TWI661339B - 觸控面板用導電性積層體、觸控面板、透明導電性積層體 - Google Patents

Abstract

本發明提供觸控面板用導電性積層體、觸控面板和透明導電性積層體，其包含基板和圖案狀金屬層，從基板側視認時，圖案狀金屬層被視認為更黑的黑色。本發明的觸控面板用導電性積層體具有：基板，該基板具有2個主面；圖案狀被鍍覆層，其配置在基板的至少一個主面上，具有與金屬離子相互作用的官能團；以及圖案狀金屬層，其配置在圖案狀被鍍覆層上；在圖案狀被鍍覆層中包含構成圖案狀金屬層的金屬成分；使用能量分散型X射線分析法對圖案狀被鍍覆層和圖案狀金屬層的斷面進行組成分析時，相對於構成圖案狀金屬層的金屬成分來源的平均峰強度，圖案狀被鍍覆層所含有的上述金屬成分來源的平均峰強度的比為0.5~0.95。

Description

觸控面板用導電性積層體、觸控面板、透明導電性積層體

本發明涉及觸控面板用導電性積層體、觸控面板和透明導電性積層體。

在基板上形成了金屬細線的導電性積層體被廣泛用於各種顯示裝置的電磁波遮罩材料、觸控面板、透明面狀發熱體等中。特別是近年來在行動電話或便攜遊戲機等中，觸控面板的搭載率攀升，對於能夠多點檢出的靜電容量方式觸控面板用的導電性積層體的需求急速擴大。

另外，作為形成金屬層的技術，已知有鍍覆法，例如在專利文獻1中公開了一種具有覆膜和圖案狀金屬層的透明導電膜，該覆膜是含有無電解鍍覆催化劑的感光性材料通過隔著光掩模的曝光而以特定圖案形成的覆膜，該圖案狀金屬層是在該覆膜上通過無電解鍍覆進行成膜而成的。另外，在專利文獻1的實施例欄中，作為無電解鍍覆催化劑使用了膠體鈀(鈀粒子)。

〔現有技術文獻〕

〔專利文獻〕

專利文獻1：日本特開平11-170421號公報

近年來，隨著要求提高觸控面板的視認性，人們正在尋求通過觸控面板中的金屬層(金屬配線層)來抑制外光反射，為了滿足這樣的特性，要求金屬層被視認為更黑的黑色。特別是作為觸控面板中的感測器電極使用由銅構成的網狀(網狀圖案)金屬層的情況下，該要求增強。 另外，在觸控面板中包含具備基板與配置在基板上的圖案狀金屬層的導電性積層體的情況下，基板多配置在視認側。

本發明人對於專利文獻1記載的通過使用膠體鈀的鍍覆法形成的圖案狀金屬層(圖案狀銅層)的特性進行評價，結果在從覆膜側視認時，圖案狀金屬層的色調稍有顏色，要求進一步的黑色化。

鑒於上述情況，本發明的課題在於提供一種觸控面板用導電性積層體，其包含基板和圖案狀金屬層，在從基板側視認時，圖案狀金屬層被視認為更黑的黑色。

此外，本發明的課題還在於提供含有上述觸控面板用導電性積層體的觸控面板和透明導電性積層體。

本發明人對於現有技術的問題進行了深入研究，結果發現，通過在基板上配置有包含特定成分的組合物形成的被鍍覆層，在該被鍍覆層上賦予金屬離子並實施鍍覆處理來形成金屬層，能夠解決上述課題。

即，本發明人發現通過下述構成能夠解決上述課題。

(1)一種觸控面板用導電性積層體，其具有：基板，該基板具有2個主面；圖案狀被鍍覆層，其配置在基板的至少一個主面上，具有與金屬離子相互作用的官能團；以及 圖案狀金屬層，其配置在圖案狀被鍍覆層上；在圖案狀被鍍覆層中包含構成圖案狀金屬層的金屬成分；使用能量分散型X射線分析法對圖案狀被鍍覆層和圖案狀金屬層的斷面進行組成分析時，相對於構成圖案狀金屬層的金屬成分來源的平均峰強度，圖案狀被鍍覆層所含有的金屬成分來源的平均峰強度的比為0.5~0.95。

(2)如(1)所述的觸控面板用導電性積層體，其中，在基板的2個主面上分別配置圖案狀被鍍覆層和圖案狀金屬層。

(3)一種觸控面板用導電性積層體，其依敘述順序具有基板、圖案狀樹脂層以及圖案狀金屬層，該基板具有2個主面，該圖案狀樹脂層配置在基板的至少一個主面上，該圖案狀金屬層配置在圖案狀樹脂層上；其中，該觸控面板用導電性積層體滿足下述要件A和要件B的至少一者。

要件A：自圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面起在上述圖案狀樹脂層側方向的500nm的表層區域中存在平均粒徑為10~1000nm的金屬粒子。

要件B：圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面具有凹凸形狀，凹凸形狀的算術平均粗糙度Ra為5~1000nm，凹凸形狀的凹部間的平均距離為10~1000nm。

(4)如(1)~(3)的任一項所述的觸控面板用導電性積層體，其中，基板為玻璃基板或樹脂基板。

(5)如(1)~(4)的任一項所述的觸控面板用導電性積層體，其中，與基板的主面相鄰地配置底塗層。

(6)如(1)~(5)的任一項所述的觸控面板用導電性積層體，其中，圖案狀金屬層包含銅。

(7)一種觸控面板，其包含(1)~(6)的任一項所述的觸控面板用導電性積層體。

(8)一種透明導電性積層體，其具有：基板，該基板具有2個主面；圖案狀被鍍覆層，該圖案狀被鍍覆層配置在基板的至少一個主面上，並且具有與金屬離子相互作用的官能團；以及圖案狀金屬層，該圖案狀金屬層配置在圖案狀被鍍覆層上；在圖案狀被鍍覆層中包含構成圖案狀金屬層的金屬成分；使用能量分散型X射線分析法對圖案狀被鍍覆層和圖案狀金屬層的斷面進行組成分析時，相對於構成圖案狀金屬層的金屬成分來源的平均峰強度，圖案狀被鍍覆層所含有的金屬成分來源的平均峰強度的比為0.50~0.95。

根據本發明，能夠提供一種觸控面板用導電性積層體，其包含基板和圖案狀金屬層，在從基板側視認時，圖案狀金屬層被視認為更黑的黑色(換言之，該觸控面板用導電性積層體的圖案狀金屬層的背面(基板側的表面)被視認為更黑的黑色)。

此外，本發明還能夠提供含有上述觸控面板用導電性積層體的觸控面板和透明導電性積層體。

100‧‧‧觸控面板用導電性積層體

12‧‧‧基板

22‧‧‧圖案狀金屬層

20‧‧‧圖案狀被鍍覆層

30‧‧‧塗膜

40‧‧‧底塗層

圖1為本發明的觸控面板用導電性積層體的第1實施方式的斷面圖。

圖2為按工藝順序示出本發明的觸控面板用導電性積層體的第1實施方式的製造方法的斷面圖。

圖3為本發明的觸控面板用導電性積層體的第1實施方式的變形例的斷面圖。

圖4(A)為實施例中得到的導電性積層體的斷面的掃描型顯微鏡觀察圖。圖4(B)為利用能量分散型X射線分析法進行導電性積層體的斷面的銅的組成分析的結果。圖4(C)為利用電子能量損失譜分析法進行導電性積層體的斷面的碳組成分析的結果。

以下對本發明的觸控面板用導電性積層體進行詳述。需要說明的是，本說明書中使用“~”表示的數值範圍是指包含“~”前後記載的數值作為下限值和上限值的範圍。

首先，作為本發明的觸控面板用導電性積層體(特別是後述第1實施方式和第2實施方式)的一個實施方式與現有技術比較的特徵之一，可以舉出：在形成圖案狀被鍍覆層之後，在通過鍍覆處理形成圖案狀金屬層時，使用包含顯示出特定pH的鍍覆催化劑或其前體的催化劑賦予液。

在觸控面板用導電性積層體的一個實施方式中，如下文所述，圖案狀金屬層通過對由包含特定成分的組合物形成的圖案被鍍覆層賦予金屬離子並實施鍍覆處理來形成。在利用這樣的方法形成圖案狀金屬層的情況下，在實施鍍覆處理之前首先實施對圖案狀被鍍覆層賦予作為鍍覆催化劑發揮功能的金屬離子的處理。此時，本發明人認識到，儘管使用了包含金屬離子的催化劑賦予液，但根據其pH的不同，其後的鍍覆處理的行為有很大不同。即，在使用顯示出特定pH的催化劑賦 予液的情況下，在其後的鍍覆處理中，在圖案狀被鍍覆層上的特定位置形成金屬層、並形成圖案狀金屬層。在從背面側(圖案狀被鍍覆層側)對這樣的圖案狀金屬層進行觀察時，與比專利文獻1的方式相比，視認為黑色，得到了所期望的效果。作為得到這樣的所期望的效果的原因，可以舉出在圖案狀被鍍覆層中包含構成圖案狀金屬層的金屬成分。更具體地說，在使用上述催化劑賦予液時，圖案狀被鍍覆層中的金屬離子的賦予量增多，通過其後的鍍覆處理容易形成所期望的圖案狀金屬層。此時，儘管詳細原因不明確，但發明人認識到，在圖案狀被鍍覆層中也有構成圖案狀金屬層的金屬成分的析出，對於圖案狀金屬層的視認性帶來影響。

另一方面，在使用pH並非為特定範圍的催化劑賦予液的情況下，可能會產生根本得不到圖案狀金屬層或在圖案狀被鍍覆層以外的部分也有金屬層析出等問題，在觸控面板用途中的應用受到限制。

另外，作為得到本發明效果的其它理由，據認為有如下方面。

如上所述，在金屬成分析出到圖案狀被鍍覆層的情況下，在被鍍覆層表面催化劑金屬或鍍覆的金屬複雜地進入到被鍍覆層中，在所形成的圖案狀金屬層與圖案被鍍覆層的介面形成微細的凹凸形狀。此時，進入到被鍍覆層中的金屬既有在被鍍覆層內部以獨立的金屬粒子的形態存在的情況，又有附著於圖案狀金屬層表面在圖案狀金屬層與被鍍覆層的介面處形成具有凹凸的不規則形狀的情況。在從基板側視認這樣的觸控面板用導電性積層體時，由於上述金屬粒子的存在使得光被吸收或者由於圖案狀金屬層的被鍍覆層側的微細凹凸結構使得光的反射被抑制，從而，作為結果，圖案狀金屬層的背面側被視認為更 黑的黑色。另外，在通過鍍覆處理形成的圖案狀金屬層中，金屬之間緻密地填充，因而導電特性也優異。

此外，在使用上述鍍覆處理的情況下，能夠將製造時的工藝溫度保持在低溫(例如100℃以下)，無需實施在濺射等中實施的高溫加熱處理、能夠抑制對基板的損害。

進而，在上述專利文獻1中，由於在感光性材料中含有粒子狀的無電解鍍覆催化劑，因而為了進行感光性材料的圖案化而照射曝光時，由於粒子狀的無電解鍍覆催化劑而產生散射，無法使所形成的圖案化的線寬度細化。與此相對，在上述本發明的方法中，首先實施被鍍覆層的圖案化，之後賦予金屬離子，因而能夠形成線寬度更細的圖案，作為結果，能夠在該細的圖案狀被鍍覆層上形成線寬度細的圖案狀金屬層。

需要說明的是，在以下的說明書中，圖案狀金屬層被視認為黑色如上所述是指圖案狀金屬層的背面側(圖案狀被鍍覆層側)被視認為黑色。

<<第1實施方式>>

圖1中示出了本發明的觸控面板用導電性積層體的第1實施方式的斷面圖。

觸控面板用導電性積層體(下文中也簡單稱為“積層體”)100具備基板12、圖案狀被鍍覆層20以及圖案狀金屬層22。

下面首先對積層體的製造方法進行詳述，其後對積層體的構成進行詳述。

<積層體的製造方法>

作為上述積層體的製造方法，具有在基板上形成圖案狀被鍍覆層的工序(工序1)以及在圖案狀被鍍覆層上形成圖案狀金屬層的工序(工序2)。

下面對各工序所使用的部件‧材料和其過程進行詳述。

[工序1：圖案狀被鍍覆層形成工序]

工序1為下述工序：對於含有具有與金屬離子相互作用的官能團(下文中也稱為“相互作用性基團”)和聚合性基團的化合物的被鍍覆層形成用組合物以圖案狀賦予能量，在基板上形成圖案狀被鍍覆層。更具體地說為下述工序：首先，如圖2(A)所示，在基板12上形成被鍍覆層形成用組合物的塗膜30，如圖2(B)所示，對於所得到的塗膜30如黑箭頭所示以圖案狀賦予能量，從而促進聚合性基團的反應、進行固化，接著除去未賦予能量的區域，得到圖案狀被鍍覆層20(圖2(C))。

在通過上述工序形成的圖案狀被鍍覆層中，根據相互作用性基團的功能，在後述的工序2中吸附(附著)金屬離子。即，圖案狀被鍍覆層作為金屬離子的良好的受容層發揮功能。此外，聚合性基團通過基於能量賦予的固化處理而被用於化合物之間的結合，能夠得到硬度‧硬度(硬‧硬度)優異的圖案狀被鍍覆層。

下面首先對本工序所使用的部件‧材料進行詳述，其後對工序的過程進行詳述。

(基板)

基板只要具有2個主面、支持後述的圖案狀被鍍覆層即可，對其種類沒有特別限制。作為基板，優選絕緣基板，更具體地說，可以使用樹脂基板、陶瓷基板、玻璃基板、液晶盒玻璃基板等。

作為樹脂基板的材料，例如可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、聚丙烯酸系樹脂、聚氨酯系樹脂、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醯胺、聚芳酯、聚烯烴、纖維素系樹脂、聚氯乙烯、環烯烴系樹脂等。其中優選聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚烯烴。

基板的厚度(mm)沒有特別限制，從處理性和薄型化的平衡的方面考慮，優選為0.05~2mm、更優選為0.1~1mm。

此外，基板優選適當地透過光。具體地說，基板的全光線透過率優選為85~100%。

另外，基板可以為多層結構，例如，作為其一個層，可以含有功能性膜。另外，基板本身可以為功能性膜。儘管沒有特別限定，但作為功能性膜的示例，可以舉出偏振片、相位差膜、蓋塑膠、硬塗膜、阻隔膜、粘著膜、電磁波遮罩膜、放熱膜、天線膜、觸控面板以外的器件用配線膜等。

特別是與觸控面板相關的液晶盒中使用的功能性膜的具體例如下：作為偏振片可以使用NPF系列(日東電工社製造)或HLC2系列(Sanritz社製造)等，作為相位差膜可以使用WV膜(富士膠片社製造)等，作為蓋塑膠可以使用FAlNDE(大日本印刷製造)、Technolloy(住友化學製造)、Iupilon(三菱瓦斯化學製造)、Silplus(新日鐵住金製造)、ORGA(日本合成化學製造)、SHORAYAL(昭和電工製造)等，作為硬塗膜可以使用H系列(Lintec社製造)、FHC系列(東山薄膜社製造)、KB膜(KIMOTO社製造)等。它們可在各功能性膜的表面上形成本發明的被鍍覆層。

此外，在偏振片、相位差膜中，如日本特開2007-26426號公報所記載可使用三乙酸纖維素，但從對鍍覆工藝的耐性的方面出發，也可 以將三乙酸纖維素變更為環烯烴(共)聚合物來使用，例如可以舉出ZEONOR(日本Zeon製造)等。

(被鍍覆層形成用組合物)

在被鍍覆層形成用組合物中含有具有與金屬離子相互作用的官能團和聚合性基團的化合物。

與金屬離子相互作用的官能團是指能夠與在後述工序中被賦予到圖案狀被鍍覆層的金屬離子發生相互作用的官能團，例如可以使用能夠形成與金屬離子的靜電相互作用的官能團或能夠與金屬離子形成配位元的含氮官能團、含硫官能團、含氧官能團等。

作為相互作用性基團，更具體地說，可以舉出：氨基、醯胺基、醯亞胺基、脲基、叔氨基、銨基、脒基、三嗪環、三唑環、苯並三唑基、咪唑基、苯並咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、唑啉基、喹喔啉基、嘌呤基、三嗪基、呱啶基、呱嗪基、吡咯烷基、吡唑基、苯胺基、含有烷基胺結構的基團、含有異氰尿素結構的基團、硝基、亞硝基、偶氮基、重氮基、疊氮基、氰基、氰酸酯基(R-O-CN)等含氮官能團；醚基、羥基、酚羥基、羧基、碳酸酯基、羰基、酯基、含有N-氧化物結構的基團、含有S-氧化物結構的基團、含有N-羥基結構的基團等含氧官能團；噻吩基、硫羥基、硫脲基、硫代氰尿酸基、苯並噻唑基、巰基三嗪基、硫醚基、硫氧基、亞碸基、碸基、亞硫酸鹽基、含有亞碸亞胺結構的基團、含有氧化硫鹽結構的基團、磺酸基、含有磺酸酯結構的基團等含硫官能團；磷酸基、磷醯胺基、膦基、含有磷酸酯結構的基團等含磷官能團；含有氯、溴等鹵原子的基團等，在可採取鹽結構的官能團中，也可以使用它們的鹽。

其中，從極性高、與金屬離子等的吸附能力高的原因，特別優選羧基、磺酸基、磷酸基和硼酸基等離子性極性基團、醚基或氰基，進一步優選羧基或氰基。

在化合物中，相互作用性基團可以含有2種以上。並且，化合物中所含有的相互作用性基團的數目沒有特別限制，可以為1個、也可以為2個以上。

聚合性基團是可通過能量賦予而形成化學鍵接的官能團，例如可以舉出自由基聚合性基團、陽離子聚合性基團等。其中，從反應性更為優異的方面考慮，優選自由基聚合性基團。作為自由基聚合性基團，例如可以舉出丙烯酸酯基(丙烯醯氧基)、甲基丙烯酸酯基(甲基丙烯醯氧基)、衣康酸酯基、丁烯酸酯基、異丁烯酸酯基、馬來酸酯基等不飽和羧酸酯基；苯乙烯基、乙烯基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯胺基等。 其中優選甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、乙烯基、苯乙烯基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯胺基，特別優選甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、苯乙烯基。

在化合物中，聚合性基團可以含有2種以上。另外，化合物中所含有的聚合性基團的數目沒有特別限制，可以為1個、也可以為2個以上。

上述化合物可以為低分子化合物、也可以為高分子化合物。低分子化合物是指分子量小於1000的化合物，高分子化合物是指分子量為1000以上的化合物。

需要說明的是，具有上述聚合性基團的低分子化合物相當於所謂的單體(monomer)。另外，高分子化合物可以為具有特定重複單元的聚合物。

另外，作為化合物可以僅使用1種、也可以合用兩種以上。

上述化合物為聚合物的情況下，聚合物的重均分子量沒有特別限制，從溶解性等處理性更為優異的方面出發，優選為1000以上70萬以下、進一步優選為2000以上20萬以下。從聚合靈敏度的方面出發，特別優選為20000以上。

具有這樣的聚合性基團和相互作用性基團的聚合物的合成方法沒有特別限制，可使用公知的合成方法(參見日本專利公開2009-280905號[0097]~[0125]段)。

(聚合物的適宜方式1)

作為聚合物的第1優選方式，可以舉出含有具有下式(a)所表示的聚合性基團的重複單元(下文中為方便起見也稱為聚合性基團單元)和下式(b)所表示的相互作用性基團的重複單元(下文中為方便起見也稱為相互作用性基團單元)的共聚物。

上述式(a)和式(b)中，R¹~R⁵各自獨立地表示氫原子、或者取代或無取代的烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基等)。另外，取代基的種類沒有特別限制，可以舉出甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等。

需要說明的是，作為R¹，優選氫原子、甲基或被溴原子取代的甲基。作為R²，優選氫原子、甲基或被溴原子取代的甲基。作為R³，優選氫原子。作為R⁴，優選氫原子。作為R⁵，優選氫原子、甲基或被溴原子取代的甲基。

上述式(a)和式(b)中，X、Y和Z各自獨立地表示單鍵、或者取代或無取代的二元有機基團。作為二元有機基團，可以舉出取代或無取代的二元脂肪族烴基(優選碳原子數為1~8。例如亞甲基、亞乙基、丙烯基等亞烷基)、取代或無取代的二元芳香族烴基(優選碳原子數為6~12。例如亞苯基)、-O-、-S-、-SO₂-、-N(R)-(R：烷基)、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-或將它們組合而成的基團(例如亞烷氧基、亞烷氧基羰基、亞烷基羰醯氧基等)等。

作為X、Y和Z，從聚合物的合成容易、圖案狀金屬層的密合性更為優異的方面考慮，優選單鍵、酯基(-COO-)、醯胺基(-CONH-)、醚基(-O-)、或者取代或無取代的二元芳香族烴基，更優選單鍵、酯基(-COO-)、醯胺基(-CONH-)。

在上述式(a)和式(b)中，L¹和L²各自獨立地表示單鍵、或者取代或無取代的二元有機基團。作為二元有機基團的定義，與上述X、Y和Z中所述的二元有機基團的含義相同。

作為L¹，從聚合物的合成容易、圖案狀金屬層的密合性更為優異的方面考慮，優選脂肪族烴基或者具有氨基甲酸酯鍵或脲鍵的二元有機基團(例如脂肪族烴基)，其中優選總碳原子數為1~9的基團。需要說明的是，此處，L¹的總碳原子數是指L¹所表示的取代或無取代的二元有機基團所含有的總碳原子數。

另外，從圖案狀金屬層的密合性更為優異的方面考慮，L²優選為單鍵或二元脂肪族烴基、二元芳香族烴基或者將它們組合而成的基團。其中，L²優選單鍵或總碳原子數為1~15，特別優選無取代。需要說明的是，此處，L²的總碳原子數是指L²所表示的取代或無取代的二元有機基團所含有的總碳原子數。

上述式(b)中，W表示相互作用性基團。相互作用性基團的定義如上所述。

從反應性(固化性、聚合性)和抑制合成時的凝膠化的方面考慮，上述聚合性基團單元的含量相對於聚合物中的全部重複單元優選為5~50摩爾%、更優選為5~40摩爾%。

另外，從針對金屬離子的吸附性的方面出發，上述相互作用性基團單元的含量相對於聚合物中的全部重複單元優選為5~95摩爾%、更優選為10~95摩爾%。

(聚合物的適宜方式2)

作為聚合物的第2優選方式，可以舉出含有下式(A)、式(B)和式(C)所表示的重複單元的共聚物。

式(A)所表示的重複單元與上述式(a)所表示的重複單元相同，各基團的說明也相同。

式(B)所表示的重複單元中的R⁵、X和L²與上述式(b)所表示的重複單元中的R⁵、X和L²相同，各基團的說明也相同。

式(B)中的Wa表示除了後述的V所表示的親水性基團或其前體基團以外的與金屬離子相互作用的基團。其中優選氰基、醚基。

式(C)中，R⁶各自獨立地表示氫原子、或者取代或無取代的烷基。

式(C)中，U表示單鍵、或者取代或無取代的二元有機基團。二元有機基團的定義與上述的X、Y和Z所表示的二元有機基團含義相同。作為U，從聚合物的合成容易、圖案狀金屬層的密合性更為優異的方面考慮，優選單鍵、酯基(-COO-)、醯胺基(-CONH-)、醚基(-O-)、或者取代或無取代的二元芳香族烴基。

式(C)中，L³表示單鍵、或者取代或無取代的二元有機基團。二元有機基團的定義與上述L¹和L²所表示的二元有機基團的含義相同。作為L³，從聚合物的合成容易、圖案狀金屬層的密合性更為優異的方面考慮，優選單鍵或二元脂肪族烴基、二元芳香族烴基或將它們組合而成的基團。

式(C)中，V表示親水性基團或其前體基團。關於親水性基團，只要為顯示出親水性的基團就沒有特別限定，例如可以舉出羥基、羧酸基等。另外，親水性基團的前體基團是指可通過特定處理(例如利用酸或堿進行處理)而生成親水性基團的基團，例如可以舉出經THP(2-四氫吡喃基)保護的羧基等。

作為親水性基團，從與金屬離子的相互作用的方面考慮，優選離子性極性基團。作為離子性極性基團，具體地說，可以舉出羧酸基、 磺酸基、磷酸基、硼酸基。其中，從適度的酸性(不分解其它官能團)的方面考慮，優選羧酸基。

上述聚合物的第2優選方式中的各單元的優選含量如下。

從反應性(固化性、聚合性)和抑制合成時的凝膠化的方面考慮，式(A)所表示的重複單元的含量相對於聚合物中的全部重複單元優選為5~50摩爾%、更優選為5~30摩爾%。

從針對金屬離子的吸附性的方面考慮，式(B)所表示的重複單元的含量相對於聚合物中的全部重複單元優選為5~75摩爾%、更優選為10~70摩爾%。

從基於水溶液的顯影性和耐濕密合性的方面考慮，式(C)所表示的重複單元的含量相對於聚合物中的全部重複單元優選為10~70摩爾%、更優選為20~60摩爾%、進一步優選為30~50摩爾%。

作為上述聚合物的具體例，例如可以舉出日本特開2009-007540號公報[0106]~[0112]段中記載的聚合物、日本特開2006-135271號公報[0065]~[0070]段中記載的聚合物、US2010-080964號[0030]~[0108]段中記載的聚合物等。

該聚合物可利用公知的方法(例如上述列舉的文獻中的方法)進行製造。

(單體的適宜方式)

在上述化合物為所謂單體的情況下，作為適宜方式之一，可以舉出式(X)所表示的化合物。

〔化3〕

式(X)中，R¹¹~R¹³各自獨立地表示氫原子、或者取代或無取代的烷基。作為無取代的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基或丁基。另外，作為取代烷基，可以舉出被甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等取代的甲基、乙基、丙基、丁基。另外，作為R¹¹，優選氫原子或甲基。作為R¹²，優選氫原子。作為R¹³，優選氫原子。

L¹⁰表示單鍵或二元有機基團。作為二元有機基團，可以舉出取代或無取代的脂肪族烴基(優選碳原子數為1~8)、取代或無取代的芳香族烴基(優選碳原子數為6~12)、-O-、-S-、-SO₂-、-N(R)-(R：烷基)、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-或將它們組合而成的基團(例如亞烷氧基、亞烷氧基羰基、亞烷基羰醯氧基等)等。

作為取代或無取代的脂肪族烴基，優選亞甲基、亞乙基、亞丙基或者亞丁基或者這些基團被甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等取代得到的基團。

作為取代或無取代的芳香族烴基，優選無取代的亞苯基或者被甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等取代的亞苯基。

式(X)中，作為L¹⁰的適宜方式之一，可以舉出-NH-脂肪族烴基-或-CO-脂肪族烴基-。

W的定義與式(b)中的W的定義的含義相同，表示相互作用性基團。相互作用性基團的定義如上所述。

式(X)中，作為W的適宜方式，可以舉出離子性極性基團，更優選羧酸基。

上述化合物為所謂單體的情況下，作為其它適宜方式之一，可以舉出式(1)所表示的化合物。

式(1)中，R¹⁰表示氫原子、金屬陽離子或季銨陽離子。作為金屬陽離子，例如可以舉出鹼金屬陽離子(鈉離子、鈣離子)、銅離子、鈀離子、銀離子等。另外，作為金屬陽離子，主要使用1價或2價的金屬陽離子，在使用2價金屬陽離子(例如鈀離子)的情況下，後述的n表示2。

作為季銨陽離子，例如可以舉出四甲基銨離子、四丁基銨離子等。

其中，從金屬離子的附著和圖案化後的金屬殘渣的方面考慮，優選氫原子。

式(1)中的L¹⁰的定義與上述的式(X)中的L¹⁰的定義的含義相同，表示單鍵或二元有機基團。二元有機基團的定義如上所述。

式(1)中的R¹¹~R¹³的定義與上述的式(X)中的R¹¹~R¹³的定義的含義相同，表示氫原子、或者取代或無取代的烷基。另外，R¹¹~R¹³的適宜方式如上所述。

n表示1或2的整數。其中，從化合物的獲得性的方面出發，n優選為1。

作為式(1)所表示的化合物的適宜方式，可以舉出式(2)所表示的化合物。

〔化5〕

式(2)中，R¹⁰、R¹¹和n與上述的定義相同。

L¹¹表示酯基(-COO-)、醯胺基(-CONH-)或亞苯基。其中，在L¹¹為醯胺基時，所得到的被鍍覆層的聚合性和耐溶劑性(例如堿溶劑耐性)提高。

L¹²表示單鍵、2價脂肪族烴基(優選碳原子數為1~8、更優選碳原子數為3~5)或2價芳香族烴基。脂肪族烴基可以為直鏈狀、支鏈狀、環狀。另外，在L¹²為單鍵的情況下，L¹¹表示亞苯基。

式(1)所表示的化合物的分子量沒有特別限制，從揮發性、在溶劑中的溶解性、成膜性和處理性等方面出發，該分子量優選為100~1000、更優選為100~300。

被鍍覆層形成用組合物中的上述化合物的含量沒有特別限制，相對於組合物總量優選為2~50質量%、更優選為5~30質量%。上述化合物的含量為上述範圍內時，組合物的處理性優異，圖案狀被鍍覆層的層厚的控制容易進行。

從處理性的方面考慮，在被鍍覆層形成用組合物中優選含有溶劑。

可以使用的溶劑沒有特別限定，例如可以舉出水；甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、甘油、丙二醇單甲醚等醇類溶劑；乙酸等酸；丙酮、甲基乙基酮、環己酮等酮類溶劑；甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等醯胺類溶劑；乙腈、丙腈等腈類溶劑；乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯類溶劑；碳酸二甲酯、碳酸二乙酯等碳酸酯類 溶劑；以及醚類溶劑、二醇類溶劑、胺類溶劑、硫醇類溶劑、鹵素類溶劑等。

其中，優選醇類溶劑、醯胺類溶劑、酮類溶劑、腈類溶劑、碳酸酯類溶劑。

被鍍覆層形成用組合物中的溶劑的含量沒有特別限制，相對於組合物總量優選為50~98質量%、更優選為70~95質量%。溶劑的含量為上述範圍內時，組合物的處理性優異、圖案狀被鍍覆層的層厚的控制等容易進行。

在被鍍覆層形成用組合物中可以含有聚合引發劑。通過含有聚合引發劑，進一步形成化合物之間以及化合物與基板之間的結合，作為結果，可得到密合性更為優異的圖案狀金屬層。

作為所使用的聚合引發劑沒有特別限制，例如可以使用熱聚合引發劑、光聚合引發劑等。作為光聚合引發劑的示例，可以舉出二苯甲酮類、苯乙酮類、α-氨基烷基苯酮類、苯偶姻類、酮類、噻噸酮類、苯偶醯類、苯偶醯縮酮類、肟酯類、蒽酮類、四甲基秋蘭姆單硫化物類、雙醯基氧化膦類、醯基氧化膦類、蒽醌類、偶氮化合物等及其衍生物。

另外，作為熱聚合引發劑的示例，可以舉出重氮系化合物或過氧化物系化合物等。

在被鍍覆層形成用組合物中含有聚合引發劑的情況下，聚合引發劑的含量相對於組合物總量優選為0.01~1質量%、更優選為0.1~0.5質量%。聚合引發劑的含量為上述範圍內時，組合物的處理性優異，所得到的圖案狀金屬層的密合性更為優異。

在被鍍覆層形成用組合物中可以含有單體(其中不包括上述式(X)或式(1)所表示的化合物)。通過含有單體，可以適當地控制被鍍覆層中的交聯密度等。

所使用的單體沒有特別限制，例如，作為具有加成聚合性的化合物可以舉出具有烯鍵式不飽和鍵的化合物、作為具有開環聚合性的化合物可以舉出具有環氧基的化合物等。其中，從提高圖案狀被鍍覆層中的交聯密度、進一步提高圖案狀金屬層的密合性的方面考慮，優選使用多官能單體。多官能單體是指具有2個以上聚合性基團的單體。具體地說，優選使用具有2~6個聚合性基團的單體。

從對反應性造成影響的交聯反應中的分子運動性的方面出發，作為所使用的多官能單體的分子量優選為150~1000、進一步優選為200~700。並且，聚合性基團存在多個時，作為聚合性基團之間的間隔(距離)，以原子數計優選為1~15、更優選為6以上10以下。

在被鍍覆層形成用組合物中可以根據需要添加其它添加劑(例如增敏劑、固化劑、阻聚劑、抗氧化劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、填料、粒子、阻燃劑、表面活性劑、潤滑劑、增塑劑等)。

另外，在上文中對於含有具有相互作用性基團和聚合性基團的化合物的被鍍覆層形成用組合物進行了敘述，但並不限於這種方式，例如也可以為含有具有相互作用性基團的化合物和具有聚合性基團的化合物的被鍍覆層形成用組合物。

相互作用性基團和聚合性基團的定義如上所述。

具有相互作用性基團的化合物是指具有相互作用性基團的化合物。相互作用性基團的定義如上所述。作為這樣的化合物，可以為低分子化合物、也可以為高分子化合物。作為具有相互作用性基團的化 合物的適宜方式，可以舉出具有上述式(b)所表示的重複單元的高分子(例如聚丙烯酸)。需要說明的是，在具有相互作用性基團的化合物中不含有聚合性基團。

具有聚合性基團的化合物是指所謂的單體，從所形成的被鍍覆層的硬度更為優異的方面考慮，優選具有2個以上聚合性基團的多官能單體。關於多官能單體，具體地說，優選使用具有2~6個聚合性基團的單體。從對反應性造成影響的交聯反應中的分子運動性的方面出發，作為所使用的多官能單體的分子量優選為150~1000、進一步優選為200~700。並且，聚合性基團存在多個時，作為聚合性基團之間的間隔(距離)，以原子數計優選為1~15、更優選為6~10。

(工序1的過程)

在工序1中，首先在基板上配置被鍍覆層形成用組合物，其方法沒有特別限制，例如可以舉出使上述被鍍覆層形成用組合物在基板上接觸來形成被鍍覆層形成用組合物的塗膜(被鍍覆層前體層)的方法。作為該方法，例如可以舉出在基板上塗布上述被鍍覆層形成用組合物的方法(塗布法)。

在塗布法的情況下，在基板上塗布被鍍覆層形成用組合物的方法沒有特別限制，可以使用公知的方法(例如旋塗、模塗、浸漬塗布等)。

從處理性、製造效率的方面出發，優選下述方式：在基板上塗布被鍍覆層形成用組合物，根據需要進行乾燥處理除去殘存的溶劑，形成塗膜。

另外，乾燥處理的條件沒有特別限制，從生產率更為優異的方面考慮，優選在室溫~220℃(優選50~120℃)實施1~30分鐘(優選1~10分鐘)。

對於基板上的含有上述化合物的塗膜以圖案狀進行能量賦予的方法沒有特別限制。例如優選使用加熱處理、曝光處理(光照射處理)等，從在短時間內結束處理的方面考慮，優選曝光處理。通過對塗膜賦予能量，化合物中的聚合性基團被活化，化合物間發生交聯，進行層的固化。

曝光處理使用UV燈、基於可見光線等的光照射等。作為光源，例如有水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學燈、碳弧燈等。作為放射線，還有電子射線、X射線、離子束、遠紅外線等。作為具體的方式，可以適宜地舉出利用紅外線雷射器進行的掃描曝光、氙放電燈等高照度閃爍曝光、紅外線燈曝光等。

作為曝光時間，根據化合物的反應性和光源的不同而不同，通常為10秒~5小時之間。作為曝光能量，為10~8000mJ左右即可，優選為50~3000mJ的範圍。

另外，以圖案狀實施上述曝光處理的方法沒有特別限制，可採用公知的方法，例如可隔著掩模對塗膜照射曝光。

另外，作為能量賦予使用加熱處理的情況下，可以使用鼓風乾燥機、烘箱、紅外線乾燥機、加熱鼓等。

接著，除去塗膜中的未實施能量賦予的部分，形成圖案狀被鍍覆層。

上述除去方法沒有特別限制，根據所使用的化合物適當選擇最佳的方法。例如可以舉出使用鹼性溶液(優選pH：13.0~13.8)作為顯影液的方法。在使用鹼性溶液除去能量未賦予區域的情況下，可以舉出將具有被賦予了能量的塗膜的基板浸漬在溶液中的方法、在該基板上塗布顯影液的方法等，優選進行浸漬的方法。在為浸漬方法的情況下， 從生產率‧作業性等的方面出發，作為浸漬時間優選為1分鐘至30分鐘左右。

此外，作為其它方法，可以舉出將溶解上述化合物的溶劑作為顯影液，浸漬在其中的方法。

(圖案狀被鍍覆層)

通過上述處理形成的圖案狀被鍍覆層的厚度沒有特別限制，從生產率的方面考慮，優選為0.01~10μm、更優選為0.2~5μm、特別優選為0.3~1.0μm。

圖案狀被鍍覆層的圖案形狀沒有特別限制，可按照要形成後述的圖案狀金屬層的位置進行調整，例如可以舉出網狀圖案等。在網狀圖案的情況下，網狀圖案內的格子(開口部)的一邊長度W優選為800μm以下、更優選為600μm以下，優選為50μm以上、更優選為400μm。另外，格子的形狀沒有特別限制，可以為大致菱形的形狀、多邊形狀(例如三角形、四邊形、六邊形)。並且，一邊的形狀除了可以為直線狀外，也可以為彎曲形狀、還可以為圓弧狀。

另外，圖案狀被鍍覆層的線寬度沒有特別限制，從配置在圖案狀被鍍覆層上的圖案狀金屬層的低電阻性的方面考慮，優選為30μm以下、更優選為15μm、進一步優選為10μm、特別優選為9μm以下、最優選為7μm以下，優選為0.5μm以上、更優選為1.0μm以上。

[工序2：圖案狀金屬層形成工序]

工序2為下述工序：對於上述工序1中形成的圖案狀被鍍覆層賦予金屬離子，對被賦予了金屬離子的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理，在圖案狀被鍍覆層上形成圖案狀金屬層。如圖2(D)所示，通過實施本工序，在圖案狀被鍍覆層20上配置圖案狀金屬層22。

下面分成對圖案狀被鍍覆層賦予金屬離子的工序(工序2-1)以及對被賦予了金屬離子的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理的工序(工序2-2)進行說明。

(工序2-1：金屬離子賦予工序)

在本工序中，首先對圖案狀被鍍覆層賦予金屬離子。上述化合物來源的相互作用性基團根據其功能對被賦予的金屬離子進行附著(吸附)。更具體地說，金屬離子被賦予到被鍍覆層中和被鍍覆層表面上。

金屬離子可通過化學反應而變成鍍覆催化劑，更具體地說，通過還原反應變成作為鍍覆催化劑的0價金屬。在本工序中，將金屬離子賦予到圖案狀被鍍覆層之後，可以在浸漬到鍍覆浴(例如無電解鍍覆浴)中之前通過另外的還原反應變化成0價金屬來作為鍍覆催化劑，也可以以金屬離子的狀態浸漬到鍍覆浴中，利用鍍覆浴中的還原劑變化成金屬(鍍覆催化劑)。

金屬離子優選使用金屬鹽被賦予至圖案狀被鍍覆層。作為所使用的金屬鹽，只要可溶解在適當的溶劑中並解離成金屬離子和堿基(陰離子)就沒有特別限制，可以舉出M(NO₃)_n、MCl_n、M_2/n(SO₄)、M_3/n(PO₄)(M表示n價的金屬原子)等。作為金屬離子，可以適當地使用上述金屬鹽解離得到的金屬離子。作為具體例，例如可以舉出Ag離子、Cu離子、Al離子、Ni離子、Co離子、Fe離子、Pd離子，其中優選能夠多齒配位的離子，從能夠配位的官能團的種類數和催化劑能力的方面考慮，特別優選Ag離子、Pd離子。其中，從電氣可靠性的方面出發，特別優選Pd離子。

作為對圖案狀被鍍覆層賦予金屬離子的方法，可以舉出使含有金屬離子的催化劑賦予液與圖案狀被鍍覆層接觸的方法。另外，作為進 行接觸的方法，例如可以在圖案狀被鍍覆層上塗布催化劑賦予液、或將形成有圖案狀被鍍覆層的基板浸漬在催化劑賦予液中。

催化劑賦予液的pH為3.0~7.0，從所形成的圖案狀金屬層被視認為更黑的黑色(更具體地說，從圖案狀被鍍覆層側對圖案狀金屬層進行觀察時，圖案狀金屬層的背面側(圖案狀被鍍覆層側)被視認為更黑的黑色)的方面考慮，該pH優選為3.2~6.8、更優選為3.5~6.6。

催化劑賦予液的pH小於3.0的情況下，在鍍覆處理時鍍覆析出不充分，不形成圖案狀金屬層。此外，在催化劑賦予液的pH超過7.0的情況下，在鍍覆處理時，在未配置圖案狀被鍍覆層的基板上也有金屬層析出，不形成特定形狀的圖案狀金屬層。進而，在圖案狀被鍍覆層以外的區域發生鍍覆析出的情況下，這些金屬層的背面未能被視認為黑色。

在催化劑賦予液中含有金屬離子。作為金屬離子的種類，可以舉出上述的金屬離子。

在催化劑賦予液中通常含有溶劑。作為溶劑，適宜使用水或有機溶劑。作為有機溶劑，優選可滲透到圖案狀被鍍覆層中的溶劑，例如可以使用丙酮、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙二醇二乙酸酯、環己酮、乙醯丙酮、苯乙酮、2-(1-環己烯基)環己酮、丙二醇二乙酸酯、甘油三乙酸酯、二甘醇二乙酸酯、二氧六環、N-甲基吡咯烷酮、碳酸二甲酯、二甲基溶纖劑等。

另外，作為溶劑使用水的情況下，水也可以為酸或堿的水溶液，作為酸性水溶液中含有的酸，例如可以舉出鹽酸、硝酸、硫酸、乙酸等；作為鹼性水溶液中含有的堿，可以舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鎂等。

催化劑賦予液的製備方法沒有特別限制，將特定的金屬鹽利用適當的溶劑溶解，根據需要使用酸或堿將pH調整為特定的範圍。

溶液中的金屬離子濃度沒有特別限制，優選為0.001~50質量%、更優選為0.005~30質量%。

另外，作為接觸時間，優選為30秒~24小時左右、更優選為1分鐘~1小時左右。

關於被鍍覆層的金屬離子的吸附量，根據所使用的鍍覆浴種類、催化劑金屬種類、圖案狀被鍍覆層的相互作用性基團種類、使用方法等的不同而不同，從鍍覆析出性的方面出發，該吸附量優選為5~1000mg/m²、更優選為10~800mg/m²、特別優選為20~600mg/m²。

(工序2-2：鍍覆處理工序)

接下來，對被賦予了金屬離子的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理。

鍍覆處理的方法沒有特別限制，例如可以舉出無電解鍍覆處理或電解鍍覆處理(電鍍處理)。在本工序中，可以單獨實施無電解鍍覆處理，也可以在實施無電解鍍覆處理後進一步實施電解鍍覆處理。

另外，在本說明書中包含所謂銀鏡反應作為上述無電解鍍覆處理的一種。從而，例如通過銀鏡反應等，所附著的金屬離子被還原，可以形成所期望的圖案狀金屬層，進而在其後可以實施電解鍍覆處理。

下面對無電解鍍覆處理和電解鍍覆處理的過程進行詳述。

無電解鍍覆處理指的是下述操作：使用溶解有在鍍覆時將要析出的金屬離子的溶液，通過化學反應使金屬析出。

本工序中的無電解鍍覆處理例如可如下進行：對於具備被賦予了金屬離子的圖案狀被鍍覆層的基板進行水洗，除去多餘的金屬離子，之後浸漬在無電解鍍覆浴中。作為所使用的無電解鍍覆浴，可以使用 公知的無電解鍍覆浴。另外，在無電解鍍覆浴中，進行金屬離子的還原和還原之後的無電解鍍覆。

圖案狀被鍍覆層中的金屬離子的還原與上述的使用無電解鍍覆液的方式不同，也可準備催化劑活化液(還原液)，作為無電解鍍覆處理前的其它工序來進行。催化劑活化液為溶解有可將金屬離子還原成0價金屬的還原劑的溶液，相對於溶液整體，還原劑的濃度優選為0.1~50質量%、更優選1~30質量%。作為還原劑，可以使用硼氫化鈉、二甲胺硼烷之類的硼系還原劑、甲醛、次亞磷酸等還原劑。

在浸漬時，優選在浸漬的同時施加攪拌或揺動。

作為一般的無電解鍍覆浴的組成，除了含有溶劑(例如水)外，主要還含有1.鍍覆用的金屬離子、2.還原劑、3.提高金屬離子的穩定性的添加劑(穩定劑)。在該鍍覆浴中，除了這些成分外，還可以含有鍍覆浴的穩定劑等公知的添加劑。

作為無電解鍍覆浴中使用的有機溶劑，需要為能夠溶解于水的溶劑，從這方面考慮，優選使用丙酮等酮類、甲醇、乙醇、異丙醇等醇類。作為在無電解鍍覆浴中使用的金屬的種類，已知有銅、錫、鉛、鎳、金、銀、鈀、銠，其中，從導電性的方面出發，優選銅、銀、金，更優選銅。並且，優選根據上述金屬來選擇最佳的還原劑、添加劑。

作為在無電解鍍覆浴中的浸漬時間，優選為1分鐘~6小時左右、更優選為1分鐘~3小時左右。

電解鍍覆處理指的是下述操作：使用溶解有在鍍覆時將要析出的金屬離子的溶液，利用電流使金屬析出。

需要說明的是，如上所述，在本工序中，在上述無電解鍍覆處理後可根據需要進行電解鍍覆處理。利用這樣的方式，能夠適宜地調整所形成的圖案狀金屬層的厚度。

作為電解鍍覆的方法，可以使用現有公知的方法。另外，作為電解鍍覆中使用的金屬，可以舉出銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、鋅等，從導電性的方面出發，優選銅、金、銀，更優選銅。

另外，通過電解鍍覆得到的圖案狀金屬層的膜厚可通過調整鍍覆浴中所含有的金屬濃度或電流密度等來進行控制。

通過上述過程形成的圖案狀金屬層的厚度沒有特別限制，可根據使用目的適當地選擇最佳厚度，從導電特性的方面考慮，該厚度優選為0.1μm以上、更優選為0.5μm以上，進一步優選為1~30μm。

另外，構成圖案狀金屬層的金屬的種類沒有特別限制，例如可以舉出銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、鋅等，從導電性的方面出發，優選銅、金、銀，更優選銅、銀。

圖案狀金屬層的圖案形狀沒有特別限制，由於圖案狀金屬層被配置在圖案狀被鍍覆層上、換言之圖案狀金屬層是沿著圖案狀被鍍覆層的形狀進行配置的，因而可根據圖案狀被鍍覆層的圖案形狀進行調整，例如可以舉出網狀圖案等。網狀圖案的圖案狀金屬層可以適當地用作觸控面板中的感測器電極。在圖案狀金屬層的圖案形狀為網狀圖案的情況下，網狀圖案內的格子(開口部)的一邊長度W的範圍、格子形狀的適宜方式、圖案狀金屬層的線寬度與上述圖案狀被鍍覆層的方式相同。

另外，在實施上述處理後的圖案狀被鍍覆層含有金屬離子還原而生成的金屬粒子。該金屬粒子以高密度分散在圖案狀被鍍覆層中。此 外，如上所述，圖案狀被鍍覆層與圖案狀金屬層的介面形成複雜是形狀，由於這樣的介面形狀的影響，圖案狀金屬層被進一步視認為黑色。

在本發明中，可以在所形成的圖案狀金屬層設置被覆層。特別是在為對圖案狀金屬層表面進行直接目視這樣的層構成的情況下，通過使圖案狀金屬層表面變黑(黑化)，可得到降低圖案狀金屬層的金屬光澤效果、使銅色不顯眼的效果。除此以外，還可得到防銹效果、防遷移效果。

作為黑化方法，有層積方法、置換方法。作為層積方法，可以舉出使用公知的被稱為黑化鍍覆(黒化)的方式等來進行被覆層(黑化層)的層積的方法，可以使用Nikka Black(日本化學產業社製造)、Ebony Chrome 85系列(金屬化學工業社製造)等。另外，作為置換方法，可以舉出對圖案狀金屬層表面進行硫化或氧化來製作被覆層(黑化層)的方法、將圖案狀金屬層表面置換為更貴的金屬來製作被覆層(黑化層)的方法。作為硫化方法，有Enplate MB 438A(Meltex社製造)等，作為氧化方法，可以使用PROBOND 80(Rohm and Haas電子材料株式會社製造)等。作為置換為貴金屬的鍍覆，可以使用鈀。

<積層體>

經過上述工序形成導電性積層體，該導電性積層體具備具有2個主面的基板、配置在該基板的至少一個主面上的圖案狀被鍍覆層、以及配置在圖案狀被鍍覆層上的含有金屬成分的圖案狀金屬層(由金屬成分構成)。該導電性積層體作為所謂透明導電性積層體發揮功能，還能夠適當地用於觸控面板用途以外的其它用途(顯示幕用途)中。

另外，圖案狀被鍍覆層含有相互作用性基團。作為其一個方式，如上所述，對上述被鍍覆層形成用組合物以圖案狀賦予能量來形成。此外，作為圖案狀金屬層的一個方式，進行鍍覆處理來形成。

在導電性積層體中，可以僅在基板的一個主面上配置圖案狀被鍍覆層和圖案狀金屬層，也可以在基板的2個主面的兩面配置圖案狀被鍍覆層和圖案狀金屬層。需要說明的是，在基板的兩面配置圖案狀被鍍覆層和圖案狀金屬層的情況下，對基板的兩面實施上述工序1和工序2即可。

如上所述，在本發明的導電性積層體中，在圖案狀被鍍覆層中含有構成圖案狀金屬層的金屬成分。例如，在圖案狀金屬層為銅鍍覆層(由銅構成的金屬層)的情況下，在圖案狀被鍍覆層中含有銅成分。

另外，在本發明的導電性積層體中，在使用能量分散型X射線分析法(EDS法)對圖案狀被鍍覆層和圖案狀金屬層的斷面進行組成分析時，相對於構成圖案狀金屬層的金屬成分來源的平均峰強度，圖案狀被鍍覆層所含有的金屬成分來源的平均峰強度的比為0.5~0.95(優選為0.65~0.95、更優選為0.8~0.95)。

更具體地說，首先，沿著導電性積層體的基板的法線方向對圖案狀被鍍覆層和圖案狀金屬層這兩者進行切斷，使用能量分散型X射線分析法對此時的斷面進行組成分析。由圖案狀金屬層的區域觀測構成圖案狀金屬層的金屬成分來源的峰。例如，在圖案狀金屬層為銅層的情況下，觀測銅來源的峰。此外，如上所述，在圖案狀被鍍覆層中含有與圖案狀金屬層相同的金屬成分。因此，由圖案狀被鍍覆層的區域也可觀測所含有的金屬成分來源的峰。

接下來，分別計算出構成圖案狀金屬層的金屬成分來源的平均峰強度Pa和圖案狀被鍍覆層中所含有的金屬成分來源的平均峰強度Pb，計算出平均峰強度Pb相對於平均峰強度Pa的比(Pb/Pa)。若所得到的比(Pb/Pa)為上述範圍內，則圖案狀被鍍覆層中所含有的金屬成分量為規定量，可得到所期望的效果。

另外，作為平均峰強度Pa的計算方法，相對於通過上述方法得到的圖案狀金屬層的斷面，沿著深度方向進行基於能量分散型X射線分析法的組成分析，分別計算出任意10點以上的峰強度，將它們的算術平均值作為平均峰強度Pa。

另外，關於平均峰強度Pb的計算方法，也相對於通過上述方法得到的圖案狀被鍍覆層的斷面，沿著深度方向進行基於能量分散型X射線分析法的組成分析，分別計算出任意10點以上的峰強度，將它們的算術平均值作為平均峰強度Pb。

導電性積層體的JIS K7361-1全光線透過率沒有特別限制，從應用於觸控面板用途時的視認性更為良好的方面考慮，該全光線透過率優選為75%以上、更優選為80%以上。上限沒有特別限制，通常情況下多為98%以下。

需要說明的是，全光線透過率可利用NDH7000(日本電飾工業製造)進行評價。

通過上述處理得到的導電性積層體優選滿足下述要件X和要件Y的至少一者。

要件X：自圖案狀被鍍覆層與圖案狀金屬層的介面起在圖案狀被鍍覆層側方向的500nm的表層區域中存在平均粒徑為10~1000nm的金屬粒子。

要件Y：圖案狀被鍍覆層與圖案狀金屬層的介面具有凹凸形狀，凹凸形狀的算術平均粗糙度Ra為5~1000nm，凹凸形狀的凹部間的平均距離為10~1000nm。

另外，在上述要件X和上述要件Y的定義中，除了所使用的層的種類以外，其它與後述第2實施方式中敘述的要件A和要件B相同，因而其詳細內容在下文敘述。

所得到的導電性積層體能夠適宜地用於觸控面板(優選靜電容量式觸控面板)中。更具體地說，能夠適用作構成觸控面板中的觸控感測器的部件，圖案狀金屬層能夠適宜地應用於感知靜電容量變化的感測器電極、用於對感測器電極施加電壓的引出配線(周邊配線)等。

在用於觸控面板時，有時覆蓋層或OCA層等相鄰接，在這些鄰接層中，出於防止銅銹的目的，可以添加十一烷二酸、十二烷二酸、十三烷二酸等直鏈烷基二羧酸、磷酸單甲酯、磷酸單乙酯等磷酸酯化合物、喹哪啶酸等吡啶系化合物、三唑、羧基苯並三唑、苯並三唑、萘酚三唑等三唑系、1H-四唑環等四唑環類、苯並四唑環等四唑環系、4,4'-亞丁基雙(6-叔丁基-3-甲基苯酚)等雙酚系、季戊四-四[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]等位阻酚系、水楊酸衍生物系、醯肼衍生物、芳香族磷酸酯、硫脲類、甲基苯並三唑或2-巰基噁唑硫醇、甲基苯並噻唑、巰基噻唑啉等具有巰基的化合物、三嗪環化合物。

此外，在鄰接層中可以添加冠醚、環狀磷化合物之類的環狀化合物。

此外，在鄰接層中還可以添加烷基苯磺酸鹽、直鏈烷基苯磺酸鹽、萘磺酸鹽、鏈烯基琥珀酸鹽等陰離子表面活性劑、PVP等具有作為路易士堿的性質的水溶性高分子、芳基磺酸/鹽聚合物、聚苯乙烯磺酸、 聚烯丙基磺酸、聚甲代烯丙基磺酸、聚乙烯基磺酸、聚異戊二烯磺酸、丙烯酸-3-磺基丙酯均聚物、甲基丙烯酸-3-磺基丙酯均聚物、2-羥基-3-丙烯醯胺丙烷磺酸均聚物等含有磺酸基的聚合物。

另外，在鄰接層中還可以添加五氧化銻水合物、鋁偶聯劑、鋯醇鹽等金屬螯合化合物、鋅化合物、鋁化合物、鋇化合物、鍶化合物和鈣化合物。作為鋅化合物，有磷酸鋅、鉬酸鋅、硼酸鋅、氧化鋅等。 作為鋁化合物，有三聚磷酸二氫鋁、磷鉬酸鋁等。作為鋇化合物，有偏硼酸鋇等。作為鍶化合物，有碳酸鍶、氧化鍶、乙酸鍶、偏硼酸鍶、金屬鍶等。作為鈣化合物，有磷酸鈣、鉬酸鈣。

此外，在鄰接層中還可以添加過硫酸銨、過硫酸鉀、過氧化氫等氧化劑。

此外，在鄰接層中還可以組合添加二氯異氰脲酸鹽與偏矽酸鈉五水合物。

此外還可以使用公知的銅腐蝕防止劑。並且，這些化合物可以含有2種以上來使用。

作為上述第1實施方式的變形例，在基板上可以進一步包含底塗層。更具體地說，如圖3所示，在基板12上可以進一步相鄰接地配置底塗層40。通過在基板與圖案狀被鍍覆層之間配置底塗層，兩者的密合性進一步提高。

底塗層的厚度沒有特別限制，通常優選為0.01~100μm、更優選為0.05~20μm、進一步優選為0.05~10μm。

底塗層的材料沒有特別限制，優選與基板的密合性良好的樹脂。 作為樹脂的具體例，例如可以為熱固性樹脂，可以為熱塑性樹脂，還可以為它們的混合物，例如作為熱固性樹脂，可以舉出環氧樹脂、酚 樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚烯烴系樹脂、異氰酸酯系樹脂等。作為熱塑性樹脂，例如可以舉出苯氧基樹脂、聚醚碸、聚碸、聚亞苯基碸、聚苯硫醚、聚苯基醚、聚醚醯亞胺、ABS樹脂等。

熱塑性樹脂與熱固性樹脂分別可以單獨使用、也可以將兩種以上合用。還可以使用含有氰基的樹脂，具體地說，可以使用ABS樹脂、日本特開2010-84196號[0039]~[0063]記載的“含有在側鏈具有氰基的單元的聚合物”。

此外，還可以使用NBR橡膠(丙烯腈‧聚丁橡膠)、SBR橡膠(丁苯橡膠)等橡膠成分。

作為構成底塗層的材料的適宜方式之一，可以舉出具有可被氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物。共軛二烯化合物單元是指共軛二烯化合物來源的重複單元。作為共軛二烯化合物，只要為具有含有被一個單鍵隔開的二個碳-碳雙鍵的分子結構的化合物就沒有特別限制。

作為共軛二烯化合物來源的重複單元的適宜方式之一，可以舉出通過具有丁二烯骨架的化合物的聚合反應而生成的重複單元。

上述共軛二烯化合物單元可以被氫化，在含有被氫化的共軛二烯化合物單元的情況下，圖案狀金屬層的密合性進一步提高、是優選的。 即，共軛二烯化合物來源的重複單元中的雙鍵可以被氫化。

在具有可以被氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物中，可以含有上述的相互作用性基團。

作為該聚合物的適宜方式，可以舉出丁腈橡膠(NBR)、含有羧基的丁腈橡膠(XNBR)、丙烯腈-丁二烯-異戊二烯橡膠(NBIR)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS樹脂)或它們的氫化物(例如氫化丁腈橡膠)等。

在底塗層中可以含有其它添加劑(例如增敏劑、抗氧化劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、填料、粒子、阻燃劑、表面活性劑、潤滑劑、增塑劑等)。

底塗層的形成方法沒有特別限制，可以舉出將所使用的樹脂層積在基板上的方法、將所使用的樹脂溶解在可溶解必要成分的溶劑中並利用塗布等方法在基板表面上進行塗布‧乾燥的方法等。

關於塗布方法中的加熱溫度與時間，選擇塗布溶劑可充分乾燥的條件即可，從製造適性的方面考慮，優選選擇加熱溫度為200℃以下、時間為60分鐘以內的範圍的加熱條件，更優選選擇加熱溫度為40~100℃、時間為20分鐘以內的範圍的加熱條件。另外，所使用的溶劑根據所使用的樹脂來適當選擇最佳的溶劑(例如環己酮、甲基乙基酮)。

在使用配置有上述底塗層的基板的情況下，通過在底塗層上實施上述工序1和工序2來得到所期望的導電性積層體。

<<第2實施方式>>

作為本發明的觸控面板用導電性積層體的第2實施方式，可以舉出下述的觸控面板用導電性積層體，該觸控面板用導電性積層體依敘述順序具有基板、圖案狀樹脂層以及圖案狀金屬層，該基板具有2個主面，該圖案狀樹脂層配置在基板的至少一個主面上，該圖案狀金屬層配置在圖案狀樹脂層上，該觸控面板用導電性積層體滿足下述要件A和B的至少一者。

要件A：自圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面起在圖案狀樹脂層側方向的500nm的表層區域中存在平均粒徑為10~1000nm的金屬粒子。

要件B：圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面具有凹凸形狀，凹凸形狀的算術平均粗糙度Ra為5~1000nm，凹凸形狀的凹部間的平均距離為10~1000nm。

在為上述構成的觸控面板用導電性積層體時，可得到所期望的效果。

上述觸控面板用導電性積層體的第2實施方式中的基板與上述第1實施方式中說明的基板相同，省略其說明。

上述觸控面板用導電性積層體的第2實施方式中，構成圖案狀樹脂層的樹脂的種類沒有特別限制，可以使用公知的樹脂，例如，可以為熱固性樹脂、可以為熱塑性樹脂、並且還可以為它們的混合物。作為熱固性樹脂和熱塑性樹脂的示例，可以舉出在上述第1實施方式的底塗層中使用的熱固性樹脂和熱塑性樹脂等。

此外，作為圖案狀樹脂層的形成中使用的樹脂的適宜方式，可以舉出對上述具有相互作用性基團和聚合性基團的化合物賦予能量而形成的樹脂、具有可以被氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物。具有相互作用性基團和聚合性基團的化合物以及具有可以被氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物的定義如上所述。

構成圖案狀金屬層的金屬的種類沒有特別限制，例如可以舉出銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、鋅等，從導電性的方面出發，優選銅、金、銀，更優選銅、銀。

圖案狀金屬層的圖案形狀沒有特別限制，例如可以舉出網狀圖案等。在圖案狀金屬層的圖案形狀為網狀圖案的情況下，網狀圖案內的格子(開口部)的一邊長度W的範圍、格子形狀的適宜方式、圖案狀金屬層的線寬度與上述圖案狀被鍍覆層的方式相同。

本實施方式的觸控面板用導電性積層體滿足下述要件A和B的至少一者。

要件A：自圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面起在圖案狀樹脂層側方向的500nm的表層區域中存在平均粒徑為10~1000nm的金屬粒子。

要件B：圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面具有凹凸形狀，凹凸形狀的算術平均粗糙度Ra為5~1000nm，凹凸形狀的凹部間的平均距離為10~1000nm。

關於上述要件A，通過在自圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面起圖案狀樹脂層側方向的表層區域(換言之，自圖案狀樹脂層的圖案狀金屬層側的表面起的圖案狀樹脂層側方向的表層區域)含有特定尺寸的金屬粒子，從基板側進入的光由於該金屬粒子的表面等離子共振而被吸收，圖案狀金屬層被視認為更黑的黑色。

金屬粒子的平均粒徑為10~1000nm，從圖案狀金屬層被視認為更黑的黑色的方面考慮，優選為15~900nm、更優選為20~800nm。

另外，上述平均粒徑為金屬粒子的一次粒徑的平均值，其是利用電子顯微鏡測定任意10個以上的金屬粒子的直徑並將它們算術平均而得到的值。另外，金屬粒子不是正圓狀的情況下，將長徑作為直徑。

另外，在對金屬粒子進行觀察時，利用電子顯微鏡(例如SEM觀察)對導電性積層體的斷面(導電性積層體中的垂直於基板表面的斷面)進行觀察，對於自圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面(交界線)起在圖案狀樹脂層側方向上直到500nm的表層區域是否含有特定尺寸的金屬粒子進行確認。

此外，上述表層區域中，在圖案狀樹脂層的厚度超過500nm的情況下，表層區域是指自圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面起在圖案狀樹脂層側方向最多500nm的區域；在圖案狀樹脂層的厚度為500nm以下的情況下，表層區域是指整個圖案狀樹脂層。

關於上述要件B，通過使圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面具有特定的凹凸形狀(凹凸面)，從基板側進入的光的反射被該凹凸形狀抑制，作為結果，圖案狀金屬層被視認為更黑的黑色。

圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面的凹凸形狀的算術平均粗糙度Ra為5~1000nm，從圖案狀金屬層被視認為更黑的黑色的方面考慮，優選為10~900nm、更優選為15~800nm。

作為上述算術平均粗糙度Ra的測定方法，可以利用電子顯微鏡(例如SEM觀察)對導電性積層體的斷面(導電性積層體中的垂直於基板表面的斷面)進行觀察，求出圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面(交界線)的算術平均粗糙度Ra。更具體地說，介面的算術平均粗糙度Ra被定義為如下求出的值：利用電子顯微鏡對圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面拍攝照片後，描繪出照片中的介面的凹凸形狀，將該描繪痕跡看作表面形狀，將按照JIS B 0601-2001(ISO4287-1997)中規定的算術平均粗糙度(Ra)的計算方法求出的值定義為該算術平均粗糙度Ra。

此外，凹凸形狀的凹部間的平均距離為10~1000nm，從圖案狀金屬層被視認為更黑的黑色的方面考慮，優選為15~900nm、更優選為20~800nm。

上述凹部相當於圖案狀金屬層中的金屬進入到圖案狀樹脂層內部的部分，換言之，其也可以說是在圖案狀金屬層的基板側突出的凸部。

上述凹部間的平均距離是指相鄰的凹部間的距離的平均值，為對於至少10組以上的相鄰凹部間的距離進行測定並將它們算術平均而得到的值。另外，作為上述凹部間的距離的測定方法，與上述算術平均粗糙度Ra同樣地，可以舉出利用電子顯微鏡(例如SEM觀察)對導電性積層體中的垂直於基板表面的斷面進行觀察、對圖案狀樹脂層與圖案狀金屬層的介面(交界線)進行觀察的方法。

作為上述觸控面板用導電性積層體的第2實施方式的製造方法，只要能夠形成上述的結構，對其方法就沒有特別限制，例如，在形成圖案狀樹脂層時使用具有相互作用性基團和聚合性基團的化合物的情況下，可以實施上述第1實施方式和第2實施方式的製造方法。

作為其它製造方法，例如可以舉出對圖案狀樹脂層表面實施粗面化處理，其後利用濺射等乾燥工藝或上述鍍覆處理等濕式工藝來形成圖案狀金屬層的方法。

上述第2實施方式的導電性積層體的全光線透過率沒有特別限制，其適宜範圍與上述第1實施方式的導電性積層體的全光線透過率的適宜範圍相同。

另外，可以按照與第1實施方式相同的方式在基板上進一步相鄰地配置底塗層。

〔實施例〕

以下、通過實施例進一步詳細說明本發明，但本發明並不限於這些實施例。

(合成例1：聚合物1)

在2L的三口燒瓶中裝入乙酸乙酯1L、2-氨基乙醇159g，利用冰浴冷卻。將內溫調節為20℃以下，向其中滴加2-溴異丁酸溴化物150g。其 後將內溫升至室溫(25℃)，進行2小時反應。反應終止後追加蒸餾水300mL，使反應停止。其後將乙酸乙酯相利用蒸餾水300mL清洗4次，之後利用硫酸鎂乾燥，進一步蒸餾除去乙酸乙酯，從而得到80g原料A。

接著，在500mL的三口燒瓶中裝入原料A47.4g、吡啶22g、乙酸乙酯150mL，利用冰浴冷卻。將內溫調節為20℃以下，向其中滴加丙烯醯氯25g。其後升高到室溫，進行3小時反應。反應終止後，追加蒸餾水300mL，使反應停止。其後將乙酸乙酯相利用蒸餾水300mL清洗4次，之後利用硫酸鎂乾燥，進一步蒸餾除去乙酸乙酯。其後利用柱色譜得到以下的單體M1(20g)。

在500mL的三口燒瓶中裝入N,N-二甲基乙醯胺8g，在氮氣流下加熱至65℃。利用4小時的時間向其中滴加單體M1：14.3g、丙烯腈(東京化成工業株式會社製造)3.0g、丙烯酸(東京化成製造)6.5g、V-65(和光純藥製造)0.4g的N,N-二甲基乙醯胺8g溶液。

滴加結束後，進一步對反應溶液進行3小時的攪拌。其後追加N,N-二甲基乙醯胺41g，將反應溶液冷卻至室溫。向上述反應溶液中加入4-羥基TEMPO(東京化成製造)0.09g、DBU(二氮雜雙環十一碳烯)54.8g，在室溫進行12小時反應。其後向反應液中加入70質量%甲磺酸水溶液54g。反應終止後，用水進行再沉澱，取出固體物質，得到12g聚合物1。

使用IR測定儀((株)堀場製作所製造)進行所得到的聚合物1的鑒定。測定中將聚合物溶解在丙酮中使用KBr晶體來進行。根據IR測定的 結果，在2240cm-1附近觀測到峰，可知丙烯腈作為腈單元被導入到聚合物中。此外，通過酸值測定可知丙烯酸作為羧酸單元被導入。並將其溶解在氘代DMSO(二甲基亞碸)中，利用Bruker制300MHz的NMR(AV-300)進行測定。在2.5-0.7ppm(5H)觀察到相當於含腈基單元的寬峰，在7.8-8.1ppm(1H)、5.8-5.6ppm(1H)、5.4-5.2ppm(1H)、4.2-3.9ppm(2H)、3.3-3.5ppm(2H)、2.5-0.7ppm(6H)觀察到相當於含聚合性基團單元的寬峰，在2.5-0.7ppm(3H)觀察到相當於含羧酸單元的寬峰，可知含聚合性基團單元：含腈基單元：羧酸基單元=30：30：40(mol%)。

(合成例2：聚合物2)

在500ml的三口燒瓶中裝入N,N-二甲基乙醯胺20g，在氮氣流下加熱至65℃。利用4小時的時間向其中滴加下述單體M2：20.7g、丙烯酸-2-氰基乙酯(東京化成工業株式會社製造)20.5g、丙烯酸(東京化成工業株式會社製造)14.4g、V-65(和光純藥工業株式會社製造)1.0g的N,N-二甲基乙醯胺20g溶液。滴加結束後，進一步攪拌3小時。其後加入N,N-二甲基乙醯胺91g，將反應溶液冷卻至室溫。

向上述反應溶液中加入4-羥基TEMPO(東京化成工業株式會社製造)0.17g、三乙胺75.9g，在室溫進行4小時反應。其後向反應液中加入 70質量%甲磺酸水溶液112g。反應終止後，用水進行再沉澱，取出固體物質，得到聚合物2(25g)。

(合成例3：聚合物3)

在500ml三口燒瓶中裝入N,N-二甲基乙醯胺200g、聚丙烯酸(和光純藥製造，分子量：25000)30g、四乙基苄基氯化銨2.4g、二叔戊基氫醌25mg、Cyclomer A(Daicel Chemical製造)27g，在氮氣流下在100℃反應5小時。其後對反應液進行再沉澱，濾取固體物質，得到聚合物3(28g)。

<被鍍覆層形成用組合物的製備>

按照表1在放入有磁力攪拌子的200ml燒杯中加入水、丙二醇單甲醚、2-丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、6-丙烯醯胺己酸、聚合物1~3、六亞甲基雙丙烯醯胺、IRGACUREOXE02(BASF)，製備液體，得到組合物1~6。

另外，表1中，各成分的含量以相對於組合物總量的質量%的形式表示。

<底塗層形成用組合物>

將氫化丁腈橡膠Zetpole0020(日本Zeon製造)100g溶解在環戊酮(東京化成製造)900g中，將所得到的溶液作為底塗層形成用組合物。

<實施例1~10和比較例1~3>

[帶有被鍍覆層的基板S1-1~S1-6的製作]

將玻璃基板大猩猩(Gorilla)玻璃(康寧製造)在150℃加熱乾燥1小時後，在1500rpm下將六甲基二矽氮烷(東京化成製造)、底塗層形成用組合物依次旋塗1分鐘，在80℃乾燥5分鐘，得到帶有底塗層的玻璃基板。接著，在底塗層上、在1500rpm下，將表1所示的被鍍覆層形成用組合物(組合物1~6)分別旋塗1分鐘，在80℃乾燥5分鐘。其後在大氣下隔著具有線寬/間距(line/space)為2μm/98μm的圖案的負型用掩模對基板進行UV照射(能量：2J、10mW；波長：256nm)，使用1%的碳酸氫鈉 進行顯影，從而形成圖案狀被鍍覆層。將此處得到的帶有被鍍覆層的基板分別作為帶有被鍍覆層的基板S1-1~S1-6。

[帶有被鍍覆層的基板S1-7的製作]

除了不使用具有2μm/98μm的圖案的掩模而使用具有5μm/95μm的圖案的掩模以外，按照與帶有被鍍覆層的基板S1-1的製作過程同樣的過程製作帶有被鍍覆層的基板S1-7。

[帶有被鍍覆層的基板S1-8的製作]

除了不使用具有2μm/98μm的圖案的掩模而使用具有10μm/90μm的圖案的掩模以外，按照與帶有被鍍覆層的基板S1-1的製作過程同樣的過程製作帶有被鍍覆層的基板S1-8。

[帶有被鍍覆層的基板S1-9的製作]

除了不使用底塗層形成用組合物、在旋塗六甲基二矽氮烷之後旋塗被鍍覆層形成用組合物以外，按照與帶有被鍍覆層的基板S1-1的製作過程同樣的過程製作帶有被鍍覆層的基板S1-9。

[帶有被鍍覆層的基板S1-10的製作]

將玻璃基板置換為PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)基板A4300(東洋紡製造)、不使用六甲基二矽氮烷而直接將底塗層形成用組合物在1500rpm下旋塗1分鐘，除此以外，按照與帶有被鍍覆層的基板S1-1的製作過程同樣的過程製作帶有被鍍覆層的基板S1-10。

上述帶有被鍍覆層的基板S1-1~S1-10中的圖案狀被鍍覆層的厚度為1.0μm。

[實施例1~10：具備圖案狀銅層的導電性積層體E1-1~E1-10的製作]

將帶有被鍍覆層的基板S1-1~S1-10的未形成被鍍覆層的面利用養護帶(日東電工製造)覆蓋後，在室溫下在將Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業製造)中的僅MAT-2A進行5倍稀釋後的溶液中浸漬5分鐘，利用純水清洗2次。接著在36℃下在還原劑MAB(上村工業製造)中浸漬5分鐘，利用純水清洗2次。其後在室溫下在活化處理液MEL-3(上村工業製造)中浸漬5分鐘，在不進行清洗的情況下，在室溫下分別在無電解鍍覆液Thru-cup PEA(上村工業製造)中浸漬60分鐘。剝離覆蓋的帶，利用純水清洗2次，將所得到的具備圖案狀被鍍覆層和圖案狀銅層的基板分別作為導電性積層體E1-1~E1-10。

另外，上述“將Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業製造)中的僅MAT-2A進行5倍稀釋後的溶液”相當於含有鈀離子的催化劑賦予液，其pH為3.5。

[實施例11~12：具備圖案狀銅層的導電性積層體E1-11~E1-12的製作]

在氯化鈀(0.5g)中加入10%的鹽酸200ml進行溶解後，加入1N的氫氧化鈉水溶液700ml。分別準備催化劑賦予液X和催化劑賦予液Y，該催化劑賦予液X是將該Pd催化劑賦予液利用10%的鹽酸和1N的氫氧化鈉水溶液將pH調整為4.4而得到的，該催化劑賦予液Y是將其pH調整為6.6而得到的。

除了不使用“將Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業製造)中的僅MAT-2A進行5倍稀釋後的溶液”而使用催化劑賦予液X以外，按照與導電性積層體E1-1的製作方法同樣的過程來製作導電性積層體E1-11。

另外，除了不使用“將Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業製造)中的僅MAT-2A進行5倍稀釋後的溶液”而使用催化劑賦予液Y以外， 按照與導電性積層體E1-1的製作方法同樣的過程來製作導電性積層體E1-12。

[比較例1]

除了不使用“厚度2mm、100mm見方的丙烯酸類樹脂制基體”而使用上述帶有底塗層的基板以外，按照與專利文獻1的0034~0037段的記載同樣的過程來得到具備圖案狀被鍍覆層(相當於抗蝕劑)的帶有被鍍覆層的基板S1-13。

另外，在比較例1中，如專利文獻1所記載，使用含有膠體鈀作為鍍覆催化劑的抗蝕劑塗布液。

將帶有被鍍覆層的基板S1-13的未形成被鍍覆層的面利用養護帶(日東電工)覆蓋後，在室溫下在活化處理液MEL-3(上村工業)中浸漬5分鐘，在不進行清洗的情況下，在室溫下分別在無電解鍍覆液Thru-cup PEA(上村工業)中浸漬60分鐘。剝離覆蓋的帶，利用純水清洗2次，將所得到的具備圖案狀被鍍覆層和圖案狀銅層的基板作為導電性積層體E1-13。

[比較例2]

使用黑化處理液(日本Carlit製造)，對比較例1中得到的導電性積層體E1-13的圖案狀銅層表面進行黑化處理，得到導電性積層體E1-14。

[比較例3]

使用濺射裝置(ULVAC製造)，在玻璃基板大猩猩玻璃(Corning製造)上進行銅的1μm成膜。其後利用照相平版印刷法形成圖案狀的銅層，得到具備圖案狀銅層的導電性積層體E1-15。

[比較例4~6]

向氯化鈀(0.5g)中加入10%的鹽酸200ml進行溶解後，加入1N的氫氧化鈉水溶液700ml。分別準備催化劑賦予液Z和催化劑賦予液W，該催化劑賦予液Z是將該Pd催化劑賦予液利用10%的鹽酸和1N的氫氧化鈉水溶液將pH調整為1.8來得到的，該催化劑賦予液W是將其pH調整為8.0來得到的。

除了不使用“將Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業製造)中的僅MAT-2A進行5倍稀釋後的溶液”而使用催化劑賦予液Z以外，按照與導電性積層體E1-1的製作方法同樣的過程來製作導電性積層體E1-16。其中，在導電性積層體E1-16中，金屬未析出、未形成圖案狀金屬層。

除了不使用“將Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業製造)中的僅MAT-2A進行5倍稀釋後的溶液”而使用“Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業製造)的MAT-2A”以外，按照與導電性積層體E1-1的製作方法同樣的過程來製作導電性積層體E1-17。另外，上述“Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業製造)的MAT-2A”為與實施例1~10不同的在不進行稀釋的情況下使用的方式，“Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業製造)的MAT-2A”的pH為2.9。其中，在導電性積層體E1-17中，金屬未析出、未形成圖案狀金屬層。

此外，除了不使用“將Pd催化劑賦予液MAT-2(上村工業製造)中的僅MAT-2A進行5倍稀釋後的溶液”而使用催化劑賦予液W以外，按照與導電性積層體E1-1的製作方法同樣的過程來製作導電性積層體E1-18。另外，在所形成的導電性積層體E1-18中，在基板的大致整個面上形成金屬層，無法形成特定的圖案狀金屬層，無法應用於觸控面板用途中。從而，關於導電性積層體E1-18，未實施後段的各種評價。

<能量分散型X射線分光測定>

對於上述導電性積層體E1-10的圖案狀被鍍覆層和圖案狀金屬層，沿著基板的法線方向並且在與圖案狀金屬層的延長方向正交的方向進行切斷，利用掃描型顯微鏡對圖案狀被鍍覆層與圖案狀金屬層的斷面進行觀察(參見圖4(A))。如圖4(A)所示，觀察到了圖案狀金屬層(無電解鍍覆銅)、圖案狀被鍍覆層、以及底塗層。

接著，使用透過型電子顯微鏡，對於圖案狀被鍍覆層與圖案狀金屬層的斷面採用能量分散型X射線分析法沿著深度方向實施組成分析。圖4(B)中示出了銅來源的峰的圖譜。如圖4(B)所示，在圖案狀金屬層的區域，由於圖案狀金屬層由銅構成，因而計算出大致一定強度的峰；在圖案狀被鍍覆層的區域，觀測到圖案狀被鍍覆層中所含有的相同成分來源的峰。按照上述方法計算出構成圖案狀金屬層的銅來源的平均峰強度Pa以及圖案狀被鍍覆層中所含有的銅成分來源的平均峰強度Pb，求出其比(Pb/Pa)。結果列於表2。

另外，在圖4(C)中顯示出了利用電子能量損失譜分析法(EELS法)對圖案狀被鍍覆層與圖案狀金屬層的斷面進行觀察的結果。利用該EELS法能夠確認到碳原子的存在，如圖4(C)所示，在圖案狀被鍍覆層和底塗層確認到碳原子的殘存。

上文中對於使用導電性積層體E1-10的方法進行了詳述，對於導電性積層體E1-1~E1-9、導電性積層體E1-11~E1-17也實施同樣的測定，求出比(Pb/Pa)。另外，按照下述基準對於各實施例以及比較例進行評價。結果匯總示於表2中。

“A”：比(Pb/Pa)為0.8以上0.95以下

“B”：比(Pb/Pa)為0.65以上且小於0.8

“C”：比(Pb/Pa)為0.5以上且小於0.65

“D”：比(Pb/Pa)小於0.5

<評價>

(色調評價)

從基板側通過目視對所得到的導電性積層體進行觀察時，按照下述基準對圖案狀金屬層(圖案狀銅層)的色調進行評價。另外，實用上優選“3”。

“1”：被清晰視認為銅色(橙色)

“2”：被視認為稍有銅色(橙色)

“3”：被視認為黑色

另外，在評價“3”中，在比(Pb/Pa)的評價為“A”的情況下，為更沒有光澤的深黑。

(導電性評價)

除了使用特定的光掩模使得所形成的圖案狀金屬層的形狀為網狀(金屬部的長度為2μm、開口部的長度為98μm)以外，按照與上述實施例以及比較例同樣的過程製造導電性評價用的導電性積層體E3-1~E3-17。

使用所得到的導電性評價用的導電性積層體E3-1~E3-17，利用低電阻率儀MCP-T610(三菱化學分析技術)測定金屬層的電阻值，按照下述基準進行評價。實用上優選“2”。

“1”：電阻值為1Ω/□以上

“2”：電阻值小於1Ω/□

(斷面觀察)

將1cm²(1cm×1cm)的導電性積層體(E1-1~E1-17)固定於亞克力塊(acrylic block)，放入至專用模具中，將丙烯酸類樹脂Acrylic One(株 式會社Maruto)注入到模具中，之後利用曝光裝置ONE‧LIGHT(株式會社Maruto)進行2小時曝光，使丙烯酸類樹脂固化。固化後利用丙酮清洗，利用研磨裝置ML-160A(株式會社Maruto)使用# 400的研磨紙進行研磨直至露出基板表面為止，之後利用Baikaloy1.0CR(BAIKOWSK INTERNATIONAL CORPORATION)進行研磨直至成為鏡面為止。其後在表面蒸鍍防帶電()用金，然後利用Hitachi High-Technologies S-3000對導電性積層體的斷面(相對於基板表面的垂直面)進行觀察，使用圖像分析軟體“winRFFO”根據圖像的濃淡計算出平均粒徑，確認是否滿足下述要件A或要件B。在滿足下述要件A和要件B的任意一者的情況下判斷為“有”微細結構，在要件A和要件B兩者均不滿足的情況下判斷為“無”微細結構。

要件A：自被鍍覆層(或圖案狀被鍍覆層)與圖案狀金屬層的介面起在被鍍覆層(或圖案狀被鍍覆層)側方向的500nm的表層區域中存在平均粒徑為10~1000nm的金屬粒子。

要件B：被鍍覆層(或圖案狀被鍍覆層)與圖案狀金屬層的介面具有凹凸形狀，凹凸形狀的算術平均粗糙度Ra為5~1000nm，凹凸形狀的凹部間的平均距離為10~1000nm。

下述表2中，“L/S(μm/μm)”是指所形成的圖案狀金屬層的L(線條)/S(空間)。

另外，在“金屬層的形成方法”欄中，“無電解”是指實施了無電解鍍覆處理，“濺射”是指通過濺射形成金屬層。

另外，如上所述，在比較例6中，金屬層在大致整個面析出，無法應用於觸控面板用途，從這方面考慮，未實施各種評價。

〔表2〕

另外，使用NDH7000(日本電色工業製造)測定的導電性積層體E1-1~E1-17的全光線透過率(JIS K7361-1)為80%以上。

另一方面，導電性積層體E1-18的全光線透過率(JISK7361-1)小於80%。

如上述表2所表示，本發明的導電性積層體中，圖案狀金屬層被視認為更黑的黑色，並且導電性也優異。

另一方面，在使用了專利文獻1的組成物的比較例1和2以及通過濺射法制作了圖案狀金屬層的比較例3中，儘管圖案狀金屬層的導電性優異，但圖案狀金屬層的色調成為銅色，視認性差。另外，如比較例2所示，相對於從基板側觀察圖案狀金屬層時被辨認為銅色的比較例1的導電性積層體，即使在實施黑化處理後，從基板側觀察圖案狀金屬層時，色調也未變黑。

另外，如比較例4~6所示，在未使用特定的pH的催化劑賦予液的情況下，未得到所期望的構成的導電性積層體，並且也未得到所期望的效果。

<實施例13：觸控面板用導電性積層體E2-1的製作>

將掩模置換為單面單層型且具有感測器部分與周邊配線這兩者的觸控面板製作用掩模，除此以外，按照與導電性積層體E1-1的製作方法同樣的過程製備具有圖案狀銅層的導電性積層體，將其作為觸控面板用導電性積層體E2-1。

<實施例14：觸控面板用導電性積層體E2-2的製作>

除了將掩模置換為雙面型且具有感測器部分與周邊配線這兩者的觸控面板製作用掩模並在兩面製作圖案狀銅層以外，按照與導電性積層體E1-10的製作方法同樣的過程製備具有圖案狀銅層的導電性積層體，利用黑化處理液(日本Carlit製造)對銅表面進行黑化處理，製成觸控面板用導電性積層體E2-2。

<實施例15：觸控面板用導電性積層體E2-3的製作>

除了將掩模置換為僅具有周邊配線部分的觸控面板製作用掩模以外，按照與導電性積層體E1-1的製作方法同樣的過程製作具有圖案狀銅層的導電性積層體E2-3’。

接著，使用濺射裝置在導電性積層體E2-3’的具有銅層的面進行50nm的ITO(氧化銦錫)成膜。在ITO層上旋塗光致抗蝕劑TSMR-8900(東京應化工業製造)進行2μm成膜。在90℃下預烘焙10分鐘後，使用具有感測器部分的觸控面板製作用掩模，進行40mJ的UV照射。其後在110℃下烘焙10分鐘，之後利用0.75%的NaOH水溶液進行光致抗蝕劑的圖案化。接著使用蝕刻液ITO-02(關東化學製造)進行ITO層的蝕刻。最後利用2%的NaOH水溶液將光致抗蝕劑全部除去，清洗後在150℃下乾燥30分鐘，製成觸控面板用導電性積層體E2-3。

在上述實施例14中得到的導電性積層體的兩面粘貼上述製作的3M社製造OCA(# 8146-4：100微米厚)。將所得到的積層體的外形大致整理成與感測器尺寸的0.7mm厚的堿石灰玻璃相同尺寸，利用索尼化學社製造的ACF(CP906AM-25AC)進行FPC(柔性印刷基板)的壓接接合，之後在頂側粘貼上述堿石灰玻璃，在底側與液晶顯示幕貼合，製造觸控面板。

另外，利用索尼化學社製造的ACF(CP906AM-25AC)在上述實施例13與15得到的導電性積層體上進行FPC(柔性印刷基板)的壓接接合後，與液晶顯示幕貼合，製造觸控面板。

在表3中，關於“兩面/單面”，在僅在基板的一個面上配置感測器部分(感測器電極)和周邊配線的情況下意指“單面”、在基板的兩面配置感測器部分(感測器電極)和周邊配線的情況下意指“兩面”。

〔表3〕

將實施例13~15中得到的觸控面板的構成匯總示於表3。

在使用觸控面板用導電性積層體E2-1~2-3作為觸控面板感測器的情況下，對於通過上述處理形成的圖案狀金屬層(感測器部分和/或周邊配線)，即使從基板側觀察也被視認為黑色，能夠作為觸控面板感測器使用。

Claims (8)

1. 一種觸控面板用導電性積層體，其具有：基板，該基板具有2個主面；圖案狀被鍍覆層，該圖案狀被鍍覆層配置在上述基板的至少一個主面上，具有與金屬離子相互作用的官能團；以及圖案狀金屬層，該圖案狀金屬層配置在上述圖案狀被鍍覆層上；在上述圖案狀被鍍覆層中包含構成上述圖案狀金屬層的金屬成分；使用能量分散型X射線分析法對上述圖案狀被鍍覆層和上述圖案狀金屬層的斷面進行組成分析時，相對於構成上述圖案狀金屬層的金屬成分來源的平均峰強度，上述圖案狀被鍍覆層所含有的上述金屬成分來源的平均峰強度的比為0.5~0.95。
2. 如請求項1所述的觸控面板用導電性積層體，其中，在上述基板的2個主面上分別配置上述圖案狀被鍍覆層和上述圖案狀金屬層。
3. 一種觸控面板用導電性積層體，其依敘述順序具有基板、圖案狀樹脂層以及圖案狀金屬層，該基板具有2個主面，該圖案狀樹脂層配置在上述基板的至少一個主面上，該圖案狀金屬層配置在上述圖案狀樹脂層上；其中，該觸控面板用導電性積層體滿足下述要件A和要件B中的至少一者：要件A：自上述圖案狀樹脂層與上述圖案狀金屬層的介面起在上述圖案狀樹脂層側方向的500nm的表層區域中存在平均粒徑為10~1000nm的金屬粒子；要件B：上述圖案狀樹脂層與上述圖案狀金屬層的介面具有凹凸形狀，上述凹凸形狀的算術平均粗糙度Ra為5~1000nm，上述凹凸形狀的凹部間的平均距離為10~1000nm。
4. 如請求項1~3的任一項所述的觸控面板用導電性積層體，其中，上述基板為玻璃基板或樹脂基板。
5. 如請求項1~3的任一項所述的觸控面板用導電性積層體，其中，與上述基板的主面相鄰地配置底塗層。
6. 如請求項1~3的任一項所述的觸控面板用導電性積層體，其中，上述圖案狀金屬層包含銅。
7. 一種觸控面板，其包含請求項1~6的任一項所述的觸控面板用導電性積層體。
8. 一種透明導電性積層體，其具有：基板，該基板具有2個主面；圖案狀被鍍覆層，該圖案狀被鍍覆層配置在上述基板的至少一個主面上，並且具有與金屬離子相互作用的官能團；以及圖案狀金屬層，該圖案狀金屬層配置在上述圖案狀被鍍覆層上；在上述圖案狀被鍍覆層中包含構成上述圖案狀金屬層的金屬成分；使用能量分散型X射線分析法對上述圖案狀被鍍覆層和上述圖案狀金屬層的斷面進行組成分析時，相對於構成上述圖案狀金屬層的金屬成分來源的平均峰強度，上述圖案狀被鍍覆層所含有的上述金屬成分來源的平均峰強度的比為0.50~0.95。