DE60133772T2 - Selbstpassivierende lasersicherung aus kupfer - Google Patents

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Description

  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • 1. Erfindungsgebiet
  • Die Erfindung betrifft selbstpassivierende Cu-Lasersicherungen in einer integrierten Schaltung oder einem Halbleiterbauelement, hergestellt unter Verwendung von Cu-Legierungen und Temperschritten zum Bereitstellen von Integrationsverfahren mit Cu und einem niedrigen k-Wert. Diese selbstpassivierenden Cu-Materialien können auch beim Cu-zu-Cu-Drahtbonden verwendet werden.
  • 2. Beschreibung des verwandten Stands der Technik
  • Bei der Technik von als Teil eines Halbleiters verwendeten Lasersicherungen besteht der Stand der Technik darin, Sicherungen aus reinem Cu zu verwenden; bei dieser Verwendung sind die Sicherungen jedoch gegenüber Korrosion und Oxidation sehr empfindlich, sobald die Sicherung durchgeschmolzen ist und das Cu der Atmosphäre ausgesetzt ist.
  • Dennoch ist es in Cu-Oxid-Integrationsverfahren möglich, das obenerwähnte Problem durch innovatives Layout und Design der Sicherung zu umgehen (d. h. die Sicherung auf W-Stäben enden zu lassen und die Oxidation und Korrosion von Cu in den Cu-Merkmalen der Sicherung zu begrenzen).
  • Dieser innovative Ansatz mit Layout und Design ist bei Metallisierungen mit Cu und einem niedrigen k-Wert wegen des hohen Diffusionsgrads von Feuchtigkeit und Sauerstoff in dem typischen Feld mit einem niedrigen k-Wert nicht durchführbar, und zwar weil eine Korrosion der Cu-Sicherung sich wegen schlechter Linerintegrität an den Seitenwänden von Damascene-Strukturmerkmalen auf benachbarte Cu-Verdrahtungen ausbreiten würde.
  • Eine Alternative zu dem Ansatz nach dem Stand der Technik an stelle der Verwendung von reinem Cu (das gegenüber Korrosion plus Oxidation sehr empfindlich ist, sobald die Sicherung durchgeschmolzen ist und Cu der Atmosphäre ausgesetzt ist) besteht in der Verwendung von Al-Sicherungen auf einer Cu-Metallisierung. Dieser alternative Ansatz ist jedoch teuer, da er in dem Herstellungsprozeß viele zusätzliche Schritte erfordert.
  • Das US-Patent 5,747,868 offenbart eine laserschmelzbare Verbindungsstruktur für Halbleiterbauelemente, umfassend: mehrere laserschmelzbare Verbindungen, wobei jede schmelzbare Verbindung eine Verbindungslänge entlang einer Längenrichtung und eine Verbindungsbreite entlang einer Breitenrichtung aufweist; eine erste Dielektrikumsschicht, die die laserschmelzbaren Verbindungen konform bedeckt; für jede laserschmelzbare Verbindung ein auf der ersten Dielektrikumsschicht vertikal über seine jeweilige laserschmelzbare Verbindung angeordnetes Ätzmaskenglied, wobei jedes Ätzmaskenglied eine Maskenlänge in der Längenrichtung und eine Maskenbreite in der Breitenrichtung aufweist, wobei die Maskenbreite größer oder gleich der Verbindungsbreite ihrer jeweiligen schmelzbaren Verbindung und kleiner oder gleich der Mindestfleckgröße des Lasers ist; und wobei sich die Ätzmaskenglieder in der Längenrichtung über den Fensterumfang erstrecken, wobei sich der Fensterumfang in der Breitenrichtung über die Ätzmaskenglieder erstreckt.
  • Eine über einer aktiven Schaltungsanordnung einer integrierten Schaltung ausgebildete Lasersicherungsstruktur ist aus dem US-Patent 5,986,319 bekannt. Die integrierte Schaltung umfaßt: eine aktive Schaltungsanordnung; eine erste Isolierschicht, wobei die erste Isolierschicht über der aktiven Schaltungsanordnung liegt; eine Metallsicherungsschicht über der ersten Isolierschicht, wobei die Metallsicherungsschicht mindestens eine Sicherung enthält, wobei die mindestens eine Sicherung eine strahlungsenergiekonfigurierbare Sicherung mit einer Stelle ist, so daß der Strahlbereich der zum Konfigu rieren der mindestens einen Sicherung verwendeten Strahlungsenergie die aktive Schaltungsanordnung überlappt; eine erste Mehrfachmetallschutzschicht unter der mindestens einen Sicherung, wobei die erste Mehrfachmetallschutzschicht ausreichend groß ist, um die aktive Schaltungsanordnung gegenüber der nicht direkt auf die mindestens eine Sicherung auftreffenden Strahlungsenergie abzuschirmen; eine zweite Isolierschicht zwischen der ersten Mehrfachmetallschutzschicht und der mindestens einen Sicherung; eine zweite Mehrfachmetallschutzschicht unter der ersten Mehrfachmetallschutzschicht, wobei die erste und zweite Mehrfachmetallschutzschicht ausreichend groß sind, um die aktive Schaltungsanordnung gegenüber der nicht direkt auf die mindestens eine Sicherung auftreffenden Strahlungsenergie abzuschirmen; und eine dritte Isolierschicht auf der zweiten Mehrfachmetallschutzschicht, wobei die dritte Isolierschicht zwischen der ersten und zweiten Mehrfachmetallschutzschicht angeordnet ist.
  • In EP-A-1049164 ist eine hochabsorbierende Kupferlasersicherung offenbart.
  • Das US-Patent 5,622,608 offenbart einen Prozeß zum Herstellen einer oxidationsbeständigen, stromleitenden Cu-Schicht auf einem Substrat und das nachfolgende Tempern. Es wird angenommen, daß der Temperschritt an der Oberfläche der Cu-Schicht beim Tempern eine Metalloxidschicht liefert.
  • Passivierte leitende Cu-Schichten für Mikroelektronikanwendungen sind im US-Patent 6,057,223 offenbart, bei dem die ausgebildeten Cu-Leiter als eine Komponente in einer Mikroelektronikeinrichtung enthalten sind. Der Leiter wird ausgebildet, indem auf der Oberfläche eines Mikroelektroniksubstrats eine Metallschicht ausgebildet wird, auf der Metallschicht eine Cu-Schicht ausgebildet wird und die Metall- und Cu-Schicht getempert werden. Es wird angenommen, daß der Temperschritt einen Teil der Metallschicht durch die Cu-Schicht zu der Oberfläche diffundiert, wo das diffundierte Metall ein schützendes Metalloxid an der Oberfläche der Cu-Schicht bildet. Folglich passiviert die Metalloxidschicht die Cu-Schicht.
  • In der Halbleiterherstellungstechnik, in der eine Lasersicherung hergestellt wird als ein Teil des Halbleiters als ein effektiver Weg zum Abändern des Betriebs der Halbleiterbauelemente, nachdem das Bauelement hergestellt worden ist, um eine Implementierung von Redundanzverfahren bereitzustellen, um fehlerhafte Abschnitte einer integrierten Schaltung durch redundante Abschnitte zu ersetzen, besteht im Fall von Cu-Lasersicherungen ein Bedarf dahingehend, Korrosion und Oxidation zu verhindern, sobald die Sicherung durch Laserenergie geschmolzen wird und das Cu der Atmosphäre ausgesetzt wird.
  • KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Halbleiterbauelements mit einem kupferumfassenden Lasersicherungsabschnitt, bei dem das Kupfer gegenüber Korrosion nicht anfällig ist, sobald die Sicherung durch Aktivieren mit einem Laser geschmolzen wird.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Halbleiterbauelements mit einem kupferumfassenden Lasersicherungsabschnitt, bei dem das Kupfer keiner Oxidation unterworfen ist, sobald die Sicherung durch Laserenergie geschmolzen wird und das Kupfer der Atmosphäre ausgesetzt ist.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Halbleiterbauelements mit einem kupferumfassenden Lasersicherungsabschnitt ohne die Notwendigkeit, die Sicherung auf W-Stäben zu beenden, um die Cu-Oxidation und -Korrosion in den Cu-Strukturmerkmalen zu begrenzen, wenn die Sicherung durch Laserenergie geschmolzen wird und Cu der Atmosphäre ausgesetzt wird.
  • Eine noch weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Lasersicherungsabschnitt, der Metallisierungen mit Cu und einem niedrigen k-Wert umfaßt, bei denen eine Korrosion der Cu-Sicherung sich normalerweise zu benachbarten Cu-Verdrahtungen ausbreiten würde (wegen schlechter Linerintegrität an den Seitenwänden von Damascene-Strukturmerkmalen), die dazu gebracht werden, Korrosion und Oxidation der Cu-Sicherung zu widerstehen, wenn sie Laserenergie ausgesetzt werden.
  • Gemäß der Erfindung, wie in Ansprüchen 1 und 3 definiert, werden Korrosion und Oxidation des Cu-Lasersicherungsabschnitts eines Halbleiters, sobald die Sicherung durch Laserenergie geschmolzen wird, dadurch vermieden, daß eine Cu-Legierung zwischen dem Liner und einer Dielektrikumskappe nach einer Einwirkung von Laserenergie zum Aufbrechen oder Schmelzen der Sicherung passiviert wird, und zwar durch einen Temperschritt zum Bereitstellen einer selbstpassivierenden dotierstoffreichen Schicht auf dem offenen Cu-Lasersicherungsbereich und an den Cu-Grenzflächen zu umgebenden metallischen Linern und dielektrischen Diffusionsbarrieren.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGSFIGUREN
  • 1 ist eine Zeichnung eines Halbleiterbauelements, das eine eine Kupferlegierung umfassende Lasersicherungskomponente umfaßt.
  • 2 zeigt ein Halbleiterbauelement der Erfindung, das eine passivierte Lasersicherungskomponente umfaßt, die ausgebildet wird, indem eine Cu-Legierung der geschmolzenen Sicherung einem Temperschritt unterzogen wird, um eine selbstpassivierte Cu-Oberfläche und -Grenzfläche zu dem Metalliner und zur Dielektrikumskappenschicht auszubilden, um Korrosion und Oxidation zu verhindern.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im Kontext der Erfindung wird im allgemeinen die Cu umfassende Lasersicherungskomponente des Halbleiterbauelements durch die folgende Prozeßsequenz hergestellt: 1) Strukturieren einer (Dual-)Damascene-Struktur in dem Dielektrikum zum Ausbilden einer Sicherung; 2) Abscheiden eines metallischen Liners (PVD, CVD, stromlos usw.; dieser Schritt kann durch Verwendung der optimalen Cu-Legierung optional sein); 3) Abscheiden einer Keimschicht aus der Cu-Legierung für die Cu-Endfüllung (PVD oder CVD oder andere in der Technik bekannte Verfahren); 4) Füllen der Damascene-Struktur mit reinem Cu (Elektroplattieren, CVD, stromlos, PVD oder andere in der Technik bekannte Verfahren); 5) Vor-CMP-Tempern bei niedrigen Temperaturen (< 200°C) zum Ausbilden eines gering-resistiven Cu-Films (größere Cu-Körner); die Ausdiffundierung der Dotierstoffe in der Cu-Legierung sollte jedoch an diesem Punkt immer noch unterdrückt werden; 6) Cu-CMP zum Entfernen der Cu-Überfüllung, gefolgt von der Liner-CMP; 7) Abscheiden einer Dielektrikumskappenschicht (Cu-Diffusionsbarriere, Si-Nitrid, Blok oder ein anderes in der Technik bekanntes Verfahren); 8) Abscheiden einer letzten Passivierungsschicht (Oxid/Nitrid oder Kombinationen) oder anderen in der Technik bekannten Dielektrikumsschichten; 9) Abscheiden einer Schicht aus Polyimid oder lichtempfindlichem Polyimid (PSP) (optional); 10) Dünnen der Dielektrikumskappenschicht oder letzten Passivierungsschicht auf der Lasersicherung durch Einsatz bekannter lithographischer und Ätzprozesse; 11) Laserschmelzen der Metallsicherung (während des Schmelzprozesses entsteht ein Krater in dem nahen Umgebungsbereich der geschmolzenen Cu-Sicherung; die beiden Enden der Cu-Sicherung sind nun der Atmosphäre ausgesetzt); und 12) Tempern der gebondeten Chips bei Temperaturen zwischen 250°C–450°C (in einer inerten Atmosphäre), um auf der offenen Cu-Sicherungsoberfläche und auch an den Grenzflächen zu metallischen Linern und/oder Dielektrikumskappenschichten eine selbstpassivierende Schicht auszu bilden; wobei die selbstpassivierende Schicht die offenen Enden und die eingebetteten Teile der Cu-Sicherung gegenüber Oxidation und Korrosion schützt.
  • Es wird nun auf 1 Bezug genommen, die ein Halbleiterbauelement zeigt, das eine Cu-Lasersicherung 10 umfaßt, bestehend aus einer über einem Liner 12 angeordneten Cu-Legierung 11, die durch eine Metallinie 13 begrenzt ist. Die Cu-Lasersicherung ist zwischen einem Dielektrikum 14 und einer Dielektrikumskappe 15 angeordnet. Die beabsichtigte Laserenergie 16 zum Schmelzen der Sicherung wurde noch nicht aufgebracht.
  • Wie aus 2 zu sehen ist, entsteht nach dem Durchschmelzen der Cu-Legierungs-Lasersicherung durch den aktivierenden Laser ein Sicherungskrater 20, und danach wird eine Temperung durchgeführt, um eine selbstpassivierende, dotierungsreiche Schicht auf den geöffneten Cu-Lasersicherungsbereichen und an den Cu-Grenzflächen zu den umgebenden Metallinern und dielektrischen Diffusionsbarrieren herzustellen. Die selbstpassivierende, dotierungsreiche Cu-Grenzfläche zu dem umgebenden Metalliner und dielektrischen Diffusionsbarrieren ist durch die Xs bezeichnet, und innerhalb der durch die Xs definierten Grenzen befindet sich das Cu 16. Diese dotierstoffreiche selbstpassivierende Schicht ist frei von Hillock-Strukturen und schützt das Cu vor Korrosion, Oxidation und der Ausdiffundierung von Cu in Halbleiterbauelementbereiche.
  • Die Cu-Legierungen können im allgemeinen Cu-Al, Cu-Mg, Cu-Li sowie andere wohlbekannte Cu-Legierungen sein, und die Konzentration des Nicht-Cu-Dotiermaterials von der anderen Komponente der Cu-Legierung wird im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 5,0 Gew.-% der Cu-Legierung liegen.
  • Diese selbstpassivierende Cu-Sicherung ist besonders wichtig beim Einsatz in Integrationsverfahren mit Cu und einem niedrigen k-Wert und bei dem Cu-zu-Cu-Drahtbonden.
  • Im gegenwärtigen Stand der Technik, wo reines Cu verwendet wird und wobei das Cu gegenüber Korrosion und Oxidation sehr anfällig ist, sobald die Sicherung geschmolzen wird und Kupfer der Atmosphäre ausgesetzt ist, können die Cu-Oxid-Integrationsverfahren umgangen oder umlaufen werden, indem ein cleveres Layout und Design der Sicherung verwendet wird (d. h. Enden der Sicherung auf W-Stäben und dadurch Begrenzen der Cu-Oxidation und Korrosion in den Cu-Strukturmerkmalen der Sicherung). Dieser Ansatz des Designs um das Layout herum würde jedoch wegen des hohen Diffusionsvermögens von Feuchtigkeit und Sauerstoff in den typischen Materialien mit einem niedrigen k-Wert in Metallisierungen mit Cu und einem niedrigen k-Wert nicht zur Verfügung stehen.
  • Bei den typischen Metallisierungen mit Cu und einem niedrigen k-Wert breitet sich zudem die Korrosion der Cu-Sicherung zu benachbarten Cu-Verdrahtungen aus, und zwar wegen schlechter Linerintegrität an den Seitenwänden von Damascene-Strukturmerkmalen.
  • Wenngleich gewisse repräsentative Ausführungsformen und Details zu dem Zweck gezeigt worden sind, die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung zu veranschaulichen, ist für den Fachmann klar, daß verschiedene Änderungen an der offenbarten Erfindung vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzbereich der Erfindung abzuweichen, der in den beigefügten Ansprüchen definiert ist.

Claims (7)

  1. Integrierte Schaltungsstruktur, die eine laserschmelzbare Kupfersicherung umfaßt, die gegenüber Oxidation und Korrosion beständig ist und eine Klebegrenzfläche zwischen Kupfer und Metallisierungsleitbahnen und zwischen Kupfer und einer Dielektrikumskappe aufweist, wobei die integrierte Schaltungsstruktur folgendes umfaßt: – eine Metallisierungsleitbahn (13), – eine auf der Metallisierungsleitbahn (13) abgeschiedene strukturierte Dielektrikumsschicht (14), wobei in der Dielektrikumsschicht eine Damascene-Struktur ausgebildet ist, – eine auf der Metallisierungsleitbahn (13) in der Damascene-Struktur abgeschiedene Kupfersicherung, wobei die Kupfersicherung von der Dielektrikumsschicht (14) umgeben ist, und – eine über der Dielektrikumsschicht (14) und über der Kupfersicherung angeordnete Dielektrikumskappe (15), dadurch gekennzeichnet, daß die Kupfersicherung einen metallischen Liner (12) auf der Metallisierungsleitbahn, eine auf dem metallischen Liner (12) abgeschiedene Kupferlegierungskeimschicht (11) und eine auf der Kupferlegierungskeimschicht abgeschiedene reine Kupferschicht (10) umfaßt.
  2. Struktur nach Anspruch 1, wobei die Kupferlegierungskeimschicht ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Cu-Al, Cu-Mg und Cu-Li.
  3. Prozeß zum Herstellen einer integrierten Schaltungsstruktur, die eine lasergeschmolzene Kupfersicherung umfaßt, wobei die lasergeschmolzene Kupfersicherung gegenüber Oxidation und Korrosion beständig ist und eine Klebegrenzfläche zwischen Kupfer und Metallisierungsleit bahnen und zwischen Kupfer und einer Dielektrikumskappe aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt: a) Strukturieren einer Damascene-Struktur in einer Dielektrikumsschicht (14) b) Abscheiden eines metallischen Liners (12) auf der strukturierten Damascene-Struktur, c) Abscheiden einer Kupferlegierungskeimschicht (11) für eine Kupferfüllung auf dem metallischen Liner (12), d) Füllen der Damascene-Struktur mit reinem Kupfer (10), e) Tempern bei einer niedrigen Temperatur unter 200°C zum Ausbilden einer gering-resistiven Kupferfüllung aus großen Kupferkörnern, f) chemisch-mechanisches Polieren der Kupfer-(10)-Füllung zum Entfernen einer Kupferüberfüllung und chemisch-mechanisches Polieren des metallischen Liners (11), g) Abscheiden einer Dielektrikumskappenschicht (15), h) Abscheiden einer letzten Passivierungsschicht ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Oxiden, Nitriden oder Kombinationen davon, i) Dünnen der Dielektrikumskappenschicht oder letzten Passivierungsschicht auf der Lasersicherung, j) Laserschmelzen der Sicherung zum Ausbilden eines Kraters in einem umgebenden Bereich der geschmolzenen Kupfersicherung und k) Tempern der Kupfersicherung bei Temperaturen zwischen 250°C und 450°C.
  4. Prozeß nach Anspruch 3, wobei Passivierungsbereiche in dem Temperungsschritt k) auf geöffneten Kupfersicherungsbereichen und an den Kupfergrenzflächen zu einem umgebenden Metalliner und einer umgebenden Dielektrikumskappe ausgebildet werden.
  5. Prozeß nach Anspruch 3, wobei zwischen den Schritten h) und i) eine Abscheidung eines Polyimids oder lichtempfindlichen Polyimids durchgeführt wird.
  6. Prozeß nach Anspruch 3, wobei ein nicht aus Kupfer bestehendes Dotierungsmaterial von den anderen Komponenten der Kupferlegierung in den Passivierungsbereichen in einem Bereich von zwischen 0,1 und 5,0 Gewichtsprozent der Kupferlegierung vorliegt.
  7. Prozeß nach Anspruch 3, wobei die Kupferlegierung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Cu-Al, Cu-Mg und Cu-Li.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020204960A1 (de) 2020-04-20 2021-10-21 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Mikroelektronikvorrichtung

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100274760B1 (ko) * 1998-04-30 2000-12-15 허영섭 헬리코박터 파이로리에 대한 구강면역제 및 그의 제조방법
US7190707B2 (en) * 2001-01-29 2007-03-13 Cymer, Inc. Gas discharge laser light source beam delivery unit
US6730982B2 (en) * 2001-03-30 2004-05-04 Infineon Technologies Ag FBEOL process for Cu metallizations free from Al-wirebond pads
US6873027B2 (en) * 2001-10-26 2005-03-29 International Business Machines Corporation Encapsulated energy-dissipative fuse for integrated circuits and method of making the same
US6876058B1 (en) * 2003-10-14 2005-04-05 International Business Machines Corporation Wiring protection element for laser deleted tungsten fuse
US20050286599A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Rafac Robert J Method and apparatus for gas discharge laser output light coherency reduction
US20060222034A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Cymer, Inc. 6 Khz and above gas discharge laser system
US20060258121A1 (en) * 2005-05-10 2006-11-16 Bing-Chang Wu Method of blowing the fuse structure
CN100390952C (zh) * 2005-05-27 2008-05-28 联华电子股份有限公司 切断熔丝结构的方法
KR100770696B1 (ko) * 2006-06-20 2007-10-29 삼성전자주식회사 퓨즈 구조물 및 그 형성 방법
DE102006043484B4 (de) * 2006-09-15 2019-11-28 Infineon Technologies Ag Fuse-Struktur und Verfahren zum Herstellen derselben
US7834712B2 (en) * 2008-10-09 2010-11-16 Altera Corporation Techniques for providing option conductors to connect components in an oscillator circuit
KR101051179B1 (ko) * 2009-08-24 2011-07-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 퓨즈 및 그의 형성 방법
CN102110640A (zh) * 2009-12-24 2011-06-29 北大方正集团有限公司 一种单铝的金属熔丝处理方法
US9082769B2 (en) 2011-02-07 2015-07-14 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
CN103137610B (zh) * 2011-11-25 2015-07-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种微加热装置及形成方法
US8836124B2 (en) 2012-03-08 2014-09-16 International Business Machines Corporation Fuse and integrated conductor
CN113151752A (zh) * 2021-04-10 2021-07-23 江西中晟金属有限公司 一种表面耐磨的铜杆及其生产方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5622608A (en) * 1994-05-05 1997-04-22 Research Foundation Of State University Of New York Process of making oxidation resistant high conductivity copper layers
US5545927A (en) * 1995-05-12 1996-08-13 International Business Machines Corporation Capped copper electrical interconnects
US5766379A (en) * 1995-06-07 1998-06-16 The Research Foundation Of State University Of New York Passivated copper conductive layers for microelectronic applications and methods of manufacturing same
US5622808A (en) * 1995-06-20 1997-04-22 Eastman Kodak Company Receiver for dye imbibition printing
US5731624A (en) * 1996-06-28 1998-03-24 International Business Machines Corporation Integrated pad and fuse structure for planar copper metallurgy
US6387805B2 (en) * 1997-05-08 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Copper alloy seed layer for copper metallization
JPH11135506A (ja) * 1997-10-31 1999-05-21 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6249055B1 (en) * 1998-02-03 2001-06-19 Advanced Micro Devices, Inc. Self-encapsulated copper metallization
US6111301A (en) * 1998-04-24 2000-08-29 International Business Machines Corporation Interconnection with integrated corrosion stop
US6268638B1 (en) * 1999-02-26 2001-07-31 International Business Machines Corporation Metal wire fuse structure with cavity
US6375159B2 (en) * 1999-04-30 2002-04-23 International Business Machines Corporation High laser absorption copper fuse and method for making the same
US6180503B1 (en) * 1999-07-29 2001-01-30 Vanguard International Semiconductor Corporation Passivation layer etching process for memory arrays with fusible links
US6498385B1 (en) * 1999-09-01 2002-12-24 International Business Machines Corporation Post-fuse blow corrosion prevention structure for copper fuses
US6295721B1 (en) * 1999-12-28 2001-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Metal fuse in copper dual damascene
US6455913B2 (en) * 2000-01-31 2002-09-24 United Microelectronics Corp. Copper fuse for integrated circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020204960A1 (de) 2020-04-20 2021-10-21 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Mikroelektronikvorrichtung

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