DE2545153A1 - Verfahren zum freilegen eines leitenden ueberzugs auf einem substrat, insbesondere bei der herstellung integrierter schaltungen - Google Patents
Verfahren zum freilegen eines leitenden ueberzugs auf einem substrat, insbesondere bei der herstellung integrierter schaltungenInfo
- Publication number
- DE2545153A1 DE2545153A1 DE19752545153 DE2545153A DE2545153A1 DE 2545153 A1 DE2545153 A1 DE 2545153A1 DE 19752545153 DE19752545153 DE 19752545153 DE 2545153 A DE2545153 A DE 2545153A DE 2545153 A1 DE2545153 A1 DE 2545153A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- metal
- passivated
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 6
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- -1 fluoride ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- APURLPHDHPNUFL-UHFFFAOYSA-M fluoroaluminum Chemical compound [Al]F APURLPHDHPNUFL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Description
MbicJien, den
7*
raCo 43 2 5 A 5 1 5
Tel. (0 öö) 2S 51 25
Teletype Corpo in Skokie, Illinois / V.St.A.
Verfahren zum Freilegen eines leitenden Überzugs auf"
einem Substrat, insbesondere bei der Herstellung integrierter Schaltungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Freilegen eines unter einer ätzfähigen Deckschicht verborgenen leitenden Überzugs
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere integrierten Schaltungen, erfordert im allgemeinen einen oder
mehrere Arbeitsgänge zur selektiven Aufbringung und/oder Entfernung von Überzügen auf einem Substrat, um so verschiedene
elektrische Bauelemente auszubilden, die zusammen einen komplexen mehrschichtigen Artikel darstellen. Als solche
Bauelemente kommen z.B. FET's, MOSFET1 s, leitende Verbindungen,-.
Kondensatoren, Widerstände oder dgl. infrage.
Das Substrat besteht bei einer integrierten Schaltung im allgemeinen aus einem dotierten Siliziumplättchen vom N-oder
P-Typ, worin P- oder N-Bereiche selektiv eindiffundiert sind. Das Substrat und die Diffusionsbereiche werden von einer
Isolierschicht bedeckt, die häufig aus SiO_ oder SiJNN
Dr.Hk/Me
609817/-11U
besteht. Unter der Isolierschicht befinden sich metallische Verbindungen zwischen den Diffusionsbereichen, sowie MIS-Kondensatoren,
d.h. Kondensatoren mit der Schichtenfolge Metall-Isolator-Substrat.
Integrierte Schaltungen werden häufig aus zahlreichen gleichartigen
MOS-Bauteilen aufgebaut. Hierzu wird z.Bo ein mit
Phosphor dotiertes Siliziumsubstrat vom N-Typ verwendet, worin mit Bor d±ierte P-Bereiche eindiffundiert sind. Diese
Bereiche werden von einem isolierenden Überzug (meist Siliziumdioxid ) und von elektrisch leitenden Überzügen
(z.B. Aluminium) zwischen den Diffusionsbereichen überdeckt.
Einige der leitenden Überzüge stehen als Source- oder Drainelektrode direkt in Kontakt mit den Diffusionsbereichen,
andere sind durch eine dünne Oxidschicht vom Substrat getrennt und bilden Gate-Elektroden. Jedes MOS-Element enthält
eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode und eine
Gate-Elektrodeo
Der zweitletzte Herstellungsschritt für solche Schaltungen besteht,
wie erwähnt, im allgemeinen darin, daß das ganze Gebilde mit einer Isolierschicht (z.B. aus SiO ) überzogen
wird. Diese Isolierschicht stabilisiert die integrierte Schaltung chemisch und elektrisch und schließt sie gegen äußere
Einflüsse ab.
609817/1114
Damit die leitenden Schichten mit äußeren Anschlüssen verbunden werden können, werden im allgemeinen photographische
Techniken angewandt, um selektive Fenster in der isolierenden Deckschicht an denjenigen Stellen anzubringen, die zu konvertierenden
Bereichen der leitenden Überzüge entsprechen. Hierzu wird eine lichtempfindliche Abdeckung;(Photoresist)
auf die Isolierschicht aufgebracht, selektiv belichtet und dann entwickelt, um so eine Äzmaske zu erzeugen. Anschließend
wird die Isolierschicht mit einem Äzmittel behandelt. Wenn es sich um Siliziumdioxid handelt, ist das typische Jfemittel
eine wässrige Lösung von HF und NH. F. Das Äzmittel nimmt
die nicht abgedeckten Teile der Isolierschicht weg, bis die darunter befindlichen Teile des leitenden Überzugs freiliegen.
die nicht abgedeckten Teile der Isolierschicht weg, bis die darunter befindlichen Teile des leitenden Überzugs freiliegen.
Der leitende Überzug soll aus einem Metall bestehen, das mit der Flußsäure derart reagiert, daß ein Oberflächenbereich
von einigen hundert Angström Dicke in ein fest haftendes
unlösliches Huorid dieses Metalls umgewandelt wird. Es gibt zahlreiche derartige Metalle; am häufigsten wird Aluminium verwendete In diesem Falle entsteht durch die geschilderte Behandlung Aluminiumfluorid (AlF ). Das Metallfluorid bedeckt die leitende Schicht und passiviert sie. Schließlich hören infolge der Passivierung die Äzwirkung und die Metallumwandlung auf.
von einigen hundert Angström Dicke in ein fest haftendes
unlösliches Huorid dieses Metalls umgewandelt wird. Es gibt zahlreiche derartige Metalle; am häufigsten wird Aluminium verwendete In diesem Falle entsteht durch die geschilderte Behandlung Aluminiumfluorid (AlF ). Das Metallfluorid bedeckt die leitende Schicht und passiviert sie. Schließlich hören infolge der Passivierung die Äzwirkung und die Metallumwandlung auf.
Nach der Äzung wird der Artikel mit Wasser abgespült, um das noch vorhandene .Ätemittel zu entfernen, bevor weitere Be-
609817/11U
handlungsvorgänge durchgeführt werden.
Es wurde gefunden, daß aus nicht näher bekannten Gründen die passivierte leitende Schicht sich oft bei und nach dem Waschen
ganz oder teilweise ablöst. Diese Ablösung macht den betreffenden Bauteil unbrauchbar.
Der im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Auflösung der passivierten Metallschicht
nach dem Ätzen mit Flußsäure zu verhindern. Zu diesem Zweck wird erfindungsgemäß die passivierte leitende Schicht
anschließend an den Äizvorgang mit einer praktisch HF-freien
Lösung von NH. F behandelt. Es wurde gefunden, daß hiernach der Artikel gewaschen werden kann, ohne daß eine merkbare
Auflösung der passivierten Metallschicht eintritt.
Die auf diese Weise behandelten Gegenstände können beliebige mehrschichtige Anordnungen sein, die eine Deckschicht aus
einem mit Flußsäure ate baren Werkstoff und eine oder mehrere
darunter befindliche Metallschichten aus einem durch Reaktion mit HF passivierbaren Metall besitzen. Die Reaktion des
Metalls mit der Flußsäure kann zwar als Auflösung des Metalls angesehen werden, in Wirklichkeit bleibt aber das weitgehend
unlösliche Metallfluorid in der gewünschten Weise auf der
Metalloberfläche haften, so daß der Angriff des Äfemittels aufhört, nachdem das Metall in einer Dicke von einigen
hundert Angström in das Fluorid umgewandelt wurde.
809817/11U
Vorzugsweise wird die Erfindung auf Halbleiteranordnungen mit
integrierten Schaltungen angewandt, deren Deckschicht eine Isolierschicht aus SiO ist. Die darunter befindlichen Metallschichten
bestehen vorzugsweise aus Aluminium und sind entweder unmittelbar mit Diffusionsbereichen eines Siliziumsubstrats oder mit isolierten Stellen des Substrats verbunden.
Wenn die integrierte Schaltung ein MOSFET ist, dienen die ersteen als Drain- oder Source-Elektroden der Feldeffekt-Transistoren
und die letzteren sind Gates dieser Transistoren oder MIS-Kondensatoren.
Die Deckschicht wird zuerst mit einer HF enthaltenden ifelösung
behandelt. Diese Behandlung kann durch die Fenster einer in bekannter Weise photographisch erzeugten iSzmaske
erfolgen.
Wenn die Deckschicht aus SiO besteht, ist das ifemittel vorzugsweise
eine wässrige Lösung von NHkF und HF. Typisch soll
das Verhältnis von NH.F zu HF im Bereich von 5:1 - 20:1 der
Komponenten hO Gewi c htsprozent NHjF und 48-50 Gewichtsprozent
HF liegen.
Die freiliegenden Teile der Deckschicht werden hierbei selektiv durch die HF geätzt. Wenn die Deckschicht SiO ist, läßt sich
der ütevorgang in folgender Gleichung darstellen:
+ hRF * SiF^ + 2H2O
(Gas)
009817/1114
Wenn das ifemittel auf die Deckschicht genügend lang (je nach
ihrer Dicke) einwirkt, wird diese an den von der Maske ausgesparten Stellen vollständig weggeäffet, so daß durch die so
gebildeten Fenster das Ütemittel auf die Metallschicht einwirken
kann. Die HF reagiert nun durch diese Fenster hindurch mit der Metallschicht und bildet ein weitgehend unlösliches,
daran haftendes Metallfluorid. Nach einer gewissen Zeit hat das Fluorid eine so hohe Dicke und Dichte erreicht,
daß das Metall passiviert und die Reaktion beendet wird.
Wenn das Metall Aluminium ist, geht hierbei folgende Reaktion vor sich:
2Al + 6HF » 2AlF3 + 3H2
Das NH. F oder ein ähnlicher Puffer gewährleistet eine stabile H-Ionen-Konzentration. Demgemäß verhindert das NHrF während
der Reaktion von HF mit dem Metall eine Auflösung des Fluoride (hier Aluminium-Fluorid) und gewährleistet, daß das Fluorid
auf dem Metall haften bleibt und dieses so passiviert.
Obwohl das Metallfluorid weitgehend unlöslich ist, könnte es
infolge seiner geringen, aber endlichen Löslichkeit aufgelöst werden, wenn das Pufferungsmittel nicht vorhanden wäre.
Diese Auflösung würde ständig weiteres Metall für den Angriff der HF freilegen, wodurch schließlich das gesamte Metall in
ein gelöstes Fluorid umgewandelt würde« Das Vorhandensein des
609817/1114
*■ 7 "
Puffera führt zu dem gemeinsamen loneneffekt, der zusammen
mit der geringen Löslichkeit des Fluorids die Passivierung der Metallschicht herbeiführt, d,h. die weitgehend unlösliche
Fluoridechicht bleibt al·^ der Metalloberfläche erhalten.
Im einzelnen werden durch die Bildung von A1F_ Fluoridionen
(F~°) aus der Lösung abgezogen. Wegen der großen Menge der
von NH.F beigesteuerten F~-Ionen ist jedoch der Anteil der aus der Lösung abgezogenen F -Ionen vernachlässigbar im
Vergleich zu der Gesamtmenge derselben. Wenn kein NH. F in der Lösung vorhanden wäre, ergäbe sich die folgende Gleichgewicht
sbedingung:
AlF „ Al"' + 3F
Das NHrF führt zum Effekt der gemeinsamen Ionen, d.h. der
große Anteil gemeinsamer F Ionen verschiebt das Gleichgewicht der obigen Reaktion nach links, so daß die Reaktion
Al3+ + 3F~ » AlF
die umgekehrte Reaktion
AlF » Al3+ + 3F~
stark überwiegt. Diese Gleichgewichtsverschiebung und die
hohe Unlöslichkeit von A1F„ führen schließlich dazu, daß die
festhaftende A1F„-Schicht das Aluminium passiviert«,
Bisher war es üblich, anschließend den Gegenstand in Wasser zu waschen, um alle an dem Gegenstand haftenden Spuren des
609817/11U
Äzmittels zu entfernen.Es wurde festgestellt, daß bei diesem
Waschvorgang die Metallschicht häufig beschädigt wurde und mit einer Geschwindigkeit von 2000A je Minute oder mehr sich auflöste.
Je nach ihrer Dicke konnte also die Metallschicht durchaus vollständig abgelöst werden. Im Falle von MOS-Vorrichtungen
machte diese Auflösung die Vorrichtungen völlig unbrauchbar. Die Ursache dieser unerwünschten ifeung durch Wassereinwirkung
ist nicht recht verständlich. Es ist aber bekannt, daß weder HF noch NH.F allein in der im Waschwasser auftretenden Konzentration
(etwa 0,05 - 1 0Io) diese unerwünschte Äzung herbeiführen.
Wenn nun aber die passivierte Metallschicht mit einer Lösung in Berührung gebracht wird, die Fluoridionen in großem Überschuß
enthält, so wird dieser Angriff der Metallschicht bei nachfolgenden Waschvorgängen verhindert. Wenn die Metallschicht
aus Aluminium besteht, ist hierzu NH.F geeignet, das jedoch praktisch frei von jeder HF sein muß.
Die passivierte Metallschicht kann beliebig lang in Berührung mit dem NH.F sein, wobei eine Mindesteinwirkung von etwa
5 Sekunden erwünscht, aber auch ausreichend ist. Danach kann der Gegenstand in Wasser gewaschen und gespült werden, ohne
daß die passivierte Metallschicht merklich angegriffen wird.
Als mögliche Erklärung für diesen Effekt bietet sich folgende Theorie an:
609817/1114
Wie oben erwähnt, wird angenommen, daß während des Älzvorgangs
die endliche, aber sehr geringe Löslichkeit von A1F_ und der Effekt der gemeinsamen Ionen zusammenwirken, um die Zerstörung
der AlF -Schicht im Verlauf ihres Entstehens mittels der oben geschilderten Reaktion zu verhindern. Nun kommt HF nicht
als solche, nur als HF vor. Daraus bildet sich in Wasser
bei der Ionisation HF~ + H . Die HF~-Ionen würden wahrscheinlieh,
wenn möglich, die Metallschicht während des Ate- und Passiervorganges angreifen. Die große Menge der Fluoridionen
aus dem NHrF im Äbmittel verhindert aber nicht nur die Auflösung
der passivierenden Schicht aus A1F„, sondern auch die zerstörerische Wirkung der HF~-Ionen. Wenn also eine
genügend dicke und weitgehend unlösliche Passivierschicht
existiert, hört die weitere Reaktion des Aluminiums mit HF auf.
Beim Spülen mit Wasser werden aber nun die an dem Gegenstand
und der passivierten Metallschicht anhaftenden Rückstände von HF und NH.F stark verdünnt. HF ist eine schwache Säure, aber
je weiter ihre Konzentration in Wasser abnimmt, desto mehr steigt der Ionisationsgrad, so daß ein großer Anteil von
HF~-Ionen entsteht. Andererseits ist nun das sehr verdünnte Ammoniumfluorid nicht mehr imstande, einen Ionenüberschuß
zu erzeugen. Diese Aufhebung der Pufferwirkung im Verein mit der endlichen, wenn auch geringen Löslichkeit von AlF „ und
dem Angriff auf das Aluminium durch die HF~-Ionen führt vermutlich
zur fortschreitenden Zerstörung der Passivierungsschicht, so daß das Aluminium ständig bloßgelegt wird. So
609817/1114
können die Reaktionen
Al3+ + 3F~ * AlF
AlF3 > Al3 + 3F"
3+ beide auftreten, wobei die Bildung des Al -Ions in der zweiten
Reaktion nicht durch den Überschuß der Fluoridionen unterdrückt wird.
Die Konzentration von HF und NH. F im Waschwasser beträgt meist zwischen 0,05 und 1 0Jo und hat am häufigsten einen Wert von
etwa 0,5 "/>· Es wird angenommen, daß in diesem Konzentrationsbereich die Zerstörung der Aluminiumschicht beim Waschvorgang
vor sich geht.
Es lann auch sein, daß die Zerstörung und Ablösung der Aluminiumschicht
mindestens teilweise auf elektrochemischem Wege erfolgt ο Beim Waschen mit Wasser wird nämlich eine elektrochemische
Zelle gebildet, die aus der Metallschicht, dem dotierten Silizium und dem stark verdünnten HF und NHrF besteht.
Das Auftreten einer solchen Zelle dürfte die Zerstörung der Aluminiumschicht verstärken und beschleunigen.
Wenn nun die Passivierungsschicht mit NHjF, das praktisch frei
von Flußsäure ist, in Berührung gebracht wird, können die HF~-Ionen nicht in größerem Umfang gebildet werden» Beispielsweise
wird NHrF in ^O ^iger wässriger Lösung (Gewichtsprozent)
angewandt, obwohl diese Konzentration nicht kritisch ist.
609817/1114
Was nun auch der tatsächliche Grund der Zerstörung der Aluminiumschicht ist, jedenfalls wurde festgestellt, daß
durch das Behandeln der passivierten Metallschicht mit HF-freiem NH.F die gefürchtete Auflösung der Aluminiumschicht
beim nachfolgenden Waschen des Gegenstandes unterbleibt.
609817/1114
Claims (7)
1.| Verfahren zum Freilegen einer unter einer Stefähigen Deckschicht
verborgenen leitenden Schicht, bei dem die Deckschicht mit einem HF enthaltenden Äifcmittel behandelt wird,
bis die aus einem geeigneten Metall bestehende leitende Schicht freigelegt und durch Bildung eines unlöslichen
Metallfluoride passiviert ist, dadurch gekennzeichnet, daß die passivierte leitende Schicht zwecks Verhinderung einer
Zerstörung anschließend an die Üteung mit einer praktisch
HF-freien Lösung von NHYF behandelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet. daß
das Jfemittel eine Lösung von HF und NHrF enthält,
3· Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die passivierte leitende Schicht nach der Behandlung mit der HF-freien Lösung von NH^F mit Wasser gewaschen
wird.
Dr.Hk/Me
609817/11U
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Schicht aus
Aluminium besteht.
5· Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet. daß die Deckschicht aus SiO
bestehtο
6, Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet« daß die Deckschicht vor der Behandlung mit dem Üzmittel selektiv maskiert wird.
7. Verfahren lach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der die leitende Schicht und die Deckschicht tragende Gegenstand zu einer integrierten
Schaltung gehört und daß die leitende Schicht mit dotiertem Silizium in Berührung steht.
609817/1114
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US513908A US3920471A (en) | 1974-10-10 | 1974-10-10 | Prevention of aluminum etching during silox photoshaping |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2545153A1 true DE2545153A1 (de) | 1976-04-22 |
DE2545153C2 DE2545153C2 (de) | 1985-12-12 |
Family
ID=24045078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2545153A Expired DE2545153C2 (de) | 1974-10-10 | 1975-10-08 | Verfahren zum Freilegen einer metallischen Leiterschicht |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3920471A (de) |
JP (1) | JPS5164873A (de) |
DE (1) | DE2545153C2 (de) |
FR (1) | FR2287524A1 (de) |
GB (1) | GB1527106A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4404885A1 (de) * | 1994-01-12 | 1995-07-13 | Gold Star Electronics | Selektives Ätzverfahren |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2288392A1 (fr) * | 1974-10-18 | 1976-05-14 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation de dispositifs semiconducteurs |
US5277835A (en) * | 1989-06-26 | 1994-01-11 | Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. | Surface treatment agent for fine surface treatment |
DE4424145A1 (de) * | 1993-10-14 | 1995-04-20 | Hewlett Packard Co | Fluor-passivierte chromatographische Systeme |
JPH07283166A (ja) * | 1994-02-20 | 1995-10-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | コンタクトホールの作製方法 |
TW371775B (en) * | 1995-04-28 | 1999-10-11 | Siemens Ag | Method for the selective removal of silicon dioxide |
EP1270767B1 (de) * | 2001-06-20 | 2003-12-17 | Wolf-Dieter Franz | Verfahren zum Reinigen und Passivieren von Leichtmetalllegierungsoberflächen |
US8772133B2 (en) * | 2012-06-11 | 2014-07-08 | Infineon Technologies Ag | Utilization of a metallization scheme as an etching mask |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1916036A1 (de) * | 1968-03-28 | 1969-10-02 | Rca Corp | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3650960A (en) * | 1969-05-06 | 1972-03-21 | Allied Chem | Etching solutions |
DE1951968A1 (de) * | 1969-10-15 | 1971-04-22 | Philips Patentverwaltung | AEtzloesung zur selektiven Musterzeugung in duennen Siliziumdioxydschichten |
US3841905A (en) * | 1970-11-19 | 1974-10-15 | Rbp Chem Corp | Method of preparing printed circuit boards with terminal tabs |
US3867218A (en) * | 1973-04-25 | 1975-02-18 | Philips Corp | Method of etching a pattern in a silicon nitride layer |
-
1974
- 1974-10-10 US US513908A patent/US3920471A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-10-07 JP JP50120370A patent/JPS5164873A/ja active Granted
- 1975-10-08 DE DE2545153A patent/DE2545153C2/de not_active Expired
- 1975-10-09 GB GB41356/75A patent/GB1527106A/en not_active Expired
- 1975-10-09 FR FR7530968A patent/FR2287524A1/fr active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1916036A1 (de) * | 1968-03-28 | 1969-10-02 | Rca Corp | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4404885A1 (de) * | 1994-01-12 | 1995-07-13 | Gold Star Electronics | Selektives Ätzverfahren |
DE4404885C2 (de) * | 1994-01-12 | 2003-08-21 | Gold Star Electronics | Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3920471A (en) | 1975-11-18 |
JPS5164873A (en) | 1976-06-04 |
FR2287524B1 (de) | 1980-03-28 |
GB1527106A (en) | 1978-10-04 |
FR2287524A1 (fr) | 1976-05-07 |
JPS579492B2 (de) | 1982-02-22 |
DE2545153C2 (de) | 1985-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10162576B4 (de) | Ätzmittel und Verfahren zum Bilden eines Matrixsubstrats für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen | |
DE69820397T2 (de) | Ätzmittel und ihre Verwendung | |
DE2401333A1 (de) | Verfahren zur herstellung von isolierfilmen auf verbindungsschichten | |
DE69302936T2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Musters aus Zinn-dotiertem Idiumoxid (ITO) auf einem Substrat | |
DE3604368A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines duennfilm-transistors | |
DE1961634A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Misfet | |
DE2545153A1 (de) | Verfahren zum freilegen eines leitenden ueberzugs auf einem substrat, insbesondere bei der herstellung integrierter schaltungen | |
DE2230171A1 (de) | Verfahren zum herstellen von streifenleitern fuer halbleiterbauteile | |
DE2348199A1 (de) | Verfahren zur herstellung von mis-anordnungen | |
DE2628406A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
DE1614995B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Aluminiumkontakten an planaren Halbleiteranordnungen | |
DE1929084C3 (de) | Ätzlösung für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
DE2239145A1 (de) | Verfahren zur behandlung von halbleitermaterialien aus iii-v-verbindungen | |
EP0096096B1 (de) | Verfahren zur Einstellung des Kantenwinkels in Polysilicium | |
DE2546316C2 (de) | Verfahren zur Behandlung von Körpern mit einem Fluorid enthaltenden Ätzmittel und seine Anwendung bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
DE1919158A1 (de) | Verfahren zum AEtzen von Ag-Sn-Pb-Legierungen | |
DE1803025A1 (de) | Elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP1554753B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Stufenprofils aus einer Schichtfolge | |
DE2540301A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einem leitermuster und durch dieses verfahren hergestellte anordnung | |
EP0067984A1 (de) | Verfahren zum Ätzen von Chrom und Ätzmittelmischungen zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2538264C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer planaren integrierten Halbleiteranordnung | |
DE1644012B2 (de) | Verfahren zum eindiffundieren von dotierungsstoff aus der gasphase in eine lokal mit einer siliciumnitridschicht maskierte halbleiteroberflaeche | |
DE1947026A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
DE10019704A1 (de) | Wäßriges Reinigungsmittel und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE2529865C2 (de) | Wäßrige Ätzlösung zum selektiven Ätzen von Siliciumdioxidschichten auf Halbleiterkörpern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BLUMBACH, P., DIPL.-ING., 6200 WIESBADEN WESER, W. |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |