DE68907658T2 - Mehrschichtkondensator. - Google Patents

Mehrschichtkondensator.

Info

Publication number
DE68907658T2
DE68907658T2 DE89480066T DE68907658T DE68907658T2 DE 68907658 T2 DE68907658 T2 DE 68907658T2 DE 89480066 T DE89480066 T DE 89480066T DE 68907658 T DE68907658 T DE 68907658T DE 68907658 T2 DE68907658 T2 DE 68907658T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
capacitor
projections
conductive plate
islands
metallization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE89480066T
Other languages
English (en)
Other versions
DE68907658D1 (de
Inventor
Allen Joseph Arnold
Michael Eric Bariether
Shin-Wu Chiang
Hormazdyar Minocher Dalal
Robert Anderson Miller
Frank Alfred Montegari
James Michael Oberschmidt
David Tjeng-Ming Shen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE68907658D1 publication Critical patent/DE68907658D1/de
Publication of DE68907658T2 publication Critical patent/DE68907658T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30Stacked capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft mehrschichtige keramische Kondensatoren, die mehrfache Kondensatorplatten aufweisen, die an einer gemeinsamen Fläche enden, und betrifft insbesondere Verbesserungen an Mehrschichtkondensatoren, die eine größere Flexibilität bei der Benutzung und leichtere Herstellbarkeit zur Folge haben, wie das beispielsweise aus EP-A-0108211 bekannt ist.
  • Das ständige Ziel von Designern für Datenverarbeitungsgeräte ist es, Geräte zu produzieren, die eine erhöhte Betriebsgeschwindigkeit, verringerte physikalische Größe und geringere Herstellungskosten aufweisen.
  • Fortschritte in der Technologie der integrierten Schaltungen haben einen weiten Weg zurückgelegt, um dieses Ziel zu erfüllen. Ein besonderer Bereich der Konzentration ist der Kondensator. In dem Bemühen, immer höhere Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen, sind die Schaltungsdesigner zu einem Entkopplungskondensator übergegangen, der für einen Pfad niedriger Impedanz über der Stromversorgung sorgt, um die Halbleiterchips ohne das Einkoppeln von Störspannungen in die Signalverdrahtung mit Leistung zu versorgen. Die Störspannung kann, wenn sie eingekoppelt wird, Fehler in den Computerfunktionen verursachen. Solche Entkopplungskondensatoren sind diskret, das heißt von den Chips getrennt. Um jedoch die Vorteile der integrierten Form beizubehalten, haben die Schaltungsdesigner nach diskreten Kondensatoren geringer Größe, maximaler Kapazität, hoher Geschwindigkeit (schnellem Ansprechen), geringer Induktivität, geringem Widerstand und vernünftigen Kosten gesucht.
  • Der Kondensator, der heutzutage für diese spezielle Anwendung häufig zur Verwendung vorgeschlagen wird, ist der keramische Mehrschichtkondensator. Dieser Kondensator besteht aus einer Reihe von parallelen Platten, die zusammen laminiert sind. Jede dieser Platten besteht aus einem Blatt eines keramischen, dielektischen Materials und einer metallischen Platte. Zur Erleichterung kann das dielektrische Material einfach metallisiert werden, um jede paralelle Platte zu bilden. Jede der metallischen Platten hat einen oder mehrere in seitlichem Abstand angeordnete Vorsprünge, die an einer gemeinsamen Seite enden können oder nicht, um Längsreihen von Vorsprüngen zu bilden. Jede Reihe von Vorsprüngen ist mit einer anderen durch einen kurzschließenden Bügel oder eine Elektrode verbunden. Die endgültige Verbindung des Kondensators mit den Chips kann vorteilhaft durch Oberflächenmontageverfahren erreicht werden oder besser durch Flip-Chip-Befestigung des Kondensators auf einem mehrlagigen keramischen Substrat unter Benutzung von Lotkügelchen, wie das beispielsweise in US-A 4 349 862 von Bajorek et al. offenbart ist, welche Beschreibung durch Bezugnahme hierin eingegliedert wird. Anstelle von Lotkügelchen kann eine Matrix von Lotstangen benutzt werden, wie das in US-A 4 430 690 von Chance et al. beschrieben ist, welche Beschreibung durch Bezugnahme hierin eingegliedert wird.
  • Andere Arten von mehrschichtigen keramischen Kondensatoren sind beispielsweise beschrieben in US-A 3 398 326 an Swart et al. und US-A 4 590 537 an Sakamoto, welche Beschreibungen durch Bezugnahme hierin eingegliedert werden. In jedem der Referenzen verbindet der Kurzschlußbügel oder die Elektrode alle die Vorsprünge in jeder Reihe.
  • Eine gemeinsame Eigenschaft dieser mehrschichtigen Kondensatoren besteht darin, daß jede Plattenart nur einer Spannung zugeordnet ist und jede Reihe von Vorsprüngen auch nur einer Spannung zugeordnet ist. Beispielsweise wird es im IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 26, No. 12, Mai 1984 (Seiten 6595-6597) gewünscht, vier verschiedene Spannungen zu entkoppeln. Jede Plattenart ist nur einer Spannung zugeordnet und jede Reihe von Vorsprüngen ist nur einer Spannung zugeordnet. Wichtiger ist, daß es notwendig ist, elf in seitlichem Abstand angeordnete Vorsprünge zu haben, um dieses Ergebnis zu erzielen. IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 26, No. 9, Feb. 1984 (S. 4489) und IBM Technical Disclure Bulletin, Vol. 26, No. 10B, März 1984 (S.5325) illustrieren auch die seitliche Anhäufung, die bei dieser Art von Kondensatoren angetroffen wird. Diese letzten beiden Referenzen stellen auch dar, daß die Vorsprünge an zwei gemeinsamen Seiten des Kondensators auftauchen können, wobei eine Seite zur Verbindung mit dem Substrat dient und die andere Seite für das Testen oder andere Zwecke benutzt wird. Alle drei dieser Referenzen aus dem Technical Disclosure Bulletin werden durch Bezugnahme hierin eingegliedert.
  • Die Probleme kennend, die mit dem genauen Ausrichten der Vorsprünge und Kurzschlußbügel verbunden sind, die nur wenige Tausendstel eines Zolls breit sind, schlug US-A 4 419 714 an Locke, dessen Beschreibung durch Bezugnahme hierin eingegliedert wird, ein neues Verfahren zum Herstellen des Kondensators vor, um Fehlausrichtungen der Vorsprünge und Kurzschlußbügel zu korrigieren. Dieses Verfahren besteht im wesentlichen darin, Kerben in der Fläche des Kondensators anzubringen, um dadurch die Vorsprünge auszurichten oder zumindest den Teil jedes Vorsprungs zu eliminieren, der sich außerhalb der Ausrichtung befindet.
  • Während die Locke-Referenz für einen Weg sorgt, das Problem der seitlichen Anhäufung zu verringern, lehrt sie nichts über das Eliminieren des Problems selbst. Und darüber hinaus ist die Lehre von Locke die, daß eine Plattenart nur einer Spannung zugeordnet werden kann und jede Reihe von Vorsprüngen nur einer Spannung zugeordnet werden kann.
  • Es wäre wünschenswert, das Problem der seitlichen Anhäufung zu eliminieren, so daß Lösungen wie die in der Locke-Referenz vorgeschlagenen nicht ins Spiel zu kommen brauchen.
  • Demgemäß ist es ein Ziel der Erfindung, einen Kondensator zu haben, der nicht an der seitlichen Anhäufung der Vorsprünge leidet.
  • Es ist ein anderes Ziel der Erfindung, einen Kondensator zu haben, der eine Vielzahl von zugeordneten Spannungen zuläßt, sodaß jede Reihe von Vorsprüngen mehr als einer Spannung zugeordnet werden kann.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, einen Kondensator zu haben, der schnell ist, vernünftig im Preis und klein in der Größe.
  • Es ist noch ein anderes Ziel der Erfindung, einen Kondensator zu haben, der eine niedrige Induktivität aufweist, einen niedrigen Widerstand und eine maximale Kapazität.
  • Diese und andere Ziele der Erfindung werden klarer nach der Bezugnahme auf die folgende Beschreibung, die in Verbindung mit den zugehörigen Zeichnungen betrachtet wird.
  • Die Ziele der Erfindung wurden gemäß einem Aspekt der Erfindung erreicht durch Bereitstellen eines mehrschichtigen Kondensators, der besteht aus:
  • einer Mehrzahl von Lamellen, wobei jede der Lamellen aus einem leitenden Plattenteil und einem nichtleitenden Streifenteil besteht,
  • wobei der leitende Plattenteil zumindest einen Vorsprung aufweist, der zumindest bis zu einem Rand des leitenden Plattenteils vorspringt,
  • und die Lamellen in verschiedene Gruppen unterteilt sind, wobei die Lamellen jeder Gruppe die gleiche Anzahl an Vorsprüngen an der gleichen Stelle aufweisen und die Lamellen aus verschiedenen Gruppen sich zumindest durch die Stelle der Vorsprünge unterscheiden,
  • wobei die Lamellen so verschachtelt sind, daß:
  • (a) eine Lamelle aus einer Gruppe abwechselt mit einer Lamelle aus einer anderen Gruppe,
  • (b) der leitende Plattenteil jeder Lamelle in Kontakt ist mit dem nichtleitenden Streifenteil jeder benachbarten Lamelle,
  • (c) die Vorsprünge sich an einem gemeinsamen Rand jeder Lamelle befinden, sodaß die Vorsprünge der verschachtelten Lamellen Reihen von Vorsprüngen bilden und
  • (d) die Vorsprünge benachbarter Lamellen nicht miteinander ausgerichtet sind und
  • Insel der Metallisierung ausgewählte Gruppen der Vorsprünge in jeder Reihe so verbinden, daß jede der Inseln einen Teil der Vorsprünge in jeder Reihe bedeckt.
  • Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Mehrschichtkondensators gemäß der Erfindung, bei dem der nichtleitende Streifenteil am Ende entfernt ist.
  • Fig. 1A ist eine Modifikation des in Fig. 1 dargestellten Mehrschichtkondensators.
  • Fig. 2 ist eine auseinandergezogene perspektivische Darstellung des Mehrschichtkondensators nach Fig. 1, bei dem die obere Metallisierung entfernt ist.
  • Fig. 3 ist eine Seitenansicht des Mehrschichtkondensators nach Fig. 1.
  • Fig. 4 ist eine Seitenansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels eines Mehrschichtkondensators gemäß der Erfindung.
  • Fig. 4A ist eine Modifikation des in Fig. 4 dargestellten Mehrschichtkondensators.
  • Fig. 5 ist eine vergrößerte Draufsicht auf den Mehrschichtkondensator nach Fig. 1.
  • Fig. 6 ist eine Seitenansicht eines anderen Ausführungsbeispieles eines Mehrschichtkondensators gemäß der Erfindung.
  • Fig. 7 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht einer Ecke eines Mehrschichtkondensators gemäß der Erfindung, die weitere Einzelheiten der oberen Metallisierung zeigt.
  • Fig. 8 ist eine Seitenansicht, teilweise im Querschnitt, die einen Mehrschichtkondensator gemäß der Erfindung zeigt, der mit einem Substrat verbunden ist.
  • GENAUERE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Es wird jetzt auf die Figuren im einzelnen Bezug genommen und insbesondere auf die Figuren 1 - 3. Darin ist ein Mehrschichtkondensator gemäß der Erfindung dargestellt, der ganz allgemein mit 10 bezeichnet ist. Der Mehrschichtkondensator 10 besteht aus einer Mehrzahl von Lamellen 12, wobei jede der Lamellen aus einem leitenden Plattenteil 14 und einem nichtleitenden Streifenteil 16 besteht. An jedem Ende des Mehrschichtkondensators 10 befindet sich zumindest ein nichtleitender Streifenteil 18, der keinen leitenden Plattenteil enthält. Es kann natürlich mehr als ein nichtleitender Streifenteil 18 vorhanden sein, wenn das gewünscht wird. Der leitende Plattenteil 14 weist zumindest einen Vorsprung 20 auf, der zumindest bis zu einem Rand 32 des leitenden Plattenteiles 14 und der Lamelle vorspringt. Ein wichtiges Merkmal der Erfindung besteht darin, daß die maximale Anzahl von Vorsprüngen 20 pro leitendem Plattenteil 14 begrenzt ist, um eine übermäßige seitliche Anhäufung zu vermeiden. Die Wichtigkeit dieser Begrenzung wird im folgenden deutlicher.
  • Die Lamellen 12 sind in verschiedene Gruppen unterteilt, wobei alle Lamellen jeder Gruppe die gleiche Anzahl von Vorsprüngen an der gleichen Stelle aufweisen und die Lamellen aus verschiedenen Gruppen sich zumindest durch die Stelle der Vorsprünge unterscheiden. Das heißt, es gibt unter spezieller Bezugnahme auf die Figur 2 eine Gruppe von Lamellen, die durch die Lamelle 22 vertreten ist, in der der leitende Plattenteil 14 zum Beispiel einen Vorsprung 24 weit rechts am leitenden Plattenteil 14 aufweist und einen anderen Vorsprung 26, der in seitlichem Abstand davon angeordnet ist. Es gibt eine zweite Gruppe von Lamellen, die durch die Lamelle 28 vertreten wird, welche zum Beispiel einen Vorsprung 30 ganz links am leitenden Plattenteil 14 aufweist und einen anderen Vorsprung 31, der in seitlichem Abstand davon angeordnet ist. Durch Vergleichen der Lamellen der Gruppe, die durch die Lamelle 22 vertreten wird, und der Lamellen aus der Gruppe, die durch die Lamelle 28 vertreten wird, ist ersichtlich, daß die leitenden Plattenteile auf jedem der nichtleitenden Plattenteile für jede Gruppe deutlich verschieden sind. Während in Figur 2 nur zwei verschiedene Gruppen dargestellt sind, können drei oder mehr verschiedene Gruppen vorgesehen sein, wenn das erforderlich ist. Die letztliche Begrenzung für die Anzahl der verschiedenen Gruppen von Lamellen ist die Forderung, übermäßige seitliche Anhäufungen der verschiedenen Vorsprünge zu vermeiden.
  • Für Zwecke der Darstellung und nicht der Beschränkung haben alle leitenden Plattenteile in Figur 2 zwei Vorsprünge, die davon vorspringen. Es kann in der Tat eine Anzahl von Vorsprüngen vorhanden sein, die von zwei verschiedenen ist. Es versteht sich, daß alles, was gemäß der Erfindung erforderlich ist, das ist, daß zumindest ein Vorsprung vorhanden ist, der von jedem der leitenden P1attenteile vorspringt, was die Flexibilität begrenzt, aber den Kontakt mit mehr Platten erlaubt. Das Ausführungsbeispiel nach Figur IA illustriert lediglich die Anpassungsfähigkeit der vorliegenden Erfindung dadurch, daß die Größe der Inseln verändert werden kann (und damit die Anzahl der verbundenen Vorsprünge), um sich dem Design des Systems anzupassen. Das Ausführungsbeispiel nach Figur 1 wird wegen seiner geringeren Induktivität bevorzugt. Die geringere Induktivität ergibt sich daraus, daß der vertikale Stromfluß in jede Insel hinein und aus ihr heraus die Richtung zwischen jedem benachbarten Paar ändert, ohne daß die Vorsprünge so dicht beieinander liegen, daß sie eine seitliche Anhäufung verursachen. Wenn Redundanz nicht erforderlich ist, dann könnten dem Kondensator 10 16 Lamellen zugeordnet werden, die einen Vorsprung aufweisen, während eine andere Gruppe von Lamellen zwei Vorsprünge aufweisen kann und noch eine andere Gruppe drei Vorsprünge aufweisen kann u.s.w. Jede dieser Gruppen kann eingestreut sein, um der geforderten Redundanz und den Spannungsanforderungen zu entsprechen. Es wird jedoch am meisten bevorzugt, daß nur zwei solche Gruppen von Lamellen vorhanden sind und daß jede dieser Gruppen zwei Vorsprünge aufweist, wie das in den Figuren 1 - 3 dargestellt ist.
  • Der Mehrschichtkondensator 10 umfaßt eine zusätzliche Metallisierung, die allgemein durch 36 auf jeder der Inseln 34 bezeichnet ist, um den Kondensator 10 gegenüber einem (nicht dargestellten) Substrat zu begrenzen. Bei einem in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel besteht die zusätzliche Metallisierung 36 aus einer Metallisierung 38 zur Begrenzung von Kügelchen und aus Lotkügelchen 40.
  • In Figur 7 ist ein anderes Ausführungsbeispiel für die zusätzliche Metallisierung 36 dargestellt. In diesem Fall besteht die zusätzliche Metallisierung aus einer Lotauflage 42, die im wesentlichen jede der Inseln 34 bedeckt. In Figur 7 ist nur eine Insel 34 dargestellt, aber natürlich versteht es sich, daß eine Vielzahl solcher Inseln vorhanden ist.
  • Die Metallisierung, die jede der Metallisierungsinseln 34 umfaßt, kann aus irgendeiner Anzahl von Materialien hergestellt sein, die den Fachleuten gut bekannt sind. Eine besonders bevorzugte Zusammensetzung besteht aus Schichten von Chrom (700Aº), Kupfer (4300Aº) und dann wieder Chrom (2000Aº). Alternativ kann auch eine einzige Schicht von Chrom (1500Aº) vorhanden sein. Bei dem Ausführungsbeispiel nach Figur 7 wird bevorzugt, daß die Zusammensetzung für die Inseln der Metallisierung Schichten aus Chrom (700Aº), Kupfer (4300Aº) und Gold (1000Aº) sind. Für die die Kügelchen begrenzende Metallisierung 38 wird vorgezogen, daß sie aus Schichten von Chrom (1600Aº), Kupfer (4300Aº) und Gold (1000Aº) besteht. Falls notwendig, kann eine Chrom/Kupferschicht zwischen den Chrom/Kupferschichten in den Inseln der Metallisierung und der die Kügelchen begrenzenden Metalliserung mit abgeschieden werden. Diese mit abgeschiedene Schicht verstärkt die Ädhäsion der Chrom/ und Kupferschicht.
  • Ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Figur 4 dargestellt. Der Kondensator 110 ist dem in den Figuren 1 -3 dargestellten Kondensator 10 im wesentlichen darin ähnlich, daß der Kondensator 110 aus einer Mehrzahl von Lamellen besteht, die einen leitenden Plattenteil und einen nichtleitenden Streifenteil aufweisen, Vorsprünge 20 und Inseln der Metallisierung 34. Jedoch umfaßt der Kondensator 110 außerdem zumindest einen Vorsprung 43, der von einem gegenüberliegenden Rand 45 jedes der leitenden Plattenteile 114 vorspringt. Der Kondensator 110 umfaßt außerdem Inseln der Metallisierung 46, die ausgewählte Gruppen gegenüberliegender Vorsprünge 43 verbinden.
  • Figur 4A zeigt eine Modifikation des in Figur 4 dargestellten Kondensators 110. Der Kondensator 120 nach Figur 4A umfaßt auch außerdem zumindest einen Vorsprung 43, der von einem gegenüberliegenden Rand 45 jedes der leitenden Plattenteile 122 vorspringt. Der Kondensator 120 ist jedoch so ausgebildet, daß jeder Rand 32, 45 des leitenden Plattenteiles 122 zumindest einen Vorsprung aufweist, der ein Spiegelbild des gegenüberliegenden Randes 45, 32 des leitenden Plattenteiles 122 darstellt. Das heißt, die Vorsprünge 43 stellen ein Spiegelbild der Vorsprünge 20 dar. Bezüglich der Inseln der Metallisierung verbinden die Inseln der Metallisierung 34, 46 auf gegenüberliegenden Seiten des Kondensators 110 spiegelbildlich ausgewählte Gruppen von Vorsprüngen.
  • Die Wahl, ob das Ausführungsbeispiel nach Figur 4 oder nach Figur 4A zu verwenden ist, wird hauptsächlich diktiert durch Herstellungs- und Montagebelange. Jedes der Ausführungsbeispiele bietet eine spezielle Art der Symmetrie, die die Fachleute nützlich finden können.
  • Der Kondensator 110, 120 kann auch eine zusätzliche Metallisierung auf jeder der Inseln 34, 46 umfassen. Beispielsweise kann der Kondensator 110, 120 eine zusätzliche Metallisierung 36 einer Kügelchen begrenzenden Metallisierung und Lot umfassen, wie das vorher mit Bezug auf die Figuren 1-3 erörtert wurde. Dadurch, daß in diesem Fall die zusätzliche Metallisierung 36 auf jeder Seite des Kondensators 110, 120 vorhanden ist, kann der Kondensator mit einem Substrat verbunden werden ohne Rücksicht auf seine Orientierung. Das heißt, der Kopf oder der Boden des Kondensators 110, 120 kann mit einem Substrat verbunden werden. Alternativ weist nur, wie das in den Figuren 4 und 4A dargestellt ist, eine Seite des Kondensators 110, 120 die zusätzliche Metallisierung 36 zum Begrenzen des Kondensators auf einem Substrat auf, während eine zusätzliche Metallisierung 48 auf der gegenüberliegenden Seite des Kondensators 110, 120 lediglich eine Auflage für das Plazieren einer Sonde darstellt beim Testen des Kondensators an seinem Platz. Daher kann der Kondensator 110, 120 auf einem Substrat installiert werden unter Benutzung der zusätzlichen Metallisierung 36, und nachdem er sich an seinem Platz befindet, kann die zusätzliche Metallisierung 48 zum Testen des Kondensators 110, 120 benutzt werden.
  • Die zusätzliche Metallisierung kann Schichten aus Chrom (1600Aº), Kupfer (4300Aº) und Gold (1000Aº) umfassen. Eine mit abgeschiedene Schicht von Chrom/Kupfer zwischen den Chrom/ und Kupferschichten kann auch benutzt werden, wenn das erwünscht ist. Die zusätzliche Metallisierung 48 wird bevorzugt, wenn das Testen des Kondensators 110, 120 erfolgen soll. Es liegt jedoch im Schutzumfang der Erfindung, auf die zusätzliche Metallisierung 48 zu verzichten, und das Testen kann dann auf den Inseln der Metallisierung 46 stattfinden.
  • Um die Vorteile der Erfindung zu erhalten, wird es bevorzugt, daß die Dicke der nichtleitenden Streifenteile 16 zwischen benachbarten leitenden Plattenteile 14 gleichförmig ist oder allgemein von der gleichen Dicke, mit der Ausnahme, daß zwischen jeder der Inseln 34 der nichtleitende Streifenteil 50 von erhöhter Dicke sein sollte. Das kann erreicht werden durch Plazieren von zusätzlichen nichtleitenden Streifen zwischen den Gruppen der Lamellen. Der Zweck dieser Begrenzung ist es, daß benachbarte Inseln richtig voneinader isoliert sind. Dieser Aspekt der Erfindung ist in Figur 5 dargestellt.
  • In Figur 5 ist auch ein anderer interessanter Aspekt der vorliegenden Erfindung dargestellt, nämlich das Versetzen der Ränder der Inseln. Wenn man quer über die Oberfläche des Kondensators in einer Richtung geht, die generell senkrecht zu den Reihen der Vorsprünge verläuft, enden die Inseln der Metallisierung nach dem Kontaktieren des letzten Vorsprungs. Folglich enden die Inseln der Metallisierung in benachbarten Reihen an unterschiedlichen Punkten, was zu einer versetzten Konfiguration führt. Dadurch wird die maximale Zahl von Vorsprüngen durch die Inseln kontaktiert, noch dazu mit dem maximalen Ausmaß an Trennung zwischen den Inseln in jeder Reihe.
  • Ein anderes Ausführungsbeispiel des Kondensators ist in Figur 6 dargestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel des Kondensators 210 ist jeder der leitenden Plattenteile in getrennte und ausgeprägte Segmente 52, 54 geteilt, so daß es eine Mehrzahl von leitenden Plattensegmenten für jeden nichtleitenden Plattenteil 16 gibt. Wo das der Fall ist, ist der leitende Plattenteil in zwei oder mehr gleiche oder ungleiche Segmente geteilt, wobei jedes der Segmente zumindest einen Vorsprung aufweist, der von einem gemeinsamen Rand, z. B. dem Rand 56, vorspringt. Wie das in Figur 6 dargestellt ist, hat jeder der leitenden Plattenteile 52, 54 zwei Vorsprünge auf jedem leitenden Plattenteil am Rand 56. Es wird bevorzugt, daß zumindest zwei Vorsprünge dort sind, um die notwendige oder gewünschte Redundanz vorzusehen. Es kann natürlich Umstände geben, in denen solch eine Redundanz nicht erforderlich ist, in welchem Fall nur ein Vorsprung pro leitendem Plattenteil erforderlich wäre. Jeder der leitenden Plattenteile kann ferner Vorsprünge an einem gegenüberliegenden Rand 58 der leitenden Plattenteile umfassen, wie das vorher diskutiert und in Figur 6 dargestellt wurde. Der Vorteil des Unterteilens jedes leitenden Plattenteiles in zwei oder mehr Segmente sorgt für eine zusätzliche Flexibilität beim Vorsehen der erforderlichen Energiepegel, während eine übermäßige seitliche Anhäufung der Vorsprünge vermieden wird. Bei dem in Figur 6 dargestellten Ausführungsbeipiel wechselt jeder der leitenden Plattenteile, der in zwei Segmente unterteilt ist, mit einem leitenden Plattenteil ab, der nicht in Segmente unterteilt ist. Die in Figur 6 gezeigte Anordnung ist nur eine von vielen möglich Anordnungen. Jeder der nachfolgenden leitenden Plattenteile könnte ebenfalls geteilt worden sein. Es kann auch eine Anordnung geben, bei der segmentierte und nicht segmentierte leitende Plattenteile in einer vorgegebenen Reihenfolge angeordnet sind, die nicht dargestellt wurde, aber die trotzdem als in den Schutzumfang der Erfindung fallend angesehen wird. Die schließliche Anordnung der Lamellen hängt von der erkannten Notwendigkeit nach Einfachheit der Herstellung ab und von der Anzahl der Spannungen, die man anlegen möchte.
  • Es wird jetzt auf Figur 8 Bezug genommen. Darin ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt, bei dem ein Mehrschichtkondensator 10 mit einem keramischen Substrat 60 verbunden ist, um eine Anordnung mit elektronischen Bauelementen zu bilden. Während der Mehrschichtkondensator 10 der ist, der in den Figuren 1-3 dargestellt wurde, versteht es sich, daß jeder der anderen Kondensatoren, die vorher diskutiert wurden, für das Ausführungsbeispiel nach Figur 8 verwendet werden kann. Das keramische Substrat 60 weist Auflagen 62 auf seiner Oberfläche auf für eine Lötverbindung mit einer elektronischen Komponente, die für Zwecke der Darstellung der Mehrschichtkondensator 10 ist. Der Mehrschichtkondensator besitzt, wie das vorher diskutiert wurde, Inseln der Metallisierung 34, die selektive Gruppen von Vorsprüngen verbinden. Der Mehrschichtkondensator 10 umfaßt weiter eine zusätzliche Metallisierung 36 auf jeder der Inseln 34, um den Kondensator 10 gegenüber dem Substrat 60 abzugrenzen. Die zusätzliche Metallisierung 36 umfaßt bei diesem Ausführungsbeispiel jedoch eine Lotauflage 42, die im wesentlichen jede der Inseln 34 bedeckt. Wie erkannt werden kann, ist diese zusätzliche Metallisierung 36, das heißt die Lotauflage 42, identisch mit der, die mit Bezug auf das Ausführungsbeispiel nach Figur 7 diskutiert wurde. Der Kondensator wird mit dem Substrat 60 durch Kontaktieren der Auflagen 62 des Substrates 60 mit der Lotauflage 42 des Kondensators 10 und anschließendes Erhitzen bis zum Schmelzen der Lotauflage 42 verbunden.
  • Der besondere Vorteil des Ausführungsbeispieles nach Figur 8 besteht darin, daß, während früher jede der Auflagen 62 auf dem Substrat 60 mit einer einzigen Durchverbindung in dem Substrat verbunden waren, jetzt aufgrund der größeren Kontaktfläche zwischen dem Kondensator 10 und dem Substrat 60 durch die Lotauflagen 42 jede der Auflagen 62 nun mit zumindest zwei Durchverbindungen 64 und 66 verbunden werden kann. In Übereinstimmung mit den Vorteilen der Erfindung, die vorher diskutiert wurden, sorgt die Tatsache, daß mehrfache Durchverbindungen mit jeder Auflage 62 verbunden werden können, für zusätzliche Redundanz in der Substratverdrahtung, wodurch die Gesamtbetriebsweise der elektronischen Packungsanordnung verbessert wird.
  • Solche Anschlüße aus vollständigen Inseln sind auch vorteilhaft, wenn die Kondensatorvorsprünge durch Inseln führen und nicht entlang von Inseln und direkt in übereinstimmende Substratinseln führen, wobei der Widerstand innerhalb des Verbindungskomplexes stark verringert wird. In einem etwas geringeren Ausmaß wird der Widerstand auch dort verringert, wo die Begrenzung durch die Lotkügelchen erfolgt.
  • Es sollte jetzt klar sein, daß der Mehrschichtkondensator der Erfindung mit mehrschichtigen keramischen Substraten verbunden werden kann. Das Verbinden mit dem Substrat kann über Anschlüsse aus vollständigen Inseln, wie sie eben diskutiert wurden, oder über Lotkügelchen erfolgen. Außerdem können Kondensatoren oberflächenmontiert werden, wobei Verbindungen zu dem Substrat über Wirebonding erfolgen. Schließlich können die Kondensatoren alternativ mit polymeren oder organischen Substraten, wie z. B. Platinen mit gedruckter Schaltung, verbunden werden.
  • Für die Fachleute, die Beziehung zu dieser Beschreibung haben, ist es klar, daß andere Modifikationen dieser Erfindung über die Ausführungsbeispiele hinaus, die speziell hier beschrieben wurden, vorgenommen werden können ohne die Erfindung, wie sie durch die angefügten Patentansprüche definiert ist, zu verlassen.

Claims (13)

1. Mehrschichtkondensator (10) , bestehend aus: einer Mehrzahl von Lamellen (12) , wobei jede der Lamellen aus einem leitenden Plattenteil ( 14) und einem nicht leitenden Streifenteil (16) besteht,
und der leitende Plattenteil (14) zumindest einen Vorsprung (20) aufweist, der zumindest bis zu einem Rand (32) des leitenden Plattenteils vorspringt,
und die Lamellen (12) in verschiedene Gruppen unterteilt sind, wobei die Lamellen jeder Gruppe die gleiche Anzahl an Vorsprüngen an der gleichen Stelle aufweisen und die Lamellen aus verschiedenen Gruppen sich zumindest durch die Stelle der Vorsprünge unterscheiden,
und die Lamellen so verschachtelt sind, daß:
(a) eine Lamelle (22) aus einer Gruppe abwechselt mit einer Lamelle (28) aus einer anderen Gruppe,
(b) der leitende Plattenteil jeder Lamelle in Kontakt ist mit dem nichtleitenden Streitenteil jeder benachbarten Lamelle,
(c) die Vorsprünge sich an einem gemeinsamen Rand jeder Lamelle befinden, so daß die Vorsprünge der verschachtelten Lamellen Reihen von Vorsprüngen bilden und
(d) die Vorsprünge (24, 26 und 30, 31,) benachbarter Lamellen nicht miteinander ausgerichtet sind,
und dadurch gekennzeichnet, daß er weiter enthält Inseln (34) der Metallisierung, die ausgewählte Gruppen der Vorsprünge in jeder Reihe so verbinden, daß jede der Inseln einen Teil der Vorsprünge in jeder Reihe bedeckt.
2. Kondensator nach Anspruch 1, bei dem die Lamellen in nur zwei verschiedene Gruppen unterteilt sind.
2. Kondensator nach Anspruch 1, bei dem die Lamellen in nur zwei verschiedene Gruppen unterteilt sind.
3. Kondensator nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die maximale Anzahl von Vorsprüngen (20) pro leitendem Plattenteil (14) begrenzt ist, um eine übermäßige seitliche Anhäufung zu vermeiden.
4. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem jede der Inseln (34) der Metallisierung nur einen Teil jeder einzelnen Reihe der Vorsprunge bedeckt.
5. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Gesamtzahl der Vorsprünge für jede Lamelle 2 und die Gesamtzahl der Vorsprünge für jede zweier benachbarter Lamellen 4 sein soll.
6. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem jede der Inseln und der ausgewählten Gruppen der Vorsprünge unabhängig einem vorgegebenen Energiepegel zugeordnet werden kann und bei dem die Dicke der nichtleitenden Streifenteile zwischen benachbarten leitenden Plattenteilen gleichmäßig ist, mit der Ausnahme, daß zwischen jeder der Inseln der nichtleitende Streifenteil eine erhöhte Dicke besitzt.
7. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem jeder der leitenden Plattenteile in getrennte und fest umrissene Segmente unterteilt ist, so daß es eine Anzahl von Segmenten des leitenden Plattenteiles für jeden nichtleitenden Streifenteil gibt, wobei der leitende Plattenteil in zwei gleiche Segmente unterteilt ist und jedes der Segmente zumindest einen Vorsprung aufweist, der von einem gemeinsamen Rand vorspringt.
8. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiter bestehend aus einer zusätzlichen Metallisierung (36) auf jeder der Inseln zum Abgrenzen des Kondensators auf einem Substrat.
9. Kondensator nach Anspruch 8, bei dem die zusätzliche Metallisierung eine Kügelchen begrenzende Metallisierung und Lötkügelchen oder eine Lotauflage umfaßt die im wesentlichen jede der Inseln bedeckt.
10. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Inseln der Metallisierung aus der Gruppe ausgewählt sind, die Schichten von Chrom/Kupfer/Gold umfaßt bzw. eine Schicht von Chrom.
11. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 10, weiter umfassend zumindest einen Vorsprung, der zu einem entgegengesetzten Rand jedes der leitenden Plattenteile so vorspringt, daß jeder Rand der leitenden Plattenteile der zumindest einen Vorsprung aufweist, ein Spiegelbild des gegenüberliegenden Randes der leitenden Plattenteile darstellt, und der weiter Inseln der Metallisierung umfaßt, die ausgewählte Gruppen gegenüberliegender Vorsprünge so verbinden, daß die Inseln der Metallisierung auf gegenüberliegenden Seiten des Kondensators spiegelbildlich ausgewählte Gruppen der Vorsprünge verbinden.
12. Kondensator nach Anspruch 11, bei dem die zusältzliche Metallisierung auf einer Seite des Kondensators dazu dient, den Kondensator auf einem Substrat zu begrenzen und die zusätzliche Metallisierung.
13. Kondensator nach einem der Ansprüche 8 bis 12, der in einer Anordnung mit elektronischen Komponenten verwendet wird, der ferner ein keramisches Substrat umfaßt, das Auflagen für eine Lötverbindung mit einer elektronischen Komponente aufweist, wobei der Kondensator mit dem Substrat verbunden ist durch Kontaktieren der Auflagen des Substrates mit der Lötauflage des Kondensators.
DE89480066T 1988-06-27 1989-04-25 Mehrschichtkondensator. Expired - Fee Related DE68907658T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/212,361 US4831494A (en) 1988-06-27 1988-06-27 Multilayer capacitor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE68907658D1 DE68907658D1 (de) 1993-08-26
DE68907658T2 true DE68907658T2 (de) 1994-02-17

Family

ID=22790683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE89480066T Expired - Fee Related DE68907658T2 (de) 1988-06-27 1989-04-25 Mehrschichtkondensator.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4831494A (de)
EP (1) EP0351343B1 (de)
JP (1) JP2657953B2 (de)
BR (1) BR8903107A (de)
CA (1) CA1290414C (de)
DE (1) DE68907658T2 (de)
ES (1) ES2044199T3 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006054086A1 (de) * 2006-11-16 2008-05-29 Epcos Ag Vielschicht-Kondensator

Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5036426A (en) * 1990-02-22 1991-07-30 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for tuning and matching an NMR coil
US5430605A (en) * 1992-08-04 1995-07-04 Murata Erie North America, Inc. Composite multilayer capacitive device and method for fabricating the same
US5367430A (en) * 1992-10-21 1994-11-22 Presidio Components, Inc. Monolithic multiple capacitor
KR960004092B1 (ko) * 1993-03-17 1996-03-26 금성일렉트론주식회사 반도체 소자의 범프 형성방법
US5369545A (en) * 1993-06-30 1994-11-29 Intel Corporation De-coupling capacitor on the top of the silicon die by eutectic flip bonding
US5616980A (en) * 1993-07-09 1997-04-01 Nanomotion Ltd. Ceramic motor
US5682076A (en) * 1993-08-03 1997-10-28 Nanomotion Ltd. Ceramic disc-drive actuator
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US5898562A (en) * 1997-05-09 1999-04-27 Avx Corporation Integrated dual frequency noise attenuator
US5880925A (en) * 1997-06-27 1999-03-09 Avx Corporation Surface mount multilayer capacitor
JP2991175B2 (ja) * 1997-11-10 1999-12-20 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
US6266229B1 (en) 1997-11-10 2001-07-24 Murata Manufacturing Co., Ltd Multilayer capacitor
US6292350B1 (en) 1997-11-10 2001-09-18 Murata Manufacturing, Co., Ltd Multilayer capacitor
JP3514195B2 (ja) * 1999-12-27 2004-03-31 株式会社村田製作所 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路
US6266228B1 (en) 1997-11-10 2001-07-24 Murata Manufacturing Co., Ltd Multilayer capacitor
US6549395B1 (en) 1997-11-14 2003-04-15 Murata Manufacturing Co., Ltd Multilayer capacitor
JP3336954B2 (ja) * 1998-05-21 2002-10-21 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
JP3309813B2 (ja) * 1998-10-06 2002-07-29 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
US6282079B1 (en) * 1998-11-30 2001-08-28 Kyocera Corporation Capacitor
US6212060B1 (en) * 1999-03-31 2001-04-03 Krypton Isolation, Inc. Multi-capacitor device
JP3548821B2 (ja) 1999-05-10 2004-07-28 株式会社村田製作所 積層コンデンサ、ならびにこれを用いた電子装置および高周波回路
JP3476127B2 (ja) 1999-05-10 2003-12-10 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
US6104598A (en) * 1999-07-28 2000-08-15 Delaware Capital Formation, Inc. Free form capacitor
JP3489728B2 (ja) 1999-10-18 2004-01-26 株式会社村田製作所 積層コンデンサ、配線基板および高周波回路
US6327134B1 (en) 1999-10-18 2001-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multi-layer capacitor, wiring board, and high-frequency circuit
US6292351B1 (en) * 1999-11-17 2001-09-18 Tdk Corporation Multilayer ceramic capacitor for three-dimensional mounting
JP3489729B2 (ja) 1999-11-19 2004-01-26 株式会社村田製作所 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路
JP3337018B2 (ja) 1999-11-19 2002-10-21 株式会社村田製作所 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路
US6801422B2 (en) * 1999-12-28 2004-10-05 Intel Corporation High performance capacitor
US6441459B1 (en) * 2000-01-28 2002-08-27 Tdk Corporation Multilayer electronic device and method for producing same
US6724611B1 (en) 2000-03-29 2004-04-20 Intel Corporation Multi-layer chip capacitor
JP4573956B2 (ja) * 2000-06-30 2010-11-04 京セラ株式会社 積層型電子部品およびその製法
JP2002057066A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Taiyo Yuden Co Ltd チップアレイ及びその製造方法
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech Inc Wafersonde
EP1605478B1 (de) * 2000-12-28 2007-08-29 TDK Corporation Keramischer Vielschichtkondensator für dreidimensionale Montage
US6477032B2 (en) * 2001-01-31 2002-11-05 Avx Corporation Low inductance chip with center via contact
US6459561B1 (en) * 2001-06-12 2002-10-01 Avx Corporation Low inductance grid array capacitor
US7355420B2 (en) 2001-08-21 2008-04-08 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6757152B2 (en) * 2001-09-05 2004-06-29 Avx Corporation Cascade capacitor
US7057878B2 (en) * 2002-04-12 2006-06-06 Avx Corporation Discrete component array
US7177137B2 (en) * 2002-04-15 2007-02-13 Avx Corporation Plated terminations
US7152291B2 (en) * 2002-04-15 2006-12-26 Avx Corporation Method for forming plated terminations
TWI260657B (en) 2002-04-15 2006-08-21 Avx Corp Plated terminations
US7576968B2 (en) * 2002-04-15 2009-08-18 Avx Corporation Plated terminations and method of forming using electrolytic plating
US6960366B2 (en) 2002-04-15 2005-11-01 Avx Corporation Plated terminations
US6982863B2 (en) * 2002-04-15 2006-01-03 Avx Corporation Component formation via plating technology
US7463474B2 (en) * 2002-04-15 2008-12-09 Avx Corporation System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components
JP4208832B2 (ja) * 2002-06-18 2009-01-14 Tdk株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US7342771B2 (en) * 2002-06-18 2008-03-11 Tdk Corporation Solid electrolytic capacitor and a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor
TWI221620B (en) * 2002-06-18 2004-10-01 Tdk Corp Solid electrolytic capacitor, board having embedded solid-state electrolytic capacitor and manufacturing method of the same
US6606237B1 (en) * 2002-06-27 2003-08-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer capacitor, wiring board, decoupling circuit, and high frequency circuit incorporating the same
US7016175B2 (en) * 2002-10-03 2006-03-21 Avx Corporation Window via capacitor
US7573698B2 (en) * 2002-10-03 2009-08-11 Avx Corporation Window via capacitors
US6819543B2 (en) * 2002-12-31 2004-11-16 Intel Corporation Multilayer capacitor with multiple plates per layer
WO2004084243A1 (ja) * 2003-03-17 2004-09-30 Tdk Corporation コンデンサ素子、固体電解コンデンサ及びそれらの製造方法並びにコンデンサ素子結合体
GB2400493B (en) * 2003-04-08 2005-11-09 Avx Corp Plated terminations
US6950300B2 (en) * 2003-05-06 2005-09-27 Marvell World Trade Ltd. Ultra low inductance multi layer ceramic capacitor
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
JP4354227B2 (ja) 2003-07-23 2009-10-28 Tdk株式会社 固体電解コンデンサ
JP3897745B2 (ja) * 2003-08-29 2007-03-28 Tdk株式会社 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造
JP3942565B2 (ja) 2003-08-29 2007-07-11 Tdk株式会社 ノイズフィルタ
US7227739B2 (en) * 2003-09-26 2007-06-05 Tdk Corporation Solid electrolytic capacitor
JP4059181B2 (ja) * 2003-09-29 2008-03-12 株式会社村田製作所 多端子型積層セラミック電子部品の製造方法
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
JP4343652B2 (ja) * 2003-11-07 2009-10-14 Tdk株式会社 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサデバイス
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
US7427868B2 (en) 2003-12-24 2008-09-23 Cascade Microtech, Inc. Active wafer probe
US6870728B1 (en) 2004-01-29 2005-03-22 Tdk Corporation Electrolytic capacitor
US7068490B2 (en) * 2004-04-16 2006-06-27 Kemet Electronics Corporation Thermal dissipating capacitor and electrical component comprising same
JP2008512680A (ja) 2004-09-13 2008-04-24 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド 両面プロービング構造体
KR100691146B1 (ko) * 2004-12-24 2007-03-09 삼성전기주식회사 적층형 캐패시터 및 적층형 캐패시터가 내장된 인쇄회로기판
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
JP4146849B2 (ja) * 2005-04-14 2008-09-10 Tdk株式会社 発光装置
US7505239B2 (en) 2005-04-14 2009-03-17 Tdk Corporation Light emitting device
JP4146450B2 (ja) * 2005-04-19 2008-09-10 Tdk株式会社 発光装置
US7408763B2 (en) * 2005-07-19 2008-08-05 Apurba Roy Low inductance multilayer capacitor
JP4146858B2 (ja) * 2005-08-26 2008-09-10 Tdk株式会社 積層コンデンサ
US7414857B2 (en) * 2005-10-31 2008-08-19 Avx Corporation Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals
US7697262B2 (en) 2005-10-31 2010-04-13 Avx Corporation Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals
US7724496B2 (en) * 2005-11-04 2010-05-25 Avx Corporation Multilayer vertically integrated array technology
US8169014B2 (en) 2006-01-09 2012-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interdigitated capacitive structure for an integrated circuit
JP4462194B2 (ja) * 2006-01-17 2010-05-12 Tdk株式会社 積層型貫通コンデンサアレイ
US7292429B2 (en) * 2006-01-18 2007-11-06 Kemet Electronics Corporation Low inductance capacitor
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
JP4662368B2 (ja) * 2006-06-22 2011-03-30 Necトーキン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
US7961453B2 (en) * 2007-01-09 2011-06-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor
US8238116B2 (en) 2007-04-13 2012-08-07 Avx Corporation Land grid feedthrough low ESL technology
US8045319B2 (en) * 2007-06-13 2011-10-25 Avx Corporation Controlled ESR decoupling capacitor
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
JP5012432B2 (ja) * 2007-11-07 2012-08-29 Tdk株式会社 セラミック電子部品
US20090154056A1 (en) * 2007-12-17 2009-06-18 General Electric Company Low inductance capacitor and method of manufacturing same
JP2009295683A (ja) 2008-06-03 2009-12-17 Tdk Corp チップ型電子部品
US8446705B2 (en) * 2008-08-18 2013-05-21 Avx Corporation Ultra broadband capacitor
TWI455012B (zh) * 2008-08-19 2014-10-01 Wistron Corp 顯示器分割畫面顯示方法及應用該方法之電子裝置
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
WO2010059247A2 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
JP4998480B2 (ja) * 2009-01-07 2012-08-15 Tdk株式会社 セラミック電子部品
US20100188799A1 (en) * 2009-01-28 2010-07-29 Avx Corporation Controlled esr low inductance capacitor
US9675808B2 (en) 2011-09-27 2017-06-13 Medtronic, Inc. Battery and capacitor arrangement for an implantable medical device
US9093974B2 (en) 2012-09-05 2015-07-28 Avx Corporation Electromagnetic interference filter for implanted electronics
US20150021082A1 (en) 2013-07-17 2015-01-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor and board having the same
KR101698167B1 (ko) * 2015-01-02 2017-01-19 삼화콘덴서공업주식회사 적층 세라믹 커패시터
WO2018213293A1 (en) * 2017-05-15 2018-11-22 Avx Corporation Multilayer capacitor and circuit board containing the same
CN116072429A (zh) 2017-06-29 2023-05-05 京瓷Avx元器件公司 表面安装的多层耦合电容器和包含该电容器的电路板
CN111433869A (zh) 2017-10-23 2020-07-17 阿维科斯公司 具有改善的连接性的多层电子设备及其制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3303393A (en) * 1963-12-27 1967-02-07 Ibm Terminals for microminiaturized devices and methods of connecting same to circuit panels
US3398326A (en) * 1965-08-25 1968-08-20 Vitramon Inc Solid-state electrical component combining multiple capacitors with other kinds of impedance
US3448355A (en) * 1967-03-01 1969-06-03 Amp Inc Laminated electrical capacitor and methods for making
US3898541A (en) * 1973-12-17 1975-08-05 Vitramon Inc Capacitors and method of adjustment
US3921285A (en) * 1974-07-15 1975-11-25 Ibm Method for joining microminiature components to a carrying structure
US4349862A (en) * 1980-08-11 1982-09-14 International Business Machines Corporation Capacitive chip carrier and multilayer ceramic capacitors
FR2496970A1 (fr) * 1980-12-18 1982-06-25 Eurofarad Composant electronique multiple du type ceramique multi-couches avec sorties alternees et son procede de fabrication
FR2507379A1 (fr) * 1981-06-05 1982-12-10 Europ Composants Electron Bloc de condensateurs en serie et multiplicateur de tension utilisant un tel bloc de condensateurs
US4419714A (en) * 1982-04-02 1983-12-06 International Business Machines Corporation Low inductance ceramic capacitor and method for its making
US4458294A (en) * 1982-07-28 1984-07-03 Corning Glass Works Compliant termination for ceramic chip capacitors
US4430690A (en) * 1982-10-07 1984-02-07 International Business Machines Corporation Low inductance MLC capacitor with metal impregnation and solder bar contact
JPS6048230U (ja) * 1983-09-11 1985-04-04 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JPS60149125U (ja) * 1984-03-13 1985-10-03 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JPS6228743U (de) * 1985-08-02 1987-02-21

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006054086A1 (de) * 2006-11-16 2008-05-29 Epcos Ag Vielschicht-Kondensator

Also Published As

Publication number Publication date
ES2044199T3 (es) 1994-01-01
JP2657953B2 (ja) 1997-09-30
EP0351343B1 (de) 1993-07-21
JPH02256216A (ja) 1990-10-17
BR8903107A (pt) 1990-02-06
DE68907658D1 (de) 1993-08-26
CA1290414C (en) 1991-10-08
US4831494A (en) 1989-05-16
EP0351343A1 (de) 1990-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68907658T2 (de) Mehrschichtkondensator.
DE69206339T2 (de) Halbleiterspeichersteuerung und Methode zur Montage in hoher Dichte.
DE68910385T3 (de) Herstellungsverfahren einer elektronischen Speicherkarte und elektronische Speicherkarte, die nach diesem Verfahren hergestellt ist.
EP0035093B1 (de) Anordnung zum Packen mehrerer schnellschaltender Halbleiterchips
DE68920764T2 (de) Schnittstellenverbinder mit gesteuertem Impedanzverhalten.
DE2542518C3 (de)
DE2857467C2 (de)
DE19755954B4 (de) Leiterrahmenstruktur, diese verwendende Halbleiterbaugruppe und Herstellungsverfahren hierfür
DE69205078T2 (de) Verbindungstechnik für elektronische Vorrichtungen.
DE112006002516T5 (de) Chip-Widertand
DE68905475T2 (de) Halbleiter-speichermodul hoeher dichte.
DE3724703A1 (de) Entkopplungskondensator fuer schaltkreisbausteine mit rasterfoermigen kontaktstiftanordnungen und daraus bestehende entkopplungsanordnungen
DE3035268A1 (de) Fluessigkristall-anzeigematrix
DE4301915A1 (de) Mehrfachchip-Halbleitervorrichtung
DE3411134A1 (de) Dickschichtverzoegerungsleitung und verfahren zu deren herstellung
EP0878026B1 (de) Leuchtdiodenmatrix
DE69216452T2 (de) Halbleiteranordnung mit elektromagnetischer Abschirmung
DE68928193T2 (de) Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102007013751A1 (de) Tiefpassfilter und Tiefpassfilter-Anordnung
DE3138967C2 (de) "Mehrlagige Flüssigkristall-Anzeigetafel mit Matrix-Struktur"
DE4130569A1 (de) Ic-paketiereinrichtung
DE68919008T2 (de) Verzögerungsleitung mit verteilten Impedanzelementen und Verfahren zu dessen Herstellung.
EP0361285B1 (de) Kapazitive Schaltungskarte
DE60037961T2 (de) Verfahren und Struktur zur Reduzierung des Leistungsrauschens
DE69300372T2 (de) Baugruppe von elektronischen Bauteilen.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee