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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine Spannungsregelung
und insbesondere die exakte Spannungsregelung zum Programmieren
einer Speicherzelle, die eine Mehrzahl von Datenbits speichert.
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Hintergrund
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Nicht-flüchtige Halbleiterspeicher
verwenden eine Vielzahl von Halbleiterspeicherzellendesigns. Eine
Art von Speicherzellen verwendet ein elektrisch isoliertes Floating-Gate
zum Festhalten von Ladung. Zum Einbringen von Ladung in das Floating-Gate und
zum Abziehen von Ladung von diesem können eine Vielzahl von Mechanismen
verwendet werden. Das Tunneln von Elektronen kann sowohl zur Ladungsinjektion
als auch zum Abziehen von Ladung von dem Floating-Gate einer Speicherzelle
verwendet werden. Die Injektion heißer Elektronen ist ein weiterer
Mechanismus zum Einbringen einer Ladung in ein Floating-Gate einer Speicherzelle.
Andere nicht-flüchtige
Halbleiterspeicher verwenden ein Einfangdielektrikum (trapping dielectric),
um Ladung zwischen dem Steuer-Gate einer Speicherzelle und Silizium
einzubringen oder dort zu entfernen.
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Bei
einer ein Floating-Gate umfassenden Speicherzelle werden Daten in
der Speicherzelle gespeichert, in dem die Ladungsmenge auf dem Floating-Gate
geändert
wird, was bewirkt, daß die Schwellspannung
Vt der Speicherzelle verändert wird. Eine übliche bekannte
Speicherzelle ist in der Lage, einen von zwei möglichen analogen Zuständen zu
erreichen, welche entweder "programmiert" oder "gelöscht" sind. Die analogen
Zustände
einer Speicherzelle können
ausgedrückt
werden als Bereiche von Schwellenspannungen Vt,
von Zellströmen
Id oder von Ladungspegeln, die auf dem Floating-Gate gespeichert
sind. Theoretisch kann die Flashzelle für jedes Elektron, das auf das
Floating-Gate hinzugefügt wird,
einen separat identifizierbaren Zustand aufweisen. Die maximal mögliche Anzahl
von Zuständen
für eine Speicherzelle
ist praktisch begrenzt aufgrund von Inkonsequenzen in der Speicherzellenstruktur,
einem Ladungsverlust mit der Zeit, thermischen Gesichtspunkten und
Ungenauigkeiten beim Messen der Ladung auf dem Floating-Gate, was
die Möglichkeit
der Bestimmung der in der Speicherzelle gespeicherten Daten beeinflußt. Für das Floating-Gate
ist es jedoch möglich,
mehr als zwei analoge Zustände
zu erreichen. Dies ermöglicht
ein Speichern von mehreren Datenbits in einer einzelnen Speicherzelle,
was gelegentlich Mehrzustands- oder Mehrebenenspeicherung genannt
wird.
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Ein
Erhöhen
der Anzahl von Bits, die in einer einzigen Speicherzelle gespeichert
werden, hat mehrere Konsequenzen für das Programmieren der Speicherzelle.
Erstens erfordert die Speicherung von mehreren Bits in einer Speicherzelle üblicherweise einen
engen Bereich von Vt-Spannungen für jeden Zustand.
Ein "Programmier-Overshoot" wird somit ein Problem
und es muß dafür gesorgt
werden, daß die
Speicherzelle präzise
in den gewünschten
analogen Zustand gebracht wird. Programmier-Overshoots treten auf,
wenn die Speicherzelle über
den gewünschten
Zustand hinaus programmiert wird. Ein Programmier-Overshoot ist üblicherweise für bekannte
Single-Bit-Flash-Zellen kein Problem, da die Single-Bit-Flash-Zelle
keinen Zustand außer dem
programmierten Zustand erreichen kann.
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Zweitens
führen
die engen Bereiche von Schwellenspannungen Vt für jeden
Zustand und der Bedarf einer genauen Anordnung der Zustände dazu,
daß die
Werte der Programmierspannungspegel ein kritischer Parameter für eine genaue
Programmierung der Speicherzellen sind. Üblicherweise wird eine externe
Stromversorgung verwendet, um die Programmierspannungspegel zu bestimmen:
Die den meisten Stromversorgungen inhärente Ungenauigkeit wird daher
unangenehm. Beispielsweise weist die Programmierspannung VG, die an das ausgewählte Gate einer Speicherzelle
während
der Programmierung angelegt wird, eine 1 : 1 Übereinstimmung mit der endgültigen Schwellenspannung
Vt der Speicherzelle auf. Sämtliche
Schwankungen der Programmierspannung VG während eines
Programmierzyklus führen
zu entsprechenden Schwankungen der Schwellenspannung Vt und
ein Programmier-Overshoot
kann auftreten.
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Ein
Verfahren zum Bereitstellen genauer Programmierungsspannungspegel
besteht darin, eine Stromversorgung mit einer sehr hohen Genauigkeit
zu verwenden, beispielsweise mit einem 1% Sollwertgenauigkeitsgrad.
Derartige Stromversorgungen sind jedoch kostspielig und eine andere
Lösung
wäre vorzuziehen.
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Darüber hinaus
ist in der US-A-5281866 (Rundal) eine Bezugsspannungsschaltung beschrieben,
die eine schnelle Leistungsabgabe bei einem geringeren Power-Standby-Zustand
ermöglicht.
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Zusammenfassung und Ziele
der Erfindung
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine stabile Spannungsbezugsschaltung
zur Verwendung durch eine Spannungsregelschaltung bereitzustellen.
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Ein
weiteres Ziel der Erfindung ist es, geregelte Programmierspannungen
für die
Programmierung einer Speicherzelle bereitzustellen.
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Ein
weiteres Ziel der Erfindung ist es, eine Spannungsregelschaltung
bereitzustellen, die eine Ausgangsspannung mit hoher Genauigkeit
liefert, die unabhängig
von Änderungen
einer externen Eingangsstromversorgung ist, wobei derartige Ausgangsspannungen
mit hoher Genauigkeit zum Programmieren von Mehrebenenspeicherzellen
verwendbar sind.
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Diese
und andere Aufgaben der Erfindung werden bereitgestellt durch eine
Spannungsregelschaltung, die eine Abtast- und Halteschaltung zum Abtasten einer
Eingangsspannung und zum Halten einer Bezugsspannung, die als Antwort
auf die Eingangsspannung erzeugt wird, umfaßt. Die Abtast- und Halteschaltung
umfaßt
einen Kondensator, der die Bezugsspannung hält. Die Spannungsregelschaltung
umfaßt
ferner eine mit dem Kondensator der Abtast- und Haltespannung gekoppelte
Regelschaltung. Die Regelschaltung gibt eine Ausgangsspannung unter
Verwendung der von dem Kondensator gelieferten Bezugsspannung aus.
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Andere
Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden
aus den begleitenden Zeichnungen und der folgenden detaillierten Beschreibung
deutlich.
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Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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Die
vorliegende Erfindung ist exemplarisch und nicht zur Beschränkung auf
die Figuren der beiliegenden Zeichnungen dargestellt, in welchen
gleiche Bezugszeichen ähnliche
Elemente bezeichnen und in welchen:
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1 ein
Computersystem zeigt.
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2 zeigt
eine Solid-State-Festplatte einschließlich einer Programmierspannungsregelschaltung.
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3 zeigt
eine nicht-flüchtige
Speichereinrichtung einschließlich
einer Programmierspannungsregelschaltung.
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4 zeigt
eine zum Programmieren konfigurierte Flash-Speicherzelle.
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5 zeigt
eine Programmierspannungsregelschaltung.
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6 zeigt
ein alternatives Ausführungsbeispiel
für die
Eingangsschaltung der Programmierspannungsregelschaltung.
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7 ist
ein den Betrieb einer Programmierspannungsregelschaltung zeigendes
Zeitdiagramm.
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8 zeigt
einen Operationsverstärker.
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Detaillierte Beschreibung
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1 zeigt
ein Computersystem eines Ausführungsbeispiels.
Das Computersystem umfaßt üblicherweise
einen Bus 11, an welchen ein Prozessor 12, ein
Hauptspeicher 14, ein statischer Speicher 16, eine
Massenspeichereinrichtung 17 und ein IC-Controller 18 gekoppelt
sein kann. Der statische Speicher 16 kann einen elektrisch
löschbaren
programmierbaren Flash-Nur-Lese-Speicher
("Flash-EEPROM") oder andere nicht-flüchtige Speichereinrichtungen umfassen,
die mehrere Datenbits pro Zelle speichern. Entsprechend kann die
Massenspeichereinrichtung 17 ein Solid-State-Festplattenlaufwerk 17 sein,
welches nicht-flüchtige
Speichereinrichtungen mit einer Mehrzahl von Bits pro Zelle zum
Speichern von Daten verwendet. Das Solid-State-Festplattenlaufwerk 17 emuliert
eine Standard-IDE-Hard ware und mit einem BIOS ausgerüstete Systeme
und verwendet eine der Industrienorm entsprechende AT-Attachment-Schnittstelle
bzw. -Interface für
Plattenlaufwerk-(ATA)-Befehle, so daß keine Software-Treiber notwendig
sind. Auf diese Weise erscheint dem Computersystem das Solid-State-Festplattenlaufwerk 17 als
ein magnetisches Festplattenlaufwerk, jedoch weist das Solid-State-Festplattenlaufwerk 17 eine verminderte
Dicke und ein vermindertes Gewicht verglichen mit üblichen
magnetischen Festplattenlaufwerken auf, wodurch das Solid-State-Festplattenlaufwerk
für tragbare
Computer besonders vorteilhaft ist.
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IC-Karten 19 und 20 können in
dem Computersystem enthalten sein und sind mit einem PCMCIA-Bus 26 gekoppelt.
Der PCMCIA-Bus 26 ist
mit dem Bus 11 und dem IC-Controller 18 gekoppelt,
um Kommunikationsinformationen zwischen den Karten 19 und 20 und
dem Rest des Computersystems bereitzustellen. Der IC-Controller 18 stellt
den IC-Karten 19 und 20 über den PCMCIA-Bus 26 Steuer-
und Adreßinformationen
bereit und ist mit dem Bus 11 gekoppelt. Die IC-Karten 19 und 20 können Speicherkarten
sein, die nicht-flüchtige
Speichereinrichtungen mit mehreren Bits pro Zelle zum Speichern
von Daten umfassen.
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Das
Computersystem kann ferner eine Anzeigeeinrichtung 21,
eine Tastatur 22, eine Cursorsteuereinrichtung 23,
eine Hard-Copy-Einrichtung und
eine Sound-Sampling-Einrichtung 25 umfassen. Die spezielle
Konfiguration des Computersystems wird durch die speziellen Anwendungen
bestimmt, für
welche das Computersystem verwendet wird. Beispielsweise kann das
Computersystem nach 1 ein persönlicher digitaler Assistent
(PDA), ein Pen-Computersystem, ein Mainframe-Computer oder ein Personalcomputer
sein.
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2 zeigt
die Massenspeichereinrichtung detaillierter. Die Massenspeichereinrichtung 17 ist
als Solid-State-Festplattenlaufwerk gezeigt, das eine nicht-flüchtige Speichereinrichtung 30 zum
Speichern von Informationen umfaßt. Die Speichereinrichtung 30 umfaßt ein (nicht
gezeigtes) Speicherzellen-Array, wobei jede Speicherzelle in einem
oder mehreren analogen Zuständen
sein kann. Eine Systemstromversorgung 35 stellt dem Solid-State-Festplattenlaufwerk 17 geregelte
Betriebsspannungen bereit. Diese Systemstromversorgung 35 ist
mit einer Ausgangsleistung von 3,3 Volt bei einer Genauigkeit von
+/–10%
gezeigt. Zusätzlich
zu der Speichereinrichtung 30 umfaßt das Solid-State-Festplattenlaufwerk 17 3,3-Volt-Komponenten 37,
welche ihre Betriebsspannung von der Systemstromversorgung 35 beziehen
und 5,0-Volt-Komponenten 38, welche ebenso ihre Betriebsspannungen
von der Systemstromversorgung 35 beziehen. wie gezeigt
beziehen die 5,0-Volt-Komponenten 38 ihre Betriebsspannungen
von einem Gleichstromwandler 39, welcher mit der Systemstromversorgung 35 zum
Ausgeben verschiedener Spannungen an die Speichereinrichtung 30 gekoppelt
ist.
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Die
Versorgungspins des Gleichstromwandlers 39 umfassen einen
VCC-Pin, einen VPP-Pin, einen VR-Pin und
einen 5v-Pin. Jeder dieser Versorgungspins ist intern mit der Schaltung
des Gleichstromwandlers 39 verbunden, der von der Schaltung jedes
anderen Versorgungspins isoliert ist. Auf diese Weise sind die Versorgungspins
voneinander entkoppelt und das von der Aktivität der Last eines anderen Versorgungspins
resultierende Rauschen ist reduziert. Somit kann der Gleichstromwandler 39 als Äquivalent
für vier
getrennte Gleichstromwandler, von denen jeder einen Versorgungspin
aufweist, bereitgestellt werden.
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Mit
der Ausnahme der I/O-Schaltung, welche bei 3,3 Volt arbeitet, weist
die Speichereinrichtung 30 eine Betriebsspannung VCC von
5,25 Volt bei +/–2% auf.
Die Betriebsspannung VCC wird von der Speichereinrichtung 30 für alle Leseoperationen
verwendet und kann von den 5,0-Volt-Komponenten 38 verwendet
werden. Vorzugsweise stellt der VCC-Versorgungspin des Gleichstromwandlers 39 lediglich
der Speichereinrichtung 30 Strom bereit, so daß das Rauschen
und die Last des Gleichstromwandlers 39 reduziert ist.
Die Ausgangsleistung des 5v-Versorgungspins
ist 5,0 Volt.
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Der
Gleichstromwandler liefert ferner eine Programmierspannung VPP von
12,0 Volt bei +/–2% an
eine Programmierspannungsregelschaltung 45 der Speichereinrichtung 30.
Alternativ kann der Gleichstromwandler eine stabile Bezugsspannung VR von 11,0 Volt bei 0,5 bis 1,0% Genauigkeit
ausgeben, wie es durch die gestrichelten Linien gezeigt ist. Der
Versorgungspin mit stabiler Bezugsspannung VR ist
ein leistungsarmer Versorgungspin, der in der Lage ist, einen begrenzten
Strom zu liefern. Wie es unten beschrieben wird, empfängt die
Programmierspannungsregelschaltung 45 eine Eingangsspannung
und stellt eine Ausgangsspannung bereit, die unabhängig von
der Eingangsspannungsversorgung ist. Die Eingangsspannung kann entweder
VPP oder VR sein und die Ausgangsspannung
kann als eine Programmierspannung zum Programmieren einer nichtflüchtigen
Speicherzelle verwendet werden. Die durch die Programmierspannungsregelschaltung 45 bereitgestellte
Genauigkeit ist insbesondere beim Programmieren einer Speicherzelle
nützlich,
die drei oder mehr Zustände
erreichen kann, d. h. eine Speicherzelle, die mehr als 1 Datenbit
speichert. IC-Karten 19 und 20 können eine
Architektur ähnlich
der des Solid-State-Festplattenlaufwerks 17 aufweisen.
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3 zeigt
die Speichereinrichtung detaillierter. Die Speichereinrichtung 30,
welche auf einem einzigen Halbleitersubstrat hergestellt wird, umfaßt ein Speicher-Array 50,
einen X-Decodierer 52, einen Y-Decodierer 54,
eine Meßschaltung 56,
ein Bezugs-Array 58, eine Steuer-Engine 60, einen
Spannungsschalter 62, eine Befehlsschnittstelle 64 und eine
Programmierregelschaltung 45, welche wie weiter unten beschrieben
arbeitet.
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Anwender
stellen der Speichereinrichtung 30 über Adreßleitungen 66 Adressen
zur Verfügung
und empfangen Daten von der Speichereinrichtung 30 über Datenleitungen 68.
Die Speichereinrichtung 30 speichert Daten unter Verwendung
von nichtflüchtigen
Speicherzellen innerhalb des Speicher-Arrays 50. Die Schwellenspannungen
der nicht-flüchtigen Speicherzellen
können
während
der Programmierung geändert
werden, wodurch ein Speichern von analogen Spannungspegeln ermöglicht wird.
Das Speicher-Array 50 kann jede Art von Speicherzelle mit
programmierbaren Schwellenspannungen umfassen, wie beispielsweise
Speicherzellen mit Einfangdielektrika oder Floating-Gates. Bei einem
Ausführungsbeispiel
besteht das Speicher-Array 50 aus Flash-Speicherzellen,
die jeweils zwei oder mehrere analoge Zustände erreichen können.
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Um
in dem Speicher-Array 50 gespeicherte Daten zu lesen, wählen der
X-Decodierer 52 und der Y-Decodierer 54 eine Anzahl
von Speicherzellen des Speicher-Arrays 50 aus als Antwort
auf eine von einem Benutzer bereitgestellte Adresse, die über die Adreßleitungen 66 empfangen
wurde. Der X-Decodierer 52 wählt die entsprechende Zeile
innerhalb des Speicher-Arrays 50. Aus diesem Grunde wird
der X-Decodierer 52 auch Zeilendecodierer 52 genannt. Entsprechend
wählt der
Y-Decodierer 54 die entsprechende Spalte innerhalb des
Speicher-Arrays 50 aus. Aufgrund seiner Funktion wird der
Y-Decodierer 54 auch Spaltendecodierer 54 genannt.
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Die
Datenausgabe von dem Speicher-Array 50 ist mit dem Y-Decodierer 54 gekoppelt,
welcher die Daten an die Meßschaltung 56 weiterleitet.
Die Meßschaltung 56 vergleicht
die Zustände
der ausgewählten
Speicherzellen mit den Zuständen
von Bezugszellen eines Bezugszellen-Arrays 58. Die Meßschaltung 56 umfaßt Differentialkomparatoren,
die digitale logische Spannungspegel als Antwort auf den Vergleich
zwischen Speicherzellen und Bezugszellen ausgeben. Auf diese Weise
werden die analogen Zustände
der Speicherzellen ausgedrückt
und als digitale Daten ausgegeben.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
der Speichereinrichtung 30 steuert eine Steuer-Engine 60 das Löschen und
Programmieren des Speicher-Arrays 50. Die Steuer-Engine 60 steuert
ferner das Programmieren von Mehrebenen-Zellen. Bei einem Ausführungsbeispiel
umfaßt
die Steuer-Engine 60 einen Prozessor, der von einem in
einem On-Chip-Speicher gespeicherten Mikrocode gesteuert wird. Die spezielle
Implementierung der Steuer-Engine 60 beeinflußt die vorliegende
Spannungsregelschaltung mit hoher Genauigkeit nicht.
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Die
Steuer-Engine 60 verwaltet das Speicher-Array 50 über eine
Steuerung des Zeilendecodierers 52, des Spaltendecodierers 54,
der Meßschaltung 56,
des Bezugszellen-Arrays 58, des Spannungsschalters 62 und
der Programmierspannungsregelschaltung 45. Der Spannungsschalter 62 steuert
die verschiedenen Spannungspegel, die zum Lesen und Löschen des
Speicher-Arrays 50 notwendig sind und liefert ferner eine
Drain-Spannung VDD zum Programmieren. Die Programmierspannungsregelschaltung 45 stellt
die Selektions-Gate-Spannungen zum Programmieren bereit.
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Benutzerbefehle
zum Lesen, Löschen
und Programmieren werden zur Steuer-Engine 60 über eine
Befehlsschnittstelle 64 übertragen. Der externe Benutzer
gibt über
drei Steuerpins Befehle an die Befehlsschnittstelle 64:
Ausgabefreigabe OEB, Schreibfreigabe WEB und Chipfreigabe CEB.
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4 zeigt
eine zum Programmieren konfigurierte Flash-Speicherzelle. Die Flash-Speicherzelle 70 umfaßt ein Selektions-Gate 71,
welches mit einer Programmierspannung VG verbunden
ist. Eine übliche
Programmierspannung VG für bekannte Flash-Speicherzellen
beträgt
12 Volt und wird von einer Programmierspannungsversorgung VPP geliefert.
Die Flash-Speicherzelle 70 umfaßt ferner ein Floating-Gate 72,
eine Quelle 73 und ein Drain 74, wobei die Quelle 73 und
der Drain 74 in einem Substrat 75 gebildet sind.
Die Speicherzelle wirkt im wesentlichen als ein Feldeffekttransistor
("FET") mit einer Schwellenspannung
Vt, die gemäß der auf dem Floating-Gate 72 gespeicherten
Ladungsmenge variabel ist. Der primäre Mechanismus zum Anordnen von
Ladung auf dem Floating-Gate 72 ist eine Injektion heißer Elektronen.
Die Flash-Speicherzelle 70 ist in der Lage, zwei oder mehr
analoge Zustände
zu erreichen.
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Ein
Anlegen der Programmierspannung VG an das
Selektions-Gate 71 schaltet
den FET der Flash-Speicherzelle an, was einen Stromfluß von dem
Drain 74 zu der Quelle 73 bewirkt. Die Programmierschaltung
VG erzeugt ferner ein "vertikales" elektrisches Feld zwischen dem Substrat 75 und
dem Floating-Gate 72. Ein Elektronenstrom in dem vertikalen
elektrischen Feld ist als Pfeil mit seiner Spitze bei dem Floating-Gate 72 und
seinem Ende bei dem Substrat 75 gezeigt. Dies zeigt im
wesentlichen die Richtung des Elektronenstroms in dem vertikalen elektrischen
Feld. Wie gezeigt ist die Quelle 73 mit der Systemmasse
VSS gekoppelt und der Drain 74 ist mit einer Drainspannung
VDD gekoppelt. Die Potentialdifferenz zwischen dem Drain 74 und
der Quelle 73 erzeugt ein "horizontales" elektrisches Feld, das die Elektronen
von der Quelle 73 durch den Kanal zu dem Drain 74 beschleunigt.
Bei einem Ausführungsbeispiel
ist es für
VDD ausreichend, 5 bis 7 Volt größer zu sein
als die Spannung bei der Quelle 73. Ein Elektronenstrom
in dem horizontalen elektrischen Feld ist als ein Pfeil mit seiner
Spitze bei dem Drain 74 und seinem Ende bei der Quelle 73 gezeigt.
Dieses zeigt im wesentlichen die Richtung des Elektronenstroms durch
den Kanal. Die beschleunigten oder "heißen" Elektronen kollidieren
mit der Gitterstruktur des Substrats 75 und einige der
heißen
Elektronen werden durch das vertikale elektrische Feld auf das Floating-Gate
gelenkt. Auf diese Weise kann die Menge der auf dem Floating-Gate
gespeicherten Ladung erhöht
werden.
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Die
Steuer-Engine 60 steuert das Anlegen von Spannungen an
die Flash-Speicherzelle unter Verwendung von einem oder mehreren "Programmierpulsen" zum Programmieren
der Flash-Speicherzelle. Ein Programmierpuls ist eine festgelegte Zeitspanne,
während
derer die Programmierspannung VG und die
Drainspannung VDD anliegen. Ein "Programmierzyklus" ist eine maximale
Zeit, die durch einen bestimmten Programmieralgorithmus zum Programmieren
einer Flash-Speicherzelle erlaubt ist. In einem einzigen Programmierzyklus
sind üblicherweise
mehrere Programmierpulse enthalten.
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5 zeigt
eine Programmierspannungsregelschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel.
Die Programmierspannungsregelschaltung kann verwendet werden, um
eine Programmierspannung VG an dem Selektionsgatter
einer Speicherzelle während
der Programmierung bereitzustellen. Die Programmierspannungsregelschaltung
kann ferner verwendet werden, um eine Quellenspannung und die Drainspannung
VDD während
der Programmierung der Speicherzelle zu liefern. Die von der Programmierspannungsregelschaltung
bereitgestellte Genauigkeit ist insbesondere nützlich, wenn die Speicherzelle
in der Lage ist, drei oder mehr analoge Zustände zu erreichen.
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Die
Programmierspannungsregelschaltung 45 umfaßt eine
Abtast- und Haltespannung 501, die eine Eingangsspannung
Vin zum Erzeugen einer Bezugsspannung Vref abtastet, welche die Abtast- und Halteschaltung 501 für den Zeitraum
eines vollen Programmierzyklus hält.
Die Regelschaltung 503 verwendet die Bezugsspannung Vref um die gewünschten Ausgangsspannungen
Vout zu liefern. Gemäß einem Ausführungsbeispiel
bestimmt die Steuer-Engine, wann die Abtast- und Halteschaltung 501 die
Eingangsspannung Vin abtastet und programmiert die
Regelschaltung 503 zum Ausgeben der notwendigen Ausgabespannungen
für jeden
Programmierpuls des Programmierzyklus. Die Eingangsspannung Vin ist die Programmierspannung VPP und die
Ausgangsspannung Vout ist die Gate-Spannung,
welche an die Gates der Speicherzellen für die Programmierung angelegt
wird. Alternativ kann die Eingangsspannung Vin die
stabile Bezugsspannung VR sein.
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Die
Abtast- und Halteschaltung 501 umfaßt eine Eingangsschaltung 505,
die mit der Eingangsspannung Vin gekoppelt
ist, einen Schalter 510, der mit der Eingangsschaltung 505 gekoppelt
ist und eine Spannungsbezugsschaltung 515, die mit dem
Schalter 510 gekoppelt ist. Die Eingangsschaltung 505 ist in
Form von Widerständen
R1 und R2 gezeigt, welche in Serie zwischen der Eingangsspannung
Vin und der Systemmasse VSS geschaltet sind.
Der Schalter 510 ist als n-Kanal-Feldeffekttransistor ("FET") N1 gezeigt, wobei
dessen Drain mit der Eingangsschaltung 505 an dem Knoten 506 gekoppelt
ist. Somit sind die Widerstände
R1 und R2 als Spannungsteiler zum Liefern der Bezugsspannung Vref an die Spannungsbezugsschaltung 515 konfiguriert,
wenn der Schalter 510 geschlossen ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel
weisen die Widerstände
R1 und R2 vorzugsweise den gleichen Wert auf, so daß der Bezugsspannungspegel
Vref gleich der Hälfte von VPP ist.
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Der
FET N1 wird als Antwort auf ein Abtastfreigabesignal (sample enable
signal) SMPLEN ein- und ausgeschaltet, welches zu dem Gate von FET N1
geliefert wird. Der FET N1 ist vorzugsweise so klein wie möglich, um
die kapazitive Durchführung
zu verringern, wenn der FET N1 abgeschaltet wird. Das SMPLEN-Signal ist ein aktives
Hoch-Signal.
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Die
Source von FET N1 ist mit der Spannungsbezugsschaltung 515 gekoppelt,
welche als einen Kondensator C1 umfassend dargestellt ist, der zwischen
der Source von FET N1 und der Systemmasse VSS geschaltet ist. Wenn
der Schalter 510 geschlossen ist, ist die von der Eingangsschaltung 505 bereitgestellte
Bezugsspannung Vref mit der Spannungsbezugsschaltung 515 gekoppelt.
Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist der Kondensator C1 auf die Bezugsspannung Vref geladen,
wenn der Schalter 510 geschlossen ist. Der Schalter 510 ist
vorzugsweise für
eine Zeit geschlossen, die ausreichend ist, um ein Laden des Kondensators
C1 auf Vref sicherzustellen. Wenn der Schalter 510 öffnet, wird
die Eingangsschaltung 505 von der Spannungsbezugsschaltung 510 entkoppelt,
wobei der Kondensator C1 die Bezugsspannung Vref hält. Der
Kondensator C1 muß derart
gewählt
werden, daß er
die Bezugsspannung Vref für die Zeitdauer
eines Programmierzyklus halten kann. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist eine Millisekunde eine ausreichende Zeit. Ferner ist der Kondensator
verglichen mit der entsprechenden Kapazität für die Regelschaltung 503 vorzugsweise
sehr grob, um die Auswirkungen von Rauschen zu vermindern, welches über die
Regelschaltung 503 mit dem Kondensator C1 gekoppelt wird.
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Die
Kondensatoren entladen sich mit der Zeit aufgrund eines Ladungsverlusts
und werden üblicherweise
aufgrund ihrer Flüchtigkeit
nicht als Spannungsreferenzen verwendet. Zum Programmieren von nicht-flüchtigen
Speicherzellen ist die Zeitdauer jedoch ausreichend, für welche
die Spannung eines Kondensators stabil bleiben kann, um eine Bezugsspannung
Vref für
einen vollständigen
Programmierzyklus bereitzustellen. Der Kondensator muß zwischen
Programmierzyklen neu geladen werden, was bedeutet, daß die Bezugsspannung
Vref von Programmierzyklus zu Programmierzyklus
um die Sollwertgenauigkeit der externen Versorgung schwankt, jedoch
wird die Referenzspannung Vref von Programmierpuls
zu Programmierpuls für
jeden Programmierzyklus stabil gehalten. Diese zusätzliche
Stabilität hilft
eine konstantere Gate-Spannung und Gate-Schrittspannung beim Programmieren
von Speicherzellen sicherzustellen, was die Möglichkeit eines Programmier-Overshoots
vermindert.
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Die
Programmierspannungsregelschaltung 45 kann für jede Anwendung
als eine Spannungsregelschaltung verwendet werden, bei welcher eine konstante
Regelung nicht erforderlich ist. Wenn wie bei diesem Ausführungsbeispiel
die von der Abtast- und
Haltespannung gelieferte Spannungsreferenz nur für einen begrenzten Zeitraum
zur Verfügung
gestellt werden muß,
kann die Spannungsregelschaltung implementiert werden.
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Die
Regelschaltung 503 enthält
in der Darstellung einen Operationsverstärker 520 und eine programmierbare
Ohmsche Teilerschaltung 525. Der Operationsverstärker 520 ist
geschaltet als nicht-invertierender Verstärker mit einer vordefinierten
Verstärkung,
wobei sein positiver Eingang mit der Spannungsbezugsschaltung 515 und
sein negativer Eingang über
die programmierbare Ohmsche Teilerschaltung 525 mit seinem
Ausgang gekoppelt ist. Die Programmierspannungsversorgung VPP ist
die Spannungsversorgung für
den Operationsverstärker 520.
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Die
programmierbare Ohmsche Teilerschaltung 530 umfaßt Widerstände R3–Rk, die
derart in Serie zwischen dem Ausgang des Operationsverstärkers 525 und
Systemmasse VSS gekoppelt sind, daß eine Mehrzahl von Knoten
definiert werden, und zwar jeweils einer zwischen dem Ausgang des
Operationsverstärkers 525 und
dem Widerstand R3 und zwischen jedem Widerstand. Bei einer Mehrzahl
von n-Kanal-FETs N2–Nk
sind deren Drains mit entsprechenden Drains der Knoten gekoppelt
und deren Sources sind mit einem üblichen Ausgangsknoten zum
Bereitstellen der Ausgangsspannung Vout gekoppelt.
Die FETs N2–Nk
wirken als Schalter in Antwort auf Steuerspannungen, die an den
Gates der FETs anliegen. Die Steuerspannungen werden von einer Steuer-Engine geliefert,
welche die Ausgangsspannung Vout während des
Programmierens entsprechend dem genauen oben beschriebenen Anordnungsalgorithmus
steuert. Vorzugsweise kann lediglich einer der FETs N2–Nk zu einer
gegebenen Zeit eingeschaltet werden. Die Widerstände R3–Rk haben vorzugsweise gleiche
Werte, um einen Bereich von Ausgangsspannungen Vout bereitzustellen, die
in gleichen Schritten erhöht
sind. Die maximale Spannung Vmax, die minimale
Spannung Vmin und die Schrittgröße werden
vorzugsweise so gewählt,
daß die
von dem bestimmten verwendeten Programmieralgorithmus erforderten
werte bereitgestellt werden können.
Bei diesem Ausführungsbeispiel
beträgt der
Spannungsbereich für
Vout 2,4 Volt bis 10,8 Volt in 20 Millivolt
Schritten. Daher ist die Spannung direkt an dem Ausgang des Operationsverstärkers gleich 10,8
Volt und die Spannung an dem Widerstand Rk ist gleich 2,7 Volt.
Der negative Eingang des Operationsverstärkers 520 ist daher
mit der programmierbaren Ohmschen Teilerschaltung 525 bei
einem anderen als dem gezeigten Abzweigpunkt gekoppelt. Ein "Abzweigpunkt" ist ein Knoten zwischen
Widerständen
in der Ohmschen Teilerschaltung 525.
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6 zeigt
ein alternatives Ausführungsbeispiel
der Eingangsschaltung 505. Das Ausführungsbeispiel der Eingangsschaltung 505 lädt den Kondensator
C1 schneller. In der Darstellung steuern drei Steuersignale SMPLEN,
SAMPLEB und PRECHGB den Betrieb der Eingangsschaltung 505 über Signalleitungen 605, 610 bzw. 615.
Die Steuersignale werden von der (nicht gezeigten) Steuer-Engine
bereitgestellt, deren Betrieb weiter unten detaillierter beschrieben
ist. Das SMPLEN-Signal steuert einen Pegelumsetzer 620 zum
Ein- und Ausschalten des FET N1 der Umschalt-Schaltung 510.
Wenn das HOLD-Signal ein logisch hohes (aktives) Signal ist, gibt
der Pegelumsetzer 620 ein Hoch-Spannungssignal an das Gate
von FET N1, was den FET einschaltet, so daß der Kondensator C1 mit der
Eingangsschaltung 505 am Knoten 506 gekoppelt
ist.
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Das
SAMPLEB-Signal steuert einen Pegelumsetzer 625 zum Ein-
und Ausschalten eines p-Kanal-FETs TP1 und eines n-Kanal-FETs TN1. Der Pegelumsetzer 625 weist
einen einziges Ausgang auf, so daß nur einer der FETs zu einer
gegebenen Zeit eingeschaltet ist. Wenn SAMPLEB logisch hoch (inaktiv)
ist, wird der FET TP1 ausgeschaltet und der FET TN1 eingeschaltet.
Wenn SAMPLEB logisch niedrig (aktiv) ist, wird FET TP1 eingeschaltet
und FET TN1 ausgeschaltet.
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Das
PRECHGB-Signal steuert einen Pegelumsetzer 630 zum Ein-
oder Ausschalten eines p-Kanal-FET TP2 und eines n-Kanal-FET TN1. Der Pegelumsetzer 630 weist
komplementäre
Ausgänge auf,
wobei der nicht invertierende Ausgang mit dem Gate des FET TP2 und
der invertierende Ausgang mit dem Gate von TN2 gekoppelt ist. Somit
sind die FETs TP2 und TN2 entweder beide eingeschaltet oder aus.
Wenn PRECHGB logisch hoch (inaktiv) ist, sind die beiden FETs TP2
und TN2 aus. Wenn PRECHGB logisch niedrig (aktiv) ist, sind beide
FETs TP2 und TN2 eingeschaltet. Jeder Pegelumsetzer 620, 625 und 630 wird
durch die VPP-Versorgung versorgt. Die nicht invertierenden Ausgänge geben eine
Spannung aus, die ungefähr
gleich VPP ist, wenn das Eingangssteuersignal ein logisch hohes
ist und die invertierenden Ausgänge
geben die gleiche Spannung aus, wenn das Ausgangssteuersignal ein logisch
niedriges ist.
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Die
Widerstände
R1 und R2 stellen die Bezugsspannung Vref an
dem Knoten 506 bereit, wenn das SAMPLEB-Signal aktiv niedrig
ist. Wie zuvor beschrieben, ist der Widerstand R1 vorzugsweise gleich
dem Widerstand R2, so daß Vref gleich einhalb VPP ist. Der Widerstand
R2 ist so zwischen dem Knoten 506 und der Systemmasse VSS
gekoppelt, daß der
Drain des Schalters FET N1 auf Systemmasse gezogen wird, wenn die
SAMPLEB- und PRECHGB-Signale
inaktiv hoch sind. Dies isoliert den Kondensator C1 wirksam von
jeglichem Rauschen von der VPP-Versorgung, welches anderenfalls
mit dem Kondensator über
die Eingangsschaltung 505 und den Schalter 510 gekoppelt
wäre.
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Die
P-Kanal-FETs TP3 und TP4 werden als eine Vorladeschaltung für ein schnelles
Vorladen des Kondensators C1 bereitgestellt, wenn der Schalter 510 geschlossen
ist. Die Vorladeschaltung wird als Antwort auf das PRECHGB-Signal
freigegeben und deaktiviert, welches einen Pfad zwischen der Spannungsversorgung
VPP und der Systemmasse VSS erzeugt, indem die FETs TP2 und TN2
eingeschaltet werden, und welches den Weg entfernt, indem die FETs
TP2 und TN2 ausgeschaltet werden. Die Substrate der FETs TP3 und
TP4 sind beide mit deren Sources verbunden und deren Drains sind
mit deren Gates gekoppelt. Der von der Vorladeschaltung erzeugte
Strom ist größer als
der von den Widerständen
R1 und R2 bereitgestellte, und der Kondensator wird schnell vorgeladen,
was die Gesamtzeit zum Laden des Kondensators C1 vermindert.
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7 ist
ein Zeitdiagramm, welches den Betrieb der Eingangsschaltung 505 als
Antwort auf die Steuersignale zeigt. Anfänglich ist der Schalter 510 ausgeschaltet
und die Abtast- und
Halteschaltung ist in einem Aus-Zustand. Zur Zeit t1 wird der Schalter 510 geschlossen,
wenn das SAMPLEN-Signal aktiv hoch wird. Gleichzeitig werden sowohl
das PRECHGB- als auch das SAMBLEB-Signal aktiv niedrig gesetzt,
um die Ladegeschwindigkeit für
den Kondensator C1 zu erhöhen.
Dieser Zeitraum des Vorladens wird als der Vorladezustand der Abtast- und
Halteschaltung 501 bezeichnet. Zur Zeit t2 wird das PRECHGB-Signal
inaktiv hoch, was den Vorladezustand beendet und den Ladezustand
für die
Abtast- und Halteschaltung 501 beginnt. Der Kondensator
wird während
des Ladezustands vollständig
auf die Bezugsspannung Vref geladen. Der
Vorlade- und Ladezustand definieren zusammen den Abtastzustand für die Abtast-
und Haltespannung 501, in welcher die Eingangsspannung
Vin abgetastet wird. Zur Zeit t3 werden
alle drei Steuersignale inaktiv und der Schalter 510 wird
geöffnet,
was bewirkt, daß die
Abtast- und Halteschaltung 501 in
einen Haltezustand eintritt, in welchem der Kondensator die Bezugsspannung
Vref hält.
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8 zeigt
einen Operationsverstärker
gemäß einem
Ausführungsbeispiel.
Der Operationsverstärker 520 umfaßt ein Differentialeingangspaar
von p-Kanal-FETs TP11 und TP12. Das Gate von TP12 ist mit der Spannung
V+ an dem positiven Anschluß verbunden
und das Gate von TP11 ist mit der Spannung V– an
dem negativen Anschluß verbunden.
Wie es in 5 gezeigt ist, ist der positive
Anschluß von Operationsverstärker 520 mit
dem Kondensator C1 gekoppelt und die Spannung V+ ist
die Bezugsspannung Vref. Die Spannung V– ist
die Spannung von der programmierbaren Ohmschen Teilerschaltung 530. Der
p-Kanal-FET TP10 (und) wirkt als eine Stromquelle für das Differentialpaar,
wenn der Operationsverstärker 520 freigegeben
ist. Ein komplementäres Paar
von Freigabesignalen OPAMPEN und OPAMPENB werden von der Steuer-Engine 60 oder
einer anderen Steuerschaltung zum Freigeben und Deaktivieren des
Operationsverstärkers 520 bereitgestellt. Wenn
der Operationsverstärker 520 deaktiviert
ist, ist der Ausgabeknoten 803 in einem Tri-State- Zustand, so daß die programmierbare
Ohmsche Teilerschaltung 530 mit anderen Spannungseingängen verwendet
werden kann.
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Die
p-Kanal-FETs TP13 und TP14 sind Kaskodeneinrichtungen, die die Spannung
an den Knoten 801 bzw. 802 begrenzen. Ein Begrenzen
der Spannung an dem Knoten 803 begrenzt die Drain-Zu-Source-Spannung
von FET TP12, so daß das
Erzeugen von heißen
Elektronen über
das Gate von FET TP12 vermieden wird. Heiße Elektronen erhöhen die
Geschwindigkeit, mit welcher der Kondensator C1 effektiv entlädt, und
derartige Effekte sollten vermieden werden, um besser sicherzustellen,
daß der
Kondensator C1 die Bezugsspannung Vref für die gewünschte Zeitdauer
bereitstellt.
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Die
p-Kanal-FETs TP16–TP19
wirken als eine Spannungsteilerschaltung zum Bereitstellen einer
Vorspannung für
die Gates der Kaskoden-FETs TP13 und TP14. Die Spannung an dem Knoten 803 ist
ungefähr
gleich einviertel von VPP. Die FETs TP16–TP19 können entsprechend durch Widerstände ersetzt
werden. Der FET TP15 entkoppelt VPP von den FETs TP16–TP19, wenn
der Operationsverstärker 520 deaktiviert
ist.
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Die
Endstufe des Operationsverstärkers 520 umfaßt einen
Kondensator C10 und n-Kanal-FETs TN16, TN17 und TP23. Der FET TN16
ist ein Bauelement mit einer geringen Schwellenspannung und dicker
Oxidschicht, das den FET TN17 von den hohen Spannungen an dem Ausgangsknoten 804 isoliert.
Der FET TP23 wirkt als Spannungsquelle für die Endstufe, wenn der Operationsverstärker 520 eingeschaltet
ist.
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Eine
Freigabeschaltung für
den Operationsverstärker 520 umfaßt n-Kanal-FETs
TN13–TN15 und
p-Kanal-FETs TP20–TP22.
Der Operationsverstärker 520 ist
eingeschaltet, wenn das OPAMPEN-Signal
logisch hoch und das OPAMPENB-Signal logisch niedrig ist. Der Operationsverstärker 520 ist
ausgeschaltet, wenn das OPAMPEN-Signal logisch niedrig und das OPAMBENB-Signal
logisch hoch ist. Ein Ausschalten des Operationsverstärkers bewirkt,
daß die
FETs TP10, TN11 und TN12 ausgeschaltet werden, so daß dem Differentialpaar
TP11 und TP12 kein Strom bereitgestellt wird. Ferner werden die
FETs TN13 und TN14 eingeschaltet, was die FETs TN16 und TN17 ausschaltet,
wodurch der Ausgangsknoten 804 von Systemmasse VSS isoliert wird.
Schließlich
wird der FET TP20 eingeschaltet, was bewirkt, daß das Gate von FET TP23 gegen VPP
gezogen wird. Der FET TP23 wird daraufhin ausgeschaltet, was den
Ausgabeknoten 804 von VPP isoliert. Der Ausgabeknoten 804 schwebt (floats)
daher, wenn der Operationsverstärker 520 ausgeschaltet
wird.
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In
der vorangehenden Beschreibung wurde die Erfindung unter Bezugnahme
auf spezifische exemplarische Ausführungsbeispiele beschrieben.
Die Beschreibung und Zeichnungen sollen dementsprechend eher im
veranschaulichendem als im beschränkendem Sinne betrachtet werden.