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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Ladungspumpen-Spannungserhöhungsvorrichtung
mit Erhöhung
und Rückgewinnung
der Ladung.
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Wie
bekannt ist, verwenden nicht-flüchtige Speichervorrichtungen
mit einer einzigen Spannungsversorgung sowohl negative als auch
positive Spannungserhöhungsvorrichtungen.
Die letzteren besitzen die Funktion des Erzeugens einer Spannungserhöhung, die
einen Wert besitzt, der größer als
die Versorgungsspannung ist. Die Erhöhungsspannung wird verwendet,
um Vorgänge
des Programmierens, des Lesens und des Löschens von Speichervorrichtungen
durchzuführen.
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Der
allgemeine Aufbau einer Spannungserhöhungsvorrichtung wird beispielsweise
in dem US-Patent US-A-5.420.505 offenbart.
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Im
Allgemeinen weisen diese Spannungserhöhungsvorrichtungen das Problem
des hohen Stromverbrauchs auf und dass sie einen wesentlichen Bereich
der Oberfläche
benutzen beziehungsweise in Anspruch nehmen, insbesondere dann, wenn
die Speichervorrichtungen, in denen sie eingesetzt sind, in Anwendungen
verwendet werden, die einen reduzierten Stromverbrauch erfordern,
wie es beispielsweise in tragbaren Anwendungen (Digitalkameras,
MP3-Lesegeräte,
Zellulartelefonvorrichtungen, Smart Cards) oder in Konsumelektronikanwendungen
der Fall ist.
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Es
sind Spannungserhöhungsvorrichtungen bekannt,
die in Anwendungen mit geringem Stromverbrauch verwendet werden,
und die auf dem Pegel der Phasensignale arbeiten, die durch die
in ihnen integrierten Phasenerzeugungsstufen erzeugt werden. Diese
bekannten Spannungserhöhungsvorrichtungen
sparen insbesondere Energie ein und laden die in den Spannungserhöhungsvorrichtungen
integrierten Kondensatoren (Spannungserhöhungs-Kondensatoren) in zwei
aufeinanderfolgenden Schritten auf, wobei in jedem dieser Schritte
die internen Kondensatoren auf eine Spannung geladen werden, die
der Hälfte
der Versorgungsspannung entspricht. Um die benötigte Energie weiter zu reduzieren,
wird ein Verfahren angewendet, bei dem die Ladung zwischen zwei
parallelen Stufen aufgeteilt wird, die auf Gegentakt-Basis gesteuert
werden.
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Diese
bekannten Spannungserhöhungsvorrichtungen
könnten
verbessert werden.
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Das
technische Problem, auf dem die vorliegende Erfindung basiert, besteht
darin, eine Spannungserhöhungsvorrichtung
bereitzustellen, die das Einsparen von Energie ermöglicht.
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Das
technische Problem wird durch eine Spannungserhöhungsvorrichtung, wie in Anspruch
1 definiert, gelöst.
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Die
Leistungsmerkmale und Vorteile der Spannungserhöhungsvorrichtung entsprechend
der Erfindung werden anhand der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels,
das als nicht-begrenzendes Beispiel angeführt wird, in Bezug auf die beigefügten Zeichnungen
offensichtlich. In den Zeichnungen zeigt:
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1 ein
Schaltkreisdiagramm einer Spannungserhöhungsvorrichtung entsprechend
der Erfindung;
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2 zeigt
die Entwicklung der elektrischen Werte, die an der in 1 dargestellten
Spannungserhöhungsvorrichtung
gemessen wurden; und
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3 zeigt
das Schaltkreisdiagramm der in 1 dargestellten
Spannungserhöhungsvorrichtung
in einer anderen Arbeitsbedingung.
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1 zeigt
eine Spannungserhöhungsvorrichtung 1,
die in einem Speicher 100 des Flash-EEPROM-[elektrisch
löschbarer
programmierbarer Lesespeicher]Typs eingesetzt ist und einen Ladungspumpenschaltkreis 2,
eine Phasenerzeugungseinrichtung 3 und einen Level-Shifter 4 umfasst.
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Im
Detail besitzt der Ladungspumpenschaltkreis 2 einen Eingang 30.0,
an dem eine Eingangsspannung VIN anliegt
und einen Ausgang 30.N, an dem eine Ausgangsspannung VOUT anliegt. Der Eingang 30.0 des
Ladungspumpenschaltkreis 2 ist selektiv an eine Spannungsversorgungsleitung 7 angeschlossen,
die mit Hilfe eines Selektors 8, der durch ein Steuerungssignal
K gesteuert wird, auf eine Versorgungsspannung VDD (bei spielsweise
1,8 V bis 3,3 V) eingestellt ist oder geerdet ist. Der Ladungspumpenschaltkreis 2 besteht
aus einer Vielzahl von N Spannungserhöhungsstufen 10, die
kaskadenartig zwischen dem Eingang 30.0 und dem Ausgang 30.N des
Ladungspumpenschaltkreises 2 angeordnet sind und jede zwei
von vier durch die Phasenerzeugungsstufe 3 zugeführten Phasensignale
A, B, C und D empfängt;
im Detail bedeutet dies, dass die ungeraden Spannungserhöhungsstufen 10 die
Phasensignale A, B empfangen und dass die geraden Spannungserhöhungsstufen 10 die
Phasensignale C, D empfangen.
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Die
Phasenerzeugungsstufe 3 ist ein logischer Schaltkreis eines
allgemein bekannten Typs mit vier Ausgängen, die die Phasensignale
A, B, C, D bereitstellen. Die Phasensignale A, B, C, D sind Logiksignale,
die zwischen VDD und 0 V schalten.
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Der
Level-Shifter 4, der ein bekannter Typ ist und nicht ausführlich dargestellt
ist, ist zwischen dem Ausgang 30.N des Ladungspumpenschaltkreises 2 und
Erdung angeschlossen und besitzt einen Signalausgang, der das Logiksignal
CK empfängt
und einen Ausgang, der ein Hochspannungssignal REV bereitstellt.
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Der
Ausgang 30.N des Ladungspumpenschaltkreises 2 ist
mit Hilfe einer Schaltung 11, die durch das Hochspannungssignal
REV gesteuert wird, an einen Ladungsknoten 50 angeschlossen. Der
Ladungsknoten 50 ist wiederum mit Hilfe eines Leitungsdecodierers 51 an
eine ausgewählte
Wortleitung 52 einer Speicherzellengruppe 53 angeschlossen.
Ein Ladekondensator 12, der eine Kapazitanz CQ besitzt,
hat einen ersten Anschluss, der an den Ladungsknoten 50 angeschlossen
ist und einen zweiten Anschluss, der an die Erdung angeschlossen
ist. Der Ladekondensator 12 repräsentiert insbesondere die effektive
kapazitive Ladung der ausgewählten
Wortleitung 52. Zwischen dem Ausgang 30.N des
Ladungspumpenschaltkreises 2 und der Erdung ist außerdem ein
Filterkondensator 13 angeordnet, der eine Kapazitanz Cf besitzt. Insbesondere hat die Kapazitanz
Cf einen hohen Wert, der typischerweise
zwei oder drei Größenordnungen
größer als die
Kapazitanz CQ ist.
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1 zeigt
im Detail zwei Spannungserhöhungsstufen
des Ladungspumpenschaltkreises 2, die jeweils als 10.j und 10.j
+ 1 dargestellt sind, die im Aufbau einander entsprechen aber
unterschiedliche Phasensignale empfangen, wie dies bereits erwähnt wurde.
Der Einfachheit halber wird nur eine Spannungserhöhungsvorrichtung 10.j beschrieben, deren
Komponenten durch eine Referenznummer und durch den Buchstaben angegeben
sind; wobei die Spannungserhöhungsstufe 10.j
+ 1 identische Komponenten aufweist, die durch die gleichen
Referenznummern und durch j + 1 hinter dem Punkt dargestellt sind.
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Im
Detail umfasst die Spannungserhöhungsstufe 10.j einen
Speicherkondensator 14.j, der eine Kapazitanz CJ mit einem Wert besitzt, der der Hälfte des
Wertes der Kapazitanz Co entspricht; einen Übertragungskondensator 15.j des
N-Kanal-MOS-Typs; einen Spannungserhöhungskondensator 16.j,
der eine Kapazitanz C1j mit einem Wert besitzt,
der höher
(wenigstens eine Größenordnung
höher)
als die Kapazitanz Cj ist; und einen Vorladetransistor 20.j,
der ebenfalls einem N-Kanal-MOS-Typ entspricht.
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Der
Ladekondensator 14.j besitzt einen ersten Anschluss, der
an einen Übertragungsknoten 30.j angeschlossen
ist, und einen zweiten Anschluss, der das Phasensignal D empfängt. Der Übertragungstransistor 15.j ist
zwischen dem Übertragungsknoten 30.j der
Spannungserhöhungsstufe 10.j und
einem Übertragungsknoten 30.j – 1 der
Spannungserhöhungsstufe 10.j – 1 angeschlossen,
der an die linke Seite der Spannungserhöhungsstufe 10.j angeschlossen
ist und einen Gate-Anschluss besitzt, der an einen Vorladeknoten 25j angeschlossen
ist. Darüber
hinaus wird der Transistor 15.j in Dreischichtform hergestellt
und besitzt einen Substratanschluss Bj, der
angemessen polarisiert ist, mit dem Ziel, den Substratvorspannungseffekt
zu reduzieren. Der Spannungserhöhungskondensator 16.j besitzt
einen ersten Anschluss, der an den Vorladeknoten 25.j angeschlossen
ist und einen zweiten Anschluss, der das Phasensignal C empfängt. Der
Vorladetransistor 20.j ist zwischen dem Übertragungsknoten 30.j – 1 der
Spannungserhöhungsstufe 10.j – 1 und
dem Vorladeknoten 25.j angeschlossen und besitzt einen Gate-Anschluss,
der an den Ausgang des Unrichters 21.j angeschlossen ist;
wobei der letztere wiederum einen Signaleingang, der das Hochspannungssignal REV
empfängt
und einen Versorgungseingang besitzt, der an den Übertragungsknoten 30.j der
Spannungserhöhungsstufe 10.j angeschlossen
ist. Zwischen dem Vorladekoten 25.j und dem Erdungsanschluss
ist ein Entladungsnetz angeschlossen, das einem bekannten Typ entspricht
und in der ausführlichen
Darstellung weggelassen ist.
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Wie
bereits erwähnt
wurde, weist die Spannungserhöhungsstufe 10.j
+ 1 den gleichen Aufbau auf und unterschiedet sich von der
Spannungserhöhungsstufe 10.j nur
in der Hinsicht, dass der Speicherkondensator 14.j + 1 das
Phasensignal B empfängt
und der Spannungserhöhungskondensator 16.j +
1 das Phasensignal A empfängt.
In ähnlicher
Art und Weise empfängt
die Spannungserhöhungsstufe 10.j – 1 (von
dem lediglich der Speicherkondensator 14.j – 1 dargestellt ist) die
Phasensignale A und B.
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Darüber hinaus
umfasst die Spannungserhöhungsvorrichtung 1 auch
eine Vielzahl von Übertragungsschaltungen 40.0,
..., 40.j, ..., 40.N, von denen jede zwischen
dem Ladungsknoten 50 und einem entsprechenden Übertragungsknoten 30.1,
..., 30.j, ..., 30.N – 1 ebenso wie zwischen
dem Ladungsknoten 50 und dem Eingang 30.0 und
zwischen dem Ladungsknoten 50 und dem Ausgang 30.0 des
Ladungspumpenschaltkreises 2 angeordnet ist. Jede Übertragungsschaltung 40.0,
..., 40.j, ..., 40.N wird mit Hilfe eines Transistors
des NMOS-Typs gebildet und
durch ein entsprechendes Schließungssignal
So, ..., Sj, ...,
SN gesteuert. Die Schließungssignale So,
..., Sj, ..., SN werden
durch eine Steuerungseinheit 60 so gesteuert, dass das
Schließen
von lediglich einer der Übertragungsschaltungen 40.0,
..., 40.j, ..., 40.N pro Mal gesteuert wird und
alle anderen im geöffneten Zustand
gehalten werden.
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Die
Spannungserhöhungsvorrichtung 1 funktioniert
in der folgenden Art und Weise.
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Während der
Phase des Ladens der ausgewählten
Wortleitung 52 wird der Ladungspumpenschaltkreis 2 eingeschaltet,
und das Hochspannungssignal REV befindet sich auf einem niedrigen Pegel.
Demzufolge ist die Schaltung 11 geschlossen, und die Ausgangsspannung
VOUT liegt an den Enden des Ladekondensators 12 an.
Darüber
hinaus ist ein leitender Weg zwischen dem Knoten 30.j und
dem Gate-Anschluss des Vorladetransistoren 20.j vorhanden,
der nun eingeschaltet wird. Die Übertragungsschaltungen 40.0,
..., 40.j, ..., 40.N befinden sich in geöffnetem
Zustand, wodurch die Übertragungsknoten 30.1,
..., 30.j, ..., 30.N – 1, der Eingang 30.0 und der
Ausgang 30.N von dem Ladungsknoten 50 isoliert
werden.
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In
Bezug auf 2 wird anfänglich der Moment to berücksichtigt,
nachdem das Phasensignal A von hoch auf niedrig geschaltet wurde,
das Signal B von niedrig auf hoch geschalten wurde und sich die Signale
C und D auf jeweils niedrigem beziehungsweise hohem Pegel befinden.
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Unter
dieser Bedingung besitzen die Übertragungsknoten 30.j – 1 und 30.j eine
hohe Spannung (bei einem Wert, der von der Anzahl der Spannungserhöhungsstufen 10 abhängt, die
den dargestellten Spannungserhöhungsstufen 10 vorgeschaltet
sind), und der Vorladeknoten 25.j wird, wie im Folgenden
noch beschrieben wird, entladen; demzufolge wird der Vorladetransistor 20.j der
Spannungserhöhungsstufe 10.j eingeschaltet
und ermöglicht
das Vorladen des Vorladeknotens 25.j (und auf diese Art und
Weise des Spannungserhöhungskondensators 16.j)
auf die Spannung, die an dem Übertragungsknoten 30.j – 1 der
Spannungserhöhungsstufe 10.j – 1 anliegt.
Außerdem
wird der Übertragungstransistor 15.j ausgeschaltet.
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Sobald
die Phasensignale C und D auf die hohen beziehungsweise auf die
niedrigen Pegel geschaltet werden (Moment t1),
wird der Vorladetransistor 20.j ausgeschaltet und ermöglicht,
dass der Vorladeknoten 25.j einen hohen Spannungswert annimmt,
der der Summe der vorher erreichten Spannung plus der Spannung entspricht,
die dem hohen Logikwert des Phasensignals C entspricht (Versorgungsspannung
VDD.) Demzufolge wird der Übertragungstransistor 15.j eingeschaltet
und ermöglicht
die Übertragung
eines Ladungspaketes von dem Übertragungsknoten 30.j – 1 der
Spannungserhöhungsstufe 10.j – 1 zu
dem Übertragungsknoten 30.j der Spannungserhöhungsstufe 10.j.
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Zu
dem Moment t2 werden die Phasensignale C
und D noch einmal auf den niedrigen beziehungsweise auf den hohen
Pegel geschaltet, und die Spannung des Übertragungsknotens 30.j wird
erhöht,
wobei die Spannung des Vorladeknotens 25.j abnimmt; demzufolge
wird der Vorladetransistor 20.j noch einmal eingeschaltet
und ermöglicht
die Entladung des Gate-Anschlusses des Übertragungstransistors 15.j in
Richtung des Übertragungsknotens 30.j – 1 der
Spannungserhöhungsstufe 10.j – 1 sowie das
Ausschalten des Übertragungstransistors 15.j selbst.
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In
dieser Stufe wird der Vorladetransistor 20.j + 1 der Spannungserhöhungsstufe 10.j
+ 1 ebenfalls eingeschaltet und ermöglicht das Vorladen des Knotens 25.j
+ 1 (und demzufolge des Spannungserhöhungskondensators 16.j
+ 1), was in ähnlicher
Art und Weise durchgeführt
wird, wie für
die Spannungserhöhungsstufe 10.j der
Phase zwischen den Momenten t0 und t1 beschrieben wurde.
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Zu
dem Moment t3 werden die Phasensignale A
und B auf den hohen Pegel beziehungsweise auf den niedrigen Pegel
geschaltet. Der Vorladetransistor 20.j wird eingeschaltet
und hält
den Vorlade-Zustand des Vorladeknotens 25.j aufrecht; der Übertragungstransistor 15.j verbleibt
weiterhin im ausgeschalteten Zustand. Gleichzeitig wird der Übertragungstransistor 15.j
+ 1 eingeschaltet und ermöglicht das Übertragen
eines Ladungspaketes von dem Speicherkondensator 14.j der
Spannungserhöhungsstufe 10.j zu
dem Ladungsspeicherkondensator 14.j + 1 der Spannungserhöhungsstufe 10.j
+ 1.
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Durch
diese Funktionsweise wird eine allmähliche Übertragung der Ladungen von
dem Eingang 30.0 zu dem Ausgang 30.0 des Ladungspumpenschaltkreises 2 ermöglicht (1).
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Bei
Beendigung der Ladephase der ausgewählten Wortleitung 52 entspricht
die Ausgangsspannung VOUT, die an den Enden
des Ladekondensators 12 angelegt ist, (N + 1)·VDD; darüber
hinaus liegt an den Enden eines jeden Speicherkondensators 14.0, ..., 14.j,
..., 14.N eine Zwischenspannung VO,
..., Vj, ..., VN an,
die einen Wert zwischen der Versorgungsspannung VDD und
der Ausgangsspannung VOUT entspricht; insbesondere
ist VDD < VO, ..., < Vj ..., < VN < VOUT.
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Unter
dieser Bedingung ist es möglich,
die erforderlichen Operationen (beispielsweise Lesen, Schreiben
oder Löschen)
an den Speicherzellen (nicht dargestellt) durchzuführen, die
an die ausgewählte
Wortleitung 52 angeschlossen sind. Bei Beendigung ist es
erforderlich, die ausgewählte
Wortleitung 52 zu entladen; entsprechend einem Aspekt der Erfindung
wird dies durch Überfragen
der gespeicherten Ladung von dem Ladekondensator 12 in Richtung
der Speicherkondensatoren 14.0, ..., 14.j, ..., 14.N,
die als Ladungsspeicherkondensatoren verwendet werden, durchgeführt.
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Um
als wahre Ladungsspeicherkondensatoren arbeiten zu können, müssen die
Speicherkondensatoren 14.0, ..., 14.j, ..., 14.N elektrisch
voneinander isoliert werden. Zu diesem Zweck wird der Ladungspumpenschaltkreis 2 ausgeschaltet,
und die Phasenerzeugungsphase 3 wird durch die Steuerungseinheit 60 deaktiviert.
Der Ladungspumpenschaltkreis 2 wird in der folgenden Art
und Weise ausgeschaltet: der Level-Shifter 4 erzeugt das
Hochspannungssignal REV auf einem hohen Pegel, wodurch der Anlass
zum Ausschalten der Vorladetransistoren 20.0, ..., 20.j,
..., 20.N gegeben wird, wobei die Übertragungstransistoren 15.0,
..., 15.j, ..., 15.N ausgeschaltet werden, indem
ihre Gate-Anschlüsse über die
Entladungsschaltung 45 zur Erdung entladen werden. Darüber hinaus
gibt das Hoch-Pegelsignal
REV Anlass zum Öffnen
der Schaltung 11, was ein Trennen des Filterkondensators 13 von
dem Ladekondensator 12 nach sich zieht.
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Die
Ladungsübertragungsphase
besteht aus N Ladungsverteilungsphasen zwischen dem Ladekondensator 12 und
den Speicherkondensatoren 14.0, ..., 14.j, ..., 14.N.
Diese N Ladungsverteilungsphasen überlappen sich zeitlich nicht
und werden der Reihenfolge nach so lange von dem Speicherkondensator 14.N durchgeführt, bis
der Speicherkondensator 14.0 erreicht wird.
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In
Bezug auf 3 umfasst eine jede Ladungsverteilungsphase
das Schließen
von lediglich einer der Übertragungsschaltungen 40.0,
..., 40.j, ..., 40.N, beginnend mit der Übertragungsschaltung 40.N,
und alle anderen werden im geöffneten
Zustand gehalten. Durch die se Funktionsweise ist lediglich einer
der Speicherkondensatoren 14.0, ..., 14.j, ..., 14.N,
beginnend mit dem Speicherkondensator 14.N direkt an den
Ladekondensator 12 angeschlossen.
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Noch
ausführlicher
beschrieben, ist zu Beginn der Ladungsübertragungsphase eine erste
Ladungsverteilungsphase vorhanden, in der die Übertragungsschaltung 40.N geschlossen
ist, was durch das Schließungssignal
SN gesteuert wird, und der Speicherkondensator 14.N ist
direkt an den Ladekondensator 12 angeschlossen. Dadurch
wird eine Übertragung
der Ladung von dem Ladekondensator 12 zu dem Speicherkondensator 14.N ermöglicht,
was ein darauffolgendes Ansteigen beziehungsweise Abfallen der Ausgangsspannung
VOUT und der Zwischenspannung VN nach
sich zieht. Die Übertragung
der Ladung zwischen den beiden Kondensatoren 12 und 14.N hält so lange
an, bis ein Gleichgewicht zwischen den zwei angelegten Spannungen
erreicht ist. Zu diesem Zeitpunkt endet diese erste Ladungsverteilungsphase,
und die Übertragungsschaltung 40.N wird
geöffnet,
wodurch der Speicherkondensator 14.N von dem Ladekondensator 12 isoliert
wird.
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Die
beschriebene Vorgehensweise wird für alle der N Ladungsverteilungsphasen
durchgeführt, und
für jede
der Ladungsverteilungsphasen nimmt die die Spannung, die an den
Enden des Kondensators angelegt ist, ab, wobei sich die Zwischenspannung,
die an den Enden des ausgewählten
Speicherkondensators 14.0, ..., 14.j, ..., 14.N.
angelegt ist, erhöht.
Demzufolge ist bei Beendigung der Ladungsübertragungsphase ein erster
Wert V1OUT der Ausgangsspannung VOUT an dem Ladekondensator 12 angelegt,
der niedriger als die Werte der Zwischenspannungen V10,
..., V1j, ..., V1N ist,
die an den Enden des Speicherkondensators 14.0, ..., 14.j,
..., 14.N. angelegt sind; insbesondere ist V1OUT ≤ V10, ..., ≤ V1j, ..., ≤ V1N. Die Spannung V1OUT kann
unverändert
beibehalten werden, oder sie kann weiter reduziert werden, indem
der Ladekondensator 12 über
ein entsprechendes Entladungsnetz zur Erdung entladen wird, was
durch ein durch die Steuerungseinheit 60 erzeugtes Entladungssignal
P gesteuert wird.
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Anhand
der vorangehenden Beschreibung wird offensichtlich, dass die Energie,
die durch den Ladungspumpenschaltkreis 2 während der
Phase des Ladens der ausgewählten
Wortleitung 52 erzeugt wird, fast vollständig in
die Speicherkondensatoren 14.0, ..., 14.j, ..., 14.N übertragen
wird. Es kann jedoch nicht die gesamte durch den Ladungspumpenschaltkreis 2 erzeugte
Energie in die Speicherkondensatoren 14.0, ..., 14.j,
..., 14.N übertragen
werden, da eine jede Ladungsverteilungsphase mit einen unvermeidbaren
Verlust von Energie einhergeht.
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Nach
Beendigung der Entladungsphase der ausgewählten Wortleitung 25,
findet mit Hilfe des Leitungsdecodierers 51 eine Auswahl
einer neuen Wortleitung 26 statt, deren Ladungsphase teilweise über eine
Ladungsrückgewinnungsphase
von den Speicherkondensatoren 14.0, ..., 14.j,
..., 14.N zu dem Ladekondensator 12 durchgeführt wird.
Genauer gesagt, besteht die Ladungsrückgewinnungsphase aus N Phasen
der Umverteilung von Ladung zwischen den Speicherkondensatoren 14.0,
..., 14.j, ..., 14.N und dem Ladenkondensator 12.
Diese N Ladungsumverteilungsphasen überlappen sich zeitlich nicht gegenseitig
und werden der Reihenfolge nach so lange von dem Speicherkondensator 14.0 aus
durchgeführt,
bis der Speicherkondensator 14.N erreicht wird.
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Unter
erneuter Bezugnahme auf 3 umfasst eine jede Ladungsumverteilungsphase
das Schließen
einer einzelnen der Übertragungsschaltungen 40.0,
..., 40.j, ..., 40.N, ausgehend von der Übertragungsschaltung 14.0,
und alle anderen werden in ihrem geöffneten Zustand gehalten. Durch
diese Vorgehensweise ist ein einzelner der Speicherkondensatoren 14.0,
..., 14.j, ..., 14.N, beginnend mit dem Speicherkondensator 14.0,
direkt an den Ladekondensator 12 angeschlossen. Noch ausführlicher beschrieben,
ist zu Beginn der Ladungsrückgewinnungsphase
eine erste Ladungsumverteilungsphase vorhanden, in der die Übertragungsschaltung 40.0 geschlossen
ist, was durch das Schließungssignal
SO gesteuert wird, und der Speicherkondensator 14.0 ist direkt
an den Ladekondensator 12 angeschlossen. Das ermöglicht die Übertragung
der Ladung von dem Speicherkondensator 14.0 zu dem Ladekondensator 12,
was ein Erhöhen
beziehungsweise ein Abnehmen der Zwischenspannung V10 und der Ausgangsspannung
V1OUT, die an den Enden des Ladekondensators 12 angelegt
sind, bei Beendigung der Entladungsphase der ausgewählten Wortleitung 52 nach sich
zieht. Die Übertragung
der Ladung zwischen den zwei Kondensatoren 14.0 und 12 hält so lange
an, bis ein Gleichgewicht zwischen den angelegten Spannungen erreicht
ist. Zu diesem Zeitpunkt endet die Ladungsumverteilungsphase, und
die Übertragungsschaltung 40 wird
geöffnet,
wodurch der Speicherkondensator 14 von dem Ladekondensator 12 isoliert wird.
Die beschriebene Vorgehensweise wird für alle N Ladungsumverteilungsphasen
durchgeführt;
genauer gesagt, erhöht
sich in jeder Ladungsverteilungsphase die Spannung, die an den Enden
des Kondensators 12 angelegt ist, wobei die Zwischenspannung,
die an den Enden des ausgewählten
Speicherkondensators 14.0, ..., 14.j, ..., 14.N angelegt
ist, abnimmt. Demzufolge ist bei Beendigung der Ladungsübertragungsphase
ein zweiter Wert V2OUT der Ausgangsspannung
VOUT an dem Ladekondensator 12 vorhanden,
der höher
als die Zwischenspannungen V2O, ..., V2j, ..., V2N sind,
die an den Enden des Speicherkondensators 14.0, ..., 14.j,
..., 14.N vorhanden sind; genau gesagt ist, V2O ≤ ..., ≤ V2j, ..., ≤ V2N ≤ V2OUT. Da eine jede Ladungsumverteilungsphase
mit einem Verlust von Energie einhergeht, ist der Wert der Spannung
V2OUT kleiner als der Wert der Ausgangsspannung
VOUT; genau gesagt, befindet sich der Wert
der Spannung V2OUT zwischen dem Wert der Ausgangsspannung
VOUT und dem Wert der Versorgungsspannung
VDD. Demzufolge muss der Ladungspumpenschaltkreis 2 erneut
eingeschaltet werden, um in der Lage zu sein, die Ladung der Wortleitung 56,
die aktuell ausgewählt
ist, abzuschließen. Dennoch
kommt es, verglichen mit den bekannten Spannungserhöhungsvorrichtungen,
zu einer wesentlichen Rückgewinnung
der Ladung, und demzufolge wird ein wesentliches Einsparen von durch
den Ladungspumpenschaltkreis 2 erzeugter Energie erreicht.
Tatsächlich
entspricht die Spannung V2OUT nicht 0 V,
wie es der Fall bei den bekannten Spannungserhöhungsvorrichtungen ist, sondern
sie besitzt einen hohen Wert, nahe der Ausgangsspannung VOUT.
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Der
Filterkondensator 13, an dem immer noch eine Spannung VF angelegt ist, die der Ausgangsspannung
VOUT entspricht, kann erneut mit Hilfe der
Schaltung 11 oder bei Beendigung der Ladungsrückgewinnungsphase
an den Ladekondensator 12 angeschlossen werden. In beiden
Fällen
ist jedoch eine weitere Ladungsumverteilungsphase so zwischen dem
Filterkondensator 13 und dem Ladekondensator 12 eingebettet,
dass der Ladekondensator 12 besser entladen/geladen werden
kann, je nach dem, ob der Filterkondensator 13 erneut an
den Ladekondensator 12 am Ende der Ladungsübertragungsphase
oder am Ende der Ladungsrückgewinnungsphase
angeschlossen wird.
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Die
Vorteile, die mit Hilfe der beschriebenen Spannungserhöhungsvorrichtung 1 erzielt
werden, sind die folgenden. Zunächst
ermöglicht,
wie dies vorangehend beschrieben wurde, die Verwendung der Spannungserhöhungsvorrichtung 1 eine
wesentliche Rückgewinnung
der durch den Ladungspumpenschaltkreis 2 erzeugten Energie
und demzufolge ein wesentliches Energieeinsparen (bis zu ungefähr 30 bis
40% verglichen mit den bekannten Spannungserhöhungsvorrichtungen). Dieses
Energieeinsparen erhöht
sich mit zunehmender Anzahl N der Erhöhungsstufen 10, die
innerhalb des Ladungspumpenschaltkreises 2 vorhanden sind.
Tatsächlich
wird, wenn N sich erhöht,
die Differenz zwischen den Spannungswerten, die in zwei aufeinanderfolgenden
Phasen nach der Ladungsumverteilung vorhanden ist, kleiner, und
demzufolge nimmt die Energie, die während jeder Ladungsumverteilungsphase
verbraucht wird, ab.
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Darüber hinaus
weist die Spannungserhöhungsvorrichtung 1 hohe
Leistungslevels hinsichtlich der Ladungsrückgewinnung auf, wenn die Versorgungsspannung
VDD abnimmt (was mit dem aktuellen Trend
des Verwendens von zunehmend geringen Versorgungsspannungen vereinbar
ist), da für
die gleiche benötigte
Ausgangspannung VOUT, die Anzahl N von Spannungserhöhungsstufen 10 erhöht werden
muss, und demzufolge nimmt, wie bereits erläutert wurde, die Energie, die
während
jeder Ladungsumverteilungsphase verbraucht wird, ab.
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Darüber hinaus
erfordert die Spannungserhöhungsvorrichtung 1 nur
eine begrenzte Zunahme des Oberflächenbereichs, der verschwindend
gering im Vergleich zu seinem Gesamtoberflächenbereich ist. Des Weiteren
ermöglicht,
wie voranstehend beschrieben wurde, die Verwendung der Spannungserhöhungsvorrichtung 1 das
Ansteigen der Leistung hinsichtlich des Energieverbrauchs der Speichervorrichtung 100,
in der sie eingesetzt ist, wobei sowohl die Speicherzellengruppe 53 als
auch der Leitungsdecodierer 51 unverändert belassen werden.
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Schließlich ist
es offensichtlich, dass eine Vielzahl von Änderungen und Modifizierungen
an der beschriebenen und dargestellten Spannungserhöhungsvorrichtung
vorgenommen werden können, von
denen alle in den in den angehangenen Ansprüchen definierten Umfang der
Erfindung aufgenommen werden können.
Insbesondere der Aufbau des Ladungspumpenschaltkreises 2 kann
im Vergleich zu der bereitgestellten Beschreibung abgeändert werden;
so können
die Übertragungstransistoren 15 beispielsweise
durch Dioden ersetzt werden. Darüber hinaus
kann die vorliegende Spannungserhöhungsvorrichtung auch auf andere
Geräte
angewendet werden, wie beispielsweise auf Spannungsregler, DC/DC-Speiser,
tragbare Vorrichtungen mit geringem Stromverbrauch und Messausrüstungen.