NL8801632A - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij tijdens depositie van een metaal een metaalsilicide wordt gevormd. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij tijdens depositie van een metaal een metaalsilicide wordt gevormd. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8801632A NL8801632A NL8801632A NL8801632A NL8801632A NL 8801632 A NL8801632 A NL 8801632A NL 8801632 A NL8801632 A NL 8801632A NL 8801632 A NL8801632 A NL 8801632A NL 8801632 A NL8801632 A NL 8801632A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- metal
- silicon
- cobalt
- semiconductor body
- deposition
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 68
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 41
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 title claims description 40
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 36
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 39
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 39
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 21
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 7
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- BHTYXHCGQDYPIO-UHFFFAOYSA-N [Si].O[Si](O)(O)O Chemical group [Si].O[Si](O)(O)O BHTYXHCGQDYPIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
- H01L21/76879—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij tijdens depositie van een metaal een metaalsilicide wordt gevormd.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een opppervlak waaraan gebieden van silicium en gebieden van isolerende materiaal grenzen, waarbij de gebieden van silicium worden voorzien van een toplaag van een metaalsilicide door metaal op het oppervlak te deponeren en door daarbij het halfgeleiderlichaam te verhitten op een temperatuur waarbij tijdens de depositie, door reaktie van het metaal met het silicium het metaalsilicide wordt gevormd.
De gebieden van silicium kunnen zowel gebieden van monokristallijn silicium als gebieden van polykristallijn silicium zijn. In het eerste geval vormen zij bijvoorbeeld halfgeleiderzones van transistoren zoals aan- en afvoerzone van veldeffekttransistors, in het tweede geval vormen zij bijvoorbeeld geleidersporen zoals poortelektrodes van veldeffekttransistors. Beide soorten gebieden van silicium kunnen natuurlijk eveneens deel uitmaken van bipolaire transistors en van andere halfgeleiderschakelelementen. De gebieden van isolerend materiaal kunnen bijvoorbeeld als veldoxydegebieden schakelementen, die zijn aangebracht in het halfgeleiderlichaam, onderling isoleren. Ook kunnen zij bijvoorbeeld een isolatie vormen tussen poortelektrodes en aan- en afvoerzones van veldeffekttransistors. Zij kunnen vervaardigd zijn van verschillende materialen zoals siliciumoxyde, siliciumnitride, siliciumoxynitride maar ook bijvoorbeeld van aluminiumoxyde.
Door de gebieden van silicium te voorzien van een toplaag van een metaalsilicide wordt onder andere bereikt, dat monokristallijne halfgeleiderzones gemakkelijker gekontakteerd kunnen worden en dat polykristallijne geleidersporen een lagere elektrische weerstand krijgen. De gebieden worden op de hiervoor beschreven manier zelfregistrerend voorzien van een toplaag van een metaalsilicide.
Tijdens depositie reageert het metaal met silicium, maar met het isolerende materiaal zal dit niet het geval zijn. Na depositie kan het metaal eenvoudig van de gebieden isolerend materiaal worden weggeëtst terwijl het metaalsilicide op de gebieden van silicium als een toplaag achterblijft.
Uit het Amerikaanse octrooi No. 4,526,665 is een werkwijze van de in de aanhef genoemde soort bekend, waarbij als metaal titaan, tantaal, molybdeen, niobium of wolfraam op het oppervlak wordt gedeponeerd. Het halfgeleiderlichaam wordt daarbij verhit op een temperatuur die ligt tussen 450°C en 650°C.
Een bezwaar van de bekende werkwijze is, dat tijdens de metaaldepositie niet alleen een silicide wordt gevormd op de gebieden van silicium maar ook op delen van de gebieden van isolerend materiaal die direkt aan de gebieden van silicium grenzen. Een dergelijke groei van metaalsilicide over delen van isolerend materiaal kan aanleiding geven tot kortsluitingen, in het bijzonder als de gebieden van isolerend materiaal zeer kleine afmetingen van bijvoorbeeld minder dan een micrometer hebben.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd om een werkwijze te verschaffen die het mogelijk maakt om de gebieden van silicium te voorzien van een toplaag van een metaalsilicide waarbij de genoemde overgroei van metaalsilicide op de gebieden van isolerend materiaal praktisch niet voorkomt.
De in de aanhef genoemde werkwijze heeft daartoe, volgens de uitvinding als kenmerk, dat als metaal cobalt of nikkel op het oppervlak wordt gedeponeerd terwijl het halfgeleiderlichaam dan wordt verhit op een temperatuur waarbij cobalt- of nikkeldisilicide wordt gevormd.
De uitvinding berust op het inzicht, dat groei van metaalsilicide over delen van de gebieden van isolerend materiaal die direkt grenzen aan de gebieden van silicium bij gebruik van een van de metalen titaan, tantaal, molybdeen, niobium of wolfraam (zoals gebruikt worden bij de bekende beschreven werkwijze) twee oorzaken kent. Een eerste oorzaak ligt in het feit dat het metaalsilicide van de genoemde metalen een groter molair volume bezit dan dat van silicium. Het metaalsilicide groeit als het ware uit de gebieden van silicium en dan over de gebieden van isolerend materiaal. Een tweede oorzaak ligt in het feit, dat tijdens de vorming van het metaalsilicide siliciumatomen sneller door het metaalsilicide diffunderen dan de atomen van genoemde metalen. Dit betekent, dat tijdens de groei van de toplaag van metaalsilicide siliciumatomen door metaalsilicide heen diffunderen en daarna reageren met metaalatomen. Omdat een dergelijke diffusie vooral in laterale zin optreedt en dus in de richting van de gebieden isolerend materiaal kan op deze gebieden ook metaalsilicide gevormd worden.
Volgens de uitvinding wordt cobalt- of nikkeldi-silicide gevormd. Deze disilicides hebben een molair volume dat kleiner is dan dat van silicium. Hierdoor groeit het metaalsilicide als het ware de gebieden van silicium in. Bovendien wordt het halfgeleiderlichaam tijdens de metaaldepositie verhit op een temperatuur waarbij direkt cobalt- of nikkeldisilicide gevormd wordt. In dat geval diffunderen tijdens de groei van het metaalsilicide siliciumatomen juist langzamer door metaalsilicide dan de metaalatomen. Ook hierdoor wordt tegengegaan dat metaalsilicide op de gebieden van isolerend materiaal wordt gevormd.
Opgemerkt wordt, dat bij de vorming van cobalt- of nikkelmonosilicide siliciumatomen sneller door het metaalsilicide diffunderen dan de metaalatomen. Deze vorm van metaalsilicide wordt echter niet gevormd als tijdens de depositie de temperatuur van het halfgeleiderlichaam voldoende hoog is. Dan wordt direkt disilicide gevormd. Cobaltdisilicide wordt direkt gevormd als de temperatuur van het halfgeleiderlichaam tijdens de metaaldepositie hoger is dan 500°C, nikkeldisilicide als deze temperatuur hoger is dan 750°C.
Omdat cobaltdisilicide een veel lagere soortelijke weerstand heeft dan nikkeldisilicide, wordt bij voorkeur als metaal cobalt op het oppervlak van het halfgeleiderlichaam gedeponeerd.
Bij voorkeur wordt het halfgeleiderlichaam tijdens de cobaltdepositie verhit op een temperatuur die ligt tussen 500°C en 800°C. Beneden 500°C bestaat het gevaar dat geen disilicide maar monosilicide wordt gevormd. Boven 800°C bestaat het gevaar dat in aanwezigheid van cobalt de gebieden van isolerend materiaal zo van struktuur veranderen, dat na wegetsen van cobalt een isolerende laag met een ruw oppervlak resteert. Wordt cobalt met een te hoge depositiesnelheid gedeponeerd, dan ontstaat het ongewenste mono-silicide. Wordt cobalt met een geschikte depositiesnelheid gedeponeerd dan is dat niet het geval. Wordt het halfgeleiderlichaam verhit op een temperatuur van 580°C dan wordt juist geen monosilicide gevormd als cobalt wordt gedeponeerd met een snelheid van circa 1 nm per sec., is de temperatuur 620°C bij een depositiesnelheid van circa 5 nm per sec. en bij een temperatuur van 650°C als de depositiesnelheid circa 10 nm per seconde is. Bij voorkeur wordt het halfgeleiderlichaam verhit op een temperatuur in dit temperatuurgebied, omdat dan gewerkt kan worden met een praktische depositiesnelheid. Nodig is in de praktijk een laag cobaltdisilicide van circa 60 nm (de elektrische weerstand is dan circa 3 ohm per vierkant) waarvoor circa 20 nm cobalt moet worden gedeponeerd. Dit kan dan gebeuren in circa 2 a 20 sec.,
De uitvinding wordt in het navolgende, aan de hand van een tekening nader toegelicht. In de tekening tonen:
Fig. 1 en 2 twee stadia van vervaardiging van een halfgeleiderinrichting die wordt gemaakt met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding. De halfgeleiderinrichting omvat een halfgeleiderlichaam 1 met een oppervlak 2, waaraan gebieden van silicium 3,4,5 en 6 en gebieden van een isolerend materiaal 8 en 9 grenzen. De gebieden van silicium 3,4 en 5 zijn van monokristallijn silicium. De gebieden 3 en 4 vormen in dit voorbeeld de aan- en afvoerzone van een veldeffekttransistor. Via het gebied 5 kan bijvoorbeeld het halfgeleiderlichaam 1 gekontakteerd worden. Het gebied van silicium 6 is van polykristallijn silicium en vormt de poortelektrode van de veldeffekttransistor, die door een laag poortoxyde 7 is geïsoleerd van het tussen aan- en afvoerzone 3 en 4 gelegen deel van het halfgeleiderlichaam 1. De gebieden van isolerend matriaal 8 en 9 bestaan in dit voorbeeld uit siliciumoxyde, maar zij kunnen even goed van siliciumnitride, siliciumoxynitride of zelfs van aluminiumoxyde vervaardigd worden. De isolerende gebieden 8 isoleren als veldoxydegebieden de aan- en afvoerzone 3,4 van het gebied 5. De isolerende gebieden 9 isoleren de poortelektrode 6 in zijdelingse richting van de aan- en afvoerzone 3 en 4.
De gebieden van silicium 3,4,5 en 6 worden voorzien van een toplaag 10 van een metaalsilicide door metaal op het oppervlak 2 te deponeren en door daarbij het halfgeleiderlichaam 1 te verhitten op een temperatuur waarbij tijdens de depositie, door reaktie van het metaal met het silicium 3,4,5 en 6 het metaalsilicide 10 wordt gevormd. De monokristallijne siliciumgebieden 3,4 en 5 kunnen aldus beter gekontakteerd worden, het polykristallijne siliciumgebied 6 vertoont aldus een lagere elektrische weerstand.
De siliciumgebieden 3,4,5 en 6 worden op zelfregistrerende wijze voorzien van de toplaag 10. Tijdens de depositie reageert het metaal met silicium, maar met het isolerend materiaal van de gebieden 8 en 9 zal dit niet het geval zijn. Na vorming van de toplaag 10 kan het metaal dat is gedeponeerd op de isolerende gebieden 8 en 9 eenvoudig op gebruikelijke wijze selektief ten opzichte van het gevormde metaalsilicide worden weggeëtst.
Volgens de uitvinding wordt als metaal cobalt of nikkel op het oppervlak 2 gedeponeerd, terwijl het halfgeleiderlichaam 1 dan wordt verhit op een temperatuur waarbij cobalt- of nikkeldisilicide wordt gevormd. Door de maatregel volgens de uitvinding is de vorming van metaalsilicide op delen van de gebieden isolerend materiaal 8 en 9 die onmiddellijk grenzen aan de gebieden van silicium 3,4, 5 en 6 praktisch voorkomen. Omdat zowel cobalt- als nikkeldisilicide een molair volume (van respektievelijk 38,6.10-3 nm3 en 39,3.10-3 nm3) bezitten dat kleiner is dan dat van twee siliciumatomen (van
_o O
40,0.10 nnr) groeit het metaalsilicxde als het ware de gebieden van silicium 3,4, 5 en 6 in. Bovendien wordt het halfgeleiderlichaam 1 tijdens de metaaldepositie verhit op een temperatuur waarbij cobalt- of nikkeldisilicide wordt gevormd. Tijdens de groei van het metaalsilicide diffunderen silciumatomen langzamer dan metaalatomen door metaalsilicide. De groei van het metaalsilicide vindt daarom in hoofdzaak plaats nabij de overgang tussen silicium en metaalsilicide.
Ook hierdoor wordt de vorming van metaalsilicide op de gebieden van isolerend metaal 8 en 9 tegengegaan. In de praktijk blijkt dat op de gebieden van isolerend materiaal 8 en 9 geen cobalt- of nikkeldisilicide gevormd wordt.
Cobalt en nikkel kunnen op gebruikelijke wijze bijvoorbeeld door middel van magnetronsputteren of verdamping op het halfgeleiderlichaam worden gedeponeerd. In het tweede geval wordt het metaal dan bij voorkeur verhit met een electronenbundel.
Bij voorkeur wordt het halfgeleiderlichaam 1 tijdens de cobaltdepositie verhit op een temperatuur die ligt tussen 500°C en 800°C. Beneden 500°C ontstaat monosilicide, boven 800°C bestaat gevaar dat in aanwezigheid van cobalt de gebieden van isolerend materiaal 8,9 zo degraderen, dat na wegetsen van cobalt een isolerende laag met een ruw oppervlak resteert. Tijdens de nikkeldepositie wordt om dezelfde redenen het halfgeleiderlichaam bij voorkeur verhit op een temperatuur die ligt tussen 750°C en 900°C.
Tijdens de groei van cobalt en nikkeldisilicide speelt diffusie van metaalatomen door reeds gevormd silicide heen een grote rol. Worden de metaalatomen gedeponeerd met een te grote snelheid dan ontstaat het ongewenste monosilicide. Door monosilicide diffunderen siliciumatomen sneller dan metaalatomen zodat het gevaar ontstaat dat overgroei van silicide op isolerend materiaal optreedt. Dit gevaar bestaat niet als, voor de vorming van cobaltdisilicide, het halfgeleiderlichaam wordt verhit op een temperatuur van 580°C, 620°C en 660°C en als daarbij cobalt wordt gedeponeerd met een snelheid van respectievelijk 1 nm per sec., 5 nm per sec. of 10 nm per sec. Dit zijn praktische depositiesnelheden waarmee een laag cobalt van circa 20 nm in 2 a 20 sec. kan worden gedeponeerd. Dan wordt een laag cobaltdisilicide van circa 60 nm gevormd met een weerstand van circa 3 ohm per vierkant. Een laag nikkel disilicide moet om zelfde lage weerstand te realiseren ongeveer drie maal zo dik zijn. Om zo'n laag eveneens in 2 a 20 sec. te kunnen deponeren zonder dat het, eveneens ongewenste nikkelmonosilicide wordt gevormd, moet het halfgeleiderlichaam dan verhit worden op een temperatuur die ligt tussen 800°C en 880°C. Bij 800°C kan dan nikkel worden gedeponeerd met een depositiesnelheid van circa 2 nm per sec., bij 840°C met een snelheid van circa 10 nm per sec., bij 840°C met een snelheid van circa 10 nm per sec. en bij 880°C met een snelheid van circa 20 nm per sec.
Bij voorkeur wordt als metaal cobalt op het halfgeleideroppervlak gedeponeerd omdat cobaltdisilicide een lagere soortelijke weerstand vertoont dan nikkeldisilicide (respectievelijk 18 en 50 micro-ohm-centimeter), zodat om een laag metaalsilicide met een gewenste weerstand per vierkant minder cobalt dan nikkel gedeponeerd hoeft te worden.
Wordt het oppervlak 2 voor de metaaldepositie goed gereinigd, bijvoorbeeld door een gebruikelijke sputteretsbehandeling uit te voeren en door daarna direkt, zonder het oppervlak aan lucht bloot te stellen in hetzelfde apparaat cobalt of nikkel te deponeren, dan groeit de laag epitaxiaal aan en wordt een monokristallijne laag disilicide gevormd op de monokristallijne siliciumgebleden 3,4 en 5. Een dergelijke monokristallijne laag disilicide kan bijvoorbeeld worden toegepast voor het maken van een z.g. metal-base-transistor.
Claims (7)
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een oppervlak waaraan gebieden van silicium en gebieden van isolerend materiaal grenzen, waarbij de gebieden van silicium worden voorzien van een toplaag van een metaalsilicide door metaal op het oppervlak te deponeren en door daarbij het halfgeleiderlichaam te verhitten op een temperatuur waarbij tijdens de depositie, door reaktie van het metaal met het silicium het metaalsilicide wordt gevormd, met het kenmerk, dat als metaal cobalt of nikkel op het oppervlak wordt gedeponeerd terwijl het halfgeleiderlichaam dan wordt verhit op een temperatuur waarbij cobalt- of nikkeldisilicide wordt gevormd.
2. Werkwijze volgens conclusie 1 met het kenmerk dat als metaal cobalt op het oppervlak van het halfgeleiderlichaam wordt gedeponeerd.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het halfgeleiderlichaam tidens de cobaltdepositie wordt verhit op een temperatuur die ligt tussen 500°C en 800°C.
4. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat het halfgeleiderlichaam tijdens de cobaltdepositie wordt verhit op een temperatuur die ligt tussen 580°C en 660°C.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het halfgeleiderlichaam tijdens de nikkeldepositie wordt verhit op een temperatuur die ligt tussen 750°C en 900°C.
6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat het halfgeleiderlichaam tijdens de nikkeldepositie wordt verhit op een temperatuur die ligt tussen 800°C en 880°C.
7. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het oppervlak voor de metaaldepositie wordt gereinigd door een sputteretsbehandeling en dat daarna direkt, zonder het oppervlak aan lucht bloot te stellen, de metaaldepositie wordt uitgevoerd.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8801632A NL8801632A (nl) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij tijdens depositie van een metaal een metaalsilicide wordt gevormd. |
| US07/369,443 US4908331A (en) | 1988-06-27 | 1989-06-21 | Method of manufacturing a semiconductor device by depositing metal on semiconductor maintained at temperature to form silicide |
| EP89201630A EP0349058A1 (en) | 1988-06-27 | 1989-06-21 | Method of manufacturing a semiconductor device, in which during the deposition of a metal a metal silicide is formed |
| KR1019890008755A KR0142088B1 (ko) | 1988-06-27 | 1989-06-24 | 반도체 장치 제조 방법 |
| CN89104443A CN1017669B (zh) | 1988-06-27 | 1989-06-24 | 半导体器件的制造方法 |
| JP1162813A JP2685297B2 (ja) | 1988-06-27 | 1989-06-27 | 半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8801632 | 1988-06-27 | ||
| NL8801632A NL8801632A (nl) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij tijdens depositie van een metaal een metaalsilicide wordt gevormd. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8801632A true NL8801632A (nl) | 1990-01-16 |
Family
ID=19852533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8801632A NL8801632A (nl) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij tijdens depositie van een metaal een metaalsilicide wordt gevormd. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4908331A (nl) |
| EP (1) | EP0349058A1 (nl) |
| JP (1) | JP2685297B2 (nl) |
| KR (1) | KR0142088B1 (nl) |
| CN (1) | CN1017669B (nl) |
| NL (1) | NL8801632A (nl) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4039699A1 (de) * | 1990-12-12 | 1992-06-17 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung selektiv bedampfter strukturen |
| NL9100334A (nl) * | 1991-02-26 | 1992-09-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij een zelfregistrerend kobalt- of nikkel-silicide gevormd wordt. |
| TW209308B (en) * | 1992-03-02 | 1993-07-11 | Digital Equipment Corp | Self-aligned cobalt silicide on MOS integrated circuits |
| US5449642A (en) * | 1994-04-14 | 1995-09-12 | Duke University | Method of forming metal-disilicide layers and contacts |
| JP2720827B2 (ja) * | 1994-07-05 | 1998-03-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5596085A (en) * | 1995-04-11 | 1997-01-21 | Kraft Foods, Inc. | Method for preparing polyol fatty acid polyesters by transesterification |
| US5780361A (en) * | 1995-06-23 | 1998-07-14 | Nec Corporation | Salicide process for selectively forming a monocobalt disilicide film on a silicon region |
| JP3209164B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2001-09-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| TW399245B (en) | 1997-10-29 | 2000-07-21 | Nec Corp | Sputtering apparatus for sputtering high melting point metal and method for manufacturing semiconductor device having high melting point metal |
| US6326289B1 (en) * | 1998-08-24 | 2001-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a silicide layer using a pre-amorphization implant which is blocked from source/drain regions by a layer of photoresist |
| US6461951B1 (en) * | 1999-03-29 | 2002-10-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming a sidewall spacer to prevent gouging of device junctions during interlayer dielectric etching including silicide growth over gate spacers |
| US6335294B1 (en) * | 1999-04-22 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Wet cleans for cobalt disilicide processing |
| KR100403417B1 (ko) * | 2000-06-20 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 에폭사이드 유도체로부터 말로네이트 유도체 또는β-케토에스테르를 제조하기 위한 방법 |
| JP2002217313A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-08-02 | Texas Instruments Inc | 金属及び対応する金属珪化物から形成した各ゲートを有する相補形トランジスタ |
| JP3784371B2 (ja) * | 2003-01-08 | 2006-06-07 | 松下電器産業株式会社 | シリサイド存在比率の測定方法、熱処理温度の測定方法、半導体装置の製造方法およびｘ線受光素子 |
| KR100562310B1 (ko) * | 2003-04-08 | 2006-03-22 | 동부아남반도체 주식회사 | 실리사이드 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된실리사이드를 갖는 반도체 소자 |
| JP2005259773A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2006080064A1 (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4755894B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2011-08-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6823533B2 (ja) * | 2017-04-24 | 2021-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | チタンシリサイド領域を形成する方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4378628A (en) * | 1981-08-27 | 1983-04-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Cobalt silicide metallization for semiconductor integrated circuits |
| US4526665A (en) * | 1984-08-20 | 1985-07-02 | Gould Inc. | Method of depositing fully reacted titanium disilicide thin films |
| US4814294A (en) * | 1987-07-30 | 1989-03-21 | Allied-Signal Inc. | Method of growing cobalt silicide films by chemical vapor deposition |
-
1988
- 1988-06-27 NL NL8801632A patent/NL8801632A/nl not_active Application Discontinuation
-
1989
- 1989-06-21 EP EP89201630A patent/EP0349058A1/en not_active Ceased
- 1989-06-21 US US07/369,443 patent/US4908331A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-24 KR KR1019890008755A patent/KR0142088B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-06-24 CN CN89104443A patent/CN1017669B/zh not_active Expired
- 1989-06-27 JP JP1162813A patent/JP2685297B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0142088B1 (ko) | 1998-06-01 |
| CN1017669B (zh) | 1992-07-29 |
| KR910001999A (ko) | 1991-01-31 |
| JPH0245923A (ja) | 1990-02-15 |
| US4908331A (en) | 1990-03-13 |
| CN1039152A (zh) | 1990-01-24 |
| JP2685297B2 (ja) | 1997-12-03 |
| EP0349058A1 (en) | 1990-01-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8801632A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij tijdens depositie van een metaal een metaalsilicide wordt gevormd. | |
| NL9100334A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij een zelfregistrerend kobalt- of nikkel-silicide gevormd wordt. | |
| EP0137701B1 (en) | Process for fabricating a semiconductor device including a barrier film | |
| US5510629A (en) | Multilayer antifuse with intermediate spacer layer | |
| KR910002455B1 (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| NL7909363A (nl) | Geintegreerde halfgeleiderketen en werkwijze voor het maken ervan. | |
| EP0282781B1 (en) | Contact to gallium-arsenide and method of forming such | |
| JPS61501358A (ja) | 中間金属シリサイド層を有する改良型集積回路構造およびその製作方法 | |
| US4468308A (en) | Metallic silicide production | |
| NL8800220A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij een metalen geleiderspoor op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam wordt gebracht. | |
| KR950009283B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JP3261317B2 (ja) | 銅配線製造方法、及び銅配線 | |
| JPH08330427A (ja) | 半導体素子の配線形成方法 | |
| JP2522924B2 (ja) | 金属シリサイド膜の形成方法 | |
| JP3419072B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS5863165A (ja) | 多層電極構造を有した半導体装置 | |
| JPH01166556A (ja) | ｎ型ＧａＡｓオーム性電極およびその形成方法 | |
| JP3083301B2 (ja) | 金属電極配線の製造方法 | |
| JPH02113530A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3017810B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05152245A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| GB2149206A (en) | Improvements in semiconductor devices | |
| JP2705193B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPH06275620A (ja) | 半導体集積回路配線構造体 | |
| JPS6372156A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |