DE69333176T2 - Verfahren zur Herstellung von einer synthetischer Diamantschicht - Google Patents

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    • C23C16/0254—Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing

Description

  • Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines künstlichen Diamantfilms.
  • Diamant weist eine Anzahl von Eigenschaften auf, welche ihn für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen vorteilhaft erscheinen lässt. Unter diesen Eigenschaften sind äußerst große Härte und ausgezeichnete Durchlässigkeit bestimmter Strahlungsarten zu finden. Diamant ist auch ein außergewöhnlich guter Wärmeleiter, thermisch stabil und ein elektrischer Nichtleiter. Jedoch ist natürlicher Diamant für Anwendungen, die eine beträchtliche Größe erfordern, in dafür sich verbietendem Maße teuer und er ist schwer in bestimmte Formen zu bringen.
  • In den letzten Jahren wurde eine Anzahl von Techniken zum künstlichen Herstellen von Diamant und zum Abscheiden von künstlichem Diamant auf Oberflächen von verschiedener Gestalt entwickelt, um einen Diamantfilm oder eine Diamantbeschichtung zu erzielen. Diese Techniken umfassen sogenannte Hochdruck-Hochtemperatur ("HPHT") Verfahren und chemische Dampfabscheidungs-("CVD")-verfahren. Die CVD-Verfahren umfassen Plasmaabscheidungstechniken, wobei zum Beispiel Plasma eines Kohlenwasserstoffs und Wasserstoffs unter Einsatz von elektrischem Lichtbogen erzielt werden. Das sich daraus ergebende Plasma kann unter Einsatz von Fokussier- und Beschleunigungsmagneten fokussiert und auf ein Substrat hin beschleunigt werden. Bezug kann zum Beispiel auf US-A-5 411 758 genommen werden, erteilt an dieselbe Anmelderin wie die der vorliegenden Anmeldung, für die Beschreibung eines Beispiels einer Art der Plasmastrahlabscheidung, die eingesetzt werden kann, um künstlichen Diamant auf einem Substrat abzuscheiden.
  • Darüber hinaus offenbart das Dokument JP-A-01 225 774 ein Diamantwerkzeug, welches Diamant umfasst, der durch das Niederdruckdampfphasenverfahren künstlich hergestellt wurde, 0,1 – 3,0 mm Dicke aufweist und direkt mit dem Substrat verklebt ist, das Mo oder W umfasst und eine Dicke von 1 – 500 Mikron aufweist. Dieses Material wird für Schneidwerkzeuge und verschleißfeste Werkzeuge oder Abrichtwerkzeuge mit guter Festigkeit, Verschleißfestigkeit und Wärmebeständigkeit eingesetzt. In einem Beispiel wurde polykristalliner Diamant durch Hochfrequenzplasma-CVD künstlich hergestellt, wobei ein Mo Substrat, das eine Rmax Rauhigkeit von 0,3 Mikron und eine Dicke von 50 Mikron aufweist, aufgewärmt auf 900°C in einer Vakuumreaktionskammer verwendet wurde, in welche ein Mischgas von CH4 : H2 (= 1 : 300 in Molverhältnis) mit einer Rate von 40 cm3/min eingespeist wurde. Der Druck der Kammer wurde auf 35 Torr eingestellt und 850 W Leistung wurde durch den Hochfrequenzoszillator angeboten, um das Plasma zu induzieren und polykristallinen Diamant von 0,8 mm Dicke zu synthetisieren. Die Schneidspitzen, die unter Verwendung des Diamanten hergestellt wurden, wiesen 0,05 mm Flankenverschleiß für 30 m/min Schnittgeschwindigkeit und 0,06 mm Flankenverschleiß für 88 mm/min Schnittgeschwindigkeit auf.
  • Das Dokument JP-A-61 124 573 offenbart Substrate, die aus gesinterten Legierungen, Keramikwerkstoffen, unlegiertem Werkzeugstahl oder Verbundmaterialien hergestellt sind, die mit dem Diamantmaterial von durchschnittlichem Partikeldurchmesser bis zu 1,0 Mikron und bei einer Dicke von 0,01 – 20 Mikron beschichtet werden. Die Substrate sind an der Oberfläche aufgeraut bis zu 1,0 Mikron, wobei Schleifsteine oder -Partikel aus e.BN und/oder Diamant vor dem Beschichtungsvorgang eingesetzt werden. Ein Substrat mit einer Oberflächenrauhigkeit von nicht mehr als 1,0 Mikron wird mit Diamant und/oder diamantartigem Kohlenstoff beschichtet. In einem Beispiel wurde ein Ti-Substrat an der Oberfläche auf eine durchschnittliche Rauhigkeit von 0,7 Mikron aufgeraut, wobei 2 Mikron Diamantpulver verwendet wurde. Die Diamantbeschichtung fand durch Plasma-CVD statt, wobei 2,45 GHz-Mikrowellen mit 350 W Leistung unter 30 Torr Druck der H2 0,5% CH4 Atmosphären eingesetzt wurden.
  • Künstlicher Diamantfilm kann als eine dauerhafte Beschichtung auf einem Substrat wie auf den Verschleißoberflächen eines Werkzeugs oder als eine vor Umwelteinflüssen schützende Beschichtung abgeschieden werden. Solche Filme werden im Allgemeinen als relativ dünne Filme eingestuft. Alternativ kann ein künstlicher Diamantfilm, der im Allgemeinen als ein dicker Film eingestuft wird, auf einem Substrat abgeschieden werden und dann vorzugsweise unzerstört als ein ganzes, "freistehendes" Stück für den Einsatz in Anwendungen wie Kühlkörper, optische Fenster und in Werkzeugen entfernt werden. Jedoch hat sich das Herstellen solch dicker Filme, besonders von relativ großer Fläche, als schwierig erwiesen. Zusätzlich zur Schwierigkeit des Abscheidens von qualitativ hochwertigem künstlichem Diamant von beträchtlicher Dicke ergibt sich das Problem des Entfernens des Diamanten in unzerstörter Form vom Substrat. Das Substratmaterial wird im Allgemeinen einen unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten als auch einen unterschiedlichen molekularen und chemischen Aufbau als der Diamant aufweisen. Die Haftung und das Wachstum des Diamantfilms als auch seine Ablösung werden unter anderem von den eingesetzten Materialien, der Oberflächenvorbereitung und der Abscheidungsparameter abhängen.
  • Titannitrid und andere Materialien wurden als eine Beschichtung für ein Substrat wie Molybdän verwendet, auf welches künstlicher Diamant abgeschieden werden soll. Titannitrid haftet gut an Molybdän. Diamant kann auf einer dünnen Schicht Titannitrid abgeschieden werden und dann im idealen Fall vom Substrat abgelöst werden, nachdem die gewünschte Dicke des künstlichen Diamantfilms durch zum Beispiel chemische Dampfabscheidung abgeschieden worden ist. Der Diamant wird bei einer relativ hohen Temperatur abgeschieden und sollte sich, da der Diamant (genauso wie die Titannitridzwischenschicht und das Substrat darunter) nach Beendigung der Diamantabscheidung abkühlt, vom Substrat vorzugsweise in einem Stück ablösen. Jedoch können in diesem Vorgang Probleme auftreten. Eines dieser Probleme ist vorzeitiges Abblättern des Diamanten und/oder seiner Unterschicht während der Abscheidung oder vorzeitiges Ablösen des Diamanten, bevor die Abscheidung abgeschlossen ist. Ein weiteres Problem ist das Springen des Diamanten bei seiner Ablösung vom Substrat.
  • Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines freistehenden künstlichen Diamantfilms in gewünschter Dicke bereitzustellen, welches die oben erwähnten Nachteile des Stands der Technik vermeidet. Diese Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß des unabhängigen Anspruchs 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Merkmale, Aspekte und Details der Erfindung gehen aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung, den Beispielen und den Zeichnungen hervor.
  • Die Erfindung zielt insbesondere darauf ab, die Herstellung von freistehendem künstlichem Diamant durch das chemische Dampfabscheidungsverfahren im Allgemeinen zu verbessern.
  • Die Anmelderin hat entdeckt, dass für das Erzielen von relativ dicken, freistehenden Diamantfilmen, die eine Dicke im Bereich von 200 bis 1000 μm aufweisen, die Rauhigkeit der Substratoberfläche unterhalb der dünnen Zwischenschicht, auf welcher der Diamant durch CVD abgeschieden werden soll, in engen Grenzen gesteuert werden sollte, um die Leistungsfähigkeit der Diamantabscheidung und des Ablösungsvorgangs zu maximieren. Insbesondere muss die Substratoberflächenrauhigkeit nicht nur glatt genug sein, um das Ablösen des Diamanten zu erlauben, nachdem die Abscheidung einer angestrebten Diamantdicke abgeschlossen ist, sondern muss auch rau genug sein, um das vorzeitige Abheben des Diamanten oder das Abblättern von Diamant während des Abscheidungsvorgangs zu verhindern.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines freistehenden künstlichen Diamantfilms gewünschter Dicke dargelegt, umfassend die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Substrats; Auswählen einer angestrebten Diamantdicke, die hergestellt werden soll, wobei die angestrebte Dicke in dem Bereich 200 μm bis 1000 μm liegt; Endbearbeiten einer Oberfläche des Substrats auf eine Rauhigkeit, RA, die eine Funktion der angestrebten Dicke ist, wobei sich die Rauhigkeit bestimmt aus:
    0,38t/600 μm ≤ RA ≤ 0,50 μm 200 μm < t ≤ 600 μm
    0,38 μm ≤ RA ≤ 0,50 μm 600 μm < t < 1000 μm
    wobei t die angestrebte Dicke ist;
    Abscheiden einer Zwischenschicht auf dem Substrat, wobei die Zwischenschicht eine Dicke im Bereich 1 bis 20 μm aufweist; Abscheiden von künstlichem Diamant auf der Zwischenschicht durch chemische Dampfabscheidung auf eine Dicke innerhalb plus oder minus zehn Prozent der angestrebten Dicke; und Abkühlen des künstlichen Diamanten, um dessen Ablösung zu bewirken.
  • In einer hiervon offenbarten Ausführungsform umfasst der Schritt des Bereitstellens eines Substrats das Bereitstellen eines Molybdänsubstrats und der Schritt des Abscheidens einer Zwischenschicht umfasst das Abscheiden einer Schicht von Titannitrid. In dieser Ausführungsform umfasst der Schritt des Abscheidens einer Zwischenschicht vorzugsweise das Abscheiden einer Zwischenschicht, die eine Dicke im Bereich von 3 bis 5 μm aufweist.
  • Wie in der oben angezeigten Beziehung zwischen der Zieldiamantdicke und der Oberflächenrauhigkeit ersichtlich, steigt die gerade noch annehmbare Oberflächenrauhigkeit für angestrebte Dicken zwischen 200 und 600 μm mit zunehmender Zieldiamantdicke an. Dies führt zu einer Abnahme der Fälle der Fehlerarten, die zuvor oben beschrieben wurden.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden genauen Beschreibung leichter verständlich, wenn sie in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen aufgenommen wird.
  • 1 ist ein Ablaufflussdiagramm der Schritte einer Ausführungsform des Verfahrens der Erfindung.
  • 2 ist ein schematisches Diagramm eines Plasmastrahlabscheidungssystems, welches für die CVD-Abscheidung von künstlichem Diamant für den Einsatz in einer Ausführungsform der Erfindung eingesetzt werden kann.
  • Mit Bezug auf 1 wird ein Ablaufflussdiagramm der Schritte eines Vorgangs zum Erzielen freistehenden künstlichen Diamantfilms der gewünschten Dicke gemäß einer Ausführungsform der Erfindung gezeigt. Der Block 110 stellt die Auswahl der angestrebten Dicke des herzustellenden Diamanten dar, wobei die Erfindung auf eine Zieldiamantdicke im Bereich von 200 bis 1000 μm gerichtet ist. Die Oberfläche des Substrats, die für die Diamantabscheidung verwendet wird, wird dann mit einer vorgeschriebenen Rauhigkeit endbehandelt (Block 120). Das Substrat sollte einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, der relativ nahe (vorzugsweise innerhalb von 10– 5/°K) zu jener des Diamanten liegt, und sollte ein in vernünftigem Rahmen guter Wärmeleiter sein. Die bevorzugten Substrate hiervon sind Molybdän, Wolfram und Graphit. Molybdän (eingeschlossen seine Legierungen wie TZM, welche relativ geringe Prozentsätze an Titan und Zirkon enthält) wird zur Zeit als im Besonderen bevorzugt betrachtet. Die Oberfläche des Substrats wird auf eine Rauhigkeit, RA [RA ist der allgemein anerkannte internationale Parameter für Rauhigkeit, welcher das arithmetische Mittel der Abweichung des Oberflächenprofils von der Mittellinie ist], als eine Funktion der Zieldiamantdicke endbehandelt, wobei sich die Rauhigkeit bestimmt aus:
    0,38t/600 μm ≤ RA 0,50μm 200 μm < t ≤ 600 μm
    0,38 μm ≤ RA ≤ 0,50 μm 600 μm < t < 1000 μm
    wobei t die angestrebte Dicke ist.
  • Eine relativ dünne Zwischenschicht im Bereich 1 bis 20 μm, vorzugsweise im Bereich 3 bis 5 μm, wird dann auf der endbehandelten Substratoberfläche wie zum Beispiel durch physische Dampfabscheidung ("PVD") abgeschieden (Block 130). Die Zwischenschicht, welche, wenn dies gewünscht ist, mehrere Unterschichten umfassen kann, sollte nicht stark am Diamant haften. Eine starke chemische Bindung fördert das Anhaften und verhindert schließlich die Ablösung des Diamanten vom Substrat in einem Stück. Die Schicht sollte dick genug sein, um die chemische Bindung des Diamanten mit der darunter liegenden Schicht zu verhindern, und dünn genug sein, um den notwendigen Grad der Rauhigkeit der beschichteten Oberfläche beizubehalten, um einen Grad an mechanischer Bindung zu erlauben, welche die vorzeitige Ablösung abwendet. Für Titannitrid, eine hiervon bevorzugte Zwischenschicht, wird die Schicht eine Dicke im Bereich von ungefähr 3 bis 5 μm aufweisen. Beispiele anderer Zwischenschichtmaterialien, die hierin eingesetzt werden können, sind Titankarbid, Hafniumnitrid, Zirkonnitrid, Aluminiumnitrid und Aluminiumoxid. Mischungen und Verbindungen dieser Materialien können auch eingesetzt werden.
  • Künstlicher Diamant wird dann durch chemische Dampfabscheidung auf ungefähr die angestrebte Dicke abgeschieden, wie durch Block 140 dargestellt, wobei Abscheidung auf ungefähr die angestrebte Dicke eine Abscheidung auf innerhalb plus oder minus zehn Prozent der angestrebten Dicke bedeutet. Die Beschreibung unten stellt in Verbindung mit 2 eine Technik der CVD-Plasmastrahlabscheidung dar, aber es können auch andere Techniken der CVD-Abscheidung künstlicher Diamanten eingesetzt werden. Es kann festgestellt werden, dass die Erfindung insbesondere auf Techniken der CVD-Abscheidung künstlicher Diamanten wie die Plasmastrahlabscheidung anwendbar ist, wobei der Diamant bei einer relativ hohen Temperatur abgeschieden wird und beträchtlichen Belastungen während der Abscheidungs- und der Ablösevorgänge unterworfen ist. Nachdem die angestrebte Dicke erreicht ist, kann die künstliche Diamantschicht vom Substrat durch Kühlen abgelöst werden, wie in Block 150 dargestellt. Die Ablösung beruht größtenteils auf mechanischen Belastungen beim Abkühlen und tritt zwischen 800 und 400°C auf. Ein Strahl Stickstoffgas kann auf die Kante des Diamanten gerichtet sein, um die Ablösung zu unterstützen. Im Allgemeinen verbleibt der Großteil der Zwischenschicht beim Substrat, wenn der Diamant abgelöst wird, und, was immer an Zwischenschicht auf dem Diamant haftet, kann chemisch entfernt werden, wie durch ausgewähltes Ätzen. Wenn sich das verbleibende Substrat und die Zwischenschicht in ausreichend gutem Zustand befinden, können sie wiederum mehrmals zur Diamantabscheidung verwendet werden. Wenn notwendig, kann die Substratoberfläche erneut endbehandelt und mit einer Zwischenschicht beschichtet werden, wie vorher beschrieben.
  • Es versteht sich von selbst, dass, wenn erwünscht, die Schritte des Endbehandelns der Oberfläche des Substrats (Block 120) und/oder des Abscheidens der Zwischenschicht (Block 130) im Vorhinein ausgeführt werden können, um einen Vorrat an Substraten und/oder beschichteten Substraten aufzubauen, aus dem man auswählen kann, nachdem die angestrebte Dicke ausgewählt wurde. Diese Abfolge von Schritten ist dem Ausführen des Endbehandelns und Beschichtens der Oberfläche, nachdem die angestrebte Dicke ausgewählt worden ist, gleichwertig.
  • Mit Bezug auf 2 wird ein Diagramm eines Plasmastrahlabscheidungssystems 200 eines Typs gezeigt, der in der praktischen Umsetzung einer Ausführungsform der Erfindung Verwendung finden kann. Das System 200 ist von einem Vakuumgehäuse 211 umschlossen und umfasst einen Lichtbogen ausbildenden Abschnitt 215, welcher eine zylindrische Anode 291, eine stabförmige Kathode 292 und eine Einspritzdüse 295 umfasst, die benachbart der Kathode angebracht ist, um es so zu ermöglichen, dass das eingespritzte Fluid über die Kathode 292 hinwegströmt. Im dargestellten System kann das eingeleitete Fluid eine Mischung aus Wasserstoff und Methan sein. Die Anode 291 und die Kathode 292 werden durch eine Quelle elektrischen Potentials (nicht gezeigt), zum Beispiel ein Gleichstrompotential, mit Energie versorgt. Zylindrische Magneten, bezeichnet mit der Bezugszahl 217, werden eingesetzt, um das Plasma zu regeln, das am den Lichtbogen ausbildenden Abschnitt erzeugt wird. Die Magneten halten das Plasma innerhalb einer engen Säule zusammen, bis das Plasma den Abscheidungsbereich 60 erreicht. Kühlspulen 234, in welchen flüssiger Stickstoff sich in einem Kreislauf bewegt, sind innerhalb der Magneten angeordnet und umgeben das fokussierte Plasma.
  • Im Betrieb wird eine Mischung aus Wasserstoff und Methan der Einspritzdüse 295 zugeführt und es wird ein Plasma vor dem den Lichtbogen ausbildenden Abschnitt erzielt, beschleunigt und in Richtung des Abscheidungsbereichs fokussiert. Die Temperatur und der Druck im Plasmaausbildungsbereich liegen typischerweise in den ungefähren Bereichen von 1500–15000°C beziehungsweise 133–931 mbar (100–700 torr) und im Abscheidungsbereich liegen sie in den ungefähren Bereichen von 800–1100°C beziehungsweise 0,13–266 mbar (0,1–200 torr). Wie in diesem Gebiet der Technik bekannt, kann der künstliche polykristalline Diamant aus dem beschriebenen Plasma ausgebildet werden, da Kohlenstoff in Methan ausgewählt als Diamant abgeschieden wird und das Graphit, welches sich bildet, durch Verbindung mit dem Wasserstoff führenden Gas zerstreut wird.
  • Der Bodenabschnitt 105A der Kammer weist eine Grundsockelplatte 106 auf, auf der das Substrat 10 mit der Titannitridschicht 30, auf welcher der künstliche Diamant abgeschieden werden soll, angebracht werden kann. Die Grundsockelplatte kann einen Temperaturregler umfassen.
  • BEISPIELE
  • Eine Anzahl von Proben (ungefähr vierzig) künstlichen Diamantfilms mit Dicken im Bereich 200 bis 1000 μm ± 10 wurden unter Verwendung der CVD-Plasmastrahlabscheidungsausrüstung des in Verbindung mit 2 beschriebenen Typs abgeschieden. Die eingesetzten Substrate waren Molybdänscheiben von ungefähr 15,2 cm (ungefähr 6 Inch) Durchmesser. Einige der Proben wurden auf runden Inseln von 7,62 cm (3 Inch) auf den Scheiben mit 15,24 cm (6 Inch) Durchmesser hergestellt. Die Substratoberflächen wurden mit einer Schlemme aus Diamant- oder Borkarbidkörnern auf eine Rauhigkeit, RA, geläppt, die im Bereich von ungefähr 0,33 μm bis ungefähr 0,51 μm liegt. Nach dem Beschichten durch PVC mit einer Titannitridzwischenschicht der Dicke im Bereich von 3 bis 5 μm wurde eine Ausrüstung des allgemeinen Typs, gezeigt in 2, verwendet, um künstlichen Diamant in Durchmessern von ungefähr 7,6 bis 10,2 cm (ungefähr 3 bis 4 Inch) und von Dicken im Bereich 200 bis 1000 μm ± 10 % abzulagern. Die Temperaturen, bei denen der Diamant sich ablöste (wenn kein vorzeitiges Abheben auftrat), lagen im Bereich von ungefähr 800 bis 400°C. Proben, welche die beabsichtigten Dicken von über ungefähr 600 μm aufwiesen, wo die RA-Rauhigkeit geringer als 0,38 betrug, wiesen ein häufigeres Auftreten von vorzeitigem Abheben auf und Proben, wo die RA-Rauhigkeit größer als 0,50 betrug, wiesen ein häufigeres Auftreten von Zerspringen beim Ablösen auf. Für Dicken unter ungefähr 600 μm wurde beobachtet, dass die minimale Rauhigkeit, die es braucht, um vorzeitiges Ablösen zu verhindern, sich ungefähr linear mit der Dicke verändert, nämlich um 0,38t/600 μm. Weitere Proben wurden auf dieselbe Weise hergestellt, wobei aber das Substrat zuerst auf RA < 0,1 μm poliert wurde. Abgeschiedener Diamant splitterte ab, bevor seine Dicke 75 μm erreichte.

Claims (5)

  1. Verfahren zur Herstellung eines freistehenden künstlichen Diamantfilms gewünschter Dicke, umfassend die Schritte: Bereitstellen eines Substrats; Auswählen einer angestrebten Diamantdicke, die hergestellt werden soll, wobei die angestrebte Dicke in dem Bereich 200 μm bis 1000 μm liegt; Endbearbeiten einer Oberfläche des Substrats bis zu einer Rauhigkeit, RA, die eine Funktion der angestrebten Dicke ist, wobei die Rauhigkeit bestimmt ist aus: 0,38t/600 μm ≤ RA ≤ 0,50 μm 200 μm < t ≤ 600 μm 0,38 μm ≤ RA ≤ 0,50 μm 600 μm < t < 1000 μm
    wobei t die angestrebte Dicke ist; Abscheiden einer Zwischenschicht auf dem Substrat, wobei die Zwischenschicht eine Dicke im Bereich 1 bis 20 μm aufweist; Abscheiden von künstlichem Diamant auf der Zwischenschicht durch chemische Dampfabscheidung bis zu einer Dicke innerhalb plus oder minus zehn Prozent der angestrebten Dicke; und Abkühlen des künstlichen Diamanten, um dessen Ablösung zu bewirken.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Schritt des Bereitstellens eines Substrats das Bereitstellen eines Substrats eines Materials umfasst, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Molybdän, Wolfram und Graphit besteht.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Schritt des Abscheidens einer Zwischenschicht das Abscheiden eines Materials umfasst, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Titannitrid, Titancarbid, Hafniumnitrid, Zirkonnitrid, Aluminiumnitrid und Aluminiumoxid besteht.
  4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schritt des Abscheidens einer Zwischenschicht das Abscheiden einer Zwischenschicht umfasst, die eine Dicke im Bereich 3 bis 5 μm aufweist.
  5. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schritt des Abscheidens von künstlichem Diamant auf der Zwischenschicht das Abscheiden von künstlichem Diamant durch Plasmastrahl-CVD umfasst.
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