画素電極9が電気的に接続されている。そして、走査線3aから供給された走査信号G1、G2、…、Gnにより、スイッチング素子であるTFT素子30を一定期間だけオン状態にすると、データ線6aから供給された画像信号S1、S2、…、Snが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、画素電極9と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号S1、S2、…、Snがリークするのを防止するため、画素電極9と容量線3bとの間に蓄積容量70が形成され、液晶容量と並列に接続されている。このように、液晶に電圧が印加されると、その電圧レベルにより液晶分子のベンド配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
以上、等価回路図を用いて画像表示を行う際の動作として説明したが、OCBモードの液晶装置として後述する初期転移のための電圧印加動作を行う際にも、画像表示動作の場合と同様、データ線に初期転移用信号を、走査線に走査信号を供給し、表示領域内の複数の画素を駆動する。
図3は、液晶装置100の画素の概略断面構造を示す図である。ここで、図3(a)は一対の電極間に電圧が印加されていない初期状態における液晶分子51の状態を示す図であり、図3(b)は電極間に電圧を印加時の液晶分子51の配向状態を示す図であり、図3(c)は図3(b)に続く液晶分子51の配向状態を示す図である。なお、TFTアレイ基板10では、説明に必要な構成を図示していることから、TFT素子の図示を省略している。
図3に示すように、本実施形態の液晶装置100は、TFTアレイ基板10と、これに対向配置された対向基板20と、これらの間に挟持された液晶層50とを主体として構成されている。TFTアレイ基板10は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体10Aを基体としてなり、基板本体10A上の内側に、ITO(インジウム錫酸化物)等の透明導電材料からなる画素電極9と、シリコン酸化物等からなる配向膜16とが順に積層されている。画素電極9には図示略のTFT素子30が電気的に接続されている。基板本体10Aの外側には、光学補償板17と偏光板14とが順に積層されている。
一方、対向基板20は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体20Aを基体としてなり、その内側にITO等の透明導電材料からなる共通電極21と、シリコン酸化物等からなる配向膜22とが順に積層されている。基板本体20Aの外側には、偏光板24が配設されている。なお、前記配向膜16,22は、水平配向膜16a,22aと垂直配向膜16b,22bとから構成されたものとなっている。
一方、対向基板20は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体20Aを基体としてなり、その内側にITO等の透明導電材料からなる共通電極21と、シリコン酸化物等からなる配向膜22とが順に積層されている。基板本体20Aの外側には、偏光板24が配設されている。なお、前記配向膜16,22は、水平配向膜16a,22aと垂直配向膜16b,22bとから構成されたものとなっている。
ここで、TFTアレイ基板10の内面における複数の画素表示領域を示す平面構成について図4を参照して説明する。
図4に示すように、本実施形態では、配向膜16における水平配向膜16aが、平面視矩形状の画素電極9の形成領域(第1の領域)に対応して設けられていて、この領域は画素表示領域(表示領域)A1として機能するようになっている。一方、前記画素電極9の周辺部を囲む、同図中斜線により示される画素間領域には、垂直配向膜16bが設けられている。また、この画素間領域に対応する対向基板20側には、図示しない遮光層が設けられていて、この画素間領域は液晶装置の非表示領域(第2の領域)A2として機能するようになっている。
図4に示すように、本実施形態では、配向膜16における水平配向膜16aが、平面視矩形状の画素電極9の形成領域(第1の領域)に対応して設けられていて、この領域は画素表示領域(表示領域)A1として機能するようになっている。一方、前記画素電極9の周辺部を囲む、同図中斜線により示される画素間領域には、垂直配向膜16bが設けられている。また、この画素間領域に対応する対向基板20側には、図示しない遮光層が設けられていて、この画素間領域は液晶装置の非表示領域(第2の領域)A2として機能するようになっている。
一方、対向基板20側に設けられた配向膜22についても、前記配向膜16と同様に水平配向膜22aと垂直配向膜22bとから構成されている。そして、対向基板20側の水平配向膜22aは、TFTアレイ基板10側の水平配向膜16aに対応した位置、すなわち平面視した際に前記画素表示領域A1(画素電極9の形成領域)に重なるように設けられている。また、対向基板20側の垂直配向膜22bも同様に、TFTアレイ基板10側の垂直配向膜16bに対応した位置、すなわち前記非表示領域A2に重なるように設けられている。
前記水平配向膜16a,22a及び垂直配向膜16b,22bは、後述するようにインクジェット法により基板本体10A上に直接塗り分けられ、簡便かつ効率的に形成されたものとなっている。
また、水平配向膜16a,22aにより配向方向を規制された液晶分子51は、そのプレチルト角が10°以下、例えば1〜10°となっている。一方、垂直配向膜16b,22bにより配向方向を規制された液晶分子51は、そのプレチルト角が80°以上、例えば88〜90°となっている。
また、水平配向膜16a,22aにより配向方向を規制された液晶分子51は、そのプレチルト角が10°以下、例えば1〜10°となっている。一方、垂直配向膜16b,22bにより配向方向を規制された液晶分子51は、そのプレチルト角が80°以上、例えば88〜90°となっている。
一般的に、基板間に電圧が印加されない初期状態において、水平配向膜16a,22aのようにプレチルト角が相対的に小さい配向膜によって配向方向が規制された液晶分子は、スプレイ配向あるいはベンド配向の2種類の配向状態を取る。図5に示した、電圧0Vでのプレチルト角とGibbsの自由エネルギー曲線の関係において、プレチルト角が比較的小さい(<45°)領域ではベンド配向よりスプレイ配向のほうがエネルギーが小さく、スプレイ配向状態で安定となる。一方、垂直配向膜領域16b,22bのようにプレチルト角が相対的に大きい配向膜によって配向方向が規制された液晶分子51は、プレチルト角の大きい領域でスプレイ配向状態よりベンド配向状態の方がエネルギー的に小さいため、液晶層50の中央部でほぼ垂直に配向し、そこから上記垂直配向膜16b,22bに向かって徐々に水平側へ倒れるような側面視弓型に配置されたベンド配向(図3参照)で安定しやすい。
よって、基板間に電圧を印加しない初期状態で、前記画素表示領域A1においては液晶分子51をスプレイ配向とすることができ、前記非表示領域A2においては液晶分子51をベンド配向とすることが可能となる。
よって、基板間に電圧を印加しない初期状態で、前記画素表示領域A1においては液晶分子51をスプレイ配向とすることができ、前記非表示領域A2においては液晶分子51をベンド配向とすることが可能となる。
つづいて、印加電圧とGibbsの自由エネルギーとの関係について説明する。図6はプレチルト8°における印加電圧とスプレイ配向およびベンド配向のGibbsの自由エネルギー変化の相関図である。電圧0VではGibbsの自由エネルギーはベンド配向状態よりスプレイ配向状態が小さいが、臨界電圧Vcr(通常2〜3V程度の大きさ)以上ではベンド配向状態よりスプレイ配向状態の方が高くなる。すなわち、Vcrより低電圧ではスプレイ配向が安定となり、Vcrより高電圧ではベンド配向が安定となる。しかし、実際に、スプレイ配向からベンド配向へ移行させる場合、Vcr程度の電圧を印加しても、液晶層の厚さ方向における中央部分の分子が垂直に配向する必要があるためスプレイからベンドの配向転移はほとんど発生せず、スプレイ配向のままであり、10〜20V程度の電圧を印加することで配向転移することが多い。この配向転移現象は現象別に2段階に分けることができる。第1段階はベンド配向ドメインの核の発生、第2段階はベンド配向領域の拡大である。第1段階は厚さ方向の液晶層の中央部分の液晶分子を垂直に立たせる必要があるため相当高い電圧を印加する必要がある。第2段階はベンド配向領域が存在するためVcr以上の電圧印加によりスプレイ配向からベンド配向への配向転移が円滑に進行する。すなわち、ベンド配向領域を電圧無印加状態で形成しておけば、駆動電圧範囲内の電圧を印加することでベンド配向転移を容易に実現可能となる。
図3に戻り、液晶装置100の基板10,20間に電圧を印加した際の液晶分子51の配向状態の変化について説明する。
上記構成を具備した本実施形態の液晶装置100は、画素電極9と共通電極21との間に電圧が印加されない状態で、図3(a)に示したように水平配向膜16a,22aが設けられた画素表示領域A1においてはスプレイ配向状態、垂直配向膜16b,22bが設けられた非表示領域A2においてはベンド配向状態となっている。そして、電極9,21間に駆動電圧範囲の電圧(Vcr以上)を印加することで非表示領域A2がベンド配向の核として作用し、画素表示領域A1にベンド配向領域が拡大し、画素全体をスプレイ配向からベンド配向へと移行させるようになる。なお、前記画素表示領域A1はベンド配向を維持した状態で画素表示を行うようになっている。
上記構成を具備した本実施形態の液晶装置100は、画素電極9と共通電極21との間に電圧が印加されない状態で、図3(a)に示したように水平配向膜16a,22aが設けられた画素表示領域A1においてはスプレイ配向状態、垂直配向膜16b,22bが設けられた非表示領域A2においてはベンド配向状態となっている。そして、電極9,21間に駆動電圧範囲の電圧(Vcr以上)を印加することで非表示領域A2がベンド配向の核として作用し、画素表示領域A1にベンド配向領域が拡大し、画素全体をスプレイ配向からベンド配向へと移行させるようになる。なお、前記画素表示領域A1はベンド配向を維持した状態で画素表示を行うようになっている。
したがって、電極9,21間に臨界電圧Vcrより高い電圧を印加することにより、図3(b)に示すように、非表示領域A2の周辺部におけるベンド配向を起点として、画素表示領域A2の液晶分子51がスプレイ配向状態からベンド配向へ移行するようになる。そして、図3(c)に示すように、全ての液晶分子51がベンド配向状態となる。このように、画素表示領域A1がベンド配向を維持した状態で画像表示を行うようにしている。なお、非表示領域A2は上述したように図示されない遮光層を設けているので、画素表示に影響することは無い。
このように、本実施形態の液晶装置100では、TFTアレイ基板10上(及び対向基板20上)に、液晶分子51のプレチルト角の異なる2つの領域(画素表示領域、非表示領域)を区画形成しているので、電圧印加時のスプレイ配向からベンド配向への配向転移を円滑に行い、確実性を損なうことなく、表示コントラストを向上させたものとなる。
(液晶装置の製造方法)
続いて、液晶装置の製造方法における一実施形態について説明する。なお、以下の説明においては、本発明の特徴的な工程である配向膜16(22)の形成工程についてのみについて説明し、その他の工程については公知の方法が採用されるため説明を省略する。
続いて、液晶装置の製造方法における一実施形態について説明する。なお、以下の説明においては、本発明の特徴的な工程である配向膜16(22)の形成工程についてのみについて説明し、その他の工程については公知の方法が採用されるため説明を省略する。
具体的に、本実施形態では、前記配向膜16,22を形成するに際し、液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いている。そして、TFTアレイ基板10の表面に配向膜16を形成したものと、対向基板20の表面に配向膜22を形成したものとを枠状に設けたシール材52を介して貼り合わせ、そのシール材52の枠内に液晶層50を充填した後、基板10,20の外面側に必要に応じて偏光板等を貼着することによって、液晶装置100を作製することができる。以下に、液晶装置100を製造する各工程について説明する。
まず、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体10A上にTFT素子30を構成するための、層間絶縁膜、半導体層、図2に示したような、走査線3a、容量線3b、データ線6a、画素電極9を形成する。同様にして、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体20A上にITO等の透明導電材料からなる共通電極21を形成する。
続いて、画素電極9及びTFT素子30等が形成された基板本体10A、及び前記共通電極21が形成された基板本体20A上に、インクジェット法により配向膜形成材料を塗布して配向膜16,22を形成する。
ここで、前記配向膜16,22を形成する際に用いられる装置の一例として、液滴吐出法によって基体上に液体材料を配置する液滴吐出装置(インクジェット装置)IJの概略構成について図7を参照し説明する。
ここで、前記配向膜16,22を形成する際に用いられる装置の一例として、液滴吐出法によって基体上に液体材料を配置する液滴吐出装置(インクジェット装置)IJの概略構成について図7を参照し説明する。
図7に示すように、液滴吐出装置IJは、液滴吐出ヘッド301と、X軸方向駆動軸304と、Y軸方向ガイド軸305と、制御装置CONTと、ステージ307と、クリーニング機構308と、基台309と、ヒータ315とを備えて構成されている。
ステージ307は、この液滴吐出装置IJによって材料インク(液体材料)が配置される基板Pを支持するものであって、基板Pを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
液滴吐出ヘッド301は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とY軸方向とが一致している。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド301の下面にY軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド301の吐出ノズルからは、ステージ307に支持されている基板Pに対して、材料インクが吐出される。
ステージ307は、この液滴吐出装置IJによって材料インク(液体材料)が配置される基板Pを支持するものであって、基板Pを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
液滴吐出ヘッド301は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とY軸方向とが一致している。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド301の下面にY軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド301の吐出ノズルからは、ステージ307に支持されている基板Pに対して、材料インクが吐出される。
X軸方向駆動軸304には、X軸方向駆動モータ302が接続されている。X軸方向駆動モータ302はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからX軸方向の駆動信号が供給されると、X軸方向駆動軸304を回転させる。X軸方向駆動軸304が回転すると、液滴吐出ヘッド301はX軸方向に移動する。
Y軸方向ガイド軸305は、基台309に対して動かないように固定されている。ステージ307は、Y軸方向駆動モータ303を備えている。Y軸方向駆動モータ303はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからY軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ307をY軸方向に移動する。
Y軸方向ガイド軸305は、基台309に対して動かないように固定されている。ステージ307は、Y軸方向駆動モータ303を備えている。Y軸方向駆動モータ303はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからY軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ307をY軸方向に移動する。
制御装置CONTは、液滴吐出ヘッド301に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、X軸方向駆動モータ302に液滴吐出ヘッド301のX軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Y軸方向駆動モータ303にステージ307のY軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構308は、液滴吐出ヘッド301をクリーニングするものである。クリーニング機構308には、図示しないY軸方向の駆動モータが備えられている。このY軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Y軸方向ガイド軸305に沿って移動する。クリーニング機構308の移動も制御装置CONTにより制御される。
ヒータ315は、ここではランプアニールにより基板Pを熱処理する手段であり、基板P上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ315の電源の投入及び遮断も制御装置CONTにより制御される。
クリーニング機構308は、液滴吐出ヘッド301をクリーニングするものである。クリーニング機構308には、図示しないY軸方向の駆動モータが備えられている。このY軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Y軸方向ガイド軸305に沿って移動する。クリーニング機構308の移動も制御装置CONTにより制御される。
ヒータ315は、ここではランプアニールにより基板Pを熱処理する手段であり、基板P上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ315の電源の投入及び遮断も制御装置CONTにより制御される。
液滴吐出装置IJでは、液滴吐出ヘッド301と基板Pを支持するステージ307とが相対的に走査移動しつつ液滴吐出ヘッド301から基板Pに対して液体材料を液滴状に吐出する。液滴吐出ヘッド301の吐出ノズルは、非走査方向であるY軸方向に一定間隔で並んで設けられている(X軸方向:走査方向、Y軸方向:非走査方向)。なお、図7では、液滴吐出ヘッド301は、基板Pの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド301の角度を調整し、基板Pの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。
このようにすれば、液滴吐出ヘッド301の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することができる。また、基板Pとノズル面との距離を任意に調節できるようにしてもよい。
このようにすれば、液滴吐出ヘッド301の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することができる。また、基板Pとノズル面との距離を任意に調節できるようにしてもよい。
図6は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための液滴吐出ヘッドの概略構成図である。
図6において、液体材料(インク)を収容する液体室321に隣接してピエゾ素子322が設置されている。液体室321には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系323を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子322は駆動回路324に接続されており、この駆動回路324を介してピエゾ素子322に電圧を印加し、ピエゾ素子322を変形させて液体室321を弾性変形させる。そして、この弾性変形時の内容積の変化によってノズル325から液体材料が吐出されるようになっている。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子322の歪み量を制御することができる。
また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子322の歪み速度を制御することができる。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
図6において、液体材料(インク)を収容する液体室321に隣接してピエゾ素子322が設置されている。液体室321には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系323を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子322は駆動回路324に接続されており、この駆動回路324を介してピエゾ素子322に電圧を印加し、ピエゾ素子322を変形させて液体室321を弾性変形させる。そして、この弾性変形時の内容積の変化によってノズル325から液体材料が吐出されるようになっている。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子322の歪み量を制御することができる。
また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子322の歪み速度を制御することができる。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
次に、上記液滴吐出装置IJを用いて、配向膜16,22を形成する工程について説明する。なお、以下の説明では、TFTアレイ基板10を構成する基板本体10A上に配向膜16を形成する場合を例に挙げて説明する。
具体的には、図9に示すように、上記の液滴吐出装置IJの液滴吐出ヘッド301から基板本体10A上の所望の位置に配向膜16を構成するための配向膜形成材料を塗布する。このとき、図4に示したように液晶装置における画素の表示領域(第1の領域)に対応する位置に水平配向膜形成材料16Aを塗布するとともに、前記表示領域を囲む非表示領域(第2の領域)に垂直配向膜形成材料16Bを塗布する。
具体的には、図9に示すように、上記の液滴吐出装置IJの液滴吐出ヘッド301から基板本体10A上の所望の位置に配向膜16を構成するための配向膜形成材料を塗布する。このとき、図4に示したように液晶装置における画素の表示領域(第1の領域)に対応する位置に水平配向膜形成材料16Aを塗布するとともに、前記表示領域を囲む非表示領域(第2の領域)に垂直配向膜形成材料16Bを塗布する。
本実施形態では、液滴吐出ヘッド301は水平配向膜形成材料16Aを吐出する吐出部301aと前記垂直配向膜形成材料16Bを吐出する吐出部301bとを備えて構成されている。このような液滴吐出ヘッド301を用いることで、それぞれの吐出部301a,301bから配向膜形成材料16A,16Bを塗布することで、基板本体10A上の所望の位置に配向膜形成材料16A,16Bを良好に塗り分けることが可能となっている。
ここで、前記水平配向膜形成材料として、液晶分子のプレチルト角が10°以下となるものを用いているのが好ましい。このようにすれば、基板間に電圧印加しない状態において、水平配向膜によって配向規制される液晶分子を良好にスプレイ配向とすることができる。また、前記垂直配向膜形成材料として、液晶分子のプレチルト角が80°以上となるものを用いているのが好ましい。このようにすれば、基板間に電圧印加しない状態において、垂直配向膜によって配向規制される液晶分子を良好にベンド配向とすることができる。
このような水平配向膜形成材料16Aとしては、例えばポリイミド材料の前駆体であるポリアミック酸が用いられる。そして、前記ヘッド301aから基板本体10A上の表示領域となる領域にポリアミック酸を配置し、恒温で焼成することによりイミド化させてポリイミドを形成する。また、水平配向膜形成材料16Aとして可溶性ポリイミド材料を用いて、低温下でポリイミド膜を形成するようにしてもよい。
本実施形態では、上述したような水平配向膜形成材料として、具体的には日産化学社製のSE−3510(商品名)を採用することが可能である。
本実施形態では、上述したような水平配向膜形成材料として、具体的には日産化学社製のSE−3510(商品名)を採用することが可能である。
一方、垂直配向膜形成材料16Bとしては、その基本的骨格は水平配向膜形成材料のポリイミドであるが、その側鎖に長鎖アルキル基や剛直な平面構造を有する官能基が導入されたものが用いられる。このような材料を用いれば、例えば主鎖部分が基板表面に対して水平に並ぶときに、その側鎖部分が液晶分子を垂直に配向させるようになる。
本実施形態では、上述したような垂直配向膜形成材料16Bとして、具体的にはJRS社製のJALS2017(商品名)、やJALS204(商品名)を採用することが可能である。
本実施形態では、上述したような垂直配向膜形成材料16Bとして、具体的にはJRS社製のJALS2017(商品名)、やJALS204(商品名)を採用することが可能である。
前記基板本体10A上に上記の配向膜形成材料16A,16Bを塗布した後、乾燥させる。続いて、水平配向膜形成材料16A、及び垂直配向膜形成材料16Bにラビング処理を施し、前記水平配向膜形成材料16Aから水平配向膜16aを形成し、前記垂直配向膜形成材料16Bから垂直配向膜16bを形成する。本実施形態では、上記ラビング処理工程において、水平配向膜16aに対応するラビング処理を、前記水平配向膜形成材料16A、及び前記垂直配向膜形成材料16Bに対し一括処理することで行っている。このように、水平配向膜16aと垂直配向膜16bとの間でラビング処理を一括して行っているので、製造工程をさらに簡略化している。
よって、このラビング処理が施された水平配向膜形成材料16Aは、主鎖部分に導入されている基によってプレチルト角が1〜10°とする水平配向膜16aとなる。一方、前記水平配向膜形成材料16Aには、水平配向膜16aに対応したラビング処理が施されるが、一般的に垂直配向膜形成材料16Bは上記のラビング処理の影響を受けることがない。よって、前記垂直配向膜形成材料16Bによって、プレチルト角を88〜90°とする垂直配向膜16bが形成される。
以上の工程により、基板本体10A上に水平配向膜16a及び垂直配向膜16bとからなる配向膜16を備えたTFTアレイ基板10が形成される。同様にして、図示しない遮光膜、共通電極21を形成した基板本体20A上に、上述した液滴吐出装置IJを用いて水平配向膜及び垂直配向膜を配置し、上述したラビング処理を施すことにより対向基板20を作製できる。
ところで、従来のパターニングによる配向膜の形成ではレジスト層の現像処理が必要であったため、現像液による配向膜表面の汚染に起因する配向規制の特性が低下し、表示画質を低下させるおそれがあった、本実施形態に係る配向膜16,22ではレジスト層が不要であることから、現像液の汚染により表示画質が低下することはない。
次に、対向基板20又はTFTアレイ基板10上にシール材52を形成する(図1参照)。このシール材52には、後にTFTアレイ基板10と対向基板20とを貼り合わせた後に液晶層50を注入するための液晶注入口55を設けている。そして、TFTアレイ基板10と対向基板20とをシール材52によって貼り合わせ、前記液晶注入口55からシール材52によって区画された領域内に液晶層50を注入し、液晶注入口55を封止材54によって封止する。さらに、TFTアレイ基板10及び対向基板20の外面側に図示しない位相差板、偏光板等を貼り合わせ液晶装置100が製造される。
なお、シール材を液晶注入口を有しない閉口枠形状に形成し、該シール材に囲まれた領域に液晶層を滴下した後、TFTアレイ基板10と他方の対向基板20とを、液晶を挟持するように貼り合わせることにより、液晶装置を形成するようにしてもよい。また、所定の基板間隔を保持する為に、シール材52中にスペーサーを分散させて、所定の基板間隔を保持するようにしてもよい。
本実施形態における液晶装置100の製造方法によれば、インクジェット法を用いることで、異なる2つの配向膜形成材料を塗り分けて垂直配向膜16b,22bと水平配向膜16a,22aとを形成しているので、簡便かつ効率的に配向膜16,22を形成できる。ここで、上述したように垂直配向膜16b,22bはプレチルト角が88°〜90°となっているので、該垂直配向膜16b,22bによって配向規制された液晶分子51は基板間に電圧印加しない状態においてベンド配向となる。
一方、上述したようにプレチルト角が1°〜10°となる水平配向膜16a,22aによって配向規制される液晶分子51は、基板間に電圧印加しない状態においてスプレイ配向となる。
また、前記水平配向膜16a,22aが設けられた領域は、液晶装置100の画素表示領域A1に対応し、前記垂直配向膜16b,22bが設けられた領域は、前記画素表示領域A1を囲む非表示領域A2に対応している。したがって、液晶装置100は、基板間に電圧を印加した際に、前記非表示領域A2に設けられたベンド配向状態の液晶分子51を起点として、画素表示領域A1における液晶分子51がスプレイ配向からベンド配向へと転移させ、画素表示領域A1全域の液晶分子51をベンド配向とすることができる。よって、画素表示領域A1は、上述したようにスプレイ配向からベンド配向へと速やかに移行し高速応答性を実現しているので、OCBモードの液晶装置100として好適に採用することができる。
一方、上述したようにプレチルト角が1°〜10°となる水平配向膜16a,22aによって配向規制される液晶分子51は、基板間に電圧印加しない状態においてスプレイ配向となる。
また、前記水平配向膜16a,22aが設けられた領域は、液晶装置100の画素表示領域A1に対応し、前記垂直配向膜16b,22bが設けられた領域は、前記画素表示領域A1を囲む非表示領域A2に対応している。したがって、液晶装置100は、基板間に電圧を印加した際に、前記非表示領域A2に設けられたベンド配向状態の液晶分子51を起点として、画素表示領域A1における液晶分子51がスプレイ配向からベンド配向へと転移させ、画素表示領域A1全域の液晶分子51をベンド配向とすることができる。よって、画素表示領域A1は、上述したようにスプレイ配向からベンド配向へと速やかに移行し高速応答性を実現しているので、OCBモードの液晶装置100として好適に採用することができる。
また、本構成によれば、従来のようにレジスト層を用いることなく水平配向膜16a,22aと垂直配向膜16b,22bとを形成しているので、前記レジスト層のパターニング時の現像液によって配向膜が汚染されるといった不具合を防止できる。さらに、異なる配向膜形成材料をインクジェット法によって所定の領域に塗り分けているので、水平配向膜と垂直配向膜とが積層されることで絶縁体容量増大に起因する、焼き付きと呼ばれる液晶の動作不良が防止された信頼性の高い配向膜16,22を備えた液晶装置100を製造できる。
(プロジェクタ)
次に、本発明の投射型表示装置の一実施形態であるプロジェクタについて、図面を参照し説明する。図10は、プロジェクタの要部を示す概略構成図であって、図中符号800はプロジェクタを示している。このプロジェクタ800は、上述した各実施形態に係る液晶装置100を、光変調手段として備えたものである。
次に、本発明の投射型表示装置の一実施形態であるプロジェクタについて、図面を参照し説明する。図10は、プロジェクタの要部を示す概略構成図であって、図中符号800はプロジェクタを示している。このプロジェクタ800は、上述した各実施形態に係る液晶装置100を、光変調手段として備えたものである。
このプロジェクタ800は、図6に示すように、光源810と、ダイクロイックミラー813、814と、反射ミラー815、816、817と、入射レンズ818と、リレーレンズ819と、出射レンズ820と、本発明の液晶装置からなる光変調手段822、823、824と、クロスダイクロイックプリズム825と、投射レンズ826とを備えている。
光源810は、メタルハライド等のランプ811とランプの光を反射するリフレクタ812とからなる。ダイクロイックミラー813は、光源810からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー817で反射されて、赤色光用光変調手段822に入射される。また、ダイクロイックミラー813で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー814によって反射され、緑色光用光変調手段823に入射される。さらに、ダイクロイックミラー813で反射された青色光は、ダイクロイックミラー814を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ818、リレーレンズ819および出射レンズ820を含むリレーレンズ系からなる導光手段821が設けられている。この導光手段821を介して、青色光が青色光用光変調手段824に入射される。なお、上記各光変調手段822,823,824には、上記各実施形態の液晶装置100が採用されている。
各光変調手段により変調された3つの色光は、クロスダイクロイックプリズム825に入射する。このクロスダイクロイックプリズム825は4つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがX字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ826によってスクリーン827上に投影され、画像が拡大されて表示される。
このプロジェクタには、上述した高速応答性の高い液晶装置を光変調手段822〜824として備えているので、動画表示性能に優れた高画質表示が可能であり、かつ信頼性の高いものとなる。
以上、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれらの例に限定されないことは言うまでもない。すなわち、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々の変更が可能である。
また、本発明の液晶装置は、プロジェクタの光変調手段に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれにおいても信頼性が高く表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
また、本発明の液晶装置は、プロジェクタの光変調手段に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれにおいても信頼性が高く表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
10…TFTアレイ基板、16…配向膜、16a、22a…水平配向膜、16A…水平配向膜形成材料、16b、22b…垂直配向膜、16B…垂直配向膜形成材料、20…対向基板、22…配向膜、50…液晶層、51…液晶分子、100…液晶装置、A1…画素表示領域(第1の領域,表示領域)、A2…非表示領域(第2の領域)、800…プロジェクタ(投射型表示装置)
Claims (6)
- 液晶層と該液晶層を挟持する一対の基板と、該基板の前記液晶層側にそれぞれ設けられた配向膜とを備え、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置の製造方法において、
液滴吐出法により、少なくとも一方の基板の第1の領域に水平配向膜形成材料を塗布するとともに、前記第1の領域を囲む第2の領域に垂直配向膜形成材料を塗布する工程と、
前記水平配向膜形成材料及び前記垂直配向膜形成材料から水平配向膜と垂直配向膜とを有してなる前記配向膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 前記第1の領域は表示領域に対応し、前記第2の領域は前記表示領域を区画する非表示領域に対応していることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記配向膜を形成する工程で、前記水平配向膜に対応するラビング処理を、前記水平配向膜形成材料及び前記垂直配向膜形成材料に対して一括処理で行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記水平配向膜形成材料として、液晶分子のプレチルト角が0〜10°となるものを用いていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記垂直配向膜形成材料として、液晶分子のプレチルト角が80°以上となるものを用いていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたこと特徴とする投射型表示装置。
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- 2005-10-19 JP JP2005303920A patent/JP2007114333A/ja not_active Withdrawn
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