TWI423751B - Method of manufacturing three - dimensional circuit - Google Patents

Description

三維電路的製造方法

本發明是有關於一種三維電路的製造方法，特別是指在三維立體結構的本體表面上形成立體圖案化金屬線路的製造方法。

現今無線通訊技術的快速發展，相關性電子通訊產品越來越重視訊號傳送品質以及滿足輕、薄、短、小的需求。然而，各種行動影像通訊產品(例如平板電腦、手機等)會依照不同的產品外觀及內部結構差異，需配合設計出不同的天線本體結構及其線路形式，以滿足通訊裝置的小型化需求。

在已知技術而言，利用雷射直接成型(Laser Direct Structuring，LDS)將一些特殊可雷射活化的塑料，射出成型為一預定之本體結構，然後再利用特定波長的雷射，將塑料內摻入的金屬晶粒予以活化，同時定義出線路圖案，最後再進行金屬化製程。該技術常被應用於手機、行動式電腦裝置天線或發光二極體模組以及汽車裝置等產品上。

然而，LDS塑料必須摻雜金屬催化劑，而且須針對不同材質的塑料及材料特性，摻雜不同成分比例的金屬催化劑，造成雷射活化的條件不同，必須重新調整雷射波長與金屬化的控制參數，因此，LDS製程須採取特定波長的雷射設備以及設置不同條件的金屬化設備或控制參數，也使得設備與製造成本較為昂貴。

此外，在雷射建構操作中，因為本體表面溫度升高造成部分本體表面金屬晶粒被移除或破壞，甚至沈積在本體表面的非期望線路區域，降低後續金屬化製程對沈積導體線路結構的選擇性，導致相鄰電子元件間的電路短路問題。為防止短路問題發生，雷射建構的電路路徑間距必須加以控制，避免後續進行金屬化製程中產生任何不良問題。不過，當解決該問題時，常會導致電路密度不足的缺點。

因此，本發明之主要目的在於提供一種三維電路的製造方法，以解決先前技術之不足與缺點。

本發明之主要目的，在於提供一種三維電路的製造方法，使立體結構的本體具有三維立體電路，該電路的金屬線路層可選擇性成形於本體的任何立體面，可達到圖案化線路的電路佈局設計，讓三維電路可應用於天線、LED承載座、電路基板、連接器、電子裝置或方向盤等各種不同造型之立體結構物。

本發明之次要目的，將三維電路應用於立體天線中，使金屬線路層與天線本體具有高附著抗拉性，可直接於天線饋入點處焊接一訊號傳輸線構成電性連接，達成接收或傳送訊號之目的。

為達到上述目的，於一較佳實施例中，本發明三維電路的製造方法包括以下製造步驟：

(1)　提供一三維立體結構的本體；

(2)　對本體進行表面前處理；

(3)　對本體表面進行金屬化處理，沈積形成一金屬薄膜層；

(4)　對金屬薄膜層表面進行光阻塗佈處理，形成一光阻保護層；

(5)　對光阻保護層進行曝光/顯影處理，形成一圖案化光阻保護層；

(6)　對顯露的金屬薄膜層進行蝕刻處理，形成一圖案化線路層；

(7)　剝除圖案化線路層上的光阻保護層；以及

(8)　對圖案化線路層表面進行化學鍍層處理，形成一線路增厚層。

本發明三維電路的製造方法中的本體可選自天線、LED承載座、方向盤、電路基板、連接器、電子裝置等各種不同造型之立體結構物。

其中，上述本體可選自於高分子材料或陶瓷材料的其中一種，上述高分子材料可設為聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚醯胺(PA6/6T)、尼龍(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一種或以上複合材料的其中一種；另上述陶瓷材料可設為氧化鋁、氧化鋯、氮化矽、碳化矽、鈦酸鋇的其中一種或以上複合材料的其中一種。此外，上述本體是利用射出成型或燒結成型的其中一種方法所製成。

上述表面前處理包括表面脫脂及粗化處理，使改質成為親水性之多孔表面，利於提昇後續本體與金屬鍍層的固著力。

上述金屬化處理，係利用濺鍍(Sputtering)或蒸鍍(Evaporation)方式，使金屬沈積於本體表面形成金屬薄膜層。其中，上述沈積金屬可選自於鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、錫(Sn)、銅(Cu)的其中一種或以上複合金屬的其中一種。

此外，上述金屬化處理亦可利用亞錫離子敏化及鈀離子活化方式，使本體表面活化形成金屬薄膜層，以利後續進行化學鍍層處理時能產生催化金屬沈積的作用。

上述光阻塗佈處理，係將感光液態光阻以浸塗或噴塗的方式，對金屬薄膜層的表面塗佈一光阻保護層。其中，上述光阻保護層的感光液態光阻可選自於正型或負型光阻的其中一種。

上述曝光/顯影處理，係利用雷射或紫外光源，依特定立體曝光線路圖形的區域或位置，直接照射於光阻保護層上，使光阻內部產生化學反應；再利用顯影劑將光阻溶解除去，形成圖案化光阻保護層。其中，上述立體曝光線路圖形可選自於圖案化立體光罩或直接掃瞄圖形的其中一種。

上述化學鍍層處理，可利用無電鍍方式把溶液中的金屬離子藉由化學催化反應，使沈積於圖案化線路層上，形成線路增厚層。其中，上述鍍層金屬可選自於鎳(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉻(Cr)的其中一種或以上複合金屬的其中一種。

於另一較佳實施例中，本發明揭露三維電路的製造方法包括以下的步驟：

(1)　提供一三維立體結構的本體；

(2)　對本體進行表面前處理；

(3)　對本體表面進行塗佈處理，形成一光阻保護層；

(4)　對光阻保護層進行曝光/顯影處理，形成一圖案化光阻保護層；

(5)　對本體表面進行金屬化處理，形成一圖案化線路區域；

(6)　剝除圖案化光阻保護層；以及

(7)　對圖案化線路區域進行化學鍍層處理，形成一線路增厚層。

同樣地，上述本體可選自天線、LED承載座、方向盤、電路基板、連接器、電子裝置等各種不同造型之立體結構物，而上述本體可選自於高分子材料或陶瓷材料的其中一種；可利用射出成型或燒結成型的其中一種方法所製成。

其中，上述高分子材料可設為聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚醯胺(PA6/6T)、尼龍(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一種或以上複合材料的其中一種；以及上述陶瓷材料可設為氧化鋁、氧化鋯、氮化矽、碳化矽、鈦酸鋇的其中一種或以上複合材料的其中一種。

上述表面前處理包括表面脫脂及粗化處理，使改質成為親水性之多孔表面，利於提昇後續本體與金屬鍍層的固著力。

上述光阻塗佈處理，係將感光液態光阻以浸塗或噴塗的方式，對金屬薄膜層的表面塗佈一光阻保護層。其中，上述光阻保護層的感光液態光阻可選自於正型或負型光阻的其中一種。

上述曝光/顯影處理係利用雷射或紫外光源，依特定立體曝光線路圖形的區域或位置，直接照射於光阻保護層上，使光阻內部產生化學反應；再利用顯影劑將光阻溶解除去，形成圖案化光阻保護層，而除去光阻的區域即為裸露的本體，則作為後續金屬化處理的圖案化線路區域。其中，上述立體曝光線路圖形可選自於圖案化立體光罩或直接掃瞄圖形的其中一種。

上述金屬化處理係利用濺鍍(Sputtering)或蒸鍍(Evaporation)方式，使金屬沈積於本體表面形成圖案化線路區域。其中，上述沈積金屬可選自於鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、錫(Sn)、銅(Cu)的其中一種或以上複合金屬的其中一種。此外，上述金屬化處理亦可利用亞錫離子敏化及鈀離子活化方式，使本體表面活化形成圖案化線路區域，以利後續進行化學鍍層處理時能產生催化金屬沈積的作用。

上述化學鍍層處理，可利用無電鍍方式把溶液中的金屬離子藉由化學催化反應，使沈積於經活化的圖案化線路區域上，形成線路增厚層。上述鍍層金屬可選自於鎳(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉻(Cr)的其中一種或以上複合金屬的其中一種。

經由上述兩較佳實施例所揭露的三維電路的製造方法，使得本發明可以具有以下的效益：

1.　可採用一般塑膠材料作為本體基材，不須採用特殊含有金屬觸媒混合的非一般性材料，因此材料選擇性高且取得成本較低。

2.　可達到良好線路尺寸精度及導體密度，維持天線阻抗匹配的穩定性。

3.　可彈性製作出複雜的三維立體線路圖案，不會受限於傳統模具幾何機械加工限制或複雜線路結構造成加工時間及成本的提高。

4.　本體與金屬線路圖案屬於整體結構及具有較佳黏結強度，可避免習知天線塑膠本體與金屬導體片獨立製造後須再組裝的程序，消除組裝失誤或碰撞造成塑膠本體與金屬導體片分離的問題。

為使本發明的特徵及技術內容能更進一步瞭解，下文特舉例較佳的實施方式，並配合圖示作詳細的說明。然而以下所附之圖式僅供參考與說明用途，並非用來對本發明加以限制者。

茲為便於更進一步對本發明之目的、特徵或方法有更深一層明確、詳實的認識與瞭解，爰舉出較佳實施例，配合圖式詳細說明如下：首先，請參閱第1圖的流程圖以及第2圖至第4圖所示的結構圖，於第一較佳實施例中，本發明三維天線電路的製造方法，其包含以下步驟：

(1)　提供一三維立體結構的天線本體10；

(2)　對天線本體10進行表面前處理；

(3)　對天線本體10表面進行金屬化處理，沈積形成一金屬薄膜層11；

(4)　對金屬薄膜層11表面進行光阻塗佈處理，形成一光阻保護層12；

(5)　對光阻保護層12進行曝光/顯影處理70，形成一圖案化光阻保護層13；

(6)　對顯露的金屬薄膜層11進行蝕刻處理71，形成一圖案化線路層14；

(7)　剝除圖案化線路層14上的圖案化光阻保護層13；

(8)　圖案化線路層14表面進行化學鍍層處理，形成一線路增厚層15。

其中，上述步驟(1)立體結構的天線本體10係利用射出成型或燒結成型的其中一種方法所製成。上述天線本體10可選自於高分子材料或陶瓷材料的其中一種。其中，上述高分子材料可設為聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚醯胺(PA6/6T)、尼龍(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一種或以上複合材料的其中一種；另外，上述陶瓷材料可設為氧化鋁、氧化鋯、氮化矽、碳化矽、鈦酸鋇的其中一種或以上複合材料的其中一種。

上述步驟(2)表面前處理包括表面脫脂及粗化處理，係利用酸性或鹼性清潔劑去除天線本體10表面的髒汙、油脂，以及利用機械刷磨、化學蝕刻或電漿等相當程度之粗化處理，使改質成為親水性之多孔表面，利於提昇後續天線本體10與金屬鍍層的固著力。

上述步驟(3)金屬化處理，係利用濺鍍(Sputtering)或蒸鍍(Evaporation)方式使金屬沈積於天線本體10表面形成金屬薄膜層11。其中，上述沈積金屬可選自於鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、錫(Sn)、銅(Cu)的其中一種或其複合材料的其中一種。

此外，上述步驟(3)金屬化處理亦可利用亞錫離子敏化及鈀離子活化方式，使天線本體10表面活化形成金屬薄膜層11。其中，上述敏化處理，係將氯化亞錫混合酸性溶液中的亞錫離子(Sn²⁺ )，滲入天線本體10表面多孔凹穴內部達到吸附作用；上述活化處理，係將氯化鈀混合酸性溶液中的鈀離子(Pd²⁺ )繼續植入反應形成一活性金屬微粒，以利後續進行化學鍍層處理時能產生催化金屬沈積作用。

上述步驟(4)光阻塗佈處理，係將感光液態光阻以浸塗或噴塗的方式，對金屬薄膜層11的表面塗佈一光阻保護層12。其中，上述光阻保護層12的感光液態光阻可選自於正型或負型光阻的其中一種。

上述步驟(5)曝光/顯影處理70係利用雷射或紫外光源，依特定立體曝光線路圖形16的區域或位置，直接照射於光阻保護層12上，使光阻內部產生化學反應；再利用顯影劑將光阻溶解除去，形成圖案化光阻保護層13。

於一較佳實施例中，上述立體曝光線路圖形16可選自於圖案化立體光罩或直接掃瞄圖形的其中一種。

上述步驟(6)蝕刻處理71，係利用化學蝕刻溶液，溶蝕去除裸露且未受光阻保護的金屬薄膜層11，形成圖案化光阻保護層13下的圖案化線路層14。

上述步驟(7)剝除處理，係利用有機溶劑去除上述圖案化光阻保護層13，使圖案化線路層14裸露出來，作為後續化學鍍層處理的基層。

上述步驟(8)化學鍍層處理，係利用無電鍍方式把溶液中的金屬離子藉由化學催化反應，使沈積於圖案化線路層14上，形成線路增厚層15。上述鍍層金屬可選自於鎳(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉻(Cr)的其中一種或以上複合金屬的其中一種。

再來，請參閱第5圖的流程圖以及第6圖至第8圖所示的結構圖，於第二較佳實施例中，本發明三維天線電路的製造方法，其包含以下步驟：

(1)　提供一三維立體結構的天線本體20；

(2)　對天線本體20表面進行前處理；

(3)　對天線本體20表面進行塗佈處理，形成一光阻保護層22；

(4)　對光阻保護層22進行曝光/顯影處理70，形成一圖案化光阻保護層23；

(5)　對天線本體20表面進行金屬化處理，形成一圖案化線路區域24；

(6)　剝除圖案化光阻保護層23；

(7)　對圖案化線路區域24進行化學鍍層處理，形成一線路增厚層25。

其中，上述步驟(1)立體結構的天線本體20成型方式以及選用材料皆與第一較佳實施例相同，在此不加以贅述。

上述步驟(2)的表面前處理同樣與第一較佳實施例相同，在此不加以贅述。

上述步驟(3)塗佈處理，係將感光液態光阻以浸塗或噴塗的方式，對天線本體20的表面塗佈一光阻保護層22。其中，上述光阻保護層22感光液態光阻可選自於正型或負型光阻的其中一種。

上述步驟(4)曝光/顯影處理70係利用雷射或紫外光源，依特定立體曝光線路圖形26的區域或位置，直接照射於光阻保護層22上，使光阻內部產生化學反應；再利用顯影劑將光阻溶解除去，形成圖案化光阻保護層23，而除去光阻的區域即為裸露的天線本體20，則作為後續金屬化處理的圖案化線路區域24。

於一較佳實施例中，上述立體曝光線路圖形26可選自於圖案化立體光罩或直接掃瞄圖形的其中一種。

上述步驟(5)金屬化處理，係利用濺鍍(Sputtering)或蒸鍍(Evaporation)方式使金屬沈積於天線本體20表面形成圖案化線路區域24。其中，上述沈積金屬可選自於鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、錫(Sn)、銅(Cu)的其中一種或其複合材料的其中一種。

此外，上述步驟(3)金屬化處理亦可利用亞錫離子敏化及鈀離子活化方式，使天線本體20表面活化形成圖案化線路區域24。其中，上述敏化處理，係將氯化亞錫混合酸性溶液中的亞錫離子(Sn²⁺ )，滲入天線本體20表面多孔凹穴內部達到吸附作用；上述活化處理，係將氯化鈀混合酸性溶液中的鈀離子(Pd²⁺ )繼續植入反應形成一活性金屬微粒，以利後續進行化學鍍層處理時能產生催化金屬沈積作用。

上述步驟(6)剝除處理，係利用有機溶劑去除上述天線本體20表面的圖案化光阻保護層23，並同時除去圖案化光阻保護層23表面之金屬沈積物。

上述步驟(7)化學鍍層處理，係利用無電鍍方式把溶液中的金屬離子藉由化學催化反應，使沈積於經活化的圖案化線路區域24上，形成線路增厚層25。上述鍍層金屬可選自於鎳(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉻(Cr)的其中一種或以上複合金屬的其中一種。

現請參閱第9圖所示應用本發明製造方法完成之結構化天線與訊號傳輸線連接示意圖，該天線本體10係設有一訊號傳輸線80，其內部設有一中心導體81及一接地導體82，上述中心導體81連接至上述線路增厚層15上的饋入點A，而上述接地導體82連接至上述線路增厚層15上的接地點B，以上構成一傳遞或接收無線訊號的天線組件，可裝置於行動型電腦或其他無線通訊產品上。

請參閱第10圖及第13圖所示，於第三較佳實施例中，本發明三維LED承載座電路的製造方法，其包含以下步驟：

(1)　提供一三維立體結構的LED承載座本體30；

(2)　對LED承載座本體30進行表面前處理；

(3)　對LED承載座本體30表面進行金屬化處理，沈積形成一金屬薄膜層31；

(4)　對金屬薄膜層31表面進行光阻塗佈處理，形成一光阻保護層32；

(5)　對光阻保護層32進行曝光/顯影處理70，形成一圖案化光阻保護層33；

(6)　對顯露的金屬薄膜層31進行蝕刻處理71，形成一圖案化線路層34；

(7)　剝除圖案化線路層34上的圖案化光阻保護層33；以及

(8)　圖案化線路層34表面進行化學鍍層處理，形成一線路增厚層35。

其中，上述步驟(2)至步驟(8)的LED承載座本體30處理方式與第一較佳實施例相同，在此不加以贅述。

請參閱第14圖及第17圖所示，於第四較佳實施例中，本發明三維LED承載座電路的製造方法，其包含以下步驟：

(1)　提供一三維立體結構的LED承載座本體40；

(2)　對LED承載座本體40表面進行前處理；

(3)　對LED承載座本體40表面進行塗佈處理，形成一光阻保護層42；

(4)　對光阻保護層42進行曝光/顯影處理70，形成一圖案化光阻保護層43；

(5)　對LED承載座本體40表面進行金屬化處理，形成一圖案化線路區域44；

(6)　剝除圖案化光阻保護層43；以及

(7)　對圖案化線路區域44進行化學鍍層處理，形成一線路增厚層45。

其中，上述步驟(2)至步驟(7)的LED承載座本體40處理與第二較佳實施例相同，在此不加以贅述。

請參閱第18圖及第21圖所示，於第五較佳實施例中，本發明三維方向盤電路的製造方法，其包含以下步驟：

(1)　提供一三維立體結構的方向盤本體50；

(2)　對方向盤本體50進行表面前處理；

(3)　對方向盤本體50表面進行金屬化處理，沈積形成一金屬薄膜層51；

(4)　對金屬薄膜層51表面進行光阻塗佈處理，形成一光阻保護層52；

(5)　對光阻保護層52進行曝光/顯影處理70，形成一圖案化光阻保護層53；

(6)　對顯露的金屬薄膜層51進行蝕刻處理71，形成一圖案化線路層54；

(7)　剝除圖案化線路層54上的圖案化光阻保護層53；以及

(8)　圖案化線路層54表面進行化學鍍層處理，形成一線路增厚層55。

其中，上述步驟(2)至步驟(8)的方向盤本體50處理與第一較佳實施例相同，在此不加以贅述。

請參閱第22圖及第25圖所示，於第六較佳實施例中，本發明三維方向盤電路的製造方法，其包含以下步驟：

(1)　提供一三維立體結構的方向盤本體60；

(2)　對方向盤本體60表面進行前處理；

(3)　對方向盤本體60表面進行塗佈處理，形成一光阻保護層62；

(4)　對光阻保護層62進行曝光/顯影處理70，形成一圖案化光阻保護層63；

(5)　對方向盤本體60表面進行金屬化處理，形成一圖案化線路區域64；

(6)　剝除圖案化光阻保護層63；以及

(7)　對圖案化線路區域64進行化學鍍層處理，形成一線路增厚層65。

其中，上述步驟(2)至步驟(7)的方向盤本體60處理與第二較佳實施例相同，在此不加以贅述。

由前述六個實施例中不難發現本發明三維電路的製造方法可選用於天線、LED承載座、方向盤、電路基板、連接器、電子裝置等各種不同造型之立體結構物，節省本體所需空間。

綜上所述，本發明三維電路的製造方法可使三維立體結構物本體具有一立體佈線電路，該電路的金屬線路層可選擇性成形於本體的任何立體面，可達到圖案化線路的電路佈局設計，可廣泛應用於天線、LED承載座、方向盤、電路基板、連接器、電子裝置等各種不同造型之立體結構物本體表面，而無須在本體內部額外設置一電路載體，進而縮小本體體積來滿足輕、薄、短、小的需求。

以上所舉實施例，僅用為方便說明本發明並非加以限制，在不離本新型精神範疇，熟悉此一行業技藝人士依本發明申請專利範圍及發明說明所作之各種簡易變形與修飾，均仍應含括於以下申請專利範圍中。

10、20．．．天線本體

30、40．．．LED承載座本體

50、60．．．方向盤本體

11、31、51．．．金屬薄膜層

12、22、32、42、52、62．．．光阻保護層

13、23、33、43、53、63．．．圖案化光阻保護層

14、34、54．．．圖案化線路層

24、44、64．．．圖案化線路區域

15、25、35、45、55、65．．．線路增厚層

16、26、36、46、56、66．．．立體曝光線路圖形

70．．．曝光/顯影處理

71．．．蝕刻處理

80．．．訊號傳輸線

81．．．中心導體

82．．．接地導體

A．．．饋入點

B．．．接地點

第1圖係本發明天線本體的製造流程圖；

第2圖至第4圖係第1圖應用於天線本體製造的結構示意圖；

第5圖係本發明天線本體的另一製造流程圖：

第6圖至第8圖係第5圖應用於天線本體製造的結構示意圖；

第9圖係本發明製成天線本體與訊號傳輸線連接的示意圖；

第10圖至第13圖係本發明LED承載座本體製造流程的結構示意圖；

第14圖至第17圖係本發明LED承載座本體另一製造流程的結構示意圖；

第18圖至第21圖係本發明方向盤本體製造流程的結構示意圖；以及

第22圖至第25圖係本發明方向盤本體另一製造流程的結構示意圖。

Claims (16)

1. 一種三維電路的製造方法，包括以下步驟：(1)提供一三維立體結構的本體；(2)對上述本體進行表面前處理，上述表面前處理包括表面脫脂及粗化；(3)對上述本體表面進行濺鍍金屬化處理，沈積形成一金屬薄膜層；(4)對上述金屬薄膜層表面進行光阻塗佈處理，形成一光阻保護層；(5)對上述光阻保護層進行曝光/顯影處理，其中，上述曝光/顯影處理係利用雷射或紫外光源，依特定立體曝光線路圖形的區域或位置直接照射於光阻保護層上，又上述立體曝光線路圖形選自於直接掃描圖形，形成一圖案化光阻保護層；(6)對顯露的金屬薄膜層進行蝕刻處理，形成圖案化線路層；(7)剝除上述圖案化線路層上的光阻保護層；以及對上述圖案化線路層表面進行化學鍍層處理，形成一線路增厚層。
2. 如申請專利範圍第1項所述三維電路的製造方法，其中，上述本體選自於天線、LED承載座、電路基板、連接器、電子裝置或方向盤的其中一種立體結構。
3. 如申請專利範圍第1項所述三維電路的製造方法，其中，上述本體係利用射出成型或燒結成型的其中一種方法所製成。
4. 如申請專利範圍第1項所述三維電路的製造方法，其 中，上述本體選自於高分子材料或陶瓷材料的其中一種。
5. 如申請專利範圍第4項所述三維電路的製造方法，其中，上述高分子材料設為聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚醯胺(PA6/6T)、尼龍(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一種或以上複合材料的其中一種；以及上述陶瓷材料設為氧化鋁、氧化鋯、氮化矽、碳化矽、鈦酸鋇的其中一種或以上複合材料的其中一種。
6. 如申請專利範圍第1項所述三維電路的製造方法，其中，上述金屬化處理，係利用濺鍍方式，使金屬沈積於本體表面形成金屬薄膜層；上述沈積金屬選自於鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、錫(Sn)、銅(Cu)的其中一種或以上複合金屬的其中一種。
7. 如申請專利範圍第1項所述三維電路的製造方法，其中，上述光阻塗佈處理，係將感光液態光阻以浸塗或噴塗的方式，對金屬薄膜層的表面塗佈一光阻保護層，上述光阻保護層的感光液態光阻選自於正型或負型光阻的其中一種。
8. 如申請專利範圍第1項所述三維電路的製造方法，其中，上述化學鍍層金屬選自於鎳(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉻(Cr)、鈀(Pd)的其中一種或以上複合金屬的其中一種。
9. 一種三維電路的製造方法，包括以下步驟：(1)提供一三維立體結構的本體；(2)對上述本體進行表面前處理，上述表面前處理包括表面脫脂及粗化；(3)對上述本體表面進行塗佈處理，形成一光阻保護層；(4)對上述光阻保護層進行曝光/顯影處理，其中，上述曝光/顯影處理係利用雷射或紫外光源，依特定立體曝光線路圖形的區域或位置，直接照射於光阻保護層上，又上述立體曝光線路圖形選自於直接掃描圖形，形成一圖案化光阻保護層；(5)對上述本體表面進行濺鍍金屬化處理，形成一圖案化線路區域；(6)剝除上述圖案化光阻保護層；以及(7)對上述圖案化線路區域進行化學鍍層處理，形成一線路增厚層。
10. 如申請專利範圍第9項所述三維電路的製造方法，其中，上述本體選自於天線、LED承載座、電路基板、連接器、電子裝置或方向盤的其中一種立體結構。
11. 如申請專利範圍第9項所述三維電路的製造方法，其中，上述本體係利用射出成型或燒結成型的其中一種方法所製成。
12. 如申請專利範圍第9項所述三維電路的製造方法，其中，上述本體選自於高分子材料或陶瓷材料的其中一種。
13. 如申請專利範圍第12項所述三維電路的製造方法，其中，上述高分子材料設為聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚醯胺(PA6/6T)、尼龍(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一種或以上複合材料的其中一種；以及上述陶瓷材料設為氧化鋁、氧化鋯、氮化矽、碳化矽、鈦酸鋇的其中一種或以上複合材料的其中一種。
14. 如申請專利範圍第9項所述三維電路的製造方法，其中，上述光阻塗佈處理，係將感光液態光阻以浸塗或噴塗的方式，對本體的表面塗佈一光阻保護層，上述光阻保護層的感光液態光阻選自於正型或負型光阻的其中一種。
15. 如申請專利範圍第9項所述三維電路的製造方法，其中，上述金屬化處理，係利用濺鍍方式使金屬沈積於本體表面形成圖案化線路區域；上述沈積金屬選自於鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、錫(Sn)、銅(Cu)的其中一種或其複合材料的其中一種。
16. 如申請專利範圍第9項所述三維電路的製造方法，其中，上述化學鍍層金屬選自於鎳(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉻(Cr)、鈀(Pd)的其中一種或以上複合金屬的其中一種。