DE69737762T2 - Verbesserungen in Bezug auf integrierte Schaltungen - Google Patents

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Description

  • TECHNISCHES GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein das Gebiet integrierter Schaltungen und insbesondere eine verbesserte dicke plattierte Zwischenverbindung und eine zugeordnete Hilfszwischenverbindung für eine integrierte Schaltung.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Dicke plattierte Metallzwischenverbindungen können verwendet werden, um Wege geringen Widerstands in integrierten Schaltungen bereitzustellen. Die Zwischenverbindungen können für Hochstrom-Busleitungen und ähnliche Anwendungen von integrierten Leistungsschaltungen und anderen Typen integrierter Schaltungen verwendet werden. Die Zwischenverbindungen können in Form von Kupfer hergestellt werden, weil es einen geringen Widerstand aufweist.
  • Das Bonden direkt an Kupferzwischenverbindungen würde die Leistungsfähigkeit integrierter Schaltungen erhöhen, weil dadurch der hohe parasitäre Reihenwiderstand beseitigt werden würde, der bei Bondkontaktstellen und Standard-Mehrebenen-VLSI-Metallsystemen auftritt. Typische Bondsysteme, wie Aluminiumkeil- und Goldkügelchen-Bondsysteme, leiden jedoch unter Zuverlässigkeitsproblemen, wenn an Kupfer gebondet wird, weil eine Hohlraumbildung von Aluminium in Kupfer auftritt. Kupfer-an-Kupfer-Bonds leiden auch unter Zuverlässigkeitsproblemen.
  • Zum Lösen dieser Zuverlässigkeitsprobleme wurde eine Nickelplattierung als ein Kappenmetallisierungssystem für dicke plattierte Kupferzwischenverbindungen verwendet. Wenngleich gezeigt wurde, dass eine Nickelkappe bei großen Aluminiumkeilbonds zuverlässig funktioniert, ist ihre Herstellbarkeit nicht standardmäßig und ihre Entsorgung kostspielig, und sie ist für Goldbonds nicht zuverlässig.
  • Im Dokument US-A-5 545 927 ist offenbart:
    eine Halbleitervorrichtung mit zwei plattierten Zwischenverbindungen gleichen Aufbaus, wobei jede plattierte Zwischenverbindung aufweist:
    einen Abschnitt einer Kupferkeimschicht,
    eine Kupferleitung, die auf den Abschnitt der Kupferkeimschicht plattiert ist,
    eine Bondkappe, die mit der Kupferleitung verbunden ist, welche aufweist:
    ein bondbares Element, das aus einem Abschnitt einer Aluminium enthaltenden bondbaren Schicht gebildet ist, und
    ein anderes Element, das aus einem Abschnitt einer anderen Metallschicht gebildet ist, wobei das andere Element zwischen dem bondbaren Element und der Kupferleitung angeordnet ist und die beiden vertikalen Flanken abdeckt, und die horizontale Fläche der Kupferleitung auf den Abschnitt der Kupferkeimschicht plattiert ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist auf dem Fachgebiet ein Bedarf an einer verbesserten dicken plattierten Metallzwischenverbindung aufgetreten. Die vorliegende Erfindung sieht eine dicke plattierte Zwischenverbindung mit einer Aluminiumbondkappe vor, wodurch die Nachteile und Probleme, die mit dicken plattierten Zwischenverbindungen aus dem Stand der Technik verbunden sind, im Wesentlichen beseitigt oder verringert werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung weist eine Halbleitervorrichtung eine dicke plattierte Zwischenverbindung und eine Hilfszwischenverbindung nach Anspruch 1 auf. Vorteilhafte zusätzliche Aspekte der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Wichtige technische Vorteile der vorliegenden Erfindung umfassen das Bereitstellen einer dicken plattierten Zwischenverbindung, die den Bondwiderstand erheblich verringert oder beseitigt. Insbesondere können eine Bondkappe, die in der Lage ist, einen herkömmlichen Golddraht aufzunehmen, und Aluminiumkeilbonds auf einer Kupferleitung gebildet werden. Dementsprechend können Bonds direkt auf der dicken plattierten Zwischenverbindung gebildet werden, und es wird der Bondkontaktstellen zugeordnete hohe parasitäre Reihenwiderstand beseitigt.
  • Ein anderer technischer Vorteil der vorliegenden Erfindung umfasst das Bereitstellen einer Hilfszwischenverbindung, die aus einigen Schichten, die jenen der dicken plattierten Zwischenverbindung gleichen, einschließlich der Bondkappe, der Keim- und Sperrschichten, und ohne zusätzliche Verarbeitungsschritte gebildet ist. Insbesondere kann die Hilfszwischenverbindung an jeder beliebigen Stelle gebildet werden, die bei Fertigungsschritten der dicken plattierten Zwischenverbindung üblich ist, und dort verwendet werden, wo der sehr geringe Widerstand der Kupferplattierung nicht erforderlich ist. Die Hilfszwischenverbindung stellt eine größere Zwischenverbindungsflexibilität bereit, indem sie eine freie Zwischenverbindungsebene bereitstellt. Zusätzlich stellt die Hilfszwischenverbindung eine verhältnismäßig kleine Zwischenverbindung mit einem geringen Widerstand bereit, wodurch dichtere Schaltungsentwürfe ermöglicht werden, welche zu Chipflächeneinsparungen führen.
  • Andere technische Vorteile werden Fachleuten anhand der folgenden Figuren, Beschreibungen und Ansprüche leicht verständlich werden.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfindung und ihrer Vorteile wird nun auf die folgende Beschreibung in Zusammenhang mit der anliegenden Zeichnung Bezug genommen, worin gleiche Bezugszahlen gleiche Teile darstellen. Es zeigen:
  • die 1A–E eine Reihe schematischer Schnittansichten zur Veranschaulichung eines Verfahrens zum Herstellen einer verbesserten dicken plattierten Kupferzwischenverbindung und einer zugeordneten Hilfsmetall-Zwischenverbindung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und ihre Vorteile lassen sich am besten verstehen, indem nun in weiteren Einzelheiten auf die 1A–E der Zeichnung Bezug genommen wird, worin in den mehreren Ansichten gleiche Bezugszahlen gleiche Teile bezeichnen. Die 1A–E zeigen ein Verfahren zur Herstellung einer kupferbeschichteten Zwischenverbindung mit einer Aluminiumbondkappe und einer zugeordneten Hilfszwischenverbindung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie nachstehend in weiteren Einzelheiten beschrieben wird, ermöglicht die Aluminiumbondkappe ein direktes Bonden mit der Zwischenverbindung für Anwendungen mit einem geringen Widerstand. Die Hilfszwischenverbindung wird mit der Zwischenverbindung und ohne zusätzliche Verarbeitungsschritte gebildet.
  • 1A zeigt eine anfängliche Halbleiterstruktur 10. Die anfängliche Halbleiterstruktur 10 kann eine Halbleiterschicht 12 aufweisen, die eine integrierte Schaltung mit einem oder mehreren Zwischenebenenkontakten 14 aufweist. Die Halbleiterschicht 12 kann ein Substrat in der Art eines Wafers sein. Es wird verständlich sein, dass die Halbleiterschicht 12 auch eine auf einem Substrat gebildete Schicht aus Halbleitermaterial sein kann. Beispielsweise kann die Halbleiterschicht 12 eine auf einem Wafer gezüchtete Epitaxialschicht sein. Es sei bemerkt, dass die Schicht 12 auch aus einem anderen Zwischenverbindungssystem in der Art einer anderen Metallschicht oder mehrerer Metallschichten mit geeigneten Isolationsschichten, wie es der Prozess vorschreibt, bestehen kann. Hier ist zur Vereinfachung ein als Beispiel dienendes Einzelmetallsystem dargestellt.
  • Ein Zwischenebenenoxid 16, eine Sperrschicht 18, eine Metallschicht 20 und eine dielektrische Schicht 22 können auf der Halbleiterschicht 12 gebildet werden. Das Zwischenebenenoxid 16 isoliert die integrierte Schaltung der Halbleiterschicht 12 im Wesentlichen von der Sperrschicht 18. Das Zwischenebenenoxid 16 kann strukturiert und geätzt werden, um zu ermöglichen, dass die Sperrschicht 18 die integrierte Schaltung der Halbleiterschicht 12 am Zwischenebenenkontakt 14 berührt. Die Metallschicht 20 ist eine herkömmliche Metallschicht der oberen Fläche, die dem Prozess zugeordnet ist, wie beispielsweise eine Zweiebenen-Metallschicht oder eine Dreiebenen-Metallschicht. Demgemäß wird es verständlich sein, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die Verwendung mit einem Einzelebenensystem beschränkt ist, sondern dass sie Mehrebenen-Zwischenverbindungssysteme einschließen kann.
  • Die Sperrschicht 18 stellt sowohl einen elektrischen Kontakt als auch eine mechanische Sperre zwischen dem Zwischenebenenkontakt 14 der Halbleiterschicht 12 und der Metallschicht 20 bereit. Dementsprechend ermöglicht die Sperrschicht 18 das Fließen von Strom zwischen Schichten, während sie eine Hohlraumbildung und ähnliche Typen mechanischer Probleme verhindert. Die Sperrschicht 18 kann einen beliebigen Leiter einschließen, der nicht in nachteiliger Weise mit dem Zwischenebenenkontakt der Halbleiterschicht 12 oder der Metallschicht 20 reagiert.
  • Die dielektrische Schicht 22 kann ein Passivierungsüberzug sein, der die anfängliche Halbleiterstruktur 10 im Wesentlichen von der anschließenden integrierten Schaltungsverarbeitung isoliert. Die dielektrische Schicht 22 kann aus mehreren Schichten dielektrischen Materials mit verschiedenen chemischen Zusammensetzungen bestehen. Die dielektrische Schicht 22 kann aus Oxid und Nitrid oder aus Oxid und Oxynitrid bestehen. Der Passivierungsüberzug 22 kann jedoch strukturiert und geätzt werden, um Durchgangslöcher 24 zu bilden, um die anfängliche Halbleiterstruktur 10 für die anschließende integrierte Schaltungsverarbeitung an spezifischen Stellen freizulegen. Für die Ausführungsform aus 1A kann ein Durchgangsloch 24 im Passivierungsüberzug 22 über dem Zwischenebenenkontakt 14 der Halbleiterschicht 12 gebildet werden. Dementsprechend kann der Zwischenebenenkontakt 14 elektrisch mit anschließend gebildeten Schichten der integrierten Schaltung über das Durchgangsloch 24 durch die Sperrschicht 18 und die Metallschicht 20 verbunden werden. Ein zweites Durchgangsloch 24 kann auch in dem Passivierungsüberzug 22 für ein Hilfsmetallsystem 26 gebildet werden. Wie nachstehend in weiteren Einzelheiten erklärt wird, kann das Hilfsmetallsystem eine Hilfszwischenverbindung bilden. Die Verwendung der Begriffe "Kontakte" und "Durchgangslöcher" für die Zwischenverbindung von Metall- und Halbleitersystemen wird Fachleuten offensichtlich sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Halbleiterschicht 12 Silicium aufweisen und die Metallschicht 20 eine Aluminiumzusammensetzung aufweisen. Gemäß dieser Ausführungsform kann die Sperrschicht 18 Wolfram, Titanwolfram oder Platinsilicid aufweisen, welche weder mit Silicium noch mit Aluminium reagieren. Wie vorstehend beschrieben wurde, kann die Metallschicht 20 ein System von Zwischenverbindungen mit Mehrebenenmetall- und entsprechenden Sperrmetallen und Polysiliciumzwischenverbindungen sein. Die verschiedenen Metallsysteme können durch geeignete dielektrische Schichten isoliert werden. Die Sperrmetalle können Wolfram, Platin, Titan und andere vorstehend beschriebene Kombinationen sein. Die Verbindung zwischen Metallsystemen wird durch Durchgangslöcher hergestellt, während die Verbindung mit der eigentlichen Siliciumschaltung als "Kontakte" bezeichnet wird. Im Allgemeinen wird der Begriff "Durchgangslöcher" für Verbindungen zwischen Zwischenverbindungen verwendet und der Begriff "Kontakt" für eine Verbindung mit Silicium oder Polysilicium verwendet. Das Zwischenebenenoxid 16 kann Siliciumdioxid aufweisen, und der Passivierungsüberzug 22 kann einen Nitridüberzug aufweisen. Es sei bemerkt, dass die Halbleiterschicht 12, das Zwischenebenenoxid 16, die Sperrschicht 18, die Metallschicht 20 und der Passivierungsüberzug 22 innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung auch andere Materialien aufweisen können. Beispielsweise können das Zwischenebenenoxid 16 und der Passivierungsüberzug 22 auch aus anderen dielektrischen Materialien bestehen. Zusätzlich kann die Sperrschicht 18 ein beliebiger Leiter sein, der eine mechanische Sperre zwischen Schichten bereitstellt. Es sei weiter bemerkt, dass die anfängliche Halbleiterstruktur 10 innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung mehrere Metallschichten aufweisen kann, wenngleich die Ausführungsform aus 1A nur eine einzige Metallschicht aufweist. Demgemäß können, wie zuvor beschrieben wurde, zusätzliche Zwischenverbindungssysteme, wie eine andere Metallschicht oder mehrere Metallschichten mit geeigneten Isolationsschichten, aufgenommen werden, je nach dem, wie es der Prozess vorschreibt.
  • Mit Bezug auf 1B sei bemerkt, dass eine Sperrschicht 30 auf der Oberfläche der anfänglichen Halbleiterstruktur 10 gebildet werden kann. Wie in 1B dargestellt ist, kann die Sperrschicht 30 über die Durchgangslöcher 24 in Kontakt mit der Metallschicht 20 stehen und anderswo in Kontakt mit der Passivierungsschicht 22 stehen. Die Sperrschicht 30 kann die darunter liegende Metallschicht 20 vor anschließenden Metallprozessen schützen. Die Sperrschicht 30 kann auch als ein Ätzstopp wirken, um Bereiche, an denen die Durchgangslöcher 24 existieren, während anschließender Metallätzschritte davor zu schützen, dass die Metallschicht 20 fortgeätzt wird. Die Sperrschicht 30 schützt auch eine abgeschiedene Keimschicht und eine dicke plattierte Schicht vor einer Verunreinigung durch das Dielektrikum und umgekehrt.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Sperrschicht 30 aus Titanwolfram (TiW) bestehen. Gemäß dieser Ausführungsform kann das Titanwolfram durch Sputtern auf die anfängliche Halbleiterstruktur 10 aufgebracht werden. Es sei bemerkt, dass die Sperrschicht 30 innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung andere Leiter aufweisen kann, die in der Lage sind, die darunter liegende Metallschicht 20 zu schützen. Beispielsweise kann die Sperrschicht 30 eine verschiedenartige metallurgische Legierung oder dergleichen aufweisen.
  • Eine Kupferkeimschicht 32 kann auf die Sperrschicht 30 aufgebracht werden. Vorzugsweise weist die Kupferkeimschicht 32 Kupfer auf. Es sei bemerkt, dass die Kupferkeimschicht 32 auch andere Materialien aufweisen kann, die als ein Keim für die Kupferplattierung wirken können. Wie nachstehend in weiteren Einzelheiten beschrieben wird, wird Kupfer auf die Kupferkeimschicht 32 plattiert, um eine dicke Kupferzwischenverbindung zu bilden.
  • Für die Ausführungsform aus 1B kann ein Abschnitt 34 der Kupferkeimschicht 32 über die Sperrschichten 30 und 18 und die Metallschicht 20 in elektrischem Kontakt mit dem Zwischenebenenkontakt 14 der Halbleiterschicht 12 stehen. An anderen Orten kann die Kupferkeimschicht 32 im Wesentlichen durch die Passivierungsschicht 22 von der Halbleiterschicht 12 isoliert sein. Ein zweiter Abschnitt 36 der Kupferkeimschicht 32 kann durch die Sperrschicht 30 beim Hilfsmetallsystem 26 in elektrischem Kontakt mit der Metallschicht 20 stehen.
  • Gemäß einer bestimmten Ausführungsform kann die Kupferkeimschicht 32 durch Sputtern auf die Sperrschicht 30 aufgebracht werden. Gemäß dieser Ausführungsform kann die Kupferkeimschicht 32 bis zu einer Dicke von etwa 2000 Angstrom aufgebracht werden. Es sei bemerkt, dass die Kupferkeimschicht 32 innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung auch auf andere Weise aufgebracht werden kann.
  • Eine Photoresistschicht 40 kann auf die Kupferkeimschicht 32 aufgebracht werden. Die Dicke der Photoresistschicht 40 wird durch die Dicke der für die Kupferzwischenverbindung gewünschten Kupferplattierung bestimmt. Gemäß einer Ausführungsform kann die Photoresistschicht 40 12000 Angstrom dick sein, was ermöglicht, dass bis zu 11000 Angstrom Kupfer plattiert werden. Falls eine größere Dicke der Kupferplattierung erwünscht ist, können mehrere Photoresistschichten verwendet werden.
  • Die Photoresistschicht 40 kann strukturiert und geätzt werden, um einen Hohlraum 42 zu bilden, der den Abschnitt 34 der Kupferkeimschicht 32 freilegt, welcher über das Durchgangsloch 24 im Passivierungsüberzug 22 elektrisch mit der darunter liegenden Metallschicht 20 gekoppelt ist. Vorzugsweise wird die Photoresistschicht 40 so strukturiert, dass der Hohlraum 42 den Abschnitt 34 der Kupferkeimschicht 32 bis zu einem ausreichend großen Abstand überlappt, um eine Fehljustierung des Musters zu kompensieren, wobei der strukturierte Hohlraum noch wirksam den Abschnitt 34 der Kupferkeimschicht 32 bei 34a überlappt.
  • Wie in 1B dargestellt ist, können der Hohlraum 42 in der Photoresistschicht 40 in Zusammenhang mit dem Hohlraum und den Passivierungsschichten 16 und 22, die von der Kupferkeimschicht 32 und dem Sperrmetall 30, wodurch der Abschnitt 34 gebildet ist, überzogen sind, eine Kombinationsschichtform 44 über dem Zwischenebenenkontakt 14 bilden. Es sei bemerkt, dass die Kombinationsschichtform 44 innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung auch andere Materialien aufweisen kann. Beispielsweise können der Photoresist und das Passivierungsmaterial Kombinationen anderer dielektrischer Materialien, wie Oxidgläser in der Art von Siliciumdioxid und/oder Polyimide und/oder Polysiliciumverbindungen und/oder selektive epitaxiale und/oder andere Materialien, aufweisen.
  • Mit Bezug auf 1C sei bemerkt, dass eine Kupferleitung 50 auf die Kupferkeimschicht 32 plattiert werden kann, die durch den Hohlraum 42 in der Kombinationsschichtform 44 freigelegt ist. Gemäß einer Ausführungsform kann die Kupferleitung 50 durch einen herkömmlichen Galvanisierungsprozess plattiert werden. Gemäß dieser Ausführungsform kann die Halbleitervorrichtung in einem Kupfergalvanisierungsbad angeordnet werden. In dem Galvanisierungsbad wird Kupfer auf die Kupferkeimschicht 32 plattiert, die in der Kombinationsschichtform 44 freigelegt ist. Gemäß einer Ausführungsform kann, wie zuvor beschrieben wurde, die Kupferleitung 50 bis zu einer Dicke von 11000 Angstrom plattiert werden. Es sei bemerkt, dass die Dicke der Kupferplattierung innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung variiert werden kann.
  • Mit Bezug auf 1D sei bemerkt, dass die Photoresistschicht 40 entfernt werden kann, um die dicke plattierte Kupferleitung 50 zu belassen. Die Photoresistschicht 40 kann durch herkömmliche Ätztechniken entfernt werden. Es sei bemerkt, dass die Photoresistschicht 40 innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung auch auf andere Weise entfernt werden kann.
  • Wie in 1D dargestellt ist, kann die Kupferleitung 50 durch den Abschnitt 34 der Kupferkeimschicht 32, der Metallschicht 20 und der Sperrschichten 18 und 30 elektrisch mit dem Zwischenebenenkontakt 14 der Halbleiterschicht 12 verbunden werden. Die Kupferleitung 50 steht nicht in elektrischem Kontakt mit dem Zwischenebenenkontakt 14, wo die Kombinationsschichfform 38 über dem Passivierungsüberzug 22 gebildet ist. In diesem Fall ist die Kupferleitung 50 von der Metallschicht 20 und anderen Komponenten der Halbleitervorrichtung elektrisch isoliert.
  • Eine Sperrschicht 60 kann durch Sputterverfahren an der Oberfläche der Halbleiterstruktur 10 gebildet werden. Wie in 1D dargestellt ist, kann die Sperrschicht 60 die obere Fläche der Kupferleitung 50 und an anderen Orten die Kupferkeimschicht 32 berühren. Die Sperrschicht 60 kann das darunter liegende Kupfer der Leitung 50 und der Keimschicht 32 vor anschließenden Metallprozessen schützen. Die Sperrschicht 60 kann auch später hinzugefügte Materialien vor einer Wechselwirkung mit dem Kupfer schützen, das eine Hohlraumbildung und andere Fehlbildungen hervorrufen kann.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Sperrschicht 60 aus gesputtertem Titanwolfram (TiW) bestehen. Dementsprechend kann das gleiche Metall für beide Sperrschichten 60 und 30 verwendet werden. Durch die Verwendung von Titanwolfram für beide Sperrschichten 30 und 60 kann die vorliegende Erfindung mit Standard-VLSI- und ULSI-Sputterverarbeitungstechniken besser herstellbar sein. Spezifische Beispiele solcher Prozesstechnologien umfassen PRISM, EPIC, LBC und "Power Plus Arrays".
  • Das Titanwolfram der Sperrschicht 60 kann durch Sputtern auf die Halbleiterstruktur aufgebracht werden. Es sei bemerkt, dass die Sperrschicht 60 auch andere Leiter aufweisen kann, die verhindern können, dass Kupfer mit später aufgebrachten Materialien reagiert. Beispielsweise kann die Sperrschicht 60 eine verschiedenartige metallurgische Legierung oder dergleichen aufweisen.
  • Die Sperrschichten 30 und 60 schließen die Kupferleitung 50 und die Kupferkeimschicht 32 sandwichförmig ein, so dass das Kupfer nicht anderen Metallschichten oder Systemen oder Dielektrika oder Systemen ausgesetzt ist. Die Sperrschichten 30 und 60 können mit Graten versehene Flächen gegen angrenzende Kupferflächen bilden.
  • Eine bondbare Schicht 62 kann auf der Sperrschicht 60 gebildet werden. Gemäß einer Ausführungsform kann die bondbare Schicht 62 durch Sputtern auf die Sperrschicht 60 aufgebracht werden. Die bondbare Schicht 62 kann eine Standarddicke von etwa 0,6 Mikrometer aufweisen. Es sei bemerkt, dass die Dicke der bondbaren Schicht 62 abhängig von der Anwendung für die Zwischenverbindung variieren kann.
  • Die bondbare Schicht 62 kann eine Aluminiumlegierung aufweisen. Gemäß einer Ausführungsform kann die bondbare Schicht 62 Aluminium mit 1 % Silicium und einem halben Prozent Kupfer (Al 1 % Si 0,5 % Cu) aufweisen. Dieses Metall kann mit der herkömmlichen Sputterprozesstechnologie aufgebracht werden.
  • Eine Photoresistschicht 70 kann auf der bondbaren Schicht 62 gebildet werden. Die Photoresistschicht 70 kann nach der herkömmlichen Photoresisttechnologie abgeschieden werden. Gemäß einer Ausführungsform kann die Photoresistschicht 70 eine Dicke zwischen 0,6 und 1,4 Mikrometer aufweisen. Es sei bemerkt, dass die Dicke des Photoresists innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung variieren kann. Die Photoresistschicht 70 kann strukturiert und geätzt werden, um Photoresist nur über den Bond- und Hilfszwischenverbindungsbereichen 72 zu belassen. Mit Bezug auf 1E sei bemerkt, dass die Halbleiterstruktur geätzt werden kann, um Abschnitte der bondbaren Schicht 62, der Sperrschicht 60, der Kupferkeimschicht 32 und der Sperrschicht 30, die nicht von der strukturierten Photoresistschicht 70 bedeckt sind, zu entfernen. Gemäß einer Ausführungsform können die ungeschützten Schichten durch eine in einer spezifischen Reihenfolge angewendete Ätzsequenz entfernt werden, so dass die ungeschützten Abschnitte der bondbaren Schicht 62 zuerst fortgeätzt werden, gefolgt zweitens von darunter liegenden Abschnitten der Sperrschicht 60, drittens von der Kupferkeimschicht 32 und viertens von der Sperrschicht 30. Demgemäß kann die Ätzsequenz ein von oben nach unten erfolgendes Ätzen sein, wodurch die obere oder oberste Schicht zuerst entfernt wird usw. bis zu den folgenden Schichten, je nach dem, wie es erforderlich ist. Jeder Ätzvorgang der Sequenz kann ein standardmäßiges chemisches Ätzen sein, wie es bei einer kompatiblen Verarbeitung vorgeschrieben wird.
  • Zwischen der Ätzsperrschicht 60 und der Kupferkeimschicht 32 kann optional ein Photoresistwiederaufschmelzen verwendet werden, um die restlichen Abschnitte der bondbaren Schicht 62 vor dem Ätzen unter den Kanten der strukturierten Photoresistschicht 70 zu schützen. Dieses Unterätzen kann an den Rändern der strukturierten bondbaren Schicht 62 auftreten, weil die Kanten des restlichen Abschnitts der bondbaren Schicht 62 nach dem Ätzen der bondbaren Schicht 62 und der Sperrschicht 60 freigelegt sind. Das Wiederaufschmelzen des Photoresists kann die freigelegten Kanten bedecken und dabei helfen, das Unterätzen der bondbaren Schicht 62 während des anschließenden Ätzens der Kupferkeimschicht 32 zu verringern. Nach dem Ätzen kann eine Passivierung aus Nitrid oder einem anderen Material aufgebracht und strukturiert werden, um Bereiche freizulegen, an die zu bonden ist.
  • Die strukturierte Photoresistschicht 70 kann entfernt werden, um eine dicke plattierte Kupferzwischenverbindung 80 und eine zugeordnete Hilfsmetallzwischenverbindung 82 zu belassen. Die dicke plattierte Kupferzwischenverbindung 80 kann eine Bondkappe 84 direkt auf der Kupferleitung 50 aufweisen. Wie in 1E dargestellt ist, kann die Bondkappe 84 ein aus der bondbaren Schicht 86 gebildetes bondbares Element und ein aus der Sperrschicht 30 gebildetes Sperrelement 88 am Bondbereich 72 oberhalb der Kupferleitung 50 aufweisen. Dementsprechend können herkömmliche Golddraht- und Aluminiumkeilbonds direkt auf der dicken plattierten Zwischenverbindung 80 gebildet werden. Das Sperrelement 88 verhindert eine Hohlraumbildung einer Bondstelle mit der Kupferleitung 50. Dementsprechend werden die Bonds nicht beeinträchtigt und mechanisch oder elektrisch unzuverlässig. Dementsprechend wird ein Bondkontaktstellen zugeordneter hoher parasitärer Reihenwiderstand ausgeschlossen.
  • Die Hilfszwischenverbindung 82 besteht aus der bondbaren Schicht 62, der Sperrschicht 60, der Keimschicht 32 und der Sperrschicht 30. Die Hilfszwischenverbindung 82 hat eine Eigenschaft einer kleinen geometrischen Leitungssteuerung, und die Kupferkeimschicht stellt eine ausgezeichnete Elektromigrationssteuerung bereit.
  • Die Hilfszwischenverbindung 82 ist in der Hinsicht der dicken plattierten Kupferzwischenverbindung 80 zugeordnet, dass die Hilfszwischenverbindung 82 aus einigen der Schichten der dicken plattierten Kupferzwischenverbindung 80 und ohne zusätzliche Verarbeitungsschritte gebildet wird. Die Hilfszwischenverbindung 82 kann dort verwendet werden, wo eine Kupferplattierung nicht erforderlich ist. Die Hilfszwischenverbindung 82 stellt vorteilhafterweise eine Zwischenverbindungsflexibilität bereit, indem sie eine freie Zwischenverbindungsebene bereitstellt. Zusätzlich stellt die Hilfszwischenverbindung 82 eine verhältnismäßig kleine Zwischenverbindung mit einem geringen Widerstand bereit, welche dichtere Schaltungsentwürfe ermöglicht, was zu Chipflächeneinsparungen führt.
  • Wenngleich die vorliegende Erfindung anhand mehrerer Ausführungsformen beschrieben wurde, können Fachleuten verschiedene Änderungen und Modifikationen einfallen. Es ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung solche Änderungen und Modifikationen, welche innerhalb des Schutzumfangs der anliegenden Ansprüche liegen, einschließt.

Claims (10)

  1. Halbleitervorrichtung, welche aufweist: eine dicke plattierte Zwischenverbindung (80), welche aufweist: einen Abschnitt einer Kupferkeimschicht (32), eine Kupferleitung (50), die auf den Abschnitt der Kupferkeimschicht plattiert ist, eine Bondkappe, die mit der Kupferleitung verbunden ist, welche aufweist: ein bondbares Element, das aus einem Abschnitt einer Aluminium enthaltenden bondbaren Schicht (62) gebildet ist, ein Sperrelement, das aus einem Abschnitt einer Sperrschicht (60) gebildet ist, wobei das Sperrelement zwischen dem bondbaren Element und der Kupferleitung angeordnet ist, eine Hilfszwischenverbindung (82), welche aufweist: einen zweiten Abschnitt der Kupferkeimschicht (32) und eine Hilfsbondkappe, die mit dem zweiten Abschnitt der Kupferkeimschicht verbunden ist, welche aufweist: ein bondbares Hilfselement, das aus einem zweiten Abschnitt der bondbaren Schicht (62) gebildet ist, ein Hilfssperrelement, das aus einem zweiten Abschnitt der Sperrschicht (60) gebildet ist, wobei das Hilfssperrelement zwischen dem bondbaren Hilfselement und dem zweiten Abschnitt der Kupferkeimschicht und in Kontakt damit angeordnet ist, das Hilfssperrelement eine untere Fläche aufweist, die über einer oberen Fläche der Kupferkeimschicht und im Wesentlichen vollständig in Kontakt damit ausgebildet ist, und das bondbare Hilfselement eine untere Fläche aufweist, die über einer oberen Fläche des Hilfssperrelements und in Kontakt damit ausgebildet ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die bondbare Schicht gesputtertes Aluminium aufweist und die Sperrschicht gesputtertes Titanwolfram (TiW) aufweist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die bondbare Schicht eine Silicium und Kupfer enthaltende Aluminiumlegierung aufweist.
  4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die bondbare Schicht eine etwa 1 Prozent Silicium und zwischen 0,5 und 2 Prozent Kupfer enthaltende Aluminiumlegierung aufweist.
  5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die bondbare Schicht eine etwa ein (1) Prozent Silicium und etwa ein halbes (0,5) Prozent Kupfer enthaltende Aluminiumlegierung aufweist.
  6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Sperrschicht Titanwolfram (TiW) aufweist.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Abschnitt der Kupferkeimschicht über ein Durchgangsloch in einer dielektrischen Schicht elektrisch mit einem Abschnitt einer darunter liegenden Metallschicht verbunden ist, und ein Abschnitt der zweiten Sperrschicht zwischen dem Abschnitt der Kupferkeimschicht und dem Abschnitt der darunter liegenden Metallschicht angeordnet ist.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei der zweite Abschnitt der Kupferkeimschicht über ein zweites Durchgangsloch in der dielektrischen Schicht elektrisch mit einem zweiten Abschnitt der darunter liegenden Metallschicht verbunden ist, und ein zweiter Abschnitt der zweiten Sperrschicht zwischen dem zweiten Abschnitt der Kupferkeimschicht und dem zweiten Abschnitt der darunter liegenden Metallschicht angeordnet ist.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, wobei die zweite Sperrschicht Titanwolfram (TiW) aufweist.
  10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Kupferleitung eine Dicke von mehr als 1000 nm (10000 Angstrom) aufweist.
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