DE4404885A1 - Selektives Ätzverfahren - Google Patents

Selektives Ätzverfahren

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich generell auf ein selektives Ätzver­ fahren, das bei der Herstellung von Halbleitern angewandt wird, und ins­ besondere auf ein Verfahren zum selektiven Ätzen eines Siliciumnitrid­ films im Hinblick auf einen Siliciumfilm.
Ein Siliciumnitridfilm wird üblicherweise als Oxidationsmaskenschicht verwendet, wenn Silicium lokal oxidiert werden soll, wenn also ein LOCOS- Prozeß ausgeführt wird, was häufig bei der Herstellung von Halbleiterein­ richtungen der Fall ist.
Zum besseren Verständnis des Hintergrunds der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend ein konventioneller LOCOS-Prozeß beschrieben, wobei auch auf die dabei entstehenden Probleme eingegangen wird.
Die Fig. 1 dient zur Illustration des konventionellen LOCOS-Prozesses. Bei diesem Prozeß erfolgt die Temperung eines Siliciumsubstrats 1 bei etwa 950 °C sowie in oxidierender Umgebung, beispielsweise in einer O₂-Umge­ bung, um auf dem Siliciumsubstrat 1 einen Oxidfilm 2 mit einer Dicke von 20 bis 30 Nanometern (200 bis 300 Å) zu erzeugen, der als Unterlage bzw. Kissen dient (pad oxide film). Sodann wird auf diesen Oxidfilm 2 ein Silici­ umnitridfilm 3 mit einer Dicke von etwa 140 bis 250 Nanometern (1400 bis 2500 Å) aufgebracht, und zwar bei Temperaturen im Bereich von 750 bis 800°C unter Verwendung einer Gasmischung von NH₃ und SiH₄, oder un­ ter Verwendung einer Gasmischung von NH₃ und SiH₄ bei Durchführung eines LPCVD-Verfahrens (Low Pressure Chemical Vapor Deposition- Verfahren). Danach wird der Siliciumnitridfilm 3 einem anisotropen Trockenätzverfahren unterworfen, und zwar unter Verwendung eines CHF₃ oder CF₄ enthaltenden Ätzgases sowie unter Verwendung eines vor­ bestimmten photosensitiven Filmmusters als Maske, um auf diese Weise einen vorbestimmten Bereich des Substrats freizulegen, der als Einrich­ tungstrennbereich dient. Nach Entfernung des photosensitiven Filmmu­ sters wird dann der freigelegte Substratbereich oxidiert, und zwar bei ei­ ner Temperatur von etwa 1000°C und über einen Zeitraum von 100 bis 200 Minuten sowie unter Verwendung einer Gasmischung aus O₂ und H₂, um einen Feldoxidfilm 4 mit einer Dicke von etwa 400 bis 700 Nanometern (4000 bis 7000 Å) zu erhalten.
Nach Bildung des Feldoxidfilms 4 wird der als Maskenschicht verwendete Siliciumnitridfilm 3 entfernt, wobei der darunterliegende Oxidfilm 2 als Ätzstopper dient. Die Entfernung des Siliciumnitridfilms 3 erfolgt durch einen Naßätzprozeß, und zwar durch Rückflußkochen von Phosphorsäure (H₃PO₄)-Lösung, wodurch eine hohe Ätzselektivität erhalten wird. Bei­ spielsweise wird beim Ätzen des Siliciumnitridfilms 3 mit dem darunterlie­ genden Oxidfilm 2 als Ätzstopper eine Phosphorsäurelösung mit einer Konzentration von 91,5% verwendet, durch die der Siliciumnitridfilm 3 mit einer Geschwindigkeit von 10,5 Nanometern pro Minute (105 Å pro Minute) bei einer Temperatur von 180°C geätzt wird. Andererseits wird durch diese Lösung der darunterliegende Oxidfilm 2 nicht geätzt, so daß dessen Ätzgeschwindigkeit 0 Å pro Minute beträgt. Dieser als Ätzstopper verwendete Oxidfilm 2 ist also sehr widerstandsfähig hinsichtlich der be­ nutzten Ätzlösung.
Während der LOCOS-Prozeß ausgeführt wird, bildet sich jedoch ein dün­ ner Siliciumnitridfilm an der Grenzfläche zwischen dem Oxidfilm 2 und dem Siliciumsubstrat 1, was als sogenanntes "White Ribbon"-Phänomen bezeichnet wird, auf das Kooli et al. aufmerksam gemacht haben. Dieses Phänomen tritt aufgrund der Tatsache auf, daß Ammoniakgas durch den Oxidfilm 2 hindurch in die Oberfläche des Siliciumsubstrats 1 hineindif­ fundiert und mit dem Siliciumsubstrat 1 reagiert, wodurch sich ein spot- bzw. punktförmiger Siliciumnitridfilm bildet. Das Ammoniakgas entsteht dabei aufgrund der Reaktion von Feuchtigkeit (H₂O) mit der Masken­ schicht 3, die aus dem Siliciumnitrid (Si₃N₄)-Film besteht.
Wie in Fig. 1 zu erkennen ist, führt die Bildung des kleinen spot- bzw. punktförmigen Nitridfilmbereichs K dazu, daß der Oxidfilm 2 lokal dünner wird. Obwohl im allgemeinen der Oxidfilm 2 gegen Ätzen relativ wider­ standsfähig ist, kann er dennoch langsam geätzt werden, nachdem der Si­ liciumnitridfilm 3 entfernt worden ist. Es kann daher passieren, daß da­ durch das Siliciumsubstrat 1 im dünneren Bereich des Oxidfilms 2 freige­ legt und somit lokal beschädigt wird, und zwar durch Wirkung der Ätzlö­ sung, die zum Wegätzen des Siliciumnitridfilms verwendet wird. Dieses Phänomen tritt umso stärker auf, je höher der Intergrationsgrad der Halb­ leitereinrichtung ist, je dünner also der als Unterlage verwendete Oxidfilm 2 ist.
Andererseits ist die Entfernung des Siliciumnitridfilms auch durch ein Naßätzverfahren möglich, bei dem ein polysilicium-gepufferter LOCOS- Prozeß (nachfolgend als PBL-Prozeß bezeichnet) durchgeführt wird, bei dem von einer Polysiliciumschicht Gebrauch gemacht wird, die zwischen dem Siliciumoxidfilm und dem Siliciumnitridfilm liegt. Während der Ent­ fernung des Siliciumnitridfilms durch Anwendung des PBL-Prozesses dringt dann Ätzlösung in die Polysiliciumschicht ein und beschädigt diese.
Wird zum Beispiel als Ätzlösung eine Salpetersäurelösung verwendet, die eine Konzentration von 95% hat, so beträgt die Ätzgeschwindigkeit für den Siliciumnitridfilm etwa 5,5 Nanometer pro Minute (55 Å pro Minute) bei ei­ ner Temperatur von 165°C, während bei derselben Temperatur die Ätzge­ schwindigkeit für die Polysiliciumschicht bei 1,3 Nanometer pro Minute (13 Å pro Minute) liegt. Die Differenz zwischen diesen beiden Ätzgeschwin­ digkeiten ist nicht so groß. Um die Beschädigung der Polysiliciumschicht zu verhindern, sind daher zusätzliche Ätzmaßnahmen erforderlich, was zu einem relativ komplizierten Halbleiter-Herstellungsverfahren führt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die oben beschriebenen Proble­ me zu überwinden und ein selektives Ätzverfahren zu schaffen, mit dem eine verbesserte Selektivität für das zu ätzende Material erreicht wird, das mit den anderen Materialien koexistieren kann.
Lösungen der gestellten Aufgabe sind in den kennzeichnenden Teilen der nebengeordneten Patentansprüche 1, 9 und 14 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den jeweils nachgeordneten Unteransprüchen zu entnehmen.
Ein selektives Ätzverfahren nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeichnet sich durch folgende Schritte aus:
  • - ein vorbestimmter Bereich einer ersten Materialschicht, die auf einem Substrat liegt, wird mit einem zweiten Material bzw. einer zweiten Materialschicht abgedeckt; und
  • - die erste Materialschicht und die zweite Materialschicht werden mit einer ein drittes Material enthaltenen Ätzlösung beaufschlagt bzw. in Kontakt gebracht, um die freiliegende Oberfläche der ersten Ma­ terialschicht mit Hilfe des dritten Materials in eine vierte Materi­ alschicht umzuwandeln, die eine höhere Ätzselektivität als die zweite Materialschicht hat, wobei gleichzeitig die zweite Material­ schicht geätzt wird. Höhere Ätzselektivität bedeutet, daß die vierte Materialschicht durch die Ätzlösung praktisch nicht angegriffen wird.
Ein anderes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen selektiven Ätz­ verfahrens zeichnet sich durch folgende Schritte aus
  • - Bildung eines Schutzfilms auf einer ersten Materialschicht, die auf einem Substrat liegt;
  • - Bildung einer zweiten Materialschicht auf dem Schutzfilm; und
  • - Entfernen der zweiten Materialschicht durch Naßätzen.
Auch hier weist der Schutzfilm eine höhere Ätzselektivität auf als die zwei­ te Materialschicht, so daß er praktisch durch die Ätzlösung nicht angegrif­ fen wird.
Ein drittes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen selektiven Ätz­ verfahrens zeichnet sich durch folgende Schritte aus:
  • - Bildung einer zweiten Materialschicht in vorbestimmten Bereichen auf einer ersten Materialschicht, die auf einem Substrat liegt, so daß die erste Materialschicht bereichsweise freiliegt;
  • - Bildung eines Schutzfilms mit höherer Ätzselektivität als die zweite Materialschicht auf der freiliegenden Oberfläche der ersten Materi­ alschicht; und
  • - Entfernen des zweiten Materials durch Naßätzen.
Infolge der höheren Ätzselektivität des Schutzfilms wird dieser durch die Ätzlösung praktisch nicht angegriffen, wenn das zweite Material bzw. die zweite Materialschicht geätzt wird.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des beim LOCOS-Prozeß auftretenden "White Ribbon"- Phänomens;
Fig. 2A und 2B Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines selektiven Ätzprozesses nach einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3A und 3B Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines selektiven Ätzprozesses nach einem zweiten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 eine Querschnittsdarstellung zur Erläuterung eines selektiven Ätzprozesses nach einem dritten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 5 eine Querschnittsdarstellung zur Erläuterung eines selektiven Ätzprozesses nach einem vierten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung läßt sich die Ätz­ selektivität für einen Siliciumfilm, insbesondere für einen amorphen Siliciumfilm oder für einen Polysiliciumfilm verbessern, wenn ein Silici­ umnitridfilm einem Naßätzverfahren unterzogen wird, bei dem eine Phos­ phorsäurelösung verwendet wird. Während oder vor dem Ätzen des Sili­ ciumnitridfilms wird ein dünner Siliciumoxidfilm auf der Oberfläche des Siliciumfilms gebildet, der benachbart bzw. unterhalb eines Nitridfilms oder eines aus ihm gebildeten Musters liegt. Mit anderen Worten über­ nimmt der Siliciumoxidfilm die Funktion eines Schutzfilms für den Silici­ umfilm, da der Siliciumoxidfilm eine geringere Reaktivität bezüglich der Phosphorsäurelösung aufweist als der Siliciumnitridfilm.
Erfolgt ein Naßätzen des Siliciumnitridfilms durch Verwendung einer Phosphorsäurelösung, so hydrolysieren Phosphorsäure und Wasser den Siliciumnitridfilm in wäßrige Silicamasse (wäßriges Siliciumdioxid) und Ammoniak, wobei Ammoniumphosphat (Ammoniakphosphat) in der Lö­ sung gebildet wird. Da die Si-O-Si-Bindung stärker ist und nicht mehr so leicht hydrolysiert werden kann wie die Si-N-Bindung, bildet sich ein Oxidfilm, der stärker bzw. stabiler ist als ein Nitridfilm.
Als Ätzlösung kommt nach der Erfindung vorzugsweise eine Phosphorsäu­ relösung zum Einsatz. Eine derartige Lösung weist vorteilhaft Siedepunk­ te im Bereich von etwa 140°C bis etwa 200°C auf, wobei der Phosphorsäu­ reanteil etwa 78 bis 98 Gew.-% beträgt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend un­ ter Bezugnahme auf die Zeichnung genauer beschrieben, wobei gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen sind.
Die Fig. 2A und 2B illustrieren einen selektiven Ätzprozeß in Übereinstim­ mung mit einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Auf einem Substrat 11 befindet sich gemäß Fig. 2A ein aufgebrachter Sili­ ciumfilm 12, der ein amorpher Siliciumfilm oder ein Polysiliciumfilm sein kann. Auf dem Siliciumfilm 12 liegt ein Nitridfilm, der anschließend durch einen Trockenätzprozeß bereichsweise entfernt wird, um in einem vorbe­ stimmten Bereich auf dem Siliciumfilm 12 ein Nitridfilmmuster 13 zu er­ halten. Im Ergebnis liegt also der Siliciumfilm 12 bereichsweise frei, wäh­ rend er andererseits bereichsweise durch das Nitridfilmmuster 13 abge­ deckt ist. Der Trockenätzprozeß, der zur Bildung des Nitridfilmmusters 13 verwendet wird, beeinflußt den Siliciumfilm 12 praktisch nicht oder nur sehr wenig.
Um das Nitridfilmmuster 13 zu ätzen, wird vorzugsweise eine Ätzlösung verwendet, die aus einer Phosphorsäure (H₃PO₄)-Lösung und einem Oxi­ dationsmittel besteht, beispielsweise Wasserstoffperoxid (H₂O₂), wobei der Anteil des Oxidationsmittels nicht weniger als 10 Gew.-% der Ätzlö­ sung ist. Der entsprechende Vorgang ist in Fig. 2B gezeigt.
Mischt sich die Phosphorsäurelösung mit dem Oxidationsmittel, also mit dem Wasserstoffperoxid, so spaltet sich ein Wasserstoffperoxidmolekül in ein Wassermolekül und in ein Sauerstoffradikal auf, welches die freigeleg­ te Oberfläche des Siliciumfilms 12 oxidiert. Mit anderen Worten schützt nach der vorliegenden Erfindung die verwendete Ätzlösung den freigeleg­ ten Siliciumfilm 12, während sie andererseits das Nitridfilmmuster 13 ätzt. Im einzelnen übernimmt die Phosphorsäurelösung innerhalb der Ätz­ lösung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung das Ätzen des Nitridfilmmusters 13 beim Naßätzverfahren, während das Oxidationsmit­ tel, also zum Beispiel der Wasserstoffperoxid, Sauerstoffradikale erzeugt, die mit dem Silicium (Si) des freigelegten Siliciumfilms 12 reagieren, um zur selben Zeit auf dem Siliciumfilm 12 einen Oxidfilm 14 zu bilden. Der Vorgang läßt sich durch folgende Reaktionsgleichung darstellen:
H₂O₂ → H₂O + O*
Si + O* → SiO₂
Wie oben erwähnt, dient der nach dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf dem Siliciumfilm 12 gebildete Oxidfilm 14 als Schutzfilm für den Siliciumfilm 12, und zwar als Schutzfilm gegenüber der Ätzlösung. Dies führt konsequenterweise zu einer Erhöhung der Ätzselek­ tivität des Siliciumfilms 12 für den Fall des Naßätzens des Nitridfilmmu­ sters 13, so daß der Siliciumfilm gegenüber Beschädigungen geschützt werden kann, die sonst durch das Naßätzen auftreten.
Die Fig. 3A und 3B illustrieren einen selektiven Ätzprozeß in Übereinstim­ mung mit einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Dabei zeigt die Fig. 3A einen Schritt, der ausgeführt wird, bevor der Nitrid­ film durch ein Naßätzverfahren selektiv entfernt wird.
Gemäß Fig. 3A wird ein Nitridfilmmuster 13a in einem vorbestimmten Be­ reich auf einem Siliciumfilm 12a gebildet, welcher ein Substrat 11a ab­ deckt. Im Ergebnis wird der Siliciumfilm 12a teilweise durch das Nitrid­ filmmuster 13a abgedeckt und andererseits bereichsweise freigelegt.
In Fig. 3B ist ein Schritt zum selektiven Ätzen des Nitridfilmmusters 13a mit Bezug auf den Siliciumfilm 12a dargestellt. Zum selektiven Ätzen des Nitridfilmmusters 13a nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung kommt vorzugsweise eine Ätzlösung zum Einsatz, die aus einer Phos­ phorsäurelösung besteht, in die ein oxidatives Gas eingeleitet bzw. inji­ ziert wird, beispielsweise Ozon (O₃).
Um Ozon in der Phosphorsäurelösung lösen bzw. auflösen zu können, wird durch elektrolytische Zersetzung von reinem Wasser erhaltenes Ozongas durch eine Membran hindurchgeleitet. Die Konzentration des Ozons in der Ätzlösung liegt vorzugsweise in der Größenordnung von einem 1 ppm oder darüber.
Gelöstes bzw. aufgelöstes Ozon ist selbstzersetzend, so daß Sauerstoff­ radikale gebildet werden. Diese Sauerstoffradikale reagieren dann mit dem Silicium (Si) des Siliciumfilms 12a, wodurch ein Oxidfilm 14a an der Oberfläche des freigelegten Siliciumfilms 12a erhalten wird. Der Reak­ tionsmechanismus läßt sich durch folgende Reaktionsgleichung darstel­ len:
O₃ → O₂ + O*
Si + 2O* → SiO₂, Si + O₂ → SiO₂
Beim Naßätzen des Nitridfilmmusters 13a dient der auf dem freiliegenden Siliciumfilm 12a gebildete Oxidfilm 14a nicht nur als Schutzfilm für den Siliciumfilm 12a, sondern verbessert auch die Selektivität des Silicium­ films 12a im Hinblick auf das Nitridfilmmuster 13a.
Ein drittes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird nachfol­ gend unter Bezugnahme auf die Fig. 4 beschrieben. Bei diesem dritten Ausführungsbeispiel liegt ein unstrukturierter Nitridfilm auf einem Silici­ umfilm. Hier geht es darum, den Nitridfilm durch Naßätzen zu entfernen, wobei der Siliciumfilm nicht teilweise freiliegt sondern vollständig durch den Nitridfilm bedeckt ist.
Wie in Fig. 4 zu erkennen ist, befindet sich auf einem Substrat 11b ein Sili­ ciumfilm 12b. Dieser wird einer oxidativen Umgebung oder einer oxidati­ ven Lösung ausgesetzt, um auf der Oberfläche des Siliciumfilms 12b einen dünnen Oxidfilm 14b zu erhalten, der als Schutzfilm dient. Diese Verfah­ rensschritte laufen ab, bevor ein Nitridfilm 13b niedergeschlagen wird. Nach Bildung des dünnen Oxidfilms 14b wird also der Nitridfilm 13b auf den Oxidfilm 14b aufgebracht, so daß die resultierende Struktur nunmehr in gewünschter Weise weiter bearbeitet werden kann. Wird der Nitridfilm 13b mittels einer Ätzlösung geätzt, so dient der Oxidfilm 14b als Schutz­ schicht für den Siliciumfilm 12b, wodurch eine Beschädigung des Sili­ ciumfilms 12b verhindert wird, die sonst durch die Ätzlösung auftreten würde.
Ein viertes Ausführungsbeispiel eines selektiven Ätzprozesses nach der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 5 beschrieben. Beim vierten Ausführungsbeispiel liegt auf der Oberfläche eines Substrats 11c ein Siliciumfilm 12c, auf dessen Oberfläche sich be­ reits ein strukturierter Nitridfilm befindet, der den Siliciumfilm 12c be­ reichsweise abdeckt und ihn bereichsweise freigibt.
Der freiliegende Teil des Siliciumfilms 12c kommt in Kontakt mit einer oxi­ dierenden bzw. oxidativen Umgebung oder einer oxidierenden Lösung, um einen Oxidfilm 14c auf der freiliegenden Oberfläche des Siliciumfilms 12c zu erhalten, bevor das Nitridfilmmuster 13c geätzt wird. Wird im Anschluß daran das Nitridfilmmuster 13c einem Naßätzprozeß unterworfen, so übernimmt der Oxidfilm 14c den Schutz des Siliciumfilms 12c und verhin­ dert, daß der Siliciumfilm 12c durch das Ätzmittel beschädigt wird.
Sind zwei unterschiedliche Materialschichten gleichzeitig vorhanden, also eine erste Materialschicht (z. B. ein Siliciumnitridfilm) und eine zweite Ma­ terialschicht (z. B. ein Siliciumfilm), so kann nach der vorliegenden Erfin­ dung, wie bereits eingangs beschrieben, die Ätzselektivität der zweiten Materialschicht für den Fall des Naßätzens der ersten Materialschicht, die geätzt werden soll, dadurch verbessert werden, daß die gesamte Oberflä­ che der zweiten Materialschicht oder ein Teilbereich dieser Oberfläche mittels eines dritten Materials umgewandelt wird, beispielsweise durch ein Oxidationsmittel, das eine hohe Selektivität bezüglich der ersten Mate­ rialschicht aufweist, wobei die Umwandlung vor oder während des Naß­ ätzens erfolgen kann. Im Ergebnis wird die zweite Materialschicht vor Be­ schädigungen geschützt, die sonst durch das Ätzmittel auftreten könnten.
Kommt der erfindungsgemäße Prozeß beim LOCOS-Verfahren zum Ein­ satz, so lassen sich darüber hinaus Substratbeschädigungen vermeiden, die sonst infolge der Zerstörung der Oxidfilmunterlage aufgrund des soge­ nannten "White Ribbon"-Phänomens auftreten würden.

Claims (17)

1. Selektives Ätzverfahren, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • - ein vorbestimmter Bereich einer ersten Materialschicht (12), die auf einem Substrat (11) liegt, wird mit einem zweiten Material (13) abgedeckt; und
  • - Beaufschlagung der ersten Materialschicht (12) und der zweiten Materialschicht (13) mit einer ein drittes Material enthaltenen Ätzlösung, um die freiliegende Oberfläche der ersten Material­ schicht (12) mit Hilfe des dritten Materials in eine vierte Material­ schicht (14) umzuwandeln, die eine höhere Selektivität als die zweite Materialschicht (13) hat, und um gleichzeitig die zweite Materialschicht (13) zu ätzen.
2. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das dritte Material ein Oxidationsmittel ist.
3. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß das Oxidationsmittel wäßriges Wasserstoffperoxid ist.
4. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das dritte Material ein oxidatives Gas ist.
5. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich­ net, daß das oxidative Gas ein Ozongas ist.
6. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die Ätzlösung eine Phosphorsäurelösung ist.
7. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste Materialschicht (12) ein Siliciumfilm und die zwei­ te Materialschicht (13) ein Siliciumnitridfilm sind.
8. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die vierte Materialschicht (14) ein Oxidfilm ist.
9. Selektives Ätzverfahren, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • - Bildung eines Schutzfilms (14b) auf einer ersten Material­ schicht (12b), die auf einem Substrat (11b) liegt;
  • - Bildung einer zweiten Materialschicht (13b) auf dem Schutzfilm (14b); und
  • - Entfernen der zweiten Materialschicht (13b) durch Naßätzen.
10. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste Materialschicht (12b) ein Siliciumfilm und die zweite Materialschicht (13b) ein Siliciumnitridfilm sind.
11. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schutzfilm (14b) eine höhere Ätzselektivität aufweist als die zweite Materialschicht (13b).
12. Selektives Ätzverfahren, nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schutzfilm (14b) ein Oxidfilm ist.
13. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeich­ net, daß der Oxidfilm dadurch erhalten wird, daß die erste Material­ schicht (12b) einer oxidativen Umgebung oder einer oxidativen Lö­ sung ausgesetzt wird.
14. Selektives Ätzverfahren, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • - Bildung einer zweiten Materialschicht (13c) in vorbestimmten Be­ reichen auf einer ersten Materialschicht (12c), die auf einem Sub­ strat (11c) liegt, so daß die erste Materialschicht (12c) bereichs­ weise freiliegt;
  • - Bildung eines Schutzfilms (14c) mit höherer Ätzselektivität als die zweite Materialschicht (13c) auf der freiliegenden Oberfläche der ersten Materialschicht (12c); und
  • - Entfernen des zweiten Materials durch Naßätzen.
15. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste Materialschicht (12c) ein Siliciumfilm und die zweite Materialschicht (13c) ein Siliciumnitridfilm sind.
16. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeich­ net, daß der Schutzfilm (14c) ein Oxidfilm ist.
17. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeich­ net, daß der Oxidfilm dadurch erhalten wird, daß die freiliegende Oberfläche der ersten Materialschicht (12c) einer oxidativen Umge­ bung oder einer oxidativen Lösung ausgesetzt wird.
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