DE68918830D1 - Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung, fähig um einen durch einen Überlöschungszustand verursachten Lesefehler zu verhindern. - Google Patents
Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung, fähig um einen durch einen Überlöschungszustand verursachten Lesefehler zu verhindern.Info
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33356188A JP2507576B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 半導体不揮発性メモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE68918830D1 true DE68918830D1 (de) | 1994-11-17 |
DE68918830T2 DE68918830T2 (de) | 1995-03-16 |
Family
ID=18267422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE68918830T Expired - Fee Related DE68918830T2 (de) | 1988-12-28 | 1989-12-28 | Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung, fähig um einen durch einen Überlöschungszustand verursachten Lesefehler zu verhindern. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0376290B1 (de) |
JP (1) | JP2507576B2 (de) |
KR (1) | KR920009055B1 (de) |
DE (1) | DE68918830T2 (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03216894A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2635810B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1997-07-30 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
DE4133490C2 (de) * | 1991-10-09 | 1999-06-10 | Texas Instruments Deutschland | Verfahren zum Betreiben einer mit einer Versorgungsspannung gespeisten integrierten Halbleiterspeichervorrichtung mit zeilen- und spaltenweise angeordneten Speicherzellen |
KR930011000A (ko) * | 1991-11-29 | 1993-06-23 | 김광호 | 이이피롬 장치 |
US5396459A (en) * | 1992-02-24 | 1995-03-07 | Sony Corporation | Single transistor flash electrically programmable memory cell in which a negative voltage is applied to the nonselected word line |
US6038190A (en) * | 1996-06-07 | 2000-03-14 | Inside Technologies | Electrically erasable and programmable non-volatile memory protected against power supply failure |
FR2749698B1 (fr) * | 1996-06-07 | 1998-09-04 | Inside Technologies | Memoire remanente effacable et programmable electriquement, protegee contre les coupures d'alimentation |
JP3362661B2 (ja) * | 1998-03-11 | 2003-01-07 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6400608B1 (en) * | 2001-04-25 | 2002-06-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Accurate verify apparatus and method for NOR flash memory cells in the presence of high column leakage |
JP2013069382A (ja) * | 2011-09-23 | 2013-04-18 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半導体装置 |
CN103730145A (zh) * | 2012-10-15 | 2014-04-16 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 快闪存储器及其电压控制方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4281397A (en) * | 1979-10-29 | 1981-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Virtual ground MOS EPROM or ROM matrix |
JPS56103445A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
JPS5797674A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Toshiba Corp | Manufacture of mos semiconductor device |
JPS6180597A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
US4698787A (en) * | 1984-11-21 | 1987-10-06 | Exel Microelectronics, Inc. | Single transistor electrically programmable memory device and method |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP33356188A patent/JP2507576B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-12-27 KR KR1019890019728A patent/KR920009055B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-12-28 DE DE68918830T patent/DE68918830T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-28 EP EP89124037A patent/EP0376290B1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR900010795A (ko) | 1990-07-09 |
EP0376290B1 (de) | 1994-10-12 |
KR920009055B1 (ko) | 1992-10-13 |
JP2507576B2 (ja) | 1996-06-12 |
EP0376290A2 (de) | 1990-07-04 |
EP0376290A3 (de) | 1991-07-03 |
JPH02177561A (ja) | 1990-07-10 |
DE68918830T2 (de) | 1995-03-16 |
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