TW201840901A - 被鍍層形成用組成物、被鍍層、附被鍍層基板、導電膜、觸控面板感測器、觸控面板 - Google Patents

被鍍層形成用組成物、被鍍層、附被鍍層基板、導電膜、觸控面板感測器、觸控面板 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種能夠藉由鍍覆處理而於其上形成金屬層,並且能夠形成延伸性優異之被鍍層之被鍍層形成用組成物、被鍍層、附被鍍層基板、導電膜、觸控面板感測器及觸控面板。本發明的被鍍層形成用組成物含有:醯胺化合物,選自由具有聚氧伸烷基之多官能丙烯醯胺及具有聚氧伸烷基之多官能甲基丙烯醯胺所組成之群組;及聚合物,具有鍍覆觸媒或與其前驅物相互作用之官能基。

Description

鍍覆層形成用組成物、背鍍覆層、帶被鍍覆層基板、導電膜、觸控面板感測器、觸控面板
本發明是有關於一種被鍍層形成用組成物、被鍍層、附被鍍層基板、導電膜、觸控面板感測器及觸控面板。
於基板上配置有金屬層(較佳為圖案狀金屬層)之導電膜(帶金屬層的基板)使用於各種用途中。例如,近年來隨著針對行動電話或便攜式遊戲機等的觸控面板的搭載率的上升,能夠進行多點檢測之電容式觸控感測器用導電膜的需求快速擴大。
提出有各種導電膜的製造方法,例如,提出有利用鍍覆處理之方法。更具體而言,於專利文獻1中揭示了一種方法,使用含有聚丙烯酸和作為2官能單體之N,N’-亞甲基雙(丙烯醯胺)之被鍍層形成用組成物而形成被鍍層,並藉由鍍覆處理於所形成之被鍍層上形成金屬層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-218509號公報
另一方面,最近要求具有三維形狀之導電膜。 例如,為了進一步提高操作性,要求觸控面為曲面等三維形狀的觸控面板,且該種觸控面板中所含有之觸控面板感測器使用具有三維形狀之導電膜。
本發明人等使用專利文獻1中所記載之被鍍層形成用組成物而形成被鍍層,並使該被鍍層變形之後,實施鍍覆處理而形成具有三維形狀之導電膜。然而,被鍍層的延伸性不夠充分,且很難使被鍍層變形為所希望的形狀。
本發明的課題為鑑於上述實際情況而提供一種能夠藉由鍍覆處理而於其上形成金屬層,並且能夠形成延伸性優異之被鍍層之被鍍層形成用組成物。 又,本發明的課題還在於提供一種被鍍層、附被鍍層基板、導電膜、觸控面板感測器及觸控面板。
本發明人對上述課題進行深入研究之結果,發現藉由使用規定的醯胺化合物和具有規定的官能基之聚合物,能夠解決上述課題。 亦即,本發明人發現藉由以下結構能夠解決上述課題。
(1)一種被鍍層形成用組成物,其含有: 醯胺化合物,選自由具有聚氧伸烷基之多官能丙烯醯胺及具有聚氧伸烷基之多官能甲基丙烯醯胺所組成之群組;以及 聚合物,具有鍍覆觸媒或與其前驅物相互作用之官能基。 (2)如(1)所述之被鍍層形成用組成物,其中 聚合物的質量相對於醯胺化合物的質量之比大於0.25。 (3)如(1)或(2)所述之被鍍層形成用組成物,其還含有氟類界面活性劑。 (4)如(1)~(3)中任一項所述之被鍍層形成用組成物,其中 聚合物具有源自共軛二烯化合物的重複單元及源自不飽和羧酸或其衍生物的重複單元。 (5)如(1)~(4)中任一項所述之被鍍層形成用組成物,其中 醯胺化合物為由後述之式(1)表示之化合物。 (6)如(1)~(5)中任一項所述之被鍍層形成用組成物,其還含有聚合起始劑。 (7)一種被鍍層,其藉由使(1)~(6)中任一項所述之被鍍層形成用組成物硬化而得到。 (8)一種附被鍍層基板,其具有基板和配置在基板上之(7)所述之被鍍層。 (9)如(8)所述之附被鍍層基板,其中 於前述基板上以圖案狀配置前述被鍍層。 (10)如(8)或(9)所述之附被鍍層基板,其中 基板具有三維形狀。 (11)一種導電膜,其含有(8)~(10)中任一項所述之附被鍍層基板及配置在附被鍍層基板中的被鍍層上之金屬層。 (12)一種觸控面板感測器,其含有(11)所述之導電膜。 (13)一種觸控面板,其含有(12)所述之觸控面板感測器。 [發明效果]
依本發明,能夠提供一種能夠藉由鍍覆處理而於其上形成金屬層,並且能夠形成延伸性優異之被鍍層之被鍍層形成用組成物。 又,依本發明,能夠提供一種被鍍層、附被鍍層基板、導電膜、觸控面板感測器及觸控面板。
以下,對本發明進行詳細說明。 此外,本說明書中用「~」表示之數值範圍是指,將記載於「~」的前後之數值作為下限值及上限值而含有之範圍。又,本發明中的圖為用於方便理解發明之示意圖,各層的厚度的關係或位置關係等並不一定與實際一致。
作為本發明的被鍍層形成用組成物的特徵點之一,可列舉使用選自由具有聚氧伸烷基之多官能丙烯醯胺及具有聚氧伸烷基之多官能甲基丙烯醯胺所組成之群組中之醯胺化合物(以後,還將該化合物簡稱為「多官能(甲基)丙烯醯胺」)這一點。藉由使用該多官能(甲基)丙烯醯胺,保證被鍍層的表面上的鍍覆析出性的同時,被鍍層的延伸性得以提高。 又,藉由使用該多官能(甲基)丙烯醯胺,相對於被鍍層,能夠賦予針對鍍覆觸媒液的耐性。例如,使用(甲基)丙烯酸酯來替代多官能(甲基)丙烯醯胺而得到之被鍍層若與鍍覆觸媒液等鹼溶液接觸,則隨著酯基的分解,容易產生從被鍍層的基板脫離或被鍍層本身分解等情況。 此外,(甲基)丙烯酸酯為丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯的總稱。
本發明的被鍍層形成用組成物含有多官能(甲基)丙烯醯胺和具有與鍍覆觸媒或其前驅物相互作用之官能基之聚合物。 以下,對上述被鍍層形成用組成物中所含有之各種成分進行詳細說明。
<醯胺化合物> 被鍍層形成用組成物含有選自由具有聚氧伸烷基之多官能丙烯醯胺及具有聚氧伸烷基之多官能甲基丙烯醯胺所組成之群組中之醯胺化合物。 多官能丙烯醯胺含有2個以上的丙烯醯胺基。多官能丙烯醯胺中的丙烯醯胺基的數量並無特別限制,2~10個為較佳,2~5個為更佳,2個為進一步較佳。 多官能甲基丙烯醯胺含有2個以上的甲基丙烯醯胺。多官能甲基丙烯醯胺中的甲基丙烯醯胺的數量並無特別限制,2~10個為較佳,2~5個為更佳,2個為進一步較佳。 此外,丙烯醯胺基及甲基丙烯醯胺基分別為由以下式(A)及式(B)表示之基團。*表示鍵結位置。
[化學式1]
此外,上述式(A)及式(B)中的R3 的定義與後述的式(1)中的R3 的定義相同。
多官能丙烯醯胺及多官能甲基丙烯醯胺分別具有聚氧伸烷基。 聚氧伸烷基是指,作為重複單元而具有氧伸烷基之基團。作為聚氧伸烷基,由式(C)表示之基團為較佳。 式(C) -(A-O)m - A表示伸烷基。伸烷基中的碳數並無特別限制,1~4為較佳,2~3為更佳。例如,當A為碳數1的伸烷基時,-(A-O)-表示氧亞甲基(-CH2 O-),當A為碳數2的伸烷基時,-(A-O)-表示氧伸乙基(-CH2 CH2 O-),當A為碳數3的伸烷基時,-(A-O)-表示氧伸丙基(-CH2 CH(CH3 )O-、-CH(CH3 )CH2 O-或-CH2 CH2 CH2 O-)。此外,伸烷基可以是直鏈狀,亦可以是分支鏈狀。
m表示氧伸烷基的重複數,且表示2以上的整數。重複數並無特別限制,其中,2~10為較佳,2~6為更佳。 此外,複數個氧伸烷基中的伸烷基的碳數可以相同,亦可以不同。例如,式(C)中,含有複數個由-(A-O)-表示之重複單元,各重複單元中的伸烷基中的碳數可以相同,亦可以不同。例如,-(A-O)m -中,可以含有氧亞甲基和氧伸丙基。 又,當含有複數種氧伸烷基時,它們的鍵結順序並無特別限制,可以是無規則型,亦可以是嵌段型。
其中,從被鍍層的延伸性更加優異之方面考慮,作為上述醯胺化合物的較佳態樣,可列舉由式(1)表示之化合物。 此外,式(1)中,A及m的定義與上述的式(C)中的A及m的定義相同。
[化學式2]
式(1)中,R1 及R2 分別獨立地表示氫原子或甲基。 R3 及R4 分別獨立地表示氫原子或取代基。取代基的種類並無特別限制,可列舉公知的取代基(例如,可以含有雜原子之脂肪族烴基、芳香族烴基等。更具體而言,可列舉烷基、芳基等。)。
L1 及L2 分別獨立地表示單鍵或2價連接基。 2價連接基的種類並無特別限制,例如,可列舉2價烴基(可以是2價飽和烴基,亦可以是2價芳香族烴基。2價飽和烴基可以是直鏈狀、分支鏈狀或環狀,碳數1~20為較佳,例如可列舉伸烷基。又,2價芳香族烴基的碳數5~20為較佳,例如可列舉伸苯基。除此以外,亦可以是伸烯基、伸炔基。)、2價雜環基、-O-、-S-、-SO2 -、-NR10 -、-CO-(-C(=O)-)、-COO-(-C(=O)O-)、-NR10 -CO-、-CO-NR10 -、-SO3 -、-SO2 NR10 -及將它們組合兩種以上而成之基團。其中,R10 表示氫原子或烷基(較佳為碳數1~10)。 此外,上述2價連接基中的氫原子可以被鹵素原子等其他取代基取代。
作為由式(1)表示之化合物的較佳態樣,可列舉由式(2)表示之化合物。
[化學式3]
式(2)中的R1 、R2 、A及m的定義與式(1)中的各基團的定義相同。 L3 及L4 分別獨立地表示-O-、碳數1~4的伸烷基、由式(D)表示之基團或將該些組合之2價連接基。
[化學式4]
式(D)中,R1 表示氫原子或甲基。 *表示鍵結位置。
上述醯胺化合物能夠利用各種市售品,且能夠藉由技術公開號2013-502654號中所記載之方法而合成。
被鍍層形成用組成物中的醯胺化合物的含量並無特別限制,相對於總固體成分為10~90質量%之情況較多,從進一步抑制後述的被鍍層前驅物層的黏性之方面考慮,相對於總固體成分是15~85質量為較佳,從被鍍層的延伸性與鍍覆析出性的平衡優異之方面考慮,25~75質量%為更佳,35~65質量%為進一步較佳。 此外,本說明書中,固體成分是指構成被鍍層之成分,且不含有溶劑。此外,若為構成被鍍層之成分,則即使其性狀為液體狀亦包含於固體成分。
<具有與鍍覆觸媒或其前驅物相互作用之官能基之聚合物> 被鍍層形成用組成物含有具有與鍍覆觸媒或其前驅物相互作用之官能基(以後,還簡稱為「相互作用性基」)之聚合物。 相互作用性基是指,能夠與賦予於被鍍層之鍍覆觸媒或其前驅物相互作用之官能基,例如,可列舉能夠與鍍覆觸媒或其前驅物形成静電相互作用之官能基以及能夠與鍍覆觸媒或其前驅物形成配位之含氮官能基、含硫官能基及含氧官能基。 作為相互作用性基,例如可列舉胺基、醯胺基、醯亞胺基、脲基、三級胺基、銨基、脒基、三嗪環、三唑環、苯并三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、唑啉基、喹噁啉基、嘌呤基、三嗪基、哌啶基、哌嗪基、吡咯啶基、吡唑基、苯胺基、含有烷基胺結構的基、含有異三聚氰酸結構的基、硝基、亞硝基、偶氮基、重氮基、疊氮基、氰基、氰酸酯基等含氮官能基;醚基、羥基、酚性羥基、羧基、碳酸酯基、羰基、酯基、含有N-氧化物結構的基、含有S-氧化物結構的基、含有N-羥基結構的基等含氧官能基;噻吩基、硫醇基、硫脲基、硫代三聚氰酸基、苯并噻唑基、巰基三嗪基、硫醚基、硫酮基、亞碸基、碸基、亞硫酸基、含有磺醯亞胺結構的基、含有亞硫鎓鹽結構的基、磺酸基、含有磺酸酯結構的基等含硫官能基;磷酸酯基、磷醯胺基、膦基、含有磷酸酯結構的基等含磷官能基;含有氯原子及溴原子等鹵素原子的基等,於可採用鹽結構的官能基中,亦可使用該些官能基的鹽。 其中,從極性高,對鍍覆觸媒或其前驅物等的吸附能高的方面考慮,羧基、磺酸基、磷酸基及硼酸基等離子性極性基或氰基為較佳,羧基或氰基為更佳。 聚合物可以具有兩種以上的相互作用性基。
聚合物的重量平均分子量並無特別限制,從操作性更加優異之方面考慮,1000~700000為較佳,2000~200000為更佳。
聚合物中含有具有相互作用性基之重複單元為較佳。 作為具有相互作用性基之重複單元的一較佳態様,可列舉由式(E)表示之重複單元。
[化學式5]
式(E)中,R5 表示氫原子或烷基(例如,甲基、乙基等)。 L5 表示單鍵或2價連接基。2價連接基的定義與由式(1)的L1 及L2 表示之2價連接基的定義相同。 X表示相互作用性基。相互作用性基的定義如上述。
作為具有相互作用性基之重複單元的另一較佳態様,可列舉源自不飽和羧酸或其衍生物之重複單元。 不飽和羧酸是指,具有羧酸基(-COOH基)之不飽和化合物。關於不飽和羧酸的衍生物,例如可列舉不飽和羧酸的酸酐、不飽和羧酸的鹽、不飽和羧酸的單酯等。 作為不飽和羧酸,例如可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、異巴豆酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸及檸康酸等。
聚合物中的具有相互作用性基之重複單元的含量並無特別限制,從被鍍層的延伸性及鍍覆析出性的平衡的觀點考慮,相對於總重複單元是1~100莫耳%為較佳,10~100莫耳%為更佳。
作為聚合物的較佳態様,從以較少的能量賦予量(例如,曝光量)輕鬆地形成被鍍層之方面考慮,可列舉具有源自共軛二烯化合物的重複單元及源自不飽和羧酸或其衍生物的重複單元之聚合物X。 關於源自不飽和羧酸或其衍生物的重複單元的說明如上述。
作為共軛二烯化合物,若為以1個單鍵隔開之含有具有2個碳-碳雙鍵之分子結構之化合物,則並無特別限制。 作為共軛二烯化合物,例如可列舉異戊二烯、1,3-丁二烯、1,3-戊二烯、2,4-己二烯、1,3-己二烯、1,3-庚二烯、2,4-庚二烯、1,3-辛二烯、2,4-辛二烯、3,5-辛二烯、1,3-壬二烯、2,4-壬二烯、3,5-壬二烯、1,3-癸二烯、2,4-癸二烯、3,5-癸二烯、2,3-二甲基-丁二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、3-甲基-1,3-戊二烯、4-甲基-1,3-戊二烯、2-苯基-1,3-丁二烯、2-苯基-1,3-戊二烯、3-苯基-1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-戊二烯、4-甲基-1,3-戊二烯、2-己基-1,3-丁二烯、3-甲基-1,3-己二烯、2-苄基-1,3-丁二烯、2-對甲苯基-1,3-丁二烯等各種二烯化合物等。
其中,從容易合成聚合物X,且被鍍層的特性更加優異之方面考慮,源自共軛二烯化合物的重複單元是源自具有由下述式(3)表示之丁二烯骨架之化合物的重複單元為較佳。
[化學式6]
式(3)中,R6 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或烴基。作為烴基,可列舉脂肪族烴基(例如,烷基、烯基等。碳數1~12為較佳。)及芳香族烴基(例如,苯基、萘基等。)。具有複數個之R6 可以彼此相同,亦可以不同。
作為具有由式(3)表示之丁二烯骨架之化合物(具有丁二烯結構之單體),例如可列舉1,3-丁二烯、異戊二烯、2-乙基-1,3-丁二烯、2-正丙基-1,3-丁二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1-苯基-1,3-丁二烯、1-α-萘基-1,3-丁二烯、1-β-萘基-1,3-丁二烯、2-氯-1,3-丁二烯、1-溴-1,3-丁二烯、1-氯丁二烯、2-氟-1,3-丁二烯、2,3-二氯-1,3-丁二烯、1,1,2-三氯-1,3-丁二烯、2-氰基-1,3-丁二烯等。
相對於總重複單元,聚合物X中的源自共軛二烯化合物的重複單元的含量是25~75莫耳%為較佳。 相對於總重複單元,聚合物X中的源自不飽和羧酸或其衍生物的重複單元的含量是25~75莫耳%為較佳。
被鍍層形成用組成物中的聚合物的含量並無特別限制,相對於總固體成分為10~90質量%的情況較多,但從進一步抑制後述的被鍍層前驅物層的黏性之方面考慮,相對於總固體成分是15~85質量%為較佳,從被鍍層的延伸性與鍍覆析出性的平衡優異之方面考慮,25~75質量%為更佳,35~65質量%為進一步較佳。 聚合物的質量相對於醯胺化合物的質量之比(聚合物的質量/醯胺化合物的質量)並無特別限制,0.1~10的情況較多,從進一步抑制被鍍層前驅物層的黏性之方面考慮,大於0.25為較佳,大於0.25且小於8為更佳,從被鍍層的延伸性與鍍覆析出性的平衡優異之方面考慮,0.3~3為進一步較佳,0.4~1.5為特佳。
<任意成分> 被鍍層形成用組成物可以含有除了上述醯胺化合物及聚合物以外的其他成分。以下,對任意成分進行詳細說明。
(界面活性劑) 被鍍層形成用組成物可以含有界面活性劑。 界面活性劑的種類並無特別限制,例如可列舉氟類界面活性劑、非離子類界面活性劑、陽離子類界面活性劑、陰離子類界面活性劑及矽酮類界面活性劑等。其中,從進一步抑制被鍍層前驅物層的黏性之方面考慮,氟類界面活性劑或矽酮類界面活性劑為較佳,氟類界面活性劑為更佳。 界面活性劑可以僅使用一種,亦可以組合使用兩種以上。
作為氟類界面活性劑,例如可列舉W-AHE、W-AHI(以上為Fujifilm Corporation製)、MEGAFACE F171、MEGAFACE F172、MEGAFACE F173、MEGAFACE F176、MEGAFACE F177、MEGAFACE F141、MEGAFACE F142、MEGAFACE F143、MEGAFACE F144、MEGAFACE R30、MEGAFACE F437、MEGAFACE F475、MEGAFACE F479、MEGAFACE F482、MEGAFACE F554、MEGAFACE F569、MEGAFACE F780、MEGAFACE F781F(以上為DIC CORPORATION製)、 Fluorad FC430、 Fluorad FC431、 Fluorad FC171(以上為Sumitomo 3M Limited製)、Surflon S-382、Surflon SC-101、Surflon SC-103、Surflon SC-104、Surflon SC-105、Surflon SC1068、Surflon SC-381、Surflon SC-383、Surflon S393、Surflon KH-40(以上為ASAHI GLASS CO.,LTD.製)、PF636、PF656、PF6320、PF6520、PF7002(OMNOVA SOLUTIONS INC.製)等。
被鍍層形成用組成物中的界面活性劑的含量並無特別限制,相對於被鍍層形成用組成物總量100質量%是0.005~0.5質量%為較佳,0.01~0.2質量%為更佳,0.01~0.1質量%為進一步較佳。
(聚合起始劑) 被鍍層形成用組成物可以含有聚合起始劑。 聚合起始劑的種類並無特別限制,可列舉公知的聚合起始劑(較佳為光聚合起始劑)。作為聚合起始劑,例如可列舉二苯甲酮類、苯乙酮類、α-胺基烷基苯酮類、安息香類、酮類、硫雜蒽酮類、苄基類、苄基縮酮類、肟酯類、雙醯基氧化膦類、醯基氧化膦類、蒽醌類及偶氮化合物類。 被鍍層形成用組成物中的聚合起始劑的含量並無特別限制,相對於被鍍層形成用組成物中的具有聚合性基之化合物100質量%是0.1~20質量%為較佳,0.5~10質量%為更佳。
(溶劑) 被鍍層形成用組成物可以含有溶劑。 溶劑的種類並無特別限制,可列舉水及有機溶劑。作為有機溶劑,可列舉公知的有機溶劑(例如,醇類溶劑、酯類溶劑、酮類溶劑、鹵素類溶劑及烴類溶劑等)。
被鍍層形成用組成物可以依需要而含有其他成分(例如,增感劑、硬化劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、抗靜電劑、填料、粒子、阻燃劑、潤滑劑、增塑劑或鍍覆觸媒或其前驅物)。
被鍍層形成用組成物的製造方法並無特別限制,可列舉公知的方法。例如,可列舉將上述各成分一併混合之方法或將各成分分階段混合之方法等。
<被鍍層及其製造方法> 能夠使用上述被鍍層形成用組成物來形成被鍍層。此外,被鍍層是指實施了後述的鍍覆處理之層,且藉由鍍覆處理於其表面上形成金屬層。 作為被鍍層的製造方法,具有以下製程之方法為較佳。 製程1:使基板與被鍍層形成用組成物接觸而於基板上形成被鍍層前驅物層之製程 製程2:對被鍍層前驅物層實施硬化處理而形成被鍍層之製程 以下,對上述製程1及2進行詳細說明。
製程1為使基板與被鍍層形成用組成物接觸而於基板上形成被鍍層前驅物層之製程。藉由實施該製程,可得到具有基板和配置在基板上之被鍍層前驅物層之帶被鍍層前驅物層的基板。 此外,被鍍層前驅物層是指實施硬化處理之前的未硬化的狀態的層。 所使用的基板種類並無特別限制,可列舉公知的基板(例如,樹脂基板、玻璃基板、陶瓷基板等)。其中,從延伸性優異之方面考慮,樹脂基板為較佳。 此外,可以依需要於基板上配置用於提高被鍍層與基板的黏合性之底漆層。
使基板與被鍍層形成用組成物接觸之方法並無特別限制,例如可列舉將被鍍層形成用組成物塗佈於基板上之方法或將基板浸漬於被鍍層形成用組成物中之方法。 此外,使基板與被鍍層形成用組成物接觸之後,依需要,為了從被鍍層前驅物層去除溶劑而可以實施乾燥處理。
製程2為對被鍍層前驅物層實施硬化處理而形成被鍍層之製程。 硬化處理的方法並無特別限制,可列舉加熱處理及曝光處理(光照射處理)。其中,從短時間內結束處理之方面考慮,曝光處理為較佳。藉由硬化處理,被鍍層前驅物層中的化合物中所含有之聚合性基被活性化,且與化合物之間產生交聯,從而進行層的硬化。 此外,實施上述硬化處理(尤其,曝光處理)時,能夠以圖案狀實施硬化處理,以便得到所希望的圖案狀被鍍層。例如,使用具有規定的形狀開口部之遮罩進行曝光處理為較佳。此外,對以圖案狀實施了硬化處理之被鍍層前驅物層實施顯影處理,藉此形成圖案狀被鍍層。 顯影處理的方法並無特別限制,依所使用的材料的種類實施最佳的顯影處理。作為顯影液,例如可列舉有機溶劑、純水及鹼水溶液。
藉由上述方法,使被鍍層形成用組成物硬化而得到之被鍍層配置於基板上。亦即,可得到具有基板和配置在基板上之被鍍層之附被鍍層基板。
被鍍層的平均厚度並無特別限制,0.05~100μm為較佳,0.07~10μm為更佳,0.1~3μm為進一步較佳。 上述平均厚度為利用電子顯微鏡(例如,掃描型電子顯微鏡)對被鍍層的垂直截面進行觀察,測定任意10處的厚度並對該些進行算術平均而得到之平均值。
被鍍層可以形成為圖案狀。例如,被鍍層可以形成為網格狀。圖1中,於基板10上配置有網格狀被鍍層12。 被鍍層12的構成網格之細線部的線寬度W的大小並無特別限制,從形成於被鍍層上之金屬層的導電特性及難見性的平衡的方面考慮,30μm以下為較佳,15μm以下為更佳,10μm以下為進一步較佳,5μm以下為特佳,0.5μm以上為較佳,1.0μm以上為更佳。
圖1中,開口部14具有大致菱形形狀,但並不限定於該形狀,亦可以是其他的多邊形狀(例如,三角形、四邊形、六邊形、無規則多邊形)。又,可以將一邊的形狀設為直線狀,且其餘設為彎曲狀,亦可以設為圓弧狀。設為圓弧狀時,例如關於相對向的兩邊,可以設為向外側凸出的圓弧狀,且關於其他相對向的兩邊,可以設為向內側凸出的圓弧狀。又,可以將各邊的形狀設為向外側凸出的圓弧與向內側凸出的圓弧連續之波浪線狀。當然,亦可以將各邊的形狀設為正弦曲線。
開口部14的一邊的長度L並無特別限制,1500μm以下為較佳,1300μm以下為更佳,1000μm以下為進一步較佳,5μm以上為較佳,30μm以上為更佳,80μm以上為進一步較佳。當開口部的一邊的長度為上述範圍時,後述的導電膜的透明性更加優異。
此外,可以使上述附被鍍層基板變形而將其設為具有三維形狀之附被鍍層基板。亦即,藉由使上述附被鍍層基板變形,可得到具有具備三維形狀之基板和配置在該基板上之被鍍層(或圖案狀被鍍層)之附被鍍層基板(具有三維形狀之附被鍍層基板)。 如上述,使上述被鍍層形成用組成物硬化而得到之被鍍層的延伸性優異,且隨著基板的變形能夠使其形狀發生變化。 附被鍍層基板的變形方法並無特別限制,例如,可列舉真空成型、吹塑成型、自由吹塑成型、壓力成型、真空-壓力成型及熱沖壓成型等公知的方法。 例如,如圖2所示,可以將附被鍍層基板的一部分變形為半球狀而設為具有半球狀形狀之附被鍍層基板20。此外,圖2中,未圖示被鍍層。 此外,上述中對賦予三維形狀之態様進行了說明,但亦可以對附被鍍層基板實施如單軸延伸或雙軸延伸那樣的延伸處理而使其形狀變形。
此外,上述中對使附被鍍層基板變形之態様進行了說明,但並不限定於該態様,亦可以於使上述帶被鍍層前驅物層的基板變形之後,實施上述製程2來得到具有三維形狀之附被鍍層基板。 又,上述中對以圖案狀對被鍍層前驅物層實施硬化處理而形成圖案狀被鍍層之態様進行了說明,但並不限定於該態様,將被鍍層前驅物層以圖案狀配置於基板上,並對該圖案狀被鍍層前驅物層實施硬化處理,藉此能夠形成圖案狀被鍍層。此外,作為將被鍍層前驅物層以圖案狀配置之方法,例如可列舉藉由網版印刷法或噴墨法向基板上的規定位置賦予被鍍層形成用組成物之方法。
<導電膜及其製造方法> 對上述附被鍍層基板中的被鍍層實施鍍覆處理,藉此能夠於被鍍層上形成金屬層。尤其,當被鍍層以圖案狀配置於基板上時,形成沿該圖案的金屬層(圖案狀金屬層)。 形成金屬層之方法並無特別限制,例如實施對被鍍層賦予鍍覆觸媒或其前驅物之製程3及對被賦予了鍍覆觸媒或其前驅物之被鍍層實施鍍覆處理之製程4為較佳。 以下,對製程3及製程4的步驟進行詳細說明。
製程3為對被鍍層賦予鍍覆觸媒或其前驅物之製程。被鍍層中含有上述相互作用性基,因此相互作用性基依其功能而與被賦予的鍍覆觸媒或其前驅物黏附(吸附)。 鍍覆觸媒或其前驅物作為鍍覆處理的觸媒或電極而發揮功能。因此,所使用的鍍覆觸媒或其前驅物的種類可藉由鍍覆處理的種類而適當確定。
鍍覆觸媒或其前驅物是非電解鍍覆觸媒或其前驅物為較佳。 關於非電解鍍覆觸媒,若是成為非電解鍍覆時的活性核者,則並無特別限制,例如,可列舉具有自觸媒還原反應的觸媒能之金屬(作為能夠進行離子化傾向比Ni低的非電解鍍覆之金屬而公知者)。具體而言,可列舉Pd、Ag、Cu、Pt、Au及Co等。 作為該非電解鍍覆觸媒,可以使用金屬膠體。 關於非電解鍍覆觸媒前驅物,若為藉由化學反應而成為非電解鍍覆觸媒者,則並無特別限制,例如可列舉作為上述非電解鍍覆觸媒而列舉之金屬的離子。
作為對被鍍層賦予鍍覆觸媒或其前驅物之方法,例如可列舉將鍍覆觸媒或其前驅物分散或溶解於溶劑而製備溶液,並將該溶液塗佈於被鍍層上之方法或將附被鍍層基板浸漬於該溶液中之方法。 作為上述溶劑,例如可列舉水或有機溶劑。
製程4為對被賦予了鍍覆觸媒或其前驅物之被鍍層實施鍍覆處理之製程。 鍍覆處理的方法並無特別限制,例如可列舉非電解鍍覆處理或電解鍍覆處理(電鍍處理)。該製程中,可以單獨實施非電解鍍覆處理,亦可以於實施了非電解鍍覆處理之後進而實施電解鍍覆處理。 以下,對非電解鍍覆處理及電解鍍覆處理的步驟進行詳細說明。
非電解鍍覆處理是指,使用將作為鍍覆而欲析出之金屬離子熔化而成之溶液,並藉由化學反應而析出金屬之處理。 作為非電解鍍覆處理的步驟,例如對被賦予了非電解鍍覆觸媒之附被鍍層基板進行水洗而去除多餘的非電解鍍覆觸媒之後,浸漬於非電解鍍覆浴為較佳。作為所使用的非電解鍍覆浴,能夠使用公知的非電解鍍覆浴。 此外,除了溶劑(例如,水)以外,於通常的非電解鍍覆浴中主要含有鍍覆用金屬離子、還原劑及用於提高金屬離子的穩定性之添加劑(穩定劑)。
當被賦予到被鍍層之鍍覆觸媒或其前驅物具有作為電極的功能時,能夠對被賦予了該觸媒或其前驅物之被鍍層實施電解鍍覆處理。 此外,如上述,於上述非電解鍍覆處理之後,能夠依需要而進行電解鍍覆處理。該種形態中,能夠適當調整所形成之金屬層的厚度。
此外,上述中對實施製程3之形態進行了說明,但當被鍍層含有鍍覆觸媒或其前驅物時,可以不實施製程3。
藉由實施上述處理,可於被鍍層上形成金屬層。亦即,可得到包括附被鍍層基板和配置在附被鍍層基板中的被鍍層上之金屬層之導電膜。 此外,對應於欲形成之圖案狀金屬層的形狀,將圖案狀被鍍層配置於基板上,藉此能夠得到具有所希望的形狀的圖案狀金屬層之導電膜。例如,欲得到網格狀金屬層時,形成網格狀被鍍層即可。 又,使用具有三維形狀之附被鍍層基板,並實施了上述製程3及4時,可得到具有三維形狀之導電膜。
藉由上述步驟得到之導電膜(尤其,具有三維形狀之導電膜)能夠應用於各種用途。例如,能夠應用於觸控面板感測器、半導體晶片、FPC(Flexible printed circuits(撓性印刷電路))、COF(Chip on Film覆晶薄膜)、TAB(Tape Automated Bonding(捲帶式自動接合))、天線、多層配線基板及主機板等各種用途。其中,使用於觸控面板感測器(尤其,電容式觸控面板感測器)為較佳。當將上述導電膜應用於觸控面板感測器時,圖案狀金屬層作為觸控面板感測器中的檢測電極或引出配線而發揮功能。該種觸控面板感測器能夠較佳地應用於觸控面板。 又,導電膜能夠用作發熱體。例如,藉由使電流流向圖案狀金屬層,圖案狀金屬層的溫度上升而圖案狀金屬層作為熱電線而發揮功能。
與模壓前相比,具有三維形狀之導電膜的三維形狀部分的配線圖案變形,且基板變薄。其結果、當用作於兩面具有圖案狀金屬層,並且將具有三維形狀之導電膜用作觸控面板感測器時,作為配線圖案的圖案狀金屬層的面積擴大的部分的ΔCm值變小,且基板變薄但ΔCm值變大。 因此,本發明中,針對如上述那樣的問題,能夠藉由按每一地址單獨設定ΔCm的範圍而應對該問題。 又,除了上述對應方法以外,例如還可列舉如下方法,亦即考慮到模壓時的圖案狀金屬層的變形的程度,以模壓後的ΔCm值於面內大致恆定的方式調整模壓前的狀態下的圖案狀金屬層的配置位置。 進而,藉由改變重疊於具有三維形狀之導電膜中的圖案狀金屬層上之保護膜的厚度,還能夠於面內使ΔCm值大致恆定。 此外,還能夠將該些方法進行組合而利用。
為了提高具有三維形狀之導電膜的自支撐性,可以利用夾物模壓。例如,可以將具有三維形狀之導電膜配置於模具並將樹脂填充到模具內來於導電膜上積層樹脂層。又,可以對實施鍍覆處理之前附被鍍層基板賦予三維形狀之後,將具有三維形狀之附被鍍層基板配置於模具並將樹脂填充到模具內,對所得到的積層體實施鍍覆處理而製作自支撐性優異之導電膜。
又,對具有三維形狀之導電膜進行裝飾時,例如可以對裝飾膜進行模壓的同時貼合於具有三維形狀之導電膜。具體而言,能夠利用TOM(Three dimension Overlay Method(三維重疊法))模壓。 又,可以直接對具有三維形狀之導電膜實施塗裝而進行裝飾。 又,可以於形成被鍍層前驅物層之前的基板的表面和/或背面上配置裝飾層。又,於基板的一面上配置被鍍層前驅物層時,可以於基板的另一面上形成裝飾層,亦可以貼合裝飾膜。 進而,可以藉由使用了裝飾膜之模內模壓或夾物模壓而對具有三維形狀之導電膜實施裝飾。 [實施例]
以下,藉由實施例,對本發明進行進一步詳細的說明,但本發明並不限定於該些。
<實施例1> (被鍍層形成用組成物1的製備) 將以下各成分進行混合而得到了被鍍層形成用組成物1。 異丙醇 38質量份 聚丙烯酸25質量%水溶液(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製) 4質量份 化合物A 1質量份 IRGACURE 127(BASF公司製) 0.05質量份
[化學式7]
(導電膜的製作) 以於基板(TEIJIN LIMITED.製PC(聚碳酸酯)薄膜、PANLITE PC、厚度125μm)上形成厚度0.8μm的底漆層之方式,於基板上塗佈Z913-3(Aica Kogyo Co., Ltd.製),接著對所得到之塗膜照射UV(紫外線)而使塗膜硬化來形成了底漆層。 接著,以於所得到之底漆層上形成厚度0.9μm的被鍍層前驅物層的方式於底漆層上塗佈被鍍層形成用組成物1而得到了帶被鍍層前驅物層的基板。 接著,以形成細線部的寬度為1μm,開口部的一邊的長度為150μm之網格狀被鍍層的方式經由具有規定的開口圖案之石英遮罩,藉由金屬鹵化物光源對被鍍層前驅物層進行了曝光(0.2J)。然後,用室溫的水淋浴清洗已曝光之被鍍層前驅物層,並進行顯影處理而得到了具有網格狀被鍍層之基板(帶圖案狀被鍍層的基板)(參閱圖1)。此外,被鍍層的厚度為0.9μm。 接著,利用調溫到180℃的烤箱對具有半球狀凹部之模具加熱1小時以上。於模具升溫至180℃之後從烤箱取出模具,利用耐熱膠帶以覆蓋凹部的開口的方式將帶圖案狀被鍍層的基板貼合在模具。將模具快速放回到烤箱,且將模具放置30秒鐘之後,從位於半球狀凹部的底部之空氣孔經5秒鐘抽真空而得到了具有半球狀形狀之附被鍍層基板(參閱圖2)。 接著,於常溫下將所得到之附被鍍層基板於碳酸鈉1質量%水溶液中浸漬5分鐘,並用純水將取出之附被鍍層基板清洗兩次。接著,於純水中浸漬5分鐘之後,於30℃下,於Pd觸媒賦予液(Omni shield1573活化劑、Rohm and Haas Electronic Materials製)中浸漬5分鐘,然後用純水將取出之附被鍍層基板清洗兩次。接著,於30℃下,將所得到之附被鍍層基板於還原液(CIRCUPOSIT P13氧化物轉換器60C、Rohm and Haas Electronic Materials製)浸漬5分鐘,然後用純水將取出之附被鍍層基板清洗兩次。接著,於45℃下,將所得到之附被鍍層基板於化學鍍溶液(CIRCUPOSIT 4500、Rohm and Haas Electronic Materials K.K製)浸漬15分鐘,然後用純水清洗取出之附被鍍層基板而得到了具有網格狀金屬層(圖案狀金屬層)之導電膜。 此外,對具有規定的開口圖案之石英遮罩進行變更,且使網格狀被鍍層的細線部的寬度從1μm成為2μm、3μm、4μm或5μm,除此以外,實施與上述相同的步驟而得到了另外4種導電膜。
<實施例2> 使用被鍍層形成用組成物2來替代被鍍層形成用組成物1,除此以外,依與實施例1相同的步驟得到了導電膜。 (被鍍層形成用組成物2的製備) 將以下各成分進行混合而得到了被鍍層形成用組成物2。 異丙醇 60.6質量份 聚丙烯酸25質量%水溶液(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製) 9.33質量份 化合物A 1質量份 IRGACURE 127(BASF公司製) 0.05質量份
<實施例3> 使用被鍍層形成用組成物3來替代被鍍層形成用組成物1,除此以外,依與實施例1相同的步驟得到了導電膜。 (被鍍層形成用組成物3的製備) 將以下各成分進行混合而得到了被鍍層形成用組成物3。 異丙醇 28.3質量份 聚丙烯酸25質量%水溶液(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製) 1.71質量份 化合物A 1質量份 IRGACURE 127(BASF公司製) 0.05質量份
<實施例4> 使用丁二烯-馬來酸共聚物42質量%水溶液(Polyscience製)來替代聚丙烯酸25質量%水溶液,以聚合物與多官能(甲基)丙烯醯胺的質量比成為與實施例1相同的質量比的方式調整了使用量,除此以外,依與實施例1相同的步驟得到了導電膜。
<實施例5> 使用丁二烯-馬來酸共聚物42質量%水溶液(Polyscience製)來替代聚丙烯酸25質量%水溶液,以聚合物與多官能(甲基)丙烯醯胺的質量比成為與實施例2相同的質量比的方式調整了使用量,除此以外,依與實施例2相同的步驟得到了導電膜。
<實施例6> 使用丁二烯-馬來酸共聚物42質量%水溶液(Polyscience製)來替代聚丙烯酸25質量%水溶液,以聚合物與多官能(甲基)丙烯醯胺的質量比成為與實施例3相同的質量比的方式調整了使用量,除此以外,依與實施例3相同的步驟得到了導電膜。
<實施例7> 進一步對被鍍層形成用組成物1添加0.04質量份的化合物B(F-780F,DIC CORPORATION製)(氟類界面活性劑),除此以外,依與實施例1相同的步驟得到了導電膜。
<實施例8> 進一步對被鍍層形成用組成物1添加0.04質量份的化合物C(F-569,DIC CORPORATION製)(氟類界面活性劑),除此以外,依與實施例1相同的步驟得到了導電膜。
<實施例9> 使用被鍍層形成用組成物4來替代被鍍層形成用組成物1,除此以外,依與實施例1相同的步驟得到了導電膜。 (被鍍層形成用組成物4的製備) 將以下各成分進行混合而得到了被鍍層形成用組成物4。 異丙醇 25.2質量份 聚丙烯酸25質量%水溶液(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製) 1質量份 化合物A 1質量份 IRGACURE 127(BASF公司製) 0.05質量份
<比較例1> 使用N,N’-亞甲基雙(丙烯醯胺)來替代化合物A,以聚合物與多官能(甲基)丙烯醯胺的質量比成為與實施例1相同的質量比的方式調整了使用量,除此以外,依與實施例1相同的步驟得到了導電膜。
<各種評價> 使用藉由上述實施例及比較例得到之帶被鍍層前驅物層的基板、帶圖案狀被鍍層的基板及具有圖案狀金屬層之導電膜而實施了以下各種評價。將結果總結而示於後述的表1。
(延伸性) 使用Tensilon萬能材料試驗機(Shimadzu Corporation製),對於上述實施例及比較例中得到之圖案狀附被鍍層基板進行了延伸。具體而言,於160℃的加熱環境下,將細線部的寬度為4μm之具有網格狀被鍍層之帶圖案狀被鍍層的基板進行延伸,且對帶圖案狀被鍍層的基板的1cm×1cm的範圍進行觀察,並對該範圍內的直至被鍍層的斷線部位的數量成為5個之延伸率進行測定,依以下基準對該延伸率進行了評價。 「A」:200%以上 「B」:175%以上且小於200% 「C」:150%以上且小於175% 「D」:小於150%
(鍍覆析出性) 對藉由上述實施例及比較例得到之具有圖案狀金屬層之導電膜進行觀察,並依以下基準進行了評價。 「A」:即使使用了細線部的寬度為1~5μm之任意網格狀被鍍層時,亦形成金屬層之情況 「B」:即使使用了細線部的寬度為2~5μm之任意網格狀被鍍層時,亦形成金屬層,使用了細線部的寬度為1μm之網格狀被鍍層時,以於實用上無問題之程度形成金屬層,但於被鍍層上的一部分中有未形成金屬層之區域。 「C」:於網格狀被鍍層的細線部的寬度為1~5μm之任意態樣中,未形成金屬層之情況
(配線形成性) 用肉眼對藉由上述實施例及比較例得到之帶圖案狀被鍍層的基板的2.5cm×2.5cm的範圍進行觀察,並依以下基準進行了評價。 「A」:於規定的位置形成有圖案狀被鍍層,且能夠輕鬆地辨識圖案狀被鍍層。 「B」:於規定的位置形成有圖案狀被鍍層,但圖案狀被鍍層的厚度較薄,稍微難以辨識。 「C」:一部分圖案狀被鍍層未形成在規定的位置,但於圖案狀被鍍層的形成預定區域的50%以上的位置上形成有圖案狀被鍍層。 「D」:僅於圖案狀被鍍層的形成預定區域的小於50%的位置形成有圖案狀被鍍層。
(黏性) 越過層壓膜(QS62,TORAY INDUSTRIES, INC.製)用手指觸碰藉由上述實施例及比較例得到之帶被鍍層前驅物層的基板的被鍍層前驅物層的表面,並依以下基準進行了評價。 「A」:即使強力按壓,被鍍層前驅物層與薄膜亦不貼合。 「B」:若強力按壓,則被鍍層前驅物層與薄膜貼合,僅藉由越過薄膜而輕輕觸碰被鍍層前驅物層,被鍍層前驅物層與薄膜並不貼合。 「C」:僅藉由越過薄膜而輕輕觸碰被鍍層前驅物層,被鍍層前驅物層與薄膜貼合。
表1中,「聚合物:醯胺化合物(質量比)」表示聚合物與醯胺化合物的質量比。
[表1]
如表1所示,藉由使用含有規定的成分之被鍍層形成用組成物而得到了所希望的效果。 其中,如實施例4~6所示,當聚合物具有源自共軛二烯化合物的重複單元及源自不飽和羧酸或其衍生物的重複單元時,確認到配線形成性更加優異。 又,如實施例7及8所示,使用氟類界面活性劑時,確認到黏性得以改良。 又,藉由實施例9與實施例3的比較,聚合物的質量相對於醯胺化合物的質量之比大於0.25時,確認到黏性得以改良。
<實施例10> 使用以與True TOUCH Evaluation kit CYTK58(Cypress Semiconductor Corporation.製觸控驅動用IC(Integrated circuit(集成電路)))的驅動圖案對應的方式製作之遮罩,並且於基板的兩面上形成被鍍層,進而形成圖案狀金屬層(配線圖案),除此以外,依與實施例1相同的步驟得到了於兩面具有圖案狀金屬層,並且具有三維形狀之導電膜(以後,還簡稱為「導電膜10」)。
(複合處理(防鏽處理及防遷移處理)) 將導電膜10浸漬於分別含有1質量%的防鏽劑(JOHOKU CHEMICAL CO.,LTD製,BT-120)及1,2,3-三唑之水溶液(混合處理液)之後,對從混合處理液取出之導電膜10進行了水洗。 對導電膜10的引出配線部分進行遮蔽並浸漬於硬塗液(Momentive Performance Materials Inc.製,UVHC5000)之後,對塗佈了硬塗液之導電膜10進行UV照射(4000mJ)而於導電膜10的兩主表面形成了硬塗層。 對具有硬塗層之導電膜10按壓True TOUCH Evaluation kit CYTK58用FPC而製作感測器薄膜,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,雖具有ΔCm的偏差但無問題地驅動。
<實施例11> 依與實施例10相同的方法製作感測器薄膜,以減少ΔCm的偏差之方式,於驅動時個別設定ΔCm的範圍,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例12> 模壓後使用了如減少面內的ΔCm的偏差那樣考慮了圖案狀金屬層的配置位置之遮罩,除此以外,依與實施例10相同的方法製作了感測器薄膜。對所得到之感測器薄膜的驅動進行確認之結果,於延伸度高之部位,ΔCm的偏差亦得以抑制。
<實施例13> 依與實施例10相同的方法製作感測器薄膜,以於面內ΔCm值成為恆定值的方式於感測器薄膜上藉由夾物模壓而積層了規定的厚度的樹脂層。對所得到之積層體的驅動進行確認之結果,於面內ΔCm大致均勻而無問題地驅動。
<實施例14> 依與實施例10相同的方法製作感測器薄膜,藉由TOM模壓法將裝飾膜貼合在感測器薄膜上。對所得到之積層體的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例15> 依與實施例10相同的方法製作感測器薄膜,藉由噴塗塗裝而對感測器薄膜上進行了裝飾。對已進行裝飾之感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例16> 依與實施例10相同的方法製作感測器薄膜,使用轉印薄膜而將圖案轉印在感測器薄膜。對已轉印圖案之感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例17> 依與實施例10相同的方法製作感測器薄膜,將感測器薄膜配置於模具內,並使用裝飾膜而進行了模內模壓。對所得到之積層體的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例18> 依與實施例10相同的方法製作感測器薄膜,將感測器薄膜配置於模具內,並使用裝飾膜而進行了夾物模壓。對所得到之積層體的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例19> 於形成底漆層之前於基板上的一面上配置了裝飾層,除此以外,依與實施例10相同的方法製作感測器薄膜,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例20> 於形成底漆層之前於基板上的一面上貼合了裝飾層,除此以外,依與實施例10相同的方法製作感測器薄膜,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例21> 使用以與能夠藉由僅配置於1面上之圖案狀金屬層而驅動之静電觸控感測器的驅動圖案對應之方式製作之遮罩,僅於基板的一面上配置了圖案狀金屬層,除此以外,依與實施例1相同的方法得到了具有三維形狀之導電膜(以後,還簡稱為「導電膜21」)。接著,對導電膜21實施了複合處理(防鏽處理及防遷移處理)及硬塗處理。 將具有硬塗層之導電膜21連接於1面静電觸控感測器用主板ADFCS01(Bit Trade One, LTD.製)(以後,還稱為FPC壓接)而製作感測器薄膜,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例22> 模壓後使用了如減少面內的ΔCm的偏差那樣考慮了圖案狀金屬層的配置位置之遮罩,除此以外,依與實施例21相同的方法製作了感測器薄膜。對所得到之感測器薄膜的驅動進行確認之結果,於延伸度高之部位,亦無偏差而觸控驅動。
<實施例23> 依與實施例21相同的方法製作感測器薄膜,藉由TOM模壓法將裝飾膜貼合在感測器薄膜上。對所得到之積層體的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例24> 依與實施例21相同的方法製作感測器薄膜,藉由噴塗塗裝對感測器薄膜上進行了裝飾。對已進行裝飾之感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例25> 依與實施例21相同的方法製作感測器薄膜,使用轉印薄膜,將圖案轉印在感測器薄膜。對已轉印圖案之感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例26> 依與實施例21相同的方法製作感測器薄膜,將感測器薄膜配置於模具內,並使用裝飾膜而進行了模內模壓。對所得到之積層體的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例27> 依與實施例21相同的方法製作感測器薄膜,將感測器薄膜配置於模具內,並使用裝飾膜而進行了夾物模壓。對所得到之積層體的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例28> 於形成底漆層之前於基板上的一面上配置了裝飾層,除此以外,依與實施例21相同的方法製作感測器薄膜,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例29> 於形成底漆層之前於基板上的一面上貼合了裝飾層,除此以外,依與實施例21相同的方法製作感測器薄膜,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例30> 依與實施例21相同的方法製作已將被鍍層圖案化之薄膜,於模具內以被鍍層成為模具側之方式配置已將被鍍層圖案化之薄膜,並使用裝飾膜而進行了模內模壓。對所得到之積層體實施鍍覆處理之後,進行防鏽處理、硬塗處理及FPC壓接而製作感測器薄膜,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例31> 依與實施例21相同的方法製作已將被鍍層圖案化之薄膜,於模具內以被鍍層成為模具側之方式配置已將被鍍層圖案化之薄膜,並使用裝飾膜而進行了夾物模壓。對所得到之積層體實施鍍覆處理之後,進行防鏽處理、硬塗處理及FPC壓接而製作感測器薄膜,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例32> 依與實施例21相同的方法製作已將被鍍層圖案化之薄膜,於模具內以被鍍層成為模具側之方式配置已將被鍍層圖案化之薄膜,並進行了夾物模壓。對所得到之積層體實施鍍覆處理之後,進行防鏽處理、硬塗處理及FPC壓接,進而藉由TOM模壓而貼合裝飾膜來製作感測器薄膜,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
<實施例33> 依與實施例21相同的方法製作已將被鍍層圖案化之薄膜,於模具內以被鍍層成為模具側之方式配置已將被鍍層圖案化之薄膜,並進行了夾物模壓。對所得到之積層體實施鍍覆處理之後,進行防鏽處理、硬塗處理及FPC壓接,進而藉由噴塗而進行裝飾來製作感測器薄膜,並對感測器薄膜的驅動進行確認之結果,無問題地驅動。
10‧‧‧基板
12‧‧‧網格狀被鍍層
14‧‧‧開口部
20‧‧‧具有半球狀形狀之附被鍍層基板
L‧‧‧長度
W‧‧‧線寬度
圖1是具有網格狀被鍍層之基板的頂視圖。 圖2是具有三維形狀之附被鍍層基板的一實施形態的立體圖。

Claims (13)

  1. 一種被鍍層形成用組成物,其含有: 醯胺化合物,選自由具有聚氧伸烷基之多官能丙烯醯胺及具有聚氧伸烷基之多官能甲基丙烯醯胺所組成之群組;以及 聚合物,具有鍍覆觸媒或與其前驅物相互作用之官能基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之被鍍層形成用組成物,其中 前述聚合物的質量相對於前述醯胺化合物的質量之比大於0.25。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被鍍層形成用組成物,其還含有氟類界面活性劑。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被鍍層形成用組成物,其中 前述聚合物具有源自共軛二烯化合物的重複單元及源自不飽和羧酸或其衍生物的重複單元。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被鍍層形成用組成物,其中 前述醯胺化合物為由式(1)表示之化合物,式(1)中,R1 及R2 分別獨立地表示氫原子或甲基,R3 及R4 分別獨立地表示氫原子或取代基,L1 及L2 分別獨立地表示單鍵或2價連接基,A表示伸烷基,m表示2以上的整數。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之被鍍層形成用組成物,其還含有聚合起始劑。
  7. 一種被鍍層,其藉由使如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之被鍍層形成用組成物硬化而得到。
  8. 一種附被鍍層基板,其具有基板和配置在前述基板上之如申請專利範圍第7項所述之被鍍層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之附被鍍層基板,其中 於前述基板上以圖案狀配置前述被鍍層。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之附被鍍層基板,其中 前述基板具有三維形狀。
  11. 一種導電膜,其含有如申請專利範圍第8項至第10項中任一項所述之附被鍍層基板及配置在前述附被鍍層基板中的前述被鍍層上之金屬層。
  12. 一種觸控面板感測器,其含有如申請專利範圍第11項所述之導電膜。
  13. 一種觸控面板,其含有如申請專利範圍第12項所述之觸控面板感測器。
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