JP3758973B2 - 感光性ポリマー及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は感光性ポリマー及び化学増幅型レジスト組成物に係り、特にポリマーの主鎖が完全にノルボルネン型の環状構造だけで構成された感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造において、製造工程が複雑になり半導体素子の集積度が増加するにつれ、微細なパターン形成が要求される。さらに、半導体素子の容量が1ギガビット級以上の素子において、デザインルールが0.2μm以下であるパターンサイズが要求され、それにより既存のKrFエキシマレーザー(248nm)を用いたレジスト材料を使用するのに限界がある。従って、新たなエネルギー露光源であるArFエキシマレーザー(193nm)を用いたリソグラフィ技術が登場した。
【0003】
このようなArFエキシマレーザーを用いたリソグラフィに用いられるレジスト材料は既存のレジスト材料に比べて常用化するには多くの問題点がある。最も代表的な問題点としてポリマーの透過度及び乾式蝕刻に対する耐性をあげることができる。
【0004】
今まで知られている一般的なArFレジストとして、アクリル系またはメタクリル系ポリマーが主に使われてきた。その中で、IBM社のターポリマーシステムのポリ(メチルメタクリレート−t−ブチルメタクリレート−メタクリル酸)が代表的である。このようなポリマーの深刻な問題は乾式蝕刻に対する耐性が非常に悪いということである。
【0005】
それにより、乾式蝕刻に対する耐性を強化するために乾式蝕刻に強い耐性を有する物質である脂環式化合物、例をあげればイソボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデカニル基などをポリマーの側鎖に導入する方法を使用している。しかし、これらは依然として乾式蝕刻に対する耐性が弱い。
【0006】
乾式蝕刻に対する耐性を高めるための他の方法として、マトリックス高分子の主鎖に脂環式ノルボルネン型の環状構造が含まれるポリマーが開発されている。しかしながら、ノルボルネン型モノマーだけではラジカル重合が進まないために、このようなノルボルネン型ポリマーはノルボルネン型モノマーと無水マレイン酸との交互共重合によってのみ製造されてきた。しかしながら、無水マレイン酸の導入により乾式蝕刻に対する耐性が弱化し、経時安定性が不良で貯蔵寿命が短くなる短所がある。
【0007】
これにより、パラジウムのような金属触媒を使用する付加重合法を利用し、主鎖が完全にノルボルネン型環状構造のみから構成される共重合体を得ようとする試みが進められている(Joice P.Mathew et al.、Macromolecules、1996、29(8)、p2755参照)。しかし、このような金属触媒を重合後に完全に除去することが難しく、従って前記ポリマーから得られたレジスト組成物を使用する場合にウェーハ上に金属成分が残留してしまう。そのため、前述のようなレジスト組成物を半導体素子のような電子材料の製造に使用することには問題がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は前述の従来技術の問題点を解決しようとするもので、乾式蝕刻に対する耐性を十分に確保することができる感光性ポリマーを提供することである。
【0009】
本発明の他の目的は前記の感光性ポリマーを含んでなされ、半導体素子のような電子材料を製造するあたりウェーハ上に金属成分が残留する心配がなく、ArFエキシマレーザーを利用するリソグラフィ工程にて優れたリソグラフィパフォーマンスを提供できるレジスト組成物を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の前記目的は、主鎖が完全にノルボルネン型の環状構造だけで構成される感光性ポリマーによって達成される。
【0011】
従って本発明は、式I:
【0012】
【化2】
【0013】
(式中、R1は酸により分解される第3アルキルエステル基であり、R2は水素原子、メチ、エチル、カルボキシル、γ−ブチロラクトン−2−イル−エステル、γ−ブチロラクトン−3−イル−エステル、パントラクトン−2−イル−エステル、メバロニックラクトンエステル、3−テトラヒドロフラニル−エステル、2,3−プロピレンカーボネート−1−イル−エステル、3−メチル−γ−ブチロラクトン−3−イル−エステルまたは炭素数3〜20の脂環式炭化水素化合物であり、a/(a+b+c)=0.1〜0.7であり、b/(a+b+c)=0.1〜0.8であり、c/(a+b+c)=0.0〜0.8であり、nは0〜2の整数である。但し、n=1または2、c=0、かつR 1 がt−ブチルエステルになる条件を除外する、またR 1 =t−ブチルエステルにおいて、n=1または2、かつR 2 がカルボンキシルの条件も除外する、またR 1 =t−ブチルエステルで、かつR 2 =パントラクトン−2−イルエステルまたはメバロニックラクトンエステルの条件のポリマーを除外する。)で示される感光性ポリマーである。
【0014】
さらに本発明は、重量平均分子量が1,000〜100,000である、前記感光性ポリマーである。
【0015】
また、本発明は、R1は置換または非置換の炭素数7〜20の脂環式炭化水素基を有し、かつ酸により分解される第3アルキルエステル基である、前記感光性ポリマーである。
【0016】
さらに本発明は、R1は2−メチル−2−ノルボルニルエステル、2−エチル−2−ノルボルニルエステル、2−メチル−2−イソボルニルエステル、2−エチル−2−イソボルニルエステル、8−メチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、8−エチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、2−メチル−2−アダマンチルエステル、2−エチル−2−アダマンチルエステルまたは1−アダマンチル−1−メチルエチルエステルである、前記感光性ポリマーである。
【0017】
さらに本発明は、前記光酸発生剤の含有量が前記感光性ポリマーに対し、1〜15質量%である、前記レジスト組成物である。
【0018】
さらに本発明は、前記光酸発生剤はトリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム、スルホネートまたはそれらの混合物である、前記レジスト組成物である。
【0019】
さらに本発明は、前記光酸発生剤はトリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、2,6−ジニトロベンジルスルホネート、ピロガロルトリス(アルキルスルホネート)、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミドトリフレート、トリフェニルスルホニウムノナプレート、ジフェニルヨードニウムノナプレート、メトキシジフェニルヨードニウムノナプレート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムノナプレート、N−ヒドロキシスクシンイミドノナプレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミドノナプレート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ノルボルネン−ジカルボキシイミドトリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、またはそれらの混合物である、前記レジスト組成物である。
【0020】
さらに本発明は、有機塩基をさらに含む前記レジスト組成物である。
【0021】
さらに本発明は、前記有機塩基の含有量は、前記感光性ポリマーに対して、0.01〜2.0質量%である、前記レジスト組成物である。
【0022】
さらに本発明は、前記有機塩基はトリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンまたはそれらの混合物である、前記レジスト組成物である。
【0023】
さらに本発明は、界面活性剤をさらに含む、前記レジスト組成物である。
【0024】
さらに本発明は、前記界面活性剤の含有量が30〜200ppmである、前記レジスト組成物である。
【0025】
本発明による感光性ポリマーは乾式蝕刻に対する耐性を十分に確保することができるように主鎖が完全にノルボルネン型の環状構造だけで構成されており、このような構造の感光性ポリマーは金属触媒を使用せずに高い収率で製造されうる。さらに、これから得られるレジスト組成物は優れた基板への接着特性を持つ。
【0026】
【発明の実施の形態】
本発明による感光性ポリマーは式Iで表示される構造式を持つ。
【0027】
【化3】
【0028】
式Iにて、R1は酸により分解されうる第3アルキル基であり、すなわち露光時に発生する酸の作用により前記ポリマーの主鎖から解離しうる基であり、前記ポリマー内で乾式蝕刻耐性を向上させる役割及び溶解抑制剤としての役割を果たす。R1は置換または非置換の炭素数7〜20の脂環式炭化水素化合物を含むバルキーな第3アルキルエステル基であり、たとえば2−メチル−2−ノルボルニルエステル、2−エチル−2−ノルボルニルエステル、2−メチル−2−イソボルニルエステル、2−エチル−2−イソボルニルエステル、8−メチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、8−エチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、2−メチル−2−アダマンチルエステル、2−エチル−2−アダマンチルエステルまたは1−アダマンチル−1−メチルエチルエステルのような基が挙げられる。
【0029】
R2は前記ポリマー内で接着特性を向上させるための定着剤として作用するように導入される極性基である。R2は、たとえば水素原子、メチル、エチル、カルボキシル、γ−ブチロラクトン−2−イル−エステル、γ−ブチロラクトン−3−イル−エステル、パントラクトン−2−イル−エステル、メバロニックラクトンエステル、3−テトラヒドロフラニルエステル、2,3−プロピレンカーボネート−1−イル−エステル、3−メチル−γ−ブチロラクトン−3−イル−エステル、あるいは炭素数3〜20の脂環式炭化水素化合物である。このような炭素数3〜12の脂環式水素化合物として、イソボニル、2−メチル−2−アダマンチル、2−エチル−2−アダマンチル、メチルトリシクロデシル、エチルトリシクロデシル等が挙げられる。
【0030】
式Iの中間に示された無水物からなるユニットは、前記感光性ポリマーの乾式蝕刻に対する耐性を増加させて湿潤性を向上させる役割のみならず、定着剤としての役割を果たす。
【0031】
式Iで示されるポリマーは異なるノルボルネン系モノマーの共重合体であり、これらモノマーユニットの比率、すなわち式Iにおけるa,b,およびcの比率は、a/(a+b+c)=0.1〜0.7であり、b/(a+b+c)=0.1〜0.8であり、c/(a+b+c)=0.0〜0.8であり、nは0〜2の整数である。当該比率が前記範囲から外れると、レジストとして作用し難くなるので好ましくない。
【0032】
上記したようなモノマーユニットから構成された式Iの感光性ポリマーは、深紫外線用レジストとして作用するための全ての特性を等しく備えている。このような感光性ポリマー共重合体は、従来のラジカル重合法または金属触媒を用いた付加重合法のような従来の重合法によってはほとんど合成が不可能で、重合されるとしても得られた重合体の分子量が数百程度で非常に低いか、または収率が非常に低くなる。
【0033】
そこで、本発明の感光性ポリマーの重合法を説明する。
【0034】
まず、目的とするポリマーを構成するモノマーをそれぞれプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)等の溶媒に溶解させる。次に開始剤(例えばジ−t−ブチル過酸化物、アゾビス(シクロヘキサンカルボニトリル)など)を添加し、約2時間脱気した後、窒素ガスをパージさせる。この溶液を120〜150℃で約12時間重合させた後、テトラヒドロフラン(THF)等の溶媒で希釈する。その後、例えばN−ヘキサンおよびエーテルが10:1で混合されたような補助溶剤に結果物を沈殿させる。得られた沈殿をガラスフィルターを用いてろ過し、再びTHFに溶解させて、前記補助溶剤に再沈殿させる。この沈殿・溶解の工程を数回繰り返して精製し、得られた沈殿を約60℃の真空オーブンで24時間以上乾燥させ、目的の共重合体を得る。
【0035】
次に、本発明の感光性ポリマーを用いたレジスト組成物について説明する。
【0036】
本発明のレジスト組成物は、上記感光性ポリマーと光酸発生剤(Photoacid Generator(PAG))とを含有するものである。本発明で用いられる光酸発生剤としては、トリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホネートまたはこれらの混合物が好適に用いられる。具体的には、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、2,6−ジニトロベンジルスルホネート、ピロガロルトリス(アルキルスルホネート)、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミドトリフレート、トリフェニルスルホニウムノナプレート、ジフェニルヨードニウムノナプレート、メトキシジフェニルヨードニウムノナプレート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムノナプレート、N−ヒドロキシスクシンイミドノナプレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミドノナプレート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート(PFOS)、ジフェニルヨードニウムPFOS、メトキシジフェニルヨードニウムPFOS、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、N−ヒドロキシスクシンイミドPFOS、ノルボルネン−ジカルボキシイミドPFOS等が挙げられ、これらの単独または混合物を用いることができる。ここで前記光酸発生剤の含有量は、前記感光性ポリマーに対し1.0〜15質量%であることが好ましい。ここで光酸発生剤の含有量が1.0%未満の場合、感度が低下し、解像度が落ちるため好ましくない。また15%を超過する場合、透過度特性及び溶解度特性が劣化し好ましくない。
【0037】
また、本発明のレジスト組成物は、有機塩基をさらに含有することが好ましい。本発明で用いられる有機塩基としては、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリオクチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアミン類等が挙げられ、これらの単独または混合物を用いることができる。有機塩基の含有量は、前記感光性ポリマーに対し0.01〜2.0質量%であることが好ましい。ここで有機塩基の含有量が0.01%未満の場合、フォトレジストが環境に敏感になり、例えばT−トッププロファイル減少が発生するため好ましくない。また、2.0%を超過する場合、感度の低下や解像度の劣化が発生するため好ましくない。
【0038】
さらに、本発明のレジスト組成物には、界面活性剤をさらに含有してもよい。本発明で用いられる界面活性剤としては、ポリエチレングリコール等のポリエーテルやポリスルホネート等が挙げられ、これらの単独または混合物が用いられる。界面活性剤の含有量は、30〜200ppmであることが好ましい。ここで界面活性剤の含有量が上記範囲を外れるとレジストとして作用し難くなり好ましくない。
【0039】
本発明のレジスト組成物は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)等の溶剤に、該溶剤に対し12〜15質量%の固形分含有量の前記感光性ポリマーと、該ポリマーに対し1.0〜15質量%の光酸発生剤とを溶解し、これに該ポリマーに対し0.01〜2.0質量%の有機塩基または50〜500ppmの界面活性剤を添加して完全に溶解し、その後該溶液を例えば0.2μmのメンブレンフィルターでろ過することにより調整することができる。
【0040】
さらに、このような方法により得られたレジスト組成物を利用してパターンを形成するためには、例えば次のような工程が利用される。
【0041】
上面にシリコン酸化膜が形成されているシリコンウェーハを準備し、前記シリコンウェーハをヘキサメチルジシラザン(HMDS)で処理する。その後、前記シリコン酸化膜上に前記レジスト組成物を約0.3〜0.5μmの厚さにコーティングする。レジスト組成物がコーティングされた前記シリコンウェーハを100〜140℃の温度範囲で60〜120秒間プリベーキングし、KrFエキシマレーザー(NA=0.45)またはArFエキシマレーザー(NA=0.6)のような光源で露光した後、約110〜160℃の温度範囲で60〜120秒間PEB(post−exposure baking)を実施する。その後、2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)溶液を使用して約10〜90秒間現像する。その結果得られたレジストパターンをマスクとして使用し、特定のエッチャント、たとえばハロゲンガスまたはCxFyガスなどを使用し、前記シリコン酸化膜をエッチングする。次いで、ストリッパを使用してウェーハ上に残っているレジストパターンを除去し、所望のシリコン酸化膜パターンを形成する。
【0042】
【実施例】
実施例1:共重合体の合成
式IIで表示されうる本発明の感光性ポリマーの合成方法を様々な実施例をあげて説明する。
【0043】
【化4】
【0044】
実施例1−1
式IIにて、R1が8−メチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、n=1の場合の実施例を説明する。
【0045】
【化5】
【0046】
1.64gの5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物(0.01モル)と2.86gの8−メチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(MTCDNC)(0.01モル)を4.5gのPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)に溶かした後、ここに2.92gのジ−t−ブチル過酸化物を添加し、約2時間脱気した後、窒素ガスを利用してパージした。
【0047】
前記溶液を約130℃の温度下で約12時間重合した後、テトラヒドロフランで希薄した。その後、N−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された過量の補助溶剤に沈殿させた。
【0048】
結果物をグラスフィルターでろ過した後、再びTHF(テトラヒドロフラン)に溶かし、再びN−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された補助溶剤に再沈殿させる過程を3回反復した。得られた沈殿物を約60℃に維持される真空オーブン内で24時間以上乾燥させて所望の共重合体を回収した。(収率95%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は8,000であり、多分散度は1.9であった。
【0049】
実施例1−2
式IIにて、R1=8−エチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、n=1の場合の実施例を説明する。
【0050】
【化6】
【0051】
1.64gの5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物(0.01モル)と3.00gの8−エチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(ETCDNC)(0.01モル)を3gのPGMEAに溶かした後、ここに2.92gのジ−t−ブチル過酸化物を添加し、約2時間脱気した後、窒素ガスでパージした。
【0052】
前記溶液を約125℃の温度下で約12時間重合した後、テトラヒドロフランで希薄した。その後、N−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された過量の補助溶剤に沈殿させた。
【0053】
結果物をグラスフィルターでろ過した後、さらにTHFに溶かし、さらにN−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された補助溶剤に再沈殿させる過程を3回反復した。得られた沈殿物を約60℃に維持される真空オーブン内で24時間以上乾燥させて所望の共重合体を回収した。(収率97%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は10,000であり、多分散度は2.1であった。
【0054】
実施例1−3
式IIにて、R1=2−メチル−2−アダマンチルエステル、n=1の場合の実施例を説明する。
【0055】
【化7】
【0056】
1.64gの5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物(0.01モル)と2.86gの(2−メチル−2−アダマンチル)−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(MAdNC)(0.01モル)を3gのPGMEAに溶かした後、ここに2.92gのジ−t−ブチル過酸化物を添加し、約2時間脱気した後、窒素ガスでパージした。
【0057】
前記溶液を約135℃の温度下で約12時間重合した後、テトラヒドロフランで希薄した。その後、N−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された過量の補助溶剤に沈殿させた。
【0058】
結果物をグラスフィルターでろ過した後、さらにTHFに溶かし、さらにN−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された補助溶剤に再沈殿させる過程を3回反復した。得られた沈殿物を約60℃に維持される真空オーブン内で24時間以上乾燥させて所望の共重合体を回収した。(収率95%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は8,500であり、多分散度は1.7であった。
【0059】
実施例1−4
式IIにて、R1=2−エチル−2−アダマンチルエステル、n=1の場合の実施例を説明する。
【0060】
【化8】
【0061】
1.64gの5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物(0.01モル)と3.00gの(2−エチル−2−アダマンチル)−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(EAdNC)(0.01モル)を3gのPGMEAに溶かした後、ここに1.5gのジ−t−ブチル過酸化物を添加し、約2時間脱気した後、窒素ガスでパージした。
【0062】
前記溶液を約125℃の温度下で約20時間の間重合した後、テトラヒドロフランで希薄した。その後、N−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された過量の補助溶剤に沈殿させた。
【0063】
結果物をグラスフィルターでろ過した後、さらにTHFに溶かし、さらにN−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された補助溶剤に再沈殿させる過程を3回反復した。得られた沈殿物を約60℃に維持される真空オーブン内で24時間以上乾燥させて所望の共重合体を回収した。(収率95%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は8,700であり、多分散度は1.67であった。
【0064】
実施例1−5
式IIにて、R1=1−アダマンチル−1−メチルエチルエステル、n=1の場合の実施例を説明する。
【0065】
【化9】
【0066】
1.64gの5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物(0.01モル)と3.14gの(1−アダマンチル−1−メチルエチル)−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(AdMENC)(0.01モル)を3gのPGMEAに溶かした後、ここに2.0gのジ−t−ブチル過酸化物を添加し、約2時間脱気した後、窒素ガスでパージした。
【0067】
前記溶液を約125℃の温度下で約20時間の間重合した後、テトラヒドロフランで希薄した。その後、N−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された過量の補助溶剤に沈殿させた。
【0068】
結果物をグラスフィルターでろ過した後、さらにTHFに溶かし、さらにN−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された補助溶剤に再沈殿させる過程を3回反復した。得られた沈殿物を約60℃に維持される真空オーブン内で24時間以上乾燥させて所望の共重合体を回収した。(収率95%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は6,700であり、多分散度は1.68であった。
【0069】
実施例1−6
式IIにて、R1=2−メチル−2−ノルボルニルエステル、n=1の場合の実施例を説明する。
【0070】
【化10】
【0071】
1.64gの5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物(0.01モル)と2.46gの(2−メチル−2−ノルボルニル)−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(MNNC)(0.01モル)を3gのPGMEAに溶かした後、ここに2.0gのジ−t−ブチル過酸化物を添加し、約2時間脱気した後、窒素ガスでパージした。
【0072】
前記溶液を約120℃の温度下で約15時間重合した後、テトラヒドロフランで希薄した。その後、N−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された過量の補助溶剤に沈殿させた。
結果物をグラスフィルターでろ過した後、さらにTHFに溶かし、さらにN−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された補助溶剤に再沈殿させる過程を3回反復した。得られた沈殿物を約60℃に維持される真空オーブン内で24時間以上乾燥させて所望の共重合体を回収した。(収率96%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は6,700であり、多分散度は1.68であった。
【0073】
実施例1−7
式IIにて、R1=8−エチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、n=2の場合の実施例を説明する。
【0074】
【化11】
【0075】
1.78gのビシクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物(0.01モル)と3.00gのETCDNC(0.01モル)を4.5gのPGMEAに溶かした後、ここに2.0gのジ−t−ブチル過酸化物を添加し、約2時間脱気した後、窒素ガスでパージした。
【0076】
前記溶液を約130℃の温度下で約20時間の間重合した後、テトラヒドロフランで希薄した。その後、N−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された過量の補助溶剤に沈殿させた。
【0077】
結果物をグラスフィルターでろ過した後、さらにTHFに溶かし、さらにN−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された補助溶剤に再沈殿させる過程を3回反復した。得られた沈殿物を約60℃に維持される真空オーブン内で24時間以上乾燥させて所望の共重合体を回収した。(収率95%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は11,000であり、多分散度は1.9であった。
【0078】
ビシクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物との共重合反応物としてETCDNCの代わりにMTCDNC、MAdNC、EAdNC、AdMENCまたはMNNCを使用して前記説明した方法のような方法でいろいろ共重合体を重合できる。
【0079】
実施例1−8
式IIにて、R1=8−エチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、n=0の場合の実施例を説明する。
【0080】
【化12】
【0081】
1.52gのシス−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物(0.01モル)と3.00gのETCDNC(0.01モル)を4.5gのPGMEAに溶かした後、ここに2.0gのジ−t−ブチル過酸化物を添加し、約2時間脱気した後、窒素ガスでパージした。
【0082】
前記溶液を約130℃の温度下で約20時間重合した後、テトラヒドロフランで希薄した。その後、N−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された過量の補助溶剤に沈殿させた。
【0083】
結果物をグラスフィルターでろ過した後、さらにTHFに溶かし、さらにN−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された補助溶剤に再沈殿させる過程を3回反復した。得られた沈殿物を約60℃に維持される真空オーブン内で24時間以上乾燥させて所望の共重合体を回収した。(収率95%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は10、000であり、多分散度は1.8であった。
【0084】
シス−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物との共重合反応物としてETCDNCの代わりにMTCDNC、MAdNC、EAdNC、AdMENCまたはMNNCを使用して前記説明した方法のような方法でいろいろ共重合体を重合できる。
【0085】
前記実施例1−1〜1−8にて、回収された各共重合体を構成する各モノマーユニットの組成比が5:5であったが、重合段階で各モノマーユニットの形成に必要なソースの供給比を変化させることにより前記組成比を所望の通りに調節できる。
【0086】
実施例2:ターポリマーの合成
式IIIで表示されうるターポリマーである本発明の感光性ポリマーの様々な実施例を以下に示す。
【0087】
【化13】
【0088】
実施例2−1
式IIIにて、R1=8−メチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、n=1、R2=カルボキシルである場合の実施例を説明する。
【0089】
【化14】
【0090】
1.31gの5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物(0.008モル)と2.86gの8−メチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(MTCDNC)(0.01モル)と0.28gの5−ノルボルネン−2−カルボン酸(0.002モル)を4.5gのPGMEAに溶かした後、ここに2.92gのジ−t−ブチル過酸化物を添加し、約2時間脱気した後、窒素ガスでパージした。
【0091】
前記溶液を約130℃の温度下で約12時間重合した後、テトラヒドロフランで希薄した。その後、N−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された過量の補助溶剤に沈殿させた。
【0092】
結果物をグラスフィルターでろ過した後、さらにTHFに溶かし、さらにN−ヘキサンとエーテルが10:1の体積比で混合された補助溶剤に再沈殿させる過程を3回反復した。得られた沈殿物を約60℃に維持される真空オーブン内で24時間以上乾燥させて所望の共重合体を回収した。(収率95%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は5、600であり、多分散度は1.6であった。
【0093】
実施例2−2
式IIIにて、R1=8−メチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、n=2、R2=カルボキシルである場合の実施例を説明する。
【0094】
【化15】
【0095】
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物の代わりにビシクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物を利用して実施例2−1のような方法で所望のターポリマーを得た。(収率80%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は6、700であり、多分散度は1.6であった。
【0096】
実施例2−3
式IIIにて、R1=8−メチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルエステル、n=0、R2=カルボキシルである場合の実施例を説明する。
【0097】
【化16】
【0098】
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物の代わりにシス−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物を利用して実施例2−1のような方法で所望のターポリマーを得た。(収率85%)
この時、得られた生成物の重量平均分子量(Mw)は7、800であり、多分散度は1.7であった。
【0099】
前記説明した実施例2−1〜2−3にて、前記各共重合体を構成する各モノマーユニットの組成比が4:5:1であったが、重合段階で各モノマーユニットの形成に必要なソースの供給比を変化させることにより前記組成比を所望の通りに調節できる。さらに、MTCDNCの代わりにETCDNC、MAdNC、EAdNC、AdMENCまたはMNNCを使用して前記説明した方法のような方法でいろいろターポリマーを重合できる。
【0100】
実施例3:レジスト組成物を用いたパターン形成工程
次に、本発明の感光性ポリマーを用いてレジスト組成物を製造し、これを用いてパターンを形成した。
【0101】
実施例3−1
実施例1−4にて合成した感光性ポリマー(1.0g)とPAGのトリフェニルスルホニウムトリフレート(0.02g)と有機塩基のトリイソブチルアミン(2mg)とをPGMEA(7.0g)溶剤に入れて完全に溶かした後、0.2μmメンブレンフィルターでろ過してレジスト組成物を得た。得られたレジスト組成物をウェーハ上に約0.4μmの厚さにコーティングした。その後、前記レジスト組成物がコーティングされたウェーハを約140℃の温度で約90秒間プリベーキングし、ArFエキシマレーザー(NA=0.6)で露光した後、約140℃の温度で約90秒間PEBを実施した。
【0102】
その後、2.38質量%TMAH溶液を使用し約60秒間現像してレジストパターンを形成した。露光ドーズ量を約10mJ/cm2とした時、0.14μmラインアンドスペースパターンが得られることを確認した。
【0103】
実施例3−2
実施例1−2にて合成した共重合体(1.0g)と、PAGのトリフェニルスルホニウムトリフレート(0.02g)と有機塩基のトリイソブチルアミン(2mg)とをPGMEA(7.0g)溶剤に入れて完全に溶かした後、0.2μmメンブレンフィルターでろ過してレジスト組成物を得た。得られたレジスト組成物をウェーハ上に約0.4μmの厚さにコーティングした。その後、前記レジスト組成物がコーティングされたウェーハを約140℃の温度で約90秒間プリベーキングし、ArFエキシマレーザー(NA=0.6)で露光した後、約150℃の温度で約90秒間PEBを実施した。その後、2.38質量%TMAH溶液を使用して約60秒間現像してレジストパターンを形成した。露光ドーズ量を約15mJ/cm2とした時、0.13μmラインアンドスペースパターンが得られることを確認した。
【0104】
実施例3−3
実施例1−6にて合成した共重合体(1.0g)と、PAGのトリフェニルスルホニウムトリフレート(0.02g)と有機塩基のトリイソブチルアミン(2mg)をPGMEA(7.0g)溶剤に入れて完全に溶かした後、0.2μmメンブレンフィルターでろ過してレジスト組成物を得た。得られたレジスト組成物をウェーハ上に約0.4μmの厚さにコーティングした。その後、前記レジスト組成物がコーティングされたウェーハを約140℃の温度で約90秒間プリベーキングし、ArFエキシマレーザー(NA=0.6)で露光した後、約160℃の温度で約90秒間PEBを実施した。その後、2.38質量%TMAH溶液を使用し約60秒間現像してレジストパターンを形成した。露光ドーズ量を約13mJ/cm2とした時、0.13μmラインアンドスペースパターンが得られることを確認した。
【0105】
【発明の効果】
本発明による感光性ポリマーは、既存のArFレジストの短所を補完し、主鎖が完全に脂環式化合物のノルボルネン型の環状構造だけで構成されるので乾式蝕刻に対する耐性を十分に確保することができる。
【0106】
さらに、本発明によるレジスト組成物は、下部膜質に対する接着特性が増強されており、一般的な現像液を使用して現像することが可能である。従って、本発明によるレジスト組成物をフォトリソグラフィ工程に適用すれば、非常に優れたリソグラフィパターンを示すことにより、今後次世代の半導体素子を製造するにあたり非常に有用に使われうる。
【0107】
さらに、本発明による感光性ポリマーの製造方法によれば、金属触媒を用いずに、主鎖が完全にノルボルネン型の環状構造のみで構成されるポリマーを製造できる。すなわち、金属成分が膜質上に残存することによる欠陥が生じない。
【0108】
以上、本発明を望ましい実施例をあげ詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内で当業者により様々な変形が可能である。
Claims (13)
- 式I:
で示される感光性ポリマー。 - 式I:
- 重量平均分子量が1,000〜100,000である、請求項1または2に記載の感光性ポリマー。
- R1は2−メチル−2−ノルボルニルエステル、2−エチル−2−ノルボルニルエステル、2−メチル−2−イソボルニルエステル、2−エチル−2−イソボルニルエステル、8−メチル−8−トリシクロ[5.2.1.02.6]デシルエステル、8−エチル−8−トリシクロ[5.2.1.02.6]デシルエステル、2−メチル−2−アダマンチルエステル、2−エチル−2−アダマンチルエステルまたは1−アダマンチル−1−メチルエチルエステルである請求項1〜3のいずれか1項に記載の感光性ポリマー。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の感光性ポリマーと、光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤の含有量が前記感光性ポリマーに対し、1〜15質量%である、請求項5に記載のレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤はトリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム、スルホネートまたはそれらの混合物である、請求項5または6に記載のレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤はトリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、2,6−ジニトロベンジルスルホネート、ピロガロルトリス(アルキルスルホネート)、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミドトリフレート、トリフェニルスルホニウムノナプレート、ジフェニルヨードニウムノナプレート、メトキシジフェニルヨードニウムノナプレート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムノナプレート、N−ヒドロキシスクシンイミドノナプレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミドノナプレート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ノルボルネン−ジカルボキシイミドトリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、またはそれらの混合物である、請求項7に記載のレジスト組成物。
- 有機塩基をさらに含む請求項5〜8のいずれか1項に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基の含有量は、前記感光性ポリマーに対して、0.01〜2.0質量%である、請求項9に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基はトリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンまたはそれらの混合物である請求項9または10に記載のレジスト組成物。
- 界面活性剤をさらに含む請求項5〜11のいずれか1項に記載のレジスト組成物。
- 前記界面活性剤の含有量が30〜200ppmである、請求項13に記載のレジスト組成物。
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