EP1186031A1 - Substrat mit mindestens zwei metallisierten polymerhöckern für die lötverbindung mit einer verdrahtung - Google Patents
Substrat mit mindestens zwei metallisierten polymerhöckern für die lötverbindung mit einer verdrahtungInfo
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- EP1186031A1 EP1186031A1 EP00938553A EP00938553A EP1186031A1 EP 1186031 A1 EP1186031 A1 EP 1186031A1 EP 00938553 A EP00938553 A EP 00938553A EP 00938553 A EP00938553 A EP 00938553A EP 1186031 A1 EP1186031 A1 EP 1186031A1
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Definitions
- Integrated circuits are getting more and more connections and are being miniaturized more and more.
- the difficulties with solder paste application and assembly expected from this increasing miniaturization are to be remedied by new housing shapes, with single, Few or multi-chip modules in the Ball Grid Array Package to be emphasized here (DE-Z productronic 5, 1994, pages 54, 55).
- These modules are based on a plated-through substrate on which the chips are contacted, for example, via contact wires or by means of flip chip assembly.
- On the underside of the substrate is the Ball Grid Array (BGA), which is often referred to as a Solder Grid Array or a Solder Bump Array.
- the ball grid array comprises solder bumps arranged flat on the underside of the substrate, which allow surface mounting on the printed circuit boards or assemblies. Due to the flat arrangement of the solder bumps, large numbers of connections can be realized in a coarse grid of, for example, 1.27 mm.
- injection molded parts with integrated conductor tracks are used instead of conventional printed circuits.
- High-quality thermoplastics that are suitable for injection molding three-dimensional substrates are the basis of this technology.
- Thermoplastics of this type are distinguished from conventional substrate materials for printed circuits by better mechanical, chemical, electrical and environmental properties.
- SIL injection molded parts with integrated conductor tracks
- the structuring of a metal layer applied to the injection molded parts takes place by dispensing with the otherwise usual mask technology using a special Target laser structuring process.
- SIL injection molded parts with integrated conductor tracks
- the housing support functions simultaneously perform guides and snap connections, while the metallization layer also serves as an electromagnetic shield in addition to the wiring and connection function and ensures good heat dissipation.
- corresponding via holes are already produced during injection molding.
- the inner walls of these via holes are then also covered with a metal layer when the injection molded parts are metallized. Further details on the production of three-dimensional injection molded parts with integrated conductor tracks can be found, for example, in DE-A-37 32 249 or EP-A-0 361 192.
- a smgle chip module is known from O-A-89/00346, in which the injection-molded, three-dimensional substrate made of an electrically insulating polymer bears molded stools on the underside of the substrate during injection molding, which stools can optionally also be arranged flat.
- An IC chip is arranged on the upper side of this substrate, the connections of which are connected via fine bonding wires to conductor tracks formed on the upper side of the substrate. These conductor tracks are in turn connected via plated-through holes to associated external connections formed on the stools.
- PSGA polymer stud grid array
- O-A-96 096 46 which combines the advantages of a ball grid array (BGA) with the advantages of MID technology.
- BGA ball grid array
- MID advantages of MID technology.
- the designation of the new design as a polymer stud grid array (PSGA) was based on the ball grid array
- an injection-molded, three-dimensional substrate made of an electrically insulating polymer, polymer bumps arranged flat on the underside of the substrate and molded during injection molding,
- the production of the external connections on the polymer bumps can also be carried out with minimal effort together with the production of the conductor tracks which is customary in the MID technology or the SIL technology. Thanks to the laser fine structuring preferred for SIL technology, the external connections on the polymer bumps with high numbers of connections can be realized in a fine grid.
- the temperature expansion of the polymer bumps corresponds to the temperature expansion of the substrate and the wiring that receives the module. As a result, a high reliability of the soldered connection is achieved even with frequent temperature fluctuations.
- the invention specified in claim 1 is based on the problem of ensuring reproducible solder layer thicknesses under the polymer bumps in the case of a substrate with polymer bumps for the solder connection with a wiring.
- the invention is based on the finding that, by means of a geometry of the polymer bump with at least one elevation, the step or steps formed thereby prevent the molten solder from being pulled up. This results in reproducible solder layer thicknesses under the polymer bumps, which in turn ensure high reliability of the soldered connections. A risk of short circuits due to solder being pulled up can also be excluded.
- the embodiment according to claim 2 is particularly suitable for the production of substrates with integral polymer bumps by injection molding.
- the dimensions given in claim 3 for the cylindrical elevations polymer stud grid arrays lead to particularly reliable solder connections.
- Figure 1 shows a broken section through a
- FIG. 2 shows a polymer bump of the substrate according to FIG. 1 with the metallization applied thereon and with a conductor path leading away from the polymer bump,
- FIG. 3 shows the solder connection of the polymer bump shown in FIG. 2 with a wiring
- FIG. 4 shows a first variant with a two-stage polymer bump
- FIG. 5 shows a second variant for the polymer bumps with several elevations and arranged on one step
- Figure 6 shows a third variant for the polymer bumps with an annular elevation.
- FIG. 1 shows a section through a substrate S, on the underside U of which, to form a polymer stud grid array during injection molding of the substrate, molded polymer bumps PS or Polymer studs are arranged.
- the slightly conical polymer stools PS are each provided with cylindrical increases E at their lower ends.
- the diameters of the cylindrical elevations E are dimensioned such that an annular step ST results in each case as a transition to the remaining polymer stool PS.
- a polymer stool PS m has a diameter D of 400 ⁇ m in its sock area, while the height H is the distance between the underside U of the substrate S and the step ST 400 ⁇ m.
- the diameter d of the cylindrical elevation E is 160 ⁇ m, while the height h of the cylindrical elevation E is 50 ⁇ m.
- FIG. 2 shows a polymer stool PS according to FIG. 1 after the laser permanent structuring of a metal layer applied over the entire surface of the substrate S. It can be seen that the polymer stool PS including the cylindrical elevation E is provided with a metallization M and that a conductor path LZ leads away from the polymer stool PS on the underside U of the substrate S.
- FIG. 3 shows the solder connection of the polymer stool PS shown in FIG. 2 with a wiring V which, in the exemplary embodiment shown, is designed as a printed circuit board LP with connection pads AP arranged on the upper side. It can be clearly seen that the entire solder L remains with the reflow soldering in the area between the step ST and the connection pad AP and is not pulled up laterally up to the conductor lines LZ as in polymer stools without gradation.
- the geometry of the graduated polymer stool PS ensures reproducible layer thicknesses of the solder L.
- the polymer stools integrally molded onto a substrate S1 are designated PS.
- PS1 are an annular elevation El and a cylindrical ge increase E10 formed.
- the associated ring-shaped steps are designated ST1 and ST10.
- the polymer bumps integrally molded onto a substrate S2 are designated PS2.
- a stage ST2 designed as a platform a total of four cylindrical ridges E2 arranged at a distance from one another are provided.
- the polymer bumps integrally molded onto a substrate S3 are designated PS3.
- a step ST3 which is also designed as a platform, there is an annular elevation E3.
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Abstract
Ein Substrat (S) mit mindestens zwei metallisierten Polymerhöckern (PS), insbesondere ein Polymer Stud Grid Array, wird so ausgebildet, daß die Polymerhöcker (PS) mindestens eine Stufe (ST) und mindestens eine Erhöhung (E) aufweisen. Diese Geometrie der Lothöcker (PS) gewährleistet zuverlässige Lötverbindungen mit einer Verdrahtung (V) und reproduzierbaren Schichtdicken des Lots (L).
Description
Beschreibung
Substrat mit mindestens zwei metallisierten Polymerhöckern für die Lötverbindung mit einer Verdrahtung
Integrierte Schaltkreise bekommen immer höhere Anschlußzahlen und werden dabei immer weiter miniaturisiert. Die bei dieser zunehmenden Miniaturisierung erwarteten Schwierigkeiten mit Lotpastenauftrag und Bestückung sollen durch neue Gehäusefor- men behoben werden, wobei hier insbesondere Single-, Few- o- der Multi-Chip-Module im Ball Grid Array Package hervorzuheben sind (DE-Z productronic 5, 1994, Seiten 54, 55) . Diese Module basieren auf einem durchkontaktierten Substrat, auf welchem die Chips beispielsweise über Kontaktierdrähte oder mittels Flipchip-Montage kontaktiert sind. An der Unterseite des Substrats befindet sich das Ball Grid Array (BGA) , das häufig auch als Solder Grid Array oder Solder Bump Array bezeichnet wird. Das Ball Grid Array umfaßt auf der Unterseite des Substrats flächig angeordnete Lothöcker, die eine Ober- flächenmontage auf den Leiterplatten oder Baugruppen ermöglichen. Durch die flächige Anordnung der Lothöcker können hohe Anschlußzahlen in einem groben Raster von beispielsweise 1,27 mm realisiert werden.
Bei der sog. MID-Technologie (MID = Moulded Interconnection
Devices) werden anstelle konventioneller gedruckter Schaltungen Spritzgießteile mit integrierten Leiterzügen verwendet. Hochwertige Thermoplaste, die sich zum Spritzgießen von dreidimensionalen Substraten eignen, sind die Basis dieser Tech- nologie. Derartige Thermoplaste zeichnen sich gegenüber herkömmlichen Substratmaterialien für gedruckte Schaltungen durch bessere mechanische, chemische, elektrische und umwelttechnische Eigenschaften aus. Bei einer speziellen Richtung MID-Technologie, der sog. SIL-Technik (SIL = Spritzgießteile mit integrierten Leiterzügen) , erfolgt die Strukturierung einer auf die Spritzgießteile aufgebrachten Metallschicht unter Verzicht auf die sonst übliche Maskentechnik durch ein spe-
zielles Laserstrukturierungsverfahren. In die dreidimensionalen Spritzgießteile mit strukturierter Metallisierung sind dabei mehrere mechanische und elektrische Funktionen integrierbar. Die Gehausetragerfunktionen übernimmt gleichzeitig Fuhrungen und Schnappverbindungen, wahrend die Metallisie- rungsschicht neben der Verdrahtungs- und Verbindungsfunktion auch als elektromagnetische Abschirmung dient und für eine gute Warmeabfuhr sorgt. Zur Herstellung von elektrisch leitenden Querverbindungen zwischen zwei Verdrahtungsanlagen auf einander gegenüberliegenden Oberflachen der Spritzgußteile werden bereits beim Spritzgießen entsprechende Durchkontak- tierungslocher erzeugt. Die Innenwandungen dieser Durchkon- taktierungslocher werden dann beim Metallisieren der Spritzgießteile ebenfalls mit einer Metallschicht überzogen. Weite- re Einzelheiten zur Herstellung von dreidimensionalen Spπtz- gießteilen mit integrierten Leiterzugen gehen beispielsweise aus der DE-A-37 32 249 oder der EP-A-0 361 192 hervor.
Aus der O-A-89/00346 ist ein Smgle-Chip-Modul bekannt, bei welchem das spritzgegossene, dreidimensionale Substrat aus einem elektrisch isolierenden Polymer auf der Unterseite des Substrats beim Spritzgießen mitgeformte Hocker tragt, die gegebenenfalls auch flachig angeordnet sein können. Auf der 0- berseite dieses Substrats ist ein IC-Chip angeordnet, dessen Anschlüsse über feine Bonddrahte mit auf der Oberseite des Substrats ausgebildeten Leiterbahnen verbunden sind. Diese Leiterbahnen sind ihrerseits über Durchkontaktierungen mit zugeordneten, auf den Hockern gebildeten Außenanschlussen verbunden.
Aus der O-A-96 096 46 ist ein sog. Polymer Stud Grid Array (PSGA) bekannt, welches die Vorteile eines Ball Grid Arrays (BGA) mit den Vorteilen der MID-Technologie vereinigt. Die Bezeichnung der neuen Bauform als Polymer Stud Grid Array (PSGA) erfolgte dabei m Anlehnung an das Ball Grid Array
(BGA) , wobei der Begriff "Polymer Stud" auf beim Spritzgießen des Substrats mitgeformte Polymerhocker hinweisen soll. Die
neue für Single-, Few- oder Multi-Chip-Module geeignete Bauform umfaßt
- ein spritzgegossene, dreidimensionales Substrat aus einem elektrisch isolierenden Polymer, - auf der Unterseite des Substrats flächig angeordnete und beim Spritzgießen mitgeformte Polymerhöcker,
- auf den Polymerhöckern durch eine lösbare Endoberfläche gebildete Außenanschlüsse,
- zumindest auf der Unterseite des Substrats ausgebildete Leiterzüge, die die Außenanschlüsse mit Innenanschlüssen verbinden, und
- mindestens einen auf dem Substrat angeordneten Chip, dessen Anschlüsse mit den Innenanschlüssen elektrisch leitend verbunden sind.
Neben der einfachen und kostengünstigen Herstellung der Polymerhöcker beim Spritzgießen des Substrats kann auch die Herstellung der Außenanschlüsse auf den Polymerhöckern mit minimalem Aufwand zusammen mit der bei der MID-Technologie bzw. der SIL-Technik üblichen Herstellung der Leiterzüge vorgenommen werden. Durch die bei der SIL-Technik bevorzugte Laser- feinstrukturierung können die Außenanschlüsse auf den Polymerhöckern mit hohen Anschlußzahlen in einem feinen Raster realisiert werden.
Hervorzuheben ist ferner, daß die Temperaturausdehnung der Polymerhöcker den Temperaturausdehnungen des Substrats und der das Modul aufnehmenden Verdrahtung entspricht. Hierdurch wird auch bei häufigen Temperaturschwankungen eine hohe Zu- verlässigkeit der Lötverbindung erreicht.
Aus der US-A-5 477 087 ist es auch bekannt, die elastischen Eigenschaften und das Temperaturverhalten von Polymerhöckern bei der Kontaktierung von elektronischen Komponenten wie z. B. Halbleitern auszunutzen. Hierzu wird auf die Aluminium- Elektroden der elektronischen Komponenten zunächst jeweils eine Barriere-Metallschicht aufgebracht, worauf auf diesen
Metallschichten Polymerhöcker ausgebildet werden. Die fertig ausgebildeten Polymerhöcker werden dann mit einer Schicht eines Metalls überzogen, das einen niedrigen Schmelzpunkt besitzt .
Werden Polymer Stud Grid Arrays oder andere Komponenten mit metallisierten Polymerhöckern mit Verdrahtungen wie z. B. Leiterplatten durch Reflowlöten verbunden, so besteht die Gefahr, daß das aufgeschmolzene Lot entlang der Metallisierung der Polymerhöcker nach oben gezogen wird. Dieses bei etwa 75% der Polymerhöcker auftretende Phänomen führt dann aber seinerseits zu nicht reproduzierbaren Lotschichtdicken unter den Polymerhöckern und gegebenenfalls zu Kurzschlüssen mit benachbarten Leiterbahnen.
Der im Anspruch 1 angegebenen Erfindung liegt das Problem zugrunde, bei einem Substrat mit Polymerhöckern für die Lötverbindung mit einer Verdrahtung reproduzierbare Lotschichtdicken unter den Polymerhöckern zu gewährleisten.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß durch eine Geometrie des Polymerhöckers mit mindestens einer Erhöhung die hierdurch gebildete Stufe oder die hierdurch gebildeten Stufen ein Hochziehen des geschmolzenen Lotes verhindern. Da- mit ergeben sich reproduzierbare Lotschichtdicken unter den Polymerhöckern, die ihrerseits eine hohe Zuverlässigkeit der Lötverbindungen gewährleisten. Eine Gefahr von Kurzschlüssen durch hochgezogenes Lot kann ebenfalls ausgeschlossen werden.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Ausgestaltung nach Anspruch 2 ist insbesondere für die Herstellung von Substraten mit integralen Polymerhöckern durch Spritzgießen geeignet. Dabei haben die im Anspruch 3 angegebenen Abmessungen für die zylinderförmigen Erhöhungen
bei Polymer Stud Grid Arrays zu besonders zuverlässigen Lötverbindungen geführt.
Die in den Ansprüchen 4, 5 und 6 angegebenen Varianten für die Geometrie der Polymerhöcker verhindern durch die Stufen ebenfalls ein Hochziehen des Lotes. Damit ergibt sich die Möglichkeit, die Geometrie der Polymerhöcker auf besondere Anwendungsformen abzustimmen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.
Es zeigen
Figur 1 einen abgebrochen dargestellten Schnitt durch ein
Substrat mit integral angeformten, abgestuften Polymerhöckern,
Figur 2 einen Polymerhöcker des Substrats gemäß Figur 1 mit der darauf aufgebrachten Metallisierung und mit einem vom Polymerhöcker wegführenden Leiterzug,
Figur 3 die Lötverbindung des in Figur 2 dargestellten Polymerhöckers mit einer Verdrahtung,
Figur 4 eine erste Variante mit einem zweifach abgestuften Polymerhöcker,
Figur 5 eine zweite Variante für die Polymerhöcker mit mehre- ren auf einer Stufe angeordneten Erhöhungen und
Figur 6 eine dritte Variante für die Polymerhöcker mit einer ringförmigen Erhöhung.
Figur 1 zeigt einen Schnitt durch ein Substrat S, auf dessen Unterseite U zur Bildung eines Polymer Stud Grid Arrays beim Spritzgießen des Substrats mitgeformte Polymerhöcker PS bzw.
Polymer Studs angeordnet sind. Es ist erkennbar, daß die leicht konisch ausgebildeten Polymerhocker PS an ihrem unteren Ende jeweils mit zylmderforangen Erhöhungen E versehen sind. Die Durchmesser der zylinderformigen Erhöhungen E sind derart bemessen, daß sich jeweils als Übergang zum restlichen Polymerhocker PS eine ringförmige Stufe ST ergibt. Im dargestellten Ausfuhrungsbeispiel weist ein Polymerhocker PS m seinem Sockeibereich einen Durchmesser D von 400 μm auf, wahrend die Hohe H als Abstand zwischen der Unterseite U des Substrats S und der Stufe ST 400 um betragt. Der Durchmesser d der zylindrischen Erhöhung E betragt 160 μm, wahrend die Hohe h der zylindrischen Erhöhung E 50 μm betragt.
Figur 2 zeigt einen Polymerhocker PS gemäß Figur 1 nach der Laserfemststrukturierung einer ganzflachig auf das Substrat S aufgebrachten Metallschicht . Es ist zu erkennen, daß der Polymerhocker PS einschließlich der zylindrischen Erhöhung E mit einer Metallisierung M versehen ist und daß von dem Polymerhocker PS auf der Unterseite U des Substrats S ein Leiter- zug LZ wegfuhrt.
Figur 3 zeigt die Lotverbindung des in Figur 2 dargestellten Polymerhockers PS mit einer Verdrahtung V, die im dargestellten Ausfuhrungsbeispiel als Leiterplatte LP mit auf der Ober- seite angeordneten Anschluß-Pads AP ausgebildet ist. Es ist deutlich zu erkennen, daß das gesamte Lot L beim Reflowloten im Bereich zwischen der Stufe ST und dem Anschluß-Pad AP verbleibt und nicht wie bei Polymerhockern ohne Abstufung seitlich bis zu den Leiterzugen LZ hochgezogen wird. Durch die Geometrie der abgestuften Polymerhocker PS sind somit reproduzierbare Schichtdicken des Lotes L gewahrleistet.
Bei der in Figur 4 dargestellten ersten Variante sind die an ein Substrat Sl integral angeformten Polymerhocker mit PS be- zeichnet. Durch eine zweifache Abstufung der Polymerhocker
PS1 sind eine ringförmige Erhöhung El und eine zylinderformi-
ge Erhöhung E10 gebildet. Die zugehörigen ringförmigen Stufen sind mit ST1 bzw. mit ST10 bezeichnet.
Bei der in Figur 5 dargestellten zweiten Variante sind die an ein Substrat S2 integral angeformten Polymerhöcker mit PS2 bezeichnet. Auf einer als Plattform ausgebildeten Stufe ST2 sind insgesamt vier im Abstand zueinander angeordnete zylin- derförmige Erhöhungen E2 vorgesehen.
Bei der in Figur 6 dargestellten dritten Variante sind die an ein Substrat S3 integral angeformten Polymerhöcker mit PS3 bezeichnet. Auf einer ebenfalls als Plattform ausgebildeten Stufe ST3 befindet sich hier eine ringförmige Erhöhung E3.
Neben den in den Figuren 1 bis 6 dargestellten leicht kegelstumpfförmigen Polymerhöckern können auch andere Querschnittsformen der Polymerhöcker oder der Erhöhungen verwendet werden. Von entscheidender Bedeutung ist jedoch auch hier die Ausbildung mindestens einer Stufe, die ein seitliches Hochziehen des Lotes beim Reflowlöten verhindert.
Claims
1. Substrat (S; Sl; S2; S3) mit mindestens zwei metallisierten Polymerhockern (PS; PS1; PS2; PS3) für die Lotverbindung mit einer Verdrahtung (V) und mit von den Polymerhockern (PS; PS1; PS2; PS3) auf der Unterseite (U) des Substrats (S; Sl; S2; S3) wegführenden Leiterzugen (LZ) , wobei die Polymerhocker (PS; PS1;PS2; PS3) mindestens eine Stufe (ST; ST1, ST10; ST2; ST3) zur Bildung mindestens einer Erhöhung (E; El; E10; E2; E3) aufweisen.
2. Substrat (S) nach Anspruch gekennzeichnet durch eine konzentrisch zum Polymerhocker (PS) angeordnete, zylm- derformige Erhöhung (E) .
3. Substrat (S) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zylmderformige Erhöhung (E) einen Durchmesser (d) zwischen 100 μm und 300 μm und eine Hohe (h) zwischen 25 μm und 250 μm aufweist.
4. Substrat (Sl) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Polymerhocker (PS1) mit zwei Erhöhungen (El; E10) und zwei Stufen (ST1; ST10) vorgesehen sind.
5. Substrat (S2) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Polymerhocker (PS2) mit mehreren auf einer Stufe (ST2) im Abstand zueinander angeordneten Erhöhungen (E2) vorgesehen sind.
6. Substrat (S3) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Polymerhocker (PS3) mit auf einer Stufe (ST3) angeordneten, ringförmigen Erhöhungen (E3) vorgesehen sind.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19923247 | 1999-05-20 | ||
DE19923247 | 1999-05-20 | ||
PCT/DE2000/001497 WO2000072378A1 (de) | 1999-05-20 | 2000-05-11 | Substrat mit mindestens zwei metallisierten polymerhöckern für die lötverbindung mit einer verdrahtung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP1186031A1 true EP1186031A1 (de) | 2002-03-13 |
Family
ID=7908690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP00938553A Withdrawn EP1186031A1 (de) | 1999-05-20 | 2000-05-11 | Substrat mit mindestens zwei metallisierten polymerhöckern für die lötverbindung mit einer verdrahtung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1186031A1 (de) |
JP (1) | JP2003500858A (de) |
KR (1) | KR100426044B1 (de) |
CN (1) | CN1352805A (de) |
TW (1) | TW465263B (de) |
WO (1) | WO2000072378A1 (de) |
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-
2000
- 2000-05-11 KR KR10-2001-7014793A patent/KR100426044B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-05-11 EP EP00938553A patent/EP1186031A1/de not_active Withdrawn
- 2000-05-11 CN CN00807834A patent/CN1352805A/zh active Pending
- 2000-05-11 JP JP2000620676A patent/JP2003500858A/ja not_active Withdrawn
- 2000-05-11 WO PCT/DE2000/001497 patent/WO2000072378A1/de not_active Application Discontinuation
- 2000-05-17 TW TW089109430A patent/TW465263B/zh not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
See references of WO0072378A1 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020005753A (ko) | 2002-01-17 |
WO2000072378A1 (de) | 2000-11-30 |
TW465263B (en) | 2001-11-21 |
KR100426044B1 (ko) | 2004-04-06 |
CN1352805A (zh) | 2002-06-05 |
JP2003500858A (ja) | 2003-01-07 |
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