DE10059176C2 - Zwischenträger für ein Halbleitermodul, unter Verwendung eines derartigen Zwischenträgers hergestelltes Halbleitermodul sowie Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleitermoduls - Google Patents

Zwischenträger für ein Halbleitermodul, unter Verwendung eines derartigen Zwischenträgers hergestelltes Halbleitermodul sowie Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleitermoduls

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Description

Die Erfindung betrifft einen Zwischenträger für ein Modul mit mindestens einer Halbleiterkomponente, bestehend aus einem flachen Trägerkörper mit
  • - einer Oberseite, auf der Innenanschlüsse zur Verbindung mit Bauteil-Anschlußelementen einer Halbleiterkomponente ausgebildet sind,
  • - einer Unterseite, welche mit Außenanschlüssen zur Kontak­ tierung mit einem Schaltungsträger versehen ist, und
  • - Durchgangslöchern zwischen der Oberseite und der Untersei­ te, deren Wände zumindest teilweise metallisiert sind und jeweils eine leitende Verbindung zwischen einem Innenan­ schluß der Oberseite und einem entsprechenden Außenan­ schluß der Unterseite herstellen.
Weiter bezieht sich die Erfindung auf ein unter Verwendung eines derartigen Zwischenträgers hergestelltes Halbleitermo­ dul und ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halb­ leitermoduls.
Durch die zunehmende Miniaturisierung integrierter Schalt­ kreise besteht das Problem, immer mehr elektrische Verbindun­ gen zwischen dem eigentlichen Halbleiter und einem Schal­ tungsträger, also einer Leiterplatte, auf engstem Raum unter­ zubringen. Je feiner aber die Strukturen des Halbleiterchips und der Verbindungsleiter sind, umso mehr sind sie durch un­ terschiedliche Ausdehnungen der beteiligten Materialien, ins­ besondere des Halbleiterkörpers einerseits und der aus Kunst­ stoff bestehenden Leiterplatte andererseits, gefährdet.
Eine wesentliche Rolle bei der Kontaktierung von Halbleiter­ chips spielt der Zwischenträger oder Interposer, mit dem ein oder mehrere Chips zu einem Modul verbunden wird bzw. werden, das dann auf dem Schaltungsträger kontaktiert wird.
Bei der sogenannten BGA (Ball Grid Array)-Technik wird ein Zwischenträger an seiner Unterseite flächig mit Lothöckern versehen, die eine Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte ermöglichen. Die Lothöcker dienen dabei einerseits als elek­ trische Anschlüsse und andererseits als Abstandshalter für den Ausdehnungsausgleich zwischen den verschiedenen Materia­ lien, nämlich dem Zwischenträger und der Leiterplatte. Auf der Oberseite des Zwischenträgers kann der Halbleiterchip be­ festigt und beispielsweise mit Bonddrähten kontaktiert sein. Bekannt ist auch eine Flipchip-Montage, wobei die Anschlüsse des ungehäusten Halbleiters unmittelbar mit Leiterbahnen auf der Oberseite des Zwischenträgers verbunden werden. Um in diesem Fall einen Ausdehnungsausgleich zwischen dem Halblei­ terkörper und dem Zwischenträger zu schaffen, ist in der Re­ gel eine Unterfüllung (underfill) des Halbleiters erforder­ lich, was einen zusätzlichen, komplizierten und teueren Pro­ zeßschritt erforderlich macht, der außerdem eine nachträgli­ che Reparatur nicht mehr ermöglicht.
Bei der sogenannten PSGA (Polymer Stud Grid Array)- Technologie wird als Zwischenträger ein spritzgegossenes, dreidimensionales Substrat aus einem elektrisch isolierenden Polymer verwendet, auf dessen Unterseite beim Spritzgießen mitgeformte Polymerhöcker flächig angeordnet sind (EP 0 782 765 B1). Diese Polymerhöcker sind mit einer lötbaren Endober­ fläche versehen und bilden so Außenanschlüsse, die über inte­ grierte Leiterzüge mit Innenanschlüssen für eine auf dem Sub­ strat angeordnete Halbleiterkomponente verbunden sind. Die Polymerhöcker dienen als Abstandshalter des Moduls gegenüber einer Leiterplatte und sind so in der Lage, unterschiedliche Ausdehnungen zwischen Leiterplatte und Zwischenträger auszu­ gleichen. Die Halbleiterkomponente kann auf der Oberseite des Zwischenträgers über Bonddrähte kontaktiert sein; möglich ist aber auch eine Kontaktierung, bei der die unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten analog über Polymerhöcker auf der Oberseite des Zwischenträgers ausgeglichen werden.
Aus der WO 89/00346 A1 ist ferner ein Single-Chip-Modul be­ kannt, bei welchem das spritzgegossene, dreidimensionale Sub­ strat aus einem elektrisch isolierenden Polymer auf der Un­ terseite angeformte Polymerhöcker trägt, die in einer oder mehreren Reihen entlang dem Umfang des Substrats angeordnet sind. Ein Chip ist auf der Oberseite des Substrats angeord­ net; seine Kontaktierung erfolgt über feine Bonddrähte und Leiterbahnen, die dann ihrerseits über Durchkontaktierungen mit den auf den unterseitigen Höckern ausgebildeten Außenan­ schlüssen verbunden sind. Der Zwischenträger besitzt bei die­ ser Gestaltung eine verhältnismäßig große Ausdehnung.
Einen Zwischenträger mit derartigen Polymerhöckern zeigt auch die WO 00/03571 A1. Dort erfolgt die Kontaktierung vom Chip zu den Kontakthöckern über elektrisch leitende Querverbindun­ gen von der Oberseite zur Unterseite, welche über Kanten mit einer schrägen, dachförmigen oder konvexen Struktur verlau­ fen. Dabei kann die Strukturierung dieser Querverbindungen mittels Laserstrahlung vorgenommen werden.
Aus der US 5 998 875 ist ferner eine Flip-Chip-Kontaktierung mittels elastischer Kontakthöcker eines Zwischenträgers be­ kannt, wobei der Chip durch entsprechende Konturen des rah­ menförmig ausgebildeten Zwischenträgers ausgerichtet wird. Einer unterschiedlichen Wärmeausdehnung des Chips einerseits und des Zwischenträgers andererseits wird dadurch Rechnung getragen, daß keine festen Verbindungen vorgenommen werden, so daß eine leichte Verschiebung zwischen den Kontakthöckern des Zwischenträgers einerseits und den Elektroden des Chips andererseits möglich ist.
Aus der US 5 955 780 ist schließlich die Verwendung einer LCP-Folie für die Kontaktierung eines Halbleiterchips be­ kannt. Dabei wird zunächst die LCP-Folie großflächig auf die Elektrodenseite des Halbleiterchips aufgelegt und mit dieser verbunden. Im Bereich der Elektroden des Chips werden dann Löcher durch die Folie gebohrt, durch die die Elektroden dann mittels einer aufgebrachten Metallisierungsschicht kontak­ tiert werden. Die Metallisierungsschicht wird beispielsweise mittels eines Ätzverfahrens strukturiert, und auf die so ge­ bildete Leiterstruktur werden externe Kontakte, beispielswei­ se in Form von Lotkugeln, aufgebracht.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen Zwischenträger für ein Halbleitermodul der eingangs genannten Art zu schaf­ fen und ein Herstellungsverfahren für einen solchen Zwischen­ träger bzw. ein solches Modul anzugeben, wobei eine unmittel­ bare Kontaktierung der Halbleiterkomponente ohne Unterfüllung auf dem Zwischenträger und eine Kontaktierung des Zwischen­ trägers auf einem Schaltungsträger ohne zusätzliche Maßnahmen möglich werden, wobei die unterschiedlichen Ausdehnungskoef­ fizienten der verwendeten Materialien nicht nachteilig in Er­ scheinung treten. Dabei soll die Halbleiterkomponente mit dem Zwischenträger ein Modul von sehr kompakter Bauform ergeben.
Erfindungsgemäß wird der erste Teil der Aufgabe gelöst durch einen Zwischenträger für ein Modul mit mindestens einer Halb­ leiterkomponente, bestehend aus einem flachen Trägerkörper mit
  • - einer Oberseite, auf der Innenanschlüsse zur Verbindung mit Bauteil-Anschlußelementen einer Halbleiterkomponente ausgebildet sind,
  • - einer Unterseite, welche mit Außenanschlüssen zur Kontak­ tierung mit einem Schaltungsträger versehen ist, und
  • - Durchgangslöchern zwischen der Oberseite und der Untersei­ te, deren Wände zumindest teilweise metallisiert sind und jeweils eine leitende Verbindung zwischen einer Kontakt­ stelle der Oberseite und einem entsprechenden Außenan­ schluß der Unterseite herstellen, wobei
ein Trägerkörper aus einem Kunststoffmaterial verwendet wird, dessen Ausdehnungskoeffizient annähernd gleich dem der Halb­ leiterkomponente (
2
) ist,
die Wände der Durchgangslöcher (
11
) im Bereich der Unterseite (
10
a) des Trägerkörpers (
10
) mittels neben ihrer Umfangskante eingebrachter ringförmiger Einkerbungen (
14
;
16
) zumindest teilweise freigelegt sind und freistehende Höcker (
15
;
17
) als Außenanschlüsse (
18
) bilden und
wobei die Tiefe der Einkerbungen in Abhängigkeit von der ge­ forderten thermischen Belastbarkeit des Moduls derart gewählt ist, daß die Höcker (
15
;
17
) temperaturbedingte unterschiedli­ che Ausdehnungen des Zwischenträgers einerseits und eines Schaltungsträgers (
4
) andererseits aufzunehmen vermögen.
Durch die erfindungsgemäß vorgesehene Erzeugung der Höcker mittels Einkerbungen auf der Unterseite des Zwischenträgers sind diese in die unterseitige Oberfläche versenkt angeordnet und stehen nicht oder allenfalls mit ihrer Metallisierungs­ schicht über diese Oberfläche vor. Trotzdem sind sie in der Lage, temperaturbedingte unterschiedliche Ausdehnungen des Zwischenträgers einerseits und eines Schaltungsträgers ande­ rerseits aufzunehmen und auszugleichen. Die Kontaktierung er­ folgt auf kurzem Wege durch die metallisierten Bohrungen, die innerhalb der Polymerhöcker zur Oberseite des Zwischenträgers verlaufen, wo die Halbleiterkomponente oder auch mehrere Halbleiterkomponenten angeordnet und mit den Innenanschlüssen kontaktiert sind.
Vorzugsweise sind die Durchgangslöcher konzentrisch innerhalb der Höcker ausgebildet, so daß diese eine rohrförmige bzw. kaminartige Gestalt besitzen. Möglich ist aber auch eine ex­ zentrische Anordnung zwischen Durchgangslöchern und Höckern, so daß letztere annähernd die Gestalt eines Rohrsegmentes aufweisen.
Ein besonders kompakter Aufbau läßt sich dann erzielen, wenn der erfindungsgemäße Zwischenträger durch eine Folie aus ei­ nem Kunststoffmaterial gebildet wird, dessen Ausdehnungskoef­ fizient annähernd gleich dem der Halbleiterkomponente, in der Regel Silizium, ist. In diesem Fall kann die Halbleiterkomponente unmittelbar mit ihren Bauteil-Anschlußelementen auf die Innenanschlüsse am oberseitigen Ende der Durchgangs­ löcher gesetzt und kontaktiert werden, wodurch keinerlei Ver­ bindungsleiter in Form von Bonddrähten oder Leiterbahnen auf der Oberseite des Zwischenträgers erforderlich werden. Ein Ausgleich von unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten ist dann im wesentlichen nur zwischen dem Zwischenträger und dem Schaltungsträger erforderlich, und dieser Ausgleich er­ folgt über die erfindungsgemäß vorgesehenen Polymerhöcker im Unterseitenbereich des Zwischenträgers.
Als Material für den Zwischenträger ist eine Folie aus LCP (Liquid Cristal Polymer) oder ein Material mit ähnlichen Wär­ meausdehnungseigenschaften besonders gut geeignet. Dieses Ma­ terial findet z. B. Verwendung bei der Kontaktierung eines Halbleiterchips in der US 5 955 780.
In bevorzugter Ausgestaltung sind die externen Anschlußele­ mente durch eine Metallschicht auf dem äußeren Rand der Höc­ ker gebildet, welche als Fortsetzung der Metallisierung in den Durchgangslöchern ausgebildet ist. Sie kann mit einer zu­ sätzlichen Lotschicht versehen sein; auch die Durchgangslö­ cher im Inneren der Höcker können zusätzlich mit Lotmaterial ausgefüllt sein.
Besonders vorteilhaft ist eine Ausgestaltung der Erfindung dahingehend, daß die Innenanschlüsse lediglich als jeweils eine die oberseitige Öffnung des jeweiligen Durchgangsloches überdeckende Fortsetzung der Metallisierung an den Innenwän­ den der Durchgangslöcher ausgebildet sind. In diesem Fall wird diese die Innenanschlüsse bildende Metallisierungs­ schicht von der Unterseite des Zwischenträgers her durch die Durchgangslöcher unmittelbar auf die Bauteil-Anschlußelemente der bereits aufgesetzten Halbleiterkomponente aufgebracht.
Der zweite Teil der Aufgabe wird gelöst durch das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit einem Zwischen­ träger für mindestens eine Halbleiterkomponente; es umfaßt folgende Schritte:
  • - eine Halbleiterkomponente wird mit ihrer Anschlußseite derart auf der Oberseite eines flachen Trägerkörpers fi­ xiert, daß ihre Bauteil-Anschlüsse auf der Oberseite des Trägerkörpers aufliegen;
  • - von der Unterseite des Trägerkörpers her werden Durch­ gangslöcher zur Freilegung der Bauteil-Anschlußelemente der Halbleiterkomponente bis zur Oberseite durchgebohrt;
  • - die Innenwände der Durchgangslöcher und die freigelegten Kontaktflächen der Halbleiterkomponente werden gleichzei­ tig mit mindestens einem Teil der Unterseite des Träger­ körpers mit einer Metallschicht überzogen; und
  • - der Rand der Löcher auf der Unterseite des Trägerkörpers wird durch eine ringförmige Einkerbung zumindest teilweise freigelegt.
Vorzugsweise werden die ringförmigen Einkerbungen zur Freile­ gung der Lochränder ebenso wie die Bohrungen der Durchgangs­ löcher mittels Laserbearbeitung vorgenommen. Dabei kann gleichzeitig eine weitere Laserstrukturierung für eine Lei­ terbahnstruktur auf der Unterseite des Trägerkörpers vorge­ nommen werden. Bei diesem Prozeßschritt können die nicht be­ nötigten Metallflächen entfernt und die verbleibenden Metall­ flächen mit einer zusätzlichen Metallschicht versehen werden. Zur Erzeugung einer größeren Dicke können auf diese Metall­ strukturen zum Löten zusätzliche Lotschichten (mit Zinn-Blei) aufgebracht werden, so daß ein Arbeitsgag für einen Pasten­ druck nicht erforderlich wird.
Denkbar ist allerdings auch ein etwas anderer Verfahrensab­ lauf, bei dem die Höcker auf der Unterseite des Trägerkörpers bereits vor der Verbindung mit der Halbleiterkomponente er­ zeugt werden. In diesem Fall können die Höcker sowohl durch Laserstrukturierung als auch durch Prägen der Unterseite des Trägerkörpers erzeugt werden. In diesem Fall würde die Halbleiterkomponente auf den mit den Höckern versehenen Träger­ körper aufgesetzt, und dann würde die Bohrung der Durchgangs­ löcher von der Unterseite durch die bereits vorgeformten Höc­ ker hindurch zur Oberseite des Trägerkörpers mit anschließen­ der Metallisierung durchgeführt.
Die Erfindung wird nachfolgend an Ausführungsbeispielen an­ hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 bis 4 schematisch die einzelnen Phasen bei der Her­ stellung eines erfindungsgemäßen zwischenträgers in Verbin­ dung mit einer Halbleiterkomponente,
Fig. 5 eine Fig. 4 entsprechende perspektivische Ansicht auf die Unterseite eines geschnittenen Zwischenträgers und
Fig. 6 schematisch die Montage eines erfindungsgemäßen Halb­ leitermoduls auf einer Leiterplatte.
In den Fig. 1 bis 4 ist die Herstellung eines erfindungs­ gemäßen Zwischenträgers gezeigt, wobei der Zwischenträger be­ reits während seiner Herstellung und Bearbeitung mit der Halbleiterkomponente verbunden und kontaktiert wird. Der Zwi­ schenträger 1 besitzt einen Trägerkörper 10, der aus einer LCP-Folie mit einem ähnlich geringen Ausdehnungskoeffizienten wie dem der Halbleiterkomponente gebildet wird. Bekanntlich liegt der Wärme-Ausdehnungskoeffizient von LCP nahe bei dem von Silizium, so daß ein derartiger Trägerkörper unmittelbar mit einem Halbleiter verbunden werden kann, ohne daß bei thermischer Belastung Gefahr durch unterschiedliche Ausdeh­ nung besteht. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, wird der Trägerkör­ per 10 über eine zwischenliegende Klebstoffschicht 3 mit ei­ nem Halbleiterchip 2 verbunden, dessen Bauteilanschlußelemen­ te in Form von Metallpads 21 dem Trägerkörper 10 zugewandt sind. Die Klebstoffschicht 3 kann beispielsweise eine Dicke von 25 bis 50 µm aufweisen, während die den Trägerkörper 10 bildende LCP-Folie beispielsweise eine Dicke von 100 bis 200 µm aufweist. Denkbar ist auch die Verwendung einer Mehr­ schichtfolie, wobei zwischen den Schichten auch eine Leiter­ bahnstruktur vorgesehen sein kann.
In einem weiteren Prozeßschritt werden gemäß Fig. 2 von der Unterseite 10a des Trägerkörpers Durchgangslöcher 11 bis zur Oberseite des Trägerkörpers 10 gebohrt, und zwar so, daß sie jeweils auf einen der flächigen Bauteil-Anschlußelemente 21 treffen. Diese Anschlußelemente werden damit freigelegt. Die Bohrung erfolgt mit einem Laserbohrverfahren, wobei der La­ serstrahl so eingestellt wird, daß die Bauteil- Anschlußelemente 21 nicht abgetragen werden.
In dem nächsten Prozeßschritt werden die Innenwände der Durchgangslöcher 11 ganz oder zumindest teilweise mit einer Metallschicht 12 versehen, wobei diese Metallschicht über­ gangslos auch auf den freigelegten Bauteil-Anschlußelementen 21 abgelagert wird. Der Halbleiterchip 2 ist somit unmittel­ bar mit dem Zwischenträger kontaktiert. Beim Aufbringen der Metallisierung 12 können auch die übrigen Bereiche der Unter­ seite 10a des Trägerkörpers 10 ganz oder teilweise mit einer Metallschicht bedeckt werden.
Wie in Fig. 4 weiter gezeigt ist, werden nunmehr jeweils um die Durchgangslöcher 11 herum ringförmige Einkerbungen 14 eingebracht, so daß jeweils kaminartige Höcker 15 entstehen, die in den Trägerkörper 10 hinein versenkt angeordnet sind, so daß sie nicht über die Unterseite 10a vorstehen. Die Rän­ der der Höcker sind bereits durch die vorhergehende Metalli­ sierung mit der Metallschicht 12 bedeckt und können so unmit­ telbar als Außenanschlüsse für die Kontaktierung auf einer Leiterplatte dienen. Die Tiefe der Einkerbungen 14 wird von der geforderten thermischen Belastbarkeit bestimmt, da diese Höcker 15 nunmehr bei unterschiedlicher thermischer Ausdeh­ nung des Zwischenträgers 1 mit dem darauf sitzenden Halblei­ terchip 2 einerseits und einer Leiterplatte andererseits die auftretenden Belastungen aufnehmen und ausgleichen können.
Idealerweise werden die Einkerbungen 14 konzentrisch zu den Durchgangslöchern 11 angeordnet, so daß die Höcker eine sym­ metrisch rohrförmige Gestalt aufweisen. Es ist aber auch denkbar, daß aus bestimmten Gründen oder aufgrund von Maßab­ weichungen eine Einkerbung 16 (Fig. 4) exzentrisch zu dem entsprechenden Durchgangsloch 11 liegt, so daß ein einseitig angeschnittener Höcker 17 in Form eines Ringsegments ent­ steht.
Gleichzeitig mit der Einbringung der Einkerbungen 14 kann auch eine gewünschte Leiterstruktur auf der Unterseite des Trägerkörpers 10 durch Laserbearbeitung im gleichen Prozeß­ schritt vorgenommen werden. Dabei können die nicht benötigten Metallflächen entfernt und die verbleibenden Metallflächen mit einer zusätzlichen Metallauflage versehen werden. Insbe­ sondere zur Erzielung einer größeren Metalldicke können Löt­ materialien auf dem als Außenkontakte 18 dienenden Rändern der Höcker aufgebracht werden.
Fig. 6 zeigt die Kontaktierung eines erfindungsgemäßen Mo­ duls mit einem Zwischenträger 1 und einem Halbleiterchip 2 auf einer Leiterplatte 4, wobei die Außenkontakte 18 jeweils mit einer Lotschicht 19 aus Zinn-Blei verstärkt sind. Weiter­ hin ist in Fig. 6 zu sehen, daß die Zinn-Blei-Legierung 19 auch eines der Durchgangslöcher 11 ausfüllt.

Claims (14)

1. Zwischenträger für ein Modul mit mindestens einer Halblei­ terkomponente (2), bestehend aus einem flachen Trägerkörper (10) mit
einer Oberseite, auf der Innenanschlüsse (22) zur Verbin­ dung mit Bauteil-Anschlußelementen (21) einer Halbleiter­ komponente (2) ausgebildet sind,
einer Unterseite (10a), welche mit Außenanschlüssen (18) zur Kontaktierung mit einem Schaltungsträger (4) versehen ist, und
Durchgangslöchern (11) zwischen der Oberseite und der Un­ terseite, deren Wände (12) zumindest teilweise metalli­ siert sind und jeweils eine leitende Verbindung zwischen einem Innenanschluß (22) der Oberseite und einem entspre­ chenden Außenanschluß (18) der Unterseite herstellen,
wobei ein Trägerkörper aus einem Kunststoffmaterial verwendet wird, dessen Ausdehnungskoeffizient annähernd gleich dem der Halbleiterkomponente (2) ist,
die Wände der Durchgangslöcher (11) im Bereich der Unterseite (10a) des Trägerkörpers (10) mittels neben ihrer Umfangskante eingebrachter ringförmiger Einkerbungen (14; 16) zumindest teilweise freigelegt sind und freistehende Höcker (15; 17) als Außenanschlüsse (18) bilden und
wobei die Tiefe der Einkerbungen in Abhängigkeit von der ge­ forderten thermischen Belastbarkeit des Moduls derart gewählt ist, daß die Höcker (15; 17) temperaturbedingte unterschiedli­ che Ausdehnungen des Zwischenträgers einerseits und eines Schaltungsträgers (4) andererseits aufzunehmen vermögen.
2. Zwischenträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Höcker (15) durch konzentrische ringförmige Einkerbungen (14) rohr­ förmig ausgebildet sind.
3. Zwischenträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Höcker (17) durch exzentrische, annähernd ringförmige Einkerbungen (16) annähernd in Form von Rohrsegmenten ausgebildet sind.
4. Zwischenträger nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Trä­ gerkörper (10) eine Folie aus LCP (Liquid Crystal Polymer) dient.
5. Zwischenträger nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenanschlüsse (18) in Form einer Metallschicht auf dem äußeren Rand der Höcker (15; 17)ausgebildet sind.
6. Zwischenträger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Außen­ anschlußelemente eine zusätzliche Lotschicht (19) tragen.
7. Zwischenträger nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Durch­ gangslöcher (11) zumindest teilweise mit Lotmaterial (19) ge­ füllt sind.
8. Zwischenträger nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Innen­ anschlüsse (22) auf der Oberseite des Trägerkörpers (10) durch eine Metallschicht auf den Bauteil-Anschlußelementen (21) einer mit dieser Oberfläche verbundenen Halbleiterkompo­ nente gebildet sind, wobei die Metallschicht (12) durchgehend sowohl die Wände der Durchgangslöcher als auch die zu den Durchgangslöchern gewandten Kontaktfläche der Bauteil- Anschlußelemente (21) bedeckt.
9. Halbleitermodul, gebildet durch einen mit einem Zwischen­ träger gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 verbundenen Halblei­ terchip.
10. Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit ei­ nem Zwischenträger nach einem der Ansprüche 1 bis 8 für min­ destens eine Halbleiterkomponente mit folgenden Schritten:
eine Halbleiterkomponente (2) wird mit ihrer Anschlußseite derart auf der Oberseite eines flachen Trägerkörpers (10) fixiert, daß ihre Anschluß-Kontaktelemente auf der Ober­ seite des Trägerkörpers (10) aufliegen;
von der Unterseite (10a) des Trägerkörpers (10) werden Lö­ cher (11) zur Freilegung der Bauteil-Anschlußelemente (21) der Halbleiterkomponente (2) bis zur Oberseite durchge­ bohrt;
die Innenwände der Durchgangslöcher (11) und die freige­ legten Oberflächen der Bauteil-Anschlußelemente (21) wer­ den mit einer Metallschicht (12) überzogen; und
der Rand der Durchgangslöcher (11) auf der Unterseite des Trägerkörpers (10) wird jeweils durch eine umlaufende Ein­ kerbung (14; 16) freigelegt.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Ein­ kerbungen (14; 16) zur Freilegung der Lochränder durch Laser­ bearbeitung erzeugt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Ein­ kerbungen durch Prägung der Unterseite des Trägerkörpers (10) erzeugt werden, daß danach die Halbleiterkomponente (2) auf die Oberseite des Trägerkörpers (10) aufgebracht und daß dann die Durchgangslöcher (11) von der Unterseite her gebohrt und schließlich die Innenwände der Durchgangslöcher und die frei­ gelegten Bauteil-Anschlußelemente der Halbleiterkomponente mit der Metallschicht (12) überzogen werden.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß eine auf der Unterseite des Trägerkörpers (10) aufgebrachte Metall­ schicht (13) durch Laserbearbeitung zur Erzeugung einer Leiterbahnstruktur teilweise entfernt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest die Ränder der Höcker (15) mit einer Lotmetallisierung verse­ hen werden.
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