CN111326290B - 透明导电膜的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成种子层的步骤；对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；去除形成于上述光刻胶上的种子层的步骤；实施无电镀，以在形成于上述一部分露出至外部的基板上的种子层上形成第一镀膜的步骤；及去除上述光刻胶层的步骤。

Description

透明导电膜的制造方法
技术领域
本发明涉及透明导电膜的制造方法。根据本发明实施例的制造方法制得的透明导电膜能够广泛用于触摸板、电磁波屏蔽膜、太阳能电池及门窗等领域。另外，上述透明导电膜可生产具有大面积的产品，具有高透射性及应答速度。
背景技术
透明导电膜是指透射光线的同时具有导电性的膜。近来随着智能手机等电子设备的发展应用于各种领域。上述透明导电膜可根据上部的接触检测到电性(电阻等)的变化，因此，可用作触摸板、传感器等，而且可适用于利用该技术的显示器。另外，可适用于需要光线透射的太阳能电池及门窗，而近来其用途扩展至用于切断电磁波的电磁波屏蔽膜。
在上述透明导电膜领域中，作为主要材料广为使用铟锡氧化物(ITO，Indium TinOxide)，但ITO因面电阻高而难以实现细致的检测，难以期待高的应答速度。
先行技术文献
【专利文献】
(专利文献1)韩国专利公开公报第10-2013-0102998号
发明内容
所要解决的课题
本发明的目的在于提供一种能够制造宽的面积的透明导电膜的方法。另外，提供一种在具有高的透射度的同时，具有高的应答速度的透明导电膜。
课题解决方案
本发明实施例的一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成种子层的步骤；对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；实施无电镀，以在形成于上述一部分露出至外部的基板上的种子层上形成第一镀膜的步骤；及去除上述光刻胶层的步骤。
本发明实施例的另一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成第一种子层的步骤；对上述第一种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；在形成于上述一部分露出至外部的基板上的第一种子层上形成第二种子层的步骤；实施无电镀，以在上述第二种子层上形成第一镀膜的步骤；及去除上述光刻胶层的步骤。
本发明实施例的又一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成种子层的步骤；对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；去除上述光刻胶层的步骤；及实施无电镀，以在上述种子层上形成第一镀膜的步骤。
本发明实施例的再一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成第一种子层的步骤；对上述第一种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；在形成于上述一部分露出至外部的基板上的第一种子层上形成第二种子层的步骤；去除上述光刻胶层的步骤；及实施无电镀，以在上述第二种子层上形成第一镀膜的步骤。
发明效果
本发明实施例的透明导电膜的制造方法，能够提供一种能够制造宽的面积的透明导电膜的方法。另外，可以提供一种在具有高的透射度的同时，具有高的应答速度的透明导电膜。
另外，可以防止在基板上的不必要的部分残存种子层，能够稳定实施无电镀，从而可提高工艺收率及效率。另外，可有效，经济实施无电镀工艺，提高生产性。另外，可形成包含不同种类的物质的镀膜。
附图说明
图1至图6为本发明实施例的透明导电膜制造方法示意图；
图7至图13为本发明另一实施例的透明导电膜制造方法示意图；
图14及图15为无电镀工艺示意图；
图16及图17为本发明又一实施例的透明导电膜制造方法示意图。
具体实施方式
图1至图6为本发明实施例的透明导电膜制造方法示意图。如图1至图6所示，本发明实施例的一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板110上形成光刻胶层120的步骤；去除上述光刻胶层120的一部分，以使上述基板110的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板110及光刻胶层120上形成种子层130的步骤；对上述种子层130的表面中的至少一部分进行改性的步骤；实施无电镀，以在上述一部分露出至外部的基板110上形成第一镀膜150的步骤；及去除上述光刻胶层120的步骤。
只要能够在上部设置线路(导电膜)，基板110没有特殊的限制，可由能够透射光的材料形成。上述基板110可以是玻璃、蓝宝石或硅晶片等硬质基板110，也可以是包含聚酰亚胺(Polyimide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、丙二醇(propylene glycol)、聚碳酸酯(PC)等塑料的柔性基板110。
在基板110上形成光刻胶层120的步骤可通过将作为感光物质的光刻胶涂布于上述基板110上完成。上述涂布方法可以是将液态的光刻胶进行溶液涂布，没有特殊的限制。上述光刻胶可以包括双叠氮化物(Bis-azide)、甲基丙烯酸酯(Methacrylic acid ester)、桂皮酸酯(Cinnamic acid ester)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate))、萘醌二叠氮化物(Naphthoquinonediazide)、聚丁烯-1砜(Polybutene-1sulfone)及邻叠氮萘醌(diazonaphthoquinone)-酚醛清漆树脂(DNQ/NR)中的至少一种。
接着，实施去除上述光刻胶层120的一部分，以使上述基板110的一部分露出至外部而形成图案的步骤(请参考图1)。本步骤包括在上述光刻胶层120上设置掩模的步骤、向上述掩模上照射特定波长的光以使上述光刻胶层120的一部分发生反应的步骤(曝光步骤)及去除上述光刻胶层120中发生反应的部分的步骤(显影步骤)。上述掩模可包括贯穿形成导电性线路的部分的图案槽。在上述曝光步骤中使用的光可以是UV波长的光，可选择适合于光刻胶的光。在上述显影步骤中去除光刻胶层120的方法是可对上述产生反应的光刻胶层120利用显影液进行处理来完成。上述显影液可包括显影剂、组合剂及抗氧化剂。在曝光步骤中，上述显影剂可起到还原卤化银的作用。在使用显影液之后，为抑制显影反应还可包括利用稀酸进行后处理的步骤。通过实施本工艺形成凹刻图案，以使上述基板110中对应于上述掩模的图案槽的区域，在上述光刻胶层120之间露出至外部。
上述凹刻图案可以是格子形状或王庄，没有特殊的限制。根据需要，上述凹刻图案的深度可以为2～50μm，较佳为5～30μm，凹刻图案的宽度可以为2～50μm，较佳为5～30μm，凹刻图案之间的间距可以为50～1000μm，较佳为200～800μm。
接着，实施上述在一部分露出至外部的基板110及光刻胶层120上形成种子层130的步骤(请参考图2)。上述种子层130是之后形成第一镀膜150的基础，可由能够稳定形成上述第一镀膜150的导电性物质形成。较佳地，上述种子层130可以包括TiN、TiW及Cu中的一种导电性物质。
上述形成种子层130的方法有溅镀(sputtering)法、化学气相沉积(CVD)法、旋涂(Spin Coating)法、无电镀法等。例如，使用溅镀法形成种子层130，以准确控制薄膜的厚度，形成薄的膜，较佳地，使用无电镀法以Cu形成种子层130，从而在之后进行无电镀时，无需添加催化物质也可顺利形成第一镀膜。
接着，实施对上述种子层130的表面中的至少一部分进行改性的步骤(请参考图3)。上述“对表面中的至少一部分进行改性”是指对种子层130的表面的特性进行物理或化学变性，在上述种子层130的一部分产生裂纹或与光刻胶层120的分离等现象。可以是由此选择性地去除上述光刻胶层120上的种子层130。
对上述表面中的至少一部分进行改性的步骤可通过向上述光刻胶层120上的种子层130或种子层130喷射质量体140完成。上述喷射质量体140的方法可以是从垂直于上述光刻胶层的方向按一定角度喷射上述质量体140。如图3所示，质量体140以相对于垂直于光刻胶层120的方向(虚线)倾斜一定角度(θ)的方向喷射。由此，上述质量体140虽然与设置于光刻胶层120上的种子层130发生碰撞，但不与设置于基板110上的种子层130发生碰撞。上述质量体140入射的角度可相对于垂直于光刻胶层120的方向呈20～70°。若上述质量体140入射的角度小于20°，则会存在质量体140与基板110上的种子层130发生碰撞的问题。而若上述质量体140入射的角度大于70°，则因质量体140无法向种子层130传递足够的冲击量，从而导致种子层130的表面改性不够充分。
上述质量体140可具有可传递足以使种子层130的表面改性的程度的冲击量的质量，而较佳地，具备以一定角度入射时，不会流入形成于光刻胶层120的图案之间的大小。为此，在本步骤中，入射至种子层130的质量体140的平均直径大于5μm，较佳为大于10μm。
上述质量体140可以是升华(sublimation)物质，较佳地，上述升华物质可以是干冰、萘及碘中的一种。作为上述质量体140使用升华物质时，因质量体140在与种子层130碰撞之后发生汽化，从而不会在种子层130上残留副产物。因此，可以通过简单的工艺只对光刻胶层120上的种子层130进行改性，无需因产生副产物所需的后续清洗工艺。
上述入射质量体140的方法可以是通过载气搬运粉末状态的质量体140利用喷嘴喷射的方法。
在另一实施例中，上述对表面中的至少一部分进行改性的步骤，可通过等离子处理完成。作为一例，上述等离子可以是利用O2的。
接着，可实施去除形成于光刻胶层120上的经过改性的种子层130的步骤。本步骤可在形成于上述光刻胶层120上的经过改性的种子层130接触蚀刻溶液完成。为此，向蚀刻溶液只浸泡经过改性的种子层130及光刻胶层120的一部分，以防止去除设置于基板上的种子层130。此时，上述蚀刻溶液可以是氨、过氧化氢、氢氟酸、盐酸、硝酸及硫酸中的一种，但非限制，可使用用于湿式蚀刻的溶液。通过实施去除设置于光刻胶层120上的经过改性的种子层130的步骤，之后更容易去除光刻胶。
接着，可实施通过上述无电镀在上述种子层130上形成第一镀膜150的步骤(请参考图4)。
可通过无电镀法在形成有图案的区域形成第一镀膜150(线路)。在现有技术的通过溅镀法形成线路时，需要通过蚀刻去除不必要的部分，因费用及时间消耗多，技术难度高，存在实现性低的问题。本发明的实施例，因利用无电镀法在形成有图案的区域形成第一镀膜，较之现有技术中利用溅镀法形成导电性线路，可更快，更经济地形成第一镀膜150。
通过上述无电镀法形成的第一镀膜150包含导电性物质，较佳地，可包含铜。
上述无电镀法可通过向种子层130供应镀液170完成。上述无电镀法可通过用于形成金属层的通常的方法完成。当所形成的第一镀膜150为铜膜时，用于无电镀的镀液可包括硫酸铜等金属盐、福尔马林等氧化剂、罗谢尔盐等络合剂及强氧化钠。
上述无电镀法可通过两种方法完成。
首先，为形成与上述种子层130的粘附(adhesion)优良的第一镀膜，可实施第一次无电镀。上述第一次无电镀是与上述种子层130的粘附(adhesion)特性优良的方法，可形成上述第一镀膜150的一部分。
之后，为了增加上述第一镀膜150的厚度，可实施第二次无电镀。上述第二次无电镀是能够实现快速电镀速度的方法，可快速增加上述第一镀膜的厚度。即上述第一次无电镀是粘附优良的方法，但因电镀速度慢，在形成厚的镀膜时生产效率低。因此，可通过实施上述第二次无电镀提高生产效率。
接着，还可包括实施电镀，以在上述第一镀膜150上形成第二镀膜180的步骤(请参考图6)。
上述第二镀膜180可以是与上述第一镀膜150相同的物质或不同的物质。当上述第二镀膜180是与上述第一镀膜150相同的物质时，本步骤可通过减少形成所需厚度的镀膜的时间，提高生产效率。
在无电镀的情况下，可形成于具有可还原金属离子的催化剂表面的各种基板上，可形成致密均匀的膜，但电镀速度慢。因此，可通过无电镀工艺形成一定厚度，例如
Figure BDA0002051172520000071
的厚度的第一镀膜150之后，通过电镀形成与上述第一镀膜相同物质的第二镀膜，从而快速形成镀膜。
从而可更快速形成大于5或大于100um的厚的镀膜(线路)。
当上述第二镀膜180是与上述第一镀膜150不同的物质时，可通过本步骤形成包含不同种类的物质的镀膜。例如，通过无电镀工艺形成铜镀膜之后，可在上述铜镀膜上通过电镀镀上镍，形成包含铜及镍的镀膜。此时，上述电镀可通过进行供电以在金属表面形成金属层的通常的电镀法完成。
接着，实施去除上述光刻胶层120的步骤(请参考图5)。本步骤可通过通常去除光刻胶层120的剥离法完成，没有特殊的限制。在一例中，本步骤可通过湿式方式湿式，而用于去除光刻胶层120的湿式剥离液可使用胺类的溶液。
图7至图13为本发明另一实施例的透明导电膜制造方法示意图。如图7至图13所示，本发明实施例的一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板110上形成光刻胶层120的步骤；去除上述光刻胶层120的一部分，以使上述基板110的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板110及光刻胶层120上形成第一种子层130a的步骤；对上述第一种子层130a的表面中的至少一部分进行改性的步骤；在形成于上述一部分露出至外部的基板110上的第一种子层130a上形成第二种子层130b的步骤；实施无电镀，以在上述第二种子层130b上形成第一镀膜150的步骤；及去除上述光刻胶层120的步骤。与上述实施例不同，在本实施例中，在对上述第一种子层130a的表面中的至少一部分进行改性的步骤之后，还包括在形成于上述一部分露出至外部的基板110上的第一种子层130a上形成第二种子层130b的步骤，而形成上述第一镀膜150的步骤是在上述第二种子层130b上形成第一镀膜150。
只要能够在上部设置线路，基板110没有特殊的限制，可由能够透射光的材料形成。上述基板110可以是玻璃、蓝宝石或硅晶片等硬质基板110，也可以是包含聚酰亚胺(Polyimide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、丙二醇(propyleneglycol)、聚碳酸酯(PC)等塑料的柔性基板110。
在基板110上形成光刻胶层120的步骤可通过将作为感光物质的光刻胶涂布于上述基板110上完成。上述涂布方法可以是将液态的光刻胶进行溶液涂布，没有特殊的限制。上述光刻胶可以包括双叠氮化物(Bis-azide)、甲基丙烯酸酯(Methacrylic acid ester)、桂皮酸酯(Cinnamic acid ester)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate))、萘醌二叠氮化物(Naphthoquinonediazide)、聚丁烯-1砜(Polybutene-1sulfone)及邻叠氮萘醌(diazonaphthoquinone)-酚醛清漆树脂(DNQ/NR)中的至少一种。
接着，实施去除上述光刻胶层120的一部分，以使上述基板110的一部分露出至外部而形成图案的步骤(请参考图7)。本步骤包括在上述光刻胶层120上设置掩模的步骤、向上述掩模上照射特定波长的光以使上述光刻胶层120的一部分发生反应的步骤(曝光步骤)及去除上述光刻胶层120中发生反应的部分的步骤(显影步骤)。上述掩模可包括贯穿形成导电性线路的部分的图案槽。在上述曝光步骤中使用的光可以是UV波长的光，可选择适合于光刻胶的光。在上述显影步骤中去除光刻胶层120的方法是可对上述产生反应的光刻胶层120利用显影液进行处理来完成。上述显影液可包括显影剂、组合剂及抗氧化剂。在曝光步骤中，上述显影剂可起到还原卤化银的作用。在使用显影液之后，为抑制显影反应还可包括利用稀酸进行后处理的步骤。通过实施本工艺形成凹刻图案，以使上述基板110中对应于上述掩模的图案槽的区域，在上述光刻胶层120之间露出至外部。
上述凹刻图案可以是格子形状或王庄，没有特殊的限制。根据需要，上述凹刻图案的深度可以为2～50μm，较佳为5～30μm，凹刻图案的宽度可以为2～50μm，较佳为5～30μm，凹刻图案之间的间距可以为50～1000μm，较佳为200～800μm。
接着，实施上述在一部分露出至外部的基板110及光刻胶层120上形成第一种子层130a的步骤(请参考图8)。上述第一种子层130是之后形成第二种子层130b的基础，可由能够稳定形成上述第二种子层130b的导电性物质形成。较佳地，上述第一种子层130a可以包括TiN、TiW及Cu中的一种导电性物质。上述形成第一种子层130a的方法有溅镀(sputtering)法、化学气相沉积(CVD)法、旋涂(Spin Coating)法等。较佳地，使用溅镀法形成第一种子层130a，以准确控制薄膜的厚度，形成薄的膜。
接着，实施对上述第一种子层130a的表面中的至少一部分进行改性的步骤(请参考图9)。上述“对表面中的至少一部分进行改性”是指对第一种子层130a的表面的特性进行物理或化学变性，在上述第一种子层130a的一部分产生裂纹或与光刻胶层120的分离等现象。可以是由此选择性地去除上述光刻胶层120上的第一种子层130a。
对上述表面中的至少一部分进行改性的步骤可通过向上述光刻胶层120上的种子层130或第一种子层130a喷射质量体140完成。上述喷射质量体140的方法可以是从垂直于上述光刻胶层的方向按一定角度喷射上述质量体140。如图8所示，质量体140以相对于垂直于光刻胶层120的方向(虚线)倾斜一定角度(θ)的方向喷射。由此，上述质量体140虽然与设置于光刻胶层120上的第一种子层130a发生碰撞，但不与设置于基板110上的第一种子层130a发生碰撞。上述质量体140入射的角度可相对于垂直于光刻胶层120的方向呈20～70°。若上述质量体140入射的角度小于20°，则会存在质量体140与基板110上的第一种子层130a发生碰撞的问题。而若上述质量体140入射的角度大于70°，则因质量体140无法向第一种子层130a传递足够的冲击量，从而导致第一种子层130a的表面改性不够充分。
上述质量体140可具有可传递足以使第一种子层130a的表面改性的程度的冲击量的质量，而较佳地，具备以一定角度入射时，不会流入形成于光刻胶层120的图案之间的大小。为此，在本步骤中，入射至第一种子层130a的质量体140的平均直径大于5μm，较佳为大于10μm。
上述质量体140可以是升华(sublimation)物质，较佳地，上述升华物质可以是干冰、萘及碘中的一种。作为上述质量体140使用升华物质时，因质量体140在与第一种子层130a碰撞之后发生汽化，从而不会在第一种子层130a上残留副产物。因此，可以通过简单的工艺只对光刻胶层120上的第一种子层130a进行改性，无需因产生副产物所需的后续清洗工艺。
上述入射质量体140的方法可以是通过载气搬运粉末状态的质量体140利用喷嘴喷射的方法。
在另一实施例中，本步骤可通过等离子处理完成。作为一例，上述等离子可以是利用O2的。
接着，可实施去除设置于光刻胶层120上的经过改性的第一种子层130a的步骤。本步骤可在设置于上述光刻胶层120上的经过改性的第一种子层130a接触蚀刻溶液完成。为此，向蚀刻溶液只浸泡经过改性的第一种子层130a及光刻胶层120的一部分，以防止去除设置于基板上的第一种子层130a。此时，上述蚀刻溶液可以是氨、过氧化氢、氢氟酸、盐酸、硝酸及硫酸中的一种，但非限制，可使用用于湿式蚀刻的溶液。通过实施去除设置于光刻胶层120上的经过改性的第一种子层130a的步骤，之后更容易去除光刻胶。
接着，实施在形成于上述一部分露出至外部的基板110上的第一种子层130a上形成第二种子层130b的步骤(请参考图10)。上述第二种子层130b起到用于利用无电镀工艺形成镀膜的种子层的作用。可由能够有效形成上述导电膜的导电性物质形成，而且，可为改善无电镀的效率而包含催化剂。较佳地，上述催化剂可包含钯(Pd)元素160。
上述形成第二种子层130b的方法有溅镀(sputtering)法、化学气相沉积(CVD)法、旋涂(Spin Coating)法、无电镀法等。
较佳地，上述第二种子层130b可通过无电镀法实施，例如，可通过无电镀法形成包含钯(Pd)的第二种子层。此时，钯(Pd)可以小离子形式形成。
因在上面的步骤中，通过改性去除光刻胶层120上的第一种子层130a，因此，上述第二种子层130b只能形成于上述基板110上的第一种子层130a上。
接着，可实施通过上述无电镀在上述第二种子层130b上形成第一镀膜150的步骤(请参考图11)。
可通过无电镀法在形成有图案的区域形成第一镀膜150(线路)。在现有技术的通过溅镀法形成线路时，需要通过蚀刻去除不必要的部分，因费用及时间消耗多，技术难度高，存在实现性低的问题。本发明的实施例，因利用无电镀法在形成有图案的区域形成第一镀膜150(线路)，较之现有技术中利用溅镀法形成导电性线路，可更快，更经济地形成第一镀膜150。
通过上述无电镀法形成的第一镀膜150包含导电性物质，较佳地，可包含铜。
上述无电镀法可通过向上述第一种子层130a或上述第二种子层130b供应镀液170完成。上述无电镀法可通过用于形成金属层的通常的方法完成。当所形成的第一镀膜150为铜膜时，用于无电镀的镀液可包括硫酸铜等金属盐、福尔马林等氧化剂、罗谢尔盐等络合剂及强氧化钠。
图14及图15为无电镀工艺示意图。如图14及图15所示，在镀液170内，因包含于第二种子层130b的钯(Pd)起到催化剂的作用，从而可改善铜第一镀膜150的生长效率。
即在进行无电镀铜电镀时，钯(Pd)起到还原剂的作用，铜镀液上的铜离子还原，从而在上述第二种子层上形成第一镀膜，镀上铜之后，铜表面本身替代钯(Pd)起到提供电子的还原剂的作用。
上述无电镀法可通过两种方法完成。
首先，为形成与上述种子层130的粘附(adhesion)优良的第一镀膜，可实施第一次无电镀。上述第一次无电镀是与上述种子层130的粘附(adhesion)特性优良的方法，可形成上述第一镀膜150的一部分。
之后，为了增加上述第一镀膜150的厚度，可实施第二次无电镀。上述第二次无电镀是能够实现快速电镀速度的方法，可快速增加上述第一镀膜的厚度。即上述第一次无电镀是粘附优良的方法，但因电镀速度慢，在形成厚的镀膜时生产效率低。因此，可通过实施上述第二次无电镀提高生产效率。
接着，还可包括实施电镀，以在上述第一镀膜150上形成第二镀膜180的步骤(请参考图13)。
上述第二镀膜180可以是与上述第一镀膜150相同的物质或不同的物质。当上述第二镀膜180是与上述第一镀膜150相同的物质时，本步骤可通过减少形成所需厚度的镀膜的时间，提高生产效率。
在无电镀的情况下，可形成于具有可还原金属离子的催化剂表面的各种基板上，可形成致密均匀的膜，但电镀速度慢。因此，可通过无电镀工艺形成一定厚度，例如
Figure BDA0002051172520000121
的厚度的第一镀膜150之后，通过电镀形成与上述第一镀膜相同物质的第二镀膜，从而快速形成镀膜。从而可更快速形成大于5或大于100um的厚的镀膜(线路)。
当上述第二镀膜180是与上述第一镀膜150不同的物质时，可通过本步骤形成包含不同种类的物质的镀膜。例如，通过无电镀工艺形成铜镀膜之后，可在上述铜镀膜上通过电镀镀上镍，形成包含铜及镍的镀膜。此时，上述电镀可通过进行供电以在金属表面形成金属层的通常的电镀法完成。
接着，实施去除上述光刻胶层120的步骤(请参考图12)。本步骤可通过通常去除光刻胶层120的剥离法完成，没有特殊的限制。在一例中，本步骤可通过湿式方式湿式，而用于去除光刻胶层120的湿式剥离液可使用胺类的溶液。
本发明另一实施例的透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成种子层的步骤；对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；去除上述光刻胶层的步骤；及实施无电镀，以在上述种子层上形成第一镀膜的步骤。
与上述实施例不同，在本实施例中，在去除光刻胶层之后，实施无电镀以在上述种子层上形成第一镀膜。在本实施例中，因去除光刻胶层，有可能残存于光刻胶层上的种子层一同被去除，只留下形成于基板上的种子层(请参考图16)。之后可通过实施无电镀，在上述种子层上形成第一镀膜。
在本发明的又一实施例的种透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成第一种子层的步骤；对上述第一种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；在形成于上述一部分露出至外部的基板上的第一种子层上形成第二种子层的步骤；去除上述光刻胶层的步骤；及实施无电镀，以在上述第二种子层上形成第一镀膜的步骤。
在本实施例中，在去除光刻胶层之后，实施无电镀以在上述第二种子层上形成第一镀膜。在本实施例中，因去除光刻胶层，有可能残存于光刻胶层上的第一种子层或第二种子层一同被去除，只留下形成于基板上的第一种子层及第二种子层(请参考图17)。之后可通过实施无电镀，在上述第一种子层或第二种子层上形成第一镀膜。

Claims (14)

1.一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成种子层的步骤；对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；实施无电镀，以在形成于上述一部分露出至外部的基板上的种子层上形成第一镀膜的步骤；及去除上述光刻胶层的步骤，
按顺序进行形成种子层的步骤及对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤，从而可稳定地形成第一镀膜。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：上述对表面中的至少一部分进行改性的步骤是向上述光刻胶层上的种子层喷射质量体完成的。
3.根据权利要求2所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：上述质量体为升华物质。
4.一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成第一种子层的步骤；对上述第一种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；在形成于上述一部分露出至外部的基板上的第一种子层上形成第二种子层的步骤；实施无电镀，以在上述第二种子层上形成第一镀膜的步骤；及去除上述光刻胶层的步骤，
按顺序进行形成种子层的步骤及对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤，从而可稳定地形成第一镀膜。
5.根据权利要求4所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：上述对表面中的至少一部分进行改性的步骤是向上述光刻胶层上的第一种子层喷射质量体完成的。
6.根据权利要求5所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：上述质量体为升华物质。
7.根据权利要求4所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：上述第二种子层包含钯。
8.一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成种子层的步骤；对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；去除上述光刻胶层的步骤；及实施无电镀，以在上述种子层上形成第一镀膜的步骤，
按顺序进行形成种子层的步骤及对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤，从而可稳定地形成第一镀膜。
9.根据权利要求8所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：上述对表面中的至少一部分进行改性的步骤是向上述光刻胶层上的种子层或第一种子层喷射质量体完成的。
10.根据权利要求9所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：上述质量体为升华物质。
11.一种透明导电膜的制造方法，包括：在基板上形成光刻胶层的步骤；去除上述光刻胶层的一部分，以使上述基板的一部分露出至外部而形成图案的步骤；在上述一部分露出至外部的基板及光刻胶层上形成第一种子层的步骤；对上述第一种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤；在形成于上述一部分露出至外部的基板上的第一种子层上形成第二种子层的步骤；去除上述光刻胶层的步骤；及实施无电镀，以在上述第二种子层上形成第一镀膜的步骤，
按顺序进行形成种子层的步骤及对上述种子层的表面中的至少一部分进行改性的步骤，从而可稳定地形成第一镀膜。
12.根据权利要求11所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：上述对表面中的至少一部分进行改性的步骤是向上述光刻胶层上的种子层或第一种子层喷射质量体完成的。
13.根据权利要求12所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：上述质量体为升华物质。
14.根据权利要求11所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：上述第二种子层包含钯。
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