JP2005268430A - オーミック電極構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来のオーミック電極構造体は高温動作や長期間放置により、（１）コンタクトに接続しているＡｌ配線の抵抗が増大し最終的に断線する、（２）ｎ型領域のコンタクトが劣化し、コンタクト抵抗が徐々に上昇する、等の問題があった。それを解決し高温に耐えられるオーミック電極構造体を提供する。
【解決手段】絶縁膜３に開口されたコンタクト孔４空間をＡｌよりエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性の高い材料からなる導体で埋設した「コンタクト・プラグ」とし、コンタクト・プラグとＡｌ配線との間にＡｌ元素拡散阻止層８を設けるか、あるいはコンタクト・プラグ自体にＡｌ元素拡散阻止機能を持たせた。これによりコンタクト孔内部の電流密度が軽減する効果と材料学的にＥＭ耐性の向上する効果が相乗的に得られ、ＥＭの進行が著しく抑制される。
【選択図】図１
【解決手段】絶縁膜３に開口されたコンタクト孔４空間をＡｌよりエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性の高い材料からなる導体で埋設した「コンタクト・プラグ」とし、コンタクト・プラグとＡｌ配線との間にＡｌ元素拡散阻止層８を設けるか、あるいはコンタクト・プラグ自体にＡｌ元素拡散阻止機能を持たせた。これによりコンタクト孔内部の電流密度が軽減する効果と材料学的にＥＭ耐性の向上する効果が相乗的に得られ、ＥＭの進行が著しく抑制される。
【選択図】図１
Description
本発明は、炭化珪素（ＳｉＣ）基板を使用した半導体装置に利用されるオーミック電極構造体およびその製造方法に関する。
ＳｉＣを用いたパワーデバイスの低オン抵抗化には、オーミック・コンタクトや配線の抵抗の低減が重要な要素である。特に、低オン抵抗化のためには、パワーデバイスの主電極領域を細分化し、高密度にＳｉＣ基板上に配列する方法も採用される。このような、微細寸法化されたパワーデバイスの低オン抵抗化には、絶縁膜の微細な開口部（コンタクト孔）の内部において、安定かつ低いコンタクト抵抗ρｃと配線抵抗を得ることが極めて重要となってくる。また、パワーデバイスの高速スイッチング速度化のためにも、ＳｉＣ領域に対するこれら抵抗の低減は大きな課題である。
低抵抗オーミック・コンタクトを形成する方法として広く活用されている従来技術は、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）のような電極膜母材を高濃度に不純物を添加した不純物領域に被着させて形成した構造体を８００℃〜１２００℃の高温で熱処理し、電極膜母材とＳｉＣとを固相反応させて中間に加熱反応層を形成し、できた加熱反応層と高濃度不純物領域との間で良好オーミック特性を獲得する方法である。なかでもＮｉを用いたオーミック・コンタクトではｎ型ＳｉＣ領域に実用的な１０−６Ω・ｃｍ２台のコンタクト抵抗値ρｃが得られており、極めて有望なオーミック・コンタクトが得られている。また、ｐ型ＳｉＣ領域にはＴｉ／Ａｌなどの積層膜が利用されている。
Ｎｉ膜を用いたオーミック電極構造体の一例としては、下記特許文献１および特許文献２に記載されたものがある。
低抵抗オーミック・コンタクトを形成する方法として広く活用されている従来技術は、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）のような電極膜母材を高濃度に不純物を添加した不純物領域に被着させて形成した構造体を８００℃〜１２００℃の高温で熱処理し、電極膜母材とＳｉＣとを固相反応させて中間に加熱反応層を形成し、できた加熱反応層と高濃度不純物領域との間で良好オーミック特性を獲得する方法である。なかでもＮｉを用いたオーミック・コンタクトではｎ型ＳｉＣ領域に実用的な１０−６Ω・ｃｍ２台のコンタクト抵抗値ρｃが得られており、極めて有望なオーミック・コンタクトが得られている。また、ｐ型ＳｉＣ領域にはＴｉ／Ａｌなどの積層膜が利用されている。
Ｎｉ膜を用いたオーミック電極構造体の一例としては、下記特許文献１および特許文献２に記載されたものがある。
前記のような従来技術のオーミック電極構造体にあっては、高温で動作させたり、長期間放置したりすると、
（１）コンタクトに接続しているＡｌ配線の抵抗が増大し、最終的に断線する、
（２）ｎ型領域のコンタクトが劣化し、コンタクト抵抗が徐々に上昇する、
という問題のあることが、本発明者らの最近の研究で明らかになった。
上記２つの問題のうち前者はｐ型とｎ型領域のコンタクトに共通する問題、後者はｎ型領域のコンタクトに特有の問題である。なお、ここで考慮する「高温」とはＳｉデバイスは到底動作できない十分高い温度（たとえば、３００℃以上）という意味である。
本発明は、上記のような従来のオーミック電極構造体の２つの問題点をそれぞれ、あるいは、同時に解決するためになされたものであり、高温に耐えられるオーミック電極構造体を提供することを目的とする。
（１）コンタクトに接続しているＡｌ配線の抵抗が増大し、最終的に断線する、
（２）ｎ型領域のコンタクトが劣化し、コンタクト抵抗が徐々に上昇する、
という問題のあることが、本発明者らの最近の研究で明らかになった。
上記２つの問題のうち前者はｐ型とｎ型領域のコンタクトに共通する問題、後者はｎ型領域のコンタクトに特有の問題である。なお、ここで考慮する「高温」とはＳｉデバイスは到底動作できない十分高い温度（たとえば、３００℃以上）という意味である。
本発明は、上記のような従来のオーミック電極構造体の２つの問題点をそれぞれ、あるいは、同時に解決するためになされたものであり、高温に耐えられるオーミック電極構造体を提供することを目的とする。
本発明者らが上記問題を察知し、鋭意研究をつづけたところ、Ａｌ配線抵抗が増大し最終的に断線するという問題は、平坦部に比べて薄付きしているコンタクト孔側壁のＡｌ配線が、Ｓｉ半導体装置などでは想像の及ばない極端な「高温」と「大電流密度」によって、エレクトロマイグレーション（以下、ＥＭと略記）効果で急激にやせ細り、最終局面において断線した結果であることが明らかになった。
一方、ｎ型領域のコンタクト抵抗が上昇するという問題は、高温によってＡｌ配線のＡｌ原子が加熱反応層および加熱反応層母材を緩慢に拡散し、下部のｎ＋領域（高不純物濃度ｎ型ＳｉＣ領域）に取り込まれた結果であることが判明した。周知のように、Ａｌ原子はＳｉＣにあってはｐ型のアクセプタとして作用するので、ｎ＋領域に取り込まれたＡｌアクセプタがｎ＋領域のドナーを補償して、有効なドナー原子の濃度が減少したため、コンタクト抵抗が上昇したものと考えられる。
上記の知見に基づき、本発明においては、絶縁膜に開口されたコンタクト孔空間をＡｌよりＥＭ耐性の高い材料からなる導体で埋設した「コンタクト・プラグ」とし、コンタクト・プラグとＡｌ配線との間にＡｌ元素拡散阻止層を設けるか、あるいはコンタクト・プラグ自体にＡｌ元素拡散阻止機能を持たせることによって上記の問題を解決するように構成している。
なお、請求範囲の記載では、「Ａｌ配線」と記載しているが、後記実施の形態にも記載のように、配線材料としては、Ａｌ−Ｓｉ共晶合金やＡｌ−Ｃｕ合金等でも可能なので、上記の表現はＡｌを含む電極材料を意味している。
なお、請求範囲の記載では、「Ａｌ配線」と記載しているが、後記実施の形態にも記載のように、配線材料としては、Ａｌ−Ｓｉ共晶合金やＡｌ−Ｃｕ合金等でも可能なので、上記の表現はＡｌを含む電極材料を意味している。
本発明によれば、絶縁膜に開口されたコンタクト孔空間をＥＭ耐性の高い材料で、かつ、導体断面の太いコンタクト・プラグで埋設する構成にしているため、コンタクト孔内部の電流密度が軽減する効果と材料学的にＥＭ耐性の向上する効果が相乗的に得られ、それによりエレクトロマイグレーションの進行が著しく抑制されるので、高温で通電させるコンタクト孔側壁のＡｌ配線の抵抗が増大して最終的に断線するという従来技術の問題を解決することができる、という効果を有する。
また本発明によれば、前記コンタクト・プラグとＡｌ配線との間にＡｌ元素拡散阻止層を設けるか、コンタクト・プラグ自体にＡｌ元素拡散阻止機能を持たせる構成しているので、高温におけるＡｌ配線からのＡｌ原子の拡散がコンタクト・プラグの上部で遮断される。そのためＡｌ原子がｎ＋領域にアクセプタとして取り込まれ、有効ドナー濃度を減少させるという現象を解消することができる。したがって本発明はｎ型領域のコンタクトにおいて、高温で長期間放置する（あるいは動作させる）とコンタクトが劣化し、コンタクト抵抗が徐々に上昇するという従来技術の問題を解決することができる、という効果を有する。
ＳｉＣは、ｐｎ接合の形成が可能で、珪素（Ｓｉ）や砒化ガリウム（ＧａＡｓ）等の他の半導体材料に比べて禁制帯幅Ｅｇが広く、また、熱的、化学的、機械的に安定で、耐放射線性にも優れているので、発光素子や高周波デバイスは勿論のこと、高温、大電力、放射線照射等の過酷な条件で、高い信頼性と安定性を示す電力用半導体装置（パワーデバイス）として様々な産業分野での適用が期待されている。本発明は、上記のごときＳｉＣ半導体装置における低抵抗のコンタクトと配線構造を実現するためのオーミック電極構造体およびその製造方法に関し、特にその高温耐性を向上させる技術を提供するものである。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明に基づくＳｉＣオーミック電極構造体の第１の実施の形態を示す要部断面図である。図１において、１はＳｉＣ基板、２は所望のＳｉＣ基板１の表面に形成された、接触部としてのｎ型またはｐ型の高濃度不純物領域である。高濃度不純物領域２の不純物濃度は少なくとも１×１０１８／ｃｍ３以上、好ましくは１×１０１９／ｃｍ３以上であることが望ましい。なお、ＳｉＣ基板１の電導型はオーミック電極構造体を利用する半導体装置によって異なる。
図１は、本発明に基づくＳｉＣオーミック電極構造体の第１の実施の形態を示す要部断面図である。図１において、１はＳｉＣ基板、２は所望のＳｉＣ基板１の表面に形成された、接触部としてのｎ型またはｐ型の高濃度不純物領域である。高濃度不純物領域２の不純物濃度は少なくとも１×１０１８／ｃｍ３以上、好ましくは１×１０１９／ｃｍ３以上であることが望ましい。なお、ＳｉＣ基板１の電導型はオーミック電極構造体を利用する半導体装置によって異なる。
ＳｉＣ基板１の上には、厚み１００ｎｍ〜３μｍの厚い絶縁膜３が形成されている。一般にコンタクト抵抗を低減するためには、ＳｉＣの熱酸化膜（ＳｉＯ２）とその他の方法で堆積された上部絶縁膜との積層膜にするとよい結果が得られるが、本発明の厚い絶縁膜３はこの構成に限定されるものではない。熱酸化膜と上部絶縁膜の積層膜にする場合の一例をあげると、たとえば、熱酸化膜は１１００℃のドライ酸化で成長した熱酸化膜、上部絶縁膜は化学的気相成長（ＣＶＤ）法で形成したＰＳＧ（りん珪酸ガラス）膜あるいはＳｉＯ２膜である。下の熱酸化膜の厚みは５０ｎｍ未満、好ましくは５〜２０ｎｍの範囲であることが望ましい。
４は厚い絶縁膜３に開口されたコンタクト孔であり、高濃度不純物領域２を含むＳｉＣ基板１に貫通するように設けられている。このコンタクト孔４の底面には高濃度不純物領域２に接するように加熱反応層６が、さらに加熱反応層６の上には未反応の加熱反応層母材５が積層されている。加熱反応層６はＳｉＣ基板１と加熱反応層母材５の熱処理固相反応で生じたコンタクト導電層である。なお、加熱反応層６だけあり、未反応の加熱反応層母材５を除いた構造でもよい。加熱反応層母材５はコンタクトの低抵抗性や耐熱性、プロセス耐性などを考慮して最適な材料が適宜選ばれる。たとえば、ＮｉやＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ａｌや、これらの一つ以上から選ばれた、金属膜、合金膜、化合物膜、あるいはこれらの複合膜や積層膜を挙げることができる。
７は加熱反応層母材５（加熱反応層母材５が除かれた構成の場合には加熱反応層６）に接し、コンタクト孔４を埋めるように配設されたプラグである。プラグの材料としては、少なくともＡｌよりＥＭ耐性が高い導電性材料が選ばれる。たとえば、Ｃｕがその一例であるが、これに限定されるものではない。
プラグ７及び厚い絶縁膜３の上にはＡｌ配線９が配設されている。Ａｌ配線９は、純ＡｌあるいはＡｉ−ＳｉやＡｌ−Ｃｕなどの共晶合金ならなり、他の部位とコンタクトを結線している。
プラグ７とＡｌ配線９の機械的接触を絶つように設けられている８は、導電性の拡散阻止層である。拡散阻止層８は高温下で、Ａｌ配線９のＡｌ原子が高濃度不純物領域２に拡散するのを阻止するとともに、Ａｌ配線９とプラグ７が化学反応するのを防止する役割を担っている。これに適した材料としては、ＺｒあるいはＴｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの窒化物・炭化物、合金、ＰｔあるいはＷ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｒｈ等の金属から選ばれた一つ以上の材料の単層膜、積層膜あるいは複合膜を用いることができるが、同様の機能を有するものなら他の材料を用いてもよい。
プラグ７とＡｌ配線９の機械的接触を絶つように設けられている８は、導電性の拡散阻止層である。拡散阻止層８は高温下で、Ａｌ配線９のＡｌ原子が高濃度不純物領域２に拡散するのを阻止するとともに、Ａｌ配線９とプラグ７が化学反応するのを防止する役割を担っている。これに適した材料としては、ＺｒあるいはＴｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの窒化物・炭化物、合金、ＰｔあるいはＷ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｒｈ等の金属から選ばれた一つ以上の材料の単層膜、積層膜あるいは複合膜を用いることができるが、同様の機能を有するものなら他の材料を用いてもよい。
また、これらの拡散阻止層８が前記厚い絶縁膜３に対して十分な接着性を有しない場合は、これを補うために拡散阻止層８はその一部として下部接着面に接着性に富んだ薄い導電性の接着層（図示なし）を備えることが出来る。たとえば、ＴａＮの場合には、付着力の高い薄いＴａ膜を形成してからＴａＮを積層する構造にするとよい。
（製造工程）
次に、図２〜図４を参照しながら図１に示したオーミック電極構造体の製造工程を説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、厚み約１.５μｍのＳｉＯ２のイオン注入マスク膜１００をＣＶＤ法でＳｉＣ基板１の表面全面に堆積する。次に、高濃度不純物領域２の予定領域に対応する部分１０１を周知のフォトリソグラフィとエッチングで開口し、再びＣＶＤ法で薄いＳｉＯ２のイオン注入スルー膜１０２を全面に堆積する。この１０２は後述のイオン注入の飛程（深さ）を調節するためのいわゆるスルー膜である。後述のＰ（りん）イオン条件ではイオン注入スルー膜１０２の厚みは２０〜２５ｎｍである。
次に、図２〜図４を参照しながら図１に示したオーミック電極構造体の製造工程を説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、厚み約１.５μｍのＳｉＯ２のイオン注入マスク膜１００をＣＶＤ法でＳｉＣ基板１の表面全面に堆積する。次に、高濃度不純物領域２の予定領域に対応する部分１０１を周知のフォトリソグラフィとエッチングで開口し、再びＣＶＤ法で薄いＳｉＯ２のイオン注入スルー膜１０２を全面に堆積する。この１０２は後述のイオン注入の飛程（深さ）を調節するためのいわゆるスルー膜である。後述のＰ（りん）イオン条件ではイオン注入スルー膜１０２の厚みは２０〜２５ｎｍである。
イオン注入スルー膜１０２を堆積したあと、図２（ｂ）のように、基板全面に所望の電導性を示す不純物を所望の濃度になるように、かつ、ＳｉＣの結晶性を損なわないようにイオン注入する。コンタクト抵抗を十分低くするためには、少なくとも基板表面の不純物濃度が１×１０２０／ｃｍ３以上にする必要がある。なお、１０３がイオン注入不純物である。
上記のイオン注入において、低抵抗のｎ型領域をＰ（リン）で形成する場合の、イオン注入条件の一例を示すと、５００℃に加熱したＳｉＣ基板に下記の「ドーズ量／加速エネルギー」で多段注入するのがよい。
５×１０１４ｃｍ−２／４０ｋｅＶ
５×１０１４ｃｍ−２／７０ｋｅＶ
１×１０１５ｃｍ−２／１００ｋｅＶ
１×１０１５ｃｍ−２／１５０ｋｅＶ
２×１０１５ｃｍ−２／２００ｋｅＶ
２×１０１５ｃｍ−２／２５０ｋｅＶ
次に、イオン注入が終了したところで、ＳｉＯ２のイオン注入マスク膜１００とイオン注入スルー膜１０２をフッ酸（ＨＦ）で全面除去し、常圧Ａｒ雰囲気で１７００℃で１分の急速加熱処理を行うとイオン注入された不純物が充分に活性化されて、図２（ｃ）のように、ＳｉＣの所定の領域に高いキャリア濃度を有する高濃度不純物領域２が形成される。上記Ｐイオン注入条件と上記活性化熱処理条件で生成されるｎ＋型ＳｉＣ領域の深さは、およそ３５０ｎｍである。
５×１０１４ｃｍ−２／４０ｋｅＶ
５×１０１４ｃｍ−２／７０ｋｅＶ
１×１０１５ｃｍ−２／１００ｋｅＶ
１×１０１５ｃｍ−２／１５０ｋｅＶ
２×１０１５ｃｍ−２／２００ｋｅＶ
２×１０１５ｃｍ−２／２５０ｋｅＶ
次に、イオン注入が終了したところで、ＳｉＯ２のイオン注入マスク膜１００とイオン注入スルー膜１０２をフッ酸（ＨＦ）で全面除去し、常圧Ａｒ雰囲気で１７００℃で１分の急速加熱処理を行うとイオン注入された不純物が充分に活性化されて、図２（ｃ）のように、ＳｉＣの所定の領域に高いキャリア濃度を有する高濃度不純物領域２が形成される。上記Ｐイオン注入条件と上記活性化熱処理条件で生成されるｎ＋型ＳｉＣ領域の深さは、およそ３５０ｎｍである。
次に、周知のＲＣＡ洗浄（Ｈ２Ｏ２＋ＮＨ４ＯＨ混合液、ＳＣ−１とＨ２Ｏ２＋ＨＣｌ混合液、ＳＣ−２による浸漬処理を組み合わせて行う伝統的な半導体基板の洗浄法）などで十分洗浄したＳｉＣ基板１を酸素雰囲気でドライ酸化し、表面に１０ｎｍの熱酸化膜を成長し、さらにその上に常圧ＣＶＤ法で１０００ｎｍのＰＳＧからなる上部絶縁膜を堆積することにより、図２（ｄ）のように、２層からなる厚い絶縁膜３を形成する。上述したように厚い絶縁膜３はこのような積層膜にする必要は必ずしもない。
次に厚い絶縁膜３の表面に、厚み１〜２μｍのフォトレジスト１０４を塗布し、つづいて、露光し、現像することによってコンタクト孔４に対応する表面のフォトレジストを除去し、つづいてＣＦ４ガスプラズマなどを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等や、ＲＩＥをウエットエッチングを組み合わせたエッチング手段を用いて、厚い絶縁膜３にコンタクト孔４を開口する。
次に、開口に用いた緩衝フッ酸溶液を超純水で完全にすすぎ落とした後、乾燥して、フォトレジスト１０４が付着した状態のＳｉＣ基板１を高真空に維持された蒸着装置の中に直ちに据え付け、図３（ｅ）に示すように、基板全面に加熱反応母材１０５、たとえば５０ｎｍ厚のＮｉを蒸着する。
開口エッチングと電極膜の蒸着との間の放置時間と雰囲気は、コンタクト抵抗の大小を左右する極めて重要な因子である。この時間が長いと、開口部のＳｉＣ表面に自然酸化膜が生成されたり、ハイドロ・カーボンが再付着したりして、これが原因となって、後述の加熱反応層の均一な形成が妨げられ、コンタクト抵抗を劇的に増加させる。したがって開口部６形成後は可能な限り速く加熱反応母材１０５を被着させる必要がある。
次に、ＳｉＣ基板１をアセトンなどの有機溶剤あるいは専用のフォトレジスト剥離液に浸漬させ、基板表面に残されているフォトレジスト１０４を完全に除去する。このとき、フォトレジストの上に被着した加熱反応母材１０５はフォトレジスト１０４とともに除かれ、コンタクト孔４底面にのみ加熱反応母材１０５が被着した基板構造ができあがる。
次に、図３（ｆ）に示すように、ＳｉＣ基板１を非酸化雰囲気で短時間加熱すると、コンタクト孔４底部の加熱反応母材１０５は、一部はＳｉＣ基板１と固層反応して加熱反応層６となり、未反応部分は加熱反応母材５として残る。このような加熱反応層５の生成に適した雰囲気として、酸素または酸素含有ガス（水蒸気や二酸化炭素など）の分圧を１×１０−５Ｔｏｒｒ未満に、好ましくは１×１０−７Ｔｏｒｒ未満まで下げた不活性ガス（例えばＡｒガス）雰囲気あるいは真空を使用することができる。ここで加熱反応母材１０５の厚みが薄い場合にはこの加熱処理で消失し、加熱反応層の母材５が残らない構造となる。
次に、図３（ｇ）に示すように、ＳｉＣ基板１全面に等角写像的形状で厚いプラグ材１０６、たとえばＣｕ（銅）を堆積し、コンタクト孔４をプラグ材１０６で完全に埋める。このような目的に適う堆積手段として有機金属（ＭＯ）ＣＶＤ法または電解メッキ法を挙げることができる。電解メッキ法を用いる場合には、メッキを行う前にＳｉＣ基板１全面に電極となる薄いシード層（Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｃｕ積層膜など）をＤＣマグネトロンスパッタリングで形成しておくものとし、このシード層も含めて本発明ではプラグと称している。また、プラグ材１０６をＭＯＣＶＤで形成する場合もプラグ７と加熱反応層母材５（または加熱反応層６）や厚い絶縁膜との付着力を強化するために、堆積前にＴｉ／ＴｉＮなどのシード層（ただし、メッキのシード層とは意味合いが異なる）を設ける工程を付加してもよい。この場合も、シード層を含めて、本発明ではプラグと称している。
なお、本発明の実施の形態１の極めて有効な変形として、上記シード層を後述の拡散阻止層材料を含むように構成すると、後述の拡散阻止層８の効力と相まって、Ａｌ原子の拡散に対する耐熱性が一段と高いオーミック電極構造体が得られる。
次に、図３（ｈ）に示すように、ＳｉＣ基板１を化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical
Polishing）加工して厚い絶縁膜３の上のプラグ材１０６を除去し、プラグ７を形成する。プラグ７がシード層を含む場合には、厚い絶縁膜３の上シード層もＣＭＰで除去する。研磨後、ＳｉＣ基板１を十分洗浄し、附着した砥粒や研磨くずを完全に除去する。
Polishing）加工して厚い絶縁膜３の上のプラグ材１０６を除去し、プラグ７を形成する。プラグ７がシード層を含む場合には、厚い絶縁膜３の上シード層もＣＭＰで除去する。研磨後、ＳｉＣ基板１を十分洗浄し、附着した砥粒や研磨くずを完全に除去する。
次に、図４（ｉ）に示すように、拡散阻止層材料１０７（例えばＴａ：５０ｎｍ厚とＴａＮ：１５０ｎｍ厚との積層膜）とＡｌ配線材１０８（Ａｉ−Ｓｉ共晶合金：１μｍ厚）をＤＣマグネトロンスパッタリングのごとき成膜手段で続けて成膜する。
最後に、図４（ｊ）に示すように、フォトリソグラフィと塩素系の反応ガスを用いたドライエッチングで拡散阻止材１０７とＡｌ配線材１０８を連続してエッチングして、拡散阻止層８とＡｌ配線９を必要な形状にパターニングする。この際、拡散阻止層８とＡｌ配線は少なくともプラグ７の上面を被覆するような形状に残す。これにより、図１に示したオーミック電極構造体が完成する。
（第２の実施の形態）
図５は、本発明に基づくＳｉＣオーミック電極構造体の第２の実施の形態を示す要部断面図である。図１と同じ番号を付した構成物は、図１のそれらと同じものであるから詳しい説明は省略する。本実施の形態は図１のプラグ自体に拡散阻止機能を持たせて、これにより拡散阻止層を省略した構成をしている。
図５は、本発明に基づくＳｉＣオーミック電極構造体の第２の実施の形態を示す要部断面図である。図１と同じ番号を付した構成物は、図１のそれらと同じものであるから詳しい説明は省略する。本実施の形態は図１のプラグ自体に拡散阻止機能を持たせて、これにより拡散阻止層を省略した構成をしている。
図５において、１０は加熱反応層母材５（加熱反応層母材５が除かれた構成の場合は加熱反応層６）に接し、コンタクト孔４を埋めるように配設された拡散阻止プラグである。拡散抑止プラグ１０の材料としては、ＡｌよりＥＭ耐性が高く、かつ、高温でもＡｌ原子の拡散を抑止できる導電性材料が選ばれる。また、高温で上部のＡｌ配線９と実質反応しなということも重要な要件である。この目的に合致する材料としては、例えばＷを挙げることができるが、本発明はこれに限定するものではない。
なお、本実施の形態の有効なひとつの変形として、Ａｌ配線９の下に第１の実施の形態（図１）のような拡散阻止層８を敷くことができる。このような構造にすればＡｌ原子の拡散に対する耐熱性を一層向上することができる。
（製造工程）
次に、図５の構成のオーミック電極構造体の製造方法を図６（ｋ）〜（ｎ）を用いて説明する。なお、コンタクト孔４内底に加熱反応層母材５と加熱反応層６を形成するところまでは、前記図２（ａ）〜図３（ｆ）を用いて説明した工程と異なるところがないので、説明を省略する。
次に、図５の構成のオーミック電極構造体の製造方法を図６（ｋ）〜（ｎ）を用いて説明する。なお、コンタクト孔４内底に加熱反応層母材５と加熱反応層６を形成するところまでは、前記図２（ａ）〜図３（ｆ）を用いて説明した工程と異なるところがないので、説明を省略する。
前記図３（ｆ）の途中構造が完成したら、次に、図６（ｋ）に示すように、ＳｉＣ基板１全面に等角写像的形状で厚い拡散阻止プラグ材１０９、たとえばＷ（タングステン）を堆積し、コンタクト孔４をプラグ材１０９で完全に埋める。このような目的に適う堆積手段として、減圧（ＬＰ）ＣＶＤ法や電解メッキ法を挙げることができる。たとえばＷの場合には、ＷＦ６とＨ２を原料にしたＬＰＣＶＤ法がよい。ただし、ＷのＬＰＣＶＤは絶縁物上では附着しにくく、厚い絶縁膜３に設けたコンタクト孔４側壁では荒れた膜となりやすい。これを防止するためにＣＶＤの前にＳｉＣ基板１全面にＴｉＷやＴｉ／ＴｉＮなどの薄いシード層をＤＣマグネトロンスパッタリングで形成しておくとよい。本発明ではこのようなシード層も含めて「拡散阻止プラグ１０」と称している。
次に、図６（ｌ）に示すように、ＳｉＣ基板１を化学的機械研磨（ＣＭＰ）加工して厚い絶縁膜３の上の拡散阻止プラグ材１０９（シード層も含む）を除去し、拡散阻止プラグ１０を形成する。研磨後、ＳｉＣ基板１を十分洗浄し、附着した砥粒や研磨くずを完全に除去する。
次に、図６（ｍ）に示すように、Ａｌ配線材１０８（たとえばＡｉ−Ｓｉ共晶合金：１μｍ厚）をＤＣマグネトロンスパッタリングのごとき成膜手段で続けて成膜する。
最後に、図６（ｎ）に示すように、フォトリソグラフィと塩素系の反応ガスを用いたドライエッチングでＡｌ配線材１０８をパタニングして、Ａｌ配線９を形成する。この際、拡散阻止層８とＡｌ配線は少なくともプラグ７の上面を被覆するような形状に残す。これにより、図５に示したオーミック電極構造体が完成する。
このような構成のオーミック電極構造体の耐熱性の向上を実証するために、４Ｈ−ＳｉＣ基板の表面に選択的に形成したｎ型高濃度不純物領域に、同じＮｉ加熱反応層を有する下記のごとき３種類のオーミック電極構造体を作製し、比較評価を行った。
（ａ）従来技術によるオーミック電極構造体
Ｎｉ加熱反応層にＡｌ配線が直接に接する構造
（ｂ）本発明第１の実施形態に基づいたオーミック電極構造体
プラグ７は電解メッキとＣＭＰで形成したＣｕ
電解メッキのシード層はＴｉ／ＴｉＮ／Ｃｕスパッタ膜
拡散阻止層８はＴａ／ＴａＮ積層膜
（ｃ）本発明第２の実施形態に基づいたオーミック電極構造体
拡散阻止プラグ１０はＬＰＣＶＤとＣＭＰで形成したＷ
ＬＰＣＶＤのシード層はＴｉ／ＴｉＮスパッタ膜
上記のオーミック電極構造体の加熱反応層を形成する前のＮｉの厚みは５０ｎｍであり、Ａｒ雰囲気で１０００℃で２分の熱処理（いわゆるコンタクトアニール）行ったところ、母材のＮｉは完全に加熱反応層に変成していた。
（ａ）従来技術によるオーミック電極構造体
Ｎｉ加熱反応層にＡｌ配線が直接に接する構造
（ｂ）本発明第１の実施形態に基づいたオーミック電極構造体
プラグ７は電解メッキとＣＭＰで形成したＣｕ
電解メッキのシード層はＴｉ／ＴｉＮ／Ｃｕスパッタ膜
拡散阻止層８はＴａ／ＴａＮ積層膜
（ｃ）本発明第２の実施形態に基づいたオーミック電極構造体
拡散阻止プラグ１０はＬＰＣＶＤとＣＭＰで形成したＷ
ＬＰＣＶＤのシード層はＴｉ／ＴｉＮスパッタ膜
上記のオーミック電極構造体の加熱反応層を形成する前のＮｉの厚みは５０ｎｍであり、Ａｒ雰囲気で１０００℃で２分の熱処理（いわゆるコンタクトアニール）行ったところ、母材のＮｉは完全に加熱反応層に変成していた。
図７は上記３つの構造体を断続的に５００℃、不活性ガスの雰囲気に放置して、コンタクト抵抗ρｃ（室温の値）が変化する様子を追跡した結果である。図７において、黒丸（●）は上記（ａ）、白四角（□）は上記（ｂ）、白菱形（◇）は上記（ｃ）の試料に対応する。試験前のコンタクト抵抗ρｃ０は何れも１０−７Ωｃｍ２台の極めて低抵抗であった。
図７から判るように、従来構造（ａ）では、放置の時間経過とともにコンタクト抵抗ρｃが増大し、３２時間経過時点でコンタクト抵抗が初期の約４倍に増加し、１００時間になるとオーミック性は損なわれ整流性のコンタクトに変化した。これに対して、本発明にかかる（ｂ）、（ｃ）の構造体はどちらもコンタクト抵抗を実質変化させることなく、少なくとも１５０時間まで安定に推移していることが分る。すなわち、本発明の実施の形態１と２は、高温に長時間放置するとｎ型ＳｉＣオーミック電極構造体が劣化し、コンタクト抵抗が上昇するという従来技術の問題を解決していると言うことができる。
また、上記３つのオーミック構造体を３００℃に環境下に置き、実使用電流を桁で上回る大きな定電流ストレスを与えつづけたところ、従来構造（ａ）は急激に抵抗を増大させ、約２分で断線にした。断線箇所はコンタクト孔の側壁下部のＡｌ配線であった。一方、本発明に基づく（ｂ）と（ｃ）の構造体は３時間経過しても断線には至らなかった。抵抗の増大は認められたが、初期の値に対して５％未満であった。すなわち、本発明の実施の形態１と２は、高温で長時間通電するとコンタクトに接続しているＡｌ配線の抵抗が増大し、最終的に（コンタクト孔側壁で）断線するという従来技術の問題を解決していると言うことができる。
１…ＳｉＣ基板 ２…高濃度不純物領域
３…厚い絶縁膜 ４…コンタクト孔
５…加熱反応層母材 ６…加熱反応層
７…プラグ ８…拡散阻止層
９…Ａｌ配線層 １０…拡散阻止プラグ
３…厚い絶縁膜 ４…コンタクト孔
５…加熱反応層母材 ６…加熱反応層
７…プラグ ８…拡散阻止層
９…Ａｌ配線層 １０…拡散阻止プラグ
Claims (16)
- ＳｉＣ基板と、
前記ＳｉＣ基板の表面に選択的に形成された高濃度不純物領域と、
前記ＳｉＣ基板の上に載置された絶縁膜と、
前記絶縁膜中に前記高濃度不純物領域の表面を露出するように開口されたコンタクト孔と、
前記コンタクト孔の内部において、前記高濃度不純物領域に接して形成された導電性の加熱反応層と、
前記コンタクト孔の内部において、前記加熱反応層の表面に接して配置された加熱反応層母材と、
前記加熱反応層母材に接し、前記コンタクト孔の内部を前記絶縁膜の表面位置まで埋めるように配設された導電性のプラグと、
前記プラグに電気的に接続され、前記絶縁膜に載置されたＡｌ配線と、
前記プラグと前記Ａｌ配線とを電気的には接続し、機械的には隔絶するように設けられたＡｌ元素拡散阻止層と、
を備えたことを特徴とするオーミック電極構造体。 - ＳｉＣ基板と、
前記ＳｉＣ基板の表面に選択的に形成された高濃度不純物領域と、
前記ＳｉＣ基板の上に載置された絶縁膜と、
前記絶縁膜中に前記高濃度不純物領域の表面を露出するように開口されたコンタクト孔と、
前記コンタクト孔の内部において、前記高濃度不純物領域に接して形成された導電性の加熱反応層と、
前記コンタクト孔の内部において、前記加熱反応層の表面に接して配置された加熱反応層母材と、
前記加熱反応層母材に接し、前記コンタクト孔の内部を前記絶縁膜の表面位置まで埋めるように配設された導電性のＡｌ元素拡散阻止プラグと、
前記拡散阻止プラグに電気的に接続され、前記絶縁膜に載置されたＡｌ配線と、
を備えたことを特徴とするオーミック電極構造体。 - 前記オーミック電極構造体の構成において、前記加熱反応層母材を加熱反応層としたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のオーミック電極構造体。
- 前記Ａｌ元素拡散阻止層は、その下面おいて、前記絶縁膜との接着を促す接着促進層を内蔵したことを特徴とする請求項１に記載のオーミック電極構造体。
- 前記Ａｌ元素拡散阻止プラグは、基板面位置上面を除く外面において、前記絶縁膜と前記加熱反応母材または加熱反応層との接着を促し、プラグ材料の安定な堆積を促す接着堆積促進層を内蔵したことを特徴とする請求項２または請求項３に記載のオーミック電極構造体。
- 前記導電性プラグは、基板面位置上面を除く外面において、前記絶縁膜と前記加熱反応母材または加熱反応層との接着を促し、プラグ材料の安定な堆積を促す接着堆積促進層を内蔵したことを特徴とする請求項１または請求項３に記載のオーミック電極構造体。
- 前記導電性プラグは、基板面位置上面を除く外面において、Ａｌ拡散阻止膜を内蔵したことを特徴とする請求項１、請求項３または請求項６に記載のオーミック電極構造体。
- 前記導電性プラグは、材料学的にＡｌよりも高いエレクトロマイグレーション耐性を有する材料を主材料としで構成されたことを特徴とする請求項１に記載のオーミック電極構造体。
- 前記導電性プラグは、材料学的にＡｌよりも高いエレクトロマイグレーション耐性を有するＣｕ（銅）を主材料としで構成されたことを特徴とする請求項１のオーミック電極構造体。
- 前記Ａｌ元素拡散阻止プラグは、材料学的にＡｌよりも高いエレクトロマイグレーション耐性を有する材料を主材料としで構成されたことを特徴とする請求項２に記載のオーミック電極構造体。
- 前記Ａｌ元素拡散阻止プラグは、材料学的にＡｌよりも高いエレクトロマイグレーション耐性を有するＷ（タングステン）を主材料としで構成されたを特徴とする請求項２のオーミック電極構造体。
- 前記Ａｌ元素拡散阻止層は、ＺｒあるいはＴｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの窒化物、炭化物、合金、ＰｔあるいはＴｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｒｈの金属から選ばれた１つ以上の材料の単層膜、積層膜あるいは複合膜からなることを特徴とする請求項１記載のオーミック電極構造体。
- ＳｉＣ基板の表面の少なくとも一部に電導性不純物を高濃度に添加した高濃度不純物領域を形成する工程と、
前記高濃度不純物領域を形成した前記ＳｉＣ基板の表面を絶縁膜で被覆する工程と、
前記絶縁膜に前記高濃度不純物領域の表面が露出するようにコンタクト孔を開口する工程と、
前記コンタクト孔の内部の前記高濃度不純物領域の表面に、加熱反応層母材を被着させる工程と、
非酸化性雰囲気中において、前記ＳｉＣ基板を熱処理し、前記加熱反応層母材と前記高濃度不純物領域との間に導電性の加熱反応層を生成する工程と、
前記加熱反応層を生成した後に、前記コンタクト孔を前記絶縁膜の表面位置まで導電性の材料で埋設してプラグとする工程と、
前記導電性プラグ上部に接続し、前記コンタクト孔を被覆するように所定の形状のＡｌ元素拡散阻止層を載置する工程と、
前記Ａｌ元素拡散阻止層を載置した後に、前記Ａｌ元素拡散阻止層を被覆するように所定の形状のＡｌ配線を載置する工程と、
を有することを特徴とするオーミック電極構造体の製造方法。 - 加熱反応層を生成した後に、ＳｉＣ基板表面の面位置で前記コンタクト孔を導電性の材料で埋設してプラグとする前記工程は、減圧気相成長法または電解メッキ法による導電性の材料の全面堆積工程と、これに引き続き行われる化学的機械研磨工程と、で実行されることを特徴とする請求項１３に記載のオーミック電極構造体の製造方法。
- ＳｉＣ基板の表面の少なくとも一部に電導性不純物を高濃度に添加した高濃度不純物領域を形成する工程と、
前記高濃度不純物領域を形成した前記ＳｉＣ基板の表面を絶縁膜で被覆する工程と、
前記絶縁膜に前記高濃度不純物領域の表面が露出するようにコンタクト孔を開口する工程と、
前記コンタクト孔の内部の前記高濃度不純物領域の表面に、加熱反応層母材を被着させる工程と、
非酸化性雰囲気中において、前記ＳｉＣ基板を熱処理し、前記加熱反応層母材と前記高濃度不純物領域との間に導電性の加熱反応層を生成する工程と、
前記加熱反応層を生成した後に、前記コンタクト孔を前記絶縁膜の表面位置まで導電性のＡｌ元素拡散阻止材料で埋設しＡｌ元素拡散阻止プラグとする工程と、
前記導電性プラグ上部に接続し、前記コンタクト孔を被覆するように所定の形状のＡｌ配線を載置する工程と、
を有することを特徴とするオーミック電極構造体の製造方法。 - 加熱反応層を生成した後に、前記コンタクト孔を前記絶縁膜の表面位置まで導電性のＡｌ元素拡散阻止材料で埋設しＡｌ元素拡散阻止プラグする前記工程は、減圧気相成長法によるＡｌ元素拡散阻止材料の全面堆積工程と、これに引き続き行われる化学的機械研磨工程と、で実行されることを特徴とする請求項１５に記載のオーミック電極構造体の製造方法。
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