JP2003327631A - 感光性ポリマーおよびこれを含むレジスト組成物 - Google Patents
感光性ポリマーおよびこれを含むレジスト組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 親水性ユニット及び疎水性ユニットが均一に
分布している感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組
成物を提供する。 【解決手段】 下記式： 【化１】 式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子また
はメチル基であり、Ｒ3は酸により分解できるＣ4〜Ｃ20
の炭化水素基であり、Ｒ4は親水性基であり、ａ、ｂ、
ｃ、ｄ及びｅは各繰り返し単位の重合度を表わしａ／
（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６，ｂ／（ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０５〜０．７，ｃ／（ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６，ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ＋ｅ）＝０．１〜０．５、ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ）＝０．０１〜０．５である、で表わされる構造を含
む感光性ポリマー。
分布している感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組
成物を提供する。 【解決手段】 下記式： 【化１】 式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子また
はメチル基であり、Ｒ3は酸により分解できるＣ4〜Ｃ20
の炭化水素基であり、Ｒ4は親水性基であり、ａ、ｂ、
ｃ、ｄ及びｅは各繰り返し単位の重合度を表わしａ／
（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６，ｂ／（ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０５〜０．７，ｃ／（ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６，ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ＋ｅ）＝０．１〜０．５、ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ）＝０．０１〜０．５である、で表わされる構造を含
む感光性ポリマー。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光性ポリマー及
び化学増幅型レジスト組成物に係り、特に親水性ユニッ
ト及び疎水性ユニットが均一に分布している感光性ポリ
マー及びこれを含むレジスト組成物に関する。
び化学増幅型レジスト組成物に係り、特に親水性ユニッ
ト及び疎水性ユニットが均一に分布している感光性ポリ
マー及びこれを含むレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程が複雑になり、半導体素
子の集積度が増加するにつれて微細なパターン形成が要
求される。さらに、半導体素子の記憶容量が１ギガビッ
ト級以上の素子においては、デザインルール０．２μｍ
以下のパターンサイズが要求されるが、既存のＫｒＦエ
キシマレーザー（２４８ｎｍ）を利用したレジスト材料
を使用するのに限界がある。したがって、新しいエネル
ギー露光源であるＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎ
ｍ）を利用したリソグラフィー技術が登場した。
子の集積度が増加するにつれて微細なパターン形成が要
求される。さらに、半導体素子の記憶容量が１ギガビッ
ト級以上の素子においては、デザインルール０．２μｍ
以下のパターンサイズが要求されるが、既存のＫｒＦエ
キシマレーザー（２４８ｎｍ）を利用したレジスト材料
を使用するのに限界がある。したがって、新しいエネル
ギー露光源であるＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎ
ｍ）を利用したリソグラフィー技術が登場した。
【０００３】しかしながら、このようなＡｒＦエキシマ
レーザーを利用したリソグラフィーに使われるレジスト
材料は、既存のレジスト材料に比べて、商用化するには
多くの問題点がある。最も代表的な問題点としては、ポ
リマーの透過度及び乾式エッチングに対する耐性をあげ
ることができる。
レーザーを利用したリソグラフィーに使われるレジスト
材料は、既存のレジスト材料に比べて、商用化するには
多くの問題点がある。最も代表的な問題点としては、ポ
リマーの透過度及び乾式エッチングに対する耐性をあげ
ることができる。
【０００４】アクリル系またはメタクリル系ポリマー
が、現在、ＡｒＦエキシマレーザーを利用したリソグラ
フィー技術にレジスト材料として一般的に使われてい
る。その中で、ＩＢＭ社のターポリマーシステムである
ポリ（メチルメタクリレート−ｔｅｒｔ−ブチルメタク
リレート−メタクリル酸）が代表的である。しかしなが
ら、このようなポリマーは、幾つかの深刻な問題があ
り、特に乾式エッチングに対する耐性が非常に悪いとい
う問題がある。
が、現在、ＡｒＦエキシマレーザーを利用したリソグラ
フィー技術にレジスト材料として一般的に使われてい
る。その中で、ＩＢＭ社のターポリマーシステムである
ポリ（メチルメタクリレート−ｔｅｒｔ−ブチルメタク
リレート−メタクリル酸）が代表的である。しかしなが
ら、このようなポリマーは、幾つかの深刻な問題があ
り、特に乾式エッチングに対する耐性が非常に悪いとい
う問題がある。
【０００５】したがって、乾式エッチングに対する耐性
を高めるために、乾式エッチングに強い耐性を有する脂
環式化合物、例えばイソボルニル基、アダマンチル基、
トリシクロデカニル基を有する脂環式化合物などを、ポ
リマーのバックボーンに導入する方法を使用している。
しかしながら、ポリマー内で脂環式化合物が占める割当
量が小さいために依然として乾式エッチングに対する耐
性が弱い。また、脂環式化合物は疎水性が強くて現像液
との親和力が落ちるという短所がある。このため、前記
のようなターポリマー構造に脂環式化合物を含ませる
と、これより得られるレジスト膜の下部膜質に対する接
着特性が悪くなる場合がある。
を高めるために、乾式エッチングに強い耐性を有する脂
環式化合物、例えばイソボルニル基、アダマンチル基、
トリシクロデカニル基を有する脂環式化合物などを、ポ
リマーのバックボーンに導入する方法を使用している。
しかしながら、ポリマー内で脂環式化合物が占める割当
量が小さいために依然として乾式エッチングに対する耐
性が弱い。また、脂環式化合物は疎水性が強くて現像液
との親和力が落ちるという短所がある。このため、前記
のようなターポリマー構造に脂環式化合物を含ませる
と、これより得られるレジスト膜の下部膜質に対する接
着特性が悪くなる場合がある。
【０００６】前記問題点を改善するために、ポリマーの
バックボーンにカルボン酸基を導入した次のような構造
のテトラポリマーが提案された（例えば、非特許文献１
参照）。
バックボーンにカルボン酸基を導入した次のような構造
のテトラポリマーが提案された（例えば、非特許文献１
参照）。
【０００７】
【化５】
【０００８】しかしながら、前記構造のポリマーから得
られたレジスト膜は依然として下部膜質に対する接着特
性が悪く、かつ乾式エッチングに対する耐性が弱くて、
現像液を希釈して現像に使用しなければならないという
短所がある。
られたレジスト膜は依然として下部膜質に対する接着特
性が悪く、かつ乾式エッチングに対する耐性が弱くて、
現像液を希釈して現像に使用しなければならないという
短所がある。
【０００９】一方、他の従来技術によるポリマーとして
は、下記式のような構造の脂環式保護基を有するメタク
リレートコポリマーが提案された（例えば、非特許文献
２参照）。
は、下記式のような構造の脂環式保護基を有するメタク
リレートコポリマーが提案された（例えば、非特許文献
２参照）。
【００１０】
【化６】
【００１１】前記構造のコポリマーは、メタクリレート
バックボーンに、乾式エッチングに対する耐性を高める
ためのアダマンチル基と、接着特性を改善するためのラ
クトン基とが導入されている。その結果、レジストの解
像度及び焦点深度の側面では優秀な結果を示したが、依
然として乾式エッチングに対する耐性が弱くて、前記レ
ジスト膜からラインパターンを形成した時にラインエッ
ジラフネスがひどく観察される。また、前記構造のよう
なポリマーを得るために使われる原料の製造コストが非
常に高いという問題点がある。特に、接着特性改善のた
めに導入されるラクトン基を有するポリマーーの製造コ
ストが高すぎてレジスト用として商用化し難い。このた
め、コストの高いポリマーの代わりになりうる新規なポ
リマーに対する要求がある。
バックボーンに、乾式エッチングに対する耐性を高める
ためのアダマンチル基と、接着特性を改善するためのラ
クトン基とが導入されている。その結果、レジストの解
像度及び焦点深度の側面では優秀な結果を示したが、依
然として乾式エッチングに対する耐性が弱くて、前記レ
ジスト膜からラインパターンを形成した時にラインエッ
ジラフネスがひどく観察される。また、前記構造のよう
なポリマーを得るために使われる原料の製造コストが非
常に高いという問題点がある。特に、接着特性改善のた
めに導入されるラクトン基を有するポリマーーの製造コ
ストが高すぎてレジスト用として商用化し難い。このた
め、コストの高いポリマーの代わりになりうる新規なポ
リマーに対する要求がある。
【００１２】さらに他の従来技術によるポリマーとして
は、下記式を有するＣＯＭＡ(cycloolefin-maleic anhy
dride)交互重合体が提案された（例えば、非特許文献３
および特許文献１参照）。
は、下記式を有するＣＯＭＡ(cycloolefin-maleic anhy
dride)交互重合体が提案された（例えば、非特許文献３
および特許文献１参照）。
【００１３】
【化７】
【００１４】前記構造のＣＯＭＡシステムのような共重
合体の製造においては、原料の製造コストは低いもの
の、ポリマー製造時の合成収率が顕著に落ちるという問
題がある。また、短波長領域、例えば１９３ｎｍでのポ
リマーの透過度が非常に低いという短所がある。また、
前記構造で合成されたポリマーは非常に疎水性が強い脂
環式基をバックボーンに有しているので、隣接する材料
膜に対する接着特性が悪い。
合体の製造においては、原料の製造コストは低いもの
の、ポリマー製造時の合成収率が顕著に落ちるという問
題がある。また、短波長領域、例えば１９３ｎｍでのポ
リマーの透過度が非常に低いという短所がある。また、
前記構造で合成されたポリマーは非常に疎水性が強い脂
環式基をバックボーンに有しているので、隣接する材料
膜に対する接着特性が悪い。
【００１５】また、これらのポリマーは、バックボーン
の構造的特性のために約２００℃以上の高いガラス転移
温度を有する。その結果、ベーキング中に前記構造のポ
リマーから形成されるレジスト膜内に存在する自由体積
を除去するためのアニーリング工程を適用し難く、した
がって周囲環境による影響を多く受けて、例えばレジス
トパターンでＴ−トッププロファイルが引き起こされる
ことがあり、ＰＥＤ(post-exposure delay)時にもレジ
スト膜の周囲雰囲気に対する安定性が低下して、前記構
造のポリマーよりなるレジスト膜を利用する工程で多く
の問題点が誘発される。
の構造的特性のために約２００℃以上の高いガラス転移
温度を有する。その結果、ベーキング中に前記構造のポ
リマーから形成されるレジスト膜内に存在する自由体積
を除去するためのアニーリング工程を適用し難く、した
がって周囲環境による影響を多く受けて、例えばレジス
トパターンでＴ−トッププロファイルが引き起こされる
ことがあり、ＰＥＤ(post-exposure delay)時にもレジ
スト膜の周囲雰囲気に対する安定性が低下して、前記構
造のポリマーよりなるレジスト膜を利用する工程で多く
の問題点が誘発される。
【００１６】前記問題を解決するために、本発明者ら
は、アルキルビニールエーテルと無水マレイン酸との共
重合体をレジスト材料として使用することを提案したこ
とがある。アルキルビニールエーテルと無水マレイン酸
との共重合体は製造コストが低廉であり、乾式エッチン
グに対する耐性を十分に確保すると同時に親水性を有し
ているため、下部膜質に対する優秀な接着特性を有する
感光性ポリマーとして作用できることを確認した。
は、アルキルビニールエーテルと無水マレイン酸との共
重合体をレジスト材料として使用することを提案したこ
とがある。アルキルビニールエーテルと無水マレイン酸
との共重合体は製造コストが低廉であり、乾式エッチン
グに対する耐性を十分に確保すると同時に親水性を有し
ているため、下部膜質に対する優秀な接着特性を有する
感光性ポリマーとして作用できることを確認した。
【００１７】実際に、１００ｎｍ以下の線幅が要求され
る微細パターン形成工程では、乾式エッチングに対する
耐性を付与するために導入されるアダマンチル、トリシ
クロデシル、ノルボルニルなどの多重環構造の炭化水素
基を有する疎水性モノマーと、下地膜に対する優秀な接
着特性を付与するために導入される無水マレイン酸、ビ
ニールエーテル基などのように極性基を有する親水性モ
ノマーとを含有する共重合体を含むレジスト組成物を使
用する。しかしながら、このように乾式エッチングに対
する耐性を付与するために導入された疎水性基と、接着
特性を向上させるために導入された親水性基とが混合さ
れたシステムでは、疎水性部分または親水性部分同士で
相分離が起きて均一な重合反応がなされ難く、重合生成
物内でホモポリマー及び不要なブロック共重合体が形成
されやすい。このような重合生成物がレジスト組成物の
原料として使われると、レジスト膜内で現像液に対する
溶解度が不均一になって、結局パターンの架橋欠陥を引
き起こすことがある。また、レジスト材料の疎水性が強
い部分ではレジスト膜が剥離してパターンが崩れる現象
が発生する場合がある。さらに、レジスト膜の親水性が
強い部分では現像液の過剰浸透によって膨潤現象が発生
する場合がある。
る微細パターン形成工程では、乾式エッチングに対する
耐性を付与するために導入されるアダマンチル、トリシ
クロデシル、ノルボルニルなどの多重環構造の炭化水素
基を有する疎水性モノマーと、下地膜に対する優秀な接
着特性を付与するために導入される無水マレイン酸、ビ
ニールエーテル基などのように極性基を有する親水性モ
ノマーとを含有する共重合体を含むレジスト組成物を使
用する。しかしながら、このように乾式エッチングに対
する耐性を付与するために導入された疎水性基と、接着
特性を向上させるために導入された親水性基とが混合さ
れたシステムでは、疎水性部分または親水性部分同士で
相分離が起きて均一な重合反応がなされ難く、重合生成
物内でホモポリマー及び不要なブロック共重合体が形成
されやすい。このような重合生成物がレジスト組成物の
原料として使われると、レジスト膜内で現像液に対する
溶解度が不均一になって、結局パターンの架橋欠陥を引
き起こすことがある。また、レジスト材料の疎水性が強
い部分ではレジスト膜が剥離してパターンが崩れる現象
が発生する場合がある。さらに、レジスト膜の親水性が
強い部分では現像液の過剰浸透によって膨潤現象が発生
する場合がある。
【００１８】
【特許文献１】米国特許第５，８４３，６２４号明細書
【非特許文献１】J. Photopolym. Sci. Technol., 7
(3), 507 (1994)
(3), 507 (1994)
【非特許文献２】J. Photopolym. Sci. Technol., 9
(3), p509 (1996)
(3), p509 (1996)
【非特許文献３】J. Photopolym. Sci. Technol., 12
(4), p553 (1999)
(4), p553 (1999)
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術での問題点を解決するために、微細パターン形
成のためのフォトリソグラフィー工程でレジスト膜の原
料として使われた時、架橋欠陥、剥離現象、膨潤現象な
どの発生を最小化しつつ向上した解像力を提供できるよ
うにポリマー内に疎水性部分及び親水性部分が均一に分
布している構造を有する感光性ポリマーを提供すること
である。
従来技術での問題点を解決するために、微細パターン形
成のためのフォトリソグラフィー工程でレジスト膜の原
料として使われた時、架橋欠陥、剥離現象、膨潤現象な
どの発生を最小化しつつ向上した解像力を提供できるよ
うにポリマー内に疎水性部分及び親水性部分が均一に分
布している構造を有する感光性ポリマーを提供すること
である。
【００２０】本発明の他の目的は、短波長領域、例え
ば、１９３ｎｍ、さらにはＤＵＶ(deep UV)領域、例え
ば、約２４８ｎｍの光源を利用するフォトリソグラフィ
ー工程でも優秀なリソグラフィー性能を提供でき、狭い
線幅、例えば、１００ｎｍ以下での架橋欠陥などの欠陥
の発生を防止できるレジスト組成物を提供することであ
る。
ば、１９３ｎｍ、さらにはＤＵＶ(deep UV)領域、例え
ば、約２４８ｎｍの光源を利用するフォトリソグラフィ
ー工程でも優秀なリソグラフィー性能を提供でき、狭い
線幅、例えば、１００ｎｍ以下での架橋欠陥などの欠陥
の発生を防止できるレジスト組成物を提供することであ
る。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による感光性ポリマーは、下記式（１）を有
する。
に、本発明による感光性ポリマーは、下記式（１）を有
する。
【００２２】
【化８】
【００２３】式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、
水素原子またはメチル基であり、Ｒ 3は酸により分解で
きるＣ4〜Ｃ20の炭化水素基であり、Ｒ4は親水性基であ
り、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅは各繰り返し単位の重合度を
表わし、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．
６、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０５〜０．７、
ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６、ｄ／
（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．１〜０．５、ｅ／（ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．５である。
水素原子またはメチル基であり、Ｒ 3は酸により分解で
きるＣ4〜Ｃ20の炭化水素基であり、Ｒ4は親水性基であ
り、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅは各繰り返し単位の重合度を
表わし、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．
６、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０５〜０．７、
ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６、ｄ／
（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．１〜０．５、ｅ／（ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．５である。
【００２４】本発明による感光性ポリマーは、３，００
０〜１００，０００の重量平均分子量を有することが好
ましい。
０〜１００，０００の重量平均分子量を有することが好
ましい。
【００２５】望ましくは、Ｒ4は、ヒドロキシル基、カ
ルボキシル基、エーテル基、ラクトン基及びハイパーラ
クトン基よりなる群から選択される少なくとも一つの構
造を含む基である。特に望ましくは、Ｒ4は、次の構造
式よりなる群から選択される少なくとも一つの構造を有
する。
ルボキシル基、エーテル基、ラクトン基及びハイパーラ
クトン基よりなる群から選択される少なくとも一つの構
造を含む基である。特に望ましくは、Ｒ4は、次の構造
式よりなる群から選択される少なくとも一つの構造を有
する。
【００２６】
【化９】
【００２７】式中、アスタリスク（＊）は、ポリマーバ
ックボーンに連結される位置を表す。
ックボーンに連結される位置を表す。
【００２８】本発明の一実施態様による感光性ポリマー
において、Ｒ3は、ｔ−ブチル基またはテトラヒドロピ
ラニル基である。また、Ｒ3は、酸により分解できる脂
環式炭化水素基、例えば、２−メチル−２−ノルボルニ
ル基、２−エチル−２−ノルボルニル基、２−メチル−
２−イソボルニル基、２−エチル−２−イソボルニル
基、８−メチル−８−トリシクロ［５．２．１．
０2,6］デカニル基、８−エチル−８−トリシクロ
［５．２．１．０2,6］デカニル基、２−メチル−２−
アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、２
−メチル−２−フェンキル基または２−エチル−２−フ
ェンキル基であってもよい。
において、Ｒ3は、ｔ−ブチル基またはテトラヒドロピ
ラニル基である。また、Ｒ3は、酸により分解できる脂
環式炭化水素基、例えば、２−メチル−２−ノルボルニ
ル基、２−エチル−２−ノルボルニル基、２−メチル−
２−イソボルニル基、２−エチル−２−イソボルニル
基、８−メチル−８−トリシクロ［５．２．１．
０2,6］デカニル基、８−エチル−８−トリシクロ
［５．２．１．０2,6］デカニル基、２−メチル−２−
アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、２
−メチル−２−フェンキル基または２−エチル−２−フ
ェンキル基であってもよい。
【００２９】前記他の目的を達成するために、本発明に
よるレジスト組成物は、上記式（１）の構造を含む感光
性ポリマーと、ＰＡＧとを含む。
よるレジスト組成物は、上記式（１）の構造を含む感光
性ポリマーと、ＰＡＧとを含む。
【００３０】前記ＰＡＧは、前記感光性ポリマーの全質
量を基準に０．５〜２０質量％の量で含まれることが好
ましい。好ましくは、前記ＰＡＧは、例えば、トリアリ
ールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スル
ホン酸塩またはその混合物を含む。
量を基準に０．５〜２０質量％の量で含まれることが好
ましい。好ましくは、前記ＰＡＧは、例えば、トリアリ
ールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スル
ホン酸塩またはその混合物を含む。
【００３１】本発明によるレジスト組成物は、有機塩基
をさらに含んでもよい。この際、前記有機塩基は、前記
ＰＡＧの量を基準に、０．５〜５０モル％の量で含まれ
ていることが好ましい。
をさらに含んでもよい。この際、前記有機塩基は、前記
ＰＡＧの量を基準に、０．５〜５０モル％の量で含まれ
ていることが好ましい。
【００３２】好ましくは、前記有機塩基としては、第３
級アミン化合物がある。例えば、前記有機塩基として
は、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイ
ソオクチルアミン、トリイソデシルアミン、ジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−アルキル置換ピ
ロリジノン、Ｎ−アルキル置換カプロラクタム、Ｎ−ア
リルカプロラクタム、及びＮ−アルキル置換バレロラク
タム、ならびにそれらの混合物が挙げられる。
級アミン化合物がある。例えば、前記有機塩基として
は、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイ
ソオクチルアミン、トリイソデシルアミン、ジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−アルキル置換ピ
ロリジノン、Ｎ−アルキル置換カプロラクタム、Ｎ−ア
リルカプロラクタム、及びＮ−アルキル置換バレロラク
タム、ならびにそれらの混合物が挙げられる。
【００３３】本発明による感光性ポリマーは、親水性ユ
ニットと疎水性ユニットとが交互に連結されるように共
重合されて疎水性部分及び親水性部分が均一に分布して
いる構造を有していてもよい。このような構造を有する
本発明による感光性ポリマーを原料として調製されたレ
ジスト組成物は、共重合体の均一性のために、約１００
ｎｍ以下の線幅を有する微細パターン形成のためのフォ
トリソグラフィー工程で架橋欠陥、剥離現象、膨潤現象
などが発生する可能性を顕著に減らすことができて、ゆ
えに、このようにして得られたレジスト組成物は、優秀
なリソグラフィーパフォーマンスを示し、今後次世代半
導体素子の製造に非常に有用である。
ニットと疎水性ユニットとが交互に連結されるように共
重合されて疎水性部分及び親水性部分が均一に分布して
いる構造を有していてもよい。このような構造を有する
本発明による感光性ポリマーを原料として調製されたレ
ジスト組成物は、共重合体の均一性のために、約１００
ｎｍ以下の線幅を有する微細パターン形成のためのフォ
トリソグラフィー工程で架橋欠陥、剥離現象、膨潤現象
などが発生する可能性を顕著に減らすことができて、ゆ
えに、このようにして得られたレジスト組成物は、優秀
なリソグラフィーパフォーマンスを示し、今後次世代半
導体素子の製造に非常に有用である。
【００３４】
【発明の実施の形態】本発明による感光性ポリマーは上
記式（１）のような構造を含む。すなわち、上記式
（１）を有する本発明に係る感光性高分子は、好ましく
は、下記式（２）〜（６）のユニットを含む。
記式（１）のような構造を含む。すなわち、上記式
（１）を有する本発明に係る感光性高分子は、好ましく
は、下記式（２）〜（６）のユニットを含む。
【００３５】
【化１０】
【００３６】上記式（２）〜（６）のユニットにおい
て、上記式（２）のユニット及び上記式（５）のユニッ
トは疎水性を表し、上記式（３）のユニット、上記式
（４）のユニット及び上記式（６）のユニットは親水性
を表す。このように、本発明による感光性ポリマーは、
重合時に親水性ユニットと疎水性ユニットとが交互に連
結されるように共重合されて疎水性部分及び親水性部分
が均一に分布している構造である。このような構造を有
する本発明による感光性ポリマーを原料として調製され
たレジスト組成物は、共重合体の均一性のために、微細
パターン形成のためのフォトリソグラフィー工程で、従
来技術によるレジスト組成物を使用した場合に比べて、
架橋欠陥、剥離現象、膨潤現象などが発生する可能性を
顕著に抑制できる。
て、上記式（２）のユニット及び上記式（５）のユニッ
トは疎水性を表し、上記式（３）のユニット、上記式
（４）のユニット及び上記式（６）のユニットは親水性
を表す。このように、本発明による感光性ポリマーは、
重合時に親水性ユニットと疎水性ユニットとが交互に連
結されるように共重合されて疎水性部分及び親水性部分
が均一に分布している構造である。このような構造を有
する本発明による感光性ポリマーを原料として調製され
たレジスト組成物は、共重合体の均一性のために、微細
パターン形成のためのフォトリソグラフィー工程で、従
来技術によるレジスト組成物を使用した場合に比べて、
架橋欠陥、剥離現象、膨潤現象などが発生する可能性を
顕著に抑制できる。
【００３７】本発明によるレジスト組成物に含まれてい
る感光性ポリマーは、上記式（１）に示したように、疎
水性のノルボルネンモノマーユニットと親水性の無水マ
レイン酸モノマーユニットとの交互重合性質を利用し、
また反応性比が互いに類似した親水性の（メタ）アクリ
レートモノマーユニット及び疎水性の（メタ）アクリレ
ートモノマーユニットを同時に使用して製造される共重
合体よりなる。
る感光性ポリマーは、上記式（１）に示したように、疎
水性のノルボルネンモノマーユニットと親水性の無水マ
レイン酸モノマーユニットとの交互重合性質を利用し、
また反応性比が互いに類似した親水性の（メタ）アクリ
レートモノマーユニット及び疎水性の（メタ）アクリレ
ートモノマーユニットを同時に使用して製造される共重
合体よりなる。
【００３８】上記式（１）において、Ｒ1及びＲ2は、水
素原子またはメチル基を表わす。また、Ｒ3は、酸によ
り分解できる炭素原子数４〜２０の炭化水素基を表わ
す。このような炭化水素基としては、酸により分解でき
かつ炭素原子数が４〜２０のものであれば特に制限され
ないが、例えば、ｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル
基、酸により分解できる炭素原子数４〜２０の脂環式炭
化水素基、例えば、２−メチル−２−ノルボルニル基、
２−エチル−２−ノルボルニル基、２−メチル−２−イ
ソボルニル基、２−エチル−２−イソボルニル基、８−
メチル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニ
ル基、８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．０
2,6］デカニル基、２−メチル−２−アダマンチル基、
２−エチル−２−アダマンチル基、２−メチル−２−フ
ェンキル基及び２−エチル−２−フェンキル基がある。
さらに、Ｒ4は、親水性基を表わす。このような親水性
基としては、特に制限されないが、例えば、ヒドロキシ
ル基、カルボキシル基、エーテル基、ラクトン基及びハ
イパーラクトン基、ならびにこれらの少なくとも一の基
を有する基などが挙げられる。より具体的には、下記式
で表わされる基が挙げられる。なお、本明細書におい
て、「ラクトン基」とは、ラクトン環の一価の残基を意
味し、具体例としては、下記式のうちの２行目の２及び
３番目の基がある。また、本明細書において、「ハイパ
ーラクトン基」とは、２以上の環を有しかついずれかの
環内にエステルを含む脂環式の基(alicyclic group)を
意味する。具体例としては、下記式のうちの１行目の３
番目及び２行目の１番目の基がある。
素原子またはメチル基を表わす。また、Ｒ3は、酸によ
り分解できる炭素原子数４〜２０の炭化水素基を表わ
す。このような炭化水素基としては、酸により分解でき
かつ炭素原子数が４〜２０のものであれば特に制限され
ないが、例えば、ｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル
基、酸により分解できる炭素原子数４〜２０の脂環式炭
化水素基、例えば、２−メチル−２−ノルボルニル基、
２−エチル−２−ノルボルニル基、２−メチル−２−イ
ソボルニル基、２−エチル−２−イソボルニル基、８−
メチル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニ
ル基、８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．０
2,6］デカニル基、２−メチル−２−アダマンチル基、
２−エチル−２−アダマンチル基、２−メチル−２−フ
ェンキル基及び２−エチル−２−フェンキル基がある。
さらに、Ｒ4は、親水性基を表わす。このような親水性
基としては、特に制限されないが、例えば、ヒドロキシ
ル基、カルボキシル基、エーテル基、ラクトン基及びハ
イパーラクトン基、ならびにこれらの少なくとも一の基
を有する基などが挙げられる。より具体的には、下記式
で表わされる基が挙げられる。なお、本明細書におい
て、「ラクトン基」とは、ラクトン環の一価の残基を意
味し、具体例としては、下記式のうちの２行目の２及び
３番目の基がある。また、本明細書において、「ハイパ
ーラクトン基」とは、２以上の環を有しかついずれかの
環内にエステルを含む脂環式の基(alicyclic group)を
意味する。具体例としては、下記式のうちの１行目の３
番目及び２行目の１番目の基がある。
【００３９】
【化１１】
【００４０】式中、＊は、ポリマーバックボーンに連結
される位置を表す。
される位置を表す。
【００４１】さらに、上記式（１）において、ａ、ｂ、
ｃ、ｄ及びｅは、上記式（２）〜（６）のそれぞれの繰
り返し単位の重合度を表わし、それぞれ、ａ／（ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６、好ましくは０．１
〜０．４、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０５〜
０．７、好ましくは０．４〜０．６、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６、好ましくは０．１〜
０．４、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．１〜０．
５、好ましくは０．３〜０．５、ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ
＋ｅ）＝０．０１〜０．５、好ましくは０．３〜０．
５、の関係を満たす。
ｃ、ｄ及びｅは、上記式（２）〜（６）のそれぞれの繰
り返し単位の重合度を表わし、それぞれ、ａ／（ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６、好ましくは０．１
〜０．４、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０５〜
０．７、好ましくは０．４〜０．６、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６、好ましくは０．１〜
０．４、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．１〜０．
５、好ましくは０．３〜０．５、ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ
＋ｅ）＝０．０１〜０．５、好ましくは０．３〜０．
５、の関係を満たす。
【００４２】本発明の感光性ポリマーの重量平均分子量
は、所望の用途によって変化し、特に制限されないが、
好ましくは３，０００〜１００，０００であり、これ
は、特にレジスト組成物に適用される際に好適である。
は、所望の用途によって変化し、特に制限されないが、
好ましくは３，０００〜１００，０００であり、これ
は、特にレジスト組成物に適用される際に好適である。
【００４３】本発明の感光性ポリマーの製造方法は、特
に制限されず、公知の方法を単独であるいは組合わせて
適用でき、特に好ましいポリマーの製造例については、
下記実施例において詳述する。一般的には、本発明によ
る感光性ポリマーを製造するためには、通常のラジカル
重合方法を利用でき、その他の正イオン重合方法または
負イオン重合方法によっても本発明による感光性ポリマ
ーの合成が可能である。
に制限されず、公知の方法を単独であるいは組合わせて
適用でき、特に好ましいポリマーの製造例については、
下記実施例において詳述する。一般的には、本発明によ
る感光性ポリマーを製造するためには、通常のラジカル
重合方法を利用でき、その他の正イオン重合方法または
負イオン重合方法によっても本発明による感光性ポリマ
ーの合成が可能である。
【００４４】本発明の他の態様によると、本発明の上記
式（１）の感光性ポリマー及びＰＡＧ(photoacid gener
ator)を含むレジスト組成物が提供される。
式（１）の感光性ポリマー及びＰＡＧ(photoacid gener
ator)を含むレジスト組成物が提供される。
【００４５】本発明のレジスト組成物において、前記感
光性ポリマーの重量平均分子量は、所望の用途によって
変化し、特に制限されないが、好ましくは３，０００〜
１００，０００である。
光性ポリマーの重量平均分子量は、所望の用途によって
変化し、特に制限されないが、好ましくは３，０００〜
１００，０００である。
【００４６】本発明において、ＰＡＧの配合量は、所望
の用途によって変化し、特に制限されないが、好ましく
は前記感光性ポリマーの質量を基準に０．５〜２０質量
％含まれる。望ましくは、前記ＰＡＧは、トリアリール
スルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホン
酸塩またはその混合物よりなる。特に望ましくは、前記
ＰＡＧは、トリフェニルスルホニウムトリフレート等の
トリアリールスルホニウムトリフレート、トリフェニル
スルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウム
トリフレート等のジアリールヨードニウムトリフレー
ト、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシ
ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−ｔ−ブチル
ジフェニルヨードニウムトリフレート、２，６−ジニト
ロベンジルスルホン酸塩、ピロガロールトリス（アルキ
ルスルホン酸塩）、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリ
フレート、スクシンイミジルトリフレート、ノルボルネ
ン−ジカルボキシミド−トリフレート、トリフェニルス
ルホニウムノナフレート等のトリアリールスルホニウム
ノナフレート、ジフェニルヨードニウムノナフレート等
のジアリールヨードニウムノナフレート、メトキシジフ
ェニルヨードニウムノナフレート、ジ−ｔ−ブチルジフ
ェニルヨードニウムノナフレート、Ｎ−ヒドロキシスク
シンイミドノナフレート、ノルボルネン−ジカルボキシ
ミド−ノナフレート、トリフェニルスルホニウムパーフ
ルオロオクタンスルホン酸塩（ＰＦＯＳ）、ジフェニル
ヨードニウムＰＦＯＳ、メトキシジフェニルヨードニウ
ムＰＦＯＳ、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムト
リフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドＰＦＯＳ、
ノルボルネン−ジカルボキシミドＰＦＯＳ、またはこれ
らの混合物よりなる。
の用途によって変化し、特に制限されないが、好ましく
は前記感光性ポリマーの質量を基準に０．５〜２０質量
％含まれる。望ましくは、前記ＰＡＧは、トリアリール
スルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホン
酸塩またはその混合物よりなる。特に望ましくは、前記
ＰＡＧは、トリフェニルスルホニウムトリフレート等の
トリアリールスルホニウムトリフレート、トリフェニル
スルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウム
トリフレート等のジアリールヨードニウムトリフレー
ト、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシ
ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−ｔ−ブチル
ジフェニルヨードニウムトリフレート、２，６−ジニト
ロベンジルスルホン酸塩、ピロガロールトリス（アルキ
ルスルホン酸塩）、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリ
フレート、スクシンイミジルトリフレート、ノルボルネ
ン−ジカルボキシミド−トリフレート、トリフェニルス
ルホニウムノナフレート等のトリアリールスルホニウム
ノナフレート、ジフェニルヨードニウムノナフレート等
のジアリールヨードニウムノナフレート、メトキシジフ
ェニルヨードニウムノナフレート、ジ−ｔ−ブチルジフ
ェニルヨードニウムノナフレート、Ｎ−ヒドロキシスク
シンイミドノナフレート、ノルボルネン−ジカルボキシ
ミド−ノナフレート、トリフェニルスルホニウムパーフ
ルオロオクタンスルホン酸塩（ＰＦＯＳ）、ジフェニル
ヨードニウムＰＦＯＳ、メトキシジフェニルヨードニウ
ムＰＦＯＳ、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムト
リフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドＰＦＯＳ、
ノルボルネン−ジカルボキシミドＰＦＯＳ、またはこれ
らの混合物よりなる。
【００４７】本発明のレジスト組成物は、有機塩基をさ
らに含みうる。前記有機塩基の配合量は、所望の用途に
よって変化し、特に制限されないが、好ましくは前記Ｐ
ＡＧの量を基準に０．５〜５０モル％含まれる。望まし
くは、前記有機塩基は第３級アミン化合物を含むが、こ
の際、有機塩基は、第３級アミン化合物を一種を単独で
含んでもあるいは２種以上の混合物の形態で含んでもよ
い。さらに望ましくは、前記有機塩基は、トリエチルア
ミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミ
ン、トリイソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、Ｎ−アルキル置換されたピロリジノ
ン、Ｎ−アルキル置換されたカプロラクタム、Ｎ−アリ
ルカプロラクタム、Ｎ−アルキル置換されたバレロラク
タムまたはこれらの混合物である。
らに含みうる。前記有機塩基の配合量は、所望の用途に
よって変化し、特に制限されないが、好ましくは前記Ｐ
ＡＧの量を基準に０．５〜５０モル％含まれる。望まし
くは、前記有機塩基は第３級アミン化合物を含むが、こ
の際、有機塩基は、第３級アミン化合物を一種を単独で
含んでもあるいは２種以上の混合物の形態で含んでもよ
い。さらに望ましくは、前記有機塩基は、トリエチルア
ミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミ
ン、トリイソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、Ｎ−アルキル置換されたピロリジノ
ン、Ｎ−アルキル置換されたカプロラクタム、Ｎ−アリ
ルカプロラクタム、Ｎ−アルキル置換されたバレロラク
タムまたはこれらの混合物である。
【００４８】本発明によるレジスト組成物を製造する方
法は、特に制限されず、公知の方法を単独であるいは組
合わせて適用でき、特に好ましい調製例については、下
記実施例において詳述する。本発明のレジスト組成物の
調製方法の一実施態様を以下に説明する。まず上記式
（２）〜（６）で表わされるようなユニットを有する共
重合体及びＰＡＧ、及び必要であれば有機塩基を溶剤に
溶解して、レジスト溶液を作る。この際、溶剤として
は、使用される共重合体、ＰＡＧ及び添加される場合に
は有機塩基を溶解できるようであれば特に制限されず、
使用される共重合体、ＰＡＧ及び添加される場合には有
機塩基の種類によって適宜選択される。例えば、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭ
ＥＡ）、乳酸エチル、シクロヘキサノンなどが挙げられ
る。この時、前記レジスト溶液内の固形分含有量は、特
に制限されないが、好ましくは、溶剤の質量を基準に約
１０〜２０質量％である。なお、本発明では、必要に応
じて有機塩基が添加されるが、この際の有機塩基の添加
量は、特に制限されないが、ＰＡＧの量を基準に約０．
５〜５０モル％の量で添加することが好ましい。また、
レジストの全体的な溶解速度を調節するために、本発明
のレジスト組成物は、溶解抑制剤をさらに含んでもよ
く、この際、溶解抑制剤の添加量は、特に制限されず公
知の量が使用できるが、好ましくは、溶解抑制剤は、前
記感光性ポリマーの質量を基準に約５〜２５質量％の量
で添加される。
法は、特に制限されず、公知の方法を単独であるいは組
合わせて適用でき、特に好ましい調製例については、下
記実施例において詳述する。本発明のレジスト組成物の
調製方法の一実施態様を以下に説明する。まず上記式
（２）〜（６）で表わされるようなユニットを有する共
重合体及びＰＡＧ、及び必要であれば有機塩基を溶剤に
溶解して、レジスト溶液を作る。この際、溶剤として
は、使用される共重合体、ＰＡＧ及び添加される場合に
は有機塩基を溶解できるようであれば特に制限されず、
使用される共重合体、ＰＡＧ及び添加される場合には有
機塩基の種類によって適宜選択される。例えば、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭ
ＥＡ）、乳酸エチル、シクロヘキサノンなどが挙げられ
る。この時、前記レジスト溶液内の固形分含有量は、特
に制限されないが、好ましくは、溶剤の質量を基準に約
１０〜２０質量％である。なお、本発明では、必要に応
じて有機塩基が添加されるが、この際の有機塩基の添加
量は、特に制限されないが、ＰＡＧの量を基準に約０．
５〜５０モル％の量で添加することが好ましい。また、
レジストの全体的な溶解速度を調節するために、本発明
のレジスト組成物は、溶解抑制剤をさらに含んでもよ
く、この際、溶解抑制剤の添加量は、特に制限されず公
知の量が使用できるが、好ましくは、溶解抑制剤は、前
記感光性ポリマーの質量を基準に約５〜２５質量％の量
で添加される。
【００４９】本発明において、レジスト組成物における
前記ＰＡＧの添加量は、特に制限されず、得られるレジ
スト組成物の所望の特性の考慮して適宜選択される。好
ましくは、ＰＡＧは、感光性ポリマーの質量を基準に約
０．５〜２０質量％の量で添加される。ここで使用可能
なＰＡＧには、上記したように、例えば無機オニウム塩
または有機スルホン酸塩が単独にまたは２種以上が混合
されたものを使用できる。例えば、トリアリールスルホ
ニウムトリフレート、ジアリールヨードニウムトリフレ
ート、トリアリールスルホニウムノナフレート、ジアリ
ールヨードニウムノナフレート、スクシンイミジルトリ
フレート、２，６−ジニトロベンジルスルホン酸塩など
を使用できる。
前記ＰＡＧの添加量は、特に制限されず、得られるレジ
スト組成物の所望の特性の考慮して適宜選択される。好
ましくは、ＰＡＧは、感光性ポリマーの質量を基準に約
０．５〜２０質量％の量で添加される。ここで使用可能
なＰＡＧには、上記したように、例えば無機オニウム塩
または有機スルホン酸塩が単独にまたは２種以上が混合
されたものを使用できる。例えば、トリアリールスルホ
ニウムトリフレート、ジアリールヨードニウムトリフレ
ート、トリアリールスルホニウムノナフレート、ジアリ
ールヨードニウムノナフレート、スクシンイミジルトリ
フレート、２，６−ジニトロベンジルスルホン酸塩など
を使用できる。
【００５０】フォトリソグラフィー工程を行うために、
まず前記レジスト溶液を、０．２μｍメンブレンフィル
ターを利用して、適宜、例えば、約２回ろ過してレジス
ト組成物を得る。
まず前記レジスト溶液を、０．２μｍメンブレンフィル
ターを利用して、適宜、例えば、約２回ろ過してレジス
ト組成物を得る。
【００５１】前記のような方法によって得られたレジス
ト組成物は、従来の公知の方法によりシリコンウェハを
パターニングするのに使用されるが、例えば、パターン
を形成するためには次のような工程が利用できる。
ト組成物は、従来の公知の方法によりシリコンウェハを
パターニングするのに使用されるが、例えば、パターン
を形成するためには次のような工程が利用できる。
【００５２】ベアシリコンウェハまたは上面にシリコン
酸化膜、シリコン窒化膜またはシリコン酸化窒化膜のよ
うな下部膜質が形成されているシリコンウェーハを準備
し、前記シリコンウェーハをヘキサメチルジシラザン
（ＨＭＤＳ）で処理する。その後、前記下部膜質上に前
記レジスト組成物を約０．２〜０．７μｍの厚さにコー
ティングしてレジスト膜を形成する。
酸化膜、シリコン窒化膜またはシリコン酸化窒化膜のよ
うな下部膜質が形成されているシリコンウェーハを準備
し、前記シリコンウェーハをヘキサメチルジシラザン
（ＨＭＤＳ）で処理する。その後、前記下部膜質上に前
記レジスト組成物を約０．２〜０．７μｍの厚さにコー
ティングしてレジスト膜を形成する。
【００５３】前記レジスト膜が形成された前記シリコン
ウェーハを約９０〜１５０℃の温度範囲で約６０〜１２
０秒間プリベーキングして溶剤を除去した後、いろいろ
な露光源、例えばＫｒＦまたはＡｒＦのようなＤＵＶ、
ＥＵＶ(extreme UV)、Ｅビーム、またはＸ線を利用して
露光した後、前記レジスト膜の露光領域で化学反応を起
こすために、約９０〜１５０℃の温度範囲で約６０〜１
２０秒間ＰＥＢ(post-exposure baking)を実施する。
ウェーハを約９０〜１５０℃の温度範囲で約６０〜１２
０秒間プリベーキングして溶剤を除去した後、いろいろ
な露光源、例えばＫｒＦまたはＡｒＦのようなＤＵＶ、
ＥＵＶ(extreme UV)、Ｅビーム、またはＸ線を利用して
露光した後、前記レジスト膜の露光領域で化学反応を起
こすために、約９０〜１５０℃の温度範囲で約６０〜１
２０秒間ＰＥＢ(post-exposure baking)を実施する。
【００５４】この時、前記レジスト膜の露光部は、２．
３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡ
Ｈ）溶液を含む現像液に対して非常に大きい溶解度特性
を示す。このため、現像時に、露光部分は溶ける。使わ
れた露光源がＡｒＦエキシマレーザーである場合には、
約５〜３０ｍＪ／ｃｍ2のドーズで普通０．３〜０．１
５μｍのラインアンドスペースパターンを形成できる。
３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡ
Ｈ）溶液を含む現像液に対して非常に大きい溶解度特性
を示す。このため、現像時に、露光部分は溶ける。使わ
れた露光源がＡｒＦエキシマレーザーである場合には、
約５〜３０ｍＪ／ｃｍ2のドーズで普通０．３〜０．１
５μｍのラインアンドスペースパターンを形成できる。
【００５５】前記の過程で得られたレジストパターンを
マスクとして使用し、特定のエッチングガス、例えばハ
ロゲンガスまたはＣxＦyガスなどのプラズマを使用して
シリコン酸化膜のような前記下部膜質をエッチングす
る。次いで、ウェーハ上に残っているレジストパターン
を、洗浄及びストリッパを使用した湿式工程によって除
去して所望のシリコン酸化膜パターンを形成する。
マスクとして使用し、特定のエッチングガス、例えばハ
ロゲンガスまたはＣxＦyガスなどのプラズマを使用して
シリコン酸化膜のような前記下部膜質をエッチングす
る。次いで、ウェーハ上に残っているレジストパターン
を、洗浄及びストリッパを使用した湿式工程によって除
去して所望のシリコン酸化膜パターンを形成する。
【００５６】本発明に関するより詳細な内容は次の具体
的な合成例及び実施例を通じて説明し、ここに記載され
ていない内容は当業者であれば十分に技術的に類推でき
るものなので説明を省略する。参考に、本発明を説明す
るにおいて使われた試薬は特定試薬を除いてはいずれも
アルドリッチ化学(Aldrich Chemical Co.)から購入した
ものである。市販されていない特定試薬は文献（Proc.S
PIE Vol.4345,p87(2001)またはProc.SPIE Vol.3999,p.1
147(2000)）に提示された公知技術を利用して容易に合
成できる。
的な合成例及び実施例を通じて説明し、ここに記載され
ていない内容は当業者であれば十分に技術的に類推でき
るものなので説明を省略する。参考に、本発明を説明す
るにおいて使われた試薬は特定試薬を除いてはいずれも
アルドリッチ化学(Aldrich Chemical Co.)から購入した
ものである。市販されていない特定試薬は文献（Proc.S
PIE Vol.4345,p87(2001)またはProc.SPIE Vol.3999,p.1
147(2000)）に提示された公知技術を利用して容易に合
成できる。
【００５７】
【実施例】以下、本発明の実施例により具体的に説明す
る。
る。
【００５８】実施例１：ポリマーの合成
本実施例では、下記ユニットを有するポリマーを合成し
た。
た。
【００５９】
【化１２】
【００６０】
【化１３】
【００６１】３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン（２．１
ｇ，２５ｍｍｏｌ）、精製された無水マレイン酸（７．
３５ｇ，７５ｍｍｏｌ）、ノルボルネン（４．７ｇ，５
０ｍｍｏｌ）、２−メチル−２−アダマンチルアクリレ
ート（１１ｇ，５０ｍｍｏｌ）、ハイパーラクトン基を
有する上記式（７）のモノマー（１１．８ｇ，５０ｍｍ
ｏｌ）、及び２，２’−アゾビスイソブチロニトリル
（ＡＩＢＮ）（０．３３ｇ）を、丸底フラスコに入れて
無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）約５０ｇに溶かした
後、液体窒素バスでフリーズポンプソウ(freeze-pump t
haw)サイクルを３回行なってガス抜きを実施し、フリー
ズポンプソウサイクルを３回行なった後フラスコを密封
した。その後、得られた生成物を約６５℃に維持される
オイルバスで約２４時間重合させた。
ｇ，２５ｍｍｏｌ）、精製された無水マレイン酸（７．
３５ｇ，７５ｍｍｏｌ）、ノルボルネン（４．７ｇ，５
０ｍｍｏｌ）、２−メチル−２−アダマンチルアクリレ
ート（１１ｇ，５０ｍｍｏｌ）、ハイパーラクトン基を
有する上記式（７）のモノマー（１１．８ｇ，５０ｍｍ
ｏｌ）、及び２，２’−アゾビスイソブチロニトリル
（ＡＩＢＮ）（０．３３ｇ）を、丸底フラスコに入れて
無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）約５０ｇに溶かした
後、液体窒素バスでフリーズポンプソウ(freeze-pump t
haw)サイクルを３回行なってガス抜きを実施し、フリー
ズポンプソウサイクルを３回行なった後フラスコを密封
した。その後、得られた生成物を約６５℃に維持される
オイルバスで約２４時間重合させた。
【００６２】重合反応が終わった後、反応産物に適当量
（例えば、約５０ｍＬ）のテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）を添加して溶かし、過量のｎ−ヘキサン（１０倍）
に徐々に滴下しながら沈殿させた。沈殿物を再びＴＨＦ
（約５０ｍＬ）に溶かした後、過量のｎ−ヘキサン：イ
ソプロピルアルコール（混合比 約８：２）の混合溶液
中で２回再沈殿させた。沈殿したポリマーを約５０℃に
維持される真空オーブン内で約２４時間乾燥させて前記
構造式のようなコポリマーを回収した（収率８０％）。
（例えば、約５０ｍＬ）のテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）を添加して溶かし、過量のｎ−ヘキサン（１０倍）
に徐々に滴下しながら沈殿させた。沈殿物を再びＴＨＦ
（約５０ｍＬ）に溶かした後、過量のｎ−ヘキサン：イ
ソプロピルアルコール（混合比 約８：２）の混合溶液
中で２回再沈殿させた。沈殿したポリマーを約５０℃に
維持される真空オーブン内で約２４時間乾燥させて前記
構造式のようなコポリマーを回収した（収率８０％）。
【００６３】この時、得られた生成物の重量平均分子量
（Ｍｗ）は約７，８００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は約１．８であった。
（Ｍｗ）は約７，８００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は約１．８であった。
【００６４】実施例２：ポリマーの合成
本実施例では、下記ユニットを有するポリマーを合成し
た。
た。
【００６５】
【化１４】
【００６６】
【化１５】
【００６７】３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン（２．１
ｇ，２５ｍｍｏｌ）、精製された無水マレイン酸（７．
３５ｇ，７５ｍｍｏｌ）、ノルボルネン（４．７ｇ，５
０ｍｍｏｌ）及び２−メチル−２−アダマンチルメタク
リレート（１１．７ｇ，５０ｍｍｏｌ）、ハイパーラク
トン基を有する上記式（８）のモノマー（１２．５ｇ，
５０ｍｍｏｌ）、及びＡＩＢＮ（０．３３ｇ）を、丸底
フラスコに入れて無水ＴＨＦ（約５０ｇ）に溶かした
後、液体窒素バスでフリーズポンプソウサイクルを３回
行なってガス抜きを実施し、フリーズポンプソウサイク
ルを３回行なった後フラスコを密封した。その後、得ら
れた生成物を約６５℃に維持されるオイルバスで約２４
時間重合させた。
ｇ，２５ｍｍｏｌ）、精製された無水マレイン酸（７．
３５ｇ，７５ｍｍｏｌ）、ノルボルネン（４．７ｇ，５
０ｍｍｏｌ）及び２−メチル−２−アダマンチルメタク
リレート（１１．７ｇ，５０ｍｍｏｌ）、ハイパーラク
トン基を有する上記式（８）のモノマー（１２．５ｇ，
５０ｍｍｏｌ）、及びＡＩＢＮ（０．３３ｇ）を、丸底
フラスコに入れて無水ＴＨＦ（約５０ｇ）に溶かした
後、液体窒素バスでフリーズポンプソウサイクルを３回
行なってガス抜きを実施し、フリーズポンプソウサイク
ルを３回行なった後フラスコを密封した。その後、得ら
れた生成物を約６５℃に維持されるオイルバスで約２４
時間重合させた。
【００６８】重合反応が終わった後、反応産物に適当量
（例えば、約５０ｍＬ）のＴＨＦを添加して溶かし、過
量のｎ−ヘキサン（１０倍）に徐々に滴下しながら沈殿
させた。沈殿物を再びＴＨＦ（約５０ｍＬ）に溶かした
後、過量のｎ−ヘキサン：イソプロピルアルコール（混
合比 約８：２）の混合溶液中で２回再沈殿させた。沈
殿したポリマーを約５０℃に維持される真空オーブン内
で約２４時間乾燥させて前記構造式のようなコポリマー
を回収した（収率８２％）。
（例えば、約５０ｍＬ）のＴＨＦを添加して溶かし、過
量のｎ−ヘキサン（１０倍）に徐々に滴下しながら沈殿
させた。沈殿物を再びＴＨＦ（約５０ｍＬ）に溶かした
後、過量のｎ−ヘキサン：イソプロピルアルコール（混
合比 約８：２）の混合溶液中で２回再沈殿させた。沈
殿したポリマーを約５０℃に維持される真空オーブン内
で約２４時間乾燥させて前記構造式のようなコポリマー
を回収した（収率８２％）。
【００６９】この時、得られた生成物の重量平均分子量
（Ｍｗ）は約８，８００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は約１．８であった。
（Ｍｗ）は約８，８００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は約１．８であった。
【００７０】実施例３：ポリマーの合成
本実施例では、下記ユニットを有するポリマーを合成し
た。
た。
【００７１】
【化１６】
【００７２】
【化１７】
【００７３】３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン（２．１
ｇ，２５ｍｍｏｌ）、精製された無水マレイン酸（７．
３５ｇ，７５ｍｍｏｌ）、ノルボルネン（４．７ｇ，５
０ｍｍｏｌ）、２−メチル−２−アダマンチルメタクリ
レート（１１．７ｇ，５０ｍｍｏｌ）、ハイパーラクト
ン基を有する上記式（９）のモノマー（１１．８ｇ，５
０ｍｍｏｌ）、及びＡＩＢＮ（０．３３ｇ）を、丸底フ
ラスコに入れて無水ＴＨＦ（約５０ｇ）に溶かした後、
液体窒素バスでフリーズポンプソウサイクルを３回行な
ってガス抜きを実施し、フリーズポンプソウサイクルを
３回行なった後フラスコを密封した。その後、得られた
生成物を約６５℃に維持されるオイルバスで約２４時間
重合させた。
ｇ，２５ｍｍｏｌ）、精製された無水マレイン酸（７．
３５ｇ，７５ｍｍｏｌ）、ノルボルネン（４．７ｇ，５
０ｍｍｏｌ）、２−メチル−２−アダマンチルメタクリ
レート（１１．７ｇ，５０ｍｍｏｌ）、ハイパーラクト
ン基を有する上記式（９）のモノマー（１１．８ｇ，５
０ｍｍｏｌ）、及びＡＩＢＮ（０．３３ｇ）を、丸底フ
ラスコに入れて無水ＴＨＦ（約５０ｇ）に溶かした後、
液体窒素バスでフリーズポンプソウサイクルを３回行な
ってガス抜きを実施し、フリーズポンプソウサイクルを
３回行なった後フラスコを密封した。その後、得られた
生成物を約６５℃に維持されるオイルバスで約２４時間
重合させた。
【００７４】重合反応が終わった後、反応産物に適当量
（例えば、約５０ｍＬ）のＴＨＦを添加して溶かし、過
量のｎ−ヘキサン（１０倍）に徐々に滴下しながら沈殿
させた。沈殿物を再びＴＨＦ（約５０ｍＬ）に溶かした
後、過量のｎ−ヘキサン：イソプロピルアルコール（混
合比 約８：２）の混合溶液中で２回再沈殿させた。沈
殿したポリマーを約５０℃に維持される真空オーブン内
で約２４時間乾燥させて前記構造式のようなコポリマー
を回収した（収率８１％）。
（例えば、約５０ｍＬ）のＴＨＦを添加して溶かし、過
量のｎ−ヘキサン（１０倍）に徐々に滴下しながら沈殿
させた。沈殿物を再びＴＨＦ（約５０ｍＬ）に溶かした
後、過量のｎ−ヘキサン：イソプロピルアルコール（混
合比 約８：２）の混合溶液中で２回再沈殿させた。沈
殿したポリマーを約５０℃に維持される真空オーブン内
で約２４時間乾燥させて前記構造式のようなコポリマー
を回収した（収率８１％）。
【００７５】この時、得られた生成物の重量平均分子量
（Ｍｗ）は約９，７００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は約１．８であった。
（Ｍｗ）は約９，７００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は約１．８であった。
【００７６】実施例４：ポリマーの合成
本実施例では、下記ユニットを有するポリマーを合成し
た。
た。
【００７７】
【化１８】
【００７８】
【化１９】
【００７９】３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン（２．１
ｇ，２５ｍｍｏｌ）、精製された無水マレイン酸（７．
３５ｇ，７５ｍｍｏｌ）、ノルボルネン（４．７ｇ，５
０ｍｍｏｌ）、２−メチル−２−アダマンチルメタクリ
レート（１１．７ｇ，５０ｍｍｏｌ）、上記式（１０）
のモノマー（１３．３ｇ，５０ｍｍｏｌ）、及びＡＩＢ
Ｎ（０．３３ｇ）を、丸底フラスコに入れて無水ＴＨＦ
（約６０ｇ）に溶かした後、液体窒素バスでフリーズポ
ンプソウサイクルを３回行なってガス抜きを実施し、フ
リーズポンプソウサイクルを３回行なった後フラスコを
密封した。その後、得られた生成物を約７０℃に維持さ
れるオイルバスで約２４時間重合させた。
ｇ，２５ｍｍｏｌ）、精製された無水マレイン酸（７．
３５ｇ，７５ｍｍｏｌ）、ノルボルネン（４．７ｇ，５
０ｍｍｏｌ）、２−メチル−２−アダマンチルメタクリ
レート（１１．７ｇ，５０ｍｍｏｌ）、上記式（１０）
のモノマー（１３．３ｇ，５０ｍｍｏｌ）、及びＡＩＢ
Ｎ（０．３３ｇ）を、丸底フラスコに入れて無水ＴＨＦ
（約６０ｇ）に溶かした後、液体窒素バスでフリーズポ
ンプソウサイクルを３回行なってガス抜きを実施し、フ
リーズポンプソウサイクルを３回行なった後フラスコを
密封した。その後、得られた生成物を約７０℃に維持さ
れるオイルバスで約２４時間重合させた。
【００８０】重合反応が終わった後、反応産物に適当量
（例えば、約５０ｍＬ）のＴＨＦを添加して溶かし、過
量のｎ−ヘキサン（１０倍）に徐々に滴下しながら沈殿
させた。沈殿物を再びＴＨＦ（約５０ｍＬ）に溶かした
後、過量のイソプロピルアルコール（混合比 約８：
２）の混合溶液中で２回再沈殿させた。沈殿したポリマ
ーを約５０℃に維持される真空オーブン内で約２４時間
乾燥させて前記構造式のようなコポリマーを回収した
（収率８５％）。
（例えば、約５０ｍＬ）のＴＨＦを添加して溶かし、過
量のｎ−ヘキサン（１０倍）に徐々に滴下しながら沈殿
させた。沈殿物を再びＴＨＦ（約５０ｍＬ）に溶かした
後、過量のイソプロピルアルコール（混合比 約８：
２）の混合溶液中で２回再沈殿させた。沈殿したポリマ
ーを約５０℃に維持される真空オーブン内で約２４時間
乾燥させて前記構造式のようなコポリマーを回収した
（収率８５％）。
【００８１】この時、得られた生成物の重量平均分子量
（Ｍｗ）は約１２，０００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は約１．７であった。
（Ｍｗ）は約１２，０００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は約１．７であった。
【００８２】実施例５：ポリマーの合成
本実施例では、下記ユニットを有するポリマーを合成し
た。
た。
【００８３】
【化２０】
【００８４】
【化２１】
【００８５】３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン（２．１
ｇ，２５ｍｍｏｌ）、精製された無水マレイン酸（７．
３５ｇ，７５ｍｍｏｌ）、ノルボルネン（４．７ｇ，５
０ｍｍｏｌ）、２−メチル−２−アダマンチルメタクリ
レート（１１．７ｇ，５０ｍｍｏｌ）、上記式（１１）
のモノマー（１１．２ｇ，５０ｍｍｏｌ）、及びＡＩＢ
Ｎ（０．３３ｇ）を、丸底フラスコに入れて無水ＴＨＦ
（約６０ｇ）に溶かした後、液体窒素バスでフリーズポ
ンプソウサイクルを３回行なってガス抜きを実施し、フ
リーズポンプソウサイクルを３回行なった後フラスコを
密封した。その後、得られた生成物を約７０℃に維持さ
れるオイルバスで約２４時間重合させた。
ｇ，２５ｍｍｏｌ）、精製された無水マレイン酸（７．
３５ｇ，７５ｍｍｏｌ）、ノルボルネン（４．７ｇ，５
０ｍｍｏｌ）、２−メチル−２−アダマンチルメタクリ
レート（１１．７ｇ，５０ｍｍｏｌ）、上記式（１１）
のモノマー（１１．２ｇ，５０ｍｍｏｌ）、及びＡＩＢ
Ｎ（０．３３ｇ）を、丸底フラスコに入れて無水ＴＨＦ
（約６０ｇ）に溶かした後、液体窒素バスでフリーズポ
ンプソウサイクルを３回行なってガス抜きを実施し、フ
リーズポンプソウサイクルを３回行なった後フラスコを
密封した。その後、得られた生成物を約７０℃に維持さ
れるオイルバスで約２４時間重合させた。
【００８６】重合反応が終わった後、反応産物に適当量
（例えば、約５０ｍＬ）のＴＨＦを添加して溶かし、過
量のｎ−ヘキサン（１０倍）に徐々に滴下しながら沈殿
させた。沈殿物を再びＴＨＦ（約５０ｍＬ）に溶かした
後、過量のイソプロピルアルコール（混合比 約８：
２）の混合溶液中で２回再沈殿させた。沈殿したポリマ
ーを約５０℃に維持される真空オーブン内で約２４時間
乾燥させて前記構造式のようなコポリマーを回収した
（収率８３％）。
（例えば、約５０ｍＬ）のＴＨＦを添加して溶かし、過
量のｎ−ヘキサン（１０倍）に徐々に滴下しながら沈殿
させた。沈殿物を再びＴＨＦ（約５０ｍＬ）に溶かした
後、過量のイソプロピルアルコール（混合比 約８：
２）の混合溶液中で２回再沈殿させた。沈殿したポリマ
ーを約５０℃に維持される真空オーブン内で約２４時間
乾燥させて前記構造式のようなコポリマーを回収した
（収率８３％）。
【００８７】この時、得られた生成物の重量平均分子量
（Ｍｗ）は約８，０００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は約１．７であった。
（Ｍｗ）は約８，０００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）は約１．７であった。
【００８８】実施例６：レジスト組成物の調製及びリソ
グラフィー性能 実施例１で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホン酸塩（トリフレート）（１０ｍｇ）と、有機塩基で
あるトリイソブチルアミン（ＰＡＧの量を基準に約２０
モル％）とをシクロヘキサノン（約８．０ｇ）溶剤に入
れて完全に溶かした後、０．２μｍメンブレンフィルタ
ーを利用してろ過してレジスト組成物を得た。約３００
０ｒｐｍでヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で処理
されたベアのシリコンウェハ上に、前記で得られたレジ
スト組成物を約０．３μｍの厚さでコーティングした。
グラフィー性能 実施例１で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホン酸塩（トリフレート）（１０ｍｇ）と、有機塩基で
あるトリイソブチルアミン（ＰＡＧの量を基準に約２０
モル％）とをシクロヘキサノン（約８．０ｇ）溶剤に入
れて完全に溶かした後、０．２μｍメンブレンフィルタ
ーを利用してろ過してレジスト組成物を得た。約３００
０ｒｐｍでヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で処理
されたベアのシリコンウェハ上に、前記で得られたレジ
スト組成物を約０．３μｍの厚さでコーティングした。
【００８９】その後、前記レジスト組成物がコーティン
グされたウェハを、約１２０℃で約９０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー（ＩＳＩ社
製、ＮＡ＝０．６、σ＝０．７）を利用して露光した
後、約１２０℃で約６０秒間ＰＥＢ(post-exposure bak
e)を実施した。
グされたウェハを、約１２０℃で約９０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー（ＩＳＩ社
製、ＮＡ＝０．６、σ＝０．７）を利用して露光した
後、約１２０℃で約６０秒間ＰＥＢ(post-exposure bak
e)を実施した。
【００９０】その後、このようにして得られたウェハ
を、２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム
（ＴＭＡＨ）溶液を使用して約６０秒間現像してレジス
トパターンを形成した。その結果、露光ドーズ量を約１
５ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１８μｍラインアンドス
ペースパターンが得られることを確認した。
を、２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム
（ＴＭＡＨ）溶液を使用して約６０秒間現像してレジス
トパターンを形成した。その結果、露光ドーズ量を約１
５ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１８μｍラインアンドス
ペースパターンが得られることを確認した。
【００９１】実施例７：レジスト組成物の調製及びリソ
グラフィー性能 実施例１で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート（５ｍｇ）
およびトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンス
ルホン酸塩（ノナフレート）（１０ｍｇ）と、有機塩基
であるＮ−アリルカプロラクタム（ＰＡＧの量を基準に
約３０モル％）とをシクロヘキサノン（約８．０ｇ）溶
剤に入れて完全に溶かした後、０．２μｍメンブレンフ
ィルターを利用してろ過してレジスト組成物を得た。約
３０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理したベアのＳｉウェハ上
に、前記で得られたレジスト組成物を約０．３μｍの厚
さでコーティングした。
グラフィー性能 実施例１で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート（５ｍｇ）
およびトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンス
ルホン酸塩（ノナフレート）（１０ｍｇ）と、有機塩基
であるＮ−アリルカプロラクタム（ＰＡＧの量を基準に
約３０モル％）とをシクロヘキサノン（約８．０ｇ）溶
剤に入れて完全に溶かした後、０．２μｍメンブレンフ
ィルターを利用してろ過してレジスト組成物を得た。約
３０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理したベアのＳｉウェハ上
に、前記で得られたレジスト組成物を約０．３μｍの厚
さでコーティングした。
【００９２】その後、前記レジスト組成物がコーティン
グされたウェハを、約１２０℃で約９０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー（ＩＳＩ社
製、ＮＡ＝０．６、σ＝０．７）を利用して露光した
後、約１２０℃で約６０秒間ＰＥＢを実施した。
グされたウェハを、約１２０℃で約９０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー（ＩＳＩ社
製、ＮＡ＝０．６、σ＝０．７）を利用して露光した
後、約１２０℃で約６０秒間ＰＥＢを実施した。
【００９３】その後、このようにして得られたウェハ
を、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使用して約６０秒間
現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光
ドーズ量を約１７ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１３μｍ
ラインアンドスペースパターンが得られることを確認し
た。
を、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使用して約６０秒間
現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光
ドーズ量を約１７ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１３μｍ
ラインアンドスペースパターンが得られることを確認し
た。
【００９４】実施例８：レジスト組成物の調製及びリソ
グラフィー性能 実施例２で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート（１０ｍ
ｇ）と、有機塩基であるトリイソデシルアミン（ＰＡＧ
の量を基準に約１５モル％）とをシクロヘキサノン（約
８．０ｇ）溶剤に入れて完全に溶かした後、０．２μｍ
メンブレンフィルターを利用してろ過してレジスト組成
物を得た。約３０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理したベアの
Ｓｉウェーハ上に、前記で得られたレジスト組成物を約
０．３μｍの厚さでコーティングした。
グラフィー性能 実施例２で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート（１０ｍ
ｇ）と、有機塩基であるトリイソデシルアミン（ＰＡＧ
の量を基準に約１５モル％）とをシクロヘキサノン（約
８．０ｇ）溶剤に入れて完全に溶かした後、０．２μｍ
メンブレンフィルターを利用してろ過してレジスト組成
物を得た。約３０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理したベアの
Ｓｉウェーハ上に、前記で得られたレジスト組成物を約
０．３μｍの厚さでコーティングした。
【００９５】その後、前記レジスト組成物がコーティン
グされたウェハを、約１２０℃で約９０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー（ＩＳＩ社
製、ＮＡ＝０．６、σ＝０．７）を利用して露光した
後、約１２０℃で約６０秒間ＰＥＢを実施した。
グされたウェハを、約１２０℃で約９０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー（ＩＳＩ社
製、ＮＡ＝０．６、σ＝０．７）を利用して露光した
後、約１２０℃で約６０秒間ＰＥＢを実施した。
【００９６】その後、このようにして得られたウェハ
を、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使用して約６０秒間
現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光
ドーズ量を約１８ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１４μｍ
ラインアンドスペースパターンが得られることを確認し
た。
を、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使用して約６０秒間
現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光
ドーズ量を約１８ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１４μｍ
ラインアンドスペースパターンが得られることを確認し
た。
【００９７】実施例９：レジスト組成物の調製及びリソ
グラフィー性能 実施例３で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムノナフレート（５ｍｇ）
と、有機塩基であるトリイソブチルアミン（ＰＡＧの量
を基準に約２０モル％）とをシクロヘキサノン（約８．
０ｇ）溶剤に入れて完全に溶かした後、０．２μｍメン
ブレンフィルターを利用してろ過してレジスト組成物を
得た。約３０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理したベアのＳｉ
ウェーハ上に、前記で得られたレジスト組成物を約０．
３μｍの厚さでコーティングした。
グラフィー性能 実施例３で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムノナフレート（５ｍｇ）
と、有機塩基であるトリイソブチルアミン（ＰＡＧの量
を基準に約２０モル％）とをシクロヘキサノン（約８．
０ｇ）溶剤に入れて完全に溶かした後、０．２μｍメン
ブレンフィルターを利用してろ過してレジスト組成物を
得た。約３０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理したベアのＳｉ
ウェーハ上に、前記で得られたレジスト組成物を約０．
３μｍの厚さでコーティングした。
【００９８】その後、前記レジスト組成物がコーティン
グされたウェハを、約１２０℃で約９０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー（ＩＳＩ社
製、ＮＡ＝０．６、σ＝０．７）を利用して露光した
後、約１２０℃で約９０秒間ＰＥＢを実施した。
グされたウェハを、約１２０℃で約９０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー（ＩＳＩ社
製、ＮＡ＝０．６、σ＝０．７）を利用して露光した
後、約１２０℃で約９０秒間ＰＥＢを実施した。
【００９９】その後、このようにして得られたウェハ
を、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使用して約６０秒間
現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光
ドーズ量を約２６ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１８μｍ
ラインアンドスペースパターンが得られることを確認し
た。
を、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使用して約６０秒間
現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光
ドーズ量を約２６ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１８μｍ
ラインアンドスペースパターンが得られることを確認し
た。
【０１００】実施例１０：レジスト組成物の調製及びリ
ソグラフィー性能 実施例４で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート（５ｍｇ）
およびトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンス
ルホン酸塩（ノナフレート）（１０ｍｇ）と、有機塩基
であるＮ−アリルカプロラクタム（ＰＡＧの量を基準に
約３０モル％）とをシクロヘキサノン（約８．０ｇ）溶
剤に入れて完全に溶かした後、０．２μｍメンブレンフ
ィルターを利用してろ過してレジスト組成物を得た。約
３０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理したベアのＳｉウェーハ
上に、前記で得られたレジスト組成物を約０．２７μｍ
の厚さでコーティングした。
ソグラフィー性能 実施例４で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート（５ｍｇ）
およびトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンス
ルホン酸塩（ノナフレート）（１０ｍｇ）と、有機塩基
であるＮ−アリルカプロラクタム（ＰＡＧの量を基準に
約３０モル％）とをシクロヘキサノン（約８．０ｇ）溶
剤に入れて完全に溶かした後、０．２μｍメンブレンフ
ィルターを利用してろ過してレジスト組成物を得た。約
３０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理したベアのＳｉウェーハ
上に、前記で得られたレジスト組成物を約０．２７μｍ
の厚さでコーティングした。
【０１０１】その後、前記レジスト組成物がコーティン
グされたウェハを、約１２０℃で約６０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ
／１１００，ＮＡ＝０．７５，σ＝０．５５／０．８
５）を利用して露光した後、約１２０℃で約６０秒間Ｐ
ＥＢを実施した。
グされたウェハを、約１２０℃で約６０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ
／１１００，ＮＡ＝０．７５，σ＝０．５５／０．８
５）を利用して露光した後、約１２０℃で約６０秒間Ｐ
ＥＢを実施した。
【０１０２】その後、このようにして得られたウェハ
を、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使用して約６０秒間
現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光
ドーズ量を約２６ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１μｍラ
インアンドスペースパターンが得られることを確認し
た。
を、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使用して約６０秒間
現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光
ドーズ量を約２６ｍＪ／ｃｍ2とした時に０．１μｍラ
インアンドスペースパターンが得られることを確認し
た。
【０１０３】実施例１１：レジスト組成物の調製及びリ
ソグラフィー性能 実施例５で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート（５ｍｇ）
およびトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンス
ルホン酸塩（ノナフレート）（１０ｍｇ）と、有機塩基
であるＮ−アリルカプロラクタム（ＰＡＧの量を基準に
約３０モル％）とをシクロヘキサノン（約８．０ｇ）溶
剤に入れて完全に溶かした後、０．２μｍメンブレンフ
ィルターを利用してろ過してレジスト組成物を得た。約
３０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理したベアのＳｉウェーハ
上に、前記で得られたレジスト組成物を約０．２７μｍ
の厚さでコーティングした。
ソグラフィー性能 実施例５で合成したポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート（５ｍｇ）
およびトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンス
ルホン酸塩（ノナフレート）（１０ｍｇ）と、有機塩基
であるＮ−アリルカプロラクタム（ＰＡＧの量を基準に
約３０モル％）とをシクロヘキサノン（約８．０ｇ）溶
剤に入れて完全に溶かした後、０．２μｍメンブレンフ
ィルターを利用してろ過してレジスト組成物を得た。約
３０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理したベアのＳｉウェーハ
上に、前記で得られたレジスト組成物を約０．２７μｍ
の厚さでコーティングした。
【０１０４】その後、前記レジスト組成物がコーティン
グされたウェハを、約１２０℃で約６０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ
／１１００，ＮＡ＝０．７５，σ＝０．５５／０．８
５）を利用して露光した後、約１２０℃で約６０秒間Ｐ
ＥＢを実施した。
グされたウェハを、約１２０℃で約６０秒間プレベーキ
ングし、ＡｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ
／１１００，ＮＡ＝０．７５，σ＝０．５５／０．８
５）を利用して露光した後、約１２０℃で約６０秒間Ｐ
ＥＢを実施した。
【０１０５】その後、このようにして得られたウェハ
を、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使用して約６０秒間
現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光
ドーズ量を約２５ｍＪ／ｃｍ2とした時に９６ｎｍライ
ンアンドスペースパターンが得られることを確認した。
を、２．３８質量％ＴＭＡＨ溶液を使用して約６０秒間
現像してレジストパターンを形成した。その結果、露光
ドーズ量を約２５ｍＪ／ｃｍ2とした時に９６ｎｍライ
ンアンドスペースパターンが得られることを確認した。
【０１０６】
【発明の効果】本発明による感光性ポリマーは、疎水性
のノルボルネンモノマーユニットと親水性の無水マレイ
ン酸モノマーユニットとの交互重合性質を利用し、かつ
反応性比が互いに類似した親水性の（メタ）アクリレー
トモノマーユニット及び疎水性の（メタ）アクリレート
モノマーユニットを同時に使用して製造された共重合体
構造を有するものである。したがって、本発明による感
光性ポリマーは、重合時に親水性ユニットと疎水性ユニ
ットとが交互に連結されるように共重合されて疎水性部
分及び親水性部分が均一に分布している構造を有してい
る。このような構造を有する本発明による感光性ポリマ
ーを原料として調製されたレジスト組成物は、共重合体
の均一性のために現像液に対し均一な溶解度を表し、下
部膜に対する接着特性および解像度が優秀である。した
がって、１００ｎｍ以下の線幅を有する微細パターン形
成のためのフォトリソグラフィー工程で、架橋欠陥、剥
離現象、膨脹現象などが発生する可能性を顕著に減らす
ことができる。
のノルボルネンモノマーユニットと親水性の無水マレイ
ン酸モノマーユニットとの交互重合性質を利用し、かつ
反応性比が互いに類似した親水性の（メタ）アクリレー
トモノマーユニット及び疎水性の（メタ）アクリレート
モノマーユニットを同時に使用して製造された共重合体
構造を有するものである。したがって、本発明による感
光性ポリマーは、重合時に親水性ユニットと疎水性ユニ
ットとが交互に連結されるように共重合されて疎水性部
分及び親水性部分が均一に分布している構造を有してい
る。このような構造を有する本発明による感光性ポリマ
ーを原料として調製されたレジスト組成物は、共重合体
の均一性のために現像液に対し均一な溶解度を表し、下
部膜に対する接着特性および解像度が優秀である。した
がって、１００ｎｍ以下の線幅を有する微細パターン形
成のためのフォトリソグラフィー工程で、架橋欠陥、剥
離現象、膨脹現象などが発生する可能性を顕著に減らす
ことができる。
【０１０７】本発明によるレジスト組成物は、短波長領
域、例えば、１９３ｎｍ、さらにはＤＵＶ(deep UV)領
域、例えば、約２４８ｎｍの光源を利用するフォトリソ
グラフィー工程に適用する時に非常に優秀なリソグラフ
ィー性能を発揮するため、今後次世代の半導体素子の製
造に非常に有用である。
域、例えば、１９３ｎｍ、さらにはＤＵＶ(deep UV)領
域、例えば、約２４８ｎｍの光源を利用するフォトリソ
グラフィー工程に適用する時に非常に優秀なリソグラフ
ィー性能を発揮するため、今後次世代の半導体素子の製
造に非常に有用である。
【０１０８】以上、本発明を望ましい実施例をあげて詳
細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本
発明の技術的思想範囲内で当業者により色々な変形が可
能である。
細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本
発明の技術的思想範囲内で当業者により色々な変形が可
能である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ
(72)発明者 鄭 明 浩
大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里山７−
１番地 月桂樹棟310号
Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA04 AB16 AC04 AD03
BE00 BG00 CC20 FA03 FA12
FA17
4J100 AK32Q AL03S AL08S AL08T
AR11P AR32R BA03T BA11T
BA16T BC08S BC09S BC09T
BC12S BC53S BC53T CA03
JA38
Claims (22)
- 【請求項１】 下記式： 【化１】 式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子また
はメチル基であり、Ｒ3は酸により分解できるＣ4〜Ｃ20
の炭化水素基であり、Ｒ4は親水性基であり、ａ、ｂ、
ｃ、ｄ及びｅは各繰り返し単位の重合度を表わし、ａ／
（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６、ｂ／（ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０５〜０．７、ｃ／（ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ＋ｅ）＝０．１〜０．５、ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ）＝０．０１〜０．５である、で表わされる構造を含
むことを特徴とする感光性ポリマー。 - 【請求項２】 ３，０００〜１００，０００の重量平均
分子量を有することを特徴とする請求項１に記載の感光
性ポリマー。 - 【請求項３】 Ｒ4はヒドロキシル基、カルボキシル
基、エーテル基、ラクトン基及びハイパーラクトン基よ
りなる群から選択される少なくとも一つの構造を含む基
であることを特徴とする請求項１または２に記載の感光
性ポリマー。 - 【請求項４】 Ｒ4は下記式： 【化２】 式中、＊はポリマーバックボーンに連結される位置を表
す、よりなる群から選択される少なくとも一つの構造を
有することを特徴とする請求項３に記載の感光性ポリマ
ー。 - 【請求項５】 Ｒ3はｔ−ブチル基であることを特徴と
する請求項１〜４のいずれか１項に記載の感光性ポリマ
ー。 - 【請求項６】 Ｒ3はテトラヒドロピラニル基であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の感光性ポリマー。 - 【請求項７】 Ｒ3は酸により分解できる脂環式炭化水
素基であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１
項に記載の感光性ポリマー。 - 【請求項８】 Ｒ3は、２−メチル−２−ノルボルニル
基、２−エチル−２−ノルボルニル基、２−メチル−２
−イソボルニル基、２−エチル−２−イソボルニル基、
８−メチル−８−トリシクロ［５．２．１．０2,6］デ
カニル基、８−エチル−８−トリシクロ［５．２．１．
０2,6］デカニル基、２−メチル−２−アダマンチル
基、２−エチル−２−アダマンチル基、２−メチル−２
−フェンキル基または２−エチル−２−フェンキル基で
あることを特徴とする請求項７に記載の感光性ポリマ
ー。 - 【請求項９】 （ａ）下記式： 【化３】 式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子また
はメチル基であり、Ｒ3は酸により分解できるＣ4〜Ｃ20
の炭化水素基であり、Ｒ4は親水性基であり、ａ、ｂ、
ｃ、ｄ及びｅは各繰り返し単位の重合度を表わし、ａ／
（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６，ｂ／（ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０５〜０．７，ｃ／（ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ）＝０．０１〜０．６，ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ＋ｅ）＝０．１〜０．５，ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ）＝０．０１〜０．５である、で表わされる構造を含
む感光性ポリマーと、（ｂ）ＰＡＧ(photoacid generat
or)とを含むことを特徴とするレジスト組成物。 - 【請求項１０】 前記感光性ポリマーは３，０００〜１
００，０００の重量平均分子量を有することを特徴とす
る請求項９に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１１】 Ｒ4はヒドロキシル基、カルボキシル
基、エーテル基、ラクトン基及びハイパーラクトン基よ
りなる群から選択される少なくとも一つの構造を含む基
であることを特徴とする請求項９または１０に記載のレ
ジスト組成物。 - 【請求項１２】 Ｒ4は下記式： 【化４】 式中、＊はポリマーバックボーンに連結される位置を表
す、よりなる群から選択される少なくとも一つの構造を
有することを特徴とする請求項１１に記載のレジスト組
成物。 - 【請求項１３】 Ｒ3はｔ−ブチル基であることを特徴
とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載のレジスト
組成物。 - 【請求項１４】 Ｒ3はテトラヒドロピラニル基である
ことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載
のレジスト組成物。 - 【請求項１５】 Ｒ3は酸により分解できる脂環式炭化
水素基であることを特徴とする請求項９〜１２のいずれ
か１項に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１６】 Ｒ3は、２−メチル−２−ノルボルニ
ル基、２−エチル−２−ノルボルニル基、２−メチル−
２−イソボルニル基、２−エチル−２−イソボルニル
基、８−メチル−８−トリシクロ［５．２．１．
０2,6］デカニル基、８−エチル−８−トリシクロ
［５．２．１．０2,6］デカニル基、２−メチル−２−
アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、２
−メチル−２−フェンキル基または２−エチル−２−フ
ェンキル基であることを特徴とする請求項１５に記載の
レジスト組成物。 - 【請求項１７】 前記ＰＡＧは前記感光性ポリマーの質
量を基準に０．５〜２０質量％の量で含まれていること
を特徴とする請求項９〜１６のいずれか１項に記載のレ
ジスト組成物。 - 【請求項１８】 前記ＰＡＧはトリアリールスルホニウ
ム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホン酸塩または
その混合物よりなることを特徴とする請求項９〜１７の
いずれか１項に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１９】 有機塩基をさらに含むことを特徴とす
る請求項９〜１８のいずれか１項に記載のレジスト組成
物。 - 【請求項２０】 前記有機塩基は前記ＰＡＧの量を基準
に０．５〜５０モル％の量で含まれていることを特徴と
する請求項１９に記載のレジスト組成物。 - 【請求項２１】 前記有機塩基は第３級アミン化合物を
含むことを特徴とする請求項１９または２０に記載のレ
ジスト組成物。 - 【請求項２２】 前記有機塩基はトリエチルアミン、ト
リイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイ
ソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノール
アミン、Ｎ−アルキル置換ピロリジノン、Ｎ−アルキル
置換カプロラクタム、Ｎ−アリルカプロラクタム、Ｎ−
アルキル置換バレロラクタムまたはそれらの混合物であ
ることを特徴とする請求項１９〜２１のいずれか１項に
記載のレジスト組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2002-025137 | 2002-05-07 | ||
| KR1020020025137A KR20030087190A (ko) | 2002-05-07 | 2002-05-07 | 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003327631A true JP2003327631A (ja) | 2003-11-19 |
Family
ID=29417339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003111886A Withdrawn JP2003327631A (ja) | 2002-05-07 | 2003-04-16 | 感光性ポリマーおよびこれを含むレジスト組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030215758A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003327631A (ja) |
| KR (1) | KR20030087190A (ja) |
| CN (1) | CN1456580A (ja) |
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| JP2006011181A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Canon Inc | 感光性樹脂組成物、ならびにこれを用いた段差パターンの製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法 |
| WO2009110503A1 (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-11 | 株式会社日本触媒 | 重合体、硬化性樹脂組成物、硬化物、及び物品 |
| JP2013242542A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-12-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2013242543A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-12-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2013257549A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2014115631A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-06-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US6962768B2 (en) * | 2002-04-24 | 2005-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ether monomers and polymers having multi-ring structures, and photosensitive polymers and resist compositions obtained from the same |
| KR100660016B1 (ko) | 2005-02-18 | 2006-12-20 | 삼성전자주식회사 | 감광성 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP6208976B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2017-10-04 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6280897B1 (en) * | 1996-12-24 | 2001-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition, method for forming pattern using the same, and method for manufacturing electronic parts |
| ATE542837T1 (de) * | 1998-02-23 | 2012-02-15 | Sumitomo Bakelite Co | Polycyclische resistzusammensetzungen mit verbesserter ätzbeständigkeit |
| JP3042618B2 (ja) * | 1998-07-03 | 2000-05-15 | 日本電気株式会社 | ラクトン構造を有する（メタ）アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法 |
| US6673513B2 (en) * | 2000-01-19 | 2004-01-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive polymer including copolymer of alkyl vinyl ether and resist composition containing the same |
| KR100413756B1 (ko) * | 2000-01-19 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 알킬 비닐 에테르의 공중합체를 포함하는 감광성 폴리머및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| US6306554B1 (en) * | 2000-05-09 | 2001-10-23 | Shipley Company, L.L.C. | Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same |
| KR100765245B1 (ko) * | 2000-09-25 | 2007-10-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 포토레지스트 조성물 |
| JP4034538B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2008-01-16 | 株式会社東芝 | フォトレジスト用高分子化合物、単量体化合物、感光性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 |
-
2002
- 2002-05-07 KR KR1020020025137A patent/KR20030087190A/ko not_active Application Discontinuation
-
2003
- 2003-04-08 US US10/409,346 patent/US20030215758A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-14 CN CN03110159A patent/CN1456580A/zh active Pending
- 2003-04-16 JP JP2003111886A patent/JP2003327631A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
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| WO2009110503A1 (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-11 | 株式会社日本触媒 | 重合体、硬化性樹脂組成物、硬化物、及び物品 |
| US8399583B2 (en) | 2008-03-05 | 2013-03-19 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Polymer, curable resin composition, cured product, and article |
| JP2013242542A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-12-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
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| JP2014115631A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-06-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1456580A (zh) | 2003-11-19 |
| US20030215758A1 (en) | 2003-11-20 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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