FR2512274A1 - Procede de fabrication d'une metallisation en siliciure de cobalt pour un transistor - Google Patents
Procede de fabrication d'une metallisation en siliciure de cobalt pour un transistor Download PDFInfo
- Publication number
- FR2512274A1 FR2512274A1 FR8214391A FR8214391A FR2512274A1 FR 2512274 A1 FR2512274 A1 FR 2512274A1 FR 8214391 A FR8214391 A FR 8214391A FR 8214391 A FR8214391 A FR 8214391A FR 2512274 A1 FR2512274 A1 FR 2512274A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- cobalt
- layer
- silicon
- disilicide
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 117
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 title claims abstract description 117
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 117
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 title claims description 35
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 8
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- AIOWANYIHSOXQY-UHFFFAOYSA-N cobalt silicon Chemical compound [Si].[Co] AIOWANYIHSOXQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 150000001869 cobalt compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 235000013495 cobalt Nutrition 0.000 description 109
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008366 buffered solution Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012549 training Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHSPJQZRQAJPPF-UHFFFAOYSA-N N-alpha-Methylhistamine Chemical compound CNCCC1=CN=CN1 PHSPJQZRQAJPPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001281643 Solus Species 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical class S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28097—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being a metallic silicide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System the conductive layers comprising silicides
Abstract
L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMICONDUCTEURS. DANS LA FORMATION D'UNE STRUCTURE DE TRANSISTOR MOS ON DEPOSE UNE COUCHE DE COBALT 16 SUR UNE TRANCHE DE SEMICONDUCTEUR DANS LAQUELLE ON A DEFINI DES PARTIES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN OU MONOCRISTALLIN 14, 11 AINSI QUE DES PARTIES EN OXYDE 15. LE COBALT CHAUFFE ENTRE 400C ET 500C REAGIT AVEC LE SILICIUM EN FORMANT DES COMPOSES TELS QUE COSI OU COSI. UN TRAITEMENT THERMIQUE A ENVIRON 700C OU PLUS, DE PREFERENCE DANS UNE AMBIANCE OXYDANTE, CONVERTIT LES COMPOSES DE COBALT EN DISILICIURE DE COBALT COSI RELATIVEMENT STABLE. APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES.
Description
la présente invention concerne un procédé de fabri-
cation d'un circuit intégré qui comprend l'opération consis-
tant à former une couche de siliciure riche en cobalt sur une
partie en silicium à nu.
Il a été suggéré dans l'art antérieur d'utiliser industriellement des électrodes en siliciure de cobalt en tant que contacts de métallisation d'électrode sur du silicium,
dans des dispositifs à semiconducteurs consistant en transis-
tors, en particulier des transistors à effet de champ à grille
isolée Lorsqu'un contact de métallisation d'électrode en si-
liciure de cobalt sur du silicium est formé initialement à
une température inférieure à environ 5500 (J, une telle électro-
de est formée essentiellement par du monosiliciure de cobalt (Oosi); et si, comme on le désire habituellement au cours d'un traitement ultérieur, la température du dispositif qui
est fabriqué est élevée par la suite jusqu'à une valeur supé-
rieure à environ 60000, le monosiliciure de cobalt est conver-
ti en disiliciure de cobalt (Go Si 2) et cette conversion pro-
duit une augmentation du volume du siliciure de cobalt Une telle augmentation du volume peut produire des contraintes indésirables, à moins qu'il existe un espace vide suffisant (tel que celui que procure une surface à nu du siliciure de cobalt) dans lequel le disiliciure de cobalt puisse se dilatera Si on forme initialement un contact avec le silicium
directement sous la forme de disiliciure de cobalt, en chauf-
fant le cobalt métallique en contact avec le silicium à une température supérieure à environ 55000 ou 600 0, la nécessité d 'élever ultérieurement la température de traitement à une valeur supérieure à environ 90000 (dans des buts tels que le piégeage d'impuretés ou la réparation des détériorations par recuit ou l'écoulement d'un verre au phosphosilicate (verre
P)),produit une croissance de grain indésirable dans le disi-
liciure de cobalt Elle produit également une migration indé-
sirable du silicium vers l'électrode en disiliciure de cobalt, à partir des régions de source et de drain sous-jacentes Le fait de chauffer le disiliciurede cobalt à des températures
supérieures à environ 90000 augmente également de façon in-
désirable la résistance du disiliciure de cobalt, ce qui est particulièrement indésirable pour l'électrode de grille, probablement à cause du mélange du disiliciure de cobalt avec le silicium De plus, à des températures supérieures à
environ 6000 C, le cobalt pur réagit lui-même avec le dioxy-
de de silicium qui est habituellement présent sur la tranche, ce qui forme des composés indésirables qu'il est difficile d'éliminer sans affecter le siliciure de cobalt En outre, au-dessus d'environ 60000, le cobalt a tendance à attirer,
par diffusion vers lui-mgme, tout silicium ou phosphore voi-
sin, ce qui allonge de façon indésirable l'électrode de gril-
le et détériore tout verre dopé au phosphore (verre P) Il serait donc souhaitable de disposer d'un procédé de formation
de contacts d'électrode en disiliciure de cobalt sur du si-
licium qui atténue ces problèmes.
Conformément à l'invention, ces problèmes sont ré-
solus dans un procédé de réalisation de contacts sur du sili-
cium caractérisé en ce qu'on chauffe une couche de siliciure riche en cobalt jusqu'à une température d'au moins 70000 dans
une ambiance oxydante, pour la convertir en une couche de di-
siliciure de cobalt.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la
description qui va suivre d'un mode de réalisation et en se
référant aux dessins annexés sur lesquels: L Ies figures 1 à 6 représentent, en coupe, diverses
phases de fabrication d'un transistor à effet de champ à gril-
le isolée, conformément à un mode de réalisation particulier
de l'invention.
Dans le seul but de rendre les dessins plus clairs,
aucun d'eux n'est à l'échelle.
Conformément à l'invention, on forme des contacts de métallisation d'électrode en disiliciure de cobalt sur du silicium sous-jacent (polycristallin ou monocristallin) en soumettant à un traitement thermique une couche de siliciure
de cobalt en contact avec le silicium à une température d'en-
viron 7000 C ou plus dans une ambiance oxydante, contenant de préférence au moins 1 % d'oxygène en volume Ceci forme des électrodes en disiliciure de cobalt revêtues de dioxyde de
silicium, le silicium qui est l'un des constituants du dio-
xyde de silicium ayant diffusé à travers l'électrode à partir du silicium sous-jacent Les électrodes en disiliciure de
cobalt résultantes sont relativement stables au cours d'opé-
rations de traitement ultérieures Selon une variante, il n'est pas nécessaire que l'ambiance dans laquelle la couche de siliciure de cobalt est soumise à un traitement thermique à 7000 C ou plus, soit oxydante, auquel cas le disiliciure de
cobalt résultant est rev 4 tu d'une couche de dioxyde de sili-
cium par une opération de dépôt séparée On entend par "si-
licure riche en cobalt" des composés de siliciure de bobalt (tels que Co 2 Si)ayant un rapport atomique entre le cobalt et le silicium supérieur à celui du monosiliciure de cobalts On désigne simplement par "siliciure de cobalt" des mélanges de composés de monosiliciure de cobalt et de siliciure riche en
cobalt, mélangés ou non avec du disiliciure de cobalt.
Dans un mode de réalisation particulier de l'inven-
tion, on fabrique une structure de transistor à effet de champ à grille isolée dans un substrat ou un bloc de semiconducteur consistant en silicium, avec des contacts de métallisation d'électrode de source et de drain sur le substrat de silicium, ou avec des contacts de métallisation d'électrode de grille sur une grille en silicium polycristallin, ou avec les deux, de tels contacts consistant essentiellement en disiliciure de cobalt* On forme ces contacts de métallisation en soumettant
tout d'abord à un traitement thermique du cobalt sur le si-
licium (substrat ou grille) à une température relativement
basse (de façon caractéristique d'environ 45000), et en ef-
fectuant ensuite un traitement thermique à une température relativement élevée (supérieure à environ 70000) dans une
ambiance oxydante qui contient de façon caractéristique envi-
ron 1 % d'oxygène.
Plus spécialement, conformément à l'invention, on dépose une couche de cobalt métallique ayant une épaisseur
désirée sur une surface principale d'une tranche de semi-
conducteur consistant en silicium sur laquelle on a défini
un motif et dans laquelle on fabrique le transistor Le ni-
veau ou la phase de définition de motif de la tranche au mo-
ment de ce dépôt de cobalt dépend du type de métallisation contact pratiquement égales ou inférieures à celles obtenues
par l'utilisation d'aluminium en contact direct avec le si-
licium ou le silicium polycristallin En outre, ces électro-
des en disiliciure de cobalt présentent une stabilité appro-
priée vis-à-vis d'une migration indésirable de cobalt qui se produirait par ailleurs pendant des opérations de traitement ultérieures des transistors aux températures relativement élevées (au-dessus d'environ 60000) qui sont habituellement nécessaires pour piéger les impuretés, pour le dépôt chimique en phase vapeur de verre au phosphosilicate pour l'isolation
électrique, ou pour le dépft chimique en phase vapeur de ni-
trure de siliciure, dans le but de réaliser une structure
hermétique TI faut cependant noter qu'il n'est pas obliga-
toire que la température relativement élevée ( 7000 C à 90000 ou plus) à laquelle le disiliciure de cobalt est stabilisé dans l'ambiance oxydante, conformément à l'invention, soit aussi élevée que la température de traitement la plus élevée
utilisée par la suite.
-On considère au point de vue théorique que la pro-
priété oxydante de l'ambiance dans laquelle le disiliciure
de cobalt est stabilisé à 70000 ou plus, conformément à l'in-
vention, est utile pour empocher la formation de monosiliciu-
re de cobalt ou de siliciures riches en cobalt, et pour for-
mer un revêtement mince (environ 5 à 7 nm) d'oxyde de cobalt sur la couche de disiliciure de cobalt, ce revetement étant
utile pour atténuer une inter-diffusion ultérieure du disi-
liciure de cobalt, par rapport à toute région voisine en
silicium ou en phosphore L'utilité de l'invention est évidem-
ment indépendante de l'exactitude de cette théorie.
On va maintenant considérer la figure 1 qui montre que pour fabriquer un transistor à effet de champ à grille isolée, on forme successivement sur une tranche ou un substrat de silicium 11 une couche d'oxyde de champ 12, une couche d'oxyde de grille 13, une couche de silicium polycristallin
14, une couche de masquage en dioxyde de silicium 15 dans la-
quelle on a défini des ouvertures, et une couche de métal 16 consistant en cobalt la couche de silicium polycristallin 14 a une épaisseur qui est habituellement comprise dans la qu'on désire, c'est-à-dire une métallisation en siliciure de cobalt d'une électrode de gril 2 e,-ou d'électrodes de
source et de drain Après dép 6 t de la couche de métal consis-
tant en cobalt, on soumet le métal à un traitement thermique à une température relativement basse (environ 45000) pour le faire réagir avec le silicium ou le silicium polycristallin sous-jacent avec lequel la couche de cobalt est en contact, afin de former du siliciure de cobalt Le cobalt qui n'a pas réagi, c'est-à-dire le cobalt en contact avec des parties qui ne sont pas en silicium (soit de façon caractéristique
des parties en dioxyde de silicium ou en verre P), est enle-
vé par une attaque sélective qui enlève le cobalt mais qui n'enlève pas le siliciure de cobalt Ensuite, mais avant tout autre traitement faisant intervenir un chauffage (qui pourrait produire des contraintes indésirables à cause des changements de volume qui accompagnent la formation du disiliciure de
cobal), le siliciure de cobalt est à nouveau soumis à un trai-
tement thermique, cette fois dans l'ambiance oxydante (de fa-
çon caractéristique environ 2 % d'oxygène) à la température relativement élevée (de façon caractéristique environ 7000 C à 95000 ou plus), pour former des électrodes en disiliciure
de cobalt.
Lorsqu'on poursuit la formation d'une métallisation
d'électrode de source et de drain, après avoir formé les élec-
trodes en disiliciure de cobalt conformément à l'invention, on-
dépose avantageusement surile disiliciure de cobalt du sili-
cium polycristallin dopé in situ afin d'obtenir une bonne
couverture de marche pour un dépôt ultérieur d'une métallisa-
tion en aluminium sur le silicium polycristallin et, simulta-
nément, pour assurer une protection contre des réactions in-
désirables ( " ensemencement ") de l'aluminium avec le
disiliciure de cobalt dans les régions de source et de drain.
De telles réactions pourraient se produire sous l'effet de traitements thermiques ultérieurs de la tranche à environ
4000 C ou plus.
Les résistivités des électrodes en disiliciure de cobalt résultantes, réalisées conformément à l'invention, peuvent ne pas dépasser 20 y JL cm, avec des résistances de
plage d'environ 200 à 500 nm, et qui a une valeur caractéris-
tique d'environ 300 nm La couche de cobalt 16 a une épais-
seur qui est habituellement comprise dans la plage d'environ
à 70 nm, avec une valeur caractéristique d'environ 60 nm.
On peut par exemple déposer cette couche de cobalt 16 par
des techniques connues de pulvérisation ionique avec de l'ar-
gon à la température ambiante, ou par évaporation en mainte-
nant le substrat de silicium à environ 20000 à 25000, comme il est décrit par exemple dans l'article de G J Van Gurp et
col 46 Journal of Applied Physics, pages 4308-4311, aux pa-
ges 4308-4309 ( 1975) On chauffe ensuite la structrue fabri-
quée dans une ambiance inerte, telle qu'un gaz de formation (azote contenant environ 15 % d'hydrogène en volume) à la pression atmosphérique, de façon que la couche de cobalt 16
soit chauffée à une première température dans la plage d'en-
viron 40000 à 55000, soit de façon caractéristique environ
4500 C, pendant une durée caractéristique d'environ 2 heures.
En considérant la figure 2, on note que ce premier traitement thermique a pour effet de convertir la couche de cobalt 16 en une couche de siliciure de cobalt 18 dans les régions qui recouvrent la couche de silicium polycristallin 14, en étant en contact direct avec cette dernière la couche de cobalt 16 demeure sous la forme d'une couche de cobalt 26 (figure 2) dans les régions qui recouvrent la couche de masquage 15 On enlève ensuite la couche de cobalt 26, par exemple par un traitement d'attaque de la structure avec une solution acide, consistant de façon caractéristique en un mélange dans les proportions 5:3:1:1 en volume d'acides acétique, nitrique, phosphorique et sulfurique concentrés (C J Smithells, Metals Reference Handbook, Vol 1, p 328), qui laisse intacte la couche de siliciure de cobalt 18, comme le montre la figure 3. On enlève ensuite la partie à nu de la couche de masquage en dioxyde de silicium 15, par exemple par attaque sélective avec une solution tamponnée d'acide fluorhydrique, en utilisant la couche de siliciure de cobalt 18 comme masque protecteur contre l'attaque On enlève ensuite les parties à nu de la couche de silicium polycristallin 14, par exemple par attaque par plasma ou par attaque ionique réactive, en utilisant à nouveau cette couche de siliciure de cobalt 18 comme masque protecteur contre l'attaque On attaque ensuite les parties à nu de la couche de dioxyde de silicium 13 avec une solution telle qu'une solution tamponnée d'acide fluo Thy-
drique du commerce ( 30:1), qui n'enlève pas la couche de si-
liciure de cobalt 18 La partie restante amincie 24 de la
couche de silicium polycristallin et une partie 23 de la cou-
che de dioxyde de silicium se trouvent sous la couche de si-
liciure de cobalt 18 Cette couche de siliciure de cobalt 18
doit maintenant être convertie en disiliciure de cobalt.
Après avoir nettoyé la surface supérieure de la structure, en utilisant de façon caractéristique une solution tamponnée d'acide fluorhydrique du commerce ( 30:1) pendant environ 30 à 60 secondes, on soumet la structure fabriquée à un second traitement thermique, cette fois dans une ambiance
oxydante, à une seconde température d'au moins 70000, habi-
tuellement dans la plage d'environ 70000 à 10000 C, et à une température caractéristique d'environ 9000 C, pendant environ
une demi-heure Cette ambiance oxydante consiste avantageuse-
ment en un gaz inerte tel que de l'argon, mélangé avec de
l'oxygène avec une concentration molaire dans la plage d'en-
viron 1 % à 5 %, et de façon caractéristique d'environ 2 %.
Ce chauffage a pour effet de convertir la couche de siliciure
de cobalt 18 en une couche de disiliciure de cobalt 28 (fi-
gure 4) Il est important pour la plupart des applications concernant les transistors, et en particulier les transistors
à effet de champ à grille isolée, que la couche de disiliciu-
re de cobalt 28 ne pénètre pas jusqu'à la couche de dioxyde
de silicium 23 sous-jacente Il faut donc choisir une épais-
seur suffisamment grande pour la couche de silicium polycris-
tallin 14 de façon qu'après réaction chimique, une partie de la couche de silicium polycristallin 24 demeure toujours sous
la couche de disiliciure de cobalt 28 Le silicium polycris-
tallin restant est alors disponible, si on le désire, pour former (par diffusion) du dioxyde de silicium faisant fonction
d'isolant au sommet du disiliciure de cobalt.
On forme ensuite les zones de source et de drain
12274
n+, 21 et 22, par exemple par des opérations classiques d'im-
plantation ionique et de diffusion d'impuretés du type don-
neur, en utilisant la combinaison de la couche de disiliciure de cobalt 28 et de la couche de silicium polycristallin en tant que masque protecteur (auto-aligné) contre l'introduc-
tion d'impuretés sous ces couches.
On forme ensuite successivement sur la structure une couche de verre au phosphosilicate (verre P) et une couche de nitrure de silicium produite par dép 6 t chimique en phase vapeur, à des températures élevées qui sont comprises de façon caractéristique dans des plages respectives d'environ 7000 C à 90000 et d'environ 70000 à 80000 On soumet ensuite la couche de nitrure formée par dépôt chimique en phase vapeur à une attaque isotrope, par exemple une attaque par plasma, à des emplacements sélectionnés qui se trouvent au-dessus des parties des zones de source et de drain 21 et 22 oh on doit former
les contacts d'électrod-e de source et de drain sur le silicium.
On forme ainsi une couche de nitrure de silicium 26 (figure 5) obtenue par dépot chimique en phase vapeur et dans laquelle on a défini un motif, et cette couche est utile pour protéger le
transistor à fabriquer contre des contaminants tels que l'hy-
drogène On soumet ensuite la couche de verre P à une attaque anisotrope sélective, par exemple une attaque par faisceau d'ions, pour former une couche de verre P 25 dans laquelle on
a défini un motif, et pour mettre à nu des parties sous-jacen-
tes des zones de source et de drain 21 et 22.
On dépose ensuite une autre couche de cobalt, d'une épaisseur dans la plage d'environ 10 à 70 nm et d'une valeur
caractéristique d'environ 50 nm On chauffe ensuite la struc-
ture à une température relativement basses soit 40000 à 55000,
et de façon caractéristique environ 45000, pendant une demi-
heure, de façon que cette dernière couche de cobalt se combine avec le silicium pour former des électrodes en siliciure de cobalt 31 et 32 sur les parties à nu des zones de source et
de drain 21 et 22 Le cobalt qui reste dans les parties complé-
mentaires de la structure est enlevé, par exemple par attaque par un acide (par exemple de la manière décrite ci-dessus en relation avec la couche de siliciure de cobalt 18), sans en lever le siliciure de cobalt Après nettoyage de la structure, en employant de façon caractéristique une solution tamponnée d'acide fluorhydrique du commerce ( 30:1), on convertit les électrodes en siliciure de cobalt 31 et 32 en électrodes en disiliciure de cobalt 41 et 42, par chauffage de la manière décrite cidessus en relation avec la formation de la couche de disiliciure de cobalt 28, c'est-à-dire par chauffage dans une atmosphère oxydante à une température comprise dans la plage d'environ 700 O à 100000, et de façon caractéristique
à environ 90000, pendant environ une demi-heure Ces électro-
des en disiliciure de cobalt 41 et 42 (figure 6) sont en con-
tact direct avec les zones respectives de source et de drains
21 et 22.
On forme ensuite une couche de silicium polycristal-
lin, de préférence dopée sur place (c'est-à-dire dopée pendant son dépôt) avec du phosphore, surtoute la surface supérieure de la structure qui est fabriquée Ensuite, pour piéger les impuretés, on chauffe la structure à une température comprise
dans la plage d'environ 95000 à 100000, de façon caractéris-
tique dans une ambiance de vapeur de tribromure de phosphore (P Br 3) et d'environ 2 % d'oxygène dans de l'azote, pendant
environ 30 minutes.
On dépose ensuite une couche d'aluminium, par exem-
ple par évaporation, sur la couche de silicium polycristallin déposée en dernier Par des opérations classiques de masquage et d'attaque, on attaque sélectivement les couches d'aluminium
et de silicium polycristallin pour former une couche de métal-
lisation en silicium polycristallin 33 et une couche de métal-
lisation en aluminium 34 qui conviennent pour l'interconnexion des zones de source et de drain 21 et 22 de la structure de transistor 100 La couche de silicium polycristallin 33 a pour fonction d'assurer une bonne couverture des marches de la métallisation et d'établir une barrière souhaitable contre
une inter-diffusion d'aluminium et de siliciure de cobalt.
Enfin, on forme sur la totalité de la surface supérieure de la structure 100 une couche de nitrure de silicium 35, déposée
par plasma, dans le but d'enfermer hermétiquement et de proté-
ger le dispositif sous-jacent.
Ia couche de silicium polycristallin dopé au phos-
phore, 33, sera stable vis-à-vis d'un mélange indésirable avec le disiliciure de cobalt sous-jacent aussi longtemps
que tout traitement ultérieur sera effectuéau-dessous d'en-
rion 950 O C Dans le cas o la couche de métallisation en si- licium polycristallin 33 est dopée avec du bore au lieu du phosphore, une instabilité indésirable apparaîtra du fait du mélange entre le silicium polycristallin et le disiliciure de cobalt sous-jacent, si un traitement ultérieur quelconque est accompli au-dessus d'environ 800 O Par conséquent, dans un tel cas de dopage avec du bore, tout traitement ultérieur est de préférence effectué à des températures bien inférieures à
800 00, comme par exemple à environ 50000.
Dans un exemple caractéristique qui n'est donné que dans un but d'illustration, les épaisseurs approximatives des diverses couches sont les suivantes: Couche d'oxyde de champ 12 1000 nm Couche d'oxyde de grille 13 25 nm Couche de silicium polycristallin 14 300 nm Couche d'oxyde de masquage 15 150 nm Couche de verre P 25 1500 nm Couche de nitrure 26, formée par dépôt chimique en phase vapeur 120 nm Couche de silicium polycristallin 33 350 nm Couche d'aluminium 34 1000 nm Couche de nitrure 35 déposée par plasma 1200 nm
Il faut noter que la description faite ci-dessus des
diverses opérations employées pour former la structure 100
n'est destinée qu'à servir d'exemple et n'exclut pas l'utili-
sation de divers perfectionnements, substitutionset adjonc-
tions,comme des opérations supplémentaires de nettoyage et de recuit, comme il est connu On peut également supprimer la couche de nitrure 26 formée par dépôt chimique en phase vapeur, dans les cas dans lesquels le problème des "électrons
chauds" (produit par exemple par des interactions indésira-
bles faisant intervenir de l'hydrogène dans l'oxyde de grille) n'est pas grave, comme par exemple dans les cas dans lesquels
la tension de fonctionnement source-drain ne dépasse pas en-
il viron 5 V.
On vient de décrire l'invention en détail en consi-
dérant un mode de réalisation particulier, mais on peut ef-
fectuer de nombreuses modifications sans sortir du cadre de l'invention Par exemple, le premier traitement thermique du cobalt peut Ctre effectué à environ 60000 en l'absence d'agent
oxydant dans l'ambiance, de façon à former directement le di-
siliciure de cobalt dans des régions qui recouvrent les par-
ties de silicium à nu de la tranche dans laquelle on a formé un motif Cependant, l'attaque différentielle du cobalt sous forme de métal est alors plus difficile, ce qui fait qu'il est préférable d'utiliser la formation initiale directe de disiliciure de cobalt dans les cas dans lesquels on emploie
un procédé de "décollement" de matière de réserve, c'est-à-
dire dans les cas dans lesquels la-partie complémentaire, alors à nu, de la tranche dans laquelle on a défini un motif consiste essentiellement en cobalt métallique surmontant une couche de matière de réserve destinée à etre décollée en même
temps que le cobalt qui la recouvre.
Le second traitement thermique, dans l'ambiance oxydante, produit une couche mince (environ 5 à 10 nm) de dioxyde de silicium à la surface du disiliciure de cobalt,
et le silicium présent dans cette couche de dioxyde de sili-
cium a diffusé vers la couche à partir de la couche de sili-
cium polycristallin sous-jacente A titre d'alternative à ce second traitement thermique dans l'ambiance oxydante, on peut déposer une couche de dioxyde de silicium sur la couche de siliciure de cobalt, par exemple par dépet chimique en phase vapeur, soit avant soit après un traitement thermique à 70000 ou plus (de préférence après, en particulier dans le cas de la formation d'une électrode de grille), pour convertir le
siliciure de cobalt en disiliciure de cobalt On peut em-
ployer la technique de formation d'électrodes en disiliciure de cobalt relativement stables, conformément à l'invention,
pour former de telles électrodes dans le cadre d'autres dis-
positifs électroniques On peut également utiliser les élec-
trodes en disiliciure de cobalt de l'invention uniquement pour l'électrode de grille, en association avec d'autres
électrodes pour les contacts de source et de drain, ou in-
versement, et également en association avec d'autres techni-
ques pour l'isolation électrique de la grille, de la source et du drain, ainsi qu'en association avec d'autres techniques que celles employant le nitrure de silicium (déposé par dépft
chimique en phase vapeur ou par plasma) pour enfermer hermé-
tiquement la structure du dispositif Enfin, on peut ajouter diverses opérations de recuit, de façon caractéristique à des
températures dans la plage d'environ 45000 à 9500 C, par exem-
ple entre les opérations de traitement ci-dessus pour la for-
mation de disiliciure de cobalt et de la métallisation en aluminium.
Claims (2)
1 Procédé de fabrication d'un circuit intégré com-
prenant l'opération qui consiste à former une couche de sili-
ciure riche en cobalt ( 18) sur une partie en silicium à nu ( 24), caractérisé par l'opération consistant à chauffer la couche de siliciure de cobalt ( 18) à une température d'au moins 70000 C dans une ambiance oxydante pour la convertir en une couche de disiliciure de cobalt ( 28)o 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'opération de chauffage consiste en un traitement thermique de la couche de siliciure de cobalt à une
température d'environ 9000 C ou plus.
3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé
en ce que l'ambiance contient de l'oxygène avec une concentra-
tion molaire dans la plage d'environ 0,5 à 5,0 %o 4 Procédé selon la revendication 1, caractérisé
par les opérations suivantes: on dépose une couche de sili-
cium polycristallin sur la couche de disiliciure de cobalt; et on dépose une couche d'aluminium sur la couche de silicium
polycristallin.
Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le disiliciure de cobalt recouvre une grille en silicium destinée à 4 tre utilisée dans un transistor MO So 6 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on dépose une couche de silicium polycristallin dopé pendant le dépôt, sur la couche de disiliciure de cobalto
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/296,914 US4378628A (en) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | Cobalt silicide metallization for semiconductor integrated circuits |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2512274A1 true FR2512274A1 (fr) | 1983-03-04 |
| FR2512274B1 FR2512274B1 (fr) | 1985-06-28 |
Family
ID=23144083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8214391A Expired FR2512274B1 (fr) | 1981-08-27 | 1982-08-20 | Procede de fabrication d'une metallisation en siliciure de cobalt pour un transistor |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4378628A (fr) |
| JP (1) | JPS5846633A (fr) |
| CA (1) | CA1204045A (fr) |
| DE (1) | DE3231987C2 (fr) |
| FR (1) | FR2512274B1 (fr) |
| GB (1) | GB2104728B (fr) |
| IT (1) | IT1152039B (fr) |
| NL (1) | NL191424C (fr) |
Families Citing this family (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4700215A (en) * | 1981-11-19 | 1987-10-13 | Texas Instruments Incorporated | Polycide electrodes for integrated circuits |
| US4495512A (en) * | 1982-06-07 | 1985-01-22 | International Business Machines Corporation | Self-aligned bipolar transistor with inverted polycide base contact |
| DE3314879A1 (de) * | 1983-04-25 | 1984-10-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von stabilen, niederohmigen kontakten in integrierten halbleiterschaltungen |
| US4514893A (en) * | 1983-04-29 | 1985-05-07 | At&T Bell Laboratories | Fabrication of FETs |
| GB2139418A (en) * | 1983-05-05 | 1984-11-07 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor devices and conductors therefor |
| US4470189A (en) * | 1983-05-23 | 1984-09-11 | International Business Machines Corporation | Process for making polycide structures |
| US4490193A (en) * | 1983-09-29 | 1984-12-25 | International Business Machines Corporation | Method for making diffusions into a substrate and electrical connections thereto using rare earth boride materials |
| US4481046A (en) * | 1983-09-29 | 1984-11-06 | International Business Machines Corporation | Method for making diffusions into a substrate and electrical connections thereto using silicon containing rare earth hexaboride materials |
| FR2555364B1 (fr) * | 1983-11-18 | 1990-02-02 | Hitachi Ltd | Procede de fabrication de connexions d'un dispositif a circuits integres a semi-conducteurs comportant en particulier un mitset |
| JPS60116167A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| JPS60163455A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Toshiba Corp | 読み出し専用記憶装置及びその製造方法 |
| US4581623A (en) * | 1984-05-24 | 1986-04-08 | Motorola, Inc. | Interlayer contact for use in a static RAM cell |
| US4743564A (en) * | 1984-12-28 | 1988-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device |
| US4821085A (en) * | 1985-05-01 | 1989-04-11 | Texas Instruments Incorporated | VLSI local interconnect structure |
| US4811078A (en) * | 1985-05-01 | 1989-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit device and process with tin capacitors |
| US4811076A (en) * | 1985-05-01 | 1989-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Device and process with doubled capacitors |
| CA1235824A (fr) * | 1985-06-28 | 1988-04-26 | Vu Q. Ho | Circuits mosfet vlsi utilisant un metal refraction et/ou un siliciure de metal refractaire |
| US4660276A (en) * | 1985-08-12 | 1987-04-28 | Rca Corporation | Method of making a MOS field effect transistor in an integrated circuit |
| US4825271A (en) * | 1986-05-20 | 1989-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory |
| NL8700820A (nl) * | 1987-04-08 | 1988-11-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
| JPH063812B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1994-01-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US4914500A (en) * | 1987-12-04 | 1990-04-03 | At&T Bell Laboratories | Method for fabricating semiconductor devices which include sources and drains having metal-containing material regions, and the resulting devices |
| US4833099A (en) * | 1988-01-07 | 1989-05-23 | Intel Corporation | Tungsten-silicide reoxidation process including annealing in pure nitrogen and subsequent oxidation in oxygen |
| US4912061A (en) * | 1988-04-04 | 1990-03-27 | Digital Equipment Corporation | Method of forming a salicided self-aligned metal oxide semiconductor device using a disposable silicon nitride spacer |
| US5260235A (en) * | 1988-05-26 | 1993-11-09 | Lasa Industries, Inc. | Method of making laser generated I. C. pattern for masking |
| NL8801632A (nl) * | 1988-06-27 | 1990-01-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij tijdens depositie van een metaal een metaalsilicide wordt gevormd. |
| US4959708A (en) * | 1988-08-26 | 1990-09-25 | Delco Electronics Corporation | MOS integrated circuit with vertical shield |
| US4886765A (en) * | 1988-10-26 | 1989-12-12 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method of making silicides by heating in oxygen to remove contamination |
| JP2980966B2 (ja) * | 1989-11-30 | 1999-11-22 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | デバイス及びその製造方法 |
| US5047367A (en) * | 1990-06-08 | 1991-09-10 | Intel Corporation | Process for formation of a self aligned titanium nitride/cobalt silicide bilayer |
| US5147820A (en) * | 1991-08-26 | 1992-09-15 | At&T Bell Laboratories | Silicide formation on polysilicon |
| US5834368A (en) * | 1992-02-13 | 1998-11-10 | Nec Corporation | Integrated circuit with a metal silicide film uniformly formed |
| TW209308B (en) * | 1992-03-02 | 1993-07-11 | Digital Equipment Corp | Self-aligned cobalt silicide on MOS integrated circuits |
| TW232751B (en) * | 1992-10-09 | 1994-10-21 | Semiconductor Energy Res Co Ltd | Semiconductor device and method for forming the same |
| US6624477B1 (en) * | 1992-10-09 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP0603461A3 (fr) * | 1992-10-30 | 1996-09-25 | Ibm | Formation de structures 3D-comportant des siliciures de silicium. |
| US5334545A (en) * | 1993-02-01 | 1994-08-02 | Allied Signal Inc. | Process for forming self-aligning cobalt silicide T-gates of silicon MOS devices |
| US6197646B1 (en) | 1993-02-12 | 2001-03-06 | Fujitsu Limited | Manufacture of semiconductor device with salicide electrode |
| JP3637069B2 (ja) | 1993-03-12 | 2005-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN1095204C (zh) * | 1993-03-12 | 2002-11-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件和晶体管 |
| JP2677168B2 (ja) * | 1993-09-17 | 1997-11-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5449642A (en) * | 1994-04-14 | 1995-09-12 | Duke University | Method of forming metal-disilicide layers and contacts |
| US5536684A (en) * | 1994-06-30 | 1996-07-16 | Intel Corporation | Process for formation of epitaxial cobalt silicide and shallow junction of silicon |
| JP3334370B2 (ja) * | 1994-10-13 | 2002-10-15 | ヤマハ株式会社 | 半導体デバイス |
| JP2738333B2 (ja) * | 1995-03-30 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE69625747T2 (de) * | 1995-06-19 | 2003-10-23 | Imec Inter Uni Micro Electr | Ätzverfahren für CoSi2-Schichten und Verfahren zur Herstellung von Schottky-Barrieren Detektoren unter Verwendung desselben |
| US5780362A (en) * | 1996-06-04 | 1998-07-14 | Wang; Qingfeng | CoSi2 salicide method |
| US5949114A (en) * | 1996-11-07 | 1999-09-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device having increased breakdown voltage and method of fabricating same |
| US5997634A (en) | 1996-11-14 | 1999-12-07 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a crystalline phase material |
| JPH10173046A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100220253B1 (ko) * | 1996-12-27 | 1999-09-15 | 김영환 | Mosfet 제조 방법 |
| US6169025B1 (en) * | 1997-03-04 | 2001-01-02 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating self-align-contact |
| EP0865077A1 (fr) * | 1997-03-14 | 1998-09-16 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Méthode de formation d'une couche mince de siliciure sur un substrat silicium, et utilisation de cette couche dans des détecteurs |
| US5902129A (en) * | 1997-04-07 | 1999-05-11 | Lsi Logic Corporation | Process for forming improved cobalt silicide layer on integrated circuit structure using two capping layers |
| US6096639A (en) * | 1998-04-07 | 2000-08-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming a local interconnect by conductive layer patterning |
| TW386283B (en) * | 1998-05-25 | 2000-04-01 | United Microelectronics Corp | A method of manufacturing the buried contact of an SRAM cell |
| US6121098A (en) * | 1998-06-30 | 2000-09-19 | Infineon Technologies North America Corporation | Semiconductor manufacturing method |
| US6235630B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-05-22 | Micron Technology, Inc. | Silicide pattern structures and methods of fabricating the same |
| EP0991115A1 (fr) | 1998-09-28 | 2000-04-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Procédé de définition d'une ouverture dans une couche dielectrique |
| JP3216807B2 (ja) | 1998-10-02 | 2001-10-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6238986B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-05-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Formation of junctions by diffusion from a doped film at silicidation |
| US6194315B1 (en) | 1999-04-16 | 2001-02-27 | Micron Technology, Inc. | Electrochemical cobalt silicide liner for metal contact fills and damascene processes |
| US6380040B1 (en) | 1999-08-02 | 2002-04-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Prevention of dopant out-diffusion during silicidation and junction formation |
| AU2001262953A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-12 | Matrix Semiconductor, Inc. | Three-dimensional memory array and method of fabrication |
| JP2002043315A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE10056866C2 (de) * | 2000-11-16 | 2002-10-24 | Advanced Micro Devices Inc | Verfahren zur Bildung einer Ätzstoppschicht während der Herstellung eines Halbleiterbauteils |
| US6346477B1 (en) | 2001-01-09 | 2002-02-12 | Research Foundation Of Suny - New York | Method of interlayer mediated epitaxy of cobalt silicide from low temperature chemical vapor deposition of cobalt |
| US6475893B2 (en) | 2001-03-30 | 2002-11-05 | International Business Machines Corporation | Method for improved fabrication of salicide structures |
| US6440832B1 (en) * | 2001-07-06 | 2002-08-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Hybrid MOS and schottky gate technology |
| AU2002246316A1 (en) * | 2002-04-08 | 2003-10-27 | Council Of Scientific And Industrial Research | Process for the production of neodymium-iron-boron permanent magnet alloy powder |
| CN100452288C (zh) * | 2005-12-01 | 2009-01-14 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 湿法去除硅片背面钴沾污的方法 |
| WO2009031232A1 (fr) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Canon Anelva Corporation | Procédé et système de pulvérisation cathodique |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4285761A (en) * | 1980-06-30 | 1981-08-25 | International Business Machines Corporation | Process for selectively forming refractory metal silicide layers on semiconductor devices |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3617824A (en) * | 1965-07-12 | 1971-11-02 | Nippon Electric Co | Mos device with a metal-silicide gate |
| US4109372A (en) * | 1977-05-02 | 1978-08-29 | International Business Machines Corporation | Method for making an insulated gate field effect transistor utilizing a silicon gate and silicide interconnection vias |
| US4180596A (en) * | 1977-06-30 | 1979-12-25 | International Business Machines Corporation | Method for providing a metal silicide layer on a substrate |
| US4141022A (en) * | 1977-09-12 | 1979-02-20 | Signetics Corporation | Refractory metal contacts for IGFETS |
| JPS5487175A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of fabricating semiconductor |
| US4339869A (en) * | 1980-09-15 | 1982-07-20 | General Electric Company | Method of making low resistance contacts in semiconductor devices by ion induced silicides |
-
1981
- 1981-08-27 US US06/296,914 patent/US4378628A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-07-21 CA CA000407714A patent/CA1204045A/fr not_active Expired
- 1982-08-20 FR FR8214391A patent/FR2512274B1/fr not_active Expired
- 1982-08-23 IT IT22942/82A patent/IT1152039B/it active
- 1982-08-24 JP JP57145601A patent/JPS5846633A/ja active Granted
- 1982-08-25 GB GB08224369A patent/GB2104728B/en not_active Expired
- 1982-08-26 NL NL8203350A patent/NL191424C/xx not_active IP Right Cessation
- 1982-08-27 DE DE3231987A patent/DE3231987C2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4285761A (en) * | 1980-06-30 | 1981-08-25 | International Business Machines Corporation | Process for selectively forming refractory metal silicide layers on semiconductor devices |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 35, no 3, aout 1979 ; New York G.J. VAN GURP et al. "Cellular structure and silicide formation in laser-irradiated metal-silicon systems", pages 273-275 * |
| APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 37, no. 9, 1 novembre 1980 ; New York J. CHEN et al. "Oxidation mechanisms in TiSi2 films on single silicon substrates", pages 824-826 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2512274B1 (fr) | 1985-06-28 |
| NL191424B (nl) | 1995-02-16 |
| DE3231987C2 (de) | 1996-08-01 |
| JPS5846633A (ja) | 1983-03-18 |
| GB2104728A (en) | 1983-03-09 |
| IT1152039B (it) | 1986-12-24 |
| IT8222942A0 (it) | 1982-08-23 |
| GB2104728B (en) | 1985-08-14 |
| NL191424C (nl) | 1995-07-17 |
| CA1204045A (fr) | 1986-05-06 |
| NL8203350A (nl) | 1983-03-16 |
| US4378628A (en) | 1983-04-05 |
| DE3231987A1 (de) | 1983-05-05 |
| JPH0367334B2 (fr) | 1991-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2512274A1 (fr) | Procede de fabrication d'une metallisation en siliciure de cobalt pour un transistor | |
| US4717681A (en) | Method of making a heterojunction bipolar transistor with SIPOS | |
| US4141022A (en) | Refractory metal contacts for IGFETS | |
| EP0143700B1 (fr) | Procédé de fabrication de circuit intégré avec connexions de siliciure de tantale et circuit intégré réalisé selon ce procédé | |
| TW591807B (en) | Method of forming ohmic contacts using a self doping layer for thin-film transistors | |
| JP2738333B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0013342B1 (fr) | Procédé de fabrication de transistors à effet de champ auto-alignés du type métal-semi-conducteur | |
| EP0780889B1 (fr) | Procédé de depôt sélectif d'un siliciure de métal réfractaire sur du silicium | |
| EP0000317A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une électrode en siliciure sur un substrat notamment semi-conducteur | |
| KR20030044800A (ko) | 저저항 게이트 전극을 구비하는 반도체 장치 | |
| EP0203836B1 (fr) | Procédé de fabrication de transistors à effet de champ, et transistors bipolaires latéraux sur un même substrat | |
| FR2546664A1 (fr) | Procede de fabrication de transistors a effet de champ | |
| FR2578272A1 (fr) | Procede de formation sur un substrat d'une couche de siliciure de tungstene, utilisable notamment pour la realisation de couches d'interconnexion des circuits integres. | |
| JP2001339079A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
| FR2818011A1 (fr) | Dispositif de semiconducteur a pellicule d'isolation et procede de fabrication | |
| EP0082783B1 (fr) | Procédé de fabrication de transistors en couches minces en silicium sur substrat isolant | |
| JP3313432B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6831362B2 (en) | Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof | |
| FR2708142A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un transistor en technologie silicium sur isolant. | |
| JPH0661177A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| US6218252B1 (en) | Method of forming gate in semiconductor device | |
| FR2731841A1 (fr) | Transistors a effet de champ du type a grille isolee et son procede de fabrication | |
| EP4142458A1 (fr) | Procédé de réalisation d'un siliciure de vanadium supraconducteur sur une couche de silicium | |
| FR2765396A1 (fr) | Dispositif a semiconducteurs avec une structure d'isolation et procede de fabrication | |
| EP0253741B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un circuit intégré comportant un transistor à effet de champ à doubles jonctions et un condensateur |