FR2525030A1 - Procede pour la fabrication de transistors mos complementaires dans des circuits integres a haute densite pour tensions elevees - Google Patents

Procede pour la fabrication de transistors mos complementaires dans des circuits integres a haute densite pour tensions elevees Download PDF

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Abstract

LE PROCEDE COMPREND DEUX PHASES DISTINCTES POUR LA FORMATION DE LA REGION DE TYPE P (P-WELL), DESTINEE A RECEVOIR LE TRANSISTOR A CANAL N DE LA PAIRE DE CMOS ET CELLE DE L'ANNEAU DE GARDE DE TYPE P QUI ENTOURE LE MEME TRANSISTOR. L'EMPLOI D'UNE MATIERE RESISTANTE AUX HAUTES TEMPERATURES, COMME LE SILICIUM POLYCRISTALLIN, PERMET D'UTILISER UN SEUL MASQUE 12A, B POUR LE DOPAGE ET LA DIFFUSION DU P-WELL ET DE L'ANNEAU P. MEME AVEC LE MAXIMUM DE DENSITE D'INTEGRATION, ON OBTIENT DES TRANSISTORS DONT LES TENSIONS DE SEUIL SONT INDEPENDANTES DE LA LARGEUR DE LEURS CANAUX DE CONDUCTION.

Description

La présente invention concerne des circuits intégrés du type MOS (métal-
oxyde-semiconducteur) et, plus précisément, un procédé pour la fabrication de paires de transistors MOS complémentaires (CMOS) conçus pour fonctionner avec des tensions relativement élevées. Un procédé connu pour la fabrication de circuits intégrés CMOS à haute intégration est décrit par exemple dans la demande
de brevet italien N 2 19484 A/79 déposée le 22 1 1979 par la Deman-
deresse (France N 2 80 01303) Il y est prévu, pour la formation
d'une paire de transistors MOS complémentaires à canaux d'isola-
tion (ou anneaux de garde) à alignement automatique, sur un subs-
trat de matière semiconductrice, par exemple un silicium monocris-
tallin dopé par des impuretés de type n, les opérations consécuti-
ves suivantes délimitation, au moyen d'opération de masquage sur la surface du substrat, de deux régions (zones actives) destinées à contenir les deux transistors complémentaires de la paire; dopage de la zone intermédiaire (field) aux deux régions avec
des impuretés N à haute concentration pour la formation d'un pre-
mier anneau de garde autour de l'un des transistors de la paire (le transistor à canal n); formation d'un masque qui recouvre l'une des deux régions et une partie de la zone intermédiaire; dopage de la partie non protégée de la zone intermédiaire avec des impuretés de type p à haute concentration pour la formation d'un second anneau de garde autour de l'autre transistor de la paire (le transistor à canal p); dopage de la seconde région avec des impuretés de type p de concentration plus basse, pour la formation d'une région (p-well) destinée à contenir le transistor à canal n; élimination du masque; diffusion des anneaux de garde et du pwell et formation d'une couche de protection et d'isolation superficielle de bioxyde de silicium, par exposition à haute température dans une atmosphère oxydante; formation des transistors MOS complémentaires dans les deux régions. Lorsqu'on désire le minimum de dimensions possible, les transistors à canal N des paires de transistors CMOS fabriqués suivant le procédé connu ont des seuils de conduction qui varient avec la largeur de leurs canaux Du fait qu'un circuit intégré comprend en général de nombreux transistors à canaux de largeurs différentes et, par suite, à seuils différents, le projetage d'un tel circuit peut devenir très compliqué On pourrait éviter cet inconvénient en augmentant simplement l'aire des transistors à canal n, mais cela irait à l'encontre de la densité d'intégration
et, par conséquent, des conditions économiques du dispositif final.
Le but de la présente invention est de réaliser un circuit
intégré CMOS à transistors à tension de seuil constante, c'est-à-
dire indépendante de la largeur du canal, et à densité d'intégra-
tion au moins égale à celle qui peut être obtenue avec le procédé connu, sans augmenter sensiblement la complexité du procédé de
fabrication d'un tel circuit.
Ce but est atteint par un procédé dans lequel sont prévues deux phases distinctes pour la formation de la région de type p (p-well), destinée à recevoir le transistor à canal N de la paire
CMOS, et de l'anneau de garde de type p qui entoure le même tran-
sistor L'emploi d'une matière résistante aux hautes températures, comme le silicium polycristallin, permet d'utiliser un masque unique pour le dopage et la diffusion du p-well et de l'anneau p. Même avec le maximum de densité d'intégration, on obtient des transistors dont les tensions de seuil sont indépendantes de la
largeur de leurs canaux de conduction.
L'invention pourra de toute façon être bien comprise à l'aide
du complément de description qui suit, relatif à un mode de réali-
sation préféré qui est-, bien entendu, donné surtout à titre
d'indication, en référence aux dessins annexés dont les différen-
tes figures représentent une partie d'une tranche de silicium dans différentes phases opératoires. La fig 1 est une vue en coupe, illustrant une phase qui est
commune au procédé précité et à celui de l'invention.
Les fig 2, 3 et 4 sont des vues en coupe qui illustrent quel-
ques phases du procédé connu.
La fig 5 est une vue en plan du dispositif représenté en
coupe sur la fig 4.
Les fig 6 à 9 sont des vues en coupe qui illustrent quelques
phases du procédé de l'invention.
La fig 10 est une vue en plan du dispositif représenté en
coupe sur la fig 9.
La fig 1 des dessins représente une tranche de silicium 2 de type N ayant une résistivité d'environ 4 ohms cm, telle qu'elle
apparait à la suite d'une série d'opérations, en soi connues, vi-
sant à définir des régions qui sont appelées habituellement zones
actives, par le fait qu'elles sont destinées à recevoir les tran-
sistors du dispositif CMOS Deux de ces régions, destinées à une paire de transistors MOS complémentaires, sont désignées sur le dessin par 4, 6 et sont séparées l'une de l'autre par une zone intermédiaire 7 Celle-ci fait partie de ce qu'on appelle le
"champ" (field), c'est-à-dire de la surface de la tranche compl&-
mentaire aux zones actives Les opérations visant à définir les régions 4 et 6 consistent successivement à former, par oxydation thermique, une couche 8 de bioxyde de silicium (Si 02) d'environ 300 i d'épaisseur, à déposer sur cette couche 8 une couche de nitrure de silicium (Si N 4) d'environ 1000 À d'épaisseur, à former
au moyen d'un vernis photosensible (photoresist) un masque protec-
teur sur certaines zones de la couche de nitrure de silicium et à attaquer chimiquement les parties non protégées de cette couche, de telle manière qu'au-dessus de la couche 8 de bioxyde de silicium, les deux régions 4 et 6 soient surmontées par des couches de nitrure de silicium et de vernis photosensible 10 a, 12 a et l Ob,
12 b respectivement.
Puis, de façon connue en soi, un dopant de type n, par exem-
ple l'arsenic (As), est introduit dans le silicium par implanta-
tion ionique, avec une énergie suffisante pour traverser la couche de bioxyde de silicium 8, mais insuffisante pour traverser les couches 10 a, 12 a et l Ob, 12 b sus-jacentes La présence du dopant dans le substrat est indiquée par des lignes de tirets sur la
fig 2.
Le masque protecteur de vernis photosensible 12 a, 12 b est
alors enlevé et il est formé un autre masque de vernis photosensi-
ble 14 qui recouvre toute la région 6 et une partie de la zone intermédiaire 7 Par une double opération d'implantation ionique, d-es impuretés de type p sont introduites dans la région 4 et dans la partie de la zone intermédiaire 7 non protégée par le masque 14 On peut utiliser par exemple du bore (B) à deux niveaux d'énergie différents ( 30 ke V et 100 ke V), de telle manière que le dopant à énergie plus basse puisse traverser la couche de bioxyde de silicium 8, mais non les couches superposées 8 et l Oa, et que le dopant à énergie plus élevée puisse traverser également ces deux dernières couches superposées L'implantation à énergie plus basse doit assurer en outre l'inversion du type de conductivité de la partie de la zone intermédiaire 7 qui a été précédemment dopée avec l'arsenic De cette manière, on réalise des dopages de concentrations différentes, comme cela est nécessaire pour obtenir
l'anneau de garde de type p et le "p-well".
Le masque 14 est ensuite enlevé et la tranche est exposée à
une température élevée ( 900 à 12000 C) pendant une période suffi-
sante pour assurer la diffusion (drive-in) des dopants N et p im-
plantés précédemment dans le substrat et pour former une couche 16
suffisamment épaisse de bioxyde de silicium sur la zone de champ.
Comme on le sait, l'oxyde n'atteint une épaisseur considérable ( 10 000 X) qu'au-dessus des régions de silicium découvertes, par
le fait que sa croissance s'effectue aux dépens du silicium sous-
jacent, tandis qu'il a une épaisseur très réduite sur la couche de nitrure l Oa, l Ob La couche de nitrure peut être alors éliminée
par application de techniques connues d'attaque chimique sélective.
On obtient ainsi, au niveau de la région 4, une région diffu-
sée 18 de type p (p-we Ll) (fig 3), destinée à contenir le transis-
tor MOS à canal n, entourée d'un anneau de garde 20 de type p for- tement dopé (p+) et, autour de la région 6 destinée au transistor
M 08 à canal p, un anneau de garde 22 de type N fortement dopé (n+).
Suivent alors les opérations visant à former les parties actives du dispositif, à la fin desquelles on obtient la structure
représentée sur les fig 4 et 5.
Comme on le voit sur les dessins, le transistor à canal N est formé dans le p-well 18 et il comprend les régions de type n, de source et de drain 30 et 32, signalées par n++ parce qu'elles sont
fortement dopées, l'oxyde de gâchette 24 a et l'électrode de gâchet-
te 26 a, tandis que le transistor à canal p comprend les régions p de source et de drain 34 et 56, signalées par p++, l'oxyde de gâchette 24 b et l'électrode de gâchette 26 b On peut noter que l'anneau de garde p 20, qui isole le transistor à canal N du reste de la structure, envahit une bonne partie de la zone active 4, ce qui limite la largeur efficace, indiquée par weff sur la fig 5,
du canal de conduction du transistor à une valeur nettement infé-
rieure à la largeur réelle du transistor, indiquée par W sur la figure Du fait que la tension de seuil efficace du transistor
dépend du rapport w/weff, des transistors ayant des canaux de lar-
geurs W différentes ont des tensions de seuil différentes Un tel effet est d'autant plus sensible qu'est plus grande la partie de la zone active qui est envahie par l'anneau de garde p, ce qui fait que, pour l'atténuer, il faudrait augmenter la surface active,
ce qui va à l'encontre de l'exigence du maximum de densité d'inté-
gration.
Dans le procédé amélioré suivant l'invention, à la suite de la phase d'implantation ionique d'arsenic décrite en référence à la fig 1 et de l'élimination du masque de vernis photosensible
12 a, 12 b, il est formé un masque de silicium polycristallin, dési-
gné par 15 sur la fig 6, masque qui recouvre toute la région 6 et une partie de la zone intermédiaire 7 On obtient ce masque
en faisant croître, par la technique usuelle appelée CVL (chemi-
cal vapor déposition) qui comprend un dépôt par silane à une tempé-
rature d'environ 6000, une couche d'environ 6000 À de silicium polycristallin, puis en éliminant, après masquage, par une
attaque chimique sélective, les parties de la couche qui recou-
vrent les zones de la tranche qui ne doivent pas être protégées, en particulier la surface de la couche de nitrure de silicium l Oa
et une partie de la zone 7, comme le montre la fig 6.
La surface de la tranche est ensuite soumise à une implanta-
tion ionique à énergie relativement élevée (environ 100 ke V) avec des impuretés de type p, par exemple du bore (B) en concentration
relativement faible, de telle manière que le dopant puisse traver-
s.er les couches 8 et l Oa superposées et se déposer sur la région 4.
Une exposition consécutive de la tranche à température élevée (environ 12009 C) dans une atmosphère non oxydante pendant une durée préalablement fixée assure la diffusion des dopants p et N dans le substrat jusqu'à ce que les niveaux voulus soient atteints On obtient ainsi les régions diffusées 17 et 19, respectivement pour
le p-well et pour l'anneau de garde n.
On effectue alors une seconde opération d'implantation ionique,
cette fois à basse énergie (environ 30 ke V) et avec une forte con-
centration d'impuretés de type p (bore), de telle manière que le
dopant puisse traverser la couche 8, mais non les couches super-
posées 8, l Oa et se déposer sur la surface non protégée par le mas-
que 15 de la zone intermédiaire 7 La présence du dopant p est
indiquée par des lignes de tirets sur la fig 7 Par une exposi-
tion consécutive à une température élevée, mais plus basse que celle de l'opération précédente, par exemple 9502 C, de manière à laisser pratiquement inaltérées les régions 17 et 19, on obtient
une région de type p fortement dopée, désignée par 21 sur la fig 8.
Le masque 15 est ensuite éliminé par une attaque chimique
sélective usuelle et la tranche est exposée à une température éle-
vée (environ 90000) dans une atmosphère oxydante, pendant une durée suffisante pour former une épaisse couche de bioxyde de
silicium Dans cette phase, sur les régions découvertes du subs-
trat, il se forme une couche de bioxyde de silicium d'épaisseur considérable (environ 10 000 i), désignée par 23 sur la fig 8,
tandis que les surfaces de nitrure i Qa et l Ob sont à peine recou-
vertes d'un voile de bioxyde de silicium. la phase suivante consiste à éliminer la couche de nitrure
par des techniques usuelles d'attaque chimique sélective.
Par les opérations décrites ci-dessus et par des opérations
usuelles suivantes de masquage et de dopage, on obtient la struc-
ture représentée sur la fig 9, dans laquelle il est formé, au niveau de la zone 4, une région diffusée 17 de type p (p-well), comprenant les régions de source et de drain 30 et 32, ainsi que l'oxyde et l'électrode de gâchette 24 a et 26 a d'un transistor à canal n, rigoureusement semblable à celui qui est représenté sur la fig 4 et qui est obtenu par le procédé connu décrit, tandis qu'il est formé, dans la zone 6, un transistor à canal p tout à fait semblable à celui de la fig 4 La région 4 est entourée d'un anneau de garde 21 de type p fortement dopé (p+) et la région 6
est entourée d'un anneau de garde 19 de type N fortement dopé (n+).
On notera qu'avec le procédé suivant l'invention, l'anneau de garde 21 a une profondeur et, par suite, une étendue à l'intérieur de la zone active qui sont indépendantes de la phase de formation du p-well 17 Il en résulte, comme on le voit en comparant les fig 5 et 10, que la surface disponible pour le transistor à canal N lorsqu'on applique le procédé suivant l'invention est, à égalité d'autres dimensions et caractéristiques électriques, plus grande que celle qu'on peut obtenir par le procédé connu, comme on peut le voir en particulier sur la fig 10 o l'on a indiqué par w'eff la largeur efficace du canal de conduction du transistor
à canal n; ou bien, ce qui revient au même, que la densité d'inté-
gration de transistors MOS complémentaires, ayant les mêmes carac-
téristiques que celles qui sont obtenues avec le procédé connu,
est plus élevée lorsqu'on applique le procédé suivant l'invention.
Du fait qu'il n'a été représenté et décrit qu'une seule forme d'exécution du procédé suivant l'invention, il est évident que de nombreuses variantes et modifications peuvent y être apportées sans que l'on sorte pour autant du cadre de l'invention Par exemple, la diffusion pour la formation de l'anneau de garde 21 et la formation de la couche d'oxyde épaisse 23 peuvent être effectuées en une seule opération à haute température dans une atmosphère oxydante, si l'on règle convenablement les paramètres
de traitement.
REVEMDICATIONS
1 Procédé pour former, sur un substrat de silicium monocristal-
lin, une paire de transistors MOS complémentaires, isolés chacun par un anneau de garde, comprenant les opérations de délimitation de deux régions du substrat, séparées l'une de l'autre par une zone intermédiaire, et de dopage de la zone intermédiaire avec des impuretés d'un premier type de conductivité (n) pour la formation d'un premier anneau de garde, caractérisé par les opérations suivantes Formation, sur le substrat, d'un masque de silicium polycristallin qui recouvre une partie de la zone intermédiaire et une première ( 6) des deux régions; Dopaga de la seconde région ( 4) avec des impuretés d'un second type de conductivité (p); Chauffage dans uhe atmosphère non oxydante et à une première température préalablement fixée, pendant une durée prédéterminée, pour faire diffuser dans le substrat les impuretés du premier et du second types de conductivité introduites dans le substrat lors des opérations précédentes; Dopage de la partie de la zone intermédiaire non protégée par le masque de silicium polycristallin avec des impuretés du second type de conductivité (p) dans une concentration telle que l'on obtienne, à la fin du traitement, un second anneau de garde fortement dopé avec des impuretés du second type (p); Elimination du masque;
Chauffage à une seconde température préalablement fixée, infé-
rieure à la première, et pendant une durée prédéterminée pour faire diffuser-seulement les impuretés du second type de conductivité (p) introduites dans le substrat lors de l'opération précédente -10 de dopage jusqu'à une profondeur prédéterminée; Formation d'une couche protectrice de bioxyde de silicium sur toute la zone intermédiaire; et
Formation de deux dispositifs MOS complémentaires dans le subs-
trat au niveau des deux régions. 2 Procédé selon la revendication 1 dans lequel la délimitation des deux régions du substrat ( 2) consiste: à former sur le substrat ( 2) une première couche ( 8) d'une première matière masquante (Si 02), l O à former sur la première couche ( 8) une seconde couche ( 10 a, O lb) d'une seconde matière masquante (Si 3 N 4), à former sur la seconde couche ( 10 a, 10 b) un masque ( 12 a, b) destiné à protéger deux régions ( 4, 6) du substrat ( 2),
à éliminer la partie de la seconde couche ( 10 a, 10 b) non proté-
* 15 gée par le masque ( 12 a, 12 b) et à éliminer le masque ( 12 a, 12 b) , caractérisé en ce que le dopage de la seconde région ( 4) est effectué par implantation ionique avec une énergie telle que la
première ( 8) et la seconde ( 10 a) couches superposées soient tra-
versées et le dopage pour la formation du second anneau de garde est effectué par implantation ionique avec une énergie telle que la première couche ( 8) soit traversée, mais non la première ( 8) et la seconde ( 10 a) couches superposées, et en ce que le chauffage
à la seconde température préalablement fixée se produit en atmos-
phère oxydante, d'o il résulte que la couche protectrice de
bioxyde de silicium se forme pendant cette phase du procédé.
FR8305752A 1982-04-08 1983-04-08 Procede pour la fabrication de transistors mos complementaires dans des circuits integres a haute densite pour tensions elevees Expired FR2525030B1 (fr)

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