DE69302936T2 - Verfahren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Musters aus Zinn-dotiertem Idiumoxid (ITO) auf einem Substrat - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Musters aus Zinn-dotiertem Idiumoxid (ITO) auf einem SubstratInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 76
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 23
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 5
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfähren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Musters aus zinndotiertem Indiumoxid (ITO) auf einem Substrat, wobei eine Schicht aus zinndotiertem Indiumoxid auf dem Substrat angebracht wird, wonach die Schicht auf lithographischem Weg unter Verwendung eines wässrigen Ätzbades mit Halogensäure strukturiert wird.
- Die Erfindung bezieht sich ebenfalls auf ein Verfahren zum Herstellen einer Trägerplatte für eine Flüssigkristallwiedergabeanordnung, wobei diese Trägerplatte Muster aus zinndotiertem Indiumoxid, sowie Leiter aus einem Metall aufweist, die sich in einem oxidierenden Ätzbad lösen, insbesondere einem Metall aus der durch Mo, W und TiW gebildeten Gruppe.
- Die Erfindung bezieht sich auch auf die Verwendung eines Ätzbades, das aus einer konzentrierten Lösung von Halogensäure in einer Flüssigkeit besteht, die gewählt ist aus der durch Essigsäure und Methanol gebildeten Gruppe zum selektiven Ätzen von ITO gegenüber Metallen, die sich in einem oxidierenden Ätzbad lösen, insbesondere von einem Metall aus der durch Mo, W und TiW gebildeten Gruppe.
- Ein derartiges Verfahren wird beispielsweise angewandt bei der Herstellung elektrooptischer Wiedergabeeinrichtungen, wie Flüssigkristallwiedergabeeinrichtungen (LCDs), elektrolumineszierenden Wiedergabeeinrichtungen, Photozellen und Feststoffbildsensoren. In einer LCD befindet sich zwischen zwei parallelen gläsernen Trägerplatten ein flüssigkristallines Medium. Auf den dem Medium zugewandten Seiten der Trägerplatten sind lichtdurchlässige Elektroden vorgesehen, die meistens aus halbleitendem Metalloxid bestehen, wie aus zinndotiertem Indiumoxid. Dieses letztere Material wird meistens durch ITO bezeichnet und kann im Zerstäubungsverfahren, durch Aufdampfen, durch Gasphaeenabscheidung nach chemischem Verfahren oder durch Hydrolyse und Pyrolyse einer entsprechenden Metallverbindung in Form einer Schicht angebracht werden. Die ITO-Schicht hat meistens eine Dicke zwischen 20 und 400 nm und enthält beispielsweise 2-10 At% Zinn. Das erwünschte Elektrodenmuster wird durch mustermäßiges Ätzen der ITO-Schicht unter Verwendung eines geeigneten chemischen Ätzmittels erhalten.
- Aus der US Patentschrift US 4.093.504 ist ein Verfahren bekannt zum Herstellen von Mustern aus ITO, wobei auf einer ITO-Schicht eine Photoresistschicht angebracht wird, wonach die Photoresistschicht mustermäßig belichtet und danach entwickelt wird. Das unerwünschte ITO wird danach mit einem Ätzbad geätzt, das aus einem gemisch von Salzsäure und FeCl&sub3; besteht, und zwar unter Bildung des ITO- Musters. Das Vorhandensein von FeCl&sub3; erhöht die Ätzgeschwindigkeit des ITOs.
- Ein Nachteil des bekannten Verfahrens ist, daß das Vorhandensein des FeCl&sub3; eine unerwünschte Umweltbelastung verursacht. Ein weiterer Nachteil ist die oxidierende Eigenschaft von FeCl&sub3;, wodurch außer dem ITO einige Metalle, beispielsweise Mo, die bei bestimmten Ausführungsformen von LCD-Platten vorhanden sind, angegriffen werden. Das bekannte Ätzbad ist deswegen kein selektives ITO-Ätzmittel.
- Die Erfindung hat nun u.a. zur Aufgabe, ein Verfahren zu schaffen, das die obengenannten Nachteile nicht aufweist und das wie nachstehend noch beschrieben wird, weitere Vorteile aufweist.
- Diese Aufgabe wird nach der Erfindung erfüllt durch ein Verfahren der eingangs beschriebenen Art, das dadurch gekennzeichnet ist, daß das Ätzbad durch Verdünnung konzentrierter Halogensäure mit einer nicht-wässrigen Flüssigkeit mit einer niedrigeren Dielektzitätskonstanten (E) als Wasser. Eine geeignete Halogensäure ist Salzsäure, und zwar HBr und Hj. HF ist ebenfalls verwendbar zum Ätzen von ITO, aber diese Säure hat den Nachteil, daß auch das Glas der trägerplatte, auf der die ITO- Schicht angebracht ist, angegriffen wird. Konzentriertes Wasserstoffbromid enthält 9 Mol HBr je Liter Wasser; konzentriertes HJ enthält 6 Mol HJ je Liter Wasser und konzentrierte Salzsäure enthält 12 Mol HCl je Liter Wasser (37 Gew. % HCl). Konzentrierte Halogensäure läßt sich zum Ätzen von ITO verwenden. Ein Ätzbad aber mit einer solchen Konzentration an Halogensäure greift zugleich die bei der Lithographie verwendete Photoresistschicht an. Dadurch, daß die Halogensäure mit Wasser verdünnt wird, verringert zwar der Angriff der Photoresistschicht, aber dies geht zugleich mit einer starken Verringerung der Ätzgeschwindigkeit der ITO-Schicht einher. Dies führt zu unerwünscht langen Prozeßzeiten, oder bei einer bestimmten Prozeßzeit, zu unerwünscht hohen Prozeßtemperaturen.
- Wenn die konzentrierte Halogensäure nicht mit Wasser sondern mit einer Flüssigkeit mit einer niedrigeren Dielektrizitätskonstanten als die von Wasser (bei dem ε=78,5) verdünnt wird, stellt es sich heraus, daß die Ätzgeschwindigkeit von ITO gegenüber mit Wasser verdünnten Halogensäurebädem erhöht ist. Eine etwaige Erklärung dieses Phänomens wäre, daß das nicht-dissoziierte Halogensäuremolekül in den Halogensäurelösungen für das Ätzen von ITO verantwortlich ist. Die Dissoziation des Halogenmoleküls wird dadurch zurückgedrängt, daß die Halogensäurelösung mit einer Flüssigkeit mit einer niedrigeren Dielektrizitätskonstanten als Wasser verdünnt wird. Geeignete Flüssigkeiten sind beispielsweise Essigsäure (ε=6,15) und Methanol (ε32,6). Andere geeignete Flüssigkeiten sind beispielsweise Äthanol (ε=24,3), PIO panol-1 (ε20,1) und Isopropanol (ε=18,3). Die genannten Flüssigkeiten sind in allen Verhältnissen mit konzentrierter Halogensäure mischbar. Durch die niedrigere Dielektrriitätskonstante weist ein mit Essigsäure verdünntes Ätzbad eine höhere ITO-Ätzgeschwindigkeit auf als ein mit demselben Vol.% Methanol verdünntes Ätzbad. Eine praktische Konzentration der Verdünnungsflüssigkeit beträgt 25-75 Vol.%. Bei einer niedrigeren Konzentration der Verdünnungsflüssigkeit findet ein spürbarer Angriff der Photoresistschicht statt, wodurch die Musterdefinition beeinträchtigt wird. Bei einer höheren Konzentration der Verdünnungsflüssigkeit wird die ITO-Ätzgeschwindigkeit derart verringert, daß dies zu unerwünscht langen Prozeßzeiten führt. Eine praktische Konzentration der Verdünnungsflüssigkeit ist beispielsweise 50 Vol.%, d.h. ausgehend von koneentrierter Salzsäure beträgt die Konzentration der Salzsäure in einem derartigen Ätzbad 6 Mol/l. Bei einer derartigen Verdünnung greift die Salzsäure die Photoresistschicht nicht nennenswert an und es wird eine günstige Ätzgeschwindigkeit des ITOs erhalten. Alkanole und Essigsäure schaden der Umwelt wesentlich weniger als das bisher übliche FeCl&sub3;.
- Die Erfindung bezieht sich zugleich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Trägerplatte für eine Flüssigkristallwiedergabeeinrichtung, wobei diese Trägerplatte Muster aus indiumdotiertem Zinnoxid (ITO), sowie Leiter aus einem metall aufweist, die sich in einem oxidierenden Ätzbad lösen und weist dazu das Kennzeichen auf, daß die Muster aus zinndotiertem Indiumoxid durch Behandlung mit einem Ätzbad erhalten werden, das durch Verdünnung koneentrierter Halogensäure mit einer Flüssigkeit mit einer niedrigeren Elektrizitätzkonstanten als die von Wasser bereitet wird. Derartige Trägerplatten werden bei einem Flüssigkristall-Fernsehschirm (LC-TV) verwendet, und zwar in Form einer aktiven Platte sowie in Form eine passiven Platte. Eine aktive Platte enthält eine transparente Glasplatte als Träger, auf dem nebst Bildelementen mustermäßig angeordnete Schaltelemente auftreten. Dadurch wird eine bessere Bildqualität und ein besserer Kontrast erzielt. Die Schaltelemente können Diodenschalter, TFTS (Dünnfilmtransistoren) und MIN-Schalter (Metall-Isolator-Metall) sein. Derartige Schaltelemente enthalten oft ein Metall, wie Mo, W oder TiW. Ein MIN-Schaltelement kann beispielsweise aus, nacheinander, einer ersten Mo-Schicht, einer Isolierschicht aus Siliziumnitrid (SiNx) und einer zweiten Mo-Schicht aufgebaut sein. Die Schaltelemente können auf (Photo)Lithographischem Weg erhalten werden, wobei die jeweiligen Schichten mit geeigneten Ätzbädem geätzt werden. Bei der Herstellung einer aktiven Platte mit den genannten Metallen entsteht das Problem, daß bei Verwendung der bekannten ITO-Ätzbäder zugleich die genannten Metalle angegriffen werden. Denn die bekannten ITO-Ätzbäder sind oxidierende Ätzbäder. Unter einem oxidierenden Ätzbad wird in diesem Zusarnmenhang ein Ätzbad verstanden, das außer einem aktiven Stoff, beispielsweise Salzsäure, auch ein Oxidationsmittel wie FeCl&sub3;, H&sub2;O&sub2;, Ce(IV)-Salze, Salpetersäure, Permanganat oder Bichromat aufweist, wodurch das ITO sowie die genannten Metalle geätzt werden. Mit den bekannten Ätzbädem ist es nicht möglich, die ITO-Schicht gegenüber den Metallen, die sich in einem oxidierenden Ätzbad lösen, wie Cr, Cu Ni und insbesondere Mo, W und TiW, selektiv zu ätzen Wasserverdünnte Halogensäure greift zwar Mo nicht an, aber dies führt zu unerwünscht langen Ätzzeiten der ITO-Schicht. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, ITO-Schichten selektiv zu ätzen, ohne daß Metalle wie Mo, W und TiW angegriffen werden.
- Das erfindungsgemäße Verfahren kann außer zum Herstellen der aktiven Platte zugleich mit Vorteil bei der Herstellung einer passiven Platte einer LCD angewandt werden, wobei in dem sog. "IC-Area" ITO selektiv gegenüber beispielsweise Mo geätzt werden muß.
- Geeignete Verdünnungsflüssigkeiten sind beispielsweise die oben beschriebenen Flüssigkeiten Essigsäure und Methanol. Diese Flüssigkeiten werden der konzentrierten Halogensäure zugefügt, und zwar in einer Konzentration zwischen 25-75 Vol. %, beispielsweise 50 Vol %. Außerhalb dieser Konzentrationbereiches treten die bereits genannten Nachteile auf.
- Verwendung eines Ätzbades aus einer konzentrierten Lösung von Halogensäure und einer Flüssigkeit mit einer niedrigeren Dielektrizitätskonstanten als die von Wasser, insbesondere Essigsäure oder Methanol, bietet den Vorteil einer günstigen Ätzgeschwindigkeit von ITO sowie die Möglichkeit ITO gegenüber Metallen wie Mo, W und TiW selektiv zu ätzen.
- Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
- Fig. 1 die Ätzgeschwindigkeit R einer ITO-Schicht als Funktion der konzentrierten Salzsäure CHCl in dem Ätzbad, bzw. die Konzentration der Verdünnungsflüssigkeit CD,
- Fig. 2 einen schematischen Schnitt durch einige Phasen der Herstellung einer MIM-Struktur auf einer aktiven Platte für eine LCD,
- Fig. 3 eine schematische Draufsicht eines Teils einer aktiven Platte einer LCD.
- Auf eine Glasplatte wird in Zerstäubungsverfahren eine ITO-Schicht mit einer Dicke von 120 nm angebracht. Beim Zerstäuben beträgt die Temperatur der Glasplatte 350ºC. Die ITO-Schicht enthält außer Indiumoxid 4 At. % Zinn. Die ITO- Schicht wird teilweise mit einem Schutzlack bedeckt, beispielsweise einer Photoresistschicht (Novolak PFR 3700 von UCB). Danach wird die ITO-Schicht in einem Ätzbad mit einer Temperatur von 30ºC geätzt. Nach dem Ätzen, Spülen, Entfernen der Photoresistschicht und Trocknen wird mit einem Teneor Alfa-step 200 die Ätztiefe der ITO-Schicht gemessen. Zum Ätzen der ITO-Schicht sind drei Typen von Ätzbädem verwendet worden, und zwar:
- Typ A: konzentrierte Salzsäure verdünnt mit Wasser (ε=78,5),
- Typ B: konzentrierte Salzsäure verdünnt mit Methanol (ε=32,6), und
- Typ C: konzentrierte Salzsäure verdünnt mit Essigsäure (ε = 6,15).
- Von jedem Ätzbadtyp wurden die Verdünnungen zwischen 0 und 100 Vol % variiert und die betreffenden Ätzgeschwindigkeiten der ITO-Schicht gemessen.
- In Fig. 1 ist die Ätzgeschwindigkeit R (in nm/Minute) der ITO-Schicht als Funktion der Salzsäurekoneentration CHCl in dem Ätzbad bzw. der Konzentration der Flüssigkeit CD (Wasser, Methanol oder Essigsäure), mit der die konzentrierte Salzsäure verdünnt worden ist, aufgetragen. Die Kurve A mit Meßwerten ( ) zeigt die Ätzgeschwindigkeit der ITO-Schicht mit Ätzbädem, in denen die konzentrierte Satzsäure mit Wasser verdünnt ist. Die Kurve B mit Meßwerten (X) zeigt die Ätzgeschwindigkeit der ITO-Schicht mit Ätzbädem, in denen die konzentrierte Salzsäure mit Essigsäure verdünnt ist.
- Aus der Fig. 1 zeigt sich, daß bei gleich bleibender HCl-Konzentration in dem Ätzbad eine Veiringerung der Dieletrizitätzkonstanten der Verdünnungsflüssigkeit in der Reihe εWasser > εMethanol > εEssigsäure zu höheren Ätzgeschwindigkeiten der ITO-Schicht führt. Verdünnung konzentrierter Salzsäure mit 50 Vol % Wasser ergibt eine Ätzgeschwindigkeit der ITO-Schicht von 3 nm/Minute. Verdünnung konzentrierter Salzsäure mit 50 Vol % Essigsäure ergibt eine viermal größere Ätzgeschwindigkeit der ITO-Schicht, und zwar 12 nm/Minute.
- In Fig. 2 sind schematisch im Schnitt einige Stufen der Herstellung eines MIM-Schaltelementes auf einer aktiven Platte für eine LCD dargestellt. Auf einem Glasträger 1 wird im Zerstäubungsverfahren eine 40 nm dicke ITO-Schicht 2 angebracht, die aus Indiumoxid mit 4 At. % Zinn besteht. Auf der ITO-Schicht wird zunächst eine erste Molybdänschicht 3 mit einer Dicke von 30 nm Zerstäubt. Auf der Mo-Schicht 3 wird daraufhin eine positive Photoresistschicht 4 (Novolak PFR 3700 von UCB) durch "Spincoating" angebracht. Auf üblichem photolithographischem Weg wird in der Photoresistschicht ein Fenster 5 mit Abmessungen von 10 µm x 10 µm angebracht. Das erhaltene Schichtenpaket ist in Fig. 2A dargestellt. In diesem Fenster 5 wird danach in der Mo-Schicht 3 ein Fenster eingeätzt, wobei das verwendete M0- Ätzbad die nachfolgende Zusammensetzung hatte:
- 40 Vol % Phosphorsäure
- 2 Vol.% salpetersäure
- 33 Vol % Essigsäure
- 25 Vol.% Wasser.
- In einigen Fällen ist die Mo-Schicht 3 durch eine Schicht aus TiW ersetzt worden. Dieser Werkstoff läßt sich mit 30 Vol % H&sub2;O&sub2; in Wasser ätzen
- Die ITO-Schicht 2 in dem Fenster 5 wird danach mit einem Ätzbad geätzt, das dadurch bereitet wird, daß konzentrierte salzsäure (32 Gew. % 12 Mol/l) mit Essigsäure bis zu einer Konzentration von 50 Vol % verdünnt wird. Dadurch hat das ITO-Ätzbad die nachfolgende Zusammensetzung:
- 6 Mol/l HCl
- 50 Vol % Essigsäure
- Bei einer Temperatur von 30ºC beträgt die Ätzgeschwindigkeit der ITO-Schicht 12 nm/Minute. Die Photoresistschicht 4 befindet sich dabei noch immer auf der Mo-Schicht 3. Das erfindungsgemäße Ätzbad hat den Vorteil, daß die Mo-Schicht 3 nicht angegriffen wird, d.h. es tritt keine Unterätzung der Photoresistschicht auf, so daß die Abmessungen des fensters in der Mo-Schicht und in der ITO-Schicht ebenfalls 10 µm x 10 µm betragen. Bei einer alternativen Ausführungsform wird nach dem Ätzen eines Fensters in der Mo-Schicht 3 die Photoresistschicht durch Behandlung mit einem Entfernungsbad behandelt. Danach wird dann die ITO-Schicht 2 geätzt, wobei die geätzte Mo-Schicht im wesentlichen als Ätzmaske für die unterliegende ITO-Schicht wirksam ist. Nach dieser Ätzbehandlung ist die Struktur entstanden, wie diese in Fig. 2B schematisch dargestellt ist.
- Auf der Mo-Schicht 3 wird eine Isolierschicht 6 aus Siliziumnitrid mit einer Dicke von 70 nm zerstäubt. Auf photolithographischem Weg wird das Siliziumnitrid über dem gebiet der künftigen Bildelemente durch einen reaktiven Ionenätzvorgang (RIE) in einem Plasma aus einem Gemisch von SF&sub6; und CCl&sub4; entfernt. Dabei entsteht die Struktur, wie diese in Fig. 2C dargestellt ist. Die Mo-Schicht 3 in dem Gebiet der Bildelemente 8 wird mit dem obengenannten Ätzbad geätzt, wodurch die Struktur entsteht, wie in Fig. 2D angegeben. Daraufhin wird eine zweite Mo-Schicht 7 mit einer Dicke von 240 nm zerstäubt und danach auf üblichem photolithographischem Wege strukturiert, wodurch die Struktur entsteht, wie diese in Fig. 2E dargestellt ist.
- Fig. 3 zeigt schematisch in Draufsicht einen Teil einer aktiven Platte eines LC-TV mit zwei Bildelementen und zwei MIM-Strukturen. Die Figur zeigt zwei Bildelemente 8 mit ITO-Shichten 2 auf einem Glasträger 1. Die Bildelemente sind mit Fenstern 5 versehen. Die Fenster sind mit einer Siliziumnitridschicht 6 bedeckt, die sich zugleich unter einer Reihenelektrode 9 aus Mo erstreckt. Die Reihenelektrode ist verbunden und bildet ein Ganzes mit der Mo-Schicht 7 der MIM-Struktur. Die MIM- Struktur befindet sich in dem schraffierten Gebiet 10 und besteht aus einer Siliziumnitridschicht, die zwischen zwei Mo-Schichten eingeschlossen ist. Die MIM-Struktur hat die Abmessungen 4 µm x 5 µm. Fig. 2E ist ein schematischer Schnitt gemäß der Linie I-I in Fig. 3.
- Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und Ätzbad ist es möglich, ITO selektiv gegenüber Mo zu ätzen, ohne Anwendung von umweltschädlichem FeCl&sub3;, unter Beibehaltung einer hohen Ätzgeschwindigkeit und bei einer relativ niedrigen Temperatur des Ätzbades.
Claims (10)
1. Verfahren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Musters aus Zinn
dotiertem Indiumoxid (ITO) auf einem Substrat (1), wobei eine Schicht (2) aus
Zinndotiertem Indiumoxid auf dem Substrat (1) angebracht wird, wonach die Schicht (2) auf
lithographischem Weg unter Verwendung eines wässrigen Ätzbades mit Halogensäure
strukturiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzbad durch Verdünnung
konzentrierter Halogensäure mit einer nicht-wässrigen Flüssigkeit mit einer niedrigeren
Dielektrizitätskonstanten (ε) als die von Wasser.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
Verdünnungsflüssigkeit Essigsäure verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
Verdünnungsflüssigkeit Methanol verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die verwendete Halogensäure konzentrierte Salzsäure ist.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Ätzbad verwendet wird mit einer Konzentration der Verdünnungsflüssigkeit
von 25 - 75 Vol.%.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß das Ätzbad durch Verdünnung mit einer Flüssigkeit, gewählt aus der Gruppe,
gebildet durch Essigsäure und Methanol, zum selektiven Ätzen zinndotierten
Indiumoxids (ITO) (2) gegenüber einem Metall (3), das sich in einer oxidierenden
Ätzflüssigkeit löst, insbesondere einem Metall, selektiert aus der durch Mo, W und TiW
gebildeten Gruppe.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzbad
durch Verdünnung konzentrierter Salzsäure mit 25-75 Vol % Essigsäure oder Methanol
bereitet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1 zum Herstellen einer Trägerplatte für eine
Flüssigkristallwiedergabeeinrichtung, wobei die Trägerplatte Muster (2) aus
zinndotiertem
Oxid (ITO) aufweist sowie aus Metall bestehende Leiter (3, 7, 9), die in
einem oxidierenden Ätzbad sich lösen, wobei die Muster (2) aus zinndotiertem
Indiumoxid durch Behandlung dereelhen in dem Ätzbad nach Anspruch 1 erhalten werden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Trägerplatte die aktive Platte einer
Flüssigkristallwiedergabeeinrichtung ist, wobei diese Platte ein Substrat (1) aufweist,
das Schichten (2) aus zinndotiertem Indiumoxid (ITO) sowie Schaltelemente (10) trägt,
die aus einem ersten Leiter (3) aus einem Metall, selektiert aus der Gruppe, gebildet
durch Mo, W und TiW, sowie einem Isolator auf dem ersten Leiter und auf dem
Isolator einem zweiten Leiter aufgebaut ist, der aus einem Metall besteht, gewählt aus
der Gruppe, gebildet durch Mo, W und TiW, wobei diese Schaltelemente auf
lithographischem Weg erhalten werden, wobei die ITO-Schichten mustermäßig mit einem
Ätzbad geätzt werden, das durch Verdünnung konzentrierter Halogensäure mit einer
Flüssigkeit mit einer niedrigeren Dielektrizitätskonstanten als die von Wasser bereitet
wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß als
Halogensäure konzentrierte Salzsäure verwendet wird, die mit Essigsäure oder Methanol
bis zu einer Konzentration von 25-75 Vol % verdünnt wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP92200732 | 1992-03-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69302936D1 DE69302936D1 (de) | 1996-07-11 |
| DE69302936T2 true DE69302936T2 (de) | 1996-12-19 |
Family
ID=8210479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69302936T Expired - Fee Related DE69302936T2 (de) | 1992-03-13 | 1993-03-05 | Verfahren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Musters aus Zinn-dotiertem Idiumoxid (ITO) auf einem Substrat |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5366588A (de) |
| EP (1) | EP0560442B1 (de) |
| JP (1) | JPH0660744A (de) |
| DE (1) | DE69302936T2 (de) |
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| DE102011120328A1 (de) * | 2011-12-06 | 2013-06-06 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Ätzverfahren für Metall-Mischoxide |
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| US8927235B2 (en) | 2010-12-06 | 2015-01-06 | Novozymes A/S | Methods of hydrolyzing oligomers in hemicellulosic liquor |
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| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
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1993
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- 1993-03-05 DE DE69302936T patent/DE69302936T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-05 EP EP93200637A patent/EP0560442B1/de not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69302936D1 (de) | 1996-07-11 |
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| JPH0660744A (ja) | 1994-03-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
| 8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |