CN102892252B

CN102892252B - 三维电路的制造方法

Info

Publication number: CN102892252B
Application number: CN201110202041.5A
Authority: CN
Inventors: 胡泉凌; 陈誉尉
Original assignee: LIANTAO ELECTRONIC CO Ltd
Current assignee: Kunshan Liantao Electronics Co Ltd
Priority date: 2011-07-19
Filing date: 2011-07-19
Publication date: 2015-08-05
Anticipated expiration: 2031-07-19
Also published as: CN102892252A

Abstract

本发明涉及一种三维电路的制造方法，包含有：提供一三维立体结构的本体；对本体进行表面脱脂及粗化处理；对本体表面进行金属化处理，沉积形成金属薄膜层；对金属薄膜层表面进行光阻涂布处理，形成光阻保护层；对光阻保护层进行曝光/显影处理，形成图案化光阻保护层；对显露的金属薄膜层进行蚀刻处理，形成图案化线路层；剥除图案化线路层上的光阻保护层；对图案化线路层表面进行化学镀层处理，形成线路增厚层。如此即可在三维立体结构的本体上直接形成一立体布线的电路图案，而无须在本体上额外设置一电路载体，以满足轻、薄、短、小的需求。

Description

三维电路的制造方法

技术领域

本发明有关一种三维电路的制造方法，特别是指在三维立体结构的本体表面上形成立体图案化金属线路的制造方法。

背景技术

现今无线通讯技术的快速发展，相关性电子通讯产品越来越重视讯号传送质量以及满足轻、薄、短、小的需求。然而，各种行动影像通讯产品(例如平板计算机、手机等)会依照不同的产品外观及内部结构差异，需配合设计出不同的天线本体结构及其线路形式，以满足通讯装置的小型化需求。

在已知技术而言，利用雷射直接成型(Laser Direct Structuring，LDS)将一些特殊可雷射活化的塑料，射出成型为一预定的本体结构，然后再利用特定波长的雷射，将塑料内掺入的金属晶粒予以活化，同时定义出线路图案，最后再进行金属化制程。该技术常被应用于手机、行动式计算机装置天线或发光二极管模块以及汽车装置等产品上。

然而，LDS塑料必须掺杂金属催化剂，而且须针对不同材质的塑料及材料特性，掺杂不同成分比例的金属催化剂，造成雷射活化的条件不同，必须重新调整雷射波长与金属化的控制参数，因此，LDS制程须采取特定波长的雷射设备以及设置不同条件的金属化设备或控制参数，也使得设备与制造成本较为昂贵。

此外，在雷射建构操作中，因为本体表面温度升高造成部分本体表面金属晶粒被移除或破坏，甚至沉积在本体表面的非期望线路区域，降低后续金属化制程对沉积导体线路结构的选择性，导致相邻电子组件间的电路短路问题。为防止短路问题发生，雷射建构的电路路径间距必须加以控制，避免后续进行金属化制程中产生任何不良问题。不过，当解决该问题时，常会导致电路密度不足的缺点。

因此，需要提供一种三维电路的制造方法，以解决先前技术的不足与缺点。

发明内容

本发明的主要目的，旨在提供一种三维电路的制造方法，使立体结构的本体具有三维立体电路，该电路的金属线路层可选择性成形于本体的任何立体面，可达到图案化线路的电路布局设计，让三维电路可应用于天线、LED承载座、电路基板、连接器、电子装置或方向盘等各种不同造型的立体结构物。

本发明的另一目的在于将三维电路应用于立体天线中，使金属线路层与天线本体具有高附着抗拉性，可直接于天线馈入点处焊接一讯号传输线构成电性连接，达成接收或传送讯号的目的。

为达到所述目的，于一较佳实施例中，本发明三维电路的制造方法包含以下制造步骤：

(1)提供一三维立体结构的本体；

(2)对本体进行表面前处理；

(3)对本体表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层；

(4)对金属薄膜层表面进行光阻涂布处理，形成一光阻保护层；

(5)对光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层；

(6)对显露的金属薄膜层进行蚀刻处理，形成一图案化线路层；

(7)剥除图案化线路层上的光阻保护层；以及

(8)对图案化线路层表面进行化学镀层处理，形成一线路增厚层。

本发明三维电路的制造方法中的本体可选自天线、LED承载座、方向盘、电路基板、连接器、电子装置等各种不同造型的立体结构物。

其中，上述本体可选自于高分子材料或陶瓷材料的其中一种，上述高分子材料可设为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺(PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一种或以上复合材料的其中一种；另上述陶瓷材料可设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、钛酸钡的其中一种或以上复合材料的其中一种。此外，上述本体是利用射出成型或烧结成型的其中一种方法所制成。

上述表面前处理包括表面脱脂及粗化处理，使改质成为亲水性的多孔表面，利于提升后续本体与金属镀层的固着力。

上述金属化处理，是利用溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evaporation)方式，使金属沉积于本体表面形成金属薄膜层。其中，上述金属薄膜层可选自于镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或以上复合金属的其中一种。

此外，上述金属化处理亦可利用亚锡离子敏化及钯离子活化方式，使本体表面活化形成金属薄膜层，以利后续进行化学镀层处理时能产生催化金属沉积的作用。

上述光阻涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对金属薄膜层的表面涂布一光阻保护层。其中，上述光阻保护层的感光液态光阻可选自于正型或负型光阻的其中一种。

上述曝光/显影处理，是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形的区域或位置，直接照射于光阻保护层上，使光阻内部产生化学反应；再利用显影剂将光阻溶解除去，形成图案化光阻保护层。其中，上述立体曝光线路图形可选自于图案化立体光罩或直接扫瞄图形的其中一种。

上述化学镀层处理，可利用无电镀方式把溶液中的金属离子藉由化学催化反应，使沉积于图案化线路层上，形成线路增厚层。其中，上述线路增厚层可选自于镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)的其中一种或以上复合金属的其中一种。

于另一较佳实施例中，本发明揭露三维电路的制造方法包括以下的步骤：

(1)提供一三维立体结构的本体；

(2)对本体进行表面前处理；

(3)对本体表面进行涂布处理，形成一光阻保护层；

(4)对光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层；

(5)对本体表面进行金属化处理，形成一图案化线路区域；

(6)剥除图案化光阻保护层；以及

(7)对图案化线路区域进行化学镀层处理，形成一线路增厚层。

同样地，上述本体可选自天线、LED承载座、方向盘、电路基板、连接器、电子装置等各种不同造型的立体结构物，而上述本体可选自于高分子材料或陶瓷材料的其中一种；可利用射出成型或烧结成型的其中一种方法所制成。

其中，上述高分子材料可设为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺(PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一种或以上复合材料的其中一种；以及上述陶瓷材料可设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、钛酸钡的其中一种或以上复合材料的其中一种。

上述光阻涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对本体的表面涂布一光阻保护层。其中，上述光阻保护层的感光液态光阻可选自于正型或负型光阻的其中一种。

上述曝光/显影处理是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形的区域或位置，直接照射于光阻保护层上，使光阻内部产生化学反应；再利用显影剂将光阻溶解除去，形成图案化光阻保护层，而除去光阻的区域即为裸露的本体，则作为后续金属化处理的图案化线路区域。其中，上述立体曝光线路图形可选自于图案化立体光罩或直接扫瞄图形的其中一种。

上述金属化处理是利用溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evaporation)方式，使金属沉积于本体表面形成图案化线路区域。其中，上述金属化处理可选自于镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或以上复合金属的其中一种。此外，上述金属化处理亦可利用亚锡离子敏化及钯离子活化方式，使本体表面活化形成图案化线路区域，以利后续进行化学镀层处理时能产生催化金属沉积的作用。

上述化学镀层处理，可利用无电镀方式把溶液中的金属离子藉由化学催化反应，使沉积于经活化的图案化线路区域上，形成线路增厚层。上述化学镀层处理可选自于镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)的其中一种或以上复合金属的其中一种。

经由上述两较佳实施例所揭露的三维电路的制造方法，使得本发明可以具有以下的优点：

1.可采用一般塑料材料作为本体基材，不须采用特殊含有金属触媒混合的非一般性材料，因此材料选择性高且取得成本较低。

2.可达到良好线路尺寸精度及导体密度，维持天线阻抗匹配的稳定性。

3.可弹性制作出复杂的三维立体线路图案，不会受限于传统模具几何机械加工限制或复杂线路结构造成加工时间及成本的提高。

4.本体与金属线路图案属于整体结构及具有较佳黏结强度，可避免习知天线塑料本体与金属导体片独立制造后须再组装的程序，消除组装失误或碰撞造成塑料本体与金属导体片分离的问题。

附图说明

图1是本发明天线本体的制造流程图；

图2至图4是图1应用于天线本体制造的结构示意图；

图5是本发明天线本体的另一制造流程图：

图6至图8是图5应用于天线本体制造的结构示意图；

图9是本发明制成天线本体与讯号传输线连接的示意图；

图10至图13是本发明LED承载座本体制造流程的结构示意图；

图14至图17是本发明LED承载座本体另一制造流程的结构示意图；

图17至图21是本发明方向盘本体制造流程的结构示意图；以及

图22至图25是本发明方向盘本体另一制造流程的结构示意图。

【主要组件符号说明】

天线本体......10 图案化线路区域......17

LED承载座本体......20 曝光/显影处理......70、

方向盘本体......30 蚀刻处理......71

金属薄膜层......11 讯号传输线......80

光阻保护层......12 中心导体......81

图案化光阻保护层......13 接地导体......82

图案化线路层......14 馈入点......A

线路增厚层......15 接地点......B

立体曝光线路图形......16

具体实施方式

为便于更进一步对本发明的构造、使用及其特征有更深一层明确详实的认识与了解，现举出较佳实施例，配合附图详细说明如下：

首先，请参阅图1的流程图以及图2至图4所示的结构图，于第一较佳实施例中，本发明三维天线电路的制造方法，其包含以下步骤：

(1)提供一三维立体结构的天线本体10；

(2)对天线本体10进行表面前处理；

(3)对天线本体10表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层11；

(4)对金属薄膜层11表面进行光阻涂布处理，形成一光阻保护层12；

(5)对光阻保护层12进行曝光/显影处理70，形成一图案化光阻保护层13；

(6)对显露的金属薄膜层11进行蚀刻处理71，形成一图案化线路层14；

(7)剥除图案化线路层14上的图案化光阻保护层13；

(8)图案化线路层14表面进行化学镀层处理，形成一线路增厚层15。

其中，上述步骤(1)立体结构的天线本体10是利用射出成型或烧结成型的其中一种方法所制成。上述天线本体10可选自于高分子材料或陶瓷材料的其中一种。其中，上述高分子材料可设为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺(PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一种或以上复合材料的其中一种；另外，上述陶瓷材料可设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、钛酸钡的其中一种或以上复合材料的其中一种。

上述步骤(2)表面前处理包括表面脱脂及粗化处理，是利用酸性或碱性清洁剂去除天线本体10表面的脏污、油脂，以及利用机械刷磨、化学蚀刻或电浆等相当程度的粗化处理，使改质成为亲水性的多孔表面，利于提升后续天线本体10与金属镀层的固着力。

上述步骤(3)金属化处理，是利用溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evaporation)方式使金属沉积于天线本体10表面形成金属薄膜层11。其中，上述金属薄膜层11可选自于镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或其复合材料的其中一种。

此外，上述步骤(3)金属化处理亦可利用亚锡离子敏化及钯离子活化方式，使天线本体10表面活化形成金属薄膜层11。其中，上述敏化处理，是将氯化亚锡混合酸性溶液中的亚锡离子(Sn²⁺)，渗入天线本体10表面多孔凹穴内部达到吸附作用；上述活化处理，是将氯化钯混合酸性溶液中的钯离子(Pd²⁺)继续植入反应形成一活性金属微粒，以利后续进行化学镀层处理时能产生催化金属沉积作用。

上述步骤(4)光阻涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对金属薄膜层11的表面涂布一光阻保护层12。其中，上述光阻保护层12的感光液态光阻可选自于正型或负型光阻的其中一种。

上述步骤(5)曝光/显影处理70是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形16的区域或位置，直接照射于光阻保护层12上，使光阻内部产生化学反应；再利用显影剂将光阻溶解除去，形成图案化光阻保护层13。

于一较佳实施例中，上述立体曝光线路图形16可选自于图案化立体光罩或直接扫瞄图形的其中一种。

上述步骤(6)蚀刻处理71，是利用化学蚀刻溶液，溶蚀去除裸露且未受光阻保护的金属薄膜层11，形成图案化光阻保护层13下的图案化线路层14。

上述步骤(7)剥除处理，是利用有机溶剂去除上述图案化光阻保护层13，使图案化线路层14裸露出来，作为后续化学镀层处理的基层。

上述步骤(8)化学镀层处理，是利用无电镀方式把溶液中的金属离子藉由化学催化反应，使沉积于图案化线路层14上，形成线路增厚层15。上述线路增厚层15可选自于镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)的其中一种或以上复合金属的其中一种。

再来，请参阅图5的流程图以及图6至图8所示的结构图，于第二较佳实施例中，本发明三维天线电路的制造方法，其包含以下步骤：

(1)提供一三维立体结构的天线本体10；

(2)对天线本体10表面进行前处理；

(3)对天线本体10表面进行涂布处理，形成一光阻保护层12；

(4)对光阻保护层12进行曝光/显影处理70，形成一图案化光阻保护层13；

(5)对天线本体10表面进行金属化处理，形成一图案化线路区域17；

(6)剥除图案化光阻保护层13；

(7)对图案化线路区域17进行化学镀层处理，形成一线路增厚层15。

其中，上述步骤(1)立体结构的天线本体10成型方式以及选用材料皆与第一较佳实施例相同，在此不加以赘述。

上述步骤(2)的表面前处理同样与第一较佳实施例相同，在此不加以赘述。

上述步骤(3)涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对天线本体10的表面涂布一光阻保护层12。其中，上述光阻保护层12感光液态光阻可选自于正型或负型光阻的其中一种。

上述步骤(4)曝光/显影处理70是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形16的区域或位置，直接照射于光阻保护层12上，使光阻内部产生化学反应；再利用显影剂将光阻溶解除去，形成图案化光阻保护层13，而除去光阻的区域即为裸露的天线本体10，则作为后续金属化处理的图案化线路区域17。

上述步骤(5)金属化处理，是利用溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evaporation)方式使金属沉积于天线本体10表面形成图案化线路区域17。其中，上述金属化处理可选自于镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或其复合材料的其中一种。

此外，上述步骤(5)金属化处理亦可利用亚锡离子敏化及钯离子活化方式，使天线本体10表面活化形成图案化线路区域17。其中，上述敏化处理，是将氯化亚锡混合酸性溶液中的亚锡离子(Sn²⁺)，渗入天线本体10表面多孔凹穴内部达到吸附作用；上述活化处理，是将氯化钯混合酸性溶液中的钯离子(Pd²⁺)继续植入反应形成一活性金属微粒，以利后续进行化学镀层处理时能产生催化金属沉积作用。

上述步骤(6)剥除处理，是利用有机溶剂去除上述天线本体10表面的图案化光阻保护层13，并同时除去图案化光阻保护层13表面的金属沉积物。

上述步骤(7)化学镀层处理，是利用无电镀方式把溶液中的金属离子藉由化学催化反应，使沉积于经活化的图案化线路区域17上，形成线路增厚层15。上述化学镀层处理可选自于镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)的其中一种或以上复合金属的其中一种。

现请参阅图9所示应用本发明制造方法完成的结构化天线与讯号传输线连接示意图，该天线本体10是设有一讯号传输线80，其内部设有一中心导体81及一接地导体82，上述中心导体81连接至上述线路增厚层15上的馈入点A，而上述接地导体82连接至上述线路增厚层15上的接地点B，以上构成一传递或接收无线讯号的天线组件，可装置于行动型计算机或其它无线通讯产品上。

请参阅图10及图13所示，于第三较佳实施例中，本发明三维LED承载座电路的制造方法，其包含以下步骤：

(1)提供一三维立体结构的LED承载座本体20；

(2)对LED承载座本体20进行表面前处理；

(3)对LED承载座本体20表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层11；

(7)剥除图案化线路层14上的图案化光阻保护层13；以及

其中，上述步骤(2)至步骤(8)的LED承载座本体20处理方式与第一较佳实施例相同，在此不加以赘述。

请参阅图14及图17所示，于第四较佳实施例中，本发明三维LED承载座电路的制造方法，其包含以下步骤：

(1)提供一三维立体结构的LED承载座本体20；

(2)对LED承载座本体20表面进行前处理；

(3)对LED承载座本体20表面进行涂布处理，形成一光阻保护层12；

(5)对LED承载座本体20表面进行金属化处理，形成一图案化线路区域17；

(6)剥除图案化光阻保护层13；以及

其中，上述步骤(2)至步骤(7)的LED承载座本体20处理与第二较佳实施例相同，在此不加以赘述。

请参阅图18及图21所示，于第五较佳实施例中，本发明三维方向盘电路的制造方法，其包含以下步骤：

(1)提供一三维立体结构的方向盘本体30；

(2)对方向盘本体30进行表面前处理；

(3)对方向盘本体30表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层11；

(7)剥除图案化线路层14上的图案化光阻保护层13；以及

其中，上述步骤(2)至步骤(8)的方向盘本体30处理与第一较佳实施例相同，在此不加以赘述。

请参阅图22及图25所示，于第六较佳实施例中，本发明三维方向盘电路的制造方法，其包含以下步骤：

(1)提供一三维立体结构的方向盘本体30；

(2)对方向盘本体30表面进行前处理；

(3)对方向盘本体30表面进行涂布处理，形成一光阻保护层12；

(5)对方向盘本体30表面进行金属化处理，形成一图案化线路区域17；

(6)剥除图案化光阻保护层13；以及

其中，上述步骤(2)至步骤(7)的方向盘本体30处理与第二较佳实施例相同，在此不加以赘述。

由前述六个实施例中不难发现本发明三维电路的制造方法可选用于天线、LED承载座、方向盘、电路基板、连接器、电子装置等各种不同造型的立体结构物，节省本体所需空间。

综上所述，本发明三维电路的制造方法可使三维立体结构物本体具有一立体布线电路，该电路的金属线路层可选择性成形于本体的任何立体面，可达到图案化线路的电路布局设计，可广泛应用于天线、LED承载座、方向盘、电路基板、连接器、电子装置等各种不同造型的立体结构物本体表面，而无须在本体内部额外设置一电路载体，进而缩小本体体积来满足轻、薄、短、小的需求。

以上所举实施例仅用为方便说明本发明并非加以限制，在不离本发明精神范畴，熟悉本行业技术人员所可作的各种简易变形与修饰，均仍应含括于本发明专利保护的范围内。

Claims

1.一种三维电路的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一三维立体结构的本体；

(2)对上述本体进行表面脱脂及粗化处理的表面前处理；

(3)对上述本体表面进行溅镀、蒸镀或亚锡离子敏化及钯离子活化的金属化处理，沉积形成一金属薄膜层；

(4)对上述金属薄膜层表面进行光阻涂布处理，形成一光阻保护层；

(5)对上述光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层，所述曝光/显影处理是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形的区域或位置直接照射于光阻保护层上，又上述立体曝光线路图形选自于图案化立体光罩或直接扫瞄图形的其中一种；

(6)对显露的金属薄膜层进行蚀刻处理，形成图案化线路层；

(7)剥除上述图案化线路层上的光阻保护层；以及对上述图案化线路层表面进行化学镀层处理，形成一线路增厚层。

2.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于天线、LED承载座、电路基板、连接器、电子装置或方向盘的其中一种立体结构。

3.根据权利要求2所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体是利用射出成型或烧结成型的其中一种方法所制成。

4.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于高分子材料或陶瓷材料的其中一种。

5.根据权利要求4所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述高分子材料设为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺(PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一种或以上复合材料的其中一种；以及上述陶瓷材料设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、钛酸钡的其中一种或以上复合材料的其中一种。

6.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述金属薄膜层选自于镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或以上复合金属的其中一种。

7.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述光阻涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对金属薄膜层的表面涂布一光阻保护层，上述光阻保护层的感光液态光阻选自于正型或负型光阻的其中一种。

8.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述线路增厚层选自于镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)、钯(Pd)的其中一种或以上复合金属的其中一种。

9.一种三维电路的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一三维立体结构的本体；

(2)对上述本体进行表面脱脂及粗化处理的表面前处理；

(3)对上述本体表面进行涂布处理，形成一光阻保护层；

(4)对上述光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层，所述曝光/显影处理是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形的区域或位置直接照射于光阻保护层上，又上述立体曝光线路图形选自于图案化立体光罩或直接扫瞄图形的其中一种；

(5)对上述本体表面进行溅镀、蒸镀或亚锡离子敏化及钯离子活化的金属化处理，形成一图案化线路区域；

(6)剥除上述图案化光阻保护层；以及

(7)对上述图案化线路区域进行化学镀层处理，形成一线路增厚层。

10.根据权利要求9所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于天线、LED承载座、电路基板、连接器、电子装置或方向盘的其中一种立体结构。

11.根据权利要求9所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体是利用射出成型或烧结成型的其中一种方法所制成。

12.根据权利要求9所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于高分子材料或陶瓷材料的其中一种。

13.根据权利要求12所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述高分子材料设为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺(PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一种或以上复合材料的其中一种；以及上述陶瓷材料设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、钛酸钡的其中一种或以上复合材料的其中一种。

14.根据权利要求9所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述光阻涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对本体的表面涂布一光阻保护层，上述光阻保护层的感光液态光阻选自于正型或负型光阻的其中一种。

15.根据权利要求9所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述金属化处理选自于镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或其复合材料的其中一种。

16.根据权利要求9所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述化学镀层处理选自于镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)、钯(Pd)的其中一种或以上复合金属的其中一种。