TW201708978A - 顯影裝置、顯影方法、圖案形成裝置及圖案形成方法 - Google Patents

顯影裝置、顯影方法、圖案形成裝置及圖案形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201708978A
TW201708978A TW105113774A TW105113774A TW201708978A TW 201708978 A TW201708978 A TW 201708978A TW 105113774 A TW105113774 A TW 105113774A TW 105113774 A TW105113774 A TW 105113774A TW 201708978 A TW201708978 A TW 201708978A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
developing
pattern
developer
photosensitive layer
Prior art date
Application number
TW105113774A
Other languages
English (en)
Inventor
小林浩行
Original Assignee
富士軟片股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士軟片股份有限公司 filed Critical 富士軟片股份有限公司
Publication of TW201708978A publication Critical patent/TW201708978A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

一種顯影裝置，其對形成於支撐體兩面的感光性層被曝光成預先規定的圖案狀的基板進行顯影。本發明的顯影裝置具有噴射部，所述噴射部對於被保持垂直的基板，將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射至基板表面的感光性層及背面的感光性層。對形成於支撐體兩面的感光性層被曝光成預先規定的圖案狀的基板進行顯影的顯影方法包括顯影步驟，所述顯影步驟於將基板保持為垂直的狀態下，將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射至基板表面的感光性層及背面的感光性層。

Description

顯影裝置、顯影方法、圖案形成裝置及圖案形成方法
本發明是有關於一種於基板的兩面形成圖案的顯影裝置及顯影方法、以及具有顯影裝置的圖案形成裝置及利用顯影方法的圖案形成方法，特別是有關於一種可進行抑制了顯影不均等的高精度的顯影且可提高圖案精度的顯影裝置及顯影方法、於高精度顯影及抑制了洗滌不均等的高精度的洗滌中至少可進行高精度的顯影且可提高圖案精度的圖案形成裝置及圖案形成方法。
近年來，大多利用觸控面板感測器作為可攜式終端及電腦的輸入裝置。觸控面板感測器配置於顯示器的表面，並檢測手指等的接觸位置，進行輸入操作。 作為觸控面板感測器，有靜電電容方式的觸控面板感測器。靜電電容方式的觸控面板感測器中，透明導電膜大多包含氧化銦錫（indium tin oxide，ITO）。 然而，存在對稀有資源銦的保存量的擔心、以及對根據出產國的輸出量限制的確保量的擔心。另外，存在利用蒸鍍製造的良率等各種不穩定要素。於此種背景下，亦開始採用使用銅或銀等一般的金屬並進行細配線化而製成網格狀態的透明導電膜。製成網格狀態的透明導電膜具有可良率高地進行生產且為低電阻的特性，因此亦可應對大面積，故數量逐漸增加。再者，為了使用所述金屬，將細的金屬配線形成於透明基材，就增加透明感的方面而言，細線化變得重要。
例如，專利文獻1中記載有如下方法：於藉由光微影法對用以利用凸版印刷法來形成尺寸已大型化的有機EL元件的樹脂凸版進行圖案化時，一邊使用噴霧式顯影方法，一邊進行圖案精度高且消除了顯影不均等的製版。 專利文獻1的印刷用凸版的製造方法中，於藉由自噴霧型噴出口噴射的顯影液將曝光後感光性樹脂的不需要部位去除來進行顯影的顯影階段、以及藉由自噴霧型噴出口噴射的洗滌液將顯影後的感光性樹脂上的顯影液的殘渣去除的洗滌階段中，版材搬送部相對於與搬送方向直行的水平面具有傾斜的角度。藉此，並無現有的噴霧式顯影方法中可見的顯影液滯留於基板上而發生由顯影狀態所致的面內偏差精度的惡化的問題，可進行圖案精度高且無顯影不均的樹脂凸版的製版。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-248199號公報
[發明所欲解決之課題] 專利文獻1中，版材搬送部具有傾斜的角度，藉此顯影液不會滯留於基板上，而使新的洗滌液始終存在於基板上。然而，存在如下問題：即便為傾斜，亦有時會因顯影液的自重而使顯影液殘留於基板表面，顯影液的更換停滯，實質上暴露於顯影液中的顯影時間因基材的場所而變動，且因顯影不均的發生或異物的滯留而使得圖案精度未必高。 另外，專利文獻1中，僅對基板的單面進行顯影、洗滌，無法應對於基板的兩面形成有圖案者。
本發明的目的在於解決基於所述現有技術的問題，並提供一種可進行抑制了顯影不均等的高精度的顯影且可提高圖案精度的顯影裝置及顯影方法、於高精度顯影及抑制了洗滌不均等的高精度的洗滌中至少可進行高精度的顯影且可提高圖案精度的圖案形成裝置及圖案形成方法。 [解決課題之手段]
為了達成所述目的，本發明的第一態樣是提供一種顯影裝置，其是對形成於支撐體兩面的感光性層被曝光成預先規定的圖案狀的基板進行顯影的顯影裝置，且所述顯影裝置的特徵在於具有：噴射部，所述噴射部對於被保持垂直的基板，將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射至基板表面的感光性層及背面的感光性層。
較佳為具有使基板與噴射部沿垂直方向進行相對移動的移動部。微小粒狀的顯影液的粒徑較佳為5 mm以下。噴射部較佳為於垂直方向上的同一位置，在同一時間點對基板的表面及背面噴射液體。噴射部較佳為具有噴射液體的噴嘴，且自噴嘴噴射的顯影液的噴射範圍是穿過噴嘴與基板的表面及背面的水平面以下。 較佳為於基板的支撐體的其中一面的感光性層形成有在靜電電容式觸控面板感測器中構成感測器區域的接收用配線的圖案，於另一面的感光性層形成有構成感測器區域的發送用配線的圖案。 於基板的支撐體的兩面的感光性層中所形成的預先規定的圖案較佳為至少包含格子狀圖案。
本發明的第二態樣是提供一種顯影方法，其是對形成於支撐體兩面的感光性層被曝光成預先規定的圖案狀的基板進行顯影的顯影方法，且所述顯影方法的特徵在於包括：顯影步驟，於將基板保持為垂直的狀態下，將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射至基板表面的感光性層及背面的感光性層。 顯影步驟較佳為使基板沿垂直方向進行相對移動，並將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射。 微小粒狀的顯影液的粒徑較佳為5 mm以下。較佳為於垂直方向上的同一位置，在同一時間點對基板的表面及背面噴射顯影液。顯影液較佳為是自噴嘴噴射，且自噴嘴噴射的顯影液的噴射範圍是穿過噴嘴與基板的表面及背面的水平面以下。
本發明的第三態樣是提供一種圖案形成裝置，其是至少包括顯影裝置及洗滌裝置，並於基板的兩面形成圖案的圖案形成裝置，且所述圖案形成裝置的特徵在於：顯影裝置及洗滌裝置中，至少顯影裝置具有噴射部，所述噴射部對於被保持垂直的基板，將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射至基板表面的感光性層及背面的感光性層，於顯影裝置的情況下，液體是顯影液，於洗滌裝置的情況下，液體是洗滌液。 較佳為具有使基板與噴射部沿垂直方向進行相對移動的移動部。 微小粒狀的液體的粒徑較佳為5 mm以下。噴射部較佳為於垂直方向上的同一位置，在同一時間點對基板的表面及背面噴射液體。噴射部較佳為具有噴射液體的噴嘴，且自噴嘴噴射的液體的噴射範圍是穿過噴嘴與基板的表面及背面的水平面以下。 基板較佳為於支撐體的兩面形成有感光性層者。
本發明的第四態樣是提供一種圖案形成方法，其是於基板的兩面形成圖案的圖案形成方法，且所述圖案形成方法的特徵在於包括：顯影步驟，於將形成於支撐體兩面的感光性層被曝光成預先規定的圖案狀的基板保持為垂直的狀態下，將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射至基板表面的感光性層及背面的感光性層；洗滌步驟，於顯影步驟後，進而於將基板保持為垂直的狀態下，將洗滌液以微小粒狀間歇性地噴射至基板表面的感光性層及背面的感光性層。
顯影步驟及洗滌步驟較佳為使基板沿垂直方向進行相對移動，並將顯影液及洗滌液以微小粒狀間歇性地噴射。微小粒狀的顯影液及微小粒狀的洗滌液的粒徑較佳為5 mm以下。顯影步驟較佳為於垂直方向上的同一位置，在同一時間點對基板的表面及背面噴射顯影液；洗滌步驟較佳為於垂直方向上的同一位置，在同一時間點對基板的表面及背面噴射洗滌液。 顯影液較佳為是自噴嘴噴射，且自噴嘴噴射的顯影液的噴射範圍是穿過噴嘴與基板的表面及背面的水平面以下。洗滌液較佳為是自噴嘴噴射，且自噴嘴噴射的洗滌液的噴射範圍是穿過噴嘴與基板的表面及背面的水平面以下。 [發明的效果]
根據本發明的顯影裝置及顯影方法，可進行抑制了顯影不均等的高精度的顯影且可提高圖案精度。 根據本發明的圖案形成裝置及圖案形成方法，於抑制了顯影不均等的高精度的顯影及抑制了洗滌不均等的高精度的洗滌中，至少可進行高度的顯影且可提高圖案精度。
以下，基於隨附圖式中所示的較佳的實施方式，對本發明的顯影裝置、顯影方法、圖案形成裝置及圖案形成方法進行詳細說明。 再者，以下，所謂表示數值範圍的「～」，包含兩側所記載的數值。例如，所謂ε為數值α～數值β，是指ε的範圍是包含數值α與數值β的範圍，若以數學符號來表示，則為α≦ε≦β。 所謂光學性透明及僅稱為透明，均是指透光率於波長400 nm～800 nm的可見光波長區域中至少為60%以上，較佳為80%以上，更佳為90%以上，進而佳為95%以上。 透光率例如是使用JIS K 7375：2008中規定的「塑膠--全光線透過率及全光線透過率的求出方法」來進行測定。 另外，所謂「相同」、「同一」及「同時」，是設為包含在技術領域中通常所容許的誤差範圍。所謂「不同」，是指不滿足所述「相同」、「同一」、「同時」的規定者。
圖1是表示本發明的實施方式的圖案形成裝置的示意圖。圖2是表示兩面經曝光的基板的一例的示意性剖面圖，圖3是表示兩面經曝光的基板的另一例的示意性剖面圖。 圖1所示的圖案形成裝置10是於基板20的兩面形成圖案者。關於圖案形成裝置10的構成，可根據圖案形成方法來適當決定其構成。例如，圖案形成裝置10具有曝光裝置12、顯影裝置14及洗滌裝置16。未必需要藉由圖案形成裝置10進行曝光，亦可使用已完成曝光的基板20，因此圖案形成裝置10只要至少具有顯影裝置14及洗滌裝置16即可。
基板20是於兩面形成有圖案者。關於所形成的圖案，兩面均可相同，亦可不同。 如圖2所示，基板20是於支撐體30的表面30a上設置有下塗層（undercoat layer）32，且於下塗層32的表面32a設置有感光性層34。另外，於支撐體30的背面30b上設置有下塗層32，且於下塗層32的表面32a設置有感光性層34。於曝光時，例如於感光性層34的表面34a配置有曝光遮罩（未圖示），且基板20是於夾持於曝光遮罩的狀態下進行曝光，而於各感光性層34形成有曝光圖案。支撐體30的表面30a側的感光性層34的表面34a是基板20的表面20a，支撐體30的背面30b側的感光性層34的表面34a是基板20的背面20b。
基板20中，對各感光性層34照射第1曝光光L1 或第2曝光光L2 ，因此為了防止相互經其他曝光光曝光，而設置用於抑制第1曝光光L1 或第2曝光光L2 到達支撐體30的下塗層32。再者，下塗層32亦具有提高基板20與形成於基板20上的構成圖案者的密接性的效果。下塗層32可提高構成後述圖案的鍍敷層與基板20的密接性，所述圖案是對感光性層34進行曝光、顯影及洗滌而形成。下塗層32較佳為具有防止曝光光的效果與提高密接性的效果，但例如若支撐體30為可吸收曝光光者，則下塗層32亦可為優先具有提高密接性的效果者、或者僅具有提高密接性的效果者。 另外，例如若為可吸收曝光光的支撐體31（參照圖3），則可設為如下構成：如圖3所示的基板21般，不設置下塗層32，而分別於支撐體31的表面31a及背面31b設置感光性層34。 關於基板20的支撐體30、下塗層32及感光性層34以及支撐體31，將於後文進行詳細說明。支撐體30及支撐體31是根據用途而適當選擇。根據用途可為透明者，或者亦可為不透明者。
曝光裝置12是形成基板20的兩面中所形成的圖案的曝光圖案的裝置。曝光裝置12中，形成於基板20的曝光圖案可為正型亦可為負型。 利用曝光裝置12的曝光圖案的形成方法並無特別限定。例如可藉由使用曝光遮罩的面曝光形成曝光圖案，亦可不使用曝光遮罩而掃描雷射光線或電子束來形成曝光圖案。另外，曝光中使用的光源的波長是根據感光性層34而適當決定。
顯影裝置14是於將基板20保持為垂直的狀態下，對設置於基板20的兩面的感光性層34進行顯影的裝置。 圖4是表示本發明的實施方式的顯影裝置的示意圖，圖5是表示本發明的實施方式的顯影裝置的噴嘴的配置位置的示意圖。再者，圖4及圖5所示的垂直方向V、水平方向H及方向Z相互正交。 如圖4所示，顯影裝置14具有噴嘴40、泵42、第1貯槽44及第2貯槽45。噴嘴40、泵42、第1貯槽44經由配管43而連接。於泵42與第1貯槽44之間的配管43設置有切換閥46。第2貯槽45經由配管43a而連接於切換閥46。
進而，具有用以使基板20沿垂直方向V移動的引導件（guide）47與馬達48。基板20是藉由未圖示的夾具等設置於引導件47，並且基板20是藉由馬達48而沿垂直方向V以預先設定的速度被提拉。另外，藉由馬達48而以預先設定的速度向下方降落。移動部包含引導件47與馬達48。再者，只要使噴嘴40與基板20進行相對移動即可，並不限定於使基板20移動。亦可將基板20固定而使噴嘴40移動。 顯影裝置14的各構成部由控制部49控制。另外，噴射部41包含噴嘴40、泵42及第1貯槽44。噴射部41亦可包含第2貯槽45。顯影裝置14中亦可未必設置切換閥46、配管43a及第2貯槽45。
第1貯槽44中貯存有顯影液。藉由泵42將顯影液以微小粒狀自噴嘴40間歇性地噴射。另外，第2貯槽45內部的液體可藉由泵42以微小粒狀自噴嘴40間歇性地噴射。 此處，所謂微小粒狀，是指粒徑為5 mm以下，較佳為2 mm以下。關於顯影液的粒徑的測定方法，將於後文進行詳細說明。 所謂間歇性地噴射，是指1秒鐘為1.5次以下、即1.5 Hz以下的噴射。間歇性地噴射中，較佳為1秒鐘為1次以下、即1 Hz以下，進而理想的是2秒為1次以下、即0.5 Hz以下。 顯影液的間歇性地噴射中的噴射的下限值是根據所使用的顯影液的種類、顯影液的噴射量等、以及周圍的環境而變化，因此並無特別限定。例如，於噴霧顯影液時，若顯影液於基板的表面發生局部乾燥，則產生顯影不均，因此欠佳。據此，間歇性地噴射中的噴射的下限值是根據顯影液不會發生局部乾燥的條件而適當設定。該情況下，可根據針對每種顯影液的噴射量及使用環境預先求出不會發生局部乾燥的條件，並基於此可預先設定間歇性地噴射中的噴射的下限值。
噴嘴40是於水平方向H上隔開間隙而相向地配置，於噴嘴40間的間隙設置有引導件47。基板20於經保持為垂直的狀態下通過相向的噴嘴40之間。 噴嘴40例如如圖5所示，於方向Z上隔開間隔而配置有多個、例如4個。噴嘴40的個數是根據基板20的大小、噴嘴40的噴射範圍Di的大小適當設定。因此，噴嘴40亦有存在1個的情況。噴射範圍Di的形狀根據基板20的大小等適當設定，並無特別限定，可為圓形亦可為四邊形。
關於噴嘴40，只要可使顯影液以微小粒狀，且使噴射範圍Ds為廣範圍地對基板20的感光性層34進行噴射，則其構成並無特別限定，例如亦可為狹縫狀噴嘴。 噴射範圍Ds例如亦可藉由噴射角θ表示。噴射範圍Ds較佳為最大為穿過噴嘴40與基板20的表面20a及背面20b的水平面PH 以下。若噴射範圍Ds為水平面PH 以下，則附著於感光性層34的液滴50更容易滴落至下方20c。 另外，噴射範圍Ds較佳為最大為與基板20的中心線C平行的垂直面Pv以內。若噴射範圍Ds超出垂直面Pv，則未到達基板20的表面20a及背面20b的顯影液增加。如此，噴射範圍Ds較佳為位於所述水平面PH 與垂直面Pv之間。即，噴射角θ較佳為位於所述水平面PH 與垂直面Pv之間。
關於泵42，只要可自第1貯槽44及第2貯槽45向噴嘴40供給顯影液或洗滌液，並間歇性地進行噴射，則其構成並無特別限定。作為泵42，例如可使用隔膜型泵。
關於第1貯槽44及第2貯槽45，只要可於內部貯存顯影液及洗滌液等液體，則其構成並無特別限定。再者，第1貯槽44及第2貯槽45中亦可包括用以根據所貯存的顯影液及洗滌液的使用溫度而將內部的液體維持為使用溫度的加熱器或冷卻器等的溫度調整部。 關於顯影液及洗滌液，可適當使用適合於基板20的感光性層34者，例如可使用包含表面張力大於有機溶劑的水者。
於將基板20保持為垂直的狀態下進行顯影處理，所謂垂直，是指基板20的中心線C相對於水平方向H的角度為90°。關於垂直的角度，在本發明中容許角度10°的偏差，將相對於水平方向H的角度為80°～100°的範圍設為垂直。
顯影步驟包括如下四階段的步驟：利用顯影液將已完成曝光的感光性層34的表面潤濕；顯影液成分將被顯影物侵蝕（attack）並加以溶解而溶出至感光性層；所溶出的原材料擴散或被去除並進一步進行溶解。該些可逐步或同時發生。 顯影裝置14中，由於將基板20保持為垂直，因此到達感光性層34表面的顯影液與感光性層34表面接觸，大半的顯影液藉由重力流動至下方。接下來的間歇性地噴射的顯影液進而到達感光性層34表面，於有關顯影後流動至下方。即，可始終將新鮮的顯影液即刻搬送至感光性層34表面。 藉由噴射的顯影液，亦可產生使附著於感光性層34表面的顯影液流掛至下方的效果。顯影液通常為水系，因此具有極高的表面張力，顯影液的比重小，表面張力高。因此，感光性層34表面的液膜殘留於底部。因此，僅藉由純粹的自重效果難以促進新舊顯影液的更換，但藉由自重與所噴射的顯影液的勢能此兩者可使感光性層34表面的顯影液的更換活躍化。
如此，顯影裝置14中，於將基板20垂直地加以保持，且保持為垂直的狀態下，將顯影液以微小粒狀的液滴50間歇性地噴射至基板20的表面20a的感光性層34及背面20b的感光性層34，藉此增加顯影液的液滴50的表面積，容易附著於感光性層34表面而提高潤濕性。另外，藉由間歇性地噴射顯影液，可進一步提高顯影液的潤濕容易度。藉由將基板20保持為垂直，可使溶入有被顯影物的顯影液的液滴50容易移動至基板20的下方20c。藉此可進行抑制了顯影不均等的高度的顯影。 另外，顯影裝置14中，關於利用噴嘴40的顯影液的噴射，藉由將噴射範圍Ds設為水平面PH 以下，可使溶入有被顯影物的顯影液的液滴50容易移動至基板20的下方20c。另外，藉由將噴射範圍Ds設為垂直面Pv以內，可有效利用顯影液。
於基板20的兩面噴射顯影液，但較佳為於垂直方向V上的同一位置，在同一時間點噴射顯影液。利用多個噴嘴40的顯影液的噴射時間點是由控制部49控制。如此，於基板20的垂直方向V上的同一位置，在同一時間點，自基板20的兩面噴射顯影液，並自基板20的兩側施加壓力，藉此將基板20保持為中立。因此，即便於使基板20的厚度變薄的情況下，亦可自基板20的兩側藉由顯影液的壓力平衡而使基板20保持中立，基板20在水平方向H上不會與其他物體接觸，因此即便於使基板20薄型化的情況下，亦可應對。另外，可抑制基板20的移動，亦可抑制基板20的晃動，從而順利進行顯影處理。另外，藉由對基板20的兩面一併進行顯影處理，可效率良好地進行顯影處理，進而亦可提高圖案形成的效率。
繼而，對利用顯影裝置14的顯影方法進行說明。 圖6～圖8是以步驟順序表示本發明的實施方式的顯影裝置的顯影方法的示意圖。再者，圖6～圖8所示的顯影裝置14中示出噴嘴40與基板20，關於其他構成省略圖示。 如圖6所示，將形成於支撐體30兩面的感光性層34經曝光裝置12曝光成預先規定的圖案狀的基板20配置於噴嘴40間，將基板20保持為垂直。於將基板20保持為垂直的狀態下，驅動泵42來將第1貯槽44內的顯影液以微小粒狀自噴嘴40間歇性地噴射。此時，如上所述較佳為於基板20的垂直方向V上的同一位置，使噴射時間點一致、即使噴射時間點同步來噴射顯影液。
藉由馬達48（參照圖4）並經由引導件47，以預先規定的速度向上方提拉基板20，如圖7及圖8所示，直至到達基板20的端部為止一直提拉基板20。如此，可使顯影液遍及基板20的感光性層34整個面，可均勻地進行顯影。另外，藉由使基板20移動至上方，感光性層34表面的液滴50（參照圖4）流動至基板20的下方20c，可容易將顯影中產生的剝離物去除。 再者，顯影方法中，圖6～圖8所示的顯影步驟可重複進行多次而並非一次，可根據感光性層34的種類或顯影液的種類等適當決定。該情況下，較佳為使基板20自圖8的狀態變為圖6所示的狀態，即，將基板20降落至下方後，進行下次的顯影處理。
繼而，對顯影液的粒徑進行說明。 如上所述，顯影液是以微小粒狀的形態自噴嘴40噴射。所謂微小粒狀，是指粒徑為5 mm以下，較佳為2 mm以下。微小粒狀的下限值是可附著於基板20而進行顯影的最小的尺寸，該情況下，粒徑為0.1 mm左右。若粒徑未滿0.1 mm，則被稱為浮游粒子，顯影液難以附著於基板20而欠佳。 所述顯影液的粒徑是如以下般進行測定。顯影液的粒徑的測定是於控制設定為大約溫度23±5℃、濕度55±5%的潔淨室內進行。 圖9及圖10是用以說明顯影液的粒徑的測定方法的示意圖。 顯影液的粒徑的測定如圖9所示使用經由配管53將泵52與噴嘴40連接，並進而與貯存顯影液的貯槽54連接的裝置。藉由泵52而將貯槽54內的顯影液自噴嘴40噴射。泵52是隔膜型泵，以1秒鐘為1次的頻率自噴嘴40噴射顯影液。顯影液是40℃的1質量%碳酸鈉水溶液。
顯影液的粒徑的測定是於自噴嘴40噴射顯影液的狀態下，使聚對苯二甲酸乙二酯片材56（以下，簡稱為PET片材56）快速地進出而進行。若PET片材56的表面56a長時間接觸顯影液，則如圖10所示，顯影液的液滴57附在其他的液滴58上，因此使PET片材56快速地進出。液滴57附在進出的PET片材56的顯影液的施加時間最短的地方，經確認，在目視上可視為半球狀態。在顯影液長時間接觸的地方，即進、出的起點56b側，液滴57可能覆蓋在其他的液滴58上。隨機選擇10個可判斷為液滴者，根據半球狀的液滴的半徑求出球體半徑。進而，算出10個球體半徑的平均，而獲得球體半徑的平均值，將該平均值的2倍的值設為顯影液的粒徑。 根據半球狀的液滴的半徑R而得的粒狀的球體半徑r可使用r=R/（21/3 ）來求出。
洗滌裝置16是於將經顯影處理的基板20保持為垂直的狀態下，對基板20進行洗滌的裝置。洗滌裝置16除了利用洗滌液代替顯影液以外，與所述顯影裝置14為相同的構成，因此省略其詳細說明。洗滌裝置16中，洗滌液貯存於第1貯槽44中。
洗滌步驟包括如下等步驟：以洗滌水對已完成顯影的感光性層34表面所存在的顯影液進行置換；自感光性層34表面將被置換的顯影液排除；使少量殘存於感光性層34表面上的顯影液溶入於進行了置換的洗滌水中；進而接下來的洗滌液到達並對之前所存在的洗滌水進行置換。該些步驟亦可平行地發生。 洗滌處理中，由於亦將基板20保持為垂直，因此到達感光性層34表面的洗滌液與感光性層34表面接觸，大半的洗滌液藉由重力流動至下方。接下來的間歇性地噴射的洗滌液進一步到達感光性層34表面，於有關洗滌後流動至下方。即，可始終將新鮮的洗滌液即刻搬送至感光性層34表面。 藉由噴射的洗滌液，亦可產生使附著於感光性層34表面的洗滌液流掛至下方的效果。洗滌液通常為水系，因此具有極高的表面張力，洗滌液的比重小，表面張力高。因此，感光性層34表面的液膜殘留於底部。因此，僅藉由純粹的自重效果難以促進新舊洗滌液的更換，但藉由自重與所噴射的洗滌液的勢能此兩者可使感光性層34表面的洗滌液的更換活躍化。
如此，洗滌裝置16中，於將基板20垂直地加以保持，且保持為垂直的狀態下，將洗滌液以微小粒狀自噴嘴40間歇性地噴射至已完成顯影處理的基板20的表面20a的感光性層34及背面20b的感光性層34，藉此增加洗滌液的液滴50的表面積，容易附著於感光性層34表面而提高潤濕性。另外，藉由間歇性地噴射洗滌液，可進一步提高顯影液的潤濕容易度。藉由將基板20保持為垂直，可使溶入有被顯影物的洗滌液的液滴50容易移動至基板20的下方20c。藉此可進行抑制了洗滌不均等的高度的洗滌。
另外，關於洗滌液的噴射，藉由將噴射範圍Ds設為水平面PH 以下，可使溶入有被顯影物的洗滌液的液滴50容易移動至基板20的下方20c。另外，藉由將噴射範圍Ds設為垂直面Pv以內，可有效利用顯影液。 與所述圖6～圖8所示的顯影方法相比，使用洗滌裝置16的洗滌方法除了設為以洗滌液來代替顯影液以外，與顯影方法相同，因此省略其詳細說明。洗滌方法中，如上所述，為了使基板20保持中立，亦較佳為於基板20的垂直方向V上的同一位置，使噴射時間點一致、即使噴射時間點同步來噴射洗滌液。藉由對基板20的兩面一併進行洗滌處理，可效率良好地進行洗滌處理。 洗滌方法中，圖6～圖8所示的洗滌步驟可重複進行多次而並非一次，可根據顯影液的種類或洗滌液的種類等適當決定。該情況下，較佳為使基板20自圖8的狀態變為圖6所示的狀態，即，將基板20降落至下方後，進行下次的洗滌處理。
使用所述洗滌裝置16的洗滌步驟中，將洗滌液以微小粒狀間歇性地噴射，洗滌液的間歇性地噴射與顯影液的間歇性地噴射為相同含義，是指1秒鐘為1.5次以下、即1.5 Hz以下的噴射。間歇性地噴射中，較佳為1秒鐘為1次以下、即1 Hz以下，進而理想的是2秒為1次以下、即0.5 Hz以下。 與顯影液相同，洗滌液的間歇性地噴射中的噴射的下限值是根據所使用的洗滌液的種類、洗滌液的噴射量等、以及周圍的環境而變化，因此並無特別限定。例如，於噴霧洗滌液時，若洗滌液於基板的表面發生局部乾燥，則產生洗滌不均，因此欠佳。據此，間歇性地噴射中的噴射的下限值是根據洗滌液不會發生局部乾燥的條件而適當設定。該情況下，可根據針對每種洗滌液的噴射量及使用環境預先求出不會發生局部乾燥的條件，並基於此可預先設定間歇性地噴射中的噴射的下限值。
另外，洗滌液是與顯影液相同地以微小粒狀的形態自噴嘴40噴射，該洗滌液的微小粒狀亦與顯影液的微小粒狀為相同含義。因此，對於洗滌液而言，所謂微小粒狀，亦是指洗滌液的粒徑為5 mm以下，較佳為2 mm以下，下限值是可附著於基板20而進行洗滌的最小的尺寸，該情況下，粒徑為0.1 mm左右。若粒徑未滿0.1 mm，則被稱為浮游粒子，洗滌液難以附著於基板20而欠佳。 關於洗滌液的粒徑的測定方法，除了使用洗滌液的方面以外，與顯影液的粒徑的測定方法相同，因此省略其詳細說明。
另外，預先於第1貯槽44中貯存顯影液，於第2貯槽45中貯存洗滌液，藉由切換切換閥46，一個裝置亦可兼用作顯影裝置14與洗滌裝置16。該情況下，在一個裝置中可連續進行顯影處理與洗滌處理。 另外，亦可預先於第1貯槽44中貯存顯影液，於顯影處理結束後，將第1貯槽44的顯影液更換為洗滌液，而用作洗滌裝置16。 圖案形成裝置10中，將顯影裝置14與洗滌裝置16設為相同的構成，但並不限定於此，亦可將顯影裝置14設為所述構成，將洗滌裝置16設為另一構成。該情況下，例如，設為如下構成：設置在基板20的寬度方向上延伸的狹縫狀噴嘴，自該狹縫狀噴嘴連續地將洗滌液噴射至基板20的感光性層34整個面。
圖案形成裝置10中，可為對每一個基板20進行處理的單片式，亦可為使用長條基板而連續進行處理的輥對輥式的任一種。於單片式的情況下，在顯影裝置14及洗滌裝置16中對每一片基板進行處理，於輥對輥式的情況下，在顯影裝置14及洗滌裝置16中對基板連續地進行處理。
繼而，對利用圖案形成裝置10的圖案形成方法進行更具體的說明。
＜組成物的製備＞ 依序對異丙醇（Isopropanol，IPA）94.9質量份、聚丙烯酸3質量份、亞甲基雙丙烯醯胺（Methylene bisacrylamide，MBA）2質量份、豔佳固（IRGACURE）（註冊商標）127（巴斯夫（BASF）製造）0.1質量份進行調液，獲得組成物。 ＜底塗層（primer layer）形成用組成物的製備＞ 將氫化丁腈橡膠吉特珀（Zetpol）（註冊商標）0020（日本瑞翁（Japan Zeon）製造）100 g溶解於環戊酮（東京化成製造）900 g中所得的液體設為底塗層形成用組成物。 ＜基板的製作＞ 將100 μm厚的A4300（商品名 東洋紡股份有限公司製造）的片材（尺寸縱×橫：6吋×6吋）作為支撐體，並藉由棒塗以膜厚成為2 μm的方式，將底塗層形成用組成物塗佈於表面上與背面上，於基板的兩面形成用以提高後述的圖案狀鍍敷層與基板的密接性的底塗層。底塗層相當於所述下塗層32。 進而，藉由棒塗，例如以厚度成為0.25 μm的方式，將所述組成物成膜於各底塗層上，製作感光性層34，而獲得經曝光處理的基板20。
圖案形成裝置10的曝光裝置12中，例如藉由具有不同圖案的兩片遮罩夾入所述經曝光處理的基板20，使用可出射包含波長300 nm以下的光的出射光的UV燈 Deep UV Lamp（牛尾（Ushio）製造），並分別以遮罩的圖案狀以曝光能量成為100 mJ的方式對兩面的感光性層34進行曝光，而獲得已完成曝光的基板20。曝光是藉由波長300 nm以下的光進行，但曝光光被包含所述片材的支撐體吸收，因此相互抑制曝光光對其他感光性層34的影響。
繼而，將已完成曝光的基板20保持為垂直，藉由顯影裝置14實施兩次所述顯影處理。該情況下，顯影液例如是使用40℃的1質量%碳酸鈉水溶液。 接下來，例如將顯影液更換為洗滌液，將顯影裝置14設為洗滌裝置16。而且，將已完成顯影的基板20保持為垂直，藉由洗滌裝置16實施兩次所述洗滌處理。該情況下，洗滌液例如是使用40℃的純水。 如此，於基板20的兩面形成圖案狀鍍敷層、即圖案。
再者，為了確認圖案，將洗滌處理後的基板20於0.05質量%的羅丹明（Rhodamine）6G水溶液中浸漬5分鐘而進行染色。而且，可藉由光學顯微鏡進行觀察來確認是否與配置於基板20的兩面的圖案狀被鍍敷層分別所使用的遮罩成為相同的圖案形狀。
關於圖案形成方法，並不限定於所述圖案形成方法，只要是進行顯影處理者，則可適當利用。例如，可用於圖案形成中使用光微影法的圖案形成。例如，可用於利用銀鹽法的圖案形成、及利用蒸鍍法的圖案形成。 利用銀鹽法的圖案形成中，首先準備於兩面形成有包含鹵化銀的銀鹽乳劑層的基板。對基板的各銀鹽乳劑層藉由曝光裝置12實施曝光處理，然後進行使用顯影裝置14的顯影處理。而且，藉由進行洗滌處理，可形成圖案。更具體而言，可利用日本專利特開2015-22397號公報中記載的金屬細線的製造方法。該情況下，洗滌處理可進行使用洗滌裝置16的洗滌處理。 另外，利用蒸鍍法的圖案形成中，首先，藉由蒸鍍於基板的兩面形成銅箔層。於基板的各銅箔層上形成抗蝕劑膜。對基板的各抗蝕劑膜藉由曝光裝置12實施曝光處理，然後進行使用顯影裝置14的顯影處理。而且，實施蝕刻，而由銅箔層形成銅配線。銅箔層除了蒸鍍銅箔以外，亦可利用電解銅箔。更具體而言，可利用日本專利特開2014-29614號公報中記載的形成銅配線的步驟。
繼而，對在基板20的感光性層34中所形成的圖案進行說明。 圖11是表示圖案的一例的示意性平面圖。 圖11所示的圖案60是格子狀圖案，由細線62構成胞元64，組合多個胞元64而構成格子狀圖案。圖案60例如用於觸控面板感測器的檢測電極等。 各胞元64例如是由多邊形構成的。多邊形可列舉三角形、正方形、長方形、平行四邊形、菱形等四邊形、五邊形、六邊形、不規則多邊形等。另外，構成多邊形的邊的一部分可為曲線。
若圖案60的胞元64的一邊的長度P過短，則開口率及透過率降低，伴隨於此，存在透明性劣化的問題。相反地，若胞元64的一邊的長度P過長，則存在細線62容易被視認的可能性。 圖案60的胞元64的一邊的長度P並無特別限定，較佳為50 μm～500 μm，進而佳為150 μm～400 μm。於胞元64的一邊的長度P為所述範圍的情況下，亦可進而良好地保持透明性，於安裝於顯示裝置的前表面時，可毫無不適感地視認到顯示。 就可見光透過率的方面而言，由細線62形成的圖案60的開口率較佳為85%以上，進而佳為90%以上，最佳為95%以上。所謂開口率，是除了細線62以外的透光性部分佔整體的比例，例如線寬6 μm、胞元64的一邊的長度P為240 μm的正方形的格子狀的開口率為95%。
於觸控面板感測器的檢測電極等中所利用的所述圖案60例如於為網格結構（未圖示）的情況下，網格形狀可為相同形狀規則排列的定型形狀，亦可為不規則形狀。於為定型形狀的情況下，較佳為正方形、菱形、正六邊形，特佳為菱形。於菱形的情況下，就減少與顯示裝置的雲紋的觀點而言較佳為其銳角的角度為50°～80°。網格間距p（參照圖11）較佳為50 μm～500 μm，網格的開口率較佳為92%～99%。網格的開口率是以網格部中的導體細線的非佔有面積率來定義。 再者，作為網格狀金屬電極，例如可使用日本專利特開2011-129501號公報、及日本專利特開2013-149236號公報等中所揭示的網眼狀的網格狀金屬電極。除此以外，例如亦可適當使用靜電電容式的觸控面板中所使用的檢測電極。 關於胞元64的一邊的長度P、網格的角度、網格的開口率，例如可使用光學顯微鏡、雷射顯微鏡、數位顯微鏡等進行測定。
對藉由曝光而形成的圖案進行更具體的說明。 圖12是表示藉由曝光而形成的觸控面板感測器的一例的示意性平面圖，圖13是表示圖12所示的觸控面板感測器的形成中所使用的遮罩圖案的一例的示意圖，圖14是表示圖12所示的觸控面板感測器的形成中所使用的遮罩圖案的另一例的示意圖。 圖12～圖14中，對於同一構成物標注同一符號並省略其詳細說明。
於形成圖12所示的構成的觸控面板感測器69的圖案的情況下，例如於基板20的表面20a側的感光性層34形成圖13所示的第1導電圖案70，於背面20b側的感光性層34形成圖14所示的第2導電圖案80。該情況下，準備形成有圖13所示的第1導電圖案70作為遮罩圖案的曝光遮罩、以及形成有圖14所示的第2導電圖案80作為遮罩圖案的曝光遮罩此兩種，使各曝光遮罩密接於基板20的表面20a與背面20b並進行曝光。
圖13所示的第1導電圖案70於第1方向上延伸，包含並列配置的多個第1檢測電極圖案72。各第1檢測電極圖案72於其一端與第1導電端子圖案74連接。進而，各第1導電端子圖案74與導電性的第1配線圖案76連接。
圖14所示的第2導電圖案80於與第1方向正交的第2方向上延伸，包含並列排列的第2檢測電極圖案82。各第2檢測電極圖案82於其一端與第2導電端子圖案84連接。各第2導電端子圖案84與導電性的第2配線圖案86連接。 第1導電圖案70及第2導電圖案80例如可使用日本專利特開2012-147277號公報、日本專利特開2012-163933號公報、日本專利特開2012-174748號公報、日本專利特開2012-190445號公報、日本專利特開2013-149237號公報、日本專利特開2013-149232號公報、日本專利特開2013-149236號公報中記載的電極圖案。進而，除此以外，亦可使用日本專利特表2011-513846號公報、國際公開第2010/013679號中記載的圖案。
第1檢測電極圖案72與第1導電端子圖案74以及第2檢測電極圖案82與第2導電端子圖案84於觸控面板感測器69中構成可檢測觸摸的感測器區域。 第1檢測電極圖案72是形成第1檢測電極69a（參照圖12）的圖案。第1檢測電極69a亦被稱為接收用配線。第1檢測電極圖案72亦為接收用配線的圖案。第2檢測電極圖案82是形成第2檢測電極69d（參照圖12）的圖案。第2檢測電極69d亦被稱為發送用配線。第2檢測電極圖案82亦為發送用配線的圖案。
第1導電端子圖案74是形成與第1檢測電極69a電性連接的第1導電端子69b（參照圖12）的圖案。第1配線圖案76亦為形成與第1導電端子69b電性連接的第1配線69c（參照圖12）的圖案。 第2導電端子圖案84是形成與第2檢測電極69d電性連接的第2導電端子69e（參照圖12）的圖案。第2配線圖案86是形成與第2導電端子69e電性連接的第2配線69f（參照圖12）的圖案。 第1導電端子69b、第1配線69c、第2導電端子69e及第2配線69f被稱為周邊配線。 於觸控面板感測器69中，例如對第2檢測電極69d以矩形波狀施加電壓，使電荷累積，並藉由第1檢測電極69a讀取電荷。
繼而，對構成基板20等的支撐體30、下塗層32及感光性層34、以及支撐體31進行說明。
[支撐體] 支撐體只要是具有兩個主面者，則並無特別限定，例如可列舉絕緣支撐體，更具體而言，可使用樹脂支撐體、陶瓷支撐體、玻璃支撐體等，較佳為樹脂支撐體。再者，作為樹脂支撐體，亦包含後述的黏著片材。 作為樹脂支撐體的材料，例如可列舉：聚酯系樹脂（聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯）、聚醚碸、聚丙烯酸系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、環烯烴系樹脂等。其中，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、或聚烯烴。 另外，作為支撐體，亦可使用具有黏著性的支撐體、即黏著片材。構成黏著片材的材料可使用公知的材料（丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑等）。
支撐體的厚度（mm）並無特別限定，就操作性及薄型化的平衡的方面而言，樹脂支撐體較佳為0.01 mm～2 mm，更佳為0.02 mm～1 mm，最佳為0.03 mm～0.1 mm。另外，玻璃支撐體較佳為0.01 mm～2 mm，更佳為0.3 mm～0.8 mm，最佳為0.4 mm～0.7 mm。 另外，支撐體較佳為適當地透過光。具體而言，支撐體的全光線透過率較佳為85%～100%。
[下塗層、具有下塗層的功能的支撐體] 下塗層是藉由包含紫外線吸收劑的層（紫外線吸收層）而形成。藉此，於在藉由第1曝光光L1 、第2曝光光L2 對感光性層進行曝光的情況下，利用第1曝光光L1 對其中一個感光性層進行曝光，利用第2曝光光L2 對另一個感光性層進行曝光時，可抑制經相互不同的第1曝光光L1 或第2曝光光L2 曝光的情況。 即便使用包含紫外線吸收劑的支撐體，亦可如上所述般抑制經相互不同的第1曝光光L1 或第2曝光光L2 曝光的情況。
下塗層及支撐體中所使用的紫外線吸收劑的種類並無特別限定，可使用公知的紫外線吸收劑，例如可列舉水楊酸系紫外線吸收劑、二苯甲酮系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑、苯甲酸酯系紫外線吸收劑、丙二酸酯系紫外線吸收劑、草酸醯替苯胺（anilide oxalate）系紫外線吸收劑等。 作為所述水楊酸系紫外線吸收劑，可列舉：苯基水楊酸酯、對第三丁基苯基水楊酸酯、對辛基苯基水楊酸酯。 作為所述二苯甲酮系紫外線吸收劑，可列舉：2,4-二羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮、2-羥基-4-十二烷基氧基二苯甲酮、2,2'-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,2'-二羥基-4,4'-二甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基-5-磺基二苯甲酮、雙(2-甲氧基-4-羥基-5-苯甲醯基苯基)甲烷等。 作為所述苯并三唑系紫外線吸收劑，可列舉：2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2'-羥基-5'-甲基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-5'-第三丁基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-3',5'-二-第三丁基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-3'-第三丁基-5'-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2'-羥基-3',5'-二-第三丁基-苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2'-羥基-3',5'-二-第三丁基-5'-戊基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-4'-辛氧基苯基)苯并三唑等。 作為所述氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑，可列舉：2-乙基己基-2-氰基-3,3'-二苯基丙烯酸酯、乙基-2-氰基-3,3'-二苯基丙烯酸酯等。
另外，關於下塗層，如上所述般可為優先具有提高密接性的效果的層。該情況下，下塗層例如可使用以下所示的構成的層。
下塗層的厚度並無特別限制，通常較佳為0.01 μm～100 μm，更佳為0.05 μm～20 μm，進而佳為0.05 μm～10 μm。 下塗層的材料並無特別限制，較佳為與基板的密接性良好的樹脂。作為樹脂的具體例，例如可為熱硬化性樹脂、熱塑化性樹脂或該些的混合物，例如熱硬化性樹脂可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚烯烴系樹脂、異氰酸酯系樹脂等。熱塑化性樹脂例如可列舉：苯氧基樹脂、聚醚碸、聚碸、聚苯碸、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚醯亞胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS）樹脂等。 熱塑化性樹脂與熱硬化性樹脂可分別單獨使用，亦可併用兩種以上。另外，亦可使用含有氰基的樹脂，具體而言，亦可使用丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（ABS樹脂）、或日本專利特開2010-84196號[0039]～[0063]記載的「於側鏈包含具有氰基的單元（unit）的聚合物」。 另外，亦可使用NBR橡膠（丙烯腈丁二烯橡膠）或SBR橡膠（苯乙烯丁二烯橡膠）等橡膠成分。
作為構成下塗層的材料的較佳態樣之一，可列舉具有可進行氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物。所謂共軛二烯化合物單元，是指源自共軛二烯化合物的重複單元。作為共軛二烯化合物，只要是含有具有經一個單鍵隔開的兩個碳-碳雙鍵的分子結構的化合物，則並無特別限制。 作為源自共軛二烯化合物的重複單元的較佳態樣之一，可列舉具有丁二烯骨架的化合物進行聚合反應而生成的重複單元。 所述共軛二烯化合物單元可經氫化，於包含經氫化的共軛二烯化合物單元的情況下，圖案狀金屬層的密接性進一步提高而較佳。即，源自共軛二烯化合物的重複單元中的雙鍵亦可經氫化。 具有可經氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物中亦可包含所述相互作用性基。 作為該聚合物的較佳態樣，可列舉：丙烯腈丁二烯橡膠（NBR）、含羧基的丁腈橡膠（XNBR）、丙烯腈-丁二烯-異戊二烯橡膠（NBIR）、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（ABS樹脂）、或該些的氫化物（例如氫化丙烯腈丁二烯橡膠）等。
下塗層中亦可包含其他添加劑（例如增感劑、抗氧化劑、靜電防止劑、紫外線吸收劑、填料、粒子、阻燃劑、界面活性劑、潤滑劑、塑化劑等）。
下塗層的形成方法並無特別限制，可列舉：將所使用的樹脂層壓於基板上的方法；或者溶解於可溶解必要成分的溶劑中，藉由塗佈等方法塗佈於基板表面上並進行乾燥的方法等。 塗佈方法中的加熱溫度及時間只要選擇塗佈溶劑可充分乾燥的條件即可，就製造適應性的方面而言，較佳為選擇加熱溫度200℃以下、時間60分鐘以內的範圍的加熱條件，更佳為選擇加熱溫度40℃～100℃、時間20分鐘以內的範圍的加熱條件。再者，所使用的溶劑是根據所使用的樹脂而選擇最適當的溶劑（例如環己酮、甲基乙基酮）。
[感光性層] 感光性層只要是藉由光照射而感光並硬化的層，則並無特別限定，可使用公知的感光性層。感光性層如所述般是經第1曝光光L1 、第2曝光光L2 曝光的部分進行硬化的層。 其中，感光性層較佳為用以形成實施了鍍敷處理的被鍍敷層的被鍍敷層形成用層。再者，藉由對由被鍍敷層形成用組成物形成的被鍍敷層實施鍍敷處理，可於被鍍敷層上配置金屬層。
被鍍敷層形成用層只要為可藉由光照射而感光並形成預先設定的圖案狀的被鍍敷層的層即可，其中，較佳為包含聚合起始劑、以及以下的化合物X或組成物Y的層。 化合物X：具有與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基（以後，亦簡稱為「相互作用性基」）及聚合性基的化合物 組成物Y：包含具有與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基的化合物及具有聚合性基的化合物的組成物 以下，首先對被鍍敷層形成用層中所含的材料進行詳述。
（聚合起始劑） 作為聚合起始劑，並無特別限定，可使用公知的聚合起始劑（所謂的光聚合起始劑）等。作為聚合起始劑的例子，可列舉：二苯甲酮類、苯乙酮類、α-胺基苯烷基酮、安息香類、酮類、噻噸酮、苯偶醯類、苯偶醯縮酮類、肟酯類、蒽酮類、一硫化四甲基秋蘭姆類、雙醯基氧化膦類、醯基氧化膦類、蒽醌類、偶氮化合物等以及其衍生物。
被鍍敷層形成用層中的聚合起始劑的含量並無特別限定，就被鍍敷層的硬化性的方面而言，相對於被鍍敷層形成用層的總質量，較佳為0.01質量%～5質量%，更佳為0.1質量%～3質量%。
（化合物X） 化合物X為具有相互作用性基與聚合性基的化合物。 所謂相互作用性基，是指可與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基，例如可使用與鍍敷觸媒或其前驅物能夠形成靜電相互作用的官能基、或者與鍍敷觸媒或其前驅物能夠形成配位的含氮官能基、含硫官能基、含氧官能基等。 作為相互作用性基，更具體而言，可列舉：胺基、醯胺基、醯亞胺基、脲基、三級胺基、銨基、脒基、三嗪環、三唑環、苯并三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹唑啉基、喹噁啉基、嘌呤基、三嗪基、哌啶基、哌嗪基、吡咯啶基、吡唑基、苯胺基、包含烷基胺結構的基、包含異三聚氰酸結構的基、硝基、亞硝基、偶氮基、重氮基、疊氮基、氰基、異氰酸酯基等含氮官能基；醚基、羥基、酚性羥基、羧酸基、碳酸酯基、羰基、酯基、含N-氧化物結構的基、含S-氧化物結構的基、含N-羥基結構的基等含氧官能基；噻吩基、硫醇基、硫脲基、三聚硫氰酸基、苯并噻唑基、巰基三嗪基、硫醚基、硫氧基、亞碸基、碸基、亞硫酸鹽基、含亞碸亞胺（sulfoxiimine）結構的基、含氧化鋶（sulfoxonium）鹽結構的基、磺酸基、含磺酸酯結構的基等含硫官能基；磷酸基、磷醯胺基、膦基、含磷酸酯結構的基等含磷官能基；含氯、溴等鹵素原子的基等，可採取鹽結構的官能基中亦可使用該些的鹽。 其中，就極性高、對鍍敷觸媒或其前驅物等的吸附能力高的方面而言，特佳為羧酸基、磺酸基、磷酸基、及硼酸基等離子性極性基、醚基、或氰基，進而佳為羧酸基（羧基）或氰基。 化合物X中亦可包含兩種以上的相互作用性基。
聚合性基是可藉由能量賦予而形成化學鍵的官能基，例如可列舉自由基聚合性基、陽離子聚合性基等。其中，就反應性更優異的方面而言，較佳為自由基聚合性基。作為自由基聚合性基，例如可列舉：丙烯酸酯基（丙烯醯氧基）、甲基丙烯酸酯基（甲基丙烯醯氧基）、衣康酸酯基、丁烯酸酯基、異丁烯酸酯基、馬來酸酯基等不飽和羧酸酯基、苯乙烯基、乙烯基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯胺基等。其中，較佳為甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、乙烯基、苯乙烯基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯基，更佳為甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、苯乙烯基。 化合物X中亦可包含兩種以上的聚合性基。另外，化合物X中所含的聚合性基的數量並無特別限定，可為一個，亦可為兩個以上。
所述化合物X可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。低分子化合物是指分子量未滿1000的化合物，所謂高分子化合物，是指分子量為1000以上的化合物。 再者，所謂所述具有聚合性基的低分子化合物相當於所謂的單體（單量體）。另外，所謂高分子化合物，亦可為具有預先設定的重複單元的聚合物。 另外，作為化合物，可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
於所述化合物X為聚合物的情況下，聚合物的重量平均分子量並無特別限定，就溶解性等操作性更優異的方面而言，較佳為1000以上且70萬以下，進而佳為2000以上且20萬以下。就聚合感度的觀點而言，特佳為20000以上。 具有此種聚合性基及相互作用性基的聚合物的合成方法並無特別限定，可使用公知的合成方法（參照日本專利公開2009-280905號的段落[0097]～段落[0125]）。
（組成物Y） 組成物Y是包含具有相互作用性基的化合物、及具有聚合性基的化合物的組成物。即，被鍍敷層形成用層包含具有相互作用性基的化合物、及具有聚合性基的化合物此兩種。相互作用性基及聚合性基的定義如上所述。 所謂具有相互作用性基的化合物，是具有相互作用性基的化合物。相互作用性基的定義如上所述。作為此種化合物，可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。作為具有相互作用性基的化合物的較佳態樣，可列舉具有重複單元的高分子，例如聚丙烯酸。再者，具有相互作用性基的化合物中不包含聚合性基。 所謂具有聚合性基的化合物，是所謂的單體，就所形成的被鍍敷層的硬度更優異的方面而言，較佳為具有兩個以上的聚合性基的多官能單體。所謂多官能單體，具體而言較佳為使用具有2個～6個聚合性基的單體。就對反應性帶來影響的交聯反應中分子的運動性的觀點而言，所使用的多官能單體的分子量較佳為150～1000，進而佳為200～700。另外，多個存在的聚合性基彼此的間隔（距離）較佳為以原子數計為1～15，進而佳為6以上且10以下。 具有聚合性基的化合物中亦可包含相互作用性基。 再者，具有相互作用性基的化合物與具有聚合性基的化合物的質量比（具有相互作用性基的化合物的質量/具有聚合性基的化合物的質量）並無特別限定，就所形成的被鍍敷層的強度及鍍敷適應性的平衡的方面而言，較佳為0.1～10，更佳為0.5～5。
被鍍敷層形成用層中的化合物X或組成物Y的含量並無特別限定，相對於被鍍敷層形成用層的總質量，較佳為50質量%以上，更佳為80質量%以上。上限並無特別限定，較佳為99.5質量%以下。
被鍍敷層形成用層中亦可包含所述聚合起始劑、化合物X、組成物Y以外的成分。 例如，被鍍敷層形成用層中亦可包含單體。藉由包含單體，可適當控制被鍍敷層中的交聯密度等。 所使用的單體並無特別限定，例如作為具有加成聚合性的化合物，可列舉具有乙烯性不飽和鍵的化合物等，作為具有開環聚合性的化合物可列舉具有環氧基的化合物等。其中，就提高被鍍敷層中的交聯密度的方面而言，較佳為使用多官能單體。所謂多官能單體，是指具有兩個以上聚合性基的單體。具體而言，較佳為使用具有2個～6個聚合性基的單體。
亦可視需要於被鍍敷層形成用層中添加其他添加劑（例如增感劑、硬化劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、靜電防止劑、填料、粒子、阻燃劑、界面活性劑、潤滑劑、塑化劑等）。
本發明基本上是如以上所述般構成。以上，對本發明的顯影裝置、顯影方法、圖案形成裝置及圖案形成方法進行了詳細說明，但本發明並不限定於所述實施方式，當然在不脫離本發明的主旨的範圍內，可進行各種改良或變更。
10‧‧‧圖案形成裝置
12‧‧‧曝光裝置
14‧‧‧顯影裝置
16‧‧‧洗滌裝置
20、21‧‧‧基板
20a、30a、31a、32a、34a、56a‧‧‧表面
20b、30b、31b‧‧‧表面
20c‧‧‧基板20的下方
30、31‧‧‧支撐體
32‧‧‧下塗層
34‧‧‧感光性層
40‧‧‧噴嘴
41‧‧‧噴射部
42、52‧‧‧泵
43、43a、53‧‧‧配管
44‧‧‧第1貯槽
45‧‧‧第2貯槽
46‧‧‧切換閥
47‧‧‧引導件
48‧‧‧馬達
49‧‧‧控制部
50、57、58‧‧‧液滴
54‧‧‧貯槽
56‧‧‧聚對苯二甲酸乙二酯片材、PET片材
56b‧‧‧起點
60‧‧‧圖案
62‧‧‧細線
64‧‧‧胞元
69‧‧‧觸控面板感測器
69a‧‧‧第1檢測電極
69b‧‧‧第1導電端子
69c‧‧‧第1配線
69d‧‧‧第2檢測電極
69e‧‧‧第2導電端子
69f‧‧‧第2配線
70‧‧‧第1導電圖案
72‧‧‧第1檢測電極圖案
74‧‧‧第1導電端子圖案
76‧‧‧第1配線圖案
80‧‧‧第2導電圖案
82‧‧‧第2檢測電極圖案
84‧‧‧第2導電端子圖案
86‧‧‧第2配線圖案
C‧‧‧中心線
Di、Ds‧‧‧噴射範圍
H‧‧‧水平方向
L1‧‧‧第1曝光光
L2‧‧‧第2曝光光
P‧‧‧長度
PH‧‧‧水平面
Pv‧‧‧垂直面
V‧‧‧垂直方向
Z‧‧‧方向
θ‧‧‧噴射角
圖1是表示本發明的實施方式的圖案形成裝置的示意圖。 圖2是表示兩面經曝光的基板的一例的示意性剖面圖。 圖3是表示兩面經曝光的基板的另一例的示意性剖面圖。 圖4是表示本發明的實施方式的顯影裝置的示意圖。 圖5是表示本發明的實施方式的顯影裝置的噴嘴的配置位置的示意圖。 圖6是以步驟順序表示本發明的實施方式的顯影裝置的顯影方法的示意圖。 圖7是以步驟順序表示本發明的實施方式的顯影裝置的顯影方法的示意圖。 圖8是以步驟順序表示本發明的實施方式的顯影裝置的顯影方法的示意圖。 圖9是用以說明顯影液的粒徑的測定方法的示意圖。 圖10是用以說明顯影液的粒徑的測定方法的示意圖。 圖11是表示圖案的一例的示意性平面圖。 圖12是表示藉由曝光而形成的觸控面板感測器的一例的示意性平面圖。 圖13是表示圖12所示的觸控面板感測器的形成中所使用的遮罩圖案的一例的示意圖。 圖14是表示圖12所示的觸控面板感測器的形成中所使用的遮罩圖案的另一例的示意圖。
21‧‧‧基板
31‧‧‧支撐體
31a‧‧‧表面
31b‧‧‧背面
34‧‧‧感光性層
L1‧‧‧第1曝光光
L2‧‧‧第2曝光光

Claims (24)

  1. 一種顯影裝置，其對形成於支撐體兩面的感光性層被曝光成預先規定的圖案狀的基板進行顯影，且所述顯影裝置的特徵在於具有： 噴射部，所述噴射部對於被保持垂直的所述基板，將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射至所述基板表面的所述感光性層及背面的所述感光性層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯影裝置，其具有使所述基板與所述噴射部沿所述垂直方向進行相對移動的移動部。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的顯影裝置，其中所述微小粒狀的顯影液的粒徑為5 mm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的顯影裝置，其中所述噴射部是於所述垂直方向上的同一位置，在同一時間點對所述基板的所述表面及所述背面噴射所述液體。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的顯影裝置，其中所述噴射部具有噴射所述液體的噴嘴，且自所述噴嘴噴射的所述顯影液的噴射範圍是穿過所述噴嘴與所述基板的所述表面及所述背面的水平面以下。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的顯影裝置，其中於所述基板的所述支撐體的其中一面的所述感光性層形成有在靜電電容式觸控面板感測器中構成感測器區域的接收用配線的圖案，於另一面的所述感光性層形成有構成所述感測器區域的發送用配線的圖案。
  7. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的顯影裝置，其中於所述基板的所述支撐體的兩面的所述感光性層中所形成的預先規定的圖案至少包含格子狀圖案。
  8. 一種顯影方法，其對形成於支撐體兩面的感光性層被曝光成預先規定的圖案狀的基板進行顯影，且所述顯影方法的特徵在於包括： 顯影步驟，於將所述基板保持為垂直的狀態下，將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射至所述基板表面的所述感光性層及背面的所述感光性層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的顯影方法，其中所述顯影步驟是使所述基板沿所述垂直方向進行相對移動，並將所述顯影液以微小粒狀間歇性地進行噴射。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的顯影方法，其中所述微小粒狀的顯影液的粒徑為5 mm以下。
  11. 如申請專利範圍第8項至第10項中任一項所述的顯影方法，其中於所述垂直方向上的同一位置，在同一時間點對所述基板的所述表面及所述背面噴射所述顯影液。
  12. 如申請專利範圍第8項至第10項中任一項所述的顯影方法，其中所述顯影液是自噴嘴噴射，且自所述噴嘴噴射的所述顯影液的噴射範圍是穿過所述噴嘴與所述基板的所述表面及所述背面的水平面以下。
  13. 一種圖案形成裝置，其至少包括顯影裝置及洗滌裝置，並於基板的兩面形成圖案，且所述圖案形成裝置的特徵在於： 所述顯影裝置及所述洗滌裝置中，至少所述顯影裝置具有噴射部，所述噴射部對於被保持垂直的所述基板，將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射至所述基板表面的所述感光性層及背面的所述感光性層， 於所述顯影裝置的情況下，所述液體是顯影液，於所述洗滌裝置的情況下，所述液體是洗滌液。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的圖案形成裝置，其具有使所述基板與所述噴射部沿所述垂直方向進行相對移動的移動部。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的圖案形成裝置，其中所述微小粒狀的液體的粒徑為5 mm以下。
  16. 如申請專利範圍第13項所述的圖案形成裝置，其中所述噴射部是於所述垂直方向上的同一位置，在同一時間點對所述基板的所述表面及所述背面噴射所述液體。
  17. 如申請專利範圍第13項至第16項中任一項所述的圖案形成裝置，其中所述噴射部具有噴射所述液體的噴嘴，且自所述噴嘴噴射的所述液體的噴射範圍是穿過所述噴嘴與所述基板的所述表面及所述背面的水平面以下。
  18. 如申請專利範圍第13項至第16項中任一項所述的圖案形成裝置，其中所述基板是於支撐體的兩面形成有所述感光性層者。
  19. 一種圖案形成方法，其是於基板的兩面形成圖案的圖案形成方法，且所述圖案形成方法的特徵在於包括： 顯影步驟，於將形成於支撐體兩面的感光性層被曝光成預先規定的圖案狀的所述基板保持為垂直的狀態下，將顯影液以微小粒狀間歇性地噴射至所述基板表面的所述感光性層及背面的所述感光性層； 洗滌步驟，於所述顯影步驟後，進而於將所述基板保持為垂直的狀態下，將洗滌液以微小粒狀間歇性地噴射至所述基板表面的所述感光性層及背面的所述感光性層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的圖案形成方法，其中所述顯影步驟及所述洗滌步驟是使所述基板沿所述垂直方向進行相對移動，並將所述顯影液及所述洗滌液以微小粒狀間歇性地噴射。
  21. 如申請專利範圍第19項所述的圖案形成方法，其中所述微小粒狀的顯影液及所述微小粒狀的洗滌液的粒徑為5 mm以下。
  22. 如申請專利範圍第19項所述的圖案形成方法，其中 所述顯影步驟是於所述垂直方向上的同一位置，在同一時間點對所述基板的所述表面及所述背面噴射所述顯影液； 所述洗滌步驟是於所述垂直方向上的同一位置，在同一時間點對所述基板的所述表面及所述背面噴射所述洗滌液。
  23. 如申請專利範圍第19項至第22項中任一項所述的圖案形成方法，其中所述顯影液是自噴嘴噴射，且自所述噴嘴噴射的所述顯影液的噴射範圍是穿過所述噴嘴與所述基板的所述表面及所述背面的水平面以下。
  24. 如申請專利範圍第19項至第22項中任一項所述的圖案形成方法，其中所述洗滌液是自噴嘴噴射，且自所述噴嘴噴射的所述洗滌液的噴射範圍是穿過所述噴嘴與所述基板的所述表面及所述背面的水平面以下。
TW105113774A 2015-05-11 2016-05-04 顯影裝置、顯影方法、圖案形成裝置及圖案形成方法 TW201708978A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015096258A JP6421075B2 (ja) 2015-05-11 2015-05-11 現像装置、現像方法、パターン形成装置およびパターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201708978A true TW201708978A (zh) 2017-03-01

Family

ID=57248928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105113774A TW201708978A (zh) 2015-05-11 2016-05-04 顯影裝置、顯影方法、圖案形成裝置及圖案形成方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6421075B2 (zh)
TW (1) TW201708978A (zh)
WO (1) WO2016181791A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107065454A (zh) * 2017-04-26 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法
WO2021010370A1 (ja) * 2019-07-12 2021-01-21 株式会社ニコン 基板処理方法、パターン形成方法、及び基板処理システム
JP2023103649A (ja) * 2022-01-14 2023-07-27 株式会社アルバック 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5125955U (zh) * 1974-08-19 1976-02-25
JPS5898733A (ja) * 1981-12-09 1983-06-11 Nec Corp 現像装置
JPH0251158A (ja) * 1988-08-12 1990-02-21 Nec Kyushu Ltd 現像装置
JP2522822B2 (ja) * 1988-08-16 1996-08-07 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版現像処理方法および装置
JPH02251130A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Fujitsu Ltd スピン現像方法
JP2920701B2 (ja) * 1991-03-05 1999-07-19 住友金属鉱山株式会社 レジストの現像方法及びその装置
JP2984963B2 (ja) * 1993-02-16 1999-11-29 東京エレクトロン株式会社 半導体ウエハ現像方法
JPH0845821A (ja) * 1994-07-29 1996-02-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理装置
JPH10107450A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法および現像処理用治具
JP2000029070A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板とその製造方法および液晶表示装置
JP2000183497A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JP3817107B2 (ja) * 2000-03-07 2006-08-30 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置、液晶表示装置の製造装置、半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法
JP4028406B2 (ja) * 2003-02-06 2007-12-26 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
WO2007129389A1 (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Hitachi Plasma Display Limited レジスト除去ライン
JP5771906B2 (ja) * 2010-05-28 2015-09-02 凸版印刷株式会社 印刷用凸版の製造方法
JP2013149232A (ja) * 2011-12-22 2013-08-01 Fujifilm Corp 導電シート及びタッチパネル
JP5887953B2 (ja) * 2012-01-25 2016-03-16 大日本印刷株式会社 タッチパネルの製造方法
JP2014029614A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Toppan Printing Co Ltd フィルム状静電容量型タッチパネル及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016181791A1 (ja) 2016-11-17
JP6421075B2 (ja) 2018-11-07
JP2016213338A (ja) 2016-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201707944A (zh) 導電性積層體的製造方法、導電性積層體、帶被鍍覆層前驅體層基板、帶被鍍覆層基板、觸控感測器
TWI742055B (zh) 導電性積層體的製造方法以及帶被鍍覆層前驅體層的立體結構物、帶圖案狀被鍍覆層的立體結構物、導電性積層體、觸控感測器及發熱構件
TWI695226B (zh) 被鍍覆層形成用組合物、帶被鍍覆層前體層的膜、帶圖案狀被鍍覆層的膜、導電性膜、觸控面板
TWI648663B (zh) Transparent conductive laminated body and touch panel having transparent conductive laminated body
TWI661339B (zh) 觸控面板用導電性積層體、觸控面板、透明導電性積層體
TW201708978A (zh) 顯影裝置、顯影方法、圖案形成裝置及圖案形成方法
WO2016181824A1 (ja) 導電性積層体の製造方法、導電性積層体、被めっき層前駆体層付き基板、被めっき層付き基板、タッチセンサー
KR20010104606A (ko) 박판재(薄板材)의 표면처리장치
JP2009071037A (ja) 導電膜パターンの形成方法
TW201840901A (zh) 被鍍層形成用組成物、被鍍層、附被鍍層基板、導電膜、觸控面板感測器、觸控面板
CN111902567B (zh) 前体薄膜、基板、触摸面板及其传感器、导电性薄膜及其制造方法和被镀覆层形成用组合物
TW201615399A (zh) 層積體、導電性層積體及其製造方法、觸控面板傳感器、觸控面板和轉印膜
TW201701081A (zh) 含有圖案狀被鍍覆層的層積體的製造方法、含有金屬層的層積體的製造方法、觸控面板感測器、觸控面板、含有圖案狀被鍍覆層的層積體、含有金屬層的層積體
TWI795599B (zh) 導電性構件、觸控面板感測器、觸控面板、成形體之製造方法
TW201617810A (zh) 觸控面板感測器用導電性層積體和其製造方法、觸控面板感測器、觸控面板
CN111902885B (zh) 导电性膜、触控面板传感器、触控面板
CN111936665B (zh) 前体薄膜、基板、导电性薄膜及其制造方法、触摸面板及其传感器、被镀覆层形成用组合物
TW201806457A (zh) 含有金屬配線的積層體的製造方法、含有金屬配線的積層體及帶被鍍覆層基板
CN111326290B (zh) 透明导电膜的制造方法
US20050170622A1 (en) Method for manufacturing wiring substrate and method for manufacturing electronic device
TW200528193A (en) Processing device for substrate surface
KR101412990B1 (ko) 터치 스크린 패널의 제조방법
KR102119476B1 (ko) 인쇄회로 나노섬유웹 제조방법, 이를 통해 제조된 인쇄회로 나노섬유웹 및 이를 이용한 전자기기
KR101537258B1 (ko) 회로기판의 제조방법
TW201706453A (zh) 鍍覆處理用積層體、導電性積層體的製造方法、觸控面板感測器及觸控面板