DE4318241A1 - Substrat - Google Patents

Substrat

Info

Publication number
DE4318241A1
DE4318241A1 DE19934318241 DE4318241A DE4318241A1 DE 4318241 A1 DE4318241 A1 DE 4318241A1 DE 19934318241 DE19934318241 DE 19934318241 DE 4318241 A DE4318241 A DE 4318241A DE 4318241 A1 DE4318241 A1 DE 4318241A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
openings
metal layer
substrate according
layer
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19934318241
Other languages
English (en)
Other versions
DE4318241C2 (de
Inventor
Juergen Dr Ing Schulz-Harder
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Curamik Electronics GmbH
Original Assignee
Schulz Harder Juergen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schulz Harder Juergen filed Critical Schulz Harder Juergen
Priority to DE19934318241 priority Critical patent/DE4318241C2/de
Priority to DE59403364T priority patent/DE59403364D1/de
Priority to EP19940107880 priority patent/EP0632681B1/de
Priority to US08/253,247 priority patent/US5527620A/en
Publication of DE4318241A1 publication Critical patent/DE4318241A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4318241C2 publication Critical patent/DE4318241C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09145—Edge details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09745—Recess in conductor, e.g. in pad or in metallic substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/098—Special shape of the cross-section of conductors, e.g. very thick plated conductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/256—Heavy metal or aluminum or compound thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
    • Y10T428/2933—Coated or with bond, impregnation or core
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
    • Y10T428/2933—Coated or with bond, impregnation or core
    • Y10T428/294—Coated or with bond, impregnation or core including metal or compound thereof [excluding glass, ceramic and asbestos]
    • Y10T428/2956—Glass or silicic fiber or filament with metal coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
    • Y10T428/2933—Coated or with bond, impregnation or core
    • Y10T428/294—Coated or with bond, impregnation or core including metal or compound thereof [excluding glass, ceramic and asbestos]
    • Y10T428/2958—Metal or metal compound in coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Substrat gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1.
Insbesondere auch Keramiksubstrate sind in den unterschied­ lichsten Ausführungen bekannt und werden bevorzugt für elektrische Leistungsschaltkreise bzw. -module verwendet.
In vielen Anwendungen unterliegen solche Keramiksubstrate hohen Temperaturwechselbelastungen, bei denen Temperaturände­ rungen im Bereich zwischen -40°C und +125°C durchaus auftreten können.
Bedingt durch den unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffi­ zienten der Keramikschicht und Metallschicht ergeben sich am Übergang zwischen diesen Schichten bei Temperaturschwankungen erhebliche mechanische Druck- oder Zugspannungen, deren Gradient im Keramikmaterial am Rand der Metallschicht besonders groß ist und zu Rissen im Bereich der Oberfläche der Keramikschicht führt.
Es ist bekannt, daß durch eine Strukturierung der Metall­ schicht, die (Strukturierung) vielfach bereits durch das für den Schaltkreis notwendige Layout vorgegeben ist, der Gradient der Zug- und Druckspannungen verringert werden kann.
Vorgeschlagen wurde auch bereits (DE 40 04 844) durch Ätztechniken eine strukturierte Metallisierung zu schaffen, die an ihren Rändern zur Reduzierung des Gradienten der Zug- und Druckspannungen stellenweise geschwächt ist. Die hierbei vermittelte Lehre umfaßt in ihrer allgemein gehalte­ nen Form auch bereits vorher bekannte Ausgestaltungen von Leiterbahnen, Kontaktflächen oder dergl. strukturierten Metallisierungen sowie auch Kantenabschwächungen, wie sie beim Ätzen von Strukturen von Metallisierungen zwangsläufig erhalten werden und sich nicht vermeiden lassen.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Keramiksubstrat aufzu­ zeigen, welches sich durch eine verbesserte Lebensdauer auszeichnet und bei dem auch bei einer großen Dicke der Metallschicht Risse am Rand dieser Schicht selbst bei einer hohen Anzahl von Temperaturwechselbelastungen besonders wirksam verhindert sind.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Keramiksubstrat entspre­ chend dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 ausgebildet.
Durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung, d. h. durch die spezielle Schwächung der Metallschicht im Bereich ihres Randes durch zwei Reihen von Öffnungen, wird eine besonders günstige Verteilung der Druck- und Zugspannungen erreicht, so daß auch bei sehr dicken Metallschichten, d. h. bei Metall­ schichten, deren Dicke wenigstens 0,2 mm, bevorzugt jedoch größer ist, und bei einer hohen Anzahl von Temperaturwechsel­ belastungen durch Zug- und Druckspannungen bedingte Risse wirksam verhindert sind.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteran­ sprüche.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 in Teildarstellung und in Draufsicht ein Keramiksub­ strat gemäß der Erfindung;
Fig. 2 einen Schnitt entsprechend der Linie I-I;
Fig. 3 in ähnlicher Darstellung wie Fig. 2 eine Metallkern­ platte.
In der Fig. 1 ist ein Teil eines Keramiksubstrates darge­ stellt, welches im wesentlichen aus einer Keramikschicht 1, beispielsweise aus einer Aluminiumoxid-Keramik oder einer Aluminiumnitrid-Keramik, sowie aus Metallschichten 2 und 3, beispielsweise aus Kupferschichten besteht, von denen die Metallschicht 2 an der Oberseite und die Metallschicht 3 an der Unterseite der Keramikschicht 1 vorgesehen ist.
Zumindest die Metallschicht 2 weist eine Dicke von wenigstens 0,2 mm auf. Beide Metallschichten sind jeweils mit einer Ober­ flächenseite der Keramikschicht 1 flächig verbunden, und zwar beispielsweise mittels des dem Fachmann bekannten und in der Literatur mehrfach beschriebenen DCB-Verfahrens oder Aktiv­ lot-Verfahrens.
Das Keramiksubstrat ist Teil eines elektrischen Leistungs- Schaltkreises bzw. -Moduls. Die obere Metallschicht 2 ist durch bekannte Techniken (z. B. Ätztechniken) strukturiert und bildet Leiterbahnen sowie auch metallisierte Kontaktflächen, auf denen die nicht dargestellten Leistungs-Bauelemente befestigt sind, deren Verlustwärme über die Metallschicht 2, die Keramikschicht 1 und die weitere Metallschicht 3 an einem nicht dargestellten Kühlkörper abgeleitet wird.
In vielen Anwendungen, beispielsweise auch in der Kraft­ fahrzeugelektronik, unterliegen Keramik-Substrate erheblichen Temperaturwechselbelastungen, bei denen die Temperatur­ schwankungen zwischen -60°C und +125°C liegen können. Insbesondere dann, wenn die Metallisierung 2 eine Dicke aufweist, die größer als 0,2 mm ist, um so Leiterbahnen realisieren zu können, die einen für die hohen Ströme eines Leistungsmoduls ausreichenden Querschnitt gewährleisten, kann es entlang des Randes 4 der Metallschicht 2 bzw. der von dieser gebildeten Strukturen im Bereich der Oberfläche der Keramikschicht 1 zu Rissen 5 und damit zu einem Lösen der Metallschicht 2 kommen. Diese Risse 5 sind darauf zurückzu­ führen, daß es beim Abkühlen oder Erwärmen des Substrates - bedingt durch durch den unterschiedlichen Wärmeausdehnungs­ koeffizienten des Metalls der Metallschicht 2 und der Keramik der Keramikschicht 1 - am Übergang zwischen der Metallschicht 2 und der Keramikschicht 1 zu mechanischen Druck- und Zugspannungen kommt, wobei der Gradient des Spannungsver­ laufs, also die Änderung der jeweiligen Druck-und Zugspannung am Rand 4 besonders groß ist.
Um diesen Gradienten am Übergang von der Metallschicht 2 zur Keramikschicht 1 insbesondere auch im Bereich des Randes 4 zu mindern, sind in der Metallschicht 2 entlang des Randes 4 mehrere Öffnungen 6 und 7 in zwei Reihen eingebracht, von denen die Öffnungen 6 die erste, dem Rand 4 näherliegende Reihe und die Öffnungen 7 die zweite, vom Rand 4 weiter beabstandete Reihe bilden.
Die Öffnungen 6 und 7, die bei der dargestellten Ausführungs­ form jeweils den gleichen Querschnitt besitzen, sind von der der Keramikschicht 1 abgewandten Oberseite der Metallschicht 2 in diese mit geeigneten, bekannten Techniken, beispiels­ weise mit Ätztechniken, derart eingebracht, daß die Öffnungen 6 entweder ganz durchgehend sind, d. h. der Boden dieser Öffnungen von der Oberseite der Keramikschicht 1 gebildet ist, oder aber zwischen dem Boden der Öffnungen 6 und der Oberseite der Keramikschicht 1 den Abstand verbleibt, der etwa einem Drittel der Dicke der Metallschicht 2 entspricht.
Die Öffnungen 7 besitzen eine im Vergleich zu den Öffnungen 6 geringere Tiefe und sind so weit in die Metallschicht 2 eingebracht, daß der Abstand zwischen dem Boden dieser Öffnungen und der Oberseite der Keramikschicht 1 etwa im Bereich zwischen einem Drittel der Dicke der Metallschicht 2 und der Hälfte dieser Dicke liegt.
Der Abstand der Öffnungen 6 und 7 liegt etwa zwischen der Hälfte und dem 3fachen des Radius dieser Öffnungen. Der Durchmesser der Öffnungen 6 und 7 liegt im Bereich zwischen dem 0,5-2,5fachen der Dicke der Metallschicht. Hierbei ist auch eine Überlappung der Öffnungen 6 bzw. 7 möglich.
Bei der dargestellten Ausführungsform sind die Öffnungen 6 und 7 weiterhin auf Lücke derart versetzt, daß sich entlang der Reihen jeweils eine Öffnung 7 zwischen zwei Öffnungen 6 befindet. Die beiden Reihen der Öffnungen 6 und 7 sind in einen streifenförmigen Bereich entlang des Randes 4 vorge­ sehen, dessen Breite höchstens 2 mm ist.
Durch die Öffnungen 6 und 7 ergibt sich eine wesentliche Verringerung des Gradienten der Druck- und Zugspannungen zwischen Keramikschicht 1 und der Metallschicht 2 entlang des Randes 4, womit die Entstehung von Rissen 5 auch bei einer hohen Anzahl von Temperaturwechselbelastungen mit extremen Temperaturunterschieden wirksam vermieden wird.
Bei der in den Fig. 1 und 2 dargestellten Ausführungsform besitzen die dem Rand 4 näherliegenden Öffnungen 6 einen Querschnitt, der größer ist als der Querschnitt der Öffnungen 7.
Fig. 3 zeigt in vereinfachter Darstellung und im Teilschnitt noch eine Metallkernplatte, die aus der oberen Kupferschicht 3, einer isolierenden Schicht 1′ mit einer Dicke von etwa 20- 10 Mikrometern sowie aus einer dicken Metallschicht bzw. Platte 3′ besteht, die beispielsweise aus Aluminium herge­ stellt ist. Die Kupferschicht 2′ ist wiederum entlang des Randes mit den Öffnungen 6 und 7 versehen.
Die Erfindung wurde voranstehend an einem Ausführungsbeispiel beschrieben. Es versteht sich, daß zahlreiche Änderungen sowie Abwandlungen möglich sind, ohne daß dadurch der der Erfindung zugrundeliegende Erfindungsgedanke verlassen wird.
So ist es beispielsweise möglich, daß die Öffnungen 6 und 7 in den beiden Reihen, aber auch von Reihe zu Reihe jeweils unterschiedliche Größen bzw. Querschnitt und/oder unter­ schiedliche Tiefen aufweisen, wobei aber die Tiefe der Öffnungen 6 stets größer ist als die Tiefe benachbarter Öffnungen 7. Weiterhin ist es auch möglich, daß die Öffnung 6 und/oder 7 einen von der Kreisform abweichenden Querschnitt besitzen.
Bei der vorstehenden Beschreibung wurde der Einfachheit halber davon ausgegangen, daß die Öffnungen 6 und 7 lediglich am Rand 4 der Metallschicht 2 vorgesehen sind. Selbstver­ ständlich können entsprechende Öffnungen auch am Rand der Metallschicht 3 vorgesehen sein.
Bei der in den Fig. 1 und 2 dargestellten Ausführungsform sind die von den Öffnungen 6 und 7 gebildeten Reihen derart voneinander beabstandet und der Querschnitt dieser Öffnungen ist so gewählt, daß sich die Reihen der Öffnungen überlappen.
Bezugszeichenliste
1 Keramikschicht
1′ isolierende Schicht
2, 3 Metallschicht
3′ Metallschicht
4 Rand
5 Riß
6, 7 Öffnung.

Claims (9)

1. Substrat bestehend aus wenigstens einer isolierenden Schicht (1, 1′) sowie aus wenigstens einer an mindestens einer Oberflächenseite der isolierenden Schicht (1, 1′) flächig befestigten Metallschicht (2, 3), deren Dicke wenigstens 0,2 mm beträgt und die an wenigstens einem Randbereich (4) eine stellenweise Schwächung durch in die Metallschicht eingebrachte Öffnungen (6, 7) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen (6, 7) entlang des Randbereiches zwei Reihen bilden, daß die Öffnungen einer ersten, dem Rand (4) näher liegenden Reihe eine größere Tiefe als die Öffnungen (7) einer zweiten, dem Rand (4) entfernter liegenden Reihe aufweisen, daß der Boden der ersten Öffnungen einen Abstand von der iso­ lierenden Schicht aufweist, der kleiner als etwa ein Drittel der Dicke der Metallschicht (2) ist, und daß der Boden der Öffnungen (7) der zweiten Reihe einen Abstand von der Oberflächenseite der isolierenden Schicht (1, 1′) aufweist, der etwa zwischen einem Drittel und der Hälfte der Dicke der Metallschicht (2) liegt.
2. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Reihen der Öffnungen (6, 7) maximal 2 mm vom Rand (4) beabstandet sind.
3. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen (6, 7) beider Reihen jeweils gleichen Querschnitt aufweisen.
4. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen (6, 7) beider Reihen unterschiedlichen Querschnitt aufweisen.
5. Substrat nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Öffnungen (6, 7) der beiden Reihen auf Lücke versetzt sind.
6. Substrat nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die isolierende Schicht eine Keramikschicht (1) aus einer Oxid-Keramik oder aus einer Nicht-Oxid- Keramik ist.
7. Substrat nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die isolierende Schicht (1′) aus einem Kunststoffmaterial, beispielsweise aus einem für Leiter­ platten üblicherweise verwendeten Kunststoffmaterial (GFK-Leiterplattenmaterial) besteht.
8. Substrat nach einem der Ansprüche 1-7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die isolierende Schicht (1′) aus einem Kunststoffmaterial besteht und mit einer weiteren Metall­ trägerplatte (3′) flächig verbunden ist.
9. Substrat nach einem der Ansprüche 1-8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Querschnitt der Öffnungen (6, 7) etwa dem 0,5-3fachen der Dicke der wenigstens einen Metall­ schicht (2) entspricht.
DE19934318241 1993-06-02 1993-06-02 Metallbeschichtetes Substrat mit verbesserter Widerstandsfähigkeit gegen Temperaturwechselbeanspruchung Expired - Lifetime DE4318241C2 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19934318241 DE4318241C2 (de) 1993-06-02 1993-06-02 Metallbeschichtetes Substrat mit verbesserter Widerstandsfähigkeit gegen Temperaturwechselbeanspruchung
DE59403364T DE59403364D1 (de) 1993-06-02 1994-05-21 Metallbeschichtetes Substrat
EP19940107880 EP0632681B1 (de) 1993-06-02 1994-05-21 Metallbeschichtetes Substrat
US08/253,247 US5527620A (en) 1993-06-02 1994-06-02 Metal coated substrate having improved resistivity to cyclic temperature stress

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19934318241 DE4318241C2 (de) 1993-06-02 1993-06-02 Metallbeschichtetes Substrat mit verbesserter Widerstandsfähigkeit gegen Temperaturwechselbeanspruchung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4318241A1 true DE4318241A1 (de) 1994-12-08
DE4318241C2 DE4318241C2 (de) 1995-06-29

Family

ID=6489406

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19934318241 Expired - Lifetime DE4318241C2 (de) 1993-06-02 1993-06-02 Metallbeschichtetes Substrat mit verbesserter Widerstandsfähigkeit gegen Temperaturwechselbeanspruchung
DE59403364T Expired - Lifetime DE59403364D1 (de) 1993-06-02 1994-05-21 Metallbeschichtetes Substrat

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE59403364T Expired - Lifetime DE59403364D1 (de) 1993-06-02 1994-05-21 Metallbeschichtetes Substrat

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5527620A (de)
EP (1) EP0632681B1 (de)
DE (2) DE4318241C2 (de)

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1061783A2 (de) * 1999-06-14 2000-12-20 Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder Keramik-Metall-Substrat, insbesondere Mehrfachsubstrat
DE10111185A1 (de) * 2001-03-08 2002-06-13 Siemens Ag Keramik-Metall-Substrat
DE10337640A1 (de) * 2003-08-16 2005-03-17 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul mit verbessertem thermischen Kontakt
DE102004019568A1 (de) * 2004-04-22 2005-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Substrat für ein Leistungshalbleitermodul
DE102010024520A1 (de) 2010-06-21 2011-12-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erhöhung der thermo-mechanischen Beständigkeit eines Metall-Keramik-Substrats
DE102010025311A1 (de) 2010-06-28 2011-12-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht auf ein keramisches Substrat
WO2014008889A1 (de) 2012-07-10 2014-01-16 Curamik Electronics Gmbh Verfahren zum herstellen von metall-keramik-substraten sowie metall-keramik-substrat
DE102012212131A1 (de) * 2012-07-11 2014-06-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Substrat und Verfahren zur Bruchvorbereitung eines Substrats für mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement
WO2014127764A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Curamik Electronics Gmbh Metall-keramik-substrat, modulanordnung sowie verfahren zum herstellen eines metall-keramik-substrates
DE102013013842A1 (de) 2013-08-20 2015-02-26 Rogers Germany Gmbh Verfahren zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten sowie Metall-Keramik-Substrat
EP3002785A1 (de) * 2014-09-30 2016-04-06 Renesas Electronics Corporation Halbleiterbauelement
DE202016008287U1 (de) 2016-02-26 2017-06-21 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
DE202016008286U1 (de) 2016-02-26 2017-06-21 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
EP3184501A2 (de) 2015-12-22 2017-06-28 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verbesserte, durch dickschichtpaste direktverbundene kupfersubstrate
DE202016008307U1 (de) 2016-02-26 2017-07-10 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
EP3210951A1 (de) 2016-02-26 2017-08-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
EP3210956A1 (de) 2016-02-26 2017-08-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
EP3210957A1 (de) 2016-02-26 2017-08-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
WO2017144329A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
WO2017144332A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
WO2017144331A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
DE102016203112A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
DE202016008371U1 (de) 2016-02-26 2017-09-11 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
DE202016008370U1 (de) 2016-02-26 2017-09-11 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
EP3217428A1 (de) 2016-03-07 2017-09-13 Infineon Technologies AG Substrat und mehrere dieser umfassendes mehrfachsubstrat sowie verfahren zu dessen herstellung
DE102017215048A1 (de) * 2017-08-29 2019-02-28 Conti Temic Microelectronic Gmbh Schaltungsträger für Leistungselektronik und Leistungselektronikmodul mit einem Schaltungsträger
US10446462B2 (en) 2017-04-01 2019-10-15 Littelfuse, Inc. Heat transfer plate having small cavities for taking up a thermal transfer material
EP3696851A1 (de) * 2019-02-18 2020-08-19 Infineon Technologies AG Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung davon
CN113079634A (zh) * 2020-05-29 2021-07-06 新华三技术有限公司合肥分公司 一种电路板及其制备工艺

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3512977B2 (ja) * 1996-08-27 2004-03-31 同和鉱業株式会社 高信頼性半導体用基板
US6551857B2 (en) 1997-04-04 2003-04-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure integrated circuits
JP4649027B2 (ja) 1999-09-28 2011-03-09 株式会社東芝 セラミックス回路基板
US6670216B2 (en) * 2001-10-31 2003-12-30 Ixys Corporation Method for manufacturing a power semiconductor device and direct bonded substrate thereof
JP4759384B2 (ja) * 2005-12-20 2011-08-31 昭和電工株式会社 半導体モジュール
JP6028793B2 (ja) * 2012-03-15 2016-11-16 富士電機株式会社 半導体装置
JP6278516B2 (ja) * 2014-05-28 2018-02-14 Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 パワーモジュール用基板
JP2016152383A (ja) * 2015-02-19 2016-08-22 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
WO2017199712A1 (ja) * 2016-05-16 2017-11-23 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
BE1023850B1 (nl) * 2016-06-29 2017-08-14 C-Mac Electromag Bvba Verbeterde elektronische schakeling en substraat met identificatiepatroon voor afzonderlijke elektronische schakelingen en werkwijze voor het produceren daarvan
DE102016118784A1 (de) 2016-10-04 2018-04-05 Infineon Technologies Ag Chipträger, konfiguriert zur delaminierungsfreien Kapselung und stabilen Sinterung
DE102016125342A1 (de) * 2016-12-22 2018-06-28 Rogers Germany Gmbh Trägersubstrat für elektrische Bauteile und Verfahren zur Herstellung eines Trägersubstrats
JP7233407B2 (ja) 2017-07-10 2023-03-06 ヒタチ・エナジー・スウィツァーランド・アクチェンゲゼルシャフト 端子の脚部の下方の金属化層のディンプルを含むパワー半導体モジュール
DE102018104532B4 (de) * 2018-02-28 2023-06-29 Rogers Germany Gmbh Metall-Keramik-Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats
DE112019001086T5 (de) 2018-03-01 2020-11-12 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
JP7052887B2 (ja) 2019-01-16 2022-04-12 富士電機株式会社 半導体装置
JP7201066B2 (ja) 2019-02-18 2023-01-10 富士電機株式会社 半導体装置
JP7459539B2 (ja) 2020-02-07 2024-04-02 富士電機株式会社 半導体装置
DE102021100463A1 (de) 2021-01-13 2022-07-14 Rogers Germany Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrats und Metall-Keramik-Substrat hergestellt mit einem solchen Verfahren
DE102021107872A1 (de) 2021-03-29 2022-09-29 Rogers Germany Gmbh Trägersubstrat für elektrische, insbesondere elektronische Bauteile und Verfahren zum Herstellen eines Trägersubstrats

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4004844C1 (de) * 1990-02-16 1991-01-03 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Kupfermetallisierung auf einem Keramiksubstrat

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4883704A (en) * 1987-03-30 1989-11-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate comprising nitride type ceramics, method for preparing it, and metallizing composition for use in it
US4997698A (en) * 1987-05-04 1991-03-05 Allied-Signal, Inc. Ceramic coated metal substrates for electronic applications
DE3728096C1 (en) * 1987-07-03 1989-01-12 Duerrwaechter E Dr Doduco Flat body, especially for use as a heat sink for electronic power components
JPH0777246B2 (ja) * 1989-10-31 1995-08-16 株式会社住友金属セラミックス セラミックス回路基板
US5173354A (en) * 1990-12-13 1992-12-22 Cornell Research Foundation, Inc. Non-beading, thin-film, metal-coated ceramic substrate
JP2815498B2 (ja) * 1991-08-06 1998-10-27 同和鉱業株式会社 耐熱衝撃性に優れたセラミックス−銅接合基板
US5156725A (en) * 1991-10-17 1992-10-20 The Dow Chemical Company Method for producing metal carbide or carbonitride coating on ceramic substrate

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4004844C1 (de) * 1990-02-16 1991-01-03 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Kupfermetallisierung auf einem Keramiksubstrat

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 1-120886 (A). In Patent Abstracts of Japan, E-805, 14. August 1989, Vol. 13/Nr. 364 *

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1061783A3 (de) * 1999-06-14 2005-11-30 Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder Keramik-Metall-Substrat, insbesondere Mehrfachsubstrat
EP1061783B1 (de) 1999-06-14 2013-11-20 Curamik Electronics GmbH Keramik-Metall-Substrat, insbesondere Mehrfachsubstrat
EP1061783A2 (de) * 1999-06-14 2000-12-20 Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder Keramik-Metall-Substrat, insbesondere Mehrfachsubstrat
DE10111185A1 (de) * 2001-03-08 2002-06-13 Siemens Ag Keramik-Metall-Substrat
DE10337640A1 (de) * 2003-08-16 2005-03-17 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul mit verbessertem thermischen Kontakt
DE102004019568A1 (de) * 2004-04-22 2005-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Substrat für ein Leistungshalbleitermodul
DE102004019568B4 (de) 2004-04-22 2019-06-13 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat
DE102010024520A9 (de) 2010-06-21 2014-04-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erhöhung der thermo-mechanischen Beständigkeit eines Metall-Keramik-Substrats
DE102010024520A1 (de) 2010-06-21 2011-12-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erhöhung der thermo-mechanischen Beständigkeit eines Metall-Keramik-Substrats
DE102010024520B4 (de) * 2010-06-21 2017-08-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erhöhung der thermo-mechanischen Beständigkeit eines Metall-Keramik-Substrats
DE102010025311A1 (de) 2010-06-28 2011-12-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht auf ein keramisches Substrat
DE102012107399A1 (de) 2012-07-10 2014-01-16 Curamik Electronics Gmbh Verfahren zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten sowie Metall-Keramik-Substrat
WO2014008889A1 (de) 2012-07-10 2014-01-16 Curamik Electronics Gmbh Verfahren zum herstellen von metall-keramik-substraten sowie metall-keramik-substrat
DE102012212131A1 (de) * 2012-07-11 2014-06-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Substrat und Verfahren zur Bruchvorbereitung eines Substrats für mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement
DE102013102540B4 (de) 2013-02-22 2019-07-04 Rogers Germany Gmbh Metall-Keramik-Substrat, Modulanordnung sowie Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates
WO2014127764A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Curamik Electronics Gmbh Metall-keramik-substrat, modulanordnung sowie verfahren zum herstellen eines metall-keramik-substrates
DE102013013842A1 (de) 2013-08-20 2015-02-26 Rogers Germany Gmbh Verfahren zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten sowie Metall-Keramik-Substrat
WO2015024541A1 (de) 2013-08-20 2015-02-26 Rogers Germany Gmbh Verfahren zum herstellen von metall-keramik-substraten sowie metall-keramik-substrat
EP3002785A1 (de) * 2014-09-30 2016-04-06 Renesas Electronics Corporation Halbleiterbauelement
US9576885B2 (en) 2014-09-30 2017-02-21 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US9666518B1 (en) 2014-09-30 2017-05-30 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
EP3184501A2 (de) 2015-12-22 2017-06-28 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verbesserte, durch dickschichtpaste direktverbundene kupfersubstrate
WO2017144334A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
DE202016008370U1 (de) 2016-02-26 2017-09-11 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
EP3210956A1 (de) 2016-02-26 2017-08-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
EP3210957A1 (de) 2016-02-26 2017-08-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
WO2017144329A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
WO2017144332A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
DE102016203030A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
WO2017144331A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
DE202016008307U1 (de) 2016-02-26 2017-07-10 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
DE102016203112A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
WO2017144333A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
WO2017144330A1 (de) 2016-02-26 2017-08-31 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
DE202016008371U1 (de) 2016-02-26 2017-09-11 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
EP3210951A1 (de) 2016-02-26 2017-08-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-keramik-verbund
DE202016008287U1 (de) 2016-02-26 2017-06-21 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
DE202016008286U1 (de) 2016-02-26 2017-06-21 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Kupfer-Keramik-Verbund
US10206279B2 (en) 2016-03-07 2019-02-12 Infineon Technologies Ag Substrate and multiple substrate, and method for producing thereof
EP3217428A1 (de) 2016-03-07 2017-09-13 Infineon Technologies AG Substrat und mehrere dieser umfassendes mehrfachsubstrat sowie verfahren zu dessen herstellung
US10446462B2 (en) 2017-04-01 2019-10-15 Littelfuse, Inc. Heat transfer plate having small cavities for taking up a thermal transfer material
DE102017215048A1 (de) * 2017-08-29 2019-02-28 Conti Temic Microelectronic Gmbh Schaltungsträger für Leistungselektronik und Leistungselektronikmodul mit einem Schaltungsträger
EP3696851A1 (de) * 2019-02-18 2020-08-19 Infineon Technologies AG Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung davon
US11688712B2 (en) 2019-02-18 2023-06-27 Infineon Technologies Ag Semiconductor arrangement and method for producing the same
US11955450B2 (en) 2019-02-18 2024-04-09 Infineon Technologies Ag Method for producing a semiconductor arrangement
CN113079634A (zh) * 2020-05-29 2021-07-06 新华三技术有限公司合肥分公司 一种电路板及其制备工艺
CN113079634B (zh) * 2020-05-29 2022-11-18 新华三技术有限公司合肥分公司 一种电路板及其制备工艺

Also Published As

Publication number Publication date
EP0632681A2 (de) 1995-01-04
EP0632681A3 (de) 1995-11-02
US5527620A (en) 1996-06-18
DE4318241C2 (de) 1995-06-29
EP0632681B1 (de) 1997-07-16
DE59403364D1 (de) 1997-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4318241C2 (de) Metallbeschichtetes Substrat mit verbesserter Widerstandsfähigkeit gegen Temperaturwechselbeanspruchung
DE19927046B4 (de) Keramik-Metall-Substrat als Mehrfachsubstrat
DE102006045939B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit verbesserter Temperaturwechselstabilität
EP0920055B1 (de) Kühlvorrichtung für ein auf einer Leiterplatte angeordnetes, wärmeerzeugendes Bauelement
DE4319944C2 (de) Mehrfach-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE2542518C3 (de)
EP0590354B1 (de) Anordnung mit einer Leiterplatte, mindestens einem Leistungsbauelement und einem Kühlkörper
DE2459532C2 (de) Anordnung mit mehreren, parallel angeordneten mikroelektronischen Bauelementen scheibenförmiger Gestalt und Verfahren zur Herstellung der Kontaktbereiche einer solchen Anordnung
DE102011079708B4 (de) Trägervorrichtung, elektrische vorrichtung mit einer trägervorrichtung und verfahren zur herstellung dieser
DE19928788A1 (de) Elektronische Keramikkomponente
DE102012201172B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit geprägter Bodenplatte
DE2536270A1 (de) Mii oeffnungen versehene halbleiterscheibe
DE1933547A1 (de) Anschlussvorrichtung fuer Halbleiterelemente
DE2603747A1 (de) Integrierte schaltungsanordnung
DE102015114579B4 (de) Halbleiterchip
EP3958302A1 (de) Bodenplatte für ein halbleitermodul und verfahren zum herstellen einer bodenplatte
DE19936862C1 (de) Kontaktierung von Metalleiterbahnen eines integrierten Halbleiterchips
DE2601131A1 (de) Halbleitereinrichtungen vom druckkontakt-typ
EP3612009B1 (de) Elektronikeinheit
EP3211666A1 (de) Mehrfachsubstrat
DE3629745C2 (de)
DE3443771C2 (de) Halbleiteranordnung mit Metallisierung
DE19504378A1 (de) Mehrfach-Substrat
DE10156626A1 (de) Elektronische Anordnung
DE4208604A1 (de) Verbundmaterial zur verwendung als traeger elektrischer schaltkreise sowie unter verwendung des verbundmaterials hergestellter elektrischer schaltkreis

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: ELECTROVAC AG, KLOSTERNEUBURG, AT

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: PATENTANWAELTE WASMEIER GRAF GLUECK, 93049 REGENSBUR

8381 Inventor (new situation)

Inventor name: SCHULZ-HARDER, JUERGEN,DR.-ING., 91207 LAUF, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: CURAMIK ELECTRONICS GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: ELECTROVAC AG, KLOSTERNEUBURG, AT

Effective date: 20110427

R071 Expiry of right
R071 Expiry of right