JP2545371B2 - 軸対称的なエピタキシヤル成長装置中で基板を加熱するための方法及び装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は一般に基板の上に蒸着物質をエピタキシャル
成長法によって付着させることに関し、より詳細には軸
対称的な配置の中に置かれた基板の上に蒸着物質をエピ
タキシャル成長法によって付着させることに関する。軸
対称的な配置のため、基板が均一に加熱されるように蒸
着室を特別に設計しなければならない。ここで、軸対称
とは、円形基板を考えるとき、円形の中心を中心とする
点対称であることを意味する。

（従来技術と発明が解決しようとする問題点） エピタキシャル成長用蒸着室中で蒸着される物質の品
質はとりわけ基板の温度の均一性と、キャリヤーガス中
に含まれる蒸着物質の均一性とに依存するということが
知られている。最近になって、軸対称的な配置の中で蒸
着物質のエピタキシャル成長を行なわせることの利点が
判明してきた。この配置の利点を製品の中で実現するに
は基板を迅速、かつ均一に加熱するしかない。従来技術
では、基板と結合された受け台の大きな熱質量と高い熱
伝導性とにより或る程度の温度均一性を得て、大きな基
板受け台を列設ランプ又は高周波コイルで加熱すること
を行なってきた。しかしながら、基板受け台に大きな熱
質量を持たせるということは、エピタキシャル成長プロ
セスに関連する加熱及び冷却サイクルを引き延ばす熱慣
性を生じるという結果をもたらすことになる。

従って、ウエハーを迅速、かつ均一に加熱することの
できる、より詳細には軸対称的な配置中に置かれた熱質
量の小さなウエハー及び／又は受け台を均一に加熱する
ことのできる装置及び方法の出現が望まれているのであ
る。

（発明の目的） そこで、本発明の目的はエピタキシャル成長プロセス
に使用される改良装置及び改良方法を提供することにあ
る。

本発明の別の目的は、軸対称的なガスの流れが使用さ
れているエピタキシャル環境中で加熱を行なう装置及び
方法を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、ガスの流れと基板が共に軸
対称性を有するようなエピタキシャル成長装置の中に置
かれた半導体を中心部分と周囲部分とに分け、両部分を
異なった熱量を加えることによって半導体基板全体を均
一に加熱するための方法及び装置を提供することにあ
る。

本発明のより限定された目的は、半導体基板と結合さ
れた受け台とから成る結合体をその上方と下方とに配設
した、概して直角の相対関係にある２組のランプから成
る加熱ランプによって均一に加熱することにある。

本発明の更に別の目的は、半導体基板・受け台結合体
の均一加熱を、１群の加熱ランプを有する第１の室と、
異なる反射係数を持つ２つの区域を有する室であって、
上記結合体に面した該室の内壁の反射率が所定の分布を
有するような第２の室とを使用して行なうことにある。

本発明のその上に別の目的は、２つに概して方形の加
熱室によって取囲まれた基板・受け台結合体を提供する
ことにある。

本発明のより限定された目的は、基板・受け台結合体
を２つの概して方形の加熱室で取囲み、各加熱室に加熱
ランプを配設し、加熱ランプと結合させた放物面反射鏡
を該ランプからの放射を集束させるための他の室の加熱
ランプに対しおおよそ90゜の方位に配置することにあ
る。

本発明の別な限定された目的は、加熱ランプから発し
た放射を放物面反射鏡で集束させるように構成した２つ
の室で基板・受け台結合体を取囲み、各室の加熱ランプ
を他の室の加熱ランプに対しおおよそ90゜の角度の方位
に配列した配置において、少なくとも１つの室に平坦な
反射面を設け、該室中の複数個の加熱ランプを上記反射
面と結合させるように構成することにある。

（問題点を解決するための手段） 上記特徴及び他の特徴は、本発明によれば、基板・受
け台結合体を概して取囲む上部室及び下部室から一般に
は成るエピタキシャル成長装置によって達成される。上
部室中では、一連の加熱ランプが該室を貫通して延び、
かかるランプが半導体基板・受け台結合体を加熱するた
めの熱エネルギーの少なくとも１部分を発生する。加熱
ランプを概して平行に、しかも等しい間隔で配列するこ
とができる。円形の加熱室の場合は、該円形室を貫通し
て延びるランプの間隔をそれぞれに変えるようにするこ
とができる。室壁面の反射率は、加熱ランプの熱放射特
性を補足して反応装置内に熱放射の均一な分布が得られ
るように選択される。本発明の１実施例によれば、反応
装置の円形下部室は円形の上部室と同様にして設計され
る。しかしながら、下部室の加熱ランプは上部室の加熱
ランプに対し概して直角に配置される。本発明の第２の
実施例によれば、反応装置の下部室は上部室から反射さ
れたエネルギーが基板・受け台結合体の下部を加熱する
ためのエネルギーを供給するために使用されるように構
成した円形室である。下部加熱室の中央部分は、室の残
余部分の反射率と相違する反射率を持たされることによ
って基板・受け台結合体の均一加熱を生じるように選択
された反射率を有している。本発明の更に別の実施例に
よれば、上部室及び下部室の加熱ランプは基板・受け台
結合体に当てられる概して平行な放射を生じるための放
物面反射鏡を各自に結合された反射鏡として有する。こ
の実施例の場合、上部と下部の両室は方形の配置を有し
ているのが好ましい。本発明の又別の実施例によれば、
２つの室のうちの少なくとも１方が放物面反射鏡に代え
て選定した加熱ランプ用の平坦な反射面を備えるように
構成してもよい。これらの反射鏡の内壁には適当な反射
性媒質を付着させるものとする。ガス成分を反応装置に
導入するためなどに必要な開口を介しての熱損失などが
中央に配設したランプからの距離の増すにつれて補償さ
れるように、ランプ点灯用により大きなエネルギーを加
熱ランプに供給したり、或はランプ同志の間隔をより小
さくしたりすることによって、基板・受け台結合体の、
その上に均一な加熱を実現することが可能である。

（実施例） 本発明の上記諸特徴及びその他の諸特徴は添付図面に
基づいて以下の説明を読めば理解されよう。

軸対称的な蒸着層をエピタキシャル成長法で基板の上
に付着させるための一般的配置を第１図に示す。好まし
い実施例の場合に、エピタキシャル成長法は蒸着物質を
含むガス11を基板10と受け台15とから成る結合体に直角
な向きの一様な速度で基板の上に投射させることによっ
て行なわれる。図示されてない装置によって円形の基板
・受け台結合体の周縁から遠ざかる方向へ流れるように
導かれるガスの流れは普通には「淀み点流」と呼ばれる
形状の経路を辿ることになるが、かかる形状の流れがエ
ピタキシャル成長用の化学反応を生ぜしめるために使用
される。「淀み点流」とは一様な温度の円形基板に向か
うガスの流れであって、基板に向かう此のガスの流れを
表わす速度ベクトルが該基板から所定の距離において一
様な大きさの成分をもつような流れをいう。

第２図は反応装置の１つの室49の斜視図であって、該
室には加熱ランプ50が貫設されている。この実施例の場
合、加熱室49は円形をしている。

第３図は基板10とこれに結合された基板受け台15とを
加熱するための反応装置の一般構造を示す図である。断
面図で示されている反応装置はその構成部分の全部を示
すものではない。たとえば、基板を支持するに必要な構
造ばかりか、基板へ向かうガスの一様な流れを発生させ
る装置すらも此の反応装置には含まれていない。しかし
ながら、基板受け台15と基板10とを加熱するに不可欠
な、反応装置の構成部分は含まれるように図示してあ
る。図示の反応装置は２個の円形加熱室49を含み、かか
る加熱室の各１個が基板・受け台結合体の上方と下方と
にそれぞれ配置されている。図示の配置を反応装置に採
用したのは、基板とこれに結合された受け台とが均一な
放射に曝されるような環境を可能な限り実現するという
目的を達成するためである。放射が均一であれば、基板
・受け台結合体の温度は該結合体の熱損失が均一になる
のと同程度に均一となろう。図示の反応装置の上部、つ
まり上部加熱室49は円筒状側壁部によって取囲まれた円
形内面区域を有する。一連の平行配列加熱ランプ50を上
記円筒状側壁部に貫設する。上記室の上記内面区域を金
メッキなどの、拡散反射を生じる材料で被覆すると共
に、上記室の側壁の内面には拡散性材料、又は鏡面反射
性材料の被膜を施す。この実施例の場合、下部加熱室49
は、そのランプ50が上記加熱室のランプに対し概して直
角に配置されているという点を別にすれば、上部加熱室
に類似している。下部加熱室の底部内面及び側壁部60の
内面は上部加熱室について前に記載したものと類似の被
膜を施されている。上部と下部の両加熱室によって形成
される空洞の中にガスを導入するばかりでなく他の機能
を果すためにも使用される２つの開口71が上記両加熱室
間に配設されているが、かかる開口が重要である所以は
該開口の設けられている領域が熱的に冷たく、そのため
基板の周囲から失われる熱の損失に不均一性をもたらす
傾向を生じるということによる。

第４図について実施例を説明する。この実施例の上部
加熱室49は第３図の実施例に示した上部加熱室と類似の
配置をもつ。すなわち、上部加熱室に配設されたランプ
50があり、その頭部内面を拡散反射性材料で被覆すると
共に、側壁部60の内面には拡散性材料、又は鏡面反射性
材料の被膜53を施す。上部加熱室49の下に、第２の加熱
室、つまり下部加熱室61を配置する。下部加熱室61は、
その側部及び底部の内面54に、たとえば95％の反射率の
拡散反射性材料の被膜を施されている。下部加熱室の円
形底部の中心に円形区域55を設け、該区域の表面に、上
記室の他の部分の内面の反射率よりも低い反射率を有す
る拡散反射性被膜を施す。施すべき反射被膜の反射率は
この特定の配置の場合80％の程度とする。第３図の実施
例の場合と同様に本実施例でも、開口71が設けられてい
て該開口の近傍における熱放射の場に不均一性を生じて
いる。

つぎに第５図について説明するが、同図には加熱室の
別な配置が示されている。この実施例の場合、加熱室49
はその形が概して方形である。第２図の場合と同様に本
実施例でも、加熱ランプ50が加熱室に貫設されていて基
板・受け台結合体の放射加熱を行なっている。第５図の
配置は加熱室中に配設されることになる基板・受け台結
合体が対称性を欠くという欠点を有する。軸対称性が欠
除しているにも拘らず、この配置が基板・受け台結合体
の均一加熱を生じるように構成できるということが知ら
れている。

第６図は基板・受け台結合体を加熱する装置の１実施
例を示す図であり、この実施例では第５図に示した室の
配置が使用されている。加えて、この実施例は加熱ラン
プ50がその放出した放射を放物面鏡53によって反射され
るように構成されている。実際には、他の幾何学的形状
の反射面によってこの放物反射面を近似することができ
る。放物面反射鏡は入射放射光を平行な反射光とするこ
とによって、基板・受け台結合体の選定区域に当たる放
射の均一性を向上させる。第３図に示した配置と同様
に、下部加熱室の加熱ランプは上部加熱室の加熱ランプ
に対し概して直角に配設されていて、そのため基板・受
け台結合体に当たる放射が離散配置熱源の使用に起因し
て帯びた構造を幾分かは平均化するという結果を生じ
る。第２図及び第３図に示す各配置にあったものと同様
なガス導入開口71が第６図の配置にも設けられていて、
該開口の近傍における熱放射の場の均一性を劣化させて
いる。上部室中に示されているように、放物面反射鏡に
代えて室内に配設した加熱ランプからの熱放射を反射さ
せるための平面反射鏡を使用することもできる。加え
て、１群の放物面反射鏡のうちの外側の反射鏡が傾斜可
能となるように配置を構成することによって、基板・受
け台結合体の温度環境をその上に制御する手段が提供さ
れる。

（好ましい実施例の動作） エピタキシャル成長装置の加熱蒸着室の機能は、基板
とこれに連結された受け台の観点から見れば、基板・受
け台結合体を加熱するための均一な放射場が内部に形成
されているような空洞20を提供するということにある。
基板・受け台結合体それ自体を導入及び排出するに必要
な機能のほかに蒸着物質を含むガスを導入及び排出する
に必要な機能を果たすという要求があるので、反応装置
は上記両機能を達成するための開口を備えることが必要
であり、真に一様な放射発生源を持つことが不可能であ
る。従って、基板・受け台結合体を一様な温度環境に曝
そうとする時はいつでも開口71が決定的な役割りを演じ
ることになるが、それはかかる開口を通過して流れるガ
スの熱損失によって上記結合体が不均一に冷却されるこ
とによる。しかしながら、放射発生源を含んでいない区
域を比較的小さくすることはできる。放射発生源を欠い
ている区域は基板・受け台結合体の円周面に最近接して
いる区域である。放射場の此の不均一性を補償するた
め、列設されているランプ50のうちの両端の加熱ランプ
を、他の加熱ランプよりも高い温度、従って高い放射強
度を生じる高い電力レベルで動作させることができる。
このように両端のランプを他のランプよりも余分の電力
で加熱することによって、さもなければ他の部分よりも
低い強度を生じていたはずの、基板の円周面上の放射強
度を補償することができる。その上に均一な軸方向放射
を得るため、下部加熱室の加熱ランプを上部加熱室のラ
ンプに対して、大きさが約90゜の角度で配置する。さら
に、いっそう均一な熱環境を得るべく、基板のどの区域
から見ても均一な温度区域があるような可能な限り近く
見せかけるため、放物面反射鏡以外の、室の各部分に拡
散性反射材料の被膜を蒸着する。加えて、基板・受け台
結合体の観察温度の均一温度からの逸れをさらに平均化
するため上記結合体を回転させてもよい。

もう一度、第４図について説明する。第４図に示す反
応装置では、熱発生ランプの配列されているのは上部加
熱室だけである。この実施例の配置の場合、下部加熱室
は熱エネルギーを直接に発生することはせずに、上部加
熱室から入射した熱エネルギーを反射させるように構成
されている。この配置で均一な温度を達成するために
は、円形区域55に中間の大きさの反射率を持たせなけれ
ばならないということがコンピューターによるシュミレ
ーションの結果から知られている。かかる円形区域55は
基板・受け台結合体の中心部は該結合体の周囲部が受け
るよりも低い強度の反射熱放射を受けさせ、こうするこ
とによって前に論じた熱放射の場の不均一性を補償す
る。前に指摘しておいたように、下部加熱室61の側部及
び底部の内面区域54が95％の程度の反射率の拡散反射性
被膜を施されているのに、円形区域55は図示の特定配置
の場合80％の程度の反射率の拡散反射性被膜を施されて
いる。円形区域55の直径は基板・受け台結合体の直径の
約2/3である。しかしながら、一般には、この関係は基
板の大きさ、基板と反射面の距離、及びその他の構造状
寸法の関数である。

加熱室の外側区域に高輝度ランプを設けることによっ
て、熱エネルギーを室外から付加するという可能性を実
現できることは明白であろう。その上に、基板・受け台
結合体が曝される不均一な熱放射の場に対して開口71の
及ぼす影響が小さくなるように加熱室の寸法を拡大する
ことも可能である。方形の加熱室を使用すれば、かかる
加熱室の４隅が１つの大きな加熱室となったのと実質的
には同じ情況を生じるので、開口71の影響を最少限に抑
えることが可能である。

基板と反応することによってエピタキシャル堆積層を
基板上に成長させる種々の気体を、かかる気体の流され
ている間中、普通には基板の近傍に拘束するようにしな
ければならないということは当業者にとって明白であろ
う。かかる拘束は放射の大部分を透過させる石英などの
材料を使用して行なわれる。しかしながら、基板・受け
台の置かれることになる熱環境を決定するに当っては、
石英などのエンクロージュア用材料の諸特性、たとえば
吸収特性や放射特性を考慮に入れる必要がある。

以上の記述は本発明の好ましい実施例の動作を説明す
るために行なったものであるから、かかる記述は本発明
の範囲を限定するものではない。本発明の範囲は特許請
求の範囲によってのみ限定されるべきである。以上の説
明からして、ここに挙げた実施例の数多の変形を実施
し、しかもかかる変形態様がなお本発明の精神及び範囲
に包含されるようにすることができることは当業者にと
って明白であろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は軸対称的な流れを生じるように基板に向かって
流されるガスの流れを示す略図である。 第２図は反応装置の１つの室の斜視図であって、該室に
は加熱ランプが貫設されている。 第３図は基板・受け台結合体を均一に加熱するための配
置の略断面図であって、該配置には加熱ランプが上記結
合体の上方及び下方に配設されている。 第４図は基板・受け台結合体がこの結合体の上方に配設
された１群のランプによって結合体の表側から加熱され
ると共に、上記結合体の裏側から反射された熱エネルギ
ーによっても加熱されるように構成した反応装置の配置
を示す略断面図である。 第５図は加熱室の別な配置を示し、この加熱室には加熱
用ランプが貫設されている。 第６図は基板・受け台結合体が放物面反射鏡及び平面反
射鏡と結合された複数個のランプによって加熱されるよ
うな配置を示す略断面図である。 10……基板 49……１つの室、第１の室 50……加熱ランプ 53……放物面反射鏡 54……他の区域、第２の室の壁面の残余部分、（上記）
被膜の残余部分、（該）反射率の分布している残余部分 55……他の区域よりも低い反射率を有する被覆区域、反
射率が軸対称性をもつ部分、軸対称性被膜の施されてい
る区域、反射率が低い値を有している軸対称的区域 60……室壁 61……第２の室

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロナルド ディ ベヒー アメリカ合衆国 アリゾナ州 85284 テムピ イースト ダウン ドライブ 1939 (72)発明者 ウィーブ ベー デベール オランダ国 ウェー イェー アメルス フールト ヘートレーンストラーセ 48 (72)発明者 ウェイン エル ジョンソン アメリカ合衆国 アリゾナ州 85044 フェニックス アパルーサ 12019 (56)参考文献 特開 昭58−3636（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−94750（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−4434（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−139898（ＪＰ，Ｕ)

Claims (28)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】円形基板・受け台組み合わせ体を加熱する
   ための装置であって、 概ね上記円形基板の上方の側に配置された第１室と、 上記第１室を貫通して延びる複数の加熱ランプと、 上記第１室の中の上記加熱ランプから上記円形基板の上
   面の方向に向けて放射を反射するために上記第１室に設
   けられる被膜と、さらに、 上記受け台の下側に配置され、かつ、上記円形基板の軸
   線を中心にして配置され、第１反射率を有する第１被膜
   領域と、上記第１被膜領域を囲み、第１被膜領域の反射
   率より大きな反射率を有していて上記円形基板・受け台
   み合わせ体の周囲縁部からの反射放射の強度が中央部分
   のそれよりも増加している第２被膜領域とを有する第２
   室と を包含することを特徴とする円形基板・受け台組み合わ
   せ体に物質を蒸着する装置。
2. 【請求項２】上記第１被膜領域及び第２被膜領域が、上
   記第２室の内面に付けられた反射被膜によって形成され
   ることを特徴とする請求項１記載の円形基板・受け台組
   み合わせ体に物質を蒸着する装置。
3. 【請求項３】上記第１被膜領域が、0.8の反射率を有
   し、上記第２被膜領域が、0.95の反射率を有することを
   特徴とする請求項１記載の円形基板・受け台組み合わせ
   体に物質を蒸着する装置。
4. 【請求項４】円形基板・受け台組み合わせ体に物質を蒸
   着する方法であって、 上記円形基板・受け台組み合わせ体の各側に室を配置す
   るステップと、 少なくとも一つの上記室の中にその壁を通して加熱ラン
   プを延在させるステップと、 上記第２室の表面の反射率を調節して該表面の円形部分
   が上記第２室壁の他の部分より低い反射率を有して円形
   基板・受け台組み合わせ体の中心部による反射放射の強
   度を円形部分に対して減少させるステップと、 上記円形基板を均一に加熱するために上記加熱ランプに
   与えるエネルギーを調節するステップと を包含することを特徴とする円形基板を均一に加熱する
   方法。
5. 【請求項５】上記第２室の表面の反射率を調節するステ
   ップが、上記第２室の壁の円形部分の反射率を他の部分
   の反射率よりも低くすることを特徴とする請求項４記載
   の円形基板を均一に加熱する方法。
6. 【請求項６】上記方法が、さらに、上記円形基板と同心
   的に上記第２室の表面に環状部分を配置して、上記円形
   基板の中心部分が円形部分に比較して低い反射放射の強
   度を受けさせるステップを包含することを特徴とする請
   求項５記載の円形基板を均一に加熱する方法。
7. 【請求項７】エピタキシャル反応装置の中で円形基板・
   受け台組み合わせ体を加熱する装置において、 上記円形基板の上方の側に沿って配置された第１室と、 上記受け台の下方の側に沿って配置された第２室と、 上記円形基板を横断して均一な温度を提供するために配
   置されエネルギー供給される第１室を通して配置された
   複数の放射手段と、さらに、 第２室の内部の反射被膜であって、該反射被膜は反射被
   膜部の中央部分が該反射被膜の残余の部分よりも小さい
   反射率を有し上記円形基板・受け台組み合わせ体の中央
   部分による反射放射の強度が環状縁部からの強度より減
   少している ことを特徴とするエピタキシャル反応装置の中で円形基
   板・受け台組み合わせ体を加熱する装置。
8. 【請求項８】上記反射被膜部の中心部分が、上記円形基
   板の軸線を中心に形成され、上記円形基板の中心が周囲
   に比較して低い反射放射の強度を受けることを特徴とす
   る請求項７記載のエピタキシャル反応装置の中で円形基
   板を加熱する装置。
9. 【請求項９】上記軸中心領域が、0.8の反射係数を有
   し、上記第２室の被膜の残余の部分が0.95の反射係数を
   有していることを特徴とする請求項７記載のエピタキシ
   ャル反応装置の中で円形基板を加熱する装置。
10. 【請求項１０】円形基板・受け台組み合わせ体を加熱す
    る装置において、 上記円形基板の上方の側に配置された第１室であって、
    該第１室は高い反射率を有する材料によって被膜され、 上記受け台の下側に形成された第２室であって、該第２
    室は高い反射係数の材料で被覆された壁を有し、上記第
    １室及び第２室は上記円形基板を受け入れるための空洞
    を有し、 上記円形基板に関し共軸的に配置された上記第２室内の
    反射被膜領域であって、該反射被膜は上記円形基板・受
    け台組み合わせ体の中央部分の反射放射の強度を周囲縁
    部より減少させており、さらに、 上記空洞内で上記円形基板を均一に加熱するためのラン
    プを含む加熱手段とを包含することを特徴とする円形基
    板を加熱する装置。
11. 【請求項１１】上記反射被膜が、0.8の反射係数を有
    し、上記材料で被膜された壁が0.95の反射係数を有して
    いることを特徴とする請求項10記載の円形基板を加熱す
    る装置。
12. 【請求項１２】受け台で支持された実質上円形の結合基
    板である円形基板・受け台組み合わせ体を加熱する装置
    において、 上記円形基板・受け台組み合わせ体の軸線に沿いかつ実
    質上上記円形基板の第１の側にある室と、 上記円形基板・受け台組み合わせ体の上記第１の側と反
    対側の第２の側で延在する複数の第１加熱ランプと、 上記加熱ランプからの放射を上記円形基板に向けて反射
    するための、異なった反射率の領域からなる被膜と、さ
    らに、 上記円形基板・受け台組み合わせ体をその中心軸線を中
    心に回転させるための回転装置と を有することを特徴とする円形の結合基板を加熱する装
    置。
13. 【請求項１３】上記装置が、さらに円形基板・受け台組
    み合わせ体に関し上記第１の側と反対側の第２の側の第
    ２室と、上記円形基板・受け台組み合わせ体の上記第２
    の側にあって、上記第１の加熱ランプから90゜回転した
    複数の第２のランプを包含することを特徴とする請求項
    12記載の装置。
14. 【請求項１４】上記装置が、さらに、複数の上記ランプ
    の各々に組み合って放物面反射体を有することを特徴と
    する請求項13記載の装置。
15. 【請求項１５】選択された加熱ランプだけが、それらに
    組み合った放物面反射体を有すことを特徴とする請求項
    13記載の装置。
16. 【請求項１６】上記室が、概ね正方形であることを特徴
    とする請求項13記載の装置。
17. 【請求項１７】上記加熱装置が、さらに、上記円形基板
    ・受け台組み合わせ体の軸線に略沿っておりかつ上記円
    形基板・受け台組み合わせ体に関する上記第１の側と反
    対の第２の側にある第２の室を有し、上記第１の室は高
    い反射率の被膜を有し、上記円形基板・受け台組み合わ
    せ体に軸線を中心とする円形に配置された低い反射率を
    有する被膜領域を包含することを特徴とする請求項12記
    載の装置。
18. 【請求項１８】上記ランプへの電力供給が、ランプの位
    置の関数であることを特徴とする請求項13記載の装置。
19. 【請求項１９】実質上円形の基板を均一に加熱する方法
    であって、 上記基板の第１の側に第１の室を設けるステップと、 上記基板に関し上記第１の側と反対側の第２の側に熱を
    放射する複数の第１の加熱ランプを延在させるステップ
    と、 上記円形基板をその中心軸線を中心に回転させるステッ
    プと、 上記円形基板を均一に加熱するために上記加熱ランプに
    供給するエネルギーを調節するステップと、及び 第１の室の壁の一部分の反射率がその他の部分の反射率
    と異なった反射率を有するように上記第１室の壁の反射
    率を調整するステップと を包含することを特徴とする円形基板均一加熱方法。
20. 【請求項２０】上記基板の第２の側に第２室を設けるス
    テップと、 複数の第２加熱ランプ延在させて上記基板の第１の側に
    熱を放射するステップとを有することを特徴とする請求
    項19記載の円形基板均一加熱方法。
21. 【請求項２１】上記第１室及び第２室がそれぞれ、そこ
    を貫通して延在する複数の第１加熱ランプ及び第２加熱
    ランプを有し、上記方法がさらに、複数の上記第２室の
    加熱ランプが第１室の加熱ランプに対し概ね直角である
    ことを特徴とする請求項20記載の円形基板均一加熱方
    法。
22. 【請求項２２】エピタキシャル成長装置内で円形基板を
    加熱する装置において、 上記円形基板の第１の側に軸線に沿って対称に配置され
    た第１室と、 上記円形基板の上記第１の側と反対の側に軸線に沿って
    対称に配置された第２室と、 中心軸線を中心に上記円形基板を回転させるための回転
    手段と、 上記基板の第１の側に配置され、基板を均一な温度とな
    るように配置されエネルギー供給される複数の放射手段
    と、さらに 上記第２室の内部の反射被膜であって、上記円形基板が
    ある部分の反射被膜よりも他の部分の低い反射率の値を
    持つ円形領域をもつ該反射被膜と を包含することを特徴とする円形基板を加熱する装置。
23. 【請求項２３】上記装置が、さらに、上記基板の第１の
    側に設けられた複数の第２の放射手段を有し、該第２放
    射手段が上記第１室及び第２室によって形成される上記
    領域を通過して均一温度供給をなすように配置されてエ
    ネルギー供給することを特徴とする請求項22記載の装
    置。
24. 【請求項２４】上記各放射手段が、放物面反射体をもつ
    放射源を包含することを特徴とする請求項23記載の装
    置。
25. 【請求項２５】概ね円形の基板を加熱する装置であっ
    て、 上記円形基板の上方の側に配置され、高反射係数を持つ
    材質で被覆された壁を有する第１室と、 上記円形基板の下方の側に配置され、低反射係数を持つ
    材質で被覆された壁を有する第２室であって、上記第１
    及び第２室が上記円形基板のための凹みを形成してお
    り、上記受け台の下の第２室の壁の概ね円形の部分の第
    ２室の壁の他の部分の反射率よりも低く、 中心軸線を中心に実質上円形の基板を回転させるための
    手段と、さらに 上記凹み内で上記円形基板を均一に加熱するために上記
    基板の上側に配置された加熱手段と を包含することを特徴とする円形基板加熱装置。
26. 【請求項２６】上記加熱手段が、上記第１の室を貫通し
    て設けられた複数の第１の加熱ランプと、上記第２の室
    を貫通して設けられた複数の第２の加熱ランプとを包含
    し、上記第１の加熱ランプが上記第２の加熱ランプに対
    し90゜回転して配置されていることを特徴とする請求項
    25記載の円形基板加熱装置。
27. 【請求項２７】上記円形基板加熱手段が、さらに、複数
    の上記加熱ランプの各々と組み合った放物線反射体を包
    含することを特徴とする請求項26記載の円形基板加熱装
    置。
28. 【請求項２８】上記加熱手段が、より均一な温度とする
    ために、互いに互いに予め定めた位置関係をもって上記
    室内に配置したランプ、または上記ランプに供給する励
    起エネルギーを変えるランプを包含することを特徴とす
    る請求項26記載の円形基板加熱装置。