JP2000007730A - 環状の背骨を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 環状の背骨を有する感光性ポリマー及びこれ
を含むレジスト組成物を提供する。 【解決手段】 （ａ）化学増幅型レジストに用いられる
次の式を有する感光性ポリマーと、 【化１】 式中、Ｒ₁はＣ₁〜Ｃ₂₀の脂肪族炭化水素であり、Ｒ₂は
ｔ−ブチル、テトラヒドロピラニル、または１−アルコ
キシエチル基であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．２〜
０．５、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．２〜０．５、ｎ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０〜０．４である。 （ｂ）フォトアシドジェネレーターよりなるレジスト組
成物。 これにより、ポリマーの乾式蝕刻に対する耐性を確保
し、かつこのようなポリマーより得られたレジスト組成
物により優秀なリソグラフィパフォーマンスが得られ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は化学増幅型レジスト
組成物に係り、特に環状の背骨(backbone）を有する感
光性ポリマー及びこれを含むＡｒＦエキサイマーレーザ
ー用レジスト組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程が複雑になり、半導体素
子の集積度が増加することにより微細なパターンの形成
が要求される。

【０００３】さらに、半導体素子の容量が１ギガビット
級以上の素子において、デザインルールが０．２μｍ以
下のパターンサイズが要求され、これにより既存のＫｒ
Ｆエキサイマーレーザー（２４８ｎｍ）を用いたレジス
ト材料を使用するに限界がある。従って、新たなエネル
ギー露光源であるＡｒＦエキサイマーレーザー（１９３
ｎｍ）を用いたリソグラフィ技術が登場した。

【０００４】このようなＡｒＦエキサイマーレーザーを
用いたリソグラフィに使用されるレジスト材料として通
常アクリル系またはメタクリル系ポリマーが主に使われ
てきた。しかし、このようなポリマーは乾式蝕刻に対す
る耐性が非常に弱い。これにより、乾式蝕刻に対する耐
性を増加させるために乾式蝕刻に強い耐性を有する物質
である脂環式化合物、例えばイソボルニル基(isobornyl
group)、アダマンチル基(adamantylgroup)、トリシク
ロデカニル基(tricyclodecanyl group)などをポリマー
の背骨(backbone)に導入したことも使われているが、相
変らず乾式蝕刻に対する耐性が弱い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は乾式蝕刻に対する耐性が十分に確保できるように環状
の背骨(backbone）を有するポリマー及び脂環式化合物
を含有する感光性ポリマーを提供するにある。

【０００６】本発明の他の目的はＡｒＦエキサイマーレ
ーザーを用いるリソグラフィに適した前記感光性ポリマ
ーを含むレジスト組成物を提供するにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は化学増幅型レジストに用いられる次の式を
有する感光性ポリマー。

【０００８】

【化３】

【０００９】式中、Ｒ₁はＣ₁〜Ｃ₂₀の脂肪族炭化水素で
あり、Ｒ₂はｔ−ブチル、テトラヒドロピラニル、また
は１−アルコキシエチル基であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）
は０．２〜０．５、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．２〜０．
５、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０〜０．４である。記号
ｌ個の構成要素は、乾式蝕刻に対する耐性を付与するた
めに、記号ｍ個の構成要素は、レジストの露光前後に溶
解度差を出すために、また、記号ｎ個の構成要素は、レ
ジストの脂質に対する接着性および溶解性の調整のため
に使用される。しかしながら記号ｎ個の構成要素は任意
成分であり、上記式において、記号ｌ個の構成要素と記
号ｍ個の構成要素のみの感光性ポリマーも本発明の範囲
である。上記式で表されるポリマーは環式構造を有する
ため、線形よりも乾式蝕刻耐性に優れる。このため、
ｌ，ｍ，ｎの３成分のポリマーも、ｌ，ｍの２成分のポ
リマーも上記目的を達成できる。

【００１０】前記ポリマーは３，０００〜１００，００
０の重量平均分子量を有するが、より好ましくは１０，
０００〜３０，０００である。露光前後に最も優れた溶
解度特性変化を示すからである。

【００１１】上記式中、Ｒ₁はＣ₇〜Ｃ₂₀の脂環式脂肪族
炭化水素である。半導体製造工程において乾式蝕刻に対
する耐性を強化し得るからである。具体的には、アダマ
ンチル基、ノルボニル基、イソボルニル基がある。これ
らの化合物は、単位体積当たりの不活性炭素数が多く、
特に乾式蝕刻に対する耐性の付与に優れるからである。

【００１２】前記他の目的を達成するために本発明は、
（ａ）化学増幅型レジストに用いられる次の式を有する
感光性ポリマーと、

【００１３】

【化４】

【００１４】式中、Ｒ₁はＣ₁〜Ｃ₂₀の脂肪族炭化水素で
あり、Ｒ₂はｔ−ブチル、テトラヒドロピラニル、また
は１−アルコキシエチル基であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）
は０．２〜０．５、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．２〜０．
５、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０〜０．４である。

【００１５】（ｂ）フォトアシドジェネレーターよりな
るレジスト組成物を提供する。フォトレジストに使用さ
れるフォトアシドジェネレーターとは、光により分解し
つつ強酸を発生させる物質をいう。露光により発生させ
た酸が、ベースポリマーの保護基を一定の温度以上で分
解させる触媒作用を奏するのである。

【００１６】前記レジスト組成物は前記ポリマーの重量
を基準として１〜１５重量％のフォトアシドジェネレー
ターを含む。

【００１７】望ましくは、前記フォトアシドジェネレー
ターはトリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨード
ニウム塩及びスルホン酸塩よりなる群から選択される何
れか一つまたはその混合物である。

【００１８】望ましくは、前記フォトアシドジェネレー
ターはトリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフ
ェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨード
ニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモ
ネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレー
ト、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレー
ト、２，６−ジニトロベンジルスルホン酸塩、ピロガロ
ールトリス（アルキルスルホン酸塩）及びＮ−ヒドロキ
シスクシンイミドトリフレートよりなる群から選択され
る何れか一つまたはその混合物である。

【００１９】前記レジスト組成物は有機塩基をさらに含
める。有機塩基の配合により、レジストパターニング時
に発生するＴ−トッピングプロフィルを防止し得るから
である。この際、前記ポリマーの重量を基準として０．
０１〜２．０重量％の有機塩基を含むことが望ましい。

【００２０】前記有機塩基として、トリエチルアミン、
トリイソブチルアミン及びトリイソオクチルアミンより
なる群から選択される何れか一つまたはその混合物を使
用しうる。

【００２１】または、前記有機塩基としてジエタノール
アミン及びトリエタノールアミンよりなる群から選択さ
れる何れか一つまたはその混合物を使用しうる。

【００２２】

【発明の実施の形態】実施例１ アダマンチルヒドロキシメチルアクリレートのエーテル
ダイマーの合成 アダマンチルヒドロキシメチルアクリレートのエーテル
ダイマーの合成反応は次の式で示されうる。

【００２３】

【化５】

【００２４】（式中、Ｒ₃はアダマンチル基である。） 丸いフラスコ内でアダマンチルアクリレート（ＡＤＡ）
６２ｇ、０．３ｍｏｌ、パラホルムアルデヒド（ＰＦ
Ａ）９．０ｇ、０．３ｍｏｌ及び１，４−ジアザバイシ
クロ［２，２，２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）４．５ｇを
混合した後、得られた混合物にｔｅｒｔ−ブタノール１
８．０ｇを加え、８５℃で６日間反応させた。

【００２５】反応後得られた生成物を過量のメタノール
に注ぎ、６時間攪拌した。その後、生成された沈殿物を
濾過及び乾燥させて所望の生成物を回収した（収率３２
ｇ）。

【００２６】得られた生成物に対したNMR(nuclear magn
etic resonance)分析結果は次の通りである。

【００２７】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、ｐｐｍ）：６．
２（ｓ，１Ｈ），５．８（ｓ，１Ｈ），４．２（ｓ，１
Ｈ），２．２（ｓ，９Ｈ），１．７（ｓ，６Ｈ）。

【００２８】実施例２ ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキシメチルアクリレートのエー
テルダイマーの合成 丸いフラスコ内でｔｅｒｔ−ブチルアクリレート７７
ｇ、０．６ｍｏｌ、パラホルムアルデヒド（ＰＦＡ）１
８ｇ、０．３ｍｏｌ及び１，４−ジアザバイシクロ
［２，２，２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）９．０ｇを混合
した後、得られた混合物にｔｅｒｔ−ブタノール（３
６．０ｇ）を加え、８５℃で６日間反応させた。

【００２９】反応後得られた生成物を過量のメタノール
に注ぎ、ＨＣｌを用いて中和させた後、ジエチルエーテ
ルを用いて抽出した。カラムクロマトグラフィ（ヘキサ
ン：ジエチルエーテル＝９：１）を用いて得られた抽出
物から生成物を分離した（収率４９ｇ）。

【００３０】得られた生成物に対したＮＭＲ分析結果及
びＦＴ−ＩR(Fourier transform infrared radiation)
分光分析結果は次の通りである。

【００３１】¹³Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，ｐｐｍ）：２
６．７（ＣＨ₃），６７．８（ＣＨ₂Ｏ），７８．７（Ｏ
Ｃ（ＣＨ₃）₃）、１２２．３（＝ＣＨ₂），１３８．０
（Ｃ＝ＣＨ₂），１６３．０（ＣＯ₂Ｒ） ＦＴ−ＩＲ（ＮａＣｌ，ｃｍ^-1）：２９７９（Ｃ−Ｈ，
ｔ−ブチル），１７１０（Ｃ＝Ｏ，エステル），１６３
９（Ｃ−Ｈ、ビニル），１３６９，１１５４。

【００３２】実施例３ ヒドロキシメチルアクリル酸のエーテルダイマーの合成 実施例２より合成したエーテルダイマーを過量のトリフ
ルオロアセト酸と混合し、常温で略１日反応させた。反
応の結果、生成された沈殿物を濾過してジエチルエーテ
ルで洗浄した後、乾燥させて生成物を回収した（収率９
５％）。

【００３３】実施例４ ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキシメチルアクリレートのエー
テルダイマーのホモポリマー合成 本実施例によるホモポリマーの合成反応は次の通りであ
る。

【００３４】

【化６】

【００３５】（式中、Ｒ₄はｔ−ブチル基である。） 実施例２より合成したエーテルダイマー３ｇ、１０ｍｍ
ｏｌをアゾビス（イソブチロニトリル）（ＡＩＢＮ）
０．０７ｇと共に無水ベンゼン２７ｍＬに溶かした後、
窒素ガスを用いて２時間パージし、６０℃の温度で略４
８時間重合させた。

【００３６】重合の後、反応物を過量のメタノールに徐
々に滴下しながら沈殿させ、沈殿物を５０℃に保たれる
真空オーブン内で２４時間乾燥させた。

【００３７】この際、得られた生成物の重量平均分子量
は１４，６００で、多分散度は２．１であった。

【００３８】実施例５ エーテルダイマーのコポリマー合成 本実施例によるコポリマーの合成反応は次の通りであ
る。

【００３９】

【化７】

【００４０】（式中、Ｒ₃はアダマンチル基、Ｒ₄はｔ−
ブチル基である。） 実施例１で合成したエーテルダイマー（４．５ｇ、１０
ｍｍｏｌ）と実施例２で合成したエーテルダイマー
（３．０ｇ、１０ｍｍｏｌ）をＡＩＢＮ０．１４ｇと共
に無水ベンゼン６０ｍＬに溶かした後、窒素ガスを用い
て２時間パージし、６０℃の温度で略６０時間重合させ
た。

【００４１】重合の後、反応物を過量のメタノールに徐
々に滴下しながら沈殿させ、沈殿物を５０℃に保たれる
真空オーブン内で２４時間乾燥させた。

【００４２】この際、得られた生成物の重量平均分子量
は１２，４００で、多分散度は２．２であった。

【００４３】実施例６ エーテルダイマーＥＩターポリマー合成 本実施例にともなうターポリマーの合成反応は次の通り
である。

【００４４】

【化８】

【００４５】（式中、Ｒ₃はアダマンチル基、Ｒ₄はｔ−
ブチル基である。） 実施例１で合成したエーテルダイマー（９．０ｇ、２０
ｍｍｏｌ）と、実施例２で合成したエーテルダイマー
（６．０ｇ、２０ｍｍｏｌ）と、実施例３で合成したエ
ーテルダイマー（１．９ｇ、１０ｍｍｏｌ）をＡＩＢＮ
０．３３ｇと共に無水ＴＨＦ １５０ｍＬに溶かした
後、窒素ガスを用いて２時間パージし、還流状態で略２
４時間重合させた。

【００４６】重合の後、反応物を過量のｎ−ヘキサンに
徐々に滴下しながら沈殿させ、沈殿物を５０℃に保たれ
る真空オーブン内で２４時間乾燥させた。

【００４７】この際、得られた生成物の重量平均分子量
は１５，８００で、多分散度は２．４であった。

【００４８】実施例７ リソグラフィパフォーマンス 実施例５で合成したコポリマー［ｑ／（ｐ＋ｑ）＝０．
６、重量平均分子量＝１１，５００］１．０ｇをフォト
アシドジェネレーターのトリフェニルスルホニウムトリ
フレート０．０２ｇと共にプロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）６．０ｇ溶液に
完全に溶解させた。その後、前記溶液を０．２μｍメン
ブレンフィルター(membrane filter)を用いて濾過して
レジスト組成物を得た。その後、このレジスト組成物を
ヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）で処理したシリコン
ウェーハ上に略０．５μｍの厚さにコーティングした。

【００４９】レジスト組成物のコーティングされた前記
ウェーハを１４０℃の温度に９０秒間プリベーキング
し、開口数（ＮＡ）が０．４５のＫｒＦエキサイマーレ
ーザーを用いて露光した後、１４０℃の温度で９０秒間
ＰＥＢ(post-exposure baking)を実施した。

【００５０】その後、2.38重量%のテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）とイソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）との混合溶液を使用して６０秒間現像し
た。その結果、露光ドーズ量を略２５ｍＪ／ｃｍ²とし
た時鮮明な０．３０μｍのラインアンドスペースパター
ンが得られることを確認した。

【００５１】実施例８ リソグラフィパフォーマンス 実施例６で合成したターポリマー［ｒ／（ｒ＋ｓ＋ｔ）
＝０．３，ｓ／（ｒ＋ｓ＋ｔ）＝０．５，ｔ／（ｒ＋ｓ
＋ｔ）＝０．２、重量平均分子量＝１３，５００］１．
０ｇをフォトアシドジェネレーターのトリフェニルスル
ホニウムトリフレート０．０２ｇと共にＰＧＭＥＡ６．
０ｇ溶液に完全に溶解させた。その後、前記溶液を０．
２μｍのメンブレンフィルターで濾過してレジスト組成
物を得た。その後、このレジスト組成物をＨＭＤＳで処
理したシリコンウェーハ上に略０．５μｍの厚さにコー
ティングした。

【００５２】レジスト組成物のコーティングされた前記
ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プリベーキング
し、開口数（ＮＡ）が０．４５のＫｒＦエキサイマーレ
ーザーで露光した後、１４０℃の温度で９０秒間ＰＥＢ
を実施した。

【００５３】その後、２．３８重量％のＴＭＡＨ溶液で
約６０秒間現像した。その結果、露光ドーズ量を略１６
ｍＪ／ｃｍ²とした時、鮮明な０．３０μｍのラインア
ンドスペースパターンが得られることを確認した。

【００５４】実施例９ リソグラフィパフォーマンス 実施例６で合成したターポリマー［ｒ／（ｒ＋ｓ＋ｔ）
＝０．３，ｓ／（ｒ＋ｓ＋ｔ）＝０．５，ｔ／（ｒ＋ｓ
＋ｔ）＝０．２、重量平均分子量＝１３，５００］１．
０ｇをフォトアシドジェネレーターのトリフェニルスル
ホニウムトリフレート０．０１ｇ及びＮ−ヒドロキシス
クシンイミドトリフレート０．０１ｇと共にＰＧＭＥＡ
６．０ｇ溶液に完全に溶解させた。その後、前記溶液を
０．２μｍメンブレンフィルターで濾過してレジスト組
成物を得た。その後、このレジスト組成物をＨＭＤＳで
処理したシリコンウェーハ上に略０．５μｍの厚さにコ
ーティングした。

【００５５】レジスト組成物のコーティングされた前記
ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プリベーキング
し、開口数（ＮＡ）０．４５のＫｒＦエキサイマーレー
ザーで露光した後、１４０℃の温度で９０秒間ＰＥＢを
実施した。

【００５６】その後、２．３８重量％のＴＭＡＨ溶液で
略６０秒間現像した。その結果、露光ドーズ量を略２３
ｍＪ／ｃｍ²とした時、鮮明な０．３０μｍのラインア
ンドスペースパターンが得られることを確認した。

【００５７】実施例１０ リソグラフィパフォーマンス 実施例６で合成したターポリマー［ｒ／（ｒ＋ｓ＋ｔ）
＝０．３，ｓ／（ｒ＋ｓ＋ｔ）＝０．５，ｔ／（ｒ＋ｓ
＋ｔ）＝０．２、重量平均分子量＝１３，５００］１．
０ｇをフォトアシドジェネレーターのトリフェニルスル
ホニウムトリフレート０．０２ｇと共にＰＧＭＥＡ６．
０ｇ溶液に溶解させた。得られた溶液に有機塩基として
トリイソブチルアミン２ｍｇを入れて完全に溶かした
後、得られた溶液を０．２μｍのメンブレンフィルター
で濾過してレジスト組成物を得た。その後、このレジス
ト組成物をＨＭＤＳで処理したシリコンウェーハ上に略
０．５μｍの厚さにコーティングした。

【００５８】レジスト組成物のコーティングされた前記
ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プリベーキング
し、開口数（ＮＡ）０．４５のＫｒＦエキサイマーレー
ザーで露光した後、１４０℃の温度で９０秒間ＰＥＢを
実施した。

【００５９】その後、２．３８重量％のＴＭＡＨ溶液で
略６０秒間現像した。その結果、露光ドーズ量を略３４
ｍＪ／ｃｍ²とした時、鮮明な０．３０μｍのラインア
ンドスペースパターンが得られることを確認した。

【００６０】

【発明の効果】前述したように本発明によれば、ポリマ
ーの背骨が環状であり、脂環式化合物を含有する感光性
ポリマーを提供することにより、ポリマーの乾式蝕刻に
対する耐性を確保しうる。また、本発明によるポリマー
はアクリレートポリマーをその基本構造と取るので、高
透過度を提供しうる。このような感光性ポリマーはヒド
ロキシメチルアクリレート誘導体のエーテルダイマーの
共重合により得られたものであって、このようなポリマ
ーより得られたレジスト組成物により優秀なリソグラフ
ィパフォーマンスが得られる。従って、本発明によるレ
ジスト組成物は今後の次世代半導体素子の製造に非常に
有用に使用されうる。

【００６１】以上、本発明を望ましい実施例に基づき詳
しく説明したが、本発明は前記実施例に限定されず本発
明の技術的思想内で当業者により多様な変形が可能であ
る。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 化学増幅型レジストに用いられる次の式
   を有する感光性ポリマー。 【化１】 （式中、Ｒ₁はＣ₁〜Ｃ₂₀の脂肪族炭化水素であり、Ｒ₂
   はｔ−ブチル、テトラヒドロピラニル、または１−アル
   コキシエチル基であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．２〜
   ０．５、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．２〜０．５、ｎ／
   （ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０〜０．４である。）
2. 【請求項２】 前記ポリマーは３，０００〜１００，０
   ００の重量平均分子量を有することを特徴とする請求項
   １に記載の感光性ポリマー。
3. 【請求項３】 Ｒ₁はＣ₇〜Ｃ₂₀の脂環式脂肪族炭化水素
   であることを特徴とする請求項１に記載の感光性ポリマ
   ー。
4. 【請求項４】 （ａ）化学増幅型レジストに用いられる
   次の式を有する感光性ポリマーと、 【化２】 （式中、Ｒ₁はＣ₁〜Ｃ₂₀の脂肪族炭化水素であり、Ｒ₂
   はｔ−ブチル、テトラヒドロピラニル、または１−アル
   コキシエチル基であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．２〜
   ０．５、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．２〜０．５、ｎ／
   （ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０〜０．４である。） （ｂ）フォトアシドジェネレーターよりなるレジスト組
   成物。
5. 【請求項５】 前記ポリマーは３，０００〜１００，０
   ００の重量平均分子量を有することを特徴とする請求項
   ４に記載のレジスト組成物。
6. 【請求項６】 Ｒ₁はＣ₇〜Ｃ₂₀の脂環式脂肪族炭化水素
   であることを特徴とする請求項４に記載のレジスト組成
   物。
7. 【請求項７】 前記ポリマーの重量を基準として１〜１
   ５重量％のフォトアシドジェネレーターを含むことを特
   徴とする請求項４に記載のレジスト組成物。
8. 【請求項８】 前記フォトアシドジェネレーターはトリ
   アリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩及
   びスルホン酸塩よりなる群から選択される何れか一つま
   たはその混合物であることを特徴とする請求項４に記載
   のレジスト組成物。
9. 【請求項９】 前記フォトアシドジェネレーターはトリ
   フェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスル
   ホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリ
   フレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メ
   トキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−ｔ−
   ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、２，６−
   ジニトロベンジルスルホン酸塩、ピロガロールトリス
   （アルキルスルホン酸塩）及びＮ−ヒドロキシスクシン
   イミドトリフレートよりなる群から選択される何れか一
   つまたはその混合物であることを特徴とする請求項４に
   記載のレジスト組成物。
10. 【請求項１０】 有機塩基をさらに含むことを特徴とす
    る請求項４に記載のレジスト組成物。
11. 【請求項１１】 前記ポリマーの重量を基準として０．
    ０１〜２．０重量％の有機塩基を含むことを特徴とする
    請求項１０に記載のレジスト組成物。
12. 【請求項１２】 前記有機塩基はトリエチルアミン、ト
    リイソブチルアミン及びトリイソオクチルアミンよりな
    る群から選択される何れか一つまたはその混合物である
    ことを特徴とする請求項１０に記載のレジスト組成物。
13. 【請求項１３】 前記有機塩基はジエタノールアミン及
    びトリエタノールアミンよりなる群から選択される何れ
    か一つまたはその混合物であることを特徴とする請求項
    １０に記載のレジスト組成物。