DE3832907C2 - Verfahren zur Herstellung einer Preßform für Glas - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
Preßform für Glas. Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
erhaltene Preßform für Glas kann vorzugsweise zur Herstellung
eines Glasformkörpers hoher Präzision, der keiner weiteren
Nachbearbeitung (wie Schleifen oder Polieren) nach der Preßformgebung
bedarf, verwendet werden.
Preßformen zur Herstellung von Glasartikeln
durch Druckverformen dürfen keine Oberflächenrauhigkeit
aufweisen, weil bei hohen Temperaturen von 300 bis 700°C,
bei welcher die Druckverformung normalerweise durchgeführt
wird, eine Oxidation eintritt und keine Schmelzverbindung
aus dem Glaskörper an der Preßform nach der Formgebung
stattfinden darf. Weiterhin müssen die Formen an der inneren
Oberfläche der Preßform so bearbeitbar sein, daß sie eine optische
Spiegeloberfläche aufweisen und sie müssen eine mechanische
Festigkeit aufweisen, die ausreicht, um dem während der
Preßverformung eintretenden Impakt zu widerstehen.
Als Material für solche Preßformen für Glas hat man bisher
Wolframcarbid (WC), eine Legierung aus Wolframcarbid (WC)
und Kobalt (Co) und verschiedene Cermets verwendet. Bei
diesen Materialien tritt jedoch bei der Oxidation bei hohen
Temperaturen eine Oberflächenaufrauhung ein. Ein Material
für Preßformen für Glas, bei dem bei hohen Temperaturen
keine Oberflächenaufrauhung stattfindet und dessen
Innenoberfläche zu einer Spiegeloberfläche verarbeitbar
ist, ist ein SiC-Film, der mittels einer CVD-Methode erhalten
wurde. Ein solches Material für die Preßform neigt jedoch
bei der Verwendung zum Pressen von Glas dazu, daß das
Glas unter dem Druck bei hohen Temperaturen von 400°C und
mehr eine Bindung mit der Form eingeht.
Um das Eingehen einer Bindung beim Verschmelzen des Glases
in einer Preßform für Glas zu vermeiden, hat man in der
Praxis einen Freigabefilm aus Kohlenstoff an der Oberfläche
der Preßform ausgebildet. Der Freigabefilm aus Kohlenstoff
kann verschiedener Art sein, z. B. (1) ein Diamantfilm,
(2) ein diamantähnlicher Kohlenstoffilm, (3) ein Film aus
glasartigem Kohlenstoff und (4) ein Graphitfilm, wobei
jedoch alle diese Filme Probleme ergeben. Der Diamantfilm
(1) hat eine hohe Härte und eine relativ hohe Haftung an
einen β-SiC-Film, der auf einer Formgrundlage aufgebracht
ist; bei einem solchen Diamantfilm kann man jedoch (a) die
Formoberfläche nicht zu einer optischen Spiegeloberfläche
ausbilden, weil es unmöglich ist, einen Diamantfilm
auszubilden, der aus sehr feinen Diamantteilchen gleichmäßiger
Größe besteht, und (b) die Entfernung des Filmes, die
erforderlich ist, um die Form wiederzuverwenden, kann nicht
gemäß der Plasmaoxidationsmethode
vorgenommen werden.
Der diamantähnliche Kohlenstoffilm (2) wird unter Verwendung
eines reaktiven Gases aus CH₄ und H₂ gemäß JP-OS 281030/1986
ausgebildet; es ist jedoch schwierig, einen solchen Film
in einer ausreichenden Dicke und Gleichmäßigkeit auszubilden,
um die Oberflächenform und die Glätte der Oberfläche zu
erzielen und daher wird es erforderlich, die Filmoberfläche
jedesmal, wenn der Film ausgebildet wird, spiegelblank zu
polieren. Der diamantähnliche Kohlenstoffilm, der gemäß
JP-OS 183134/1986 erhalten wird, ist ein Diamantfilm, der
durch die Ionenstrahl-Sputtermethode erhalten wird (ein
solcher Film wird nachfolgend auch als "I-Kohlenstoffilm"
bezeichnet) und weist bei niedrigen Temperaturen eine hohe
Härte auf (z. B. eine Vickers-Härte von 3000 oder mehr) und
eine glatte Oberfläche; bei der Druckverformungstemperatur
von beispielsweise 545°C oder mehr wird dieser Film jedoch
aufgrund des Überganges von der amorphen Phase in Graphit
außerordentlich brüchig und neigt dazu, von der Form
abzublättern. Ein solcher Film ist deshalb nicht geeignet,
um als Trennfilm bei den hohen, angewendeten Temperaturen
verwendet zu werden. Da darüber hinaus die Ionenstrahl-
Sputtervorrichtung teuer ist, ist ein mit einer solchen
Vorrichtung hergestellter Film für technische Zwecke zur
Herstellung von Preßformen für Glas mit niedrigen Kosten
wenig geeignet.
Ein Film aus glasförmigem Kohlenstoff (3) ist leicht
oxidierbar und wird aufgrund seiner strukturellen Schwäche
leicht beschädigt, wie dies in der JP-OS 45613/1977 und in
US-PS 4 098 596 dargelegt wird.
Ein Graphitfilm (4) wird im allgemeinen durch thermische
Zersetzung von CH₄, Aceton oder Alkohol ausgebildet. Deshalb
enthält der Film Wasserstoff und wird bei den
Druckverformungstemperaturen von 600°C oder mehr weich und
neigt zum Abblättern von der Oberfläche des auf der Formmasse
ausgebildeten β-SiC-Filmes.
Wie vorher dargelegt, sind ein Diamantfilm (1), der
diamantähnliche Film (2), der Film aus glasartigem Kohlenstoff
(3) und der Film aus Graphit (4), die man bisher als
Trennfilm bei einer Form für Glas zur Herstellung von
Glasformkörpern durch Preßverformung verwendet hat, in
wenigstens irgendeiner Hinsicht, wie der Verarbeitbarkeit
der Formoberfläche zu einer optischen Spiegelfläche, der
Freigabe des Glases, der Härte, der Oxidationsbeständigkeit
bei hohen Temperaturen und der Abblätterbeständigkeit
ungeeignet.
Eine Preßform für Glas aus einem SiC vom Alpha-Typ und/oder
amorphem SiC ist aus US-PS-4,606,750 bekannt. Dabei kann die
Preßoberfläche mit einer Hartlegierung oder hochdichtem
Kohlenstoff beschichtet sein.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Preßform für Glas zur
Verfügung zu stellen, bei welcher ein Trennfilm ausgebildet
ist, welcher den Anforderungen entspricht und er die
vorgenannten Nachteile nicht aufweist.
Diese Aufgabe wird durch das Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
Weitere Vorteile der Erfindung gehen aus der Beschreibung
und den Zeichnungen hervor.
Fig. 1 ist eine schematische Beschreibung für eine
Sputtervorrichtung, die zur Ausbildung eines
harten Kohlenstoffilmes gemäß dem
erfindungsgemäßen Verfahren verwendet wird;
Fig. 2 ist eine Ansicht und zeigt den Fall, daß
Kohlenstoffatome, die von einem Target gesputtert
werden, auf der Formgrundmasse mit einem Winkel
von 40 bis 140° abgeschieden werden;
Fig. 3 zeigt eine Ansicht, bei welcher Kohlenstoffatome,
die von einem Target gesputtert werden, auf
einer Formgrundmasse mit einem Winkel von 0 bis
40° oder 140 bis 180° abgeschieden werden.
Wie schon erwähnt, betrifft die vorliegende Erfindung ein
Verfahren zur Herstellung einer Preßform für Glas, umfassend
die Stufen (a) und (b). Die Stufe (a) ist eine Stufe, bei
welcher ein Material für eine Form zum Formen von Glas
zu einer Preßform verarbeitet wird, welche die Form hat,
welche der aus dieser Form herzustellende, geformte Glasartikel
haben soll. Als Grundmaterial für die Preßform verwendet
man vorzugsweise gesintertes SiC. Man kann jedoch auch
Si₃N₄, Si, ZrO₂, TiO₂, WC, eine WC-Co-Legierung und verschiedene
Cermets verwendetn. Das Grundmaterial für die Preßform wird
zu der Form, welche der des herzustellenden
Glasformkörperartikels entspricht, verarbeitet. Wenn
beispielsweise der herzustellende Glasartikel eine doppelt konkave
Linse ist, dann wird das Grundmaterial für die Preßform zu
einer Form verarbeitet, welche konkave Teile entsprechend
der Form der Linsen aufweist.
Vor der Ausbildung eines harten Kohlenstoffilmes auf der
Preßform ist es möglich, einen SiC-Film auf der Preßform
durch chemische Dampfabscheidung (CVD) auszubilden. Dieser
SiC-Film, der durch die CVD-Methode ausgebildet wurde, dient
dazu, vorhandene Poren in der Oberfläche der Preßform
auszufüllen und ermöglicht es, daß die fertige Form eine
verbesserte Oberflächenglätte aufweist, d. h. eine
Spiegeloberfläche. Dieser Film hat normalerweise eine Dicke
von 5 µm oder mehr. Ein β-SiC-Film mit einer Orientierung
in der (111)-Ebene wird besonders bevorzugt. Die Ausbildung
eines SiC-Filmes mittels der CVD-Methode wird insbesondere
dann bevorzugt, wenn die Preßform aus gesintertes SiC
hergestellt ist.
Gemäß einem bevorzugten Beispiel für die Stufe (a) wurde
gesintertes SiC zu einer
Preßform verarbeitet, welche die Form hatte, die der des
herzustellenden Glasformartikels entsprach. Dann wurde
ein SiC-Film darauf mittels der CVD-Methode ausgebildet.
Typische Bedingungen für die Ausbildung eines SiC-Filmes
nach der CVD-Methode sind 1500°C (Temperatur im Ofen),
900 ml/Minute eines SiCl₄-H₂-Gemisches und 60 ml/Minute
C₃H₈-Gase, 40 kPa (Druck im Ofen) und 3 Stunden
(Abscheidungszeit). Der ausgebildete SiC-Film war ein dünner
β-SiC-Film mit einer Dicke von 500 µm und einer Orientierung
in der (111)-Ebene.
Stufe (b), die auf die Stufe (a) folgt, ist eine Stufe, bei
welcher ein harter Kohlenstoffilm auf der Formgrundmasse,
die in der gewünschten Form in Stufe (a) erhalten wurde,
nach einer Sputtermethode ausgebildet wird. Eine bevorzugte
Ausführungsform für die Stufe (b) wird nachfolgend
beschrieben.
Fig. 1 ist eine schematische Ansicht für eine
Sputtervorrichtung, wie sie zur Ausbildung eines harten
Kohlenstoffilmes auf der Formgrundmasse, die gemäß der
Stufe (a) erhalten wurde, angewendet wird. In Fig. 1 bedeutet
(1) eine Vakuumkammer und im Inneren der Vakuumkammer (1)
ist eine Formgrundmasse (2) (eine Scheibe von 10 mm
Durchmesser und 3 mm Dicke) aus gesintertem SiC mit einem
SiC-Film (2a) auf einer Seite, die von einer Halterung
(3) (100 mm Durchmesser), die gleichzeitig zum Erhitzen
dient, gehalten wird.
Weiterhin ist im Inneren der Vakuumkammer (1) ein Target
(4) (100 mm Durchmesser) aus Graphit vorgesehen, so daß
das Target (4) der Formgrundmasse (2) in vertikaler
Richtung 55 mm gegenüberliegt. In Fig. 1 bedeutet (5) einen
Magneten, (6) eine RF-Elektroquelle (es wurde Hochfrequenz
von 13,56 MHz angewendet, (7) einen Einlaß für Inertgas
(z. B. Argongas) und (8) einen Auslaßteil, um im Inneren
der Vakuumkammer (1) ein Vakuum zu erzeugen. Als Inertgas
wird vorzugsweise Argongas verwendet, jedoch kann man
erforderlichenfalls auch ein anderes Inertgas verwenden.
Bei der Stufe (b) ist es wesentlich, daß die Preßform (2)
auf eine Temperatur von 250 bis 450°C erhitzt wird, wobei
der Formhalter (3) als Heizquelle dient (der Grund,
warum man die Temperatur auf den vorerwähnten Bereich
begrenzt, wird später anhand von Versuchen erläutert).
Im Inneren der Vakuumkammer (1) wird ein Vakuum von 6,7 × 10-1 Pa
durch den Aulaß (8) gehalten und Argongas wurde
in die Vakuumkammer (1) aus dem Gaseinlaß (7) eingeführt,
und Hochfrequenzstrom von 6 W/cm² wurde mittels einer
RF-Elektroquelle (6) einwirken gelassen, um das
Graphittarget (4) zu sputtern und dadurch einen harten
Kohlenstoffilm in einer Dicke von 50 bis 200 nm auf dem
SiC-Film (2a) auszubilden. Raman-Scatter-Analyse zeigte,
daß man harte Kohlenstoffilme verschiedener Art und mit
verschiedene Eigenschaften erzielt, indem man den Winkel
verändert, der ausgebildet wird durch (i) die
Bewegungsrichtung der vom Target (4) gesputterten
Kohlenstoffatome und (ii) der Oberfläche des SiC-Filmes
(2a) auf der Form (2). Wenn man in Fig. 2 die Form
(2) in der Mitte des Formhalters (3) vorsah, wie dies
dort durch die Form (2′) gezeigt wird, wurden die von
dem Target (4) gesputterten Kohlenstoffatome auf dem SiC-Film
(2a′) in einem Winkel abgeschieden, der senkrecht oder
nahezu senkrecht zur Oberfläche des SiC-Filmes (2a′) war
(40 bis 140° bei dem vorher definierten Winkel) und der
erhaltene harte Kohlenstoffilm (der in den Tabellen 1 und
3 als "harter Kohlenstoffilm (1)" bezeichnet wird, hatte
eine (SP²+SP³)-Struktur und das Raman-Scatter-Spektrum
des erhaltenen harten Kolenstoffilmes zeigte einen nahezu
flachen Maximalbereich von 1350 bis 1570 cm-1. Die Analyse ergab, daß
dieser Kohlenstoffilm aus amorphen diamantähnlichen und
graphitähnlichen, ultrafeinen Teilchen bestand.
Die Eigenschaften des harten Kohlenstoffilmes bleiben im
wesentlichen unverändert, auch dann, wenn man den
Kohlenstoffilm in einer Stickstoffatmosphäre bei 600°C
während 12 Stunden hält und dann abkühlt.
In Fig. 3 wurde die Preßform am Ende des Formhalters
(3) befestigt, wie dies durch Form (2′′) dort gezeigt
wird, und eine fixierte Abdeckung (9) wurde vorgesehen,
um die Kohlenstoffatome, die von dem Target (4) in einem
Winkel senkrecht oder nahezu senkrecht von der Oberfläche
des SiC-Filmes (2a′′) gesputtert wurden, abzuschirmen. Die
vom Target (4) gesputterten Kohlenstoffatome wurden auf
dem SiC-Film (2a′′) in einem Winkel schräg zur Form
abgeschieden [0 bis 40° oder 140 bis 180° in dem oben
angegebenen Winkel (unterhalb 40° im Falle der Form (2′′)].
Der gebildete harte Kohlenstoffilm (der in Tabelle 1 als
harter Kohlenstoffilm (2) bezeichnet wird) zeigte zwei Maxima
bei 1350 cm-1 und 1590 cm-1 und einen konkaven Teil dazwischen,
wie durch Raman-Scatter-Spektrum festgestellt wurde. Daraus
kann man schließen, daß der harte Kohlenstoffilm
hauptsächlich aus Graphit besteht.
Keiner der beiden vorerwähnten harten Kohlenstoffilme enthielt Wasserstoff,
wie durch Infrarot-Absorptionsanalyse festgestellt wurde.
Für diese harten Kohlenstoffilme wurde die Haftung an den
darunter befindlichen β-SiC-Film mittels einer Diamantnadel
mit einem Kurvenradius von 0,8 mm an der Spitze nach einer
Kratzmethode festgestellt. Die Ergebnisse wurden in Tabelle
1 gezeigt. Die beiden harten Kohlenstoffilme wurden auch
unter Verwendung eines Mikrohärtemessers auf ihre Härte
gemessen. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt. Aus
Tabelle 1 geht hervor, daß der gemäß der vorliegenden
Erfindung ausgebildete, harte Kohlenstoffilm im wesentlichen
die gleiche Haftung und Härte aufwies, auch wenn man den
Film in einer Stickstoffatmosphäre während 12 Stunden bei
600°C hielt und dann kühlte, im Vergleich zu dem Film, der
drei Tage bei Raumtemperatur gehalten wurde, und daß der
Film nach der Wärmebehandlung nahezu keine Zerstörung
zeigte. Dies ist wahrscheinlich darauf zurückzuführen,
daß das für das Sputtern verwendete Gas kein reaktives
Gas (z. B. Wasserstoff) enthielt, und infolgedessen der gebildete
Film keinen Wasserstoff enthielt, und weil die Temperatur
für die Filmbildung hoch war zum Unterschied von der Bildung
eines i-Kohlenstoffilmes.
In Tabelle 1 werden auch die Haftung und die Härte eines
üblichen diamantähnlichen Kohlenstoffilmes (i-Kohlenstoffilm)
und eines üblichen thermischen CVD-Filmes gezeigt. Aus
Tabelle 1 geht hervor, daß der diamantähnliche
Kohlenstoffilm (i-Kohlenstoffilm) nach einer Wärmebehandlung
von 600°C sich abschälte und der durch thermische CVD-Methode
erhaltene Film zeigte eine merkliche Verringerung der
Haftung und der Härte nach einer Wärmebehandlung von 600°C.
Der erfindungsgemäß ausgebildete harte Kohlenstoffilm auf
der Preßform weist weitere Vorteile auf. Wenn es erforderlich
ist, den Film von der Preßform aufgrund von Verschmutzung
etc., bei einer wiederholten Preßverformung zu entfernen,
dann kann man den Film verhältnismäßig leicht durch eine
Plasmaoxidationsmethode, unabhängig von der Anzahl der
Preßverformungen, entfernen. Der glasartige Kohlenstoffilm
verschwindet während der Preßverformung aufgrund seiner
schlechten Oxidationsbeständigkeit und der i-Kohlenstoffilm
ist schwer zu veraschen und man benötigt deshalb eine lange
Zeit, um den Film zu entfernen. Dagegen weist der harte
Kohlenstoffilm, der gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren
auf der Gußform ausgebildet wird, eine ausreichende
Oxidationsbeständigkeit auf, so daß er während der
Preßverformung nicht oxidiert wird, und er kann leicht durch
Veraschen entfernt werden.
Unter Bezugnahme auf die Versuchsergebnisse, die in Tabelle 2
gezeigt werden, werden nachfolgend die Gründe angegeben,
warum man die Temperatur für die Preßform während der
Ausbildung des harten Kohlenstoffilmes nach dem
erfindungsgemäßen Verfahren bei 250 bis 450°C begrenzt.
Die Temperatur der Preßform während des Sputterns steht
in engem Zusammenhang zu der Oberflächenrauhigkeit und der
Härte des ausgebildeten Kohlenstoffilmes. Aus Tabelle 2
geht hervor, daß der auf der Preßform bei Temperaturen
von mehr als 450°C ausgebildete harte Kohlenstoffilm eine
sehr schlechte Oberflächenglätte aufweist (also rauh ist),
während ein harter Kohlenstoffilm, der bei einer Temperatur
der Preßform unterhalb 250°C ausgebildet wurde, eine sehr
niedrige Härte hat, so daß diese Filme praktisch nicht
als Freigabefilme geeignet sind. Dagegen weist ein harter
Kohlenstoffilm, der bei einer Temperatur der Preßform von
250 bis 450°C ausgebildet wurde, eine ausreichende
Oberflächenglätte und Härte auf.
Es wurden Versuche durchgeführt, indem man den Druck des
Argongases im Bereich von 6,7 bis 0,13 Pa und
den Hochfrequenzoutput in einem Bereich von 4 bis 8 W/cm²
variierte. Die Oberflächenglätte und die Haftung wurden
durch diese Veränderung nicht wesentlich beeinflußt.
Infolgedessen sind der Druck des Inertgases (z. B. Argongas)
und der Hochfrequenzoutput beim erfindungsgemäßen Verfahren
nicht kritisch.
Weiterhin wurde versucht, einen Film durch reaktives Sputtern
unter Verwendung eines reaktiven Gases, nämlich einer Mischung
aus Argongas, CH₄ und H₂, auszubilden. Tabelle 3 zeigt
deutlich, daß die Verwendung eines reaktiven Gases nicht
wirksam war und unbefriedigende Ergebnisse lieferte.
Der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren auf der Preßform
ausgebildete harte Kohlenstoffilm wurde hinsichtlich
der Freigabe von Glas gemessen. Ein Glas (A)
[Glasübergangstemperatur (Tg) 475°C, Biegetemperatur (Ts)
509°C, thermischer Ausdehnungskoeffizient (alpha) 113 × 10-7 cm/°C]
wurde bei einer Temperatur von 545°C und einem
Druck von 30 bar während 30 Sekunden in einer
Stickstoffatmosphäre unter Verwendung einer Form gemäß
der vorliegenden Erfindung preßverformt. Das geformte Glas
wurde auf Raumtemperatur gekühlt und aus der Form genommen.
Das Preßformverfahren wurde mehrmals unter Verwendung eines
neuen Glases (A) bei jedem Verfahren wiederholt, bis ein
erstes Schmelzverbinden des Glasformkörpers an der
Innenoberfläche der Form eintrat. Die Ergebnisse werden in
Tabelle 3 gezeigt. Aus Tabelle 3 geht hervor, daß eine
Gußform aus gesintertem SiC mit einem darauf durch eine
CVD-Methode ausgebildeten SiC-Film und ein harter
Kohlenstoffilm mit einer Dicke von 100 nm, ausgebildet auf
dem SiC-Film und erhalten nach dem vorliegenden Verfahren,
keine Schmelzbindung des Glases an die Form auch nach
200maligem Druckverformen ergab. Das erste Auftreten einer
Schmelzbindung wurde im frühesten Fall beim 203. Formvorgang
(Probe Nr. 37) und im spätesten Fall beim 308. Formvorgang (Probe
Nr. 41) festgestellt. Dies bedeutet eine ausgezeichnete
Glasfreigabefähigkeit. Die vorerwähnte Preßform zeigte
ähnlich ausgezeichnete Glasfreigabefähigkeiten, wenn man
sie zur Druckverformung eines anderen Glases (B) (Tg 565°C,
Ts 625°C, alpha 89 × 10-7 cm/°C) verwendete [wobei die
Druckverformungbedingungen (wie Druck, Zeit) die gleichen
waren wie vorher, mit der Ausnahme, daß die Temperatur
680°C betrug]. Aus Tabelle 3 geht hervor, daß alle Proben,
die man mit der vorerwähnten Form erhielt, keine
Schmelzbindung des Glases an die Form zeigten, auch wenn
man 150 Druckformgebungsverfahren durchführte.
Dagegen tritt bei einer Preßform aus gesintertem SiC mit
einem darauf ausgebildeten SiC-Film und ohne weitere
Ausbildung eines harten Kohlenstoffilmes auf dem SiC-Film
eine Schmelzbindung des Glases schon nach dem 5. oder 6.
Druckformgebungsverfahren bei dem Glas (A) und schon bei dem
2. oder 3. Druckformgebungsverfahren im Falle des Glases (B)
ein.
Bei einer Preßform mit einem Film, der unter reaktivem Sputtern
unter Verwendung eines reaktiven Mischgehaltes aus Argongas,
CH₄ und H₂ erhalten wurde, trat eine Schmelzverbindung des
Glases bei 41. bis 67. Druckformverfahren im Falle des
Glases (A) und beim 40. bis 58. Druckformverfahren im Falle
des Glases (B) ein. Bei einer Preßform mit einem üblichen
i-Kohlenstoffilm wurde die Schmelzverbindung des Glases
beim 10. bis 22. Druckformgebungsverfahren beim Glas (A)
und beim 5. bis 6. Druckformgebungsverfahren im Falle des
Glases (B) festgestellt. Bei einer Preßform mit einem üblichen
CVD-Film wurde die Schmelzverbindung des Glases beim 80. bis
130. Formgebungsverfahren beim Glas (A) und beim 31. bis
53. Formgebungsverfahren beim Glas (B) festgestellt.
Aus der Beschreibung geht hervor, daß man nach dem
erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung einer Preßform
für Glas einen harten Kohlenstoffilm ausbildet, welcher
eine ausgezeichnete Haftung an die Form und eine
ausgezeichnete Härte aufweist und der nicht an einen
gegossenen Glasartikel durch Schmelzverbindung anhaftet.
Infolgedessen weist die erfindungsgemäße Form eine große
Dauerhaftigkeit und eine hervorragende Glasfreigabefähigkeit
auf. Das erfindungsgemäße Verfahren hat den weiteren Vorteil,
daß man den harten Kohlenstoffilm leicht durch Plasmaoxidation
entfernen kann und daß man die Form häufig wiederverwenden
kann, indem man immer wieder den Film entfernt und anschließend
wieder ausbildet.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung einer Preßform für Glas,
gekennzeichnet durch folgende Stufen:
- (a) Verarbeitung eines für die Preßform geeigneten Materials zu einer Preßform, welche die Form des in der Preßform herzustellenden Glasartikels hat; und
- (b) Ausbilden eines harten Kohlenstoffilmes auf der Preßform durch eine Sputtermethode unter Verwendung eines Inertgases und von Graphit als Target bei einer Temperatur der Preßform von 250 bis 450°C.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Preßform aus gesintertem SiC
eingesetzt wird.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß man vor Ausbildung des
harten Kohlenstoffilmes auf der Preßform auf der
Oberfläche der Preßform durch chemische
Dampfabscheidungsmethode (CVD) einen SiC-Film ausbildet.
4. Verfahren gemäß Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß als SiC-Film ein β-SiC-
Film mit einer Orientierung in der (111)-Ebene ausgebildet
wird.
5. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß man als Inertgas
Argongas verwendet.
6. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß ein harter
Kohlenstoffilm unterschiedlicher Art und mit
unterschiedlichen Eigenschaften dadurch ausgebildet wird,
daß man den Winkel, der durch die Bewegung der von dem
Target gesputterten Atome und die Oberfläche der Preßform
gebildet wird, verändert.
7. Verfahren gemäß Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß man einen harten
Kohlenstoffilm der aus diamantähnlichen und
graphitähnlichen ultrafeinen Teilchen besteht, ausbildet
indem man den gesputterten Kohlenstoff auf der
Preßformoberfläche in einem Winkel von 40 bis 140°
abscheidet.
8. Verfahren gemäß Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß man einen hauptsächlich
aus Graphitt bestehenden harten Kohlenstoffilm ausbildet,
indem man die gesputterten Kohlenstoffatome auf der
Oberfläche der Gußform in einem Winkel zwischen 0 und 40°
oder 140 und 180° abscheidet.
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