JP2010044182A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高品位な画像表示が可能な液晶装置等の電気光学装置の製造方法において、製造工程の容易化及び高精度を図る。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板上に、カラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上に形成された遮光性材料をパターニングしてブラックマトリクスを形成する工程と、カラーフィルタ及びブラックマトリクスの段差に対応した段差を表面に有するオーバーコート膜を形成する工程と、オーバーコート膜の表面の段差に対応した段差を表面に有するように、電気光学物質に電圧を印加するための電圧印加用電極を形成する工程とを含む。
【選択図】図５

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置を製造する方法、電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備える電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置の一例である、単体で或いは単板式にて、カラー表示が可能な液晶装置では、ＲＧＢ（即ち、赤色、緑色、青色）の画素から構成されており、隣り合う画素に画像信号に応じて相異なる電位を適宜供給することでカラー画像を表示している。

ここで、液晶を挟持する一対の基板間に、画像信号に応じて生じる電界（以下単に「縦電界」という）によって液晶を駆動する縦電界駆動方式の場合、高精細化という一般的要請下で、このような画素ピッチを小さくすると、相異なる電位の画像信号が供給される相隣り合う画素電極間の電位差（以下単に「横電界」という）が、縦電界に対して相対的に大きくなってしまう。よって、横電界の悪影響が顕在化し、液晶の配向不良が問題となる。特に反転駆動方式で相隣接する画素電極間に極性の異なる電位の画像信号が供給される場合には、この問題は顕著となる。このため、画素電極の表面に段差を有するように、画素電極の形状を変形することによって横電界を抑制するという技術が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００２−１４３４９号公報

上述の背景技術によれば、複数の画素電極上に段差を均一かつ正確に形成する必要があるため、このような電気光学装置を製造することは技術的な困難性を伴う。特に、高精細化が求められる液晶装置のような電気光学装置では、画素ピッチを小さくすると、必然的に画素電極もできるだけ小さく形成することが求められるため、その深刻さは増大する。

また、基板上にカラーフィルタを形成する場合には、画素電極に段差を形成する際にカラーフィルタに高温がかかるため、カラーフィルタが特性劣化や損傷を引き起こし、表示画像に色ムラや表示不良の原因となる。

本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、高品位のカラー表示が可能な電気光学装置をより容易な手法で精度よく製造することができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置及びそのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板の一方となる基板上に、画素毎にカラーフィルタを形成するカラーフィルタ形成工程と、前記カラーフィルタ上に形成された遮光性材料をパターニングすることにより、前記画素毎の非開口領域を少なくとも部分的に規定するブラックマトリクスを形成するブラックマトリクス形成工程と、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクス上に、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスの段差に対応した段差を表面に有するようにオーバーコート膜を形成するオーバーコート膜形成工程と、前記オーバーコート膜上に、前記オーバーコート膜の表面の段差に対応した段差を表面に有するように、前記電気光学物質に電圧を印加するための電圧印加用電極を形成する電極形成工程とを含む。

本発明によって製造することのできる電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質、例えば液晶が挟持されており、基板間に画像信号に応じて生じる縦電界によって液晶の配向状態を制御して画像を表示する。

カラーフィルタ形成工程では、一対の基板の一方の基板上に、画素毎にカラーフィルタを形成する。ここに「画素」とは、ＲＧ又はＢの単一色表示を行う最小単位を意味してもよいし、ＲＧ及びＢを含んでなりカラー表示を行う最小単位を意味してもよい。後者の場合、各画素に含まれるＲＧ又はＢの単一色表示を行う最小単位を「サブ画素」と称することもでき、カラー表示を行う最小単位をカラー画素或いはフルカラー画素と称することもできる。カラーフィルタは典型的には、ＲＧＢ（即ち、赤色、緑色、青色）夫々に対応する着色層が画素毎に交互に配列されるように、基板上に形成される。しかし、本発明では、カラーフィルタの形成時には、基板上に未だブラックマトリクスが形成されていないため、基板の表面は比較的平坦である。そのため、カラーフィルタを凹凸のある表面に形成した場合（例えば、基板上に予めブラックマトリクスを形成した場合）に比べて、色ムラが少なく、均一なカラーフィルタを形成することができる。尚、カラーフィルタを形成する前に基板上に素子等（例えば、薄膜トランジスタや配線等）を形成する必要がある場合には、その上層を平坦化膜等によって平坦にしてからカラーフィルタを形成してもよい。

ブラックマトリクス形成工程では、カラーフィルタ上に遮光性材料を塗布し、画素毎の非開口領域を少なくとも部分的に規定するようにパターニングすることによって、ブラックマトリクスを形成する。まず、ブラックマトリクスの材料である遮光性材料が、例えばスピンコート等の手法によって、カラーフィルタ上に塗布される。ここに「遮光性材料」とは、光透過率がカラーフィルタと比べて低い材料を意味し、好ましくは光透過率がゼロに近い或いは実質的にゼロである材料を意味する。その後、画素の非開口領域、即ち、カラーフィルタの各着色層の境界付近の領域の少なくとも一部を除いて、遮光性材料をパターニングによって除去する。その結果、画素の非開口領域、即ち、カラーフィルタの各着色層の境界付近の領域の少なくとも一部についてブラックマトリクスが形成される。ここに「ブラックマトリクス」とは、好ましくは格子状或いはマトリクス状をなすが、他の遮光膜と協働で格子状或いはマトリクス状の非開口領域を規定することも可能である。その場合には、ブラックマトリクスは、マトリクス状に限らず、ストライプ状或いは島状であってもよく、一部が欠けたマトリクス状であってもよい。

ここで、カラーフィルタの表面とブラックマトリクスの表面との段差は、カラーフィルタ上に塗布される遮光性材料の膜厚によって規定される。この段差は、後述する電気光学物質の電圧印加用電極の表面における段差の大きさを規定する要因であるため、電圧印加用電極の表面に設けたい段差の大きさに応じて調整すればよい。尚、本願発明者の研究結果によると、このようにして規定された遮光性材料の膜厚は、ブラックマトリクスが十分な遮光性を発揮するために必要な厚さに比べて、十分大きい膜厚となる。

電気光学装置における典型的なブラックマトリクスは、カラーフィルタが形成される前に基板上に形成される。即ち、あらかじめ基板上にブラックマトリクスを形成しておき、その間にカラーフィルタが形成される。これに対し、本発明では、基板上にあらかじめ形成しておいたカラーフィルタ上に、ブラックマトリクスを形成することに特徴がある。このような工程順を経ることによって、ムラのない高品質なカラーフィルタを形成しつつ、非開口領域を規定し、画素間の光漏れや混色を防止するブラックマトリクスの典型提起な機能を発揮させることが可能となる。

オーバーコート膜形成工程では、基板上に形成されたカラーフィルタ及びブラックマトリクス上にオーバーコート膜が塗布される。この際特に、オーバーコート膜は、基板上におけるカラーフィルタの表面とブラックマトリクスの表面とによる段差に対応して段差が形成されるように塗布される。具体的には、そのような段差が形成されるように、オーバーコート膜の膜厚、材質、形成方法等は、所定の膜厚等とされている。これら所定の膜厚等は、膜厚、材質、形成方法等を変更して形成される段差を実験的、経験的或いはシミュレーション等により求めることで、予め設定可能である。「オーバーコート膜」は、段差を有する程度に薄く形成されており、好ましくは、段差を有する程度に薄く且つピンホール等の欠陥が発生しない程度に厚い、所定膜厚で形成される。この結果、カラーフィルタ上に凸上に形成されているブラックマトリクスの上層に該当部分付近において、オーバーコート膜の表面が盛り上がるように、オーバーコート膜の表面が形成される。

電圧印加用電極形成工程では、オーバーコート膜上に、一対の基板間に挟持された電気光学物質の電圧印加用電極が所定の膜厚で形成される。このとき、オーバーコート膜の表面は、基板上に形成されたカラーフィルタの表面とブラックマトリクスの表面とによる段差に基づく段差、即ち、基板上で平面的に見てブラックマトリクスと重畳している領域の付近において盛り上がる形状を有している。そのため、オーバーコート膜の上に所定の膜厚で形成される電圧印加用電極もまた、当該部分付近の領域において表面が盛り上がるように形成される。このように、電圧印加用電極の表面が盛り上がるように形成することができるので、当該領域付近における横電界の影響を抑制することができる。即ち、縦電界が構築される電極間の距離を段差で盛り上がった分だけ短くすることができ、該距離が短い程強まる性質を持つ縦電界を、相対的に（即ち横電界に対して）強められる。同時に、盛り上げられた段差内部は、液晶等の電気光学物質内と比べて横電界が通過し難いので、その分だけ横電界を相対的に（即ち縦電界に対して）弱められる。

尚、「電圧印加用電極」の表面には、例えば液晶の配向を規制するための配向膜など、電気光学物質の動作を規制するための各種機能膜が形成されてもよい。他方で、一対の基板の他方については、例えばその上に、画素電極、素子、配線、遮光膜等が形成されることで、素子基板或いはＴＦＴアレイ基板等とされ、一方の基板と貼り合わせられる。

以上の工程によって製造された電気光学装置は、電圧印加用電極の段差付近（即ち、ブラックマトリクスの存在する非開口領域付近）において、横電界の発生を抑制することができ、配向不良の少ない高品位な画像表示をすることができる。また、このような工程を経ることによって、基板上に品質の良いカラーフィルタを形成することができる。更に、以上の工程において、配向制御電極の段差は実質的にブラックマトリクスのパターニングによって、カラーフィルタとブラックマトリクスとの段差を形成することによって作ることができるため、背景技術のような高度な技術的な困難性を伴わない。従って、高精細化の要請に応じた微細な構造を要求される電気光学装置の製造においても適用可能であり、極めて実用的で有効な製造方法を提供することができる。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記ブラックマトリクス形成工程において、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスの段差が０．６μｍ以上になるようにブラックマトリクスを形成する。

この態様によれば、基板上に形成されたカラーフィルタの表面とブラックマトリクスの表面との段差が０．６μｍと、典型的なブラックマトリクスの高さに比べて遥かに大きく形成されている。このようにブラックマトリクスの高さを十分大きく確保することによって、オーバーコート膜の表面における段差を大きくすることができ、その結果、電圧印加用電極の表面における段差も大きくすることができる。逆に、この程度の段差であれば、その上に電圧印加用電極を、ＩＴＯ等から問題なく形成することも可能である。従って、電圧印加用電極の表面段差が大きくなると、基板間に生じる横電界をより効率的に抑制することができるので、非常に高品位な画像表示が可能な電気光学装置を製造することができる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記電圧印加用電極は、前記一方となる基板上にベタ状に形成された対向電極である。

この態様によれば、電圧印加用電極は対向基板上に形成された対向電極である。対向電極は、基板上の画素が存在する領域（即ち、画像表示領域）全体に渡って一体的に形成される。即ち、電圧印加用電極は、ブラックマトリクスが形成されている領域付近において段差を有し、かつ、画像表示領域を含む大きな電極として形成される。対向基板側であれば、ブラックマトリクス等を高温プロセスに晒さないで済むのが著しく容易となり、全体としても製造が容易となる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記電圧印加用電極は、前記画素毎に配置された複数の画素電極である
この態様によれば、電圧印加用電極は、カラーフィルタを内蔵した素子基板（即ち、典型的には薄膜トランジスタ、データ線、走査線等が形成される基板）上に形成された画素電極である。つまり、電圧印加用電極は、画素毎に配置された複数の画素電極から構成されている。尚、カラーフィルタを形成する前に、基板上に薄膜トランジスタ、データ線、走査線等により凹凸が生じている場合には、平坦化膜等を用いてあらかじめ平坦化処理を行ってから、カラーフィルタを形成してもよい。或いは、薄膜トランジスタ、データ線、走査線等により生じている凹凸を、ブラックマトリクスにおける段差を高めることに利用してもよい。

この態様では、前記複数の画素電極の各々は、前記一方となる基板上で平面的に見て、前記ブラックマトリクスと重畳する領域を有するように形成されてもよい。

このように製造すれば、画素電極の端部のうち重畳している部分は、下層側に形成されているブラックマトリクスによって盛り上がるように形成される。つまり、各画素電極は端部が盛り上がっている形状（例えば、お椀型）に形成される。その結果、各画素電極の端部において基板間に生じる横電界を効果的に抑制することができ、電気光学物質の配向不良を防止することが可能となる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記遮光性材料の融点が２００℃以下である。

本発明では、ブラックマトリクスを形成する遮光性材料が、カラーフィルタ上に塗布されるため、塗布する際の溶解した遮光性材料の温度が高温な場合、先に形成したカラーフィルタが熱によって変質及び損傷を受けることがある。本態様によれば、２００℃と比較的融点の低い遮光性材料を用いることによって、カラーフィルタに影響を与えることなく、ブラックマトリクスを形成することが可能となる。言い換えれば、高温プロセスに耐え得るような高融点金属を使用する必要は無くなり、例えば、樹脂等の遮光性材料を採用可能となる。

この態様では、前記遮光性材料はフォトレジストを含んだ遮光性樹脂であってもよい。

このように製造すれば、遮光性樹脂は比較的低い融点を有しているため、カラーフィルタに影響（例えば、変質や損傷など）を与えることはない。また、遮光性材料にフォトレジストを含有しているので、ブラックマトリクス形成工程において露光によって容易にパターニングを行うことができる。更に、露光によるパターニングは極めて精度よくパターニングすることができるので、カラーフィルタとブラックマトリクスとの段差を精度よく制御することが可能となる。その結果、電圧印加用電極の表面における段差の大きさの制御精度も向上させることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記ブラックマトリクス形成工程において、前記ブラックマトリクスが前記一方となる基板上で平面的に見てマトリクス状に形成されるように、前記遮光性材料をパターニングする。

この態様によれば、ブラックマトリクスは、マトリクス状、即ち、画素間の境界に沿って、非開口領域の少なくとも一部を形成するように遮光性材料をパターニングすることによって形成される。このように形成することによって、全ての画素間において電圧印加用電極に段差を持たせることができるため、極めて効率的に横電界を抑制することが可能な電気光学装置を製造することができる。しかも、ブラックマトリクス単体で非開口領域の全てを規定することも可能となる。また、尚、ブラックマトリクスと重畳するように、遮光性材料で走査線やデータ線を形成することで、ブラックマトリクスと合わせて非開口領域を規定してもよい。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置であって、前記一対の基板の一方となる基板上に、画素毎に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成されており、前記画素毎の非開口領域を少なくとも部分的に規定するブラックマトリクスと、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクス上に形成されており、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスの段差に対応した段差を表面に有するオーバーコート膜と、前記オーバーコート膜上に形成されており、前記オーバーコート膜の表面の段差に対応した段差を表面に有する前記電気光学物質に電圧を印加するための電圧印加用電極とを備える。

本発明の電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質、例えば液晶が挟持されており、基板間に画像信号に応じて生じる縦電界によって液晶の配向状態を制御して画像を表示する。基板上に形成されたカラーフィルタの表面と、その上に形成されたブラックマトリクスの表面との段差に応じて、上層側に形成されたオーバーコート膜の表面に段差を有している。更に、オーバーコート膜上に形成される電圧印加用電極もまた、オーバーコート膜の段差に応じて表面に段差を有している。このように、表面に段差を有している電圧印加用電極は、基板間に発生する横電界を抑制し、液晶等の電気光学物質の配向不良を抑制する。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスの段差が０．６μｍ以上である。

この態様によれば、基板上に形成されたカラーフィルタの表面とブラックマトリクスの表面との段差が０．６μｍと、典型的なブラックマトリクスの高さに比べて遥かに大きく形成されている。このようにブラックマトリクスの高さを十分大きく確保することによって、オーバーコート膜の表面における段差を大きくすることができ、その結果、電圧印加用電極の表面における段差も大きくすることができる。従って、電圧印加用電極の表面段差が大きくなると、基板間に生じる横電界をより効率的に抑制することができるので、非常に高品位な画像表示が可能な電気光学装置を製造することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記電圧印加用電極は、前記画素毎に配置された画素電極であり、前記一方となる基板上で平面的に見て、前記ブラックマトリクスと重畳する領域を有する。

この態様によれば、電圧印加用電極は、カラーフィルタを内蔵した素子基板（即ち、典型的には薄膜トランジスタ、データ線、走査線等が形成される基板）上に形成された画素電極であり、基板上で特定の画素の周辺領域を平面的に見ると、画素電極の端部が非開口領域に形成されているブラックマトリクスと一部重畳している。このように形成すると、画素電極の端部のうち重畳している部分は、下層側に形成されているブラックマトリクスによって盛り上がるように形成される。つまり、各画素電極は端部が盛り上がっている形状（例えば、お椀型）に形成される。その結果、各画素電極の端部において基板間に生じる横電界を効果的に抑制することができ、電気光学物質の配向不良を防止することが可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記電圧印加用電極は、前記一方の基板上にベタ状に形成された対向電極である。

この態様によれば、電圧印加用電極は対向基板上に形成された対向電極である。対向電極は、基板上の画素が存在する領域（即ち、画像表示領域）全体に渡って一体的に形成される。即ち、電圧印加用電極は、ブラックマトリクスが形成されている領域付近において段差を有し、かつ、画像表示領域を含む大きな電極として形成される。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法について、実施形態をもとに説明する。

＜１．液晶装置＞
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によって製造される液晶装置の全体構成を説明する。

＜１−１．第１実施形態＞
ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作りこまれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９上には、配向膜（図２において省略）が形成されている。

他方、対向基板２０上には、ＲＧＢ（即ち、赤色、緑色、青色）に対応するカラーフィルタ２６が画素毎に形成されている。赤色のカラーフィルタは、赤色の光（即ち、例えば６２５〜７４０ｎｍの波長を有する光）のみを通過させるカラーフィルタであり、緑色のカラーフィルタは、緑色の光（即ち、例えば５００〜５６５ｎｍの波長を有する光）のみを通過させるカラーフィルタであり、青色のカラーフィルタは、青色の光（即ち、例えば４５０〜４８５ｎｍの波長を有する光）のみを通過させるカラーフィルタである。例えば赤色のカラーフィルタに対応するサブ画素、緑色のカラーフィルタに対応するサブ画素、及び青色のカラーフィルタに対応するサブ画素という、三つのサブ画素の集合から、一つの画素（即ち、一つのカラー画素或いはフルカラー画素）が構築されている。

対向基板２０上に形成されたカラーフィルタ２６の更に上には、隣り合う画素の境界に沿ってブラックマトリクス２３が形成されている。ブラックマトリクス２３は、遮光性材料から形成されており、本実施形態では特に、遮光性樹脂（典型的には、融点が２００℃以下）から形成されている。ここで、図３は本実施形態における液晶装置から、ブラックマトリクス２３のみを抽出し、その全体的な構造を模式的に表した概念図である。図３に示すように、ブラックマトリクス２３は、対向基板２０上で平面的に見て格子状にパターニングされている。このように、ブラックマトリクスが画像表示領域において隣り合う画素間に沿って形成されることによって、画素間の混色や表示画像のコントラスト比の向上に貢献している。再び図２に戻って、ブラックマトリクス２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して、対向基板２０の全面に亘って（例えばベタ状に）形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。

このように構成され、画素電極９と対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、第１実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図４を参照して説明する。ここに図４は、第１実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図４において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の
各々には、画素電極９及び本発明に係る「トランジスタ」の一例としての画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。

次に、図５を参照して、本実施形態における対向電極２１の構造及びその機能について説明する。ここで、図５は、画像表示領域１０ａのデータ線６に直行する方向における詳細な積層構造を示した図式的な断面図である。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、ＴＦＴや配線等（図５において省略）を形成した後、層間絶縁膜１１で平坦化し、画素電極９が形成されている。画素電極９はラビング処理された配向膜１５が形成されている。

一方、対向基板２０上（図５において下方向）には、下地絶縁膜２２の上にカラーフィルタ２６が画素毎に形成されている。隣り合う画素間にはブラックマトリクス２３が配置されており、画素間の混色を防止している。ここで、カラーフィルタ２６及びブラックマトリクス２３上にはオーバーコート膜２４が所定の膜厚で形成されている。特に、カラーフィルタ２６上にブラックマトリクス２３が形成されることによって、段差が生じているため、この段差に対応して、オーバーコート膜２４の表面にも段差が生じている。そして、オーバーコート膜２４上には対向電極２１がベタ状に形成されており、オーバーコート膜２４と同様に、その表面には段差が形成されている。対向電極２１の表面には段差が生じているが、配向膜２５で平坦化されている。このように、本実施形態では、対向電極２１が、本発明に係る「電圧印加用電極」の一例を構成している。

以上に説明した一対の基板によって液晶５０が挟持されることによって、液晶装置が成り立っている。

本実施形態に係る液晶装置は、画素電極９と対向電極２１との間に電界を発生させることによって基板間に挟持された液晶５０の配向を制御して画像表示を行っている。画素電極９と対向電極２１との間の電界は、図５の点線で示す方向に発生している。

ここで、図６は、本実施形態において段差を有する対向電極２１に代えて平らな対向電極を用いて構成した比較例における、基板間の電界の発生方向を示した図である。尚、図６の構成は、対向電極２１が平面形状を有しており、ブラックマトリクス２３がカラーフィルタと同層に形成されていることが、本実施形態と異なっている。この場合、図６において点線で示しているように、電界は、隣り合う画素電極９間の電位差に基づいて横方向の電界（即ち、横電界）を多く含んでいる。そのため、本来であれば、基板に対して垂直な方向で配向制御すべき領域の液晶分子が、横電界の影響によって配向不良を起こしてしまう。

一方、図５に戻って、本実施形態における液晶装置では、画素の境界領域において対向電極２１が盛り上がるように段差を有して形成されている。そのため、画素の境界領域付近においては、画素電極９と対向電極２１との間の距離が短くなる。その分、隣り合う画素電極９間に生じていた横電界が、縦方向（即ち、基板に垂直な方向）に引き寄せられ、図５に示すように、全体の電界に対する横電界の割合が相対的に少なくなる。その結果、画素間において横電界によって引き起こされる配向不良を抑制することができる。

＜１−２．第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置について、図７及び図８を参照して説明する。本実施形態は、ＴＦＴアレイ基板１０側にカラーフィルタ及びブラックマトリクスが設けられている点において、第１実施形態と異なっている。このようにカラーフィルタ及びブラックマトリクスをＴＦＴアレイ基板１０側に形成することによって、各画素の位置に対して、カラーフィルタやブラックマトリクスの位置が、一対の基板を重ね合わせるときにズレないという利点がある。以下、詳細に構造を説明する。

図７は、第２実施形態における液晶装置の画像表示領域の複数の画素について、基板に垂直な断面図を詳細に示す模式図である。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、ＴＦＴや配線等（図７において省略）を形成した後、層間絶縁膜１１で平坦化し、カラーフィルタ１６が形成されている。カラーフィルタ１６上には、隣り合うカラーフィルタ１６の境界に対応してブラックマトリクス１３が形成されている。ここで、カラーフィルタ１６及びブラックマトリクス１３上にはオーバーコート膜１４が所定の膜厚で形成されている。特に、カラーフィルタ１６上にブラックマトリクス１３が形成されることによって段差が生じているため、この段差に対応して、オーバーコート膜１４の表面にも段差が生じている。そして、オーバーコート膜１４上には画素電極９が画素毎に島状に形成されている。図７に示すように、各画素電極９は、オーバーコート膜２４と同様に段差を有するように形成されている。画素電極９上は、配向膜１５が形成され、平坦化されている。

一方、対向基板２０上（図７において下方向）には、下地絶縁膜２２の上に対向電極２１がベタ状に形成されており、その上に配向膜２５が形成されている。そして、以上に説明した一対の基板によって液晶５０が挟持されることによって、液晶装置が成り立っている。

本実施形態に係る液晶装置は、画素電極９と対向電極２１との間に電界を発生させることによって基板間に挟持された液晶５０の配向を制御して画像表示を行っている。画素電極９と対向電極２１との間の電界は、図７の点線で示す方向に発生している。

ここで、図８は、典型的なカラーフィルタ及びブラックマトリクスがＴＦＴアレイ基板上に形成された液晶装置における、基板間の電界の発生方向を示した図である。尚、図８の構成は、各画素電極９は平面形状を有しており、ブラックマトリクス１３がカラーフィルタ１６と同層に形成されている点で、本実施形態と異なっている。この場合、図８において点線で示しているように、電界は、隣り合う画素電極９間の電位差に基づいて横方向の電界（即ち、横電界）を多く含んでいる。そのため、本来であれば、基板に対して垂直な方向で配向制御すべき領域の液晶分子が、横電界の影響によって配向不良を起こしてしまう。

一方、図７に戻って、本実施形態における液晶装置では、画素の境界領域において画素電極９の両端部が盛り上がるように段差を有している。そのため、画素の境界領域付近においては、画素電極９と対向電極２１との間の距離が短くなっている。そのため、隣り合う画素電極９間に生じていた横電界が、縦方向（即ち、基板に垂直な方向）に引き寄せられ、図７に示すように、全体の電界に対する横電界の割合が相対的に少なくなる。その結果、画素間において横電界によって引き起こされる配向不良を抑制することができる。

図９は、本実施形態において、ブラックマトリクス１３と画素電極９との位置関係を示す模式図である。本実施形態では特に、基板上で平面的にみた際に、各画素電極９の端部とブラックマトリクス１３とが重畳する領域（即ち、図９の矢印で示した領域）を有するように形成されている。このように形成することによって、図７に示すように各画素電極９の端部が盛り上がるように段差を形成するので、各画素において横電界を極めて効果的に抑制することが可能となる。

＜２．液晶装置の製造方法＞
続いて、図１０及び図１１を参照して、以上で説明した実施形態における液晶装置の製造方法について説明する。

＜２−１．製造方法１＞
図１０を参照して、第１実施形態における対向基板２０上の積層構造、即ち、対向基板２０上に形成されるカラーフィルタ２６、ブラックマトリクス２３、オーバーコート膜２４及び対向電極２１について、その製造工程を工程毎に説明する。

まず、カラーフィルタ形成工程について図８（ａ）を参照して説明する。対向基板２０上に夫々Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）に対応したカラーフィルタ２６を形成する。例えば、初めに、Ｒに対応するフォトレジストを含んだカラーレジストを対向基板２０上に均一に塗布する。その後、露光及びパターニングを行い、不要なカラーレジストを除去し、カラーフィルタ２６（Ｒ）を完成させる。次に、Ｇに対応するフォトレジストを含んだカラーレジストを、先に形成したカラーフィルタ２６（Ｒ）及び対向基板２０上に塗布し、不要なカラーレジストを除去してカラーフィルタ２６（Ｇ）を完成させる。同様に、Ｂに対応するフォトレジストを含んだカラーレジストを先に形成したカラーフィルタ２６（Ｒ）及び２６（Ｇ）並びに対向基板２０上に塗布し、不要なカラーレジストを除去してカラーフィルタ２６（Ｂ）を完成させる。このようにして、対向基板２０上にＲＧＢ夫々に対応したカラーフィルタ２６が完成する。

尚、本実施形態では、カラーフィルタ２６の形成時には、対向基板２０上に未だブラックマトリクス２３が形成されていないため、対向基板２０の表面は平坦である。そのため、あらかじめ対向基板上にブラックマトリクスを形成してからカラーフィルタを形成する典型的な液晶装置に比べて、色ムラが少なく、均一なカラーフィルタを形成することができ、高品位なカラー表示が可能な液晶装置を製造することが可能となる。

尚、仮に対向基板２０の表面に凹凸がある場合には、カラーフィルタ２６を形成する前に、下地絶縁膜（図１０において省略）でコーティングを行い、基板表面を平坦化してからカラーフィルタを形成してもよい。

次に、ブラックマトリクス形成工程について、図１０（ｂ）及び（ｃ）を参照して説明する。まず、図１０（ｂ）に示すように、対向基板２０上に形成されたカラーフィルタ２６の上に、液体上の遮光性材料をスピンコート等の手法によって均一に塗布する。ここで塗布される遮光性材料は、後の工程でフォトリソグラフィによってパターニングされるので（図１０（ｃ）参照）、予めフォトレジストを含んでいる。尚、形成されたカラーフィルタ２６の表面に凹凸がある場合には、表面の凹凸をなくすために平坦化膜を形成してもよい（図１０において省略）。

本願発明者の研究によると、遮光性材料の膜厚は、ブラックマトリクスが十分な遮光性を発揮するために必要な厚さに比べて、厚く形成される。つまり、本製造方法によって製造される液晶装置において、基板間に発生する横電界を抑制する役割を有する対向電極２１の表面における段差は、カラーフィルタ２６の表面とブラックマトリクス２３の表面との段差に応じて設けられる。つまり、第１実施形態では、ブラックマトリクス形成工程において塗布される遮光性材料の膜厚によって、ブラックマトリクス２３の高さが決まるため、塗布される遮光性材料の膜厚は横電界を抑制できる効果が得られる程度でなければならない。本願発明者の研究によると、横電界を良好に抑制するために必要なブラックマトリクス２３の高さは、典型的な金属製ブラックマトリクスの膜厚（典型的には、ナノメートルのオーダー）よりも遥かに厚く形成する必要がある。この必要な遮光性材料の膜厚は、基板間ギャップの長さや、基板間に挟持されている電気光学物質の種類等の要因に依存するが、本実施形態においては、例えば、膜厚は約０．６μｍ以上確保することが好ましい。

また、本実施形態において塗布される遮光性材料は、例えば融点が２００℃以下である遮光性樹脂である。図１０（ｂ）において遮光性材料が塗布される際、スピンコート等の手法を用いてカラーフィルタ２６上に均一に塗布するために、遮光性材料は融解した状態でカラーフィルタ２６上に塗布される。このとき、融解した遮光性材料の温度が２００℃よりも高いと、遮光性材料に変質や損傷をきたしてしまう。しかも、２００℃よりも高い高温雰囲気に晒されると、遮光性材料の下地となるカラーフィルタ２６にも変質や損傷を招いてしまう。そのため、カラーフィルタ２６にこれらの悪影響が及ばない程度の温度で融解する遮光性材料を用いるとよい。本実施形態では、遮光性樹脂を遮光性材料として用いており、その融点は典型的には２００℃以下である。

続いて、図１０（ｃ）を参照して、図１０（ｂ）で塗布した遮光性材料をパターニングして、ブラックマトリクス２３を形成する工程について説明する。ここで形成されるブラックマトリクス２３は、画素の境界、即ち、隣り合うカラーフィルタ２６の間に設けられることによって、混色の防止やコントラスト比の向上に貢献する機能を有している。従って、図１０（ｃ）に示すように、隣り合うカラーフィルタ２６の間に遮光性材料を残し、その他の余分な遮光性材料を除去することによって、ブラックマトリクス２３は隣り合うカラーフィルタ２６の間に配置される。本実施形態では、遮光性材料にはあらかじめフォトレジストが含まれているので、露光を行いパターニングすることによってブラックマトリクス２３を容易に形成することができる。

本実施形態において、ブラックマトリクス２３は、マトリクス状にパターニングを行うことによって形成される（図３参照）。これにより、画素間の全ての境界において、横電界を抑制することが可能となり、極めて高品位な画像表示を実現することができる。

続いて、オーバーコート膜形成工程について、図１０（ｄ）を参照して説明する。図１０（ａ）から（ｃ）までの工程によって、対向基板２０上にはカラーフィルタ２６とブラックマトリクス２３が形成されており、夫々の表面には段差が生じている。これらの上に、オーバーコート膜２４を所定の膜厚で一様に塗布することにより、カラーフィルタ２６とブラックマトリクス２３との段差に応じた段差を有するオーバーコート膜２４を形成することができる。つまり、オーバーコート膜２４を一様に塗布することにより、ブラックマトリクス２３がカラーフィルタ２６上で出っ張っている分だけ、オーバーコート膜２４の表面が盛り上がるように形成される。

続いて、図１０（ｅ）を参照して、対向電極形成工程について説明する。この工程では、オーバーコート膜２４上に対向電極２１を形成する。対向電極２１は、例えばＩＴＯ等の透明電極で形成される。ここで、下地にあるオーバーコート膜２４が有する段差に応じて、対向電極２１の表面にも対応する段差が生じる。即ち、対向電極２１の表面には、基板上で平面的に見てブラックマトリクス２３が設けられている領域の付近において盛り上がるように段差を有している。

尚、対向電極２１上にはラビング処理がされた配向膜（図１０において省略）等が形成されることによって、対向基板が完成する。

このようにして完成させられた対向基板２１は、別途、素子や配線等が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と貼り合わされ、液晶５０が両基板間に挟持されること等によって、第１実施形態に係る電気光学装置が完成する。このようにして完成させられた電気光学装置は、基板間に生じる横電界を良好に抑制することができる。また、上述のように製造工程においてカラーフィルタの変質や損傷を受けることがないため、カラーフィルタの品質を向上させることもできる。従って、以上の製造方法によれば、高品位なカラー画像を表示可能な電気光学装置を製造することが可能となる。

＜２−２．製造方法２＞
次に、図１１を参照して、第２実施形態における対向基板２０上の積層構造の製造工程について、工程毎に説明する。

まず、図１１（ａ）を参照して、カラーフィルタ形成工程について説明する。ＴＦＴアレイ基板１０上に、ＴＦＴや配線等（図１１にて省略）を構成したのち、層間絶縁膜１５を積層する。層間絶縁膜１５上には、図１０（ａ）と同様にＲＧＢに対応するカラーフィルタ１６が形成される。尚、カラーフィルタ１６の表面に凹凸がある場合には、層間絶縁膜を用いて平坦化してもよい（図１１において省略）。

ブラックマトリクス形成工程（図１１（ｂ）及び（ｃ））及びオーバーコート膜形成工程（図１１（ｄ））については、上述の「製造方法１」と同様である。ＴＦＴアレイ基板１０上にカラーフィルタ１６を形成し、更に、フォトレジストを含んだ融解した遮光性材料をスピンコート等の手法によって均一に塗布する（図１１（ｂ））。続いて、塗布された遮光性材料を露光及びパターニングによって、余分な遮光性材料を除去して（図１１（ｃ））ブラックマトリクス１３が完成する。オーバーコート膜１４は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成されたカラーフィルタ１６及びブラックマトリクス１３上に一様に塗布される。このようにして、ブラックマトリクス１３とカラーフィルタ１６とが完成する。

尚、この態様によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上にカラーフィルタ１６及びブラックマトリクス１３が形成されるので、第１実施形態と異なり、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを重ね合わせる際の誤差を格段に小さくすることができる。

続いて、画素電極の形成工程について、図１１（ｅ）及び（ｆ）を参照して説明する。オーバーコート膜１４上には、図１０（ｅ）における対向電極２１と同様に、ＩＴＯ等の透明電極が所定の膜厚で形成される。このとき、オーバーコート膜２４には、カラーフィルタ１６上に形成されたブラックマトリクス１３によって、盛り上がるように段差が形成されている。そのため、オーバーコート膜１４上に形成した透明電極も、同様の段差を有するように形成される。このようにして形成された透明電極は、エッチング処理することによって、図１１（ｆ）に示すように、画素毎に（つまり、カラーフィルタ１６の境界に応じて）画素電極９に分割される。形成された画素電極９の各々は、その端部において盛り上がるような段差を有しており、これにより、基板間に生ずる横電界を抑制することが可能となる。特に、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たときに、ブラックマトリクス１３と画素電極９の端部とが重畳する領域を有するように透明電極を画素電極９に分割して形成するとよい。

尚、以上の工程によって形成された積層構造の上には、ラビング処理がされた配向膜（図１１において処理）等が形成され対向基板が完成する。

このようにして完成した対向基板２１は、別途、対向電極２１等が形成された対向基板２１と貼り合わせられ、両基板間に液晶５０が挟持されることによって、第２実施形態に係る電気光学装置が完成する。

＜３．電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１２は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１２に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１２を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の平面図である。 図１のＨ−Ｈ´断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の対向基板上に形成されたブラックマトリクスの全体構成を模式的に表した概念図である。 第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。 第１実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における基板間の電界の様子を示す断面図である。 対向基板にブラックマトリクス及びカラーフィルタを設けた典型的な液晶装置の画像表示領域における基板間の電界の様子を示す断面図である。 第２実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における基板間の電界の様子を示す断面図である。 ＴＦＴアレイ基板にブラックマトリクス及びカラーフィルタを設けた典型的な液晶装置の画像表示領域における基板間の電界の様子を示す断面図である。 図７においてブラックマトリクスと画素電極の位置関係を示す断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の対向基板の製造方法を、順を追って示す工程断面図である。 第２実施形態に係る液晶装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を、順を追って示す工程断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

６ データ線、 ９ 画素電極、 １０ ＴＦＴアレイ基板、 １０ａ 画像表示領域、 １１ 走査線、 ２０ 対向基板、 ２１ 対向電極、 ２３ ブラックマトリクス、 ２４ オーバーコート膜、 ２６ カラーフィルタ、 ３０ ＴＦＴ、 ５０ 液晶、 １００ 液晶装置

Claims (13)

1. 一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法であって、
   前記一対の基板の一方となる基板上に、画素毎にカラーフィルタを形成するカラーフィルタ形成工程と、
   前記カラーフィルタ上に形成された遮光性材料をパターニングすることにより、前記画素毎の非開口領域を少なくとも部分的に規定するブラックマトリクスを形成するブラックマトリクス形成工程と、
   前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクス上に、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスの段差に対応した段差を表面に有するようにオーバーコート膜を形成するオーバーコート膜形成工程と、
   前記オーバーコート膜上に、前記オーバーコート膜の表面の段差に対応した段差を表面に有するように前記電気光学物質に電圧を印加するための電圧印加用電極を形成する電極形成工程と
   を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記ブラックマトリクス形成工程において、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスの段差が０．６μｍ以上になるようにブラックマトリクスを形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記電圧印加用電極は、前記一方となる基板上にベタ状に形成された対向電極であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記電圧印加用電極は、前記画素毎に配置された複数の画素電極であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 前記複数の画素電極の各々は、前記一方となる基板上で平面的に見て、前記ブラックマトリクスと重畳する領域を有するように形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
6. 前記遮光性材料の融点が２００℃以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
7. 前記遮光性材料はフォトレジストを含んだ遮光性樹脂であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 前記ブラックマトリクス形成工程において、前記ブラックマトリクスが前記一方となる基板上で平面的に見てマトリクス状に形成されるように、前記遮光性材料をパターニングすることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置であって、
   前記一対の基板の一方となる基板上に、画素毎に形成されたカラーフィルタと、
   前記カラーフィルタ上に形成されており、前記画素毎の非開口領域を少なくとも部分的に規定するブラックマトリクスと、
   前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクス上に形成されており、前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスの段差に対応した段差を表面に有するオーバーコート膜と、
   前記オーバーコート膜上に形成されており、前記オーバーコート膜の表面の段差に対応した段差を表面に有する前記電気光学物質に電圧を印加するための電圧印加用電極と
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
10. 前記カラーフィルタ及び前記ブラックマトリクスの段差が０．６μｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 前記電圧印加用電極は、前記画素毎に配置された画素電極であり、前記一方となる基板上で平面的に見て、前記ブラックマトリクスと重畳する領域を有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の電気光学装置。
12. 前記電圧印加用電極は、前記一方の基板上にベタ状に形成された対向電極であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の電気光学装置。
13. 請求項８から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器。

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