NL8602358A - Werkwijze en inrichting voor het verwarmen van een substraat in een axiaal symmetrische epitaxiale neerslaginrichting. - Google Patents

Werkwijze en inrichting voor het verwarmen van een substraat in een axiaal symmetrische epitaxiale neerslaginrichting. Download PDF

Info

Publication number
NL8602358A
NL8602358A NL8602358A NL8602358A NL8602358A NL 8602358 A NL8602358 A NL 8602358A NL 8602358 A NL8602358 A NL 8602358A NL 8602358 A NL8602358 A NL 8602358A NL 8602358 A NL8602358 A NL 8602358A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
heating
substrate
chamber
lamps
circular substrate
Prior art date
Application number
NL8602358A
Other languages
English (en)
Other versions
NL193801C (nl
NL193801B (nl
Original Assignee
Epsilon Ltd Partnership
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epsilon Ltd Partnership filed Critical Epsilon Ltd Partnership
Publication of NL8602358A publication Critical patent/NL8602358A/nl
Publication of NL193801B publication Critical patent/NL193801B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL193801C publication Critical patent/NL193801C/nl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

f * * ' *>» V ' N.o. 34016 1
Werkwijze en inrichting voor het verwarmen van een substraat .in een axiaal symmetrische epitaxiale neerslaginrichting.
De onderhavige uitvinding heeft in het algemeen betrekking op de epitaxiale neerslag van materialen op een substraat, en meer in het bijzonder op epitaxiale neerslag van materialen op een substraat met een axiaal symmetrische uitvoering. Vanwege de axiaal symmetrische uit-5 voering moet de neerslagkamer in het bijzonder ontworpen worden om in gelijkmatige verwarming van het substraat te voorzien.
Het is bekend dat de kwaliteit van het neergeslagen materiaal in een epitaxiale neerslagkamer onder andere afhankelijk kan zijn van de gelijkmatigheid van de temperatuur van het substraat en de gelijkmatig-10 heid van het neerslagmateriaal in het draaggas. Onlangs zijn de voordelen van epitaxiale neerslag in een axiaal symmetrische uitvoering onderkend. Het volledige voordeel van deze uitvoering in een commerciële omgeving kan slechts verwezenlijkt worden met snel gelijkmatig verwarmen van het substraat. In de stand der techniek zijn massieve steunor-15 ganen verwarmd, door middel van reeksen lineaire lampen of hoogfrequent velden, met een temperatuurgelijkmatigheid gedeeltelijk verwezenlijkt door de grote thermische massa en een aanzienlijk thermisch geleidings-vermogen van een steunorgaan verenigd met het substraat. De aanzienlijke thermische massa van het steunorgaan voorziet echter in een thermi-20 sche traagheid die de verwarmings- en koelkringlopen behorende bij het epitaxiale neerslagproces verlengen.
Daarom bestaat de behoefte aan een inrichting en een werkwijze waarmee een plak snel en gelijkmatig verwarmd kan worden, en meer in het bijzonder waarmee een steunorgaan en/of plak met een geringe ther-25 misehe massa in een axiaal symmetrische omgeving gelijkmatig verwarmd kan worden.
Het is daarom een doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een verbeterde inrichting en werkwijze te voorzien voor gebruik met epitaxiale neerslagwerkwijzen.
30 Het is een ander doeleinde van de onderhavige uitvinding om in verwarminginrichtingen en werkwijzen te voorzien in een epitaxiale neerslagomgeving met gebruik van een axiaal symmetrische gasstroming.
Het is bovendien een ander doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een werkwijze en inrichting te voorzien die voor het gelijkmatig 35 verwarmen van een halfgeleidersubstraat in een epitaxiale neerslaginrichting waarbij de gasstroming en het substraat axiale symmetrie hebben.
8602358 * r * 2
Het is meer in het bijzonder een doeleinde van de onderhavige uitvinding om in gelijkmatig verwarmen van een halfgeleidersubstraat en bijbehorende steunorgaancombinatie te voorzien, met gebruik van verwar-mingslampen boven en^onder de combinatie, waarbij de twee stellen ver-5 warmingslampen een in hoofdzaak rechte hoek ten opzichte van elkaar ma-ken.
Het is bovendien een ander doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een gelijkmatig verwarmen van de halfgeleidersubstraat-steunor-gaancombinatie te voorzien met gebruik van een eerste kamer met een 10 groep verwarmingslampen en een tweede kamer waarin het reflectievermo-gen van de kamer aan de achterzijde van de combinatie een bepaalde uitvoering heeft en tenminste twee gebieden omvat met verschillende re-flectiecoëfficiënten.
Het is bovendien een ander doeleinde van de onderhavige uitvinding 15 om in een substraat-steunorgaancombinatie te voorzien omhuld door twee in hoofdzaak vierkante verwarmingskamers.
Het is meer in het bijzonder een doeleinde van de onderhavige uitvinding om een substraat-steunorgaancombinatie te omhullen met twee in hoofdzaak vierkante verwarmingskamers, waarbij de verwarmingskamers 20 verwarmingslampen hebben met straling scherp gesteld door parabolische reflectoren geplaatst met ongeveer 90° ten opzichte van verwarmingslampen in de andere kamer.
Het is een ander* bijzonder doeleinde van de onderhavige uitvinding om een substraat-steunorgaancombinatie te omhullen met twee kamers met 25 straling uit verwarmingslampen scherp gesteld door parabolische reflectoren, waarbij de verwarmingslampen in elke kamer ongeveer 90° geplaatst zijn ten opzichte van de verwarmingslampen in de andere kamer, waarbij een veelheid van inwendige verwarmingslampen in tenminste een van de kamers een vlak reflectie-oppervlak heeft dat daarmee verenigd 30 is.
Bovengenoemde en andere eigenschappen worden volgens de onderhavige uitvinding verwezenlijkt door een epitaxiale reactorinrichting, in hoofdzaak omvattende een bovenkamer en benedenkamer die een substraat-steunorgaancombinatie in hoofdzaak omhullen. In de bovenkamer strekt 35 een reeks verwarmingslampen zich uit door het inwendige van de kamer tenminste een deel van de warmte-energie voor de halfgeleidersubstraat-steunorgaancombinatie opwekkend. De verwarmingslampen zijn in hoofdzaak evenwijdig en kunnen op gelijke afstand liggen en kunnen, indien een cirkelvormige kamer gebruikt wordt, variërende delen van de lamp zich 40 uitstrekkend door de cirkelvormige kamer hebben. Het reflectievermogên §602358 i < 3 van de kamerwanden wordt gekozen om de verwarmingslampen te completeren en om in een gelijkmatige verdeling van verwarmingsstraling binnen de reactor te voorzien. Volgens een uitvoering van de uitvinding is een cirkelvormige benedenkamer van de reactor overeenkomstig aan een cir— 5 keivormig bovendeel ontworpen. De verwarmingslampen in de benedenkamer zijn echter in hoofdzaak met rechte hoek ten opzichte van de verwarmingslampen van de bovenkamer geplaatst. Volgens een andere tweede uitvoering van de onderhavige uitvinding omvat een benedenkamer van de reactor een cirkelvormige kamer, waarin gereflecteerde energie uit een 10 cirkelvormige bovenkamer gebruikt wordt om in thermische energie te voorzien naar het benedendeel van de substraat-steunorgaancombinatie.
Een in het midden liggend deel van de benedenkamerwand heeft een re-flectievermogen dat gekozen is om in gelijkmatig verwarmen van de sub-straat-steunorgaancombinatie te voorzien door een reflectievermogen te 15 hebben dat afwijkt van het overige van de kamer. Volgens een nog verdere uitvoering van de onderhavige uitvinding hebben verwarmingslampen in de boven en benedenkamers daarmee verenigd parabolische reflectoren voor het voorzien in in hoofdzaak evenwijdige straling die botst op de substraat-steunorgaancombinatie. Bij deze uitvoering hehben de kamers 20 bij voorkeur een vierkante uitvoering. Volgens een verdere uitvoering kunnen bij tenminste een van de kamers de parabolische reflectoren vervangen worden door een vlak reflecterend oppervlak voor bepaalde verwarmingslampen. Op de wanden van de reflectoren is een passend reflecterend medium neergeslagen. Om de gelijkmatigheid van het verwarmen van 25 de steunorgaan-substraatcombinatie verder te verbeteren, kunnen de verwarmingslampen een aanzienlijker excitatie-energie of een kleinere onderlinge afstand tussen de lampen hebben, wanneer de afstand van de in het midden liggende lampen toeneemt om bijvoorbeeld warmteverliezen door poorten bijvoorbeeld noorzakelijk voor het inbrengen van gasbe-30 standdelen in de reactor, te compenseren.
Deze en andere eigenschappen van de onderhavige uitvinding zullen begrepen worden bij het lezen van de onderstaande beschrijving aan de hand van de bijgevoegde tekeningen, waarin: figuur 1 een schematisch diagram is dat de stroming van gas naar 35 een substraat toont om een axiaal symmetrische stroming voort te brengen* figuur 2 een perspectivisch aanzicht is van een kamer van de reactor met verwarmingslampen die daardoor gaan, figuur 3 een schematisch dwarsdoorsnedediagram is van de uitvoe-40 ring voor het gelijkmatig verwarmen van een substraat-steunorgaancombi- §602358 * * 4 natie met gebruik van verwarmingslampen boven en onder de combinatie, figuur 4 een schematisch dwarsdoorsnedediagram is dat de uitvoering toont waarbij een substraat-steunorgaancombinatie verwarmd wordt door een groep lampen boven de combinatie en verwarmd wordt door gere-5 flecteerde energie vanaf de andere zijde van de combinatie, figuur 5 een perspectivisch aanzicht is van een afwijkende uitvoering van een verwarmingskamer met een verwarmingslamp die zich daardoor uitstrekt, en figuur 6 een schematisch diagram in dwarsdoorsnede is dat de uit-10 voering toont waarbij een substraat-steunorgaancombinatie verwarmd wordt door een veelheid van lampen met bijbehorende parabolische en vlakke reflectoren
In figuur 1 is de algemene uitvoering voor axiaal symmetrische epitaxiale neerslag getoond. In de voorkeursuitvoering omvat de tech-15 niek het projecteren van een gas dat de neerslagmaterialen draagt met een gelijkmatige snelheid loodrecht op de substraat 10 en steunorgaan 15 combinatie. Met niet afgebeelde inrichtingen wordt het gas geleid van de rand van de cirkelvormige substraat-draagorgaancombinatie, en het resultaat is een uitvoering voor een chemische reactie in het alge-20 meen aangegeven als de stagnatiepuntstroomconfiguratie. Onder stagna-tiepuntstroming wordt een gasstroming verstaan naar een cirkelvormig substraat die een gelijkmatige temperatuur en een gelijkmatige snel-* heidscomponent heeft naar het substraat op een bepaalde afstand.
In figuur 2 is een perspectivisch aanzicht van een kamer 49 van 25 een reactor afgeheeld met de verwarmingslampen 50 daardoor gaande. Bij deze uitvoering is de verwarmingskamer 49 cirkelvormig,
In figuur 3 is de algemene constructie van de reactor voor het verwarmen van het substraat 10 en het bijbehorende steunorgaan 15 afge-beeld. De inrichting getoond in deze dwarsdoorsnede is niet volledig.
30 Bijvoorbeeld ontbreekt de inrichting voor het opwekken van de gelijkmatige gasstroming naar het substraat alsmede de constructies noodzakelijk om het substraat te dragen. De wezenlijke delen van de inrichting met betrekking tot het verwarmen van het steunorgaan 15 en het substraat 10 zijn echter afgebeeld. De reactor omvat twee cirkelvormige 35 kamers 49, een boven en een onder de substraat-steunorgaancombinatie. Het is het doel van de reactoruitvoering om in een omgeving te voorzien die zoveel mogelijk in gelijkmatige straling voorziet voor het substraat en het bijbehorende steunorgaan. Indien de straling gelijkmatig is, zal de temperatuur van de substraat-steunorgaancombinatie in die 40 mate gelijkmatig zijn dat warmteverlies eveneens gelijkmatig is. Het 6602358
V
5 bovendeel heeft een cirkelvormig oppervlaktegebied met een cilindrisch zijdeel. Door het cilinderdeel van de kamer 49 is een reeks evenwijdige verwarmingslampen 50 ingebracht. Het oppervlak van de bovenkamer is bekleed met een diffuus reflecterend materiaal, zoals een gouden bekle-5 ding en de zijden van de kamer zijn bekleed met een diffuus of een spiegelend reflecterend materiaal. De benedenkamer 49 is in deze uitvoering overeenkomstig aan de bovenkamer, behalve dat de lampen 50 in hoofdzaak met de rechte hoek aangebracht zijn ten opzichte van de lampen in de bovenkamer. De beneden- en zij-oppervlakken van de kamer 60 10 hebben bekledingen overeenkomstig aan die beschreven voor de bovenkamer. De openingen 71 tussen de twee kamers, gebruikt voor het inbrengen van gas in de holte alsmede voor andere functies, is belangrijk omdat dit gebied thermisch koud is en niet gelijkmatige warmteverliezen neigt voort te brengen vanaf de omtrek van het substraat.
15 In figuur 4 is afgebeeld dat de bovenkamer 49 volgens deze uitvoe ring een vorm heeft overeenkomstig aan de bovenkamer getoond in de uitvoering in figuur 2. De lampen 50 van de bovenkamer zijn aanwezig, het diffuus reflecterende materiaal 52 is op het bovenoppervlak aangebracht, en de zij-oppervlakken hebben hetzij een diffuse of evenwijdig 20 reflecterende bekleding 53. Onder de bovenkamer bevindt zich een tweede kamer 61. Kamer 61 heeft een oppervlak 54 dat bekleed is aan de zijde en een deel van de benedenvloer met een diffuus reflectormateriaal met bijvoorbeeld een reflectievermogen in de orde grootte van 0,95. In het midden van het cirkelvormige vloerdeel van de kamer heeft het cirkel-25 vormige gebied 55 een diffuse reflecterende bekleding, met een reflectievermogen geringer dan die van de andere delen, waarbij het reflectievermogen in de orde grootte van 0,8 ligt in de bijzondere beschreven uitvoering. De benedenkamer 61 wordt gebruikt om de substraat-steunor-gaancombinatie te verwarmen met gebruik van straling uit de bovenkamer.
30 Opnieuw is opening 71 aanwezig waardoor een niet gelijkmatig stralingsveld ontstaat.
In figuur 5 is een andere uitvoering voor de verwarmingskamers afgebeeld. Bij deze uitvoering heeft de kamer 49 een in hoofdzaak vierkante aard. Opnieuw worden verwarmingslampen 50 daardoor ingebracht om 35 in stralende verwarming van de substraat-steunorgaancombinatie te voorzien. Deze uitvoering heeft het nadeel dat de symmetrie van de sub-straat-steunorgaancombinatie niet in de kameruitvoering aanwezig is.
Ondanks het ontbreken van axiale symmetrie bleek dat deze uitvoering een gelijkmatig verwarmen van de substraat-steunorgaancombinatie tot 40 gevolg kan hebben.
8602358 6
In figuur 6 is een uitvoering afgebeeld voor het verwarmen van een substraat-steunorgaancombinatie die gebruik maakt van de kamerconfigu-ratie uit figuur 5. Bovendien wordt van de lampen 50 de geëmitteerde straling gereflecteerd door parabolische reflectoren 53. In praktijk 5 kunnen de parabolische reflectoren benaderd worden door andere geometrische oppervlaktevormen. De parabolische reflector doet de gereflecteerde straling evenwijdig zijn, waardoor het gelijkmatig zijn van de straling die bepaalde gebieden van de substraat-steunorgaancombinatie treft, toeneemt. Evenals bij de uitvoering getoond in figuur 3, zijn de 10 verwarmingslampen in de benedenkamer in hoofdzaak met rechte hoeken aangebracht ten opzichte van de verwarmingslampen van de bovenkamer om iets van de structuur gelegd op de straling die de substraat-steuncom-binatie treft te vereffenen vanwege het gebruik van discrete warmtebronnen. Thermische opening 71 is evenals in de voorgaande uitvoering 15 aanwezig en omvat het gelijkmatig zijn van het stralingsveld. Zoals afgebeeld in de bovenkamer kunnen de parabolische reflectoren vervangen worden door een vlak voor inwendige verwarmingslampen van de kamer. Bovendien kan de uitwendige parabolische reflector van de groep reflectoren zo uitgevoerd worden dat de reflectoren gekanteld kunnen worden, 20 waardoor in een extra sturing voor de omgeving van de substraat-steun-orgaancombinatie voorzien wordt.
De werking van de kamers van de epitaxiale reactor is om uit het perspectief van het substraat en het bijbehorend steunorgaan te voorzien in een holte met een gelijkmatig stralingsveld voor het verwarmen 25 van de substraat-steunorgaancombinatie. Vanwege de noodzaak van het inbrengen en verwijderen van het gas met de neerslagjnaterialen, alsmede de noodzaak voor het inbrengen en het verwijderen van de substraat-steunorgaancombinatie zelf, kan de reactor geen werkelijk gelijkmatige stralingsbron hebben vanwege de vereiste openingen voor het verwezen-30 lijken van de bijbehorende functies. De opening 71 kan daarom kritisch zijn bij elke poging om in een gelijkmatige temperatuuromgeving voor de substraat/steunorgaancombinatie te voorzien omdat de thermische verliezen dóór de opening het niet gelijkmatig zijn van de combinatie koelen. De gebieden die geen stralingsbron bevatten kunnen echter verhoudings-35 gewijs klein gemaakt worden. De gebieden die niet voorzien zijn van een stralingsbron bevinden zich het dichtst bij de omtrek van de substraat-steunorgaancombinatie. Teneinde in dit niet gelijkmatig zijn in het stralingsveld te voorzien, kunnen de eindlampen van de reeks 50 met verhoogde vermogensniveau’s bedreven worden waardoor een hogere tempe-40 ratuur voortgebracht wordt, en daardoor een hogere stralingsintensi- 8602358 7 teit, dan de andere verwarmingslampen. Dit extra verwarmen kan de overigens lagere stralingsintensiteit bij de omtrek van het substraat compenseren. Om bovendien in axiaal gelijkmatige straling te voorzien» zijn de verwarmingslampen in de benedenkamer met een grote hoek aange-5 bracht, ongeveer 90°, ten opzichte van de lampen in de bovenkamer. Bovendien is, om in een meer gelijkmatige warmte-omgeving te voorzien, een diffuse reflector aangebracht op de verschillende delen van de kamers niet zijnde de parabolische reflectoren om zo goed mogelijk een gelijkmatige temperatuurgebied te simuleren zoals gezien van enig ge-10 bied van het substraat. Bovendien kan de substraat-steunorgaancombina-tie door een niet afgebeelde inrichting gedraaid worden om enige afwijkingen ten opzichte van het waarnemen van een gelijkmatige tempera-tuursomgeving voor de substraat-steunorgaancombinatie verder te middelen.
15 Opnieuw verwijzend naar figuur 4 blijkt dat slechts de bovenkamer voorzien is van een warmte-ópwekkende lampconfiguratie. Bij deze uitvoering brengt de benedenkamer niet rechtstreeks vermogen voort, maar reflecteert vermogen uit de bovenverwarmingskamer. Uit computersimulatie is gebleken dat teneinde een gelijkmatige temperatuur bij deze uit-20 voering te verkrijgen, het noodzakelijk is het gebied 55 van een re-flectievermogen met tussenliggende omvang te voorzien. Het gebied 55 doet het midden van de substraat-steunorgaaneombinatie een geringere intensiteit van gereflecteerde straling ontvangen dan de omtrek, waardoor niet gelijkmatige straling die hierboven beschreven is gecompen-25 seerd wordt. Zoals hierboven aangegeven omvatten de gebieden 54 een diffuse reflector met een reflectievermogen in de orde grootte van 0,95, terwijl het gebied 55 een diffuse reflector omvat met een reflectievermogen van ongeveer 0,8. De diameter van het gebied 55 is ongeveer tweederde van de diameter van de steunorgaan-substraatcombinatie. Dit 30 verband is echter een functie van de afmeting van het substraat, afstand tussen het substraat en reflectie-oppervlak en de andere constructieve afmetingen.
Het zal duidelijk zijn dat verdere thermische energie in de uitwendige gebieden van de kamer verwezenlijkt kan worden door een hoge 35 dichtheid van de lampen bij het uitwendige gebied. Bovendien kan de afmeting van de kamer zo vergroot worden dat de opening 71 een kleinere invloed heeft op het niet gelijkmatige veld ondervonden door de sub-straat-steunorgaancombinatie. Het gebruik van vierkante verwarmingska-mer voorziet in een situatie waarin de hoeken van de verwarmingskamer 40 in een grotere werkzame kamer voorzien en de invloed van opening 71 8602358 8 kunnen beperken.
Voor diegenen bekwaam in de stand der techniek zal het duidelijk zijn dat verschillende gassen die in wisselwerking treden met het substraat in hoofdzaak opgesloten moeten worden wanneer deze in de nabij-5 heid van het substraat stromen. Het opsluiten kan uitgevoerd worden door materialen zoals kwarts, waardoor het mogelijk is dat een groot deel van de straling daardoor doorgelaten wordt. De eigenschappen van kwarts of ander omhullend materiaal, zoals de absorptie of emissie eigenschappen, moeten echter beschouwd worden bij het bepalen van de 10 thermische omgeving van de substraat-steunorgaancombinatie.
Bovenstaande beschrijving dient voor het illustreren van de werking van de voorkeursuitvoering en is niet bedoeld voor het beperken van het bereik van de uitvinding. Uit bovenstaande beschrijving kunnen variaties duidelijk worden voor diegenen bekwaam in de stand der tech-15 niek die toch binnen de gedachte en het bereik van de uitvinding vallen.
8802358

Claims (24)

1. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat, met het kenmerk, dat deze omvat een kamer in hoofdzaak langs de hartlijn van het substraat aangebracht alsmede aan een zijde van het sub- 5 straat; een veelheid van verwarmingslampen die zich uitstrekt door die kamer; en een bekleding voor het reflecteren van de straling van die lampen in die kamer.
2. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 1, gekenmerkt door een tweede kamer aan een tweede 10 zijde van het substraat, waarbij lampen in de tweede kamer met hoeken van ongeveer 90° ten opzichte van de eerste kamer aangebracht zijn.
3. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 2, gekenmerkt door een parabolische reflector behorend bij elk van die lampen.
4. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat met bepaalde lampen parabolische reflectoren verenigd zijn.
5. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat die kamers in hoofdzaak vier- 20 kant zijn.
6. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 1, gekenmerkt door een tweede kamer liggend aan een tweede zijde van het substraat langs een hartlijn van dat halfgeleider-substraat, waarbij die kamer een aanzienlijk reflecterende bekleding 25 heeft en welke kamer bovendien omvat een bekledingsgebied met een lager reflecterend vermogen symmetrisch aangebracht om de hartlijn van het substraat.
7. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het vermogen toegevoerd aan 30 de lampen een functie van de lampstand is.
8. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat een afstand tussen de lampen een functie van de lampstand ten opzichte van het substraat is.
9. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat 35 volgens conclkusie 3, met het kenmerk, dat het substraat gedraaid wordt·
10. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 1, gekenmerkt door het aanbrengen van het cirkelvormige substraat in een epitaxiale reactor, waarmee de veelheid van lam- 40 pen geplaatst en bekrachtigd Is om in een gelijkmatige temperatuur over 8802358 •w» i: dat substraat te voorzien.
11. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 10, gekenmerkt door een reflecterende bekleding op een inwendige van de tweede kamer, welke bekleding een axiaal symme- 5 trisch gebied heeft met een bekleding met een lagere waarde van het re-flectievermogen dan het overige van de bekleding.
12. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat de tweede kamer omvat een veelheid van stralingsmiddelen, waarbij de stralingsmiddelen geplaatst 10 en bekrachtigd worden om in een gelijkmatige temperatuursverdeling te voorzien over het gebied gevormd door beide kamers.
13. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat elk van de veelheid van stralingsmiddelen omvat een stralingsbron verenigd met 15 een parabolische reflector.
14. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat het cirkelvormige substraat gedraaid wordt.
15. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat 20 volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de bekleding van een materiaal is met een aanzienlijke reflectiecoëfficiënt; dat een tweede kamer aangebracht is aan de tweede zijde van het cirkelvormige substraat, welke tweede kamer wanden heeft bekleed met een materiaal met een aanzienlijke reflectiecoëfficiënt waarbij beide kamers een holte vormen 25 voor het cirkelvormige substraat; waarbij die verwarmingslampen het substraat in de holte gelijkmatig verwarmen.
16. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 15, gekenmerkt door een tweede veelheid van verwar-mingslampen aangebracht over die tweede kamer, waarbij de veelheid van 30 lampen van die kamer geplaatst zijn met ongeveer 90° ten opzichte van de tweede veelheid van de lampen van die tweede kamer.
17. Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 16, gekenmerkt door een parabolische reflector verenigd met elk van de verwarmingslampen van beide van de veelheid van 35 verwarmingslampen.
18. Inrichting volgens conclusie 16, gekenmerkt door het verwezenlijken van een meer gelijkmatige temperatuur door tenminste het aanbrengen van die lampen in die kamers met een bepaald op afstand liggend verband ten opzichte van elkaar; of door het variëren van de excitatie- 40 energie opgebracht op die lampen. 8602358 * «
19. Inrichting volgens conclusie 15, gekenmerkt door een in hoofdzaak axiaal symmetrisch gebied met een reflectievermogenwaarde lager dan het overige van het reflectievermogen in die tweede kamer.
20. Inrichting volgens conclusie 15, gekenmerkt door inrichtingen 5 voor het draaien van dat substraat.
21. Werkwijze voor het gelijkmatig verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens met conclusie 1, gekenmerkt door de stappen bestaande uit het plaatsen van een kamer aan beide zijden van het substraat; het doen uitstrekken van die verwarmingslampen door de wanden van die kamer 10 in tenminste een kamer; en het instellen van de energie opgebracht op die verwarmingslampen om in een gelijkmatig verwarmen van dat substraat te voorzien.
22. Werkwijze voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat volgens conclusie 21, gekenmerkt door de stappen bestaande uit het inr 15 stellen van het reflectievermogen van de lampen van een tweede kamer, waarbij een symmetrisch deel van het reflectievermogen een andere waarde heeft dan het reflectievermogen van het overige van die tweede kamerwanden.
23. Werkwijze voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat 20 volgens conclusie 21, met het kenmerk, dat de eerste -en tweede kamers verwarmingslampen hebben die zich daardoor uitstrekken, waarbij de werkwijze bovendien omvat de stap van het plaatsen van de tweede kamer totdat verwarmingslampen van de kamer zich ongeveer bij 90° bevinden.
24. Werkwijze voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat 25 volgens conclusie 23, gekenmerkt door de stap van het draaien van dat substraat. ********* 6602358
NL8602358A 1985-10-07 1986-09-17 Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat. NL193801C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/784,739 US4654509A (en) 1985-10-07 1985-10-07 Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
US78473985 1985-10-07

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8602358A true NL8602358A (nl) 1987-05-04
NL193801B NL193801B (nl) 2000-07-03
NL193801C NL193801C (nl) 2000-11-06

Family

ID=25133382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8602358A NL193801C (nl) 1985-10-07 1986-09-17 Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4654509A (nl)
JP (1) JP2545371B2 (nl)
DE (1) DE3634131C2 (nl)
FR (1) FR2606880B3 (nl)
GB (1) GB2181459B (nl)
NL (1) NL193801C (nl)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4755654A (en) * 1987-03-26 1988-07-05 Crowley John L Semiconductor wafer heating chamber
US5198034A (en) * 1987-03-31 1993-03-30 Epsilon Technology, Inc. Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US4821674A (en) * 1987-03-31 1989-04-18 Deboer Wiebe B Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US4993355A (en) * 1987-03-31 1991-02-19 Epsilon Technology, Inc. Susceptor with temperature sensing device
US4975561A (en) * 1987-06-18 1990-12-04 Epsilon Technology Inc. Heating system for substrates
US4836138A (en) * 1987-06-18 1989-06-06 Epsilon Technology, Inc. Heating system for reaction chamber of chemical vapor deposition equipment
US5156820A (en) * 1989-05-15 1992-10-20 Rapro Technology, Inc. Reaction chamber with controlled radiant energy heating and distributed reactant flow
US5044943A (en) * 1990-08-16 1991-09-03 Applied Materials, Inc. Spoked susceptor support for enhanced thermal uniformity of susceptor in semiconductor wafer processing apparatus
DE4202944C2 (de) * 1992-02-01 1994-07-14 Heraeus Quarzglas Verfahren und Vorrichtung zum Erwärmen eines Materials
US5370739A (en) * 1992-06-15 1994-12-06 Materials Research Corporation Rotating susceptor semiconductor wafer processing cluster tool module useful for tungsten CVD
US5434110A (en) * 1992-06-15 1995-07-18 Materials Research Corporation Methods of chemical vapor deposition (CVD) of tungsten films on patterned wafer substrates
DE4306398A1 (de) * 1993-03-02 1994-09-08 Leybold Ag Vorrichtung zum Erwärmen eines Substrates
US5318801A (en) * 1993-05-18 1994-06-07 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Substrate temperature control apparatus and technique for CVD reactors
WO1997009737A1 (en) * 1995-09-01 1997-03-13 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Wafer support system
US6113702A (en) 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
DE19547601A1 (de) * 1995-12-20 1997-06-26 Sel Alcatel Ag Vorrichtung zum Sintern von porösen Schichten
JP3166065B2 (ja) * 1996-02-08 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3493880B2 (ja) * 1996-02-28 2004-02-03 信越半導体株式会社 輻射加熱装置および加熱方法
TW406454B (en) * 1996-10-10 2000-09-21 Berg Tech Inc High density connector and method of manufacture
US6067931A (en) * 1996-11-04 2000-05-30 General Electric Company Thermal processor for semiconductor wafers
US5792273A (en) * 1997-05-27 1998-08-11 Memc Electric Materials, Inc. Secondary edge reflector for horizontal reactor
US5960158A (en) * 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6316747B1 (en) * 1998-03-02 2001-11-13 Steag Rtp Systems Gmbh Apparatus for the thermal treatment of substrates
WO1999049101A1 (en) 1998-03-23 1999-09-30 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for cvd and thermal processing of semiconductor substrates
US5970214A (en) * 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5930456A (en) * 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6127658A (en) * 1998-08-04 2000-10-03 Steag C.V.D. Systems, Ltd. Wafer heating apparatus and method with radiation absorptive peripheral barrier blocking stray radiation
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6108491A (en) * 1998-10-30 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Dual surface reflector
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6281141B1 (en) 1999-02-08 2001-08-28 Steag Rtp Systems, Inc. Process for forming thin dielectric layers in semiconductor devices
DE19923400A1 (de) 1999-05-21 2000-11-30 Steag Rtp Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Substraten
US6666924B1 (en) * 2000-03-28 2003-12-23 Asm America Reaction chamber with decreased wall deposition
US6476362B1 (en) 2000-09-12 2002-11-05 Applied Materials, Inc. Lamp array for thermal processing chamber
DE10051125A1 (de) 2000-10-16 2002-05-02 Steag Rtp Systems Gmbh Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten
US7108753B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-19 Asm America, Inc. Staggered ribs on process chamber to reduce thermal effects
US20060093756A1 (en) * 2004-11-03 2006-05-04 Nagarajan Rajagopalan High-power dielectric seasoning for stable wafer-to-wafer thickness uniformity of dielectric CVD films
US7396415B2 (en) * 2005-06-02 2008-07-08 Asm America, Inc. Apparatus and methods for isolating chemical vapor reactions at a substrate surface
US8092606B2 (en) 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
US10000965B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductive coating technology
US10060180B2 (en) 2010-01-16 2018-08-28 Cardinal Cg Company Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology
US10000411B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
JP2015072937A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 株式会社東芝 半導体製造装置、半導体製造方法及びプロセスチューブ
US11028012B2 (en) 2018-10-31 2021-06-08 Cardinal Cg Company Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same
US11680338B2 (en) 2019-12-19 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Linear lamp array for improved thermal uniformity and profile control

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB219077A (en) * 1923-04-16 1924-07-16 Charles Ashmore Baker Improvements in electrically heated ovens
GB611141A (en) * 1946-04-23 1948-10-26 Townson & Mercer Ltd Improvements in or relating to electrically boost-heated ovens
GB770955A (en) * 1954-04-09 1957-03-27 Ohio Commw Eng Co Improvements in the surface coating and impregnation of metal surfaces
GB1291357A (en) * 1970-11-03 1972-10-04 Applied Materials Tech Improvements in or relating to radiation heated reactors
FR2126127B1 (nl) * 1971-02-26 1973-05-11 Cadillac France
US3836751A (en) * 1973-07-26 1974-09-17 Applied Materials Inc Temperature controlled profiling heater
US4081313A (en) * 1975-01-24 1978-03-28 Applied Materials, Inc. Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip
US4101759A (en) * 1976-10-26 1978-07-18 General Electric Company Semiconductor body heater
JPS56124437A (en) * 1980-03-07 1981-09-30 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Gas phase chemical reaction apparatus
JPS59928A (ja) * 1982-06-25 1984-01-06 Ushio Inc 光加熱装置
JPS5959876A (ja) * 1982-09-30 1984-04-05 Ushio Inc 光照射炉の運転方法
JPS5977289A (ja) * 1982-10-26 1984-05-02 ウシオ電機株式会社 光照射炉
US4511788A (en) * 1983-02-09 1985-04-16 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light-radiant heating furnace
JPS59139898U (ja) * 1983-03-10 1984-09-18 ウシオ電機株式会社 光照射炉
GB2136937A (en) * 1983-03-18 1984-09-26 Philips Electronic Associated A furnace for rapidly heating semiconductor bodies
JPS60116778A (ja) * 1983-11-23 1985-06-24 ジエミニ リサーチ,インコーポレイテツド 化学蒸着方法及び装置
FR2594529B1 (fr) * 1986-02-19 1990-01-26 Bertin & Cie Appareil pour traitements thermiques de pieces minces, telles que des plaquettes de silicium

Also Published As

Publication number Publication date
GB2181459A (en) 1987-04-23
JPS6293378A (ja) 1987-04-28
GB2181459B (en) 1990-04-25
JP2545371B2 (ja) 1996-10-16
NL193801C (nl) 2000-11-06
NL193801B (nl) 2000-07-03
FR2606880B3 (fr) 1989-06-16
DE3634131A1 (de) 1987-04-09
US4654509A (en) 1987-03-31
GB8623977D0 (en) 1986-11-12
DE3634131C2 (de) 2001-10-04
FR2606880A1 (fr) 1988-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8602358A (nl) Werkwijze en inrichting voor het verwarmen van een substraat in een axiaal symmetrische epitaxiale neerslaginrichting.
US4789771A (en) Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
JP4486885B2 (ja) Cvd加熱用のled加熱ランプアレイ
NL8602356A (nl) Inrichting en werkwijze voor een axiaal symmetrische reactor voor het chemische uit damp neerslaan.
JP3484651B2 (ja) 加熱装置と加熱する方法
JP4275729B2 (ja) 急速熱処理装置及び方法
US6476362B1 (en) Lamp array for thermal processing chamber
EP1593146B1 (en) Radiant heating source
TWI673396B (zh) 大氣磊晶沈積腔室
US10306708B2 (en) Absorbing reflector for semiconductor processing chamber
JP2015536048A (ja) 改善されたエッジリングリップ
CN116190266A (zh) 灯头中的多分区灯控制和单独灯控制
JPH0273624A (ja) Cvd用ガス導入装置
US7038173B2 (en) Thermal processing apparatus and thermal processing method
JP2003077852A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
KR20140064227A (ko) 기판 처리 장치
JP4436565B2 (ja) 基板を熱処理するための装置
JP6783571B2 (ja) 放射装置及び放射装置を用いた処理装置
JPH07201753A (ja) 薄膜製造方法およびその装置
JPH04325686A (ja) Cvd装置の加熱ヒータ
TW202331961A (zh) 處理基底之裝置以及方法
CN118266064A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR100571714B1 (ko) 기판의 열처리를 위한 장치
JPH0794415A (ja) ランプ加熱装置
JPH076973A (ja) 加熱装置

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
CNR Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection)

Free format text: ADVANCED SEMICONDUCTOR MATERIALS AMERICA, INC.

BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
CNR Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection)

Free format text: ASM AMERICA, INC.

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20020401

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20020401