KR20080049373A - 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 - Google Patents

포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 Download PDF

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KR20080049373A
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Abstract

고분자 반응을 통하여 환형 아민기를 형성하는 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 포토레지스트 모노머는 하기 화학식으로 표시된다.
Figure 112006089031944-PAT00001
상기 식에서, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이다.
포토레지스트, 환형 아민기, 리소그래피

Description

포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물{Monomer for photoresist, polymer thereof and photoresist composition including the same}
본 발명은 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트의 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 고분자 반응을 통하여 환형 아민기를 형성하는 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트의 조성물에 관한 것이다.
최근 반도체 소자의 고집적화 및 고정밀화에 따라 사진공정(photo lithography process)에서 하프피치 90nm 미만의 초미세 포토레지스트 패턴의 형성이 요구되고 있다. 이에 따라, 양산용 노광원의 파장이 193nm 미만으로 짧아지는 한편,웨이퍼 가공 공정을 보다 최적화하고 정밀화하는 기술의 개발이 진행되고 있다. 이와 같이 정밀한 패턴을 구현하기 위하여 라이에지러프니스(Line Edge Roughness)가 작고, 노광 후 베이크 온도 민감도(Post Exposure Baking Sensitivity)가 작으며, 건식 식각 내성이 우수한 감광성 물질이 요구되고 있다.
포토레지스트 패턴의 형성 공정에 있어서, 해상력과 공정여유도를 개선하고 보다 정밀한 패턴을 형성하기 위해서는, 노광 후 베이크 온도 민감도가 작은 물질, 즉 산에 의하여 영향을 적게 받는 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 따라서, 산의 영향이 적은 폴리머를 사용하면 우수한 패턴을 얻을 수 있다.
따라서 본 발명의 목적은 선폭변화의 안정성 뿐만 아니라 라인에지러프니스를 개선할 수 있는 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 포토레지스트 조성물을 사용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는, 고분자 반응을 통하여 환형 아민기를 형성하는 포토레지스트 모노머를 제공한다.
Figure 112006089031944-PAT00002
상기 화학식 1에서, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이다.
또한, 본 발명은, 환형 아민기를 가지는, 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 포토레지스트 폴리머를 제공한다.
Figure 112006089031944-PAT00003
상기 화학식 2에서, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 포토레지스트 모노머는 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure 112006089031944-PAT00004
상기 화학식 1에서, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이다. 본 발명에 따른 포토레지스트 모노머의 구체적인 예로는,
Figure 112006089031944-PAT00005
,
Figure 112006089031944-PAT00006
,
Figure 112006089031944-PAT00007
,
Figure 112006089031944-PAT00008
,
Figure 112006089031944-PAT00009
,
Figure 112006089031944-PAT00010
등을 예시할 수 있다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 모노머는, 고분자 반응을 통하여 환형의 아민 구조를 형성한다. 이와 같이 고분자의 주사슬에 아민기를 포함하므로, 노광 후 가열공정(post exposure baking: PEB)에서 산을 효과적으로 억제할 수 있어, 노광 후 선폭변화의 안정성 뿐만 아니라 라인에지러프니스를 개선할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 폴리머는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함한다.
Figure 112006089031944-PAT00011
상기 화학식 2에서, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이다. 상기 포토레지스트 폴리머에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위의 함량은 1 내지 10몰% 이며, 상기 포토레지스트 폴리머를 구성하는 나머지 반복단위는, 통상적인 포토레지스트용 폴리머를 구성하는 1종 이상의 반복단위를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 포토레지스트 폴리머는 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
Figure 112006089031944-PAT00012
상기 화학식 3에서, R*은 각각 독립적으로 에스테르기 또는 히드록시기를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 사이클로알킬기이고, R은 화학식 2에서 정의한 바와 같으며, a 및 b는 각각 독립적으로 상기 폴리머를 구성하는 반복단위의 몰%이고, 각각 1~99몰% : 1~99몰%, 바람직하게는 a:b는 90~99몰% : 1~10몰%이다.
상기 화학식 2의 보다 구체적인 예는 하기 화학식 4와 같다.
Figure 112006089031944-PAT00013
상기 화학식 4에서, R은 화학식 2에서 정의한 바와 같으며, a, b, c 및 d는 각각 독립적으로 상기 폴리머를 구성하는 반복단위의 몰%이고, 각각 1~60몰% : 1~60몰% : 1~50몰% : 1~10몰%이다.
또한, 상기 감광성 폴리머는 상기 치환기 R*을 가지는 모노머 외에도, 사이클로올레핀(예: 말레익안하이드라이드) 모노머, 감광성 고분자의 제조에 통상적으로 사용되는 다른 모노머, 가교 결합성 모노머 등을 더욱 포함할 수 있으며, 이들 보조 모노머의 함량은, 통상 전체 반복단위에 대하여 0 내지 5몰%이다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 블록 공중합체 또는 랜덤 공중합체일 수 있으며, 중량평균분자량(Mw)은 3,000 내지 20,000이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 3,000 내지 15,000이다. 분산도(Polydispersity)는 1.0 내지 5.0인 것이 바람직하고, 1.0 내지 2.2인 것이 더욱 바람직하다. 상기 중량평균분자량, 분산도가 상기 범위를 벗어나면, 포토레지스트막의 물성이 저하되거나, 포토레지스트막의 형성이 곤란하고, 패턴의 콘트라스트가 저하될 우려가 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 모노머의 제조는, 예를 들어, 하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이, 아민 화합물과 할로겐화 알킬 화합물을 상온에서 반응시키고, 수차례 물로 수세하여 염기를 제거한 다음, 헥산으로 재결정하는 방법으로 이루어질 수 있다.
Figure 112006089031944-PAT00014
본 발명에 따른 감광성 폴리머는, 상기 화학식 1로 표시되는 모노머와 다른 모노머들을 사용하여 통상의 중합반응으로 제조할 수 있으며, 이때 개시제로는 당업계에서 통상적으로 알려진 중합개시제를 광범위하게 사용할 수 있으며, 비한정적으로는 아조비스(이소부티로니트릴)(AIBN) 등을 예시할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은, 상기 화학식 1로 표시되는 모노머를 포함하는 감광성 폴리머와, 산을 발생시키는 광산발생제 및 유기용매를 포함하며, 필요에 따라 각종 첨가제를 배합하여 제조할 수 있다. 제조된 포토레지스트 조성물의 고형분 농도는 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 1 ∼ 30 중량%가 되도록 하는 것이 바람직하며, 0.2 ㎛ 필터 등으로 여과하여 사용한다.
상기 광산발생제는 빛에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물이면 무엇이든 사용할 수 있으며, 비한정적인 예로는, 오니움 염, 유기 술폰산, 또는 이들의 혼합물을 예시할 수 있다. 상기 광산발생제의 함량은 전체 포토레지스트 폴리머 100중량부에 대하여 0.1 내지 20 중량부인 것이 바람직하다. 만일 광산발생제가 0.1중량 부 미만으로 첨가되는 경우에는 포토레지스트 조성물의 빛에 대한 민감도가 저하되고, 20중량부를 초과하여 사용될 경우에는 광산발생제가 원자외선을 많이 흡수하고 산이 다량 발생되어 레지스트 패턴 단면이 불량해질 우려가 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 구성하는 유기용매로는 포토레지스트 조성물의 제조에 통상적으로 사용되는 다양한 유기용매를 광범위하게 사용할 수 있으며, 비한정적인 예로는 에틸렌글리콜모노메틸에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 2-히드록시프로피온에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시 2-메칠프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시 2-메틸프로피온산에틸, 초산에틸, 초산부틸, 또는 이들의 혼합물을 예시할 수 있다. 상기 유기용매의 함량은 전체 포토레지스트 폴리머 100중량부에 대하여, 300 내지 5000중량부인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 유기염기를 더욱 포함할 수 있으며, 유기염기의 함량은 0.01 내지 10 중량%이다. 상기 유기염기로는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 또는 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해서는, 먼저, 실리콘 웨이퍼나 알루미늄 기판 등의 피식각층 상부에 스핀 코터 등를 이용하여 상기 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막을 소정 패턴으로 노광한 다음, 노광된 포토레지스트막을 가열(bake) 및 현상하여 우수한 패턴을 얻을 수 있다. 상기 현상 공정에 사용되는 현상액으로는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH) 등의 알칼리성 화합물을 0.1 ∼ 10중량%의 농도로 용해시킨 알칼리 수용액을 사용할 수 있으며, 상기 현상액에는 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기용매 및 계면활성제를 적정량 첨가할 수 있다. 또한, 현상액으로 현상한 뒤에는 초순수로 세정한다.
이하, 구체적인 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1-1] 하기 화학식 2a로 표시되는 모노머의 합성
하기 화학식 5로 표시되는 화합물 19.4g(0.2mol)를 반응용매인 테트라하이드로퓨란(이하 THF) 100mL에 녹인 후 소디움하이드라이드 8.8g을 첨가하였다. 반응기를 상온으로 유지하면서 교반하였다. 여기에, THF 10mL에 녹인 화학식 1a로 표시되는 화합물 31.2g(0.22mol)을 천천히 적가한 다음, 반응기의 온도를 40℃로 하여 12시간 동안 교반하였다. 반응이 종결된 후 반응기에 차가운 증류수 100mL를 넣고 디에틸에테르 200mL를 이용하여 3회 추출하였다. 추출한 용액을 무수마그네슘설페이트로 건조한 후 감압 증류하고, 얻어진 화합물을 헥산으로 재결정하여 화학식 2a로 표시되는 모노머를 89% 수율로 얻었다. 1H-NMR(CDCl3, 내부표준물질): δ(ppm) 5.67(CH, 2H), 5.04 (CH2, 2H), 5.01(CH2, 2H), 3.12(CH2, 4H), 2.13(CH3, 3H).
Figure 112006089031944-PAT00015
Figure 112006089031944-PAT00016
Figure 112006089031944-PAT00017
[실시예 1-2] 하기 화학식 2b로 표시되는 모노머의 합성
화학식 1a로 표시되는 화합물 31.2g 대신에 하기 화학식 1b로 표시되는 화합물 26.1g(0.22mol)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 2b로 표시되는 모노머를 84% 수율로 얻었다. 1H-NMR(CDCl3, 내부표준물 질): δ(ppm) 5.68(CH, 2H), 5.06 (CH2, 2H), 5.03(CH2, 2H), 3.13(CH2, 4H), 2.13(CH, 1H), 1.44(CH2, 4H), 1.31(CH2, 6H).
Figure 112006089031944-PAT00018
Figure 112006089031944-PAT00019
[실시예 1-3] 하기 화학식 2c로 표시되는 모노머의 합성
화학식 1a로 표시되는 화합물 31.2g 대신에 하기 화학식 1c로 표시되는 화합물 20.4g(0.22mol)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 2c로 표시되는 모노머를 62% 수율로 얻었다. 1H-NMR(CDCl3, 내부표준물질): δ(ppm) 5.66(CH, 2H), 5.04 (CH2, 2H), 5.02(CH2, 2H), 3.11(CH2, 4H), 1.08(CH3, 9H).
Figure 112006089031944-PAT00020
Figure 112006089031944-PAT00021
[실시예 1-4] 하기 화학식 2d로 표시되는 모노머의 합성
화학식 1a로 표시되는 화합물 31.2g 대신에 하기 화학식 1d로 표시되는 화합물 30.0g(0.22mol)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 2d로 표시되는 모노머를 83% 수율로 얻었다. 1H-NMR(CDCl3, 내부표준물질): δ(ppm) 5.67(CH, 2H), 5.05 (CH2, 2H), 5.02(CH2, 2H), 3.45(CH2, 4H), 1.53(CH3, 9H).
Figure 112006089031944-PAT00022
Figure 112006089031944-PAT00023
[실시예 1-5] 하기 화학식 2e로 표시되는 모노머의 합성
화학식 1a로 표시되는 화합물 31.2g 대신에 하기 화학식 1e로 표시되는 화합물 34.9g(0.22mol)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 2e로 표시되는 모노머를 75% 수율로 얻었다. 1H-NMR(CDCl3, 내부표준물질): δ(ppm) 5.66(CH, 2H), 5.04 (CH2, 2H), 5.01(CH2, 2H), 3.22(CH, 1H), 3.13(CH2, 4H), 1.68(CH, 2H), 1.35(CH2, 4H), 1.24(CH2, 2H), 1.07 (CH3, 6H).
Figure 112006089031944-PAT00024
Figure 112006089031944-PAT00025
[실시예 1-6] 하기 화학식 2f로 표시되는 모노머의 합성
화학식 1a로 표시되는 화합물 31.2g 대신에 하기 화학식 1f로 표시되는 화합물 20.8g(0.22mol)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 2f로 표시되는 모노머를 93% 수율로 얻었다. 1H-NMR(CDCl3, 내부표준물질): δ(ppm) 5.67(CH, 2H), 5.03 (CH2, 2H), 5.00(CH2, 2H), 4.15(CH2, 2H), 3.45(CH2, 2H), 3.15(CH2, 4H), 1.08 (CH3, 3H).
Figure 112006089031944-PAT00026
Figure 112006089031944-PAT00027
[실시예 2-1] 화학식 3a로 표시되는 감광성 폴리머의 제조
반응기에 상기 화학식 2a로 표시되는 모노머 1.18g(0.01mol), 2-메틸-2-아다만틸 메타아크릴레이트 23.43g(0.1mol), 감마부티로락토메타크릴레이트 8.50g(0.05mol), 1-메타크릴로일 옥시-3-히드록시 아다만탄 9.45g(0.04mol) 및 아조비스(이소부티로니트릴)(AIBN) 2.1g를 넣고, 반응물을 무수 THF 100g에 용해시킨 후, 동결방법으로 앰플(ampoule)을 사용하여 가스를 제거하고, 가스가 제거된 반응물을 68℃에서 24시간 동안 중합시켰다. 중합반응이 완결된 후, 과량의 디에틸에테르에 상기 반응물을 천천히 적가하면서 침전시킨 다음, 다시 THF로 용해하였고, 용해된 반응물을 디에틸에테르에서 재침전시켜 화학식 3a로 표시되는 폴리머 27.7g을 65%의 수율로 얻었다. 합성된 폴리머를 GPC(Gel permeation chromatography)를 이용하여 수평균분자량(Mn), 중량평균분자량(Mw) 및 다분산도(PD: Polydispersity)를 분석하였다 {GPC 분석: Mn=5,118, Mw=9,520, PD=1.86}.
Figure 112006089031944-PAT00028
[실시예 2-2] 화학식 3b로 표시되는 감광성 폴리머의 제조
상기 화학식 2a로 표시되는 모노머 1.18g 대신에 상기 화학식 2b로 표시되는 모노머 1.79g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 3b로 표시되는 폴리머를 58%의 수율로 얻었다{GPC 분석: Mw=10,024, PD=1.78}.
Figure 112006089031944-PAT00029
[실시예 2-3] 화학식 3c로 표시되는 감광성 폴리머의 제조
상기 화학식 2a로 표시되는 모노머 41.86g 대신에 상기 화학식 2c로 표시되는 모노머 1.53g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 3c로 표시되는 폴리머를 52%의 수율로 제조하였다{GPC 분석: Mw=11,020, PD=1.91}.
Figure 112006089031944-PAT00030
[실시예 2-4] 화학식 3d로 표시되는 감광성 폴리머의 제조
상기 화학식 2a로 표시되는 모노머 41.86g 대신에 상기 화학식 2d로 표시되는 모노머 1.97g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 3d로 표시되는 폴리머를 64%의 수율로 제조하였다{GPC 분석: Mw=9,842, PD=1.88}.
Figure 112006089031944-PAT00031
[실시예 2-5] 화학식 3e로 표시되는 감광성 폴리머의 제조
상기 화학식 2a로 표시되는 모노머 41.86g 대신에 상기 화학식 2e로 표시되는 모노머 2.19g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 3e로 표시되는 폴리머를 55%의 수율로 제조하였다{GPC 분석: Mw=8,996, PD=1.80}.
Figure 112006089031944-PAT00032
[실시예 2-6] 화학식 3f로 표시되는 감광성 폴리머의 제조
상기 화학식 2a로 표시되는 모노머 41.86g 대신에 상기 화학식 2f로 표시되는 모노머 1.55g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 3f로 표시되는 폴리머를 57%의 수율로 제조하였다{GPC 분석: Mw=9,157, PD=1.94}.
Figure 112006089031944-PAT00033
[비교예 1] 화학식 6으로 표시되는 감광성 폴리머의 제조
상기 화학식 2a로 표시되는 모노머를 사용하지 않고, 2-메틸-2-아다만틸 메타아크릴레이트 23.43g(0.1mol), 감마부티로락토메타크릴레이트 8.50g(0.05mol), 1-메타크릴로일 옥시-3-히드록시 아다만탄 9.45g(0.04mol)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 하기 화학식 6으로 표시되는 폴리머를 얻었다(반 복단위의 몰%= 53:26:21){GPC 분석: Mn=5,396, Mw=9,982, PD=1.85}.
Figure 112006089031944-PAT00034
[실시예 3-1 내지 3-6, 비교예 2] 실시예 2 및 비교예 1에서 제조한 포토레지스트 폴리머를 포함하는 포토레지스트 조성물의 제조 및 패턴형성
상기 실시예 2-1 내지 2-6 및 비교예 1에서 제조한 각각의 포토레지스트 폴리머(화학식 3a 내지 3f, 화학식 6) 2g, 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.02g 및 트리에탄올아민 0.01g을 PGMEA 10g에 녹인 후, 필터로 여과하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
이렇게 얻은 각각의 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼의 피식각층 상부에 300㎚의 두께로 스핀 코팅하여 포토레지스트 박막을 제조한 다음, 130℃의 오븐 또는 열판에서 90초간 소프트 베이크를 하고, ArF 레이저 노광장비를 이용하여 노광한 후, 130℃에서 90초간 다시 베이크하였다. 베이크한 웨이퍼를 2.38중량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액에 40초간 침지하여 현상함으로써, 0.12㎛의 L/S(라인/스페이스) 패턴을 형성하였다. 얻어진 포토레지스트 패턴의 성능을 비교하여 하기 표 1에 나타내었다.
Figure 112006089031944-PAT00035
상기 표 1로부터, 본 발명에 따른 감광성 폴리머(화학식 3a 내지 3f)를 포함하는 포토레지스트 조성물은 통상적인 화학증폭용 감광성 폴리머(화학식 6)를 포함하는 포토레지스트 조성물보다 선폭 안정성이 우수함을 알 수 있다.
또한 상기 실시예 3-1 내지 3-6에서 제조한 포토레지스트 조성물을 EUV 노광장비를 이용하여, 마스크와 웨이퍼를 접촉시켜 노광한 결과 50nm 동일 라인 및 스페이스 패턴을 성공적으로 형성하였다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물은 고분자의 주쇄에 아민기를 가지므로 리소그래피 공정에서 산의 확산을 효과적으로 제어할 수 있어, 노광 후 선폭변화의 안정성 뿐만 아니라 라인에지러프니스를 개선할 수 있다.

Claims (7)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 아민기를 포함하는 포토레지스트 모노머.
    [화학식 1]
    Figure 112006089031944-PAT00036
    상기 화학식 1에서, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 모노머는
    Figure 112006089031944-PAT00037
    ,
    Figure 112006089031944-PAT00038
    ,
    Figure 112006089031944-PAT00039
    ,
    Figure 112006089031944-PAT00040
    ,
    Figure 112006089031944-PAT00041
    및
    Figure 112006089031944-PAT00042
    으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 포토레지스트 모노머.
  3. 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 포토레지스트 폴리머.
    [화학식 2]
    Figure 112006089031944-PAT00043
    상기 화학식 2에서, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이다.
  4. 제3항에 있어서, 상기 포토레지스트 폴리머는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 포토레지스트 폴리머.
    [화학식 3]
    Figure 112006089031944-PAT00044
    상기 화학식 3에서, R*은 각각 독립적으로 에스테르기 또는 히드록시기를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 사이클로알킬기이고, R은 화학식 2에서 정의한 바와 같으며, a 및 b는 각각 독립적으로 상기 폴리머를 구성하는 반복단위의 몰%이고, 각각 1~99몰% : 1~99몰%이다.
  5. 제3항에 있어서, 상기 포토레지스트 폴리머는 하기 화학식 4로 표시되는 것인 포토레지스트 폴리머.
    [화학식 4]
    Figure 112006089031944-PAT00045
    상기 화학식 4에서, R은 화학식 2에서 정의한 바와 같으며, a, b, c 및 d는 각각 독립적으로 상기 폴리머를 구성하는 반복단위의 몰%이고, 각각 1~60몰% : 1~60몰% : 1~50몰% : 1~10몰%이다.
  6. 상기 화학식 1로 표시되는 모노머를 포함하는 폴리머;
    산을 발생시키는 광산발생제; 및
    유기용매를 포함하며,
    상기 포토레지스트 폴리머 100중량부에 대하여, 상기 광산발생제의 함량은 0.1 내지 20중량부이고, 상기 유기용매의 함량은 300 내지 5000중량부인 것인 포토레지스트 조성물.
  7. a) 상기 화학식 1로 표시되는 모노머를 포함하는 포토레지스트 폴리머; 산을 발생시키는 광산발생제; 및 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    b) 상기 포토레지스트막을 소정 패턴으로 노광하는 단계;
    c) 상기 노광된 포토레지스트막을 가열하는 단계; 및
    d) 상기 가열된 포토레지스트막을 현상하여 원하는 패턴을 얻는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
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