DE4404885C2 - Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium - Google Patents
Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber SiliziumInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich generell auf ein Verfahren zum selekti
ven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium, das bei der Herstellung von
Halbleitern angewandt wird.
Ein Siliziumnitridfilm wird üblicherweise als Oxidationsmaskenschicht ver
wendet, wenn Silizium lokal oxidiert werden soll, wenn also ein LOCOS-Pro
zess ausgeführt wird, was häufig bei der Herstellung von Halbleitereinrich
tungen der Fall ist.
Zum besseren Verständnis des Hintergrunds der vorliegenden Erfindung wird
nachfolgend ein konventioneller LOCOS-Prozess beschrieben, wobei auch auf
die dabei entstehenden Probleme eingegangen wird.
Die Fig. 1 dient zur Illustration des konventionellen LOCOS-Prozesses. Bei
diesem Prozess erfolgt die Temperung eines Siliziumsubstrats 1 bei etwa
950°C sowie in oxidierender Umgebung, beispielsweise in einer O2-Umgebung,
um auf dem Siliziumsubstrat 1 einen Oxidfilm 2 mit einer Dicke von 20 bis 30
Nanometern zu erzeugen, der als Unterlage bzw. Kissen dient (pad oxide film).
Sodann wird auf diesen Oxidfilm 2 ein Siliziumnitridfilm 3 mit einer Dicke
von etwa 140 bis 250 Nanometern aufgebracht, und zwar bei Temperaturen
im Bereich von 750 bis 800°C unter Verwendung einer Gasmischung von NH3
und SiH4, oder unter Verwendung einer Gasmischung von NH3 und SiH4 bei
Durchführung eines LPCVD-Verfahrens (Low Pressure Chemical Vapor Depo
sition-Verfahren). Danach wird der Siliziumnitridfilm 3 einem anisotropen
Trockenätzverfahren unterworfen, und zwar unter Verwendung eines CHF3
oder CF4 enthaltenden Ätzgases sowie unter Verwendung eines vorbestimmten
photosensitiven Filmmusters als Maske, um auf diese Weise einen vorbe
stimmten Bereich des Substrats freizulegen, der als Einrichtungstrennbereich
dient. Nach Entfernung des photosensitiven Filmmusters wird dann der frei
gelegte Substratbereich oxidiert, und zwar bei einer Temperatur von etwa
1000°C und über einen Zeitraum von 100 bis 200 Minuten sowie unter Ver
wendung einer Gasmischung aus O2 und H2, um einen Feldoxidfilm
4 mit einer Dicke von etwa 400 bis 700 Nanometern erhalten.
Nach Bildung des Feldoxidfilms 4 wird der als Maskenschicht verwendete Sili
ziumnitridfilm 3 entfernt, wobei der darunterliegende Oxidfilm 2 als Ätzstop
per dient. Die Entfernung des Siliziumnitridfilms 3 erfolgt durch ein Naßätz
prozess, und zwar durch Rückflußkochen von Phosphorsäure (H3PO4)-Lösung,
wodurch eine hohe Ätzselektivität erhalten wird. Beispielsweise wird beim Ät
zen des Siliziumnitridfilms 3 mit dem darunterliegenden Oxidfilm 2 als Ätz
stopper eine Phosphorsäurelösung mit einer Konzentration von 91,5% verwen
det, durch die der Siliziumnitridfilm 3 mit einer Geschwindigkeit von 10,5 Na
nometern pro Minute bei einer Temperatur von 180°C geätzt wird. Anderer
seits wird durch diese Lösung der darunterliegende Oxidfilm 2 nicht geätzt,
so dass dessen Ätzgeschwindigkeit 0 Nanometer pro Minute beträgt. Dieser
als Ätzstopper verwendete Oxidfilm 2 ist also sehr widerstandsfähig hinsicht
lich der benutzten Ätzlösung.
Während der LOCOS-Prozess ausgeführt wird, bildet sich jedoch ein dünner
Siliziumnitridfilm an der Grenzfläche zwischen dem Oxidfilm 2 und dem Silzi
umsubstrat 1, was als so genanntes "White Ribbon"-Phänomen bezeichnet
wird. Dieses Phänomen tritt
aufgrund der Tatsache auf, dass Ammoniakgas durch den Oxidfilm 2 hin
durch in die Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 hineindiffundiert und mit
dem Siliziumsubstrat 1 reagiert, wodurch sich ein spot- bzw. punktförmiger
Siliziumnitridfilm bildet. Das Ammoniakgas entsteht dabei aufgrund der Re
aktion von Feuchtigkeit (H2O) mit der Maskenschicht 3, die aus dem Silizium
nitrid (Si3N4)-Film besteht.
Wie in Fig. 1 zu erkennen ist, führt die Bildung des kleinen spot- bzw. punkt
förmigen Nitridfilmbereichs K dazu, dass der Oxidfilm 2 lokal dünner wird.
Obwohl im allgemeinen der Oxidfilm 2 gegen Ätzen relativ widerstandsfähig
ist, kann er dennoch langsam geätzt werden, nachdem der Siliziumnitridfilm
3 entfernt worden ist. Es kann daher passieren, dass dadurch das Silizium
substrat 1 im dünneren Bereich des Oxidfilms 2 freigelegt und somit lokal be
schädigt wird, und zwar durch Wirkung der Ätzlösung, die zum Wegätzen des
Siliziumnitridfilms verwendet wird. Dieses Phänomen tritt umso stärker auf,
je höher der Intergrationsgrad der Halbleitereinrichtung ist, je dünner also
der als Unterlage verwendete Oxidfilm 2 ist.
Andererseits ist die Entfernung des Siliziumnitridfilms auch durch ein Naß
ätzverfahren möglich, bei dem ein polysilizium-gepuffter LOCOS-Prozess
(nachfolgend als PBL-Prozess bezeichnet) durchgeführt wird, bei dem von ei
ner Polysiliziumschicht Gebrauch gemacht wird, die zwischen dem Siliziumo
xidfilm und dem Siliziumnitridfilm liegt. Während der Entfernung des Silizi
umnitridfilms durch Anwendung des PBL-Prozesses dringt dann Ätzlösung in
die Polysiliziumschicht ein und beschädigt diese.
Wird zum Beispiel als Ätzlösung eine Salpetersäurelösung verwendet, die eine
Konzentration von 95% hat, so beträgt die Ätzgeschwindigkeit für den Silizi
umnitridfilm etwa 5,5 Nanometer pro Minute bei einer Temperatur von 165°C,
während bei derselben Temperatur die Ätzgeschwindigkeit für die Polysilizi
umschicht bei 1,3 Nanometer pro Minute liegt. Die Differenz zwischen diesen
beiden Ätzgeschwindigkeiten ist nicht so groß. Um die Beschädigung der Poly
siliziumschicht zu verhindern, sind daher zusätzliche Ätzmaßnahmen erfor
derlich, was zu einem relativ kompliziertem Halbleiter-Herstellungsverfahren
führt.
Die DD 158 289 beschreibt eine Ätzlösung auf der Basis von Phosphorsäure,
der bis zu 5% eines Oxidationsmittels (HNO3) zugesetzt sind, wobei das Oxi
dationsmittel den Si-Angriff wesentlich beschleunigen soll, ohne das Ätzver
halten von Isolatoren (SiO2, Si3N4, Al2O3) zu verändern.
Im US Patent 5,132,241 werden eine SiO2-Schicht, eine Polysiliziumschicht
und eine Siliziumnitridschicht nacheinander auf einem Substrat gebildet.
Hierbei dient die SiO2-Schicht als Ätzstoppschicht zum Unterschneiden der
Polysiliziumschicht.
Gemäß EP 0 547 908 A2 werden auf einem Substrat eine Kissen-Oxidschicht,
eine erste Nitridschicht, eine Polysiliziumschicht und eine zweite Nitrid
schicht gebildet. Sämtliche dieser Schichten werden im Öffnungsbereich ge
ätzt. In diesem Fall kann eine darunterliegende Schicht am Boden der geätz
ten Schichten als Ätzstopper angesehen werden, wobei jedoch die darunterlie
gende Schicht keinesfalls als Schutzschicht anzusehen ist.
Der Artikel "Twin-White-Ribbon Effect and pit Formation Mechanism in PBLo
cos" von Tin-hwang Lin, Tsai und Yan, J. Electrochem. Jor., Vol. 138, No. 7,
Juli 1991 beschreibt eine Technik, bei der eine Trockenfeldoxidation anstelle
der bekannten Naßfeldoxidation bei der Bildung eines Feldoxidfilms zur Ver
hinderung der Bildung von Ätzlöchern aufgrund des so genannten "Twin-Whi
te-Ribbon"-Effekts, welcher beim PBLOCOS-Verfahren ein mögliches Problem
sein kann, vorgeschlagen wird.
Der Artikel "MOS Gate Oxide Defects Related to Treatment of Silicon Nitride
Coated Wafers Prior to Local Oxidation", Goodwin Brossman, J. Electrochem.
soc. 1982, befasst sich mit der Variation von Gate-Oxid-Defekten.
EP 0 545 585 A2 betrifft die Bildung einer polykristallinen Siliziumschicht zwi
schen einer Oxid- und einer Nitridschicht bei einem LOCOS-Verfahren.
Gemäß "Silicon Processing for the VLSI ERA" (1986), Seiten 531 und 534, be
ruht das Ätzen von Silizium durch Aufbringen einer Lösung aus HF + Oxidati
onsmittel (HNO3) auf dem Mechanismus, dass das Oxidationsmittel (HNO3)
auf der Siliziumoberfläche SiO2 bildet und dass das SiO2 durch HF aufgelöst
wird.
Das US-Patent 4,630,356 beschreibt eine Struktur, bei der eine SiO2-Schicht
zwischen einer polykristallinen Siliziumschicht und einer Siliziumnitrid
schicht eingebettet ist, wobei die Siliziumnitridschicht selektiv durch Nassät
zen entfernt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum selektiven Ätzen
von Siliziumnitrid gegenüber Silizium zu schaffen, mit dem eine verbesserte
Selektivität für das zu ätzende Siliziumnitrid erreicht wird, das mit den ande
ren Materialien koexistieren kann.
Lösungen der gestellten Aufgabe sind in den nebengeordneten Patentansprü
che 1 und 5 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprü
chen zu entnehmen.
Ein Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium
nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeichnet sich durch
folgende Schritte aus:
- - ein vorbestimmter Bereich eines Siliziumfilms, der auf einem Sub strat liegt, wird mit einem Siliziumnitridfilm abgedeckt; und
- - Beaufschlagung des Siliziumfilms und des Siliziumnitridfilms mit einer ein Oxidationsmittel enthaltenen Phosphorsäure-Ätzlösung, um die freiliegende Oberfläche des Siliziumfilms mit Hilfe des Oxi dationsmittels in einen Oxidfilm umzuwandeln, der eine höhere Ätzselektivität als der Siliziumnitridfilm hat, und um gleichzeitig den Siliziumnitridfilm zu ätzen. Höhere Ätzselektivität bedeutet, dass der Oxidfilm durch die Ätzlösung praktisch nicht angegriffen wird.
Ein anderes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zum se
lektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium zeichnet sich durch fol
gende Schritte aus:
- - Bildung eines Siliziumnitridfilms in vorbestimmten Bereichen auf einem Siliziumfilm, der auf einem Substrat liegt, so dass der Silizi umfilm bereichsweise freiliegt;
- - Bildung eines Oxidfilms als Schutzfilm mit höherer Ätzselektivität als der Siliziumnitridfilm auf der freiliegenden Oberfläche des Silizi umfilms, indem die freiliegende Oberfläche des Siliziumfilms einer oxidativen Umgebung oder einer oxidativen Lösung ausgesetzt wird; und
- - Entfernen des Siliziumnitridfilms durch Naßätzen.
Infolge der höheren Ätzselektivität des Schutzfilms wird dieser durch die Ätzlö
sung praktisch nicht angegriffen, wenn die Siliziumnitridschicht geätzt wird.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher
beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des beim
LOCOS-Prozess auftretenden "White Ribbon"-Phäno
mens;
Fig. 2A und 2B Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines selek
tiven Ätzprozesses nach einem ersten Ausführungsbei
spiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3A und 3B Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines selek
tiven Ätzprozesses nach einem zweiten Ausführungsbei
spiel der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 4 eine Querschnittsdarstellung zur Erläuterung eines se
lektiven Ätzprozesses nach einem dritten Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung lässt sich die Ätzselekti
vität für einen Siliziumfilm, insbesondere für einen amorphen Siliziumfilm
oder für einen Polysiliziumfilm verbessern, wenn ein Siliziumnitridfilm einem
Naßätzverfahren unterzogen wird, bei dem eine Phosphorsäurelösung verwen
det wird. Während oder vor dem Ätzen des Siliziumnitridfilms wird ein dünner
Siliziumoxidfilm auf der Oberfläche des Siliziumfilms gebildet, der benachbart
bzw. unterhalb eines Nitridfilms oder eines aus ihm gebildeten Musters liegt.
Mit anderen Worten übernimmt der Siliziumoxidfilm die Funktion eines
Schutzfilms für den Siliziumfilm, da der Siliziumoxidfilm eine geringere Reak
tivität bezüglich der Phosphorsäurelösung aufweist als der Siliziumnitridfilm.
Erfolgt ein Naßätzen des Siliziumnitridfilms durch Verwendung einer Phos
phorsäurelösung, so hydrolysieren Phosphorsäure und Wasser den Silizium
nitridfilm in wässrige Silicamasse (wässrige Siliziumdioxid) und Ammoniak,
wobei Ammoniumphosphat (Ammoniakphosphat) in der Lösung gebildet wird.
Da die Si-O-Si-Bindung stärker ist und nicht mehr so leicht hydrolisiert wer
den kann wie die Si-N-Bindung, bildet sich ein Oxidfilm, der stärker bzw. sta
biler ist als ein Nitridfilm.
Als Ätzlösung kommt nach der Erfindung vorzugsweise eine Phosphorsäurelö
sung zum Einsatz. Eine derartige Lösung weist vorteilhaft Siedepunkte im Be
reich von etwa 140°C bis etwa 200°C auf, wobei der Phosphorsäureanteil etwa
78 bis 98 Gew.-% beträgt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter
Bezugnahme auf die Zeichnung genauer beschrieben.
Die Fig. 2A und 2B illustrieren einen selektiven Ätzprozess in Übereinstim
mung mit einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Auf einem Substrat 11 befindet sich gemäß Fig. 2A ein aufgebrachter Silizi
umfilm 12, der ein amorpher Siliziumfilm oder ein Polysiliziumfilm sein kann.
Auf dem Siliziumfilm 12 liegt ein Nitridfilm, der anschließend durch einen
Trockenätzprozess bereichsweise entfernt wird, um in einem vorbestimmten
Bereich auf dem Siliziumfilm 12 ein Nitridfilmmuster 13 zu erhalten. Im Er
gebnis liegt also der Siliziumfilm 12 bereichsweise frei, während er anderer
seits bereichsweise durch das Nitridfilmmuster 13 abgedeckt ist. Der Tro
ckenätzprozess der zur Bildung des Nitridfilmmusters 13 verwendet wird, be
einflusst den Siliziumfilm 12 praktisch nicht oder nur sehr wenig.
Um das Nitridfilmmuster 13 zu ätzen, wird eine Ätzlösung verwendet, die aus
einer Phosphorsäure (H3PO4)-Lösung und einem Oxidationsmittel besteht,
beispielsweise Wasserstoffperoxid (H2O2), wobei der Anteil des Oxidationsmit
tels nicht weniger als 10 Gew.-% der Ätzlösung ist. Der entsprechende Vor
gang ist in Fig. 2B gezeigt.
Mischt sich die Phosphorsäurelösung mit dem Oxidationsmittel, also mit dem
Wasserstoffperoxid, so spaltet sich ein Wasserstoffperoxidmolekül in ein Was
sermolekül und in ein Sauerstoffradikal auf, welches die freigelegte Oberflä
che des Siliziumfilms 12 oxidiert. Mit anderen Worten schützt nach der vorlie
genden Erfindung die verwendete Ätzlösung den freigelegten Siliziumfilm 12,
während sie andererseits das Nitridfilmmuster 13 ätzt. Im einzelnen über
nimmt die Phosphorsäurelösung innerhalb der Ätzlösung in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung das Ätzen des Nitridfilmmusters 13 beim Naß
ätzverfahren, während das Oxidationsmittel, also zum Beispiel der Was
serstoffperoxid, Sauerstoffradikale erzeugt, die mit dem Silizium (Si) des frei
gelegten Siliziumfilms 12 reagieren, um zur selben Zeit auf dem Siliziumfilm
12 einen Oxidfilm 12 zu bilden. Der Vorgang lässt sich durch folgende Reakti
onsgleichung darstellen:
H2O2 → H2O + O*
S1 + O* → SiO2.
Wie oben erwähnt, dient der nach dem ersten Ausführungsbeispiel der vorlie
genden Erfindung auf dem Siliziumfilm 12 gebildete Oxidfilm 14 als Schutz
film für den Siliziumfilm 12, und zwar als Schutzfilm gegenüber der Ätzlö
sung. Dies führt konsequenterweise zu einer Erhöhung der Ätzselektivität des
Siliziumfilms 12 für den Fall des Naßätzens des Nitridfilmmusters 13, so dass
der Siliziumfilm gegenüber Beschädigungen geschützt werden kann, die sonst
durch das Naßätzen auftreten.
Die Fig. 3A und 3B illustrieren einen selektiven Ätzprozeß in Übereinstim
mung mit einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Dabei zeigt die Fig. 3A einen Schritt, der ausgeführt wird, bevor der Nitridfilm
durch ein Naßätzverfahren selektiv entfernt wird.
Gemäß Fig. 3A wird ein Nitridfilmmuster 13a in einem vorbestimmten Bereich
auf einem Siliziumfilm 12a gebildet, welcher ein Substrat 11a abdeckt. Im
Ergebnis wird der Siliziumfilm 12a teilweise durch das Nitridfilmmuster 13a
abgedeckt und andererseits bereichsweise freigelegt.
In Fig. 3B ist ein Schritt zum selektiven Ätzen des Nitridfilmmusters 13a mit
Bezug auf den Siliziumfilm 12a dargestellt. Zum selektiven Ätzen des Nitrid
filmmusters 13a nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung
kommt vorzugsweise eine Ätzlösung zum Einsatz, die aus einer Phosphorsäu
relösung besteht, in die ein oxidatives Gas eingeleitet bzw. injiziert wird, bei
spielsweise Ozon (O3).
Um Ozon in der Phosphorsäurelösung lösen bzw. auflösen zu können, wird
durch elektrolytische Zersetzung von reinem Wasser erhaltenes Ozongas
durch eine Membran hindurchgeleitet. Die Konzentration des Ozons in der
Ätzlösung liegt vorzugsweise in der Größenordnung von einem 1 ppm oder da
rüber.
Gelöstes bzw. aufgelöstes Ozon ist selbstzersetzend, so dass Sauerstoffradi
kale gebildet werden. Diese Sauerstoffradikale reagieren dann mit dem Silizi
um (Si) des Siliziumfilms 12a, wodurch ein Oxidfilm 14a an der Oberfläche
des freigelegten Siliziumfilms 12a erhalten wird. Der Reaktionsmechanismus
lässt sich durch folgende Reaktionsgleichung darstellen:
O3 → O2 + O*
O3 → O2 + O*
Si + 2O* → SiO2, Si + O2 → SiO2.
Beim Naßätzen des Nitridfilmmusters 13a dient der auf dem freiliegenden Si
liziumfilm 12a gebildete Oxidfilm 14a nicht nur als Schutzfilm für den Silizi
umfilm 12a, sondern verbessert auch die Selektivität des Siliziumfilms 12a
im Hinblick auf das Nitridfilmmuster 13a.
Ein drittes Ausführungsbeispiel eines selektiven Ätzprozesses nach der vor
liegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 4 be
schrieben. Beim dritten Ausführungsbeispiel liegt auf der Oberfläche eines
Substrats 11c ein Siliziumfilm 12c, auf dessen Oberfläche sich bereits ein
strukturierter Nitridfilm befindet, der den Siliziumfilm 12c bereichsweise ab
deckt und ihn bereichsweise freigibt.
Der freiliegende Teil des Siliziumfilms 12c kommt in Kontakt mit einer oxidie
renden bzw. oxidativen Umgebung oder einer oxidierenden Lösung, um einen
Oxidfilm 14c auf der freiliegenden Oberfläche des Siliziumfilms 12c zu erhal
ten, bevor das Nitridfilmmuster 13c geätzt wird. Wird im Anschluß daran das
Nitridfilmmuster 13c einem Naßätzprozess unterworfen, so übernimmt der
Oxidfilm 14c den Schutz des Siliziumfilms 12c und verhindert, dass der Sili
ziumfilm 12c durch das Ätzmittel beschädigt wird.
Sind zwei unterschiedliche Materialschichten gleichzeitig vorhanden, also
eine erste Materialschicht in Form eines Siliziumnitridfilms und eine zweite
Materialschicht in Form eines Siliziumfilms, so kann nach der vorliegenden
Erfindung, wie bereits eingangs beschrieben, die Ätzselektivität der zweiten
Materialschicht für den Fall des Naßätzens der ersten Materialschicht, die ge
ätzt werden soll, dadurch verbessert werden, dass die gesamte Oberfläche der
zweiten Materialschicht oder ein Teilbereich dieser Oberfläche mittels eines
dritten Materials, nämlich eines Oxidationsmittels umgewandelt wird, das
eine hohe Selektivität bezüglich der ersten Materialschicht aufweist, wobei
die Umwandlung vor oder während des Naßätzens erfolgen kann. Im Ergebnis
wird die zweite Materialschicht vor Beschädigungen geschützt, die sonst
durch das Ätzmittel auftreten könnten.
Kommt der erfindungsgemäße Prozess beim LOCOS-Verfahren zum Einsatz,
so lassen sich darüber hinaus Substratbeschädigungen vermeiden, die sonst
infolge der Zerstörung der Oxidfilmunterlage aufgrund des so genannten
"White Ribbon"-Phänomens auftreten würden.
Claims (5)
1. Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizi
um, umfassend folgende Schritte:
- - ein vorbestimmter Bereich eines Siliziumfilms (12, 12a), der auf ei nem Substrat (11, 11a) liegt, wird mit einem Siliziumnitridfilm (13, 13a) abgedeckt; und
- - Beaufschlagung des Siliziumfilms (12, 12a) und des Siliziumni tridfilms (13, 13a) mit einer ein Oxidationsmittel enthaltenden Phosphorsäure-Ätzlösung, um die freiliegende Oberfläche des Sili ziumfilms (12, 12a) mit Hilfe des Oxidationsmittels in einen Oxid film (14, 14a) umzuwandeln, der eine höhere Ätzselektivität als der Siliziumnitridfilm (13, 13a) hat, und um gleichzeitig den Silizium nitridfilm (13, 13a) zu ätzen.
2. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß das Oxidationsmittel wäßriges Wasserstoffperoxid ist.
3. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß das Oxidationsmittel ein oxidatives Gas ist.
4. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich
net, daß das oxidative Gas ein Ozongas ist.
5. Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizi
um, umfassend folgende Schritte:
- - Bildung eines Siliziumnitridfilms (13c) in vorbestimmten Berei chen auf einem Siliziumfilm (12c), der auf einem Substrat (11c) liegt, so daß der Siliziumfilm (12c) bereichsweise freiliegt;
- - Bildung eines Oxidfilms als Schutzfilm (14c) mit höherer Ätzselek tivität als der Siliziumnitridfilm (13c) auf der freiliegenden Ober fläche des Siliziumfilms (12c), indem die freiliegende Oberfläche des Siliziumfilms (12c) einer oxidativen Umgebung oder einer oxi dativen Lösung ausgesetzt wird: und
- - Entfernen des Siliziumnitridfilms (13c) durch Naßätzen.
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