JPS5863165A - 多層電極構造を有した半導体装置 - Google Patents
多層電極構造を有した半導体装置Info
- Publication number
- JPS5863165A JPS5863165A JP16135381A JP16135381A JPS5863165A JP S5863165 A JPS5863165 A JP S5863165A JP 16135381 A JP16135381 A JP 16135381A JP 16135381 A JP16135381 A JP 16135381A JP S5863165 A JPS5863165 A JP S5863165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- resistance
- substrate
- electrode structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は多層電極構造を有した半導体装置に関する。
半導体装置は現在、高速高密度化のため高融点金属のシ
リサイド膜をポリシリコンのかわシに使用しようという
開発が行なわれている。ここでいう高融点金属としては
ＭｏとＷが多く研究されてお９、以下Ｍｏを例にと９記
述するがＷでもほとんど同じ傾向が得られている。そし
て、ＭＯのシリサイド膜（以下、ＭｏＳｉ２膜と記述す
る）は低シート抵抗性、耐熱性、耐薬品性、エツチング
特性、付着強度等電極金属膜としての特性はほぼ満足し
ているが、シリコンの接触抵抗が充分に低くできないと
いう大きな欠点があった。
リサイド膜をポリシリコンのかわシに使用しようという
開発が行なわれている。ここでいう高融点金属としては
ＭｏとＷが多く研究されてお９、以下Ｍｏを例にと９記
述するがＷでもほとんど同じ傾向が得られている。そし
て、ＭＯのシリサイド膜（以下、ＭｏＳｉ２膜と記述す
る）は低シート抵抗性、耐熱性、耐薬品性、エツチング
特性、付着強度等電極金属膜としての特性はほぼ満足し
ているが、シリコンの接触抵抗が充分に低くできないと
いう大きな欠点があった。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
はＭｏ５ｔ２膜とシリコンとの接触抵抗を減少させるた
め、この両者の間にＰｔ 、 Ｐｄ 。
はＭｏ５ｔ２膜とシリコンとの接触抵抗を減少させるた
め、この両者の間にＰｔ 、 Ｐｄ 。
１４等遷移金属シリサイド膜を挿入することにより接触
抵抗の低減化を計る多層電極構造を有した半導体装置を
提供することにある。
抵抗の低減化を計る多層電極構造を有した半導体装置を
提供することにある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第１図（４）において、１１はＳｉ 単結晶基板で、こ
のＳｉ単結晶基板１１上に酸化膜１２が厚く形成されて
おシ、ソース・ドレイン等の拡散層領域１３が必要に応
じて形成されている。次に、同図（Ｂ）に示すように１
０００Ｘの厚さのＴｉ膜１４を電子ビーム加熱蒸着装置
で真空蒸着する。次に、３０分間４５０℃で熱処理全行
なうとＴｊ膜１４と５ｉＪｌ！ｌＫ結晶板１１が接触し
ているところにチタンシリサイド１５が形成される。そ
の後、Ｉ（Ｆでエツチングするとチタンシリサイドにな
っていないチタンは総て除去されてしまい、同図（Ｃ）
に示すようにチタンシリサイド１５が自己整合で形成さ
れる。次に、同図（２）に示すようにＭｏ５Ｚ２膜１６
をスパッタリング法で３０００Ｘの厚さに膜形成する。
のＳｉ単結晶基板１１上に酸化膜１２が厚く形成されて
おシ、ソース・ドレイン等の拡散層領域１３が必要に応
じて形成されている。次に、同図（Ｂ）に示すように１
０００Ｘの厚さのＴｉ膜１４を電子ビーム加熱蒸着装置
で真空蒸着する。次に、３０分間４５０℃で熱処理全行
なうとＴｊ膜１４と５ｉＪｌ！ｌＫ結晶板１１が接触し
ているところにチタンシリサイド１５が形成される。そ
の後、Ｉ（Ｆでエツチングするとチタンシリサイドにな
っていないチタンは総て除去されてしまい、同図（Ｃ）
に示すようにチタンシリサイド１５が自己整合で形成さ
れる。次に、同図（２）に示すようにＭｏ５Ｚ２膜１６
をスパッタリング法で３０００Ｘの厚さに膜形成する。
このようにチタンシリサイド１５をＭｏＳ＄２膜１６と
Ｓｉ単結晶基板１１との間に挿入した場合、接合比抵抗
は１０−６Ω・α２のオーダにまで減少してその後の高
温熱処理工程を経てもその抵抗値の増大はみられない。
Ｓｉ単結晶基板１１との間に挿入した場合、接合比抵抗
は１０−６Ω・α２のオーダにまで減少してその後の高
温熱処理工程を経てもその抵抗値の増大はみられない。
次に、第２図は従来方法（Ｍｏ５ｔ２膜のみを用いた場
合）と本発明方法（チタンシリサイド層を挿入した場合
）とを熱処理温度を変化させて接触抵抗を測定した結果
を示す。ここで、雰囲気は０２で時間は２０分である。
合）と本発明方法（チタンシリサイド層を挿入した場合
）とを熱処理温度を変化させて接触抵抗を測定した結果
を示す。ここで、雰囲気は０２で時間は２０分である。
図に示されるように、従来方法によれば、１０００℃の
熱処理で１０倍以上の接触抵抗の増大がみられたが、こ
の発明によればほとんど抵抗の増大はみられていない。
熱処理で１０倍以上の接触抵抗の増大がみられたが、こ
の発明によればほとんど抵抗の増大はみられていない。
なお、上記した実施例で用いｆｉｃＴｉ（チタン）の他
にＰｔ１＊ Ｐｄ ｌＮｉ 、Ｃｏ ｔ Ｚｒ ｈ Ｈ
ｆ ＊ Ｆｅ ＊Ｒｈ ＋ Ｍｎ ＊ Ｉｒ ａ Ｖ
＋ Ｎｂ ｒ Ｔａ等を用いても同様の効果が得られる
。
にＰｔ１＊ Ｐｄ ｌＮｉ 、Ｃｏ ｔ Ｚｒ ｈ Ｈ
ｆ ＊ Ｆｅ ＊Ｒｈ ＋ Ｍｎ ＊ Ｉｒ ａ Ｖ
＋ Ｎｂ ｒ Ｔａ等を用いても同様の効果が得られる
。
以上詳述したようにこの発明によれば、Ｍｏ Ｓ ｓ
２膜とシリコンとの接触抵抗を減少させるため、この両
者の間にｐｔ、 ｐａ 、 Ｔａ特の遷移金属シリサイ
ド膜を挿入することによシ接触抵抗の低減化を計る多層
電極構造を有した半導体装置を提供することができる。
２膜とシリコンとの接触抵抗を減少させるため、この両
者の間にｐｔ、 ｐａ 、 Ｔａ特の遷移金属シリサイ
ド膜を挿入することによシ接触抵抗の低減化を計る多層
電極構造を有した半導体装置を提供することができる。
図面はこの発明の一実施例を示すもので、第１図は半導
体装置の製造工程を示す図、第２図は熱処理温度と接触
抵抗との関係を示す図である。 ・１： １１・・・Ｓｉ単結晶基板、１２・・・酸化膜、１３・
・・拡散層領域、１４・・・Ｔｉ膜、１６・・・チタン
シリサイド。 ’；３ 。
体装置の製造工程を示す図、第２図は熱処理温度と接触
抵抗との関係を示す図である。 ・１： １１・・・Ｓｉ単結晶基板、１２・・・酸化膜、１３・
・・拡散層領域、１４・・・Ｔｉ膜、１６・・・チタン
シリサイド。 ’；３ 。
Claims (2)
- （１） シリコンとモリブデンまたはタングステンの
シリサイドの間に遷移金属のシリサイド層を挿入した多
層電極構造を有した半導体装置。 - （２）上記遷移金属をＰｔ 、 Ｐｄ 、 Ｎｉ 、
Ｃｏ 。 Ｔｉ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｆｅ 、 Ｒｈ 、
Ｍｎ 、 Ｉｒ ＊ Ｖ ＋ Ｎｂ 。 Ｔａおよびこれらの合金にした特許請求の範囲第１項記
載の多層電極構造を有した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16135381A JPS5863165A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 多層電極構造を有した半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16135381A JPS5863165A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 多層電極構造を有した半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863165A true JPS5863165A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15733461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16135381A Pending JPS5863165A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 多層電極構造を有した半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5863165A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193380A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60213058A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Agency Of Ind Science & Technol | シリサイド膜を有する構造体およびその製造方法 |
| JPS61296764A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 金属電極配線膜を有する半導体装置 |
| EP0417522A2 (en) * | 1989-09-11 | 1991-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming protective barrier on silicided regions |
| US5384485A (en) * | 1988-05-27 | 1995-01-24 | Fujitsu Limited | Contact structure for connecting an electrode to a semiconductor |
| KR20020089982A (ko) * | 2001-05-25 | 2002-11-30 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 액정표시소자 패널의 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5388588A (en) * | 1977-01-14 | 1978-08-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS56124245A (en) * | 1981-02-23 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Manufacturing of semiconductor device |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP16135381A patent/JPS5863165A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5388588A (en) * | 1977-01-14 | 1978-08-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS56124245A (en) * | 1981-02-23 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Manufacturing of semiconductor device |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193380A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60213058A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Agency Of Ind Science & Technol | シリサイド膜を有する構造体およびその製造方法 |
| JPH0476217B2 (ja) * | 1984-04-09 | 1992-12-03 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPS61296764A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 金属電極配線膜を有する半導体装置 |
| US4910578A (en) * | 1985-06-25 | 1990-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a metal electrode interconnection film with two layers of silicide |
| US5384485A (en) * | 1988-05-27 | 1995-01-24 | Fujitsu Limited | Contact structure for connecting an electrode to a semiconductor |
| US5512516A (en) * | 1988-05-27 | 1996-04-30 | Fujitsu Limited | Contact structure for connecting an electrode to a semiconductor device and a method of forming the same |
| EP0417522A2 (en) * | 1989-09-11 | 1991-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming protective barrier on silicided regions |
| KR20020089982A (ko) * | 2001-05-25 | 2002-11-30 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 액정표시소자 패널의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6213819B2 (ja) | ||
| JPS5863165A (ja) | 多層電極構造を有した半導体装置 | |
| JP2004140315A (ja) | サリサイド工程を用いる半導体素子の製造方法 | |
| JPS59175726A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59200418A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0100454B1 (en) | Semiconductor device having a conductive layer consisting of a high-melting point metal silicide and a method for manufacturing such a semiconductor device | |
| JPS60169169A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2522924B2 (ja) | 金属シリサイド膜の形成方法 | |
| JPS627165A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59103375A (ja) | シヨツトキ−接合を有する半導体装置の製造方法 | |
| JP2555754B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2773937B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63240017A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS609120A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61135156A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0555166A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6151941A (ja) | 電極・配線膜の製造方法 | |
| JPS63116A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62104078A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS6024062A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62143422A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02114641A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58162062A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH028463B2 (ja) | ||
| JPH0269979A (ja) | 半導体装置 |