DE10217698B4 - Elektrische Schaltanordnung mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger - Google Patents
Elektrische Schaltanordnung mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger Download PDFInfo
- Publication number
- DE10217698B4 DE10217698B4 DE10217698A DE10217698A DE10217698B4 DE 10217698 B4 DE10217698 B4 DE 10217698B4 DE 10217698 A DE10217698 A DE 10217698A DE 10217698 A DE10217698 A DE 10217698A DE 10217698 B4 DE10217698 B4 DE 10217698B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- contact surface
- circuit arrangement
- arrangement according
- chip
- contacting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/04—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation using electrically conductive adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/119—Details of rigid insulating substrates therefor, e.g. three-dimensional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09045—Locally raised area or protrusion of insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09118—Moulded substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10674—Flip chip
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
- H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Elektrische
Schaltungsanordnung, mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger (2)
und mindestens einem in Flip-Chip-Anordnung daran aufgeklebten Chip (3),
wobei der Schaltungsträger
(2) ein Trägersubstrat (4)
umfasst, das mindestens einen bezüglich der benachbarten Substrat-Grundfläche (8)
vorstehenden Kontaktierungshöcker
(7) aufweist, an dessen Stirnfläche
eine muldenartige Vertiefung (27) mit einer zur Flip-Chip-Kontaktierung
geeigneten ersten Kontaktfläche
(13) angeordnet ist, wobei der ersten Kontaktfläche (13) eine am Chip (3) angeordnete
zweite Kontaktfläche
(15) gegenüberliegt,
wodurch zwischen der ersten Kontaktfläche (13) und der gegenüberliegenden
zweiten Kontaktfläche
(15) ein Hohlraum entsteht mit einem darin angeordneten elektrisch
leitenden Klebstoff (24), wobei der Hohlraum durch das Zusammenwirken
eines die muldenartige Vertiefung (27) umgrenzenden ringförmigen Kontaktflächenabschnittes
(29) der ersten Kontaktfläche
(13) mit der gegenüberliegenden
zweiten Kontaktflä che
(15) nach außen
hin abgeschottet ist und der darin eingeschlossene elektrisch leitende
Klebstoff (24) verdichtet ist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine elektrische Schaltungsanordnung mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger und mindestens einem in Flip-Chip-Anordnung daran aufgeklebten Chip, wobei der Schaltungsträger ein Trägersubstrat umfasst, das mindestens einen bezüglich der benachbarten Substrat-Grundfläche vorstehenden Kontaktierungshöcker aufweist, an dessen Stirnfläche eine zur Flip-Chip-Kontaktierung mittels Klebstoff geeignete Kontaktfläche angeordnet ist.
- Eine derartige elektrische Schaltungsanordnung mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger geht aus der
EP 0782765 B1 hervor. Der Schaltungsträger ist in so genannter MID-Technologie (MID = Moulded Interconnect Device) gefertigt, die die Realisierung komplexer, dreidimensionaler Leiterstrukturen gestattet. Im Falle derEP 0782765 B1 liegt dem Schaltungsträger ein aus thermoplastischem Kunststoffmaterial bestehendes Trägersubstrat als Spritzgussteil zugrunde, an dessen Oberfläche dem gewünschten Verlauf entsprechende Leiterbahnen ausgebildet sind. Die Leiterbahnen sind hier das Er gebnis einer Laser-Strukturierung des zuvor ganzflächig metallisierten Trägersubstrates. Zum Erhalt von Kontaktflächen für die Flip-Chip-Kontaktierung eines Chips verfügt das Trägersubstrat über einstückig angeformte Kontaktierungshöcker (Polymer Studs), die an ihrer Stirnfläche mit einer Kontaktfläche versehen sind, welche Bestandteil einer auf dem Trägersubstrat verlaufenden und durch die Laser-Strukturierung herausgearbeiteten Leiterbahn ist. - Ähnliche Technologien werden in der
EP 0968631 B1 und in derUS 5081520 beschrieben. - Die
US 5081520 beschreibt darüber hinaus die Verwendung eines anisotrop elektrisch leitenden Klebstoffes zur mechanischen Fixierung eines Chips am Schaltungsträger bei gleichzeitiger Herstellung der elektrischen Verbindungen zwischen den an den Kontaktierungshöckern vorgesehenen (ersten) Kontaktflächen und zugeordneten zweiten Kontaktflächen des Chips. Bei der Montage des Chips wird der Klebstoff zwischen den Kontaktflächen so komprimiert, dass die in ihm eingeschlossenen leitfähigen Partikel miteinander in Kontakt treten und eine elektrische Verbindung hervorrufen. Außerhalb der Kontaktflächen übernimmt der Klebstoff die Funktion eines Underfillers. - Nicht immer ist der elektrisch leitfähige Klebstoff in der Lage, eine den Anforderungen entsprechende sichere elektrische Verbindung zwischen den einzelnen Kontaktflächenpaaren herzustellen.
- Es ist daher die Aufgabe der vor liegenden Erfindung, Maßnahmen vorzuschlagen, die eine sichere Flip-Chip-Kontaktierung mittels elektrisch leitfähigen Klebstoffen begünstigen.
- Diese Aufgabe wird gelöst durch eine elektrische Schaltungsanordnung, mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger und mindestens einem in Flip-Chip-Anordnung daran aufgeklebten Chip, wobei der Schaltungsträger ein Trägersubstrat umfasst, das mindestens einen bezüglich der benachbarten Substrat-Grundfläche vorstehenden Kontaktierungshöcker aufweist, an dessen Stirnfläche eine muldenartige Vertiefung mit einer zur Flip-Chip-Kontaktierung geeigneten ersten Kontaktfläche angeordnet ist, wobei der ersten Kontaktfläche eine am Chip angeordnete zweite Kontaktfläche gegenüberliegt, wodurch zwischen der ersten Kontaktfläche und der gegenüberliegenden zweiten Kontaktfläche ein Hohlraum entsteht mit einem darin angeordneten elektrisch leitenden Klebstoff, wobei der Hohlraum durch das Zusammenwirken eines die muldenartige Vertiefung umgrenzenden ringförmigen Kontaktflächenabschnittes der ersten Kontaktfläche mit der gegenüberliegenden zweiten Kontakt fläche nach außen hin abgeschottet ist und der darin eingeschlossene elektrisch leitende Klebstoff verdichtet ist.
- Durch die muldenartige Vertiefung der Kontaktfläche des Kontaktierungshöckers wird erreicht, dass der Klebstoff – insbesondere bei pastöser oder flüssiger Konsistenz – durch die gegeneinandergepressten Kontaktflächen nicht aus dem Kontaktierungsbereich verdrängt wird. Die muldenartige Vertiefung bewirkt, dass der Klebstoff im Kontaktierungsbereich zurückgehalten wird. Außerdem definiert die muldenartige Vertiefung zusammen mit der zugeordneten Kontaktfläche des aufzuklebenden Chips einen Hohlraum, in dem der enthaltene Klebstoff beim Zusammenpressen der Kontaktflächen stark verdichtet wird – man kann somit von einem Verdichtungsraum sprechen –, was die gegenseitige Haftung und den elektrischen Übergang verbessert. Besonders vorteilhaft wirkt sich dies im Zusammenhang mit einem anisotrop leitenden Klebstoff aus, der in dem durch die muldenartige Vertiefung begrenzten Verdichtungsraum mangels Entweichungsmöglichkeit sehr stark verdichtet wird, woraus eine optimale gegenseitige Kontaktierung der im Klebstoff enthaltenen, elektrisch leitfähigen Partikel resultiert.
- Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
- Die muldenartige Vertiefung hat zweckmäßigerweise eine kreisförmige Querschnittsform.
- Es ist von Vorteil, wenn die Kontaktfläche um die muldenartige Vertiefung herum einen ringförmigen Kontaktflächenabschnitt mit kuppenartiger Querschnittskontur bildet. Dadurch ergibt sich um die muldenartige Vertiefung herum ein erhabener Randbereich, der beim Gegeneinanderpressen der Kontaktflächen mit der gegenüberliegenden chipseitigen Kontaktfläche in Kontakt tritt, so dass der erzeugte Verdichtungsraum nach außen hin abgeschottet wird. Es ergibt sich somit ein reproduzierbares Volumen für die Aufnahme des Klebstoffes, was die Reproduzierbarkeit der Klebeverbindung vorteilhaft beeinflusst.
- Vor allem in Verbindung mit der so genannten Zweikomponenten-Spritzguss-MID-Technik kann der Kontaktierungshöcker mit einer in Höhenrichtung durchgehenden Durchbrechung versehen sein, die eine Durchkontaktierung aufnimmt, um eine elektrische Verbindung zur entgegengesetzten Seite des Schaltungsträgers herzustellen. Die Durchkontaktierung ist dabei zweckmäßigerweise im zentralen Bereich der muldenartigen Vertiefung mit der Kontaktfläche verbunden.
- Bei den im Zusammenhang mit dem eingangs zitierten Stand der Technik diskutierten, bekannten MID-Technologien ergibt sich die Problematik, dass eine umfangreiche chemische Vorbehandlung des spritzgegossenen Trägersubstrates erforderlich ist und die gesamte Oberfläche des Trägersubstrates einem sich negativ auf die Werkstoffeigenschaften auswirkenden chemischen Angriff ausgesetzt wird. Man setzt daher neuerdings verstärkt auf eine MID-Technologie mit einer Laser-Direkt-Strukturierung. Bei diesem, beispielsweise in der Zeitschrift "PLASTVERARBEITER", 52. Jahrg. (2001), Nr. 11, Seite 92, angesprochenen Verfahren wird das Schaltungs-Layout auf einem Hochleistungskunststoff (beispielsweise sogenanntes PBTMID, PA6/6TMID oder PPMID) erzeugt, indem mit einem dem gewünschten Leiterbahnverlauf folgenden Laserstrahl bestimmte Oberflächenbereiche des Trägersubstrates aktiviert werden, an denen durch nachfolgende außenstromlose Metallisierung eine Metallschicht zur Bildung der gewünschten Leiterbahnen aufgebracht wird. Da keine Lösungsmittel und kein Ätzprozess nötig sind, ergeben sich unter anderem ökologische Vorteile. Auch die Werkzeugkosten sind relativ gering.
- Sollen allerdings mit diesem Verfahren PSGAs (PSGA = Polymer Stud Grid Array) der eingangs geschilderten Art hergestellt werden, bedarf es eines nicht unerheblichen Maschinenaufwandes, um die zum Zwecke der Laseraktivierung in einer Vorrichtung fixierten Trägersubstrate stets so relativ zum Laserstrahl zu positionieren, dass auch an den abrupten Übergangsbereichen zwischen der Substrat-Grundfläche und dem Kontaktierungshöcker sowie an den teils recht steilwandigen Umfangsflächen der Kontaktierungshöcker die gewünschte Laserstrahlaktivierung erfolgen kann.
- Es ist daher von Vorteil, wenn die mit der muldenartigen Vertiefung ausgestattete Kontaktfläche an einem Kontaktelement vorgesehen ist, das zu einer zwischen der Substrat-Grundfläche und der Höcker-Stirnfläche verlaufenden Leiterbahn gehört, wobei die Leiterbahn auf einer im Bereich des Außenumfangs des Kontaktierungshöckers vorgesehenen Rampe verläuft.
- Das Vorhandensein einer Rampe zum Überleiten der Leiterbahn von der Substrat-Grundfläche zur Höcker-Stirnfläche ermöglicht einen für eine der Metallisierung vorausgehende Laserstrahlaktivierung optimalen Oberflächenverlauf des Trägersubstrates. Die Rampe lässt sich in ihrer Neigung und in ihren Übergangsbereichen zur Substrat-Grundfläche und zur Höcker-Stirnfläche so ausbilden, dass die der Realisierung der zugehörigen Leiterbahn vorausgehende Laserstrahlaktivierung ohne Änderung der Relativorientierung zwischen Laserstrahl und Trägersubstrat möglich ist. Auf diese Weise kann beispiels weise gewährleistet werden, dass ein rechtwinkelig zur Ausdehnungsebene der Substrat-Grundfläche orientierter Laserstrahl die zu metallisierenden Bereiche mit optimalem Energieeintrag strukturieren kann, wobei auch das Strukturieren im Bereich der Rampe möglich ist, ohne das Trägersubstrat durch aufwendige Handhabungsvorrichtungen zu verschwenken.
- Die beiden Übergangsbereiche zwischen der Rampe und zum einen der Substrat-Grundfläche sowie zum anderen der Höcker-Stirnfläche sind zweckmäßigerweise abgerundet, so dass keine störenden Kanten auftreten. Auch ist es von Vorteil, wenn die Rampe zwischen den beiden Übergangsbereichen eine durchgehend gleichbleibende Steigung besitzt. Als vorteilhaft hat sich erwiesen, wenn die Neigung der Rampe maximal 45° beträgt. Ein Neigungswinkel von zumindest im Wesentlichen 45° bietet nach derzeitigem Kenntnisstand den optimalen Kompromiss zwischen zuverlässiger Laserstrahl-Aktivierbarkeit und geringem Platzbedarf für die Ausgestaltung der Rampe.
- Zur Bildung der Rampe ist zweckmäßigerweise an einer Stelle des Umfanges des betreffenden Kontaktierungshöckers ein Rampenkörper ausgebildet. Der Rampenkörper kann an der von der Substrat-Grundfläche wegweisenden Seite eine schiefe Ebene definieren, die die Rampe bildet.
- Der Schaltungsträger kann an der gleichen Seite ohne weiteres mehrere Kontaktierungshöcker aufweisen. Besonders vorteilhaft ist die Zusammenfassung mehrerer Kontaktierungshöcker in einer Kontaktierungszone, so dass ihre Kontaktflächen vorteilhaft gleichzeitig mit einem aufgesetzten Chip in Flip-Chip-Technologie elektrisch kontaktierbar und mechanisch verbindbar sind.
- Im Zusammenhang mit der Flip-Chip-Montage ist es vorteilhaft, wenn die Rampen der zugeordneten Kontaktierungshöcker so angeordnet sind, dass ihre Abgänge symmetrisch voneinander wegstreben. Dadurch kann ein Wegschwimmen des Chips bei seiner Platzierung auf dem Klebstoff vermieden werden.
- Im Zusammenhang mit der Verwendung eines anisotrop elektrisch leitenden Klebstoffes kann der Klebstoff gleichzeitig die Funktion eines Underfillers übernehmen, so dass sich das separate Applizieren eines gesonderten Underfillers erübrigt.
- Nachfolgend wird die Erfindung anhand der beiliegenden Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
-
1 einen Ausschnitt aus einer bevorzugten Ausführungsform einer mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger aufgebauten, elektrischen Schaltungsanord nung, wobei das Trägersubstrat in Flip-Chip-Anordnung mit einem Chip bestückt ist, -
2 den in1 markierten Ausschnitt II im Querschnitt zur Verdeutlichung der Montagemaßnahmen, -
3 die Anordnung aus1 vor dem Bestücken mit einem Chip, wobei vier in einer Kontaktierungszone platzierte Kontaktierungshöcker ersichtlich sind, -
4 eine Draufsicht auf die Anordnung gemäß3 im Bereich eines Kontaktierungshöckers mit Blickrichtung gemäß Pfeil IV und -
5 eine teilweise geschnittene Seitenansicht der Anordnung aus3 im Bereich eines Kontaktierungshöckers mit Blickrichtung gemäß Pfeil V. - Die Zeichnung zeigt eine allgemein mit Bezugsziffer
1 bezeichnete elektrische Schaltungsanordnung mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger2 , der mit mindestens einem Chip3 bestückt ist. - Der spritzgegossene Schaltungsträger
2 ist als dreidimensionales MID-Teil konzipiert. Er enthält ein aus spritzgießfähi gem, vorzugsweise thermoplastischem Kunststoffmaterial bestehendes Trägersubstrat4 , das an mindestens einer Bestückungsseite5 mit Leiterbahnen6 versehen ist, die zur Übertragung elektrischer Signale zwischen bedarfsgemäß platzierten Anschlussstellen und einer oder mehreren Elektronikkomponenten dienen. Das Ausführungsbeispiel zeigt eine Anordnung, bei der mehrere Leiterbahnen6 gleichzeitig mit einem auf dem Schaltungsträger2 platzierten Chip3 elektrisch kontaktiert sind. - Zur Kontaktierung des Chips
3 ist der Schaltungsträger2 an der Bestückungsseite5 mit mehreren, als einstückiger Bestandteil des Trägersubstrats4 ausgebildeten Kontaktierungshöckern7 versehen. Die Kontaktierungshöcker7 stehen über die benachbarte Substrat-Grundfläche8 vor und sind an ihrer von der Substrat-Grundfläche wegweisenden Stirnfläche – nachfolgend als Höcker-Stirnfläche9 bezeichnet – jeweils mit einer ersten Kontaktfläche13 versehen. - Die zur Kontaktierung eines Chips
3 dienenden Kontaktierungshöcker7 sind gemeinsam in einer Kontaktierungszone14 zusammengefasst, wobei ihre Anzahl und ihr Verteilungsmuster der Anzahl und dem Verteilungsmuster zweiter Kontaktflächen15 entspricht, die an der Kontaktierungsseite16 des zu kontaktierenden Chips3 vorgesehen sind. Es befinden sich die zwei ten Kontaktflächen15 an am Chip3 vorgesehenen Kontaktpads10 . - Auf diese Weise kann der Chip
3 durch Kleben in so genannter Flip-Chip-Technologie an dem spritzgegossenen Schaltungsträger2 gleichzeitig sowohl elektrisch kontaktiert als auch mechanisch fixiert werden. - Die ersten Kontaktflächen
13 sind beim Ausführungsbeispiel jeweils Bestandteil eines an der Höcker-Stirnfläche9 angeordneten, insbesondere padartigen Kontaktelementes11 . Dieses ist einstückiger Bestandteil einer der Leiterbahnen6 , die teilweise auf der Substrat-Grundfläche8 verlaufen und die ausgehend von dort im Bereich des Außenumfanges des zugehörigen Kontaktierungshöckers7 zu dessen Höcker-Stirnfläche9 hochsteigen. - Beim Anstieg zur Höcker-Stirnfläche
9 verläuft eine jeweilige Leiterbahn6 zweckmäßigerweise auf einer im Bereich des Außenumfanges des zugehörigen Kontaktierungshöckers7 angeordneten Rampe17 . Diese Rampe17 ist beim Ausführungsbeispiel von einer Schrägfläche gebildet, die vergleichbar einer schiefen Ebene eine durchgehend gleichbleibende Steigung besitzt und die endseitig durch abgerundete Übergangsberei che18 ,19 zum einen in die Substrat-Grundfläche8 und zum andern in die Höcker-Stirnfläche9 übergeht. - Daraus resultiert ein entsprechender Verlauf der jeweils zugehörigen Leiterbahn
6 . - Um die Leiterbahnen
6 dem geschilderten Verlauf entsprechend herzustellen, kann prinzipiell jede geeignete MID-Technologie eingesetzt werden. Vorzugsweise wird jedoch das Verfahren der so genannten Laser-Direkt-Strukturierung angewandt. Ausgangspunkt ist hierbei beispielsweise ein für MID-Einsätze optimierter PBT-Kunststoff (Polybutylenterephtalat), wobei das Kunststoffmaterial mit eingebetteten Metallpartikeln bzw. Metallkeimen – beispielsweise aus Palladium oder Kupfer – versehen ist. Besonders empfehlenswert ist Kunststoffmaterial, das von der Firma LPKF Laser & Electronics AG, 30827 Garbsen, Deutschland, unter der Bezeichnung PBTMID vertrieben wird. - Nach der Spritzgussfertigung des Trägersubstrates
4 – einschließlich den als "Studs" bezeichenbaren Kontaktierungshöckern7 – wird durch lokale Aktivierung der Substrat-Oberfläche mittels Laserstrahl das gewünschte Schaltungs-Layout erzeugt. Hierbei wird ein Laserstrahl über die Oberfläche des Trägersubstrates4 hinweggeführt, wobei in den bestrahlten Oberflächenbereichen eine lokale Materialaktivie rung stattfindet. Zum einen werden aus speziellen, nichtleitenden Wirksubstanzen Metallkeime abgespalten. Gleichzeitig erzeugen weitere Füllstoffe des Kunststoffmaterials eine ausgeprägte Rauhigkeit auf der bestrahlten Oberfläche. Bei einem sich anschließenden galvanischen Metallisierungsprozess erfolgt im Bereich der abgespaltenen und teilweise freigelegten Metallkeime eine lokale, der Laserspur folgende Kupfermetallisierung, wobei durch die Rauhigkeit eine sehr gute Haftung für die im Galvanikbad entstehende Metallschicht gewährleistet wird. - Auf diese Weise ergeben sich die Leiterbahnen
6 ausschließlich und exakt in denjenigen Oberflächenbereichen des Trägersubstrates4 , die vorausgehend der geschilderten Laserstrahlaktivierung ausgesetzt worden sind. - Durch die rampenartige Außenumfangsgestaltung der Kontaktierungshöcker
7 ist bei einer solchen MID-Technik gewährleistet, dass ein gemäß Pfeil22 rechtwinkelig zur Substrat-Grundfläche8 abstrahlender Laserstrahl in der Lage ist, alle relevanten Oberflächenbereiche – einschließlich dem Übergang von der Substrat-Grundfläche8 zu einer Höcker-Stirnfläche9 – optimal zu behandeln, selbst wenn er ausschließlich derart – beispielsweise durch ein 3-Achs-Positioniersystem – verlagert und positioniert wird, dass sich die Relativorientierung zwischen ihm und dem Trägersubstrat4 nicht ändert. Dadurch kann auf einfache Gerätschaften zurückgegriffen werden, bei deren Anwendung es insbesondere nicht erforderlich ist, die räumliche Orientierung des Trägersubstrates4 mit Bezug zum Laserstrahl22 zu ändern. - In diesem Zusammenhang ist zweckmäßigerweise vorgesehen, dass die Rampe in ihrer Neigung und in ihren Übergangsbereichen
18 ,19 zur Substrat-Grundfläche8 und zur Höcker-Stirnfläche9 so ausgebildet ist, dass die Laserstrahlaktivierung möglich ist, ohne die Orientierung von Laserstrahl und Trägersubstrat relativ zueinander zu verändern. - Als vorteilhaft hat es sich in diesem Zusammenhang erwiesen, maximal eine 45°-Neigung (N) der Rampe
17 mit Bezug zur Substrat-Grundfläche8 vorzusehen. Neigungswinkel von weniger als 45° sind zwar ebenfalls möglich, führen jedoch dazu, dass sich der Übergangsbereich18 zur Substrat-Grundfläche8 weiter vom zugeordneten Kontaktierungshöcker7 entfernt, so dass ein höherer Platzbedarf entsteht. - Die Rampe
17 ist zweckmäßigerweise an einem Rampenkörper23 ausgebildet, der sich an einer Stelle des Umfanges des jeweiligen Kontaktierungshöckers7 befindet und dort zur Seite hin absteht. Soll die Leiterbahn6 über wenigstens zwei Abgänge von der ersten Kontaktfläche13 verfügen, kann eine entsprechende Mehrzahl von Rampen17 und zugehörigen Rampenkörpern23 über den Umfang des Kontaktierungshöckers7 verteilt angeordnet sein. - Wie sich insbesondere aus
4 und5 ergibt, besitzen die Kontaktierungshöcker7 zweckmäßigerweise eine kreisförmig konturierte Grundstruktur, die umfangsseitig an der Stelle der Rampe17 bzw. des Rampenkörpers23 unterbrochen ist. - Die ersten Kontaktflächen
13 sind für eine Bestückung mit einem Chip3 in Flip-Chip-Technologie vorgesehen. Dabei wird der Chip gemäß2 in Face-Down-Orientierung mit seinen zweiten Kontaktflächen15 zuordnungsrichtig auf die ersten Kontaktflächen13 der Kontaktierungshöcker7 aufgesetzt und anschließend gebondet. Vorliegend kommt eine Klebeverbindung unter Einsatz eines elektrisch leitenden Klebstoffes24 zur Anwendung, wobei der Klebstoff zwischen den einander jeweils zugewandten Paaren erster und zweiter Kontaktflächen13 ,15 appliziert wird. - Bei dem Klebstoff
24 könnte es sich um einen isotrop elektrisch leitfähigen Klebstoff handeln, der ausschließlich im Kontaktierungsbereich26 zwischen den einander jeweils zugeordneten ersten und zweiten Kontaktflächen13 ,15 angeordnet wird. In den neben den Kontaktierungsbereichen26 liegenden Bereichen zwischen dem Chip3 und dem Trägersubstrat4 wird dann zweckmäßigerweise ein aus einem anderen, nichtleitenden Material bestehender Underfiller platziert. Besonders vorteilhaft ist jedoch die beim Ausführungsbeispiel vorgesehene Realisierungsform, bei der der Klebstoff24 über anisotrope elektrische Leitfähigkeit verfügt und gleichzeitig auch die Funktion des Underfillers zwischen Chip3 und Trägersubstrat4 übernimmt. - Der anisotrope Leitkleber
24 besteht beispielsweise aus einer Klebstoffpaste, in der leitfähige Partikel aus Silber, Nickel, Gold oder metallbeschichteten Kunststoffkugeln statistisch verteilt sind. Der Füllungsgrad ist so eingestellt, dass der Klebstoff von Hause aus in keiner Richtung elektrisch leitend ist. Erst beim Fügen mit Druck und Temperatur werden einige leitfähige Partikel zwischen den einander zugewandten ersten und zweiten Kontaktflächen13 ,15 eingeschlossen und deformiert, so dass sie nach dem Vernetzen des Klebstoffes und anschließendem Abkühlen eine dauerhafte elektrische Verbindung zwischen den Kontaktflächen13 ,15 herstellen. - Da außerhalb der verschiedenen Kontaktierungsbereiche
26 kein ausreichender Druck erzeugt wird, behält der Klebstoff24 dort seine nichtleitenden Eigenschaften und kann problemlos die Funktion des Underfillers übernehmen. - Es ist vorteilhaft, wenn die Rampen
17 der einer gemeinsamen Kontaktierungszone14 zugeordneten Kontaktierungshöcker7 so orientiert sind, dass ihre Abgänge25 , zweckmäßigerweise symmetrisch, voneinander wegstreben. Auf diese Weise kann ein Wegschwimmen des Chips bei seiner Platzierung im anisotropen Klebstoff24 vermieden werden. - Auf Grund einer speziellen Ausbildung der an den Kontaktierungshöckern
7 angeordneten ersten Kontaktflächen13 wird eine besonders zuverlässige, elektrisch leitende Klebeverbindung zwischen den einander jeweils zugewandten ersten und zweiten Kontaktflächen13 ,15 erzielt. Die Vorteile ergeben sich bereits beim Einsatz isotrop elektrisch leitender Klebstoffe, in besonders vorteilhafter Weise jedoch bei Verwendung anisotrop elektrisch leitender Klebstoffe. - Die erwähnte erfindungsgemäße Gestaltung sieht die Bildung eines Hohlraumes durch eine muldenartige Vertiefung
27 in der ersten Kontaktfläche13 vor. Diese Vertiefung27 dient zur Aufnahme des Klebstoffes24 und verhindert ein extensives Verdrängen des im Kontaktierungsbereich26 applizierten Kleb stoffes24 beim Gegeneinanderpressen der beiden Kontaktflächen13 ,15 . - Da der Klebstoff
24 durch die Wandung der muldenartigen Vertiefung27 auch seitlich abgestützt wird, erreicht man überdies beim Kontaktierungsvorgang eine hohe Verdichtung des Klebstoffes, was – vor allem bei einem anisotropen Leitklebstoff – eine sehr hohe elektrische Kontaktierungssicherheit zur Folge hat. - Wie aus
2 ersichtlich ist, wird durch die muldenartige Vertiefung27 zwischen den beiden einander gegenüberliegenden Kontaktflächen13 ,15 ein Hohlraum definiert, der als Verdichtungsraum28 für den darin enthaltenen, elektrisch leitenden Klebstoff24 dient. - Im kontaktierten Zustand der ersten und zweiten Kontaktflächen
13 ,15 liegt erfindungsgemäß ein die muldenartige Vertiefung27 umgrenzender ringförmiger Kontaktflächenabschnitt29 direkt oder unter Zwischenschaltung einer nur sehr dünnen Kleberschicht an der zweiten Kontaktfläche15 des Chips3 an. Dadurch wird eine ringförmige Barriere um die von der zweiten Kontaktfläche15 abgedeckte muldenartige Vertiefung27 herum gebildet, die den Verdichtungsraum28 nach außen hin abschottet. Die eingeschlossene Klebstoffmenge bzw. die Menge der eingeschlossenen leitenden Partikel wird dadurch reproduzierbar definiert. - Im Bereich des ringförmigen Kontaktflächenabschnittes
29 besitzt die erste Kontaktfläche13 zweckmäßigerweise eine kupgenartige Querschnittskontur. Dadurch wird die Breite des ringförmigen Kontaktflächenabschnittes29 gering gehalten, woraus eine hohe Flächenpressung mit entsprechend hoher Kontaktsicherheit beim Kontaktieren der zweiten Kontaktfläche15 resultiert. - Die Querschnittsform der muldenartigen Vertiefung wird sich insbesondere an der Querschnittsform des zugeordneten Kontaktierungshöckers
7 orientieren. Eine längliche Querschnittsform ist möglich. Bevorzugt wird eine kreisförmige Querschnittsform, wie sie exemplarisch in4 gezeigt ist. - Es ist zweckmäßig, wenn die Wandung der muldenartigen Vertiefung
27 ausgehend vom Vertiefungsgrund zu den Randbereichen hin sanft ansteigt, wie dies in der2 zum Ausdruck kommt. Insgesamt kann die muldenartige Vertiefung27 einen kugelkappenförmigen Raum begrenzen. - Das Trägersubstrat
4 kann neben der oben erwähnten Bestückungsseite5 eine oder mehrere weitere Bestückungsseiten aufweisen. Insbesondere kann eine auf der entgegengesetzten Seite liegende Bestückungsseite vorgesehen sein. Diese beiden Bestückungsseiten können mittels so genannter Durchkontaktierungen elektrisch verbunden sein, wobei die2 eine besonders zweckmäßige Platzierung einer solchen Durchkontaktierung30 in strichpunktierten Linien illustriert. Diese Durchkontaktierung30 durchdringt das Trägersubstrat4 , wobei sie wenigstens einen Kontaktierungshöcker7 in Höhenrichtung durchsetzt. Sie trifft im zentralen Bereich der muldenartigen Vertiefung27 auf das die erste Kontaktfläche13 bildende Kontaktelement11 , mit dem sie elektrisch leitend verbunden ist. Eine einstückige Ausgestaltung ist möglich. Bei Verwendung einer solchen Durchkontaktierung30 kann – entsprechend dem jeweiligen Schaltungs-Layout – unter Umständen auf eine Leiterbahn6 zur Kontaktierung der ersten Kontaktfläche13 verzichtet werden. Entsprechend kann dann auch die nicht benötigte Rampe17 entfallen.
Claims (14)
- Elektrische Schaltungsanordnung, mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger (
2 ) und mindestens einem in Flip-Chip-Anordnung daran aufgeklebten Chip (3 ), wobei der Schaltungsträger (2 ) ein Trägersubstrat (4 ) umfasst, das mindestens einen bezüglich der benachbarten Substrat-Grundfläche (8 ) vorstehenden Kontaktierungshöcker (7 ) aufweist, an dessen Stirnfläche eine muldenartige Vertiefung (27 ) mit einer zur Flip-Chip-Kontaktierung geeigneten ersten Kontaktfläche (13 ) angeordnet ist, wobei der ersten Kontaktfläche (13 ) eine am Chip (3 ) angeordnete zweite Kontaktfläche (15 ) gegenüberliegt, wodurch zwischen der ersten Kontaktfläche (13 ) und der gegenüberliegenden zweiten Kontaktfläche (15 ) ein Hohlraum entsteht mit einem darin angeordneten elektrisch leitenden Klebstoff (24 ), wobei der Hohlraum durch das Zusammenwirken eines die muldenartige Vertiefung (27 ) umgrenzenden ringförmigen Kontaktflächenabschnittes (29 ) der ersten Kontaktfläche (13 ) mit der gegenüberliegenden zweiten Kontaktflä che (15 ) nach außen hin abgeschottet ist und der darin eingeschlossene elektrisch leitende Klebstoff (24 ) verdichtet ist. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die muldenartige Vertiefung (
27 ) eine kreisförmige Querschnittsform hat. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der ringförmige Kontaktflächenabschnitt (
29 ) eine kuppenartige Querschnittskontur aufweist. - Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine den Kontaktierungshöcker (
7 ) in Höhenrichtung durchsetzende Durchkontaktierung (30 ), die im zentralen Bereich der muldenartigen Vertiefung (27 ) mit der Kontaktfläche (13 ) verbunden ist. - Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktfläche (
13 ) an einem an der Höcker-Stirnfläche (9 ) angeordneten Kontaktelement (11 ) vorgesehen ist, das Bestandteil einer zwischen der Substrat-Grundfläche (8 ) und der Höcker-Stirnfläche (9 ) verlaufenden Leiterbahn (6 ) ist. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahn (
6 ) entlang einem laserstrahlaktivierten Oberflächenbereich des Trägersubstrates (4 ) verläuft. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahn (
6 ) auf einer im Bereich des Außenumfanges des Kontaktierungshöckers (7 ) vorgesehenen Rampe (17 ) verläuft. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Übergangsbereiche (
18 ,19 ) zwischen der Rampe (17 ) und der Substrat-Grundfläche (8 ) sowie der Höcker-Stirnfläche (9 ) abgerundet sind. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Rampe (
17 ) zwischen den beiden Übergangsbereichen (18 ,19 ) zur Substrat-Grundfläche (8 ) und zur Höcker-Stirnfläche (9 ) eine durchgehend gleichbleibende Steigung besitzt. - Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Neigung der Rampe (
17 ) kleiner oder gleich 45° ist. - Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Rampe (
17 ) an einem an einer Stelle des Umfangs des Kontaktierungshöckers (7 ) angeordneten Rampenkörper (23 ) ausgebildet ist. - Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, gekennzeichnet durch mehrere in einer Kontaktierungszone (
14 ) angeordnete Kontaktierungshöcker (7 ), deren Rampen (17 ) so angeordnet sind, dass ihre Abgänge (25 ), in symmetrischer Anordnung, voneinander wegstreben. - Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Klebstoff (
24 ) ein anisotrop leitender Klebstoff ist. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Chip (
3 ) und dem Trägersubstrat (4 ) ein von anisotrop leitendem Klebstoff (24 ) gebildeter Underfiller angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10217698A DE10217698B4 (de) | 2002-04-20 | 2002-04-20 | Elektrische Schaltanordnung mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10217698A DE10217698B4 (de) | 2002-04-20 | 2002-04-20 | Elektrische Schaltanordnung mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10217698A1 DE10217698A1 (de) | 2003-11-06 |
DE10217698B4 true DE10217698B4 (de) | 2008-04-24 |
Family
ID=28798633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10217698A Expired - Fee Related DE10217698B4 (de) | 2002-04-20 | 2002-04-20 | Elektrische Schaltanordnung mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10217698B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015005205A1 (de) * | 2015-04-23 | 2016-10-27 | Multiple Dimensions Ag | Trägerkörper zur Aufnahme elektronischer Schaltungen |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012215554B4 (de) * | 2012-09-03 | 2021-09-30 | Robert Bosch Gmbh | Leitklebeverbindung zwischen zwei Kontaktpartnern und Verfahren zur Herstellung einer Leitklebeverbindung |
DE102015121857A1 (de) | 2015-12-15 | 2017-06-22 | Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg | Verfahren zum Herstellen eines Leitfähigkeitssensors |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5081520A (en) * | 1989-05-16 | 1992-01-14 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Chip mounting substrate having an integral molded projection and conductive pattern |
US5783465A (en) * | 1997-04-03 | 1998-07-21 | Lucent Technologies Inc. | Compliant bump technology |
EP0782765B1 (de) * | 1994-09-23 | 2000-06-28 | Siemens N.V. | Polymer stud grid array package |
US6084301A (en) * | 1995-02-13 | 2000-07-04 | Industrial Technology Industrial Research | Composite bump structures |
WO2000072378A1 (de) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Substrat mit mindestens zwei metallisierten polymerhöckern für die lötverbindung mit einer verdrahtung |
DE10016132A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauelement mit flexiblen Kontaktierungsstellen und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP0968631B1 (de) * | 1997-03-11 | 2001-11-28 | Siemens S.A. | Verfahren zur bildung metallischer leitermuster auf elektrisch isolierenden unterlagen |
DE10163799A1 (de) * | 2000-12-28 | 2002-07-25 | Matsushita Electric Works Ltd | Halbleiterchip-Aufbausubstrat und Verfahren zum Herstellen eines solchen Aufbausubstrates |
-
2002
- 2002-04-20 DE DE10217698A patent/DE10217698B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5081520A (en) * | 1989-05-16 | 1992-01-14 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Chip mounting substrate having an integral molded projection and conductive pattern |
EP0782765B1 (de) * | 1994-09-23 | 2000-06-28 | Siemens N.V. | Polymer stud grid array package |
US6084301A (en) * | 1995-02-13 | 2000-07-04 | Industrial Technology Industrial Research | Composite bump structures |
EP0968631B1 (de) * | 1997-03-11 | 2001-11-28 | Siemens S.A. | Verfahren zur bildung metallischer leitermuster auf elektrisch isolierenden unterlagen |
US5783465A (en) * | 1997-04-03 | 1998-07-21 | Lucent Technologies Inc. | Compliant bump technology |
WO2000072378A1 (de) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Substrat mit mindestens zwei metallisierten polymerhöckern für die lötverbindung mit einer verdrahtung |
DE10016132A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauelement mit flexiblen Kontaktierungsstellen und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10163799A1 (de) * | 2000-12-28 | 2002-07-25 | Matsushita Electric Works Ltd | Halbleiterchip-Aufbausubstrat und Verfahren zum Herstellen eines solchen Aufbausubstrates |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Z.: "Plastverarbeiter", 52. Jahrg. (2001), Nr. 11, S. 92 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015005205A1 (de) * | 2015-04-23 | 2016-10-27 | Multiple Dimensions Ag | Trägerkörper zur Aufnahme elektronischer Schaltungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10217698A1 (de) | 2003-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1266402B1 (de) | Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
WO2000079589A1 (de) | Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zum herstellen eines derartigen bauelements | |
WO1998042529A2 (de) | Steuergerät für ein kraftfahrzeug und verfahren zum herstellen davon | |
DE102006015447A1 (de) | Leistungshalbleiterbauelement mit einem Leistungshalbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben | |
EP2819492B1 (de) | MID-Bauteil, Verfahren zur Herstellung | |
WO2016150841A1 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE102008058003B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls und Halbleitermodul | |
DE19962702B4 (de) | Prüfsockel einer BGA-Vorrichtung | |
DE10217698B4 (de) | Elektrische Schaltanordnung mit einem spritzgegossenen Schaltungsträger | |
DE102006037691A1 (de) | Moldgehäuse in Einpresstechnik | |
DE102005007643A1 (de) | Verfahren und Anordnung zum Kontaktieren von Halbleiterchips auf einem metallischen Substrat | |
EP2067390B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer anordnung optoelektronischer bauelemente und anordnung optoelektronischer bauelemente | |
EP0995235B1 (de) | Kontakt für kleinste bondkontakte sowie verfahren zur herstellung eines kontaktes | |
DE10355921B4 (de) | Elektrische Schaltungsanordnung mit einem elektronischen Chip in einer Aufnahmevorrichtung des Schaltungsträgers | |
DE102004016847A1 (de) | Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenanordnung | |
DE10217700A1 (de) | Spritzgegossener Schaltungsträger und damit ausgestattete elektrische Schaltungsanordnung | |
DE102013201417A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines MID-Bauteils, MID-Bauteil | |
DE10223203B4 (de) | Elektronisches Bauelement-Modul und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP1202347A2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Metallträgerrahmens, Metallträgerrahmen und seine Verwendung | |
DE102017208628B4 (de) | Verfahren zum herstellen einer elektrischen verbindung | |
DE10142975B4 (de) | Wärmeableitelement für elktronische Bauteile und Verfahren zum Anbringen desselben | |
DE10023220C2 (de) | Verbindungsanordnung | |
DE102018107853B3 (de) | Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Schalteinrichtung | |
DE69837319T2 (de) | Gedruckte leiterplatte und verfahren zur herstellung | |
WO2018015538A1 (de) | Optoelektronisches bauteil |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: FESTO AG & CO. KG, 73734 ESSLINGEN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |