DE3634131A1 - Verfahren und vorrichtung zur substrat-beheizung in einer vorrichtung zum axial symmetrischen epitaxialen abscheiden - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf das epitaxiale Abscheiden oder Niederschlagen von Materialien auf ein Substrat und insbesondere auf das epitaxiale Abscheiden von Materialien auf ein Substrat in einer axial symmetrischen Konfiguration. Wegen der axial symmetrischen Konfiguration muß die Abscheidekammer speziell gestaltet sein, um eine gleichmäßige Beheizung des Substrats zu bewirken.

Es ist bekannt, daß die Qualität des abgeschiedenen oder niedergeschlagenen Materials in einer Kammer für die epitaxiale Abscheidung unter anderem von der Gleichmäßigkeit der Temperatur des Substrats und der Gleichmäßigkeit des Abscheidematerials im Trägergas abhängen kann. Kürzlich wurden die Vorteile der epitaxialen Abscheidung in einer axial symmetrischen Konfiguration erkannt. Der volle Vorteil dieser Konfiguration kann kommerziell nur mit einer raschen gleichmäßigen Beheizung des Substrats realisiert werden. Bisher wurden massive Aufnahmevorrichtungen oder Suszeptoren durch Reihen von geraden Lampen oder durch HF-Felder beheizt, wobei die Temperaturgleichmäßigkeit zum Teil durch die große thermische Masse und hohe Wärmeleitfähigkeit einer dem Substrat zugeordneten Aufnahmevorrichtung erhalten wurde. Die großte thermische Masse der Aufnahmevorrichtung ergibt jedoch eine thermische Trägheit, die die Heiz- und Kühlzyklen, die der epitaxialen Abscheideprozess umfaßt, verlängert.

Es bestand daher ein Bedarf für eine Vorrichtung und für ein Verfahren, die eine Scheibe, speziell eine Halbleiterscheibe, rasch und gleichmäßig zu erhitzen vermögen, und die insbesondere eine Aufnahmevorrichtung und/oder eine Scheibe von kleiner thermischer Masse in einer axial symmetrischen Umgebung gleichmäßig aufheizen können.

Ein Ziel der Erfindung besteht daher darin, eine verbesserte Vorrichtung und ein verbessertes Verfahren für die Verwendung in Verbindung mit einem epitaxialen Abscheideprozess zu schaffen.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Heizvorrichtung und eine Heizmethode in einer Umgebung für epitaxiale Abscheidung zu schaffen, in der eine axial symmetrische Gasströmung zur Anwendung gelangt.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur gleichförmigen Erhitzung eines Halbleitersubstrats in einer Vorrichtung für die epitaxiale Abscheidung zu schaffen, in der die Gasströmung und das Substrat axial symmetrisch sind.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine gleichmäßige Erwärmung der Kombination aus einem Halbleitersubstrat und der zugehörigen Aufnahme- oder Suszeptorvorrichtung zu erreichen, und zwar unter Verwendung von Heizlampen oberhalb und unterhalb der Kombination, wobei die beiden Sätze von Heizlampen zueinander im wesentlichen senkrecht sind.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine gleichförmige Beheizung oder Erwärmung der Halbleitersubstrat- Suszeptor-Kombination zu erreichen, und zwar unter Verwendung einer eine Gruppe von Heizlampen aufweisenden ersten Kammer und einer zweiten Kammer, wobei das Reflektionsvermögen der Kammer auf der entgegengesetzten Seite der Kombination eine vorbestimmte Konfiguration aufweist und mindestens zwei Bereiche mit unterschiedlichem Reflektionskoeffizienten aufweist.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Substrat- Suszeptorkombination zu schaffen, die von zwei im allgemeinen rechteckigen Heizkammern eingeschlossen ist.

Ein spezielleres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Substrat-Suszeptor-Kombination mittels zweier im wesentlichen rechteckiger Heizkammern einzuschließen, wobei die Heizkammern Heizlampen mit einer Strahlung aufweisen, die mit Hilfe von Parabolreflektoren, die im wesentlichen senkrecht bezüglich der Heizlampen in der anderen Kammer angeordnet sind, fokussiert ist.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Substrat- Suszeptor-Kombination mittels zweier Heizkammern einzuschließen, in denen die von Heizlampen ausgehende Strahlung durch Parabolreflektoren fokussiert ist, wobei die Heizlampen in jeder Kammer etwa senkrecht zu den Heizlampen in der anderen Kammer ausgerichtet sind und wobei einer Vielzahl von inneren Heizlampen in zumindest einer Kammer eine ebene Reflektionsfläche zugeordnet ist.

Die vorgenannten und weitere Ziele werden gemäß der Erfindung durch eine epitaxiale Reaktorvorrichtung erreicht, die im wesentlichen aus einer oberen Kammer und einer unteren Kammer besteht, die eine Substrat/Suszeptor oder Aufnahme-Kombination im wesentlichen einschließen. In der oberen Kammer erstreckt sich eine Reihe von Heizlampen durch das Innere der Kammer, wobei die Lampen zumindest einen Teil der Wärmeenergie für die Halbleitersubstrat/ Suszeptor-Kombination erzeugen. Die Heizlampen erstrecken sich im wesentlichen parallel zueinander und können voneinander gleichen Abstand haben, und wenn eine kreisförmige Kammer verwendet wird, können sich die Lampen mit unterschiedlichen Lampenteilen durch die Kammer hindurch erstrecken. Das Reflektionsvermögen der Kammerwände ist so gewählt, daß es die Heizlampen komplementär ergänzt und eine gleichmäßige Verteilung der Wärmestrahlung innerhalb des Reaktors bewirkt. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist eine kreisförmige untere Kammer des Reaktors ähnlich oder gleich einem kreisförmigen oberen Teil gestaltet. Die Heizlampen in der unteren Kammer sind jedoch im wesentlichen senkrecht zu den Heizlampen der oberen Kammer angeordnet. Gemäß einer anderen, zweiten Ausführungsform der Erfindung weist eine untere Kammer des Reaktors eine kreisförmige Kammer auf, in der reflektierte Energie aus einer kreisförmigen oberen Kammer dafür benutzt wird, Wärmeenergie für den unteren Teil der Substrat- Suszeptor-Kombination zu liefern. Ein Mittelteil der unteren Kammerwand weist ein Reflektionsvermögen auf, das so gewählt ist, daß eine gleichmäßige Beheizung oder Erwärmung der Substrat/Suszeptor-Kombination dadurch erhalten wird, daß das Reflektionsvermögen von demjenigen des restlichen Teiles der Kammer verschieden ist. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind Heizlampen in der oberen Kammer und in der unteren Kammer Parabol-Reflektoren zugeordnet, um eine im wesentlichen parallele, auf die Substrat-Suszeptor-Kombination auftreffende Strahlung herbeizuführen. Bei dieser Ausführungsform sind die Kammern vorzugsweise rechteckig. Gemäß einer weiteren Ausführungsform können zumindest bei einer der Kammern die Parabol-Reflektoren für ausgewählte Heizlampen durch eine ebene reflektierende Fläche ersetzt sein. Auf den Wänden der Reflektoren befindet sich eine passendes reflektierendes Medium. Für eine weitere Gleichmäßigkeit der Beheizung der Suszeptor-Substrat-Kombination können die Heizlampen mit wachsendem Abstand von den mittleren Lampen her eine höhere Erregerenergie oder einen geringeren gegenseitigen Abstand haben, um beispielsweise Wärmeverluste durch Teile, die nötig sind, um z. B. Gaskomponenten in den Reaktor einzuleiten, zu kompensieren.

Diese und weitere Vorteile, Merkmale und Ziele der Erfindung ergeben sich in näheren Einzelheiten aus der nachstehenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. In der Zeichnung zeigt:

Fig. 1 die schematische Darstellung der Gasströmung gegen ein Substrat zwecks Erzeugung eines axial symmetrischen Flusses,

Fig. 2 eine perspektivische Ansicht der einen Kammer des Reaktors, die mit hindurchgehenden Heizlampen ausgerüstet ist,

Fig. 3 eine schematische Querschnittsansicht einer Konfiguration zum gleichmäßigen Beheizen einer Substrat- Suszeptor-Kombination, die Heizlampen oderhalb und unterhalb der Kombination aufweist,

Fig. 4 eine schematische Querschnittsansicht, die eine Konfiguration zeigt, bei der eine Substrat-Suszeptor- Kombination durch eine Gruppe von Lampen oberhalb von dieser und durch reflektierte Energie von der anderen Seite der Kombination her beheizt wird,

Fig. 5 die perspektivische Ansicht einer unterschiedlichen weiteren Konfiguration einer Heizkammer mit sich durch diese hindurch erstreckenden Heizlampen, und

Fig. 6 eine schematische Querschnittsansicht, die die Konfiguration wiedergibt, bei der eine Substrat- Suszeptor-Kombination durch eine Vielzahl von Lampen mit zugehörigen parabolischen und ebenen Reflektoren beheizt wird.

Die Fig. 1 zeigt die allgemeine Konfiguration für eine axial symmetrische, epitaxiale Abscheidung. Bei der bevorzugten Ausführungsform besteht die Technik darin, daß ein die Abscheidematerialien enthaltenden oder führendes Gas mit einer gleichmäßigen Geschwindigkeit senkrecht zu der Kombination aus dem Substrat 10 und dem dieses tragenden Suszeptor 15, der auch als Aufnahme- oder Haltevorrichtung bezeichnet werden kann, gerichtet und zugeführt wird. Mit einer nicht dargestellten Vorrichtung wird das Gas von der Kante der kreisförmigen Substrat-Suszeptor- Kombination weggeleitet, und das Ergebnis ist eine Konfiguration für eine chemische Reaktion, die allgemein als Staupunktströmungs-Konfiguration bezeichnet wird. Mit "Staupunktströmung" ist eine Gasströmung gegen ein kreisförmiges Substrat gemeint, die eine gleichmäßige Temperatur und eine gleichmäßige Geschwindigkeitskomponente gegen das Substrat in einem vorbestimmten Abstand hat.

Die Fig. 2 gibt in perspektivischer Ansicht eine Kammer 49 eines Reaktors wieder, durch die Heizlampen 50 hindurchgehen. Bei dieser Ausführungsform ist die Heizkammer 49 kreisrund.

Die Fig. 3 zeigt die allgemeine Struktur des Reaktors zum Beheizen oder Erhitzen des Substrats 10 und des zugehörigen Suszeptors 15. Die in dieser Querschnittdarstellung wiedergegebene Vorrichtung ist nicht vollständig. Es fehlen z. B. die Vorrichtung zum Erzeugen der gleichförmigen oder gleichmäßigen Gasströmung in Richtung gegen das Substrat sowie die zum Tragen des Substrats nötigen Strukturen oder Bauteile. Wiedergegeben sind jedoch die sich auf das Beheizen oder Erwärmen des Suszeptors 15 und des Substrats 10 ziehenden Teile der Vorrichtung. Der Reaktor besteht aus zwei kreisförmigen Kammern 49, von denen sich eine oberhalb und eine unterhalb der Substrat-Suszeptor-Kombination befindet. Der Zweck der Reaktorkonfiguration besteht darin, eine Umgebung zu schaffen, die so weit, wie dies möglich ist, für das Substrat und den zugehörigen Suszeptor eine gleichförmige Strahlung bewirkt. Wenn die Strahlung gleichmäßig ist, wird die Temperatur der Substrat- Suszeptor-Kombination in dem Maße gleichmäßig sein, daß auch Wärmeverluste gleichmäßig sind. Der obere Teil hat einen kreisrunden Oberflächenbereich mit einem zylindrischen Seitenteil. Durch den zylindrischen Teil der Kammer 49 hindurch sind eine Reihe von parallelen Heizlampen 50 eingefügt. Die Oberfläche der oberen Kammer ist mit einem diffusen reflektierenden Material überzogen, z. B. mit einer Goldplattierung, und die Seiten der Kammer sind mit einem diffusen oder spiegelnden reflektierenden Material überzogen. Bei dieser Ausführung ist die untere Kammer 49 gleich oder ähnlich der oberen Kammer mit der Ausnahme, daß die Lampen 15 im wesentlichen senkrecht zu den Lampen in der oberen Kammer angeordnet sind. Der Boden und die Seitenflächen der Kammer 60 weisen Überzüge gleich denjenigen, die für die obere Kammer beschrieben wurden, auf. Zwischen den beiden Kammern befindliche Öffnungen 71, die zum Einführen von Gas in den Hohlraum sowie für andere Funktionen verwendet werden, sind wesentlich, weil dieser Bereich kühl ist und die Tendenz hat, ungleichmäßige Wärmeverluste vom Umfang des Substrats her hervorzurufen.

Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 4 hat die obere Kammer 49 eine ähnliche Konfiguration wie die obere Kammer der Ausführungsform gemäß Fig. 2. Die Lampen 50 der oberen Kammer sind vorhanden, das diffuse reflektierende Material 52 ist auf die obere Fläche aufgebracht und die Seitenflächen können entweder einen diffusen oder einen spiegelnden reflektierenden Überzug 53 aufweisen. Unter der oberen Kammer befindet sich eine zweite Kammer 61. Die Kammer 61 weist eine Oberfläche 54 auf, die an der Seite und einem Teil des Bodens mit einem diffusen Reflektormaterial überzogen ist, das z. B. ein Reflektionsvermögen in der Größenordnung von 0,95 aufweist. In der Mitte des kreisrunden Bodenteiles der Kammer befindet sich ein kreisförmiger Bereich 55, der einen diffus reflektierenden Überzug hat, dessen Reflektionsvermögen geringer ist als dasjenige der anderen Teile, wobei das Reflektionsvermögen bei der beschriebenen speziellen Konfiguration in der Größenordnung von 0,8 liegt. Die untere Kammer 61 wird dafür benützt, die Substrat-Suszeptor-Kombination unter Verwendung von Strahlung von der oberen Kammer her zu beheizen. Auch hier ist wieder ein Durchlaß 71 vorhanden, der zu einem ungleichmäßigen Strahlungsfeld führt.

Die Fig. 5 zeigt eine unterschiedliche Konfiguration für die Heizkammern. Bei dieser Ausführungsform ist die Kammer 49 im wesentlichen rechteckig bzw. quadratisch. Auch hier sind wieder Heizlampen 50 durch die Kammer hindurch eingesetzt, um die Beheizung der Substrat-Suszeptor-Kombination durch Strahlung zu bewirken. Diese Konfiguration hat den Nachteil, daß die Symmetrie der Substrat-Suszeptor- Kombination in der Kammerkonfiguration nicht vorhanden ist. Es wurde aber gefunden, daß trotz des Fehlens der axialen Symmetrie diese Konfiguration eine gleichmäßige Beheizung der Substrat-Suszeptor-Kombination ergeben kann.

Die Fig. 6 zeigt eine Ausführungsform zum Beheizen einer Substrat-Suszeptor-Kombination, die die Kammerkonfiguration gemäß Fig. 5 benützt. Zusätzlich dazu wird die von den Heizlampen 50 ausgesandte Strahlung durch Parabol- Reflektoren 53 reflektiert. In der Praxis können die Parabol- Reflektoren durch andere geometrische Oberflächen- Konfigurationen angenähert werden. Der Parabol-Reflektor richtet die reflektierte Strahlung parallel, wodurch die Gleichmäßigkeit der auf ausgewählte Bereiche der Substrat- Suszeptor-Kombination auftreffenden Strahlung vergrößert wird. Wie bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform sind die Heizlampen in der unteren Kammer im wesentlichen senkrecht zu den Heizlampen der oberen Kammer angeordnet, um etwas von der Strukturierung, die die auf die Substrat-Suszeptor-Kombination auftreffende Strahlung aufgrund der Verwendung von diskreten Wärmequellen erhält, auszumitteln. Wie für die obere Kammer dargestellt, können die Parabol-Reflektoren für die inneren Heizlampen der Kammer durch eine Ebene ersetzt werden. Zusätzlich dazu können die äußeren Parabol-Reflektoren der Reflektorgruppe so ausgerüstet sein, daß die Reflektoren geneigt werden können, womit eine zusätzliche Steuerungsmöglichkeit für die Umgebung der Substrat-Suszeptor-Kombination geschaffen wird.

Arbeitsweise der bevorzugten Ausführungsformen

Die Funktion der Kammern des epitaxialen Reaktors besteht darin, von der Perspektive des Substrats und des zugehörigen Suszeptors her einen Hohlraum zu schaffen, der ein gleichmäßiges Strahlungsfeld zum Beheizen der Substrat- Suszeptor-Kombination aufweist. Wegen der Notwendigkeit, das Gas mit den Abscheidematerialien einzuführen und abzuführen, sowie wegen der Notwendigkeit, die Substrat-Suszeptor- Kombination selbst einzubringen und zu entfernen, kann der Reaktor wegen der erforderlichen Ausnehmungen zum Erfüllen dieser zugehörigen Funktionen keine wirklich gleichmäßige Strahlungsquelle haben. Die Öffnung 71 kann daher bei den Bemühungen, eine Umgebung gleichmäßiger Temperatur für die Substrat/Suszeptor-Kombination zu schaffen, kritisch sein, weil die Temperaturverluste durch die Öffnung hindurch die Kombination nicht gleichmäßig kühlen. Die Bereiche, die keine Strahlungsquelle enthalten, können jedoch relativ schmal gemacht werden. Die Bereiche, in denen eine Strahlungsquelle fehlt, sind dem Umfang der Substrat- Suszeptor-Kombination nächstgelegen. Um diese Ungleichmäßigkeit im Strahlungsfeld zu korrigieren, können die endseitigen Lampen der Reihe 50 mit eine höhere Temperatur und damit eine höhere Strahlungsintensität hervorrufenden höheren Energieniveaus als die anderen Heizlampen betrieben werden. Diese zusätzliche Beheizung kann die sonst niedrigere Strahlungsintensität am Umfang des Substrats kompensieren. Die Schaffung einer axial gleichmäßigen Strahlung kann des weiteren dadurch begünstigt werden, daß die Heizlampen in der unteren Kammer unter einem großen Winkel, vorzugsweise 90°, bezüglich der Lampen in der oberen Kammer angeordnet werden. Außerdem wird zur Schaffung einer gleichmäßigeren thermischen Umgebung an den verschiedenen Teilen der Kammer ein diffuser Reflektor im Unterschied zu den Parabol-Reflektoren angeordnet, um so weit wie möglich einen konstanten Temperaturbereich - von jedem Bereich des Substrats aus gesehen - zu schaffen. Außerdem kann die Substrat-Suszeptor-Kombination durch eine nicht dargestellte Vorrichtung gedreht werden, um jegliche Abweichungen von der Einhaltung einer Umgebung gleichmäßiger Temperatur für die Substrat-Suszeptor-Kombination weiter auszumitteln.

Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 4 ist nur die obere Kammer mit Wärme erzeugenden Lampen versehen. Die untere Kammer erzeugt Energie nicht direkt, sondern reflektiert Energie, die aus der oberen Heizkammer stammt. Durch Computersimulation wurde gefunden, daß es zur Erzielung einer gleichförmigen Temperatur bei dieser Konfiguration nötig ist, über einen Bereich 55 mit einem Reflektionsvermögen zu verfügen, das einen Zwischenwert hat. Der Bereich 55 bewirkt, daß das Zentrum der Substrat-Suszeptor-Kombination im Vergleich zum Umfang eine reflektierte Strahlung von niedrigerer Intensität empfängt und so die oben besprochene ungleichmäßige Strahlung kompensiert wird. Wie oben erwähnt, enthalten die Bereiche 54 einen diffusen Reflektor mit einem Reflektionsvermögen in der Größenordnung von 0,95, während der Bereich 55 einen diffusen Reflektor mit einem Reflektionsvermögen von Durchmesser des Bereichs 55 beträgt etwa 2/3 des Durchmessers der Suszeptor-Substrat-Kombination. Diese Beziehung ist jedoch eine Funktion der Größe des Substrats, des Abstandes zwischen dem Substrat und der reflektierenden Oberfläche und weiterer struktureller Dimensionen.

Es ist offensichtlich, daß zusätzliche thermische Energie in den Außenbezirken der Kammer durch eine größere Dichte von Lampen in dem äußeren Bereich erhalten werden kann. Des weiteren kann die Dimension der Kammer ausgedehnt werden, so daß die Öffnung 71 einen kleineren Einfluß auf das ungleichmäßige Feld hat, das die Substrat/Suszeptor-Kombination empfindet. Die Verwendung rechteckiger bzw. quadratischer Heizkammern schafft eine Situation, bei der die Ecken der Heizkammer eine größere effektive Kammer ergeben und den Einfluß der Öffnung 71 vermindern können.

Dem Fachmann ist es bekannt, daß verschiedene, mit dem Substrat in Wechselwirkung tretende Gase im wesentlichen eingeschlossen sein müssen, während sie in der Nähe des Substrats fließen. Der Einschluß kann durch Materialien wie Quarz bewirkt werden, die einen großen Teil der Strahlung durchlassen. Die Eigenschaften von Quarz oder anderweitigen Einschlußmaterialien, wie die Absorbtions- oder Emissions-Charakteristiken, müssen bei der Bestimmung der thermischen Umgebung der Substrat/Suszeptor-Kombination jedoch in Betracht gezogen werden.

Die vorstehende Beschreibung soll nur die Merkmale und die Arbeitsweise der bevorzugten Ausführungsformen näher erläutern und bezweckt nicht eine Einschränkung des Rahmens der Erfindung. Es ist offensichtlich, daß der Fachmann vielerlei Abwandlungen vornehmen kann, ohne daß der Erfindungsgedanke und der Rahmen der Erfindung überschritten werden.

Claims (24)

1. Vorrichtung zum Heizen oder Erwärmen eines kreisförmigen Substrats, gekennzeichnet durch
eine im wesentlichen entlang der Achse des Substrats und auf einer Seite von diesem angeordnete Kammer,
eine Vielzahl von sich durch die Kammer hindurch erstreckenden Heizlampen, und
einen Überzug zum Reflektieren der Strahlung von den Lampen in der Kammer.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine zweite Kammer auf einer zweiten Seite des Substrats, wobei die Lampen in der zweiten Kammer etwa senkrecht zu den Lampen der ersten Kammer angeordnet sind.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Lampe ein Parabol-Reflektor zugeordnet ist.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ausgewählten Heizlampen Parabol-Reflektoren zugeordnet sind.

5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kammern im wesentlichen rechteckig bzw. quadratisch sind.

6. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine zweite Kammer, die auf einer zweiten Seite des Substrats entlang einer Achse des Halbleitersubstrats angeordnet ist, wobei diese Kammer einen Überzug von hohem Reflektionsvermögen aufweist und des weiteren einen symmetrisch um die Achse des Substrats herum angeordneten überzogenen Bereich von niedrigerem Reflektionsvermögen beinhaltet.

7. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die den Lampen zugeführte Energie eine Funktion der Lampenposition ist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Abstand zwischen den Lampen eine Funktion der Lampenanordnung bezüglich des Substrats ist.

9. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat gedreht wird.

10. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat in einem epitaxialen Reaktor angeordnet ist und die Vielzahl von Lampen so angeordnet und erregt wird, daß über das Substrat hinweg eine gleichmäßige Temperatur geschaffen wird.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch einen reflektierenden Überzug im Innern der zweiten Kammer, der einen axial symmetrischen Bereich mit einer Bedeckung aufweist, die ein Reflektionsvermögen von niedrigerem Wert hat als der Rest des Überzugs.

12. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Kammer eine Vielzahl von Strahlungsmitteln aufweist, die so angeordnet sind und erregt werden, daß eine gleichmäßige Temperaturverteilung durch den von beiden Kammern gebildeten Bereich erhalten wird.

13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß jedes der Vielzahl von Strahlungsmitteln eine Strahlungsquelle mit zugeordnetem Parabol- Reflektor aufweist.

14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das kreisförmige Substrat gedreht wird.

15. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug aus einem Material besteht, das einen hohen Reflektionskoeffizienten aufweist, auf einer zweiten Seite des kreisförmigen Substrats eine zweite Kammer angeordnet ist, die Wände aufweist, die mit einem Material überzogen sind, das einen hohen Reflektionskoeffizienten aufweist, wobei beide Kammern einen Hohlraum für das kreisförmige Substrat bilden, und die Heizlampen das Substrat in dem Hohlraum gleichmäßig beheizen bzw. erwärmen.

16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Vielzahl von Heizlampen durch die zweite Kammern hindurch angeordnet ist, wobei die Vielzahl der Lampen der Kammen ungefähr senkrecht zu der zweiten Vielzahl von Heizlampen der zweiten Kammer angeordnet ist.

17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Heizlampe bei beiden Vielzahlen von Heizlampen ein Parabol-Reflektor zugeordet ist.

18. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß eine gleichmäßigere Temperatur dadurch erzielt wird, daß die Lampen in den Kammern in einer vorgewählten räumlichen Beziehung relativ zueinander angeordnet werden und/oder die den Lampen zugeführten Erregerenergie variiert wird.

19. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß ein im wesentlichen axial symmetrischer Bereich ein Reflektionsvermögen aufweist, das kleiner ist als das restliche Reflektionsvermögen in der zweiten Kammer.

20. Vorrichtung nach Anspruch 15, gekenzeichnet durch eine Vorrichtung zum Drehen des Substrats.

21. Verfahren zum gleichmäßigen Beheizen oder Erwärmen eines kreisförmigen Substrats gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kammer auf jeder Seite des Substrats angeordnet wird, die Heizlampen durch die Wände der Kammer hindurch in zumindest eine Kammer erstreckt werden und die den Heizlampen zugeführte Energie so eingestellt wird, daß das Substrat gleichmäßig beheizt oder erwärmt wird.

22. Verfahren zum Beheizen oder Erwärmen eines kreisförmigen Substrats gemäß Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Reflektionsvermögen der Wände einer zweiten Kammer eingestellt wird, wobei ein symmetrischer Teil ein Reflektionsvermögen aufweist, das einen vom Reflektionsvermögen eines verbleibenden Teiles der Kammerwände unterschiedlichen Wert aufweist.

23. Verfahren zum Beheizen oder Erwärmen eines kreisförmigen Substrats gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Kammer mit sich durch sie hindurch erstreckenden Heizlampen versehen sind und die zweite Kammer in Stellung gebracht wird, bis sich Heizlampen der Kammer unter einem Winkel von etwa 90° befinden.

24. Verfahren zum Beheizen oder Erwärmen eines kreisförmigen Substrats gemäß Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat gedreht wird.