DE69125762T2 - Piezoelektrisches/elektrostriktives Antriebselement mit keramischem Substrat - Google Patents
Piezoelektrisches/elektrostriktives Antriebselement mit keramischem SubstratInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 121
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 79
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 17
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 17
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 7
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 4
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910002112 ferroelectric ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N lead nickel Chemical compound [Ni].[Pb] HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
- H10N30/706—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen unimorphen, bimorphen oder andere Arten eines piezoelektrischen oder elektrostriktiven Aktuators, der durch Verbiegen, Auslenken oder Knicken verlagert wird und für Tintenstrahldruckköpfe, Mikrofone, Klangkörper (wie z.B. Lautsprecher), verschiedene Wandler und andere Bauteile oder Vorrichtungen geeignet ist. Der Ausdruck "Aktuator" bezieht sich hierin auf ein Element bzw. einen Bestandteil, das bzw. der elektrische Energie in mechanische Energie, d.h. eine mechanische Kraft, Verlagerung oder Belastung überführen oder umwandeln kann.
- In den letzten Jahren fand ein Element, dessen Verlagerung gesteuert werden kann, im optischen Bereich und auf dem Gebiet der Präzisionspositionierung oder maschinellen Präzisionsvorgänge immer öfter Anwendung und stärkeren Bedarf, um z.B. eine optische Weglänge oder die Position eines Elements oder Bauteils einer Vorrichtung in der Größenordnung von Mikrometerbruchteilen (µm) einzustellen bzw. zu steuern. Zu diesem Zweck wurden verschiedene piezoeleketrische oder elektrostriktive Aktuatoren entwickelt, die ein piezoelektrisches oder elektrostriktives Material wie z.B. ferroelektrisches Material einsetzen, das den umgekehrten oder reversen piezoelektrischen Effekt oder den elektrostriktiven Effekt aufweist, worin ein solches piezoelektrisches oder elektrostriktives Material bei Anlegen einer Spannung oder eines elektrischen Felds darauf eine mechanische Verlagerung bewirkt.
- Ein Tintenstrahldruckkopf z.B. verwendet einen piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuator einer herkömmlichen unimorphen oder bimorphen Art, der erforderlich ist, um einen hochqualitativen Hochgeschwindigkeitsdruckvorgang zu ermöglichen. Zu diesem Zweck wurde versucht, die Größe und erforderliche Antriebsspannung des piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuators zu verringern und die Reaktion des Aktuators im Betrieb zu verbessern.
- Ein piezoelektrisches oder elektrostriktives Element eines solchen Aktuators befindet sich auf einem Trägersubstrat, das als Oszillator- oder Wandlerplatte dient. Um ein ausreichendes Biegeausmaß bzw. eine ausreichene Biegekraft oder Biegeverlagerung des Substrats oder der Platte zu gewährleisten, ist es einerseits wichtig, die Dicke des Substrats zu verringern. Andrerseits führt jedoch die Verringerung der Substratdicke ungünstigerweise zu einer Abnahme der mechanischen Festigkeit des Substrats.
- JP-A-56-0891 63 offenbart einen Tintenstrahlkopf mit einem Substratkörper, der aus drei miteinander laminierten und gesinterten keramischen Grüntafeln besteht. Der resultierende Substratkörper besitzt Innenkammern, die an einer Seite durch einen relativ dünnwandigen Abschnitt mit einer Dicke von 0,25 mm abgeschlossen sind, auf dem piezoelektrische/elektrostriktive Elemente mit den Kammern verklebt sind. Tintenflußwegnuten bieten Zugang zu den Kammern in der zum dünnwandigen Abschnitt parallelen Richtung. Der Betrieb der piezoelektrischen/elektrostriktiven Elemente bewirkt durch Biegeverlagerung des dünnwandigen Abschnitts einen Tintenfluß.
- Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen piezoelektrischenl elektrostriktiven Aktuator bereitzustellen, der in einem ausreichenden Ausmaß verlagert wird und der durch Anlegen einer relativ niedrigen Spannung eine große Kraft erzeugt, der eine verbesserte Festigkeit sowie eine hervorragende Reaktion im Betrieb und Zuverlässigkeit aufweist und sich für Tintentstrahldruckköpfe, Mikrofone, Klangkörper (z.B. Lautsprecher) und andere Wandler eignet.
- Das zweite Ziel der Erfindung ist die Bereitstellung eines derartigen piezoelektrischen/ elektrostriktiven Aktuators, der sich für eine hochintegrierte Aktuatoranordnung eignet.
- Gemäß dem Prinzip der vorliegenden Erfindung ist ein piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach Anspruch 1 bereitgestellt.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuators nach Anspruch 12 bereitgestellt.
- Im erfindungsgemäßen piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuator ist der piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt, der aus einer Vielzahl laminierter Filme (zwei Elektrodenfilme und ein dazwischen eingeschobener piezoelektrischer/elektrostriktiver Film) bestehen kann, auf dem dünnwandigen Abschnitt des Keramiksubstrats ausgebildet. Demzufolge ermöglicht der vorliegende Aktuator ein relativ großes Verlagerungsausmaß mit relativ großer erzeugter Kraft und weist ein verbessertes Ansprechen im Betrieb auf. Da der piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt leicht in Form von Elektroden- und piezoelektrischen/elektrostriktiven Filmen oder Mustern auf dem Keramiksubstrat ausgebildet werden kann, kann jede erwiinschte Anzahl piezoelektrisches/elektrostriktive Einheiten auf einem einzelnen Substrat eingebaut werden, um eine hochintegrierte piezoelektrische/elektrostriktive Aktuatoranordnung zu ergeben.
- Das Keramiksubstrat wird durch Brennen der ersten und zweiten Grüntafel gebildet, die übereinander angeordnet sind, sodaß die Öffnung(en), die in der ersten Grüntafel ausgebildet sind bzw. ist, an einer Oberfläche der ersten Grüntafel geschlossen ist bzw. sind. Die gebrannte erste und zweite Grüntafel ergeben die erste bzw. zweite laminierte Schicht des Substrats, worin zumindest eine Ausnehmung ausgebildet ist, die der bzw. den Öffnung(en) entspricht bzw. entsprechen, wodurch der dünnwandige Abschnitt des Substrats definiert wird, auf dem der piezoelektrische/ elektrostriktive Abschnitt ausgebildet ist. Somit ist nur der Abschnitt des Keramiksubstrats, der piezoelektrische/elektrostriktive Verlagerung erfährt, dünnwandig, um so die Antriebsspannung zu verringern, sodaß das erwünschte Verlagerungsausmaß mit gutem Ansprechverhalten im Betrieb erreicht wird, ohne die mechanische Festigkeit des Substrats zu verringern. Diese Anordnung eignet sich zur Bereitstellung einer kleinen integrierten piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuatoranordnung, worin eine gewünschte Anzahl piezoelektrischer/elektrostriktiver Abschnitte als piezoelektrische/elektrostriktive Aktuatoreinheiten auf einem einzelnen Keramiksubstrat vorgesehen sind. in diesem Fall stören die auf den jeweiligen dünnwandigen Abschnitten des Keramiksubstrats ausgebildeten benachbarten Aktuatoreinheiten einander nicht, wenn diese Einheiten mit den dünnwandigen Abschnitten verlagert werden, da die benachbarten dünnwandigen Abschnitte des Substrats durch relativ dickwandige Abschnitte des Substrats mehr oder weniger voneinander beabstandet sind. Demzufolge verringern die dünnwandigen Abschnitte nicht wesentlich die mechanische Gesamtfestigkeit des Substrats, selbst wenn das Substrat dazu dient, eine hochintegrierte Anordnung piezoelektrischerlelektrostriktiver Einheiten zu tragen.
- Insbesondere sind die Öffnungen nur durch jene Abschnitte der ersten Grüntafel ausgebildet, die den dünnwandigen Abschnitten des Substrats entsprechen, die als Oszillator- oder Wandlerplatten dienen und bei Versorgung der jeweiligen piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitte oder Einheiten mit elektrischer Energie verlagert werden. Wenn die erste und die zweite Grüntafel zu einem einstückigen laminaren Substrat gebrannt sind, bieten die Öffnungen jeweilige Ausnehmungen, die die jeweiligen dünnwandigen Abschnitte des Substrats definieren. Diese Anordnung gewährleistet eine mechanische Gesamtfestigkeit, die ausreicht, um darauf mehrere piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitte einer hochintegrierten Aktuatoranordnung zu tragen, während die Funktionalität der piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitte sichergestellt wird. Weiters besitzt das durch Brennen der ersten und zweiten Grüntafel (oder Grünbänder) erhaltene Keramiksubstrat eine sehr zuverlässige Laminatstruktur, die aus der ersten Schicht mit der der Öffnung entsprechenden Ausnehmung und der zweiten Schicht, die den der Ausnehmung entsprechenden dünnwandigen Abschnitt aufweist, besteht.
- Damit der vorliegende Aktuator ein großes Verlagerungsausmaß ermöglicht oder eine große Kraftmenge bei einer relativ niedrigen daran angelegten Spannung erzeugt, ist es wünschenswert, daß der piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt eine Dicke von nicht mehr als 100 µm, vorzugsweise von nicht mehr als 50 µm aufweist und der dünnwandige Abschnitt des Substrats eine Dicke von nicht mehr als 50 µm, vorzugsweise von nicht mehr als 30 µm aufweist.
- Die obigen und andere optionale Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden ausführlichen Beschreibung derzeit bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigelegten Abbildungen, worin:
- Fig.1 eine Untersicht einer Ausführungsform eines Keramiksubstrats ist, das für einen piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuator gemäß vorliegender Erfindung verwendet wird;
- Fig.2 eine Querschnittsansicht entlang der Linie 2-2 von Fig.1 ist;
- Fig.3 eine Untersicht einer weiteren Ausführungsform des Keramiksubstrats für den Aktuator der Erfindung ist;
- Fig.4 eine Querschnittsansicht entlang der Linie 4-4 von Fig.3 ist;
- Fig.5 eine Explosionsansicht einer ersten und zweiten Grüntafel zur Bildung einer weiteren Ausführungsform des Keramiksubstrats ist;
- Fig.6 eine perspektivische Ansicht des Keramiksubstrats ist, das aus der ersten und zweiten Schicht besteht, die durch Brennen der Grüntafeln von Fig.5 gebildet werden;
- Fig.7 eine Querschnittsansicht entlang der Linie 7-7 von Fig.6 ist;
- Fig.8 eine Untersicht einer weiteren Ausführungsform des Keramiksubstrats ist;
- Fig.9 eine Explosionsquerschnittsansicht entlang der Linie 9-9 von Fig.8 ist und eine erste und zweite Grüntafel zeigt, die zu einer ersten bzw. zweiten Schicht des Keramiksubstrats von Fig.8 gebrannt werden;
- Fig.10 eine Querschnittsansicht des Keramiksubstrats ist, das aus den zwei durch Brennen der Grüntafeln von Fig.9 gebildeten Schichten besteht;
- Fig.11 eine fragmentarische perspektivische Ansicht einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuators ist;
- Fig.12 eine fragmentarische perspektivische Ansicht einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Aktuators ist;
- Fig.13 eine fragmentarische perspektivische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist;
- Fig.14 eine fragmentarische perspektivische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist;
- Fig.15 eine fragmentarische perspektivische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist; und
- Fig.16 eine fragmentarische perspektivische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist.
- Zur weiteren Erklärung des Grundprinzips der vorliegenden Erfindung folgt eine Beschreibung derzeit bevorzugter Formen des erfindungsgemäßen piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuators unter Bezugnahme auf die beigelegten Abbildungen, wobei die gleichen Bezugszeichen verwendet werden, um strukturell oder funktionell identische oder ähnliche Komponenten oder Elemente zu bezeichnen.
- Zunächst Bezug nehmend auf Figuren 1 und 2 besteht ein Keramiksubstrat 2, das für einen erfindungsgemäßen piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuator verwendet wird, aus einer ersten Schicht 4 und einer zweiten Schicht 8, die einstückig miteinander laminiert sind und zusammenwirken, um eine rechteckige Ausnehmung 6 zu definieren. Diese erste und zweite Schicht 4, 8 werden durch Brennen einer ersten Grüntafel, die eine der Ausnehmung 6 entsprechende rechteckige Öffnung aufweist, und einer zweiten Grüntafel, die auf der ersten Grüntafel positioniert ist, gebildet, sodaß die zweite Grüntafel die Öffnung an einer der gegenüberliegenden Hauptflächen davon schließt. Die zwei übereinanderliegenden Grüntafeln werden gemeinsam zu einem einstückigen Keramiksubstrat 2 gebrannt. Die Ausnehmung 6 besitzt eine Bodenfläche, die einen dünnwandigen Abschnitt 8a des Substrats 2 definiert, der durch einen dickwandigen peripheren Abschnitt umgeben ist. Der periphere Abschnitt der zweiten Schicht 8 wird durch die erste Schicht 4 verstärkt.
- Ein in Figuren 3 und 4 gezeigtes Keramiksubstrat 10 besitzt eine erste Schicht, deren Konfiguration sich von jener der ersten Schicht 4 des Substrats 2 der Figuren 1 und 2 unterscheidet. Die erste Schicht 12 wird durch Brennen einer ersten Grüntafel gebildet, die eine Anordnung von parallelen rechteckigen Öffnungen aufweist, die eine in voneinander beabstandete Position haben. Die Öffnungen werden an einer Hauptfläche der Schicht 12 durch die zweite Schicht 8, die durch Brennen einer zweiten Grüntafel gebildet wird, abgeschlossen. Somit entstehen im Substrat 10 parallele Ausnehmungen 14, die den Öffnungen entsprechen. Die Ausnehmungen 14 definieren jeweilige dünnwandige Abschnitte 8a des Substrats 10, auf denen jeweilige piezoelektrische/elektrostriktive Aktuatoreinheiten ausgebildet sind. Anders ausgedrückt definieren die dünnwandigen Abschnitte 8a den Boden jeder Ausnehmung 14.
- Bezug nehmend auf die Figuren 5-7 besitzt ein Keramiksubstrat 16 eine U-förmige erste Schicht 18, die durch Brennen einer ersten Grüntafel gebildet wird. Die erste Grüntafel weist eine Öffnung in Form eines rechteckigen Ausschnitts auf, der an einer seiner vier Seiten seitlich geöffnet ist. Die Öffnung wird durch die zweite Schicht 8, die durch Brennen der zweiten Grüntafel entsteht, abgeschlossen, wodurch das aus der ersten und der zweiten Schicht 18, 8 bestehende Substrat 16 eine rechteckige Ausnehmung 20, die der Öffnung entspricht, aufweist. Bei Vorhandensein der Ausnehmung 20 besitzt das Substrat 16 den dünnwandigen Abschnitt 8a, auf dem ein piezoelektrischer/elektrostriktiver Abschnitt eines Aktuators ausgebildet ist. Der dünnwandige Abschnitt 8a ist durch den U-förmigen, dickwandigen, peripheren Verstärkungsabschnitt, d.h. die erste Schicht 18 umgeben. Im vorliegenden Substrat 16 ist die Ausnehmung 20 parallel zur Ebene des dünnwandigen Abschnitts 8a sowie in der zum Abschnitt 8a senkrechten Richtung seitlich geöffnet - im Gegensatz zu den Ausnehmungen 6, 14 der Substrate 2, 10, die seitlich nicht offen sind.
- Ein in Figuren 8-10 dargestelltes Keramiksubstrat besitzt eine erste Schicht 40, die mit der ersten Schicht 8 zusammenwirkt, um eine rechteckige Ausnehmung 42 und dadurch den dünnwandigen Abschnitt 8a zu definieren, auf dem ein piezoelektrischer/elektrostriktiver Abschnitt ausgebildet ist. Außerdem besitzt die erste Schicht 40 zwei abgestufte Abschnitte 44 auf einer der gegenüberliegenden, von der ersten Schicht 8 entfernten Hauptflächen. Diese abgestuften Abschnitte 44 sind angrenzend zu den längsseitig gegenüberliegenden Enden der Ausnehmung 42 ausgebildet und dienen als Durchgang zur Zufuhr von Tinte aus einem Tintenbehälter, wenn eine Tintenstrahldüse eines Tintenstrahldruckkopfs am Substrat 38 befestigt ist.
- Somit sind die wie oben konstruierten Keramiksubstrate 2, 10, 16, 40 nur an ihren Abschnitten (8a) dünnwandig, die gemeinsam mit einem piezoeleketrischen/elektrostriktiven Abschnitt eines Aktuators verlagert werden. Demzufolge besitzen die Substrate eine ausreichende mechanische Gesamtfestigkeit, während sie zur gleichen Zeit ein ausgezeichnetes Funktionieren als Wandler gewährleisten, und eignen sich für eine integrierte piezoeleketrische/elektrostriktive Aktuatoranordnung, in der eine Vielzahl von Aktuatoreinheiten auf einem einzelnen Substrat angeordnet ist. Außerdem besitzen die Substrate eine hohe Wärmebeständigkeit und Betriebszuverlässigkeit, da sie feuerfeste Laminatstrukturen sind, die durch Brennen von Keramikgrüntafeln gebildet werden.
- In Figuren 11-16 sind verschiedene Ausführungsformen des erfindungsgemäßen piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuators dargestellt, von denen jedes ein Keramiksubstrat mit einer wie oben konstruierten Laminatstruktur aufweist.
- Zuerst bezug nehmend auf Fig.11 enthält der piezoelektrische/elektrostriktive Aktuator ein Keramiksubstrat 22 mit einer Ausnehmung 24, deren Bodenfläche einen dünnwandigen Abschnitt 22a definiert. Auf einer der gegenüberliegenden Oberflächen des von der Ausnehmung 24 entfernten dünnwandigen Abschnitts 22a befindet sich ein piezoelektrischer/elektrostriktiver Abschnitt in Form einer Laminatstruktur, die aus einem ersten Elektrodenfilm 26, einem piezoelektrischen/elektrostriktiven Film 28 und einem zweiten Elektrodenfilm 30 besteht, die in dieser Reihenfolge laminiert sind. Der erste und zweite Elektrodenfilm 26, 30 besitzen jeweilige Endabschnitte 26a, 30a, die sich vom einen Ende des piezoelektrischen/elektrostriktiven Films 28 erstrecken. Beim Betrieb des Aktuators wird durch die Endabschnitte 26a, 30a eine Spannung zwischen dem ersten und zweiten Elektrodenfilm 26, 30 angelegt, wodurch der piezoelektrische/elektrostriktive Film 28 einem elektrischen Feld ausgesetzt ist, und der Aktuator erzeugt eine Kraft oder erfährt eine Verlagerung in Form einer Biegung oder Verkrümmung in der zur Ebene des Keramiksubstrats 22 senkrechten Richtung aufgrund des Querwirkung des umgekehrten piezoelektrischen oder elektrostriktiven Effekts.
- Eine weitere Ausführungsform des piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuators ist in Fig.12 dargestellt, worin ein Paar kammartiger Elektrodenmuster 36a, 36b auf dem dünnwandigen Abschnitt 22a des Keramiksubstrats 22 ausgebildet ist. Jedes Elektrodenmuster 36a, 38a besitzt eine Vielzahl von Elektrodenstreifen 32, die durch einen Verbindungsabschnitt 34 miteinander verbunden sind. Jeder Elektrodenstreifen 32 eines der zwei Muster 36a, 36b ist zwischen angrenzenden Elektrodenstreifen 32 des anderen Musters 36b, 36a in beabstandeter Beziehung zueinander in der Verlaufsrichtung der Verbindungsabschnitte 34 positioniert. Die Elektrodenstreifen 32 des Elektrodenmusters 36a und die Streifen 32 des anderen Elektrodenmusters 36b sind in der Verlaufsrichtung der Verbindungsabschnitte 34 abwechselnd angeordnet. Ein piezoelektrisches/elektrostriktives Muster 37 ist auch auf dem dünnwandigen Abschnitt 22a angeordnet, sodaß ein zwischen den kammartigen Elektrodenmustern 36a, 36b ausgebildeter Raum mit einem piezoelektrischen/elektrostriktiven Material des Musters 37 gefüllt ist (siehe Fig.12). Das Muster 37 besitzt piezoelektrische/elektrostriktive Streifen, von denen jeder zwischen den benachbarten Elektrodenstreifen 32 angeordnet ist. Somit sind die Elektrodenstreifen 32 und die piezoelektrischen/elektrostriktiven Streifen abwechselnd in Kontakt miteinander auf dem dünnwandigen Abschnitt 22a des Substrats 22 positioniert. Bei Anlegen eines elektrischen Felds an das piezoelektrische/elektrostriktive Muster 37 wird der dünnwandige Abschnitt 22a aufgrund der Längswirkung des umgekehrten piezoelektrischen Effekts oder elektrostriktiven Effekts in der zur Ebene des Substrats 22 senkrechten Richtung gebogen oder gekrümmt.
- Ein in Fig.13 dargestellter piezoelektrisches/elektrostriktive Aktuator ist ein Beispiel eines hochintegrierten piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuators, der einen piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitt aufweist, der aus einer Vielzahl piezoelektrischer/elektrostriktiver Einheiten besteht, die auf dem Keramiksubstrat 22 ausgebildet sind. Jede dieser Einheiten besteht aus den zwei Elektrodenfilmen 26, 30 und dem dazwischen befindlichen piezoelektrischen/elektrostriktiven Film 28. Wie das Substrat 10 der Figuren 3 und 4, das die beabstandeten parallelen Ausnehmungen 14 aufweist, besitzt das Keramiksubstrat 22 Anordnungen paralleler Ausnehmungen, die jeweilige dünnwandige Abschnitte definieren, auf denen die jeweiligen piezoelektrischen/elektrostriktiven Einheiten ausgebildet sind.
- Im piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuator von Fig.14 gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist ein piezoelektrischer/elektrostriktiver Film 29 auf einer der gegenüberliegenden Oberflächen des dünnwandigen Abschnitts 22a des Keramiksubstrats 22, der von der Ausnehmung 24 entfernt ist, ausgebildet. Innerhalb des Films 29 ist eine Vielzahl paralleler Elektrodenstreifen 32 eingebettet, die den Elektrodenmustern 36a, 36b von Fig.12 ähneln, sodaß die Elektrodenstreifen 32 voneinander beabstandet sind. Da die Elektrodenstreifen 32 im Film 29 eingebettet sind, entsteht ein piezoelektrisches/elektrostriktives Muster 37, sodaß die benachbarten Elektrodenstreifen 32 durch ein piezoelektrisches/elektrostriktives Material des Musters 37 voneinander beabstandet sind. Auf dem Film 29 sind der erste Elektrodenfilm 26, der piezoelektrische/elektrostriktive Film 28 und der zweite Elektrodenfilm 30 ausgebildet, die jenen von Fig.11 ähneln.
- Bezug nehmend auf Fig.15, in der eine weitere Ausführungsform der Erfindung zu sehen ist, besitzt das Keramiksubstrat 22 einen kreisförmigen dünnwandigen Abschnitt 22a, auf dem ein kreisrunder piezoelektrisches/elektrostriktive Abschnitt ausgebildet ist, der aus einem Elektrodenmuster 33 und einem piezoelektrisches/elektrostriktiven Muster 39 besteht. Das Elektrodenmuster 33 besteht aus zwei spiralförmigen Elektrodenstreifen, die zwei spiralförmige Räume definieren, die mit piezoelektrischem/elektrostriktivem Material 39 gefüllt sind.
- Ein bimorpher piezoelektrisches/elektrostriktive Aktuator ist in Fig.16 dargestellt. Der Aktuator besitzt einen piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitt, der aus zwei piezoelektrischen/elektrostriktiven Einheiten besteht, die auf gegenüberliegenden Oberflächen des dünnwandigen Abschnitts 22a des Substrats 22 ausgebildet sind. jede piezoelektrische/elektrostriktive Einheit besteht aus den zwei Elektrodenfilmen 26, 30 und dem dazwischen befindlichen piezoelektrischen/elektrostriktiven Film 28.
- Die wie oben gestalteten piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuatoren werden in der nachstehend beschriebenen Weise hergestellt.
- Das Keramiksubstrat (22) zum Tragen des piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitts kann aus einem elektrisch isolierenden oder dielektrischen Material bestehen, das eine ausreichend hohe mechanische Festigkeit aufweisen kann und bei einer Temperatur von etwa 1400ºC hitzebehandelt werden kann, um mit dem piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitt vorzugsweise ohne Verwendung eines Klebe/Bindemittels verbunden zu werden, wie dies weiter unten beschrieben wird. Das isolierende oder dielektrische Material kann eine Oxid- oder eine Nichtoxid- Keramikzusammensetzung sein, die vorzugsweise als Hauptkomponente(n) zumindest eines aus Aluminiumoxid, Magnesiumoxid, Zirkoniumoxid, Aluminiumnitrid und Siliziumnitrid enthält. Diese Keramikzusammensetzungen ermöglichen es dem Aktuator, für ein vergrößertes Verlagerungsausmaß und eine bessere Reaktion im Betrieb zu sorgen als andere Materialien wie z.B. Metall, Glas und Silizium. Insbesondere ist es zu empfehlen, eine Keramikzusammensetzung zu verwenden, die als Hauptkomponente(n) Aluminiumoxid und/oder Zirkoniumoxid, vorzugsweise Zirkoniumoxid enthält, das durch zumindest eine Verbindung stabilisiert ist, die aus der Gruppe bestehend aus Yttriumoxid, Ytterbiumoxid, Zeroxid, Kalziumoxid und Magnesiumoxid ausgewählt ist. Die Verwendung des stabilisierten Zirkoniumoxids für das Keramiksubstrat bietet die folgenden Vorteile: i) Das Substrat aus dem stabilisierten Zirkoniumoxid besitzt eine hohe mechanische Festigkeit und Zähigkeit; ii) Die während der Hitzebehandlung des stabilisierten Zirkoniumoxids zur Verbindung mit einem laminaren piezoelektrischen/elektrostriktiven Material entstehenden Wärmespannungen sind relativ klein; iii) Das stabilisierte Zirkoniumoxid wird einer relativ kleinen chemischen Reaktion mit dem piezoelektrischen/elektrostriktiven Material ausgesetzt; iv) Das mit der Ausnehmung versehene Substrat der vorliegenden Erfindung kann ein relativ großes Verlagerungsausmaß gemeinsam mit dem piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitt erfahren. Es ist vorzuziehen, das Zirkoniumoxid teilweise zu stabilisieren, indem 1-30 Mol-% Yttriumoxid oder Ytterbiumoxid, 6-50 Mol-% Zeroxid oder 5-40 Mol-% Kalziumooxid oder Magnesiumoxid zugegeben werden. Es ist besonders zu empfehlen, Yttriumoxid in einer Menge von 1,5-6 Mol-%, vorzugsweise 2- 5 Mol-% zu verwenden. Die Kristallphase des durch das Yttriumoxid teilweise stabilisierten Zirkoniumoxids gewährleistet besonders hervorragende Eigenschaften des Keramiksubstrats. Es ist jedoch auch möglich, die Hauptkomponente(n) des Keramiksubstrats vollständig zu stabilisieren.
- Das Keramiksubstrat besteht vorzugsweise aus einer ersten Schicht (4, 12, 18, 40) und einer zweiten Schicht (8), die z.B. durch Brennen einer jeweiligen ersten und zweiten Grüntafel gebildet werden. Die erste Grüntafel besitzt zumindest eine Öffnung bzw. einen Ausschnitt, die bzw. der durch ihre Dicke hindurch ausgebildet ist, während die zweite Grüntafel eine planare Schicht ist, die jede Öffnung an einer ihrer gegenüberliegenden Oberflächen schließt. Durch das Brennen dieser Grüntafeln werden die laminierte erste und zweite Schicht solcherart ausgebildet, daß zumindest eine Ausnehmung (6, 14, 20, 24, 42) entsteht, sodaß der dünnwandige Abschnitt (8a, 22a) definiert wird, der als Oszillator- oder Wandlerabschnitt des Keramiksubstrats dient. Günstigerweise enthält die zweite Grüntafel (die zweite Schicht des Substrats) SiO oder SiO&sub2;, vorzugsweise in einer Menge von 0,5-5 Gew.-%, noch bevorzugter 1-3 Gew.-%. Die Zugabe des Siliziumoxids in der bestimmten Menge kann eine übermäßige Reaktion des zweiten Grüntafelmaterials mit dem während der Hitzebehandlung darauf ausgebildeten piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitt verhindern, wodurch sich die Eigenschaften des hergestellten Aktuators verbessern.
- Zwecks Verbesserung der Reaktion während des Betriebs und Vergrößerung des Verlagerungsausmaßes des Aktuators beträgt die Dicke der zweiten Schicht (8) des Keramiksubstrats, auf dem der piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt ausgebildet ist, im allgemeinen nicht mehr als 50 µm, vorzugsweise nicht mehr als 30 µm und noch bevorzugter nicht mehr als 15 µm, während die Dicke der ersten Schicht (4, 12, 18, 40) im allgemeinen zumindest 30 µm, vorzugsweise zumindest 50 µm und noch bevorzugter zumindest 100 µm beträgt. Zur Erreichung eines größeren Verlagerungsausmaßes und einer größeren Kraft des Aktuators wird die durchschnittliche Keramikteilchengröße der zweiten Schicht vorzugsweise in einem Bereich von 1-2 µm, noch bevorzugter in einem Bereich von 0,1-1 µm gehalten.
- Während das Keramiksubstrat (2, 10, 16, 22, 38), das aus der ersten und zweiten Schicht besteht, günstigerweise durch Brennen der laminierten Grüntafeln gebildet werden kann, wie dies oben beschrieben ist, kann das Substrat durch andere Verfahren wie z.B. Preßform-, Guß- und Spritzgußverfahren unter Verwendung einer Form und durch ein maschinelles Bearbeitungsverfahren, bei dem ein oder mehrere Ausnehmung(en) in einer zweckmäßig geformten Keramikmasse z.B. durch Ultraschallbehandeln, Schneiden oder Schleifen ausgebildet wird bzw. werden, hergestellt werden. Das Grüntafellaminierungsverfahren ist jedoch am geeignetsten, da das durch dieses Verfahren gebildete Substrat keine Restspannungen aufweist, die durch das maschinelle Bearbeitungsverfahren entstehen, und eine präzise gesteuerte Dicke des dünnwandigen Abschnitts aufweist. Bei Anwendung des Grüntafellaminierungsverfahrens werden die erste und die zweite Grüntafel unter Hitze- und Druckeinwirkung übereinandergelegt und dann zum einstückigen Keramiksubstrat gebrannt, dessen erste und zweite Schicht den zwei Grüntafeln entsprechen. Obwohl die erste und die zweite Grüntafel nicht die gleiche Dicke aufweisen, zeigen die Materialien der beiden Grüntafeln vorzugsweise fast die gleiche Schrumpfung aufgrund ihres Brennens.
- Anstelle des obigen Grüntafellaminierungsverfahrens, bei dem die zweite Grüntafel mit einer Öffnung oder einem Ausschnitt versehen wird, kann - wie oben angeführt - zumindest eine Ausnehmung (6, 14, 20, 42) im Keramiksubstrat durch ein geeignetes maschinelles Bearbeitungs- oder Preßverfahren wie z.B. Laserbearbeiten, Ultraschallbehandeln oder Stanzpressen ausgebildet werden. Das Stanzpressen unter Verwendung einer Stanzform und eines Stempels ist besonders vorzuziehen, um die Herstellungseffizienz des Substrats und die Integrationsdichte der dünnwandigen Abschnitte des Substrats (der piezoelektrischen/elektrostriktiven Einheiten) zu erhöhen. Obwohl das obige maschinelle Bearbeitungs- oder Preßverfahren mit einer gebrannten Masse einer Keramikzusammensetzung für das Substrat durchgeführt werden kann, wird es vorzugsweise mit einer ungebrannten Masse (einer bereits geformten Grüntafel) der Keramikzusammensetzung durchgeführt.
- Die Form des Keramiksubstrats und die Form der im Substrat ausgebildeten Ausnehmung(en) sind nicht auf die rechteckigen Konfigurationen der dargestellten Ausführungsformen beschränkt und können je nach den Erfordernissen und/oder Anwendungen des herzustellenden Aktuators zweckmäßig modifiziert werden. Beispielsweise können das Substrat und die Ausnehmung kreisförmige, elliptische, ovale, polygonale und andere Formen, z.B. ein R-Quadrat oder ein R-Rechteck mit abgerundeten Kanten, oder eine Kombination dieser Formen aufweisen.
- Auf dem wie oben hergestellten Keramiksubstrat wird ein piezoelektrischer/elektrostriktiver Abschnitt nach dem folgenden Verfahren ausgebildet.
- Bei Fertigung des piezoelektrischen/elektrostriktiven Materials in großen Mengen wird ein ungebrannter Körper bzw. Grünkörper für einen piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitt des Materials durch ein Preßformungsverfahren unter Verwendung einer Form oder durch ein Bandformungsverfahren unter Verwendung einer Aufschlämmung des piezoelektrischen/elektrostriktiven Materials gebildet. Der gebildete Grünkörper wird dann unter Hitze- und Druckeinwirkung auf einen dünnwandigen Abschnitt (8a) eines ungebrannten Keramiksubstrats aufgebracht und gemeinsam mit dem ungebrannten Keramikkörper gebrannt. In diesem Fall müssen die Elektrodenfilme oder das Elektrodenmuster durch ein weiter unten beschriebenes Filmbildungsverfahren auf dem ungebrannten Keramiksubstrat oder dem ungebrannten piezoelektrischen/elektrostri ktiven Körper (Grünkörper) vor dem Übereinanderschichten der ungebrannten Körper vorgeformt werden.
- Beim anderen Verfahren wird der wie oben gebildete piezoelektrische/elektrostriktive Grünkörper zuerst zu einem Sinterkörper gebrannt, der dann mittels eines Klebstoffs an der Oberfläche des dünnwandigen Abschnitts (8a) des gebrannten und gesinterten Keramiksubstrats befestigt wird. Auch in diesem Fall müssen die Elektrodenfilme oder das Elektrodenmuster auf den ungebrannten Körpern für den piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitt und das Keramiksubstrat vorgeformt werden. Als Klebstoff eignet sich ein elektrisch leitendes Bindemittel.
- Das piezoelektrische/elektrostriktive Material wird bei einer Temperatur von etwa 800- 1400ºC, vorzugsweise in einem Bereich von 1000-1400ºC gebrannt. Um eine Änderung der piezoelektrischen/elektrostriktiven Zusammensetzung zu vermeiden, ist es vorzuziehen, die Brennatmosphäre zu steuern, indem eine Verdampfungsquelle des piezoelektischen/elektrostriktiven Materials miterhitzt wird.
- Der piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt kann durch ein nachstehend beschriebenes Filmbildungsverfahren geformt werden.
- Zur Bildung des Elektrodenfilms (26, 30) und des piezoelektrischen/elektrostriktiven Films (28) auf dem Keramiksubstrat (22) ist es möglich, ein beliebiges der folgenden bekannten Verfahren auszuwählen: ein Dickfilmbildungsverfahren wie z.B. Siebdrucken; ein Beschichtungsverfahren wie z.B. Eintauchen; ein Dünnfilmbildungsverfahren wie z.B. das Ionenstrahiverfahren, Sputtern, Vakuumdampfablagern, Ionenplattieren, CVD und Plattieren. Es kommen aber auch andere bekannte Verfahren in Frage. Um verbesserte Eigenschaften des hergestellten Aktuators zu erreichen, wird der piezoelektrische/elektrostriktive Film (28) günstigerweise durch Siebdrucken, Eintauchen oder Beschichten gebildet, d.h. Verfahren, die eine leichte Bildung eines Films auf dem Substrat durch Verwendung einer Paste oder Aufschlämmung, deren Hauptkomponente ein piezoelektrisches/elektrostriktives Pulver ist, ermöglichen. Durch dieses Filmbildungsverfahren kann der piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt einstückig mit dem Keramiksubstrat ausgebildet werden, ohne einen Klebstoff zu verwenden, wodurch sich die Zuverlässigkeit und Reproduzierbarkeit des Aktuators verbessert und die Integration der piezoelektrischen/elektrostriktiven Einheiten auf dem Substrat erleichtert wird. In dieser Hinsicht ist das Filmbildungsverfahren zu empfehlen. Beim Bilden der Elektrode und des piezoelektrischen/elektrostriktiven Musters (33, 36, 37, 39) durch dieses Filmbildungsverfahren können Siebdruck oder Photolitographie verwendet werden. Da Muster kann jedoch gebildet werden, indem überflüssige Abschnitte des aufgebrachten piezoelektrischen Materials durch Laserschneiden, Schneiden oder ein anderes mechanisches Bearbeitungsverfahren entfernt werden.
- Der Aktuator insgesamt sowie die Elektrode und die piezoelektrischen/elektrostriktiven Filme und Muster können je nach Verwendungszweck des Aktuators die gewünschten Konfigurationen aufweisen, z.B. dreieckige, rechteckige und andere vieleckige Formen, kreisförmige, elliptische und ringförmige Formen, kamm- oder gitterartige Konfigurationen und jede Kombination dieser Formen.
- Die Elektrode und piezoelektrischen Filme und Muster (26, 28, 29, 30, 33, 36, 37, 39), die auf dem Keramiksubstrat durch ein ausgewähltes obiges Verfahren ausgebildet werden, können entweder in unterschiedlichen Schritten zur einstückigen Ausbildung mit dem Substrat hitzebehandelt werden, nachdem jeder dieser Filme oder jedes dieser Muster geformt ist, oder sie können zur einstückigen Ausbildung mit dem Substrat gleichzeitig hitzebehandelt werden, nachdem alle Filme oder Muster zu einer Laminatstruktur auf dem Substrat geformt sind. Bei Verwendung des Dünnfilmbildungsverfahrens zur Ausbildung der Elektrodenfilme oder des Elektrodenmusters ist die Hitzebehandlung der Elektrodenfilme oder des Elektrodenmusters nicht absolut erforderlich.
- Die obige Hitzebehandlung zur einstückigen Ausbildung des piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitts mit dem Keramiksubstrat erfolgt im allgemeinen bei einer Temperatur von etwa 800-1400ºC, vorzugsweise in einem Bereich zwischen 1000 und 1400ºC. Um Änderungen in der Zusammensetzung des piezoelektrischen/elektrostriktiven Materials während des Hitzebehandlungsverfahrens zu verhindern, ist es günstig, die Hitzebehandlungsatmosphäre zu steuern, indem die Erwärmung mit der Verdampfungsquelle des piezoelektrischen/elektrostriktiven Materials erfolgt.
- Die Elektrodenfilme (26, 30) und das Elektrodenmuster (33, 36) des piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitts können aus jedem elektrisch leitenden Material bestehen, das Oxidationsbrenn- und Hitzebehandlungsatmosphären bei den obigen Temperaturen standhalten kann. Beispielsweise können die Elektrodenfilme oder das Elektrodenmuster aus einem einzelnen Metall, einer Metallegierung, einem Gemisch aus einem Metall oder einer Legierung und einem elektrisch isolierenden Keramikmaterial oder Glas bzw. einem elektrisch leitenden Keramikmaterial bestehen. Es ist jedoch vorzuziehen, daß das Elektrodenmaterial eine Hauptkomponente aufweist, die aus einem Edelmetall mit hohem Schmelzpunkt wie z.B. Platin, Palladium oder Rhodium, oder einer Legierung wie z.B. einer Silber-Palladium-Legierung, Silber-Platin- Legierung oder Platin-Palladium-Legierung besteht.
- Das Keramikmaterial, das einem Metall oder einer Legierung zuzugeben wird, um das obige Gemisch für die Elektrodenfilme oder für das Elektrodenmuster zu ergeben, ist vorzugsweise das gleiche wie das Keramikmaterial für das Keramiksubstrat oder das piezoelektrische oder elektrostriktive Keramikmaterial für den bzw. das piezoelektrische(n)/elektrostriktive(n) Film bzw. Muster. Bei Verwendung des Keramikmaterials für das Keramiksubstrat als Additiv zum Material für die Elektrodenfilme bzw. das Elektrodenmuster liegt der Gehalt des Keramikadditivs vorzugsweise in einem Bereich von etwa 5-30 Volums-%. Wenn das piezoelektrische oder elektrostriktive Keramikmaterials als Additiv verwendet wird, liegt der Gehalt des piezoelektrischen oder elektrostriktiven Keramikadditivs vorzugsweise in einem Bereich von etwa 5-20 Volums-%. Es ist besonders günstig, ein Gemisch des Keramikmaterials für das Substrat und des Keramikmaterials für den piezoelektrischen Film bzw. das piezoelektrische Muster als Keramikadditiv zu verwenden, das dem Material für die Elektrodenfilme oder das Elektrodenmuster zugegeben wird.
- Das obige Elektrodenmaterial wird vorteilshaft dann verwendet, wenn das Elektrodenmaterial mit dem piezoelektrischen/elektrostriktiven Material oder Keramiksubstratmaterial hitzebehandelt oder das Elektrodenmaterial einer Hitzebehandlungsatmosphäre für das piezoelektrische/elektrostriktive Material ausgesetzt wird. Wenn das Elektrodenmaterial in großer Menge hergestellt wird, können für die Elektroden, wenn die Elektroden unabhängig von den anderen Elementen hitzebehandelt werden, oder für den zweiten Elektrodenfilm (30) auch Gold und Silber verwendet werden.
- Während die Dicke der Elektrodenfilme bzw. des Elektrodenmusters je nach Anwendung des Aktuators ausgewählt wird, werden die Elektrodenfilme (26, 30) für die quer wirkende(n) piezoelektrisch/elektrostriktive(n) Einheit(en) der Figuren 11, 13, 14 und 16 mit einer Dicke von nicht mehr als 15 µm, vorzugsweise nicht mehr als 5 µm ausgebildet. Das Elektrodenmuster (33, 36) für die in der Länge wirkende piezoelektrische/elektrostriktive Einheit der Figuren 12, 14 und 15 ist mit einer Dicke von zumindest 3 µm, vorzugsweise zumindest 10 µm, noch bevorzugter zumindest 20 µm ausgebildet.
- Die piezoelektrischen/elektrostriktiven Filme bzw. Muster (28, 29, 37, 39) können aus jedem piezoelektrischen oder elektrostriktiven Material bestehen, das eine relativ große Menge an Belastung oder Verlagerung aufgrund des umgekehrten oder reversen piezoelektrischen Effekts oder des elektrostriktiven Effekts bewirkt. Das piezoelektrische oder elektrostriktive Material kann entweder ein kristallines oder ein amorphes Material sowie ein Halbleitermaterial oder ein dielektrisches oder ferroelektrisches Keramikmaterial sein. Weiters kann das piezoelektrische oder elektrostriktive Material entweder eine Behandlung zur anfänglichen Polarisierung oder Polung erfordern oder eine solche Behandlung nicht erfordern.
- Der bzw. das piezoelektrische/elektrostriktive Film bzw. Muster besitzt vorzugsweise eine Zusammensetzung, deren Hauptkomponente Bieizirkoniumtitanat (PZT), Bleimagnesiumniobat (PMN), Bleinickelniobat (PNN), Bleizinkniobat, Bleimanganniobat, Bleiantimonstannat, Bleititanat, Banumtitanat oder ein Gemisch davon ist. Außerdem kann ein Material (wie z.B. PLZT), das ein Oxid oder eine Verbindung von Lanthan (La), Barium (Ba), Niobium (Nb), Zink (Zn), Nickel (Ni) und/oder Mangan (Mn) enthält, der piezoelektrischen oder elektrostriktiven Zusammensetzung zugegeben werden, deren Hauptkomponente PZT ist.
- Angesichts der Konstruktion des piezoelektrischen/elektrostri ktiven Aktuators der vorliegenden Erfindung ist die piezoelektrische Konstante d&sub3;&sub1; des verwendeten piezoelektrischen/elektrostriktiven Materials vorzugsweise zumindest 50 x 10 ¹²[C/N], noch bevorzugter zumindest 100 x 10 ¹²[C/N], oder die piezoelektrische Konstante d&sub3;&sub3; ist vorzugsweise zumindest 100 x 10 ¹²[C/N], noch bevorzugter 200 x 10 ¹²[C/N], um ausgezeichnete Betriebseigenschaften des Aktuators sicherzustellen.
- Der piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt besitzt eine Dicke von nicht mehr als 100 µm, vorzugsweise nicht mehr als 50 µm, noch bevorzugter nicht mehr als 30 µm.
Claims (14)
1. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator, umfassend ein einstückig gebranntes
Keramiksubstrat (2, 10, 16, 22, 38), das einen dünnwandigen Abschnitt (8a, 22a) und an
einer Seite davon einen Raum (6, 14, 20, 24, 42) aufweist, der durch dickwandige
Abschnitte des Substrats begrenzt ist, wobei das Substrat eine Öffnung von diesem
Raum an dessen Seite gegenüber dem dünnwandigen Abschnitt und einen
piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitt (26, 28, 29, 30, 33, 36a, 36b, 37, 39) definiert, der
auf dem dünnwandigen Abschnitt des Keramiksubstrats ausgebildet ist, sodaß der
dünnwandige Abschnitt durch den Betrieb des piezoelektrischen/elektrostriktiven
Abschnitts eine Biegeverlagerung erfährt, um das Volumen des Raums zu ändern, wobei
die durchschnittliche Keramikteilchengröße des dünnwandigen Abschnitts (8a, 22a) im
Bereich von 0,1 bis 2 µm liegt.
2. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach Anspruch 1, worin das
Keramiksubstrat eine erste Schicht (4, 12, 18, 40) mit zumindest einer sich über ihre
Dicke erstreckenden Öffnung (6, 14, 20, 42), und eine zweite Schicht (8) aufweist, die
über der ersten Schicht angeordnet ist und mit dieser zumindest einen Öffnung
zusammenwirkt, um den Raum und den dünnwandigen Abschnitt (8a, 22a) zu
definieren, wobei die erste und die zweite Schicht einstückig gebrannt sind.
3. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach Anspruch 1 oder 2, worin der
piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt eine Vielzahl aufeinander laminierter Filme
(26, 28, 30) aufweist.
4. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach Anspruch 3, worin die Vielzahl an
Filmen des piezoelektrischen/elektrostri ktiven Abschnitts aus zwei Elektrodenfi 1 men (26,
30) und einem zwischen den beiden Elektrodenfilmen angeordneten
piezoelektrischen/elektrostriktiven Film (28) besteht.
5. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach Anspruch 1 oder 2, worin der
piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt ein Muster von Elektrodenstreifen (33, 36a,
36b) und ein Muster piezoelektrischer/elektrostriktiver Streifen (37, 39) aufweist, die
solcherart ausgebildet sind, daß die Elektrodenstreifen und die
piezoelektrischen/elektrostriktiven Streifen abwechselnd angeordnet sind.
6. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, worin
der piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt aus einer Vielzahl
piezoelektrischer/elektrostriktiver Einheiten (26, 28, 30) besteht, die auf dem
Keramiksubstrat (22) ausgebildet sind, sodaß die Einheiten in einer zu
gegenüberliegenden Hauptoberflächen des Substrats parallelen Richtung voneinander
beabstandet sind.
7. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, worin
der piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt aus einer Vielzahl
piezoelektrischer/elektrostriktiver Einheiten (26, 28, 30, 32, 37) besteht, die so auf dem Keramiksubstrat
ausgebildet sind, daß die Einheiten übereinandergelagert sind.
8. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach einem der Ansprüche 1 bis 7, worin
das Keramiksubstrat als zumindest eine Hauptkomponente ein aus Aluminiumoxid,
Magnesiumoxid, Zirkoniumoxid, Aluminiumnitrid und Siliziumnitrid ausgewähltes
Material umfaßt.
9. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach einem der Ansprüche 1 bis 8, worin
das Keramiksubstrat als eine Hauptkomponente Zirkoniumoxid umfaßt, das durch
zumindest eines aus Yttriumoxid, Ytterbiumoxid, Zeroxid, Kalziumoxid und
Magnesiumoxid stabilisiert ist.
10. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach einem der Ansprüche 1 bis 9, worin
der dünnwandige Abschnitt (8a) des Keramiksubstrats eine Dicke von nicht mehr als 50
µm aufweist.
11. Piezoelektrischer/elektrostriktiver Aktuator nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
worin der piezoelektrische/elektrostriktive Abschnitt eine Dicke von nicht mehr als 100
µm in der Dickenrichtung des dünnwandigen Abschnitts aufweist.
12. Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen/elektrostriktiven Aktuators durch
Ausbilden eines piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitts (26, 28, 29, 30, 33a, 33b,
36a, 36b, 37, 39) auf einem Keramiksubstrat (2, 10, 16, 22, 38), umfassend die
folgenden Schritte:
Übereinanderlagern einer ersten und zweiten Grüntafel, die bei ihrem Brennen jeweils
eine erste Schicht (4, 12, 18, 40) und eine zweite Schicht (8) des Keramiksubstrats
ergeben, wobei die erste Grüntafel zumindest eine sich über ihre Dicke erstreckende
Öffnung (6, 14, 20, 42) aufweist;
Brennen der ersten und zweiten Grüntafeln, um sie zu verbinden und das
Keramiksubstrat zu bilden, sodaß die zweite Schicht mit zumindest einer Öffnung in der
ersten Schicht zusammenwirkt, um einen dünnwandigen Abschnitt (8a, 22a) und an
einer Seite davon einen Raum (6, 14, 20, 24, 42) zu definieren, der durch die
dickwandigen Abschnitte des Substrats begrenzt ist, wobei die durchschnittliche
Teilchengröße des dünnwandigen Abschnitts (8a, 22a) im Bereich von 0,1 und 2 µm
liegt; und
Ausbilden des piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitts auf dem dünnwandigen
Abschnitt des Keramiksubstrats, sodaß der dünnwandige Abschnitt beim Betrieb des
piezoelektrischen/elektrostriktiven Abschnitts eine Biegeverlagerung erfährt, um das
Volumen des Raums zu ändern.
13. Verfahren nach Anspruch 12, worin die erste und zweite Grüntafel zumindest als
eine Hauptkomponente ein aus Aluminiumoxid, Magnesiumoxid, Zirkoniumoxid,
Aluminiumnitrid und Siliziumnitrid ausgewähltes Material umfassen.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, worin das Keramiksubstrat aus einem
Zirkoniumoxid besteht, das durch zumindest eine Verbindung stabilisiert ist, die aus
Yttriumoxid, Ytterbiumoxid, Zeroxid, Kalziumoxid und Magnesiumoxid ausgewählt ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19837490 | 1990-07-26 | ||
JP4598291 | 1991-02-19 |
Publications (2)
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---|---|
DE69125762D1 DE69125762D1 (de) | 1997-05-28 |
DE69125762T2 true DE69125762T2 (de) | 1997-09-11 |
Family
ID=26386083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69125762T Expired - Lifetime DE69125762T2 (de) | 1990-07-26 | 1991-07-25 | Piezoelektrisches/elektrostriktives Antriebselement mit keramischem Substrat |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5210455A (de) |
EP (1) | EP0468796B1 (de) |
DE (1) | DE69125762T2 (de) |
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