DE3622517A1 - Verfahren zum herstellen einer ofenkomponente - Google Patents
Verfahren zum herstellen einer ofenkomponenteInfo
- Publication number
- DE3622517A1 DE3622517A1 DE19863622517 DE3622517A DE3622517A1 DE 3622517 A1 DE3622517 A1 DE 3622517A1 DE 19863622517 DE19863622517 DE 19863622517 DE 3622517 A DE3622517 A DE 3622517A DE 3622517 A1 DE3622517 A1 DE 3622517A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon carbide
- presintered
- sintered
- temperature
- carbide powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer
Ofenkomponente bzw. eines Ofenbauteils, beispielsweise eines
Prozeßrohres für einen Halbleiter-Diffusionsofen.
Aus US-PS 39 51 587 sind Halbleiter-Diffusionsofenkomponenten,
wie ein Verarbeitungsrohr, ein Rührer und ein Schiffchen
bekannt, die im wesentlichen aus einer gesinterten Siliciumcarbidmatrix
bestehen, die sich aus dem Sintern von
Siliciumcarbidpulver ergibt, das aus etwa 50 Gew.-% feinem
Siliciumcarbids mit einer durchschnittlichen Partikelgröße
von 0,1-8 μm und 50 Gew.-% grobem Siliciumcarbid mit einer
durchschnittlichen Partikelgröße von 30-170 μm besteht.
Da das feine Siliciumcarbidpulver eine durchschnittliche
Partikelgröße von 0,1-8 μm aufweist, werden bei derartigen
Halbleiter-Diffusionsofenkomponenten die Oberflächen der
Pulver sehr groß, so daß Verunreinigungen sehr leicht von
ihnen aufgenommen werden können. Darüber hinaus sind dichte
und chemische Reinheit eines geformten Körpers wichtige Faktoren
für Halbleiter-Diffusionsofenkomponenten.
Im allgemeinen wird Siliciumcarbidpulver durch vibrationsartige
Mühlen o.dgl. gemahlen und anschließend gesiebt, um
dadurch zu einem Ausgangsmaterial mit gewünschten Partikelgrößen
zu werden. Während des Mahlens werden jedoch viele
Verunreinigungen in einem solchen Ausmaß gefangen, daß derart
hergestelltes Siliciumcarbidpulver nicht für den Zweck
der Herstellung von Halbleiter-Diffusionsofenkomponenten
guter Qualität verwendet werden kann. Daher wird eine Reinigungsbehandlung,
beispielsweise eine Säurebehandlung, auf
das Pulver angewendet. Bei dieser Behandlung wird feineres
Pulver relativ stärker kontaminiert und läßt sich nicht
leicht reinigen. Aus diesem Grunde ist es vorzuziehen, grobes
Siliciumcarbidpulver unter dem Gesichtspunkt hoher Qualität
zu verwenden. Wenn jedoch nur groberes Siliciumcarbidpulver
verwendet wird, läßt sich keine ausreichende Dichte
und Festigkeit für ein Verarbeitungsrohr erreichen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum
Herstellen von Halbleiter-Diffusionsofenkomponenten zu
schaffen, das sich leicht durchführen läßt und bei dem physikalische
Eigenschaften und insbesondere mechanische Festigkeit
verbessert werden können, wobei als Beispiel für
eine Ofenkomponente ein Verarbeitungsrohr genannt sei.
Erfindungsgemäß werden zwei Typen von Siliciumcarbidpulver
verwendet, die im wesentlichen aus grobem Siliciumcarbidpulver
und mittlerem Siliciumcarbidpulver ohne feines Siliciumcarbidpulver
bestehen.
Das mittlere Siliciumcarbidpulver hat eine durchschnittliche
Partikelgröße von 10-30 μm. Das grobe Siliciumcarbidpulver
hat eine durchschnittliche Partikelgröße von 40-200 μm.
Kein feines Siliciumcarbidpulver mit einer durchschnittlichen
Partikelgröße von weniger als 1 μm wird verwendet.
In Weiterbildung können 10 Gew.-Teile mittleren Siliciumcarbidpulvers
und 10-25 Gew.-Teile grobes Siliciumcarbidpulver
gemischt und mit einem organischen Binder, wie beispielsweise
Phenolharz, Polyvinylalkohol oder Teer-Pech zur
Erzeugung einer Mischung vermischt werden. Eine derartige
Mischung kann granuliert oder pelletisiert werden, um Pellets
zu erhalten, und dann in eine Preßform, insbesondere
eine Gummipresse in die Form einer Ofenkomponente, beispielsweise
eines Bearbeitungsrohrs, vorgeformt werden, um
dadurch einen geformten Körper zu erhalten. Er wird bei
einer Temperatur von 800-1200°C vorgesintert, um dadurch
einen vorgesinterten Körper zu erhalten. Der vorgesinterte
Körper wird mit Silicium imprägniert bei einer Temperatur
von 1500-1800°C zum Zweck der Silicidierung. Er wird im
wesentlichen gleichzeitig bei einer Temperatur von 1500-
1800°C gesintert. Der vorgesinterte Körper wird vorzugsweise
durch Chlorgas bei einer Temperatur von 1000-1800°C
gereinigt, um vor dem Imprägnierungsschritt gereinigt zu
sein, wodurch eine hohe Qualität einer Ofenkomponente erreicht
werden kann.
Erfindungsgemäß wird kein feines Siliciumcarbidpulver verwendet,
und eine Komponente für einen Halbleiter-Diffusionsofen
wird von zwei Siliciumcarbidpulvern erzeugt, von denen
jedes größere durchschnittliche Partikelgröße als bei den
Komponenten des Standes der Technik aufweist. Da diese Siliciumcarbidpulver
relativ kleine Oberflächen aufweisen, können
sie leicht in kurzer Zeit gereinigt werden und es werden
nicht soviel Verunreinigungen aufgenommen.
Erfindungsgemäß weist die vorgesinterte Struktur eine bevorzugte
Porosität auf, die sich günstig mit Silicium imprägnieren
läßt, so daß sie eine ausreichende Festigkeit aufweisen
kann. Nach ihrem Vorsintern sind keine Fehlerstellen,
wie unvollständige Poren, vorhanden. Daher läßt sich eine
homogene Si-SiC-Mikrostruktur mit hoher Festigkeit erreichen.
Zusätzlich lassen sich beide der zwei Typen Siliciumcarbidpulver
mit relativ großen Partikelgrößen leicht granulieren
oder pelletisieren bei hoher Wirksamkeit. Daher lassen sich
die Herstellungskosten bei Stabilisierung der Qualität verringern.
Diese Vorteile werden weiterhin dadurch stark vergrößert,
wenn die beiden Siliciumcarbidpulver von einer Gummipresse
geformt werden.
Im Fall der 10 Gew.-Teilen mittleren Pulvers und weniger als
10 Teilen grobem Pulver werden Verunreinigungen in starkem
Maße aufgenommen, so daß eine Reinigung schwierig wird, und
wenn grobes Pulver mehr als 25 Teile vorliegt, läßt sich die
gewünschte mechanische Festigkeit nicht leicht erreichen.
Weitere Merkmale, Einzelheiten und Vorzüge der Erfindung
ergeben sich aus der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
sowie anhand der Zeichnung. Hierbei zeigen:
Fig. 1 eine Mikrofotografie einer Mikrostruktur
eines Verarbeitungsrohres für einen Halbleiter-
Diffusionsofen, das erfindungsgemäß
hergestellt wurde; und
Fig. 2 eine Mikrofotografie einer Mikrostruktur
eines herkömmlichen Verarbeitungsrohres.
Ein Verarbeitungsrohr für einen Halbleiter-Diffusionsofen
wird folgendermaßen hergestellt:
Eine Mischung wird zunächst aus der folgenden Materialkombination
vorbereitet:
a) 10 Gew.-Teile mittleres Siliciumcarbidpulver, wie z. B. grüner Carborund, mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 20 μm; und
b) 10 Gew.-Teile grobes Siliciumcarbidpulver, wie beispielsweise grüne Carborund, mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 150 μm.
a) 10 Gew.-Teile mittleres Siliciumcarbidpulver, wie z. B. grüner Carborund, mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 20 μm; und
b) 10 Gew.-Teile grobes Siliciumcarbidpulver, wie beispielsweise grüne Carborund, mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 150 μm.
Der Mischung wird Phenolharz beigefügt und sie wird anschließend
granuliert, um dadurch Pellets in bekannter Art
zu erzeugen. Nach dem Trocknen derartiger Pellets werden
diese in der Form eines Verarbeitungsrohrs mit Hilfe einer
herkömmlichen Gummipresse geformt, um dadurch einen geformten
Körper zu erzeugen. Wenn gewünscht, wird dieser bearbeitet
oder an ein Teil angesetzt. Anschließend wird er bei
einer Temperatur von 1000°C zur Herstellung eines vorgesinterten
Körpers vorgesintert und dann mit Chlorgas bei einer
Temperatur von 1500°C behandelt, um dadurch gereinigt zu
werden. Ein derartig vorgesinterter und gereinigter Körper
wird mit Silcium bei 1700°C für den Zweck der Silicidierung
imprägniert. Er wird im wesentlichen gleichzeitig bei einer
Temperatur von 1700°C zum Herstellen eines gesinterten Körpers
gesintert. Wenn gewünscht, kann er anschließend durch
Schleifen einer seiner Oberflächen fertig bearbeitet werden.
Eine Mikrostruktur eines derartig hergestellten Verfahrensrohres
ist in Fig. 1 dargestellt. Eine Mikrostruktur eines
nach dem Verfahren der US-PS 39 51 587 erzeugten Verfahrensrohres
ist in Fig. 2 dargestellt.
Erfindungsgemäß sind die physikalischen Eigenschaften eines
Verarbeitungsrohres wie folgt:
Schüttdichte: 2,8-3,0 g/cm3
Festigkeit: 190 MPa.
Schüttdichte: 2,8-3,0 g/cm3
Festigkeit: 190 MPa.
Claims (8)
1. Verfahren zum Herstellen einer Komponente für einen
Halbleiter-Diffusionsofen, gekennzeichnet durch folgende
Verfahrensschritte:
zwei Arten von Siliciumcarbidpulver, nämlich 10 Gew.- Teile eines mittleren Siliciumcarbids mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 10-30 µm und 10 - 25 Gew.-Teile groben Siliciumcarbids mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 80-200 µm werden miteinander vermischt;
ein organisches Bindemittel wird der Mischung beigemischt;
die Mischung wird zur Erzeugung von Pellets anschließend granuliert;
die Pellets werden zur Herstellung eines geformten Körpers vorgeformt;
der geformte Körper wird zur Erzeugung eines vorgesinterten Körpers vorgesintert;
der vorgesinterte Körper wird mit Silicium imprägniert; und der vorgesinterte Körper wird gesintert.
zwei Arten von Siliciumcarbidpulver, nämlich 10 Gew.- Teile eines mittleren Siliciumcarbids mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 10-30 µm und 10 - 25 Gew.-Teile groben Siliciumcarbids mit einer durchschnittlichen Partikelgröße von 80-200 µm werden miteinander vermischt;
ein organisches Bindemittel wird der Mischung beigemischt;
die Mischung wird zur Erzeugung von Pellets anschließend granuliert;
die Pellets werden zur Herstellung eines geformten Körpers vorgeformt;
der geformte Körper wird zur Erzeugung eines vorgesinterten Körpers vorgesintert;
der vorgesinterte Körper wird mit Silicium imprägniert; und der vorgesinterte Körper wird gesintert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der geformte Körper bei einer Temperatur von 800 -
1200°C vorgesintert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der vorgesinterte Körper mit Silicium bei einer
Temperatur von 1500-1800°C imprägniert wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der vorgesinterte Körper bei
einer Temperatur von 1500-1800°C gesintert wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der Imprägnierungsschritt
gleichzeitig mit dem Sinterungsschritt durchgeführt
wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der vorgesinterte Körper vor
dem Imprägnieren gereinigt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der vorgesinterte Körper bei
einer Temperatur von 1000-1800°C gereinigt wird.
8. Erzeugnis, erhältlich nach dem Verfahren nach einem der
vorhergehenden Ansprüche.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60149345A JPS6212666A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 半導体用炉芯管の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3622517A1 true DE3622517A1 (de) | 1987-01-22 |
DE3622517C2 DE3622517C2 (de) | 1989-06-22 |
Family
ID=15473086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863622517 Granted DE3622517A1 (de) | 1985-07-09 | 1986-07-04 | Verfahren zum herstellen einer ofenkomponente |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4859385A (de) |
JP (1) | JPS6212666A (de) |
DE (1) | DE3622517A1 (de) |
IT (1) | IT1196945B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3701691A1 (de) * | 1986-07-31 | 1988-02-04 | Toshiba Ceramics Co | Verfahren zum herstellen einer ofenkomponente |
EP0284885A1 (de) * | 1987-03-30 | 1988-10-05 | Norton Company | Diffusionsofen-Komponenten aus Siliziumcarbid mit gasdichtem Überzug |
FR2638450A1 (fr) * | 1986-11-07 | 1990-05-04 | Gas Res Inst | Articles ceramiques tubulaires, procedes et appareils pour leur fabrication |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5227106A (en) * | 1990-02-09 | 1993-07-13 | Tonawanda Coke Corporation | Process for making large size cast monolithic refractory repair modules suitable for use in a coke oven repair |
JPH09235161A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-09 | Ngk Insulators Ltd | 耐食性に優れたSi−SiC質焼結体およびそれからなる窯道具ならびに窯炉の内張材、およびこれらを用いた窯炉 |
US5702997A (en) * | 1996-10-04 | 1997-12-30 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Process for making crack-free silicon carbide diffusion components |
US6387834B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-05-14 | Bridgestone Corporation | Sintered silicon carbide body and method for producing the same |
US6297183B1 (en) | 1999-07-28 | 2001-10-02 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Aging resistant porous silicon carbide ceramic igniter |
US20030233977A1 (en) * | 2002-06-20 | 2003-12-25 | Yeshwanth Narendar | Method for forming semiconductor processing components |
US6825123B2 (en) * | 2003-04-15 | 2004-11-30 | Saint-Goban Ceramics & Plastics, Inc. | Method for treating semiconductor processing components and components formed thereby |
US7501370B2 (en) * | 2004-01-06 | 2009-03-10 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | High purity silicon carbide wafer boats |
JP2005340240A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Cimeo Precision Co Ltd | 透光色変換部材及びその製造方法 |
US8058174B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-11-15 | Coorstek, Inc. | Method for treating semiconductor processing components and components formed thereby |
US20110091700A1 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-21 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Microelectronic processing component having a corrosion-resistant layer, microelectronic workpiece processing apparatus incorporating same, and method of forming an article having the corrosion-resistant layer |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3275722A (en) * | 1959-07-08 | 1966-09-27 | Power Jets Res & Dev Ltd | Production of dense bodies of silicon carbide |
US3951587A (en) * | 1974-12-06 | 1976-04-20 | Norton Company | Silicon carbide diffusion furnace components |
FR2535312A1 (fr) * | 1982-10-28 | 1984-05-04 | Toshiba Ceramics Co | Element moule a base de carbure de silicium destine a etre utilise dans la fabrication de semi-conducteurs |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2907972A (en) * | 1957-08-12 | 1959-10-06 | Carborundum Co | Process for producing silicon carbide bodies |
GB1180918A (en) * | 1966-06-10 | 1970-02-11 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to the Manufacture of Dense Bodies of Silicon Carbide. |
US3947550A (en) * | 1973-08-20 | 1976-03-30 | Ford Motor Company | Method of making a silicon carbide article of less than full density |
DE2640528C3 (de) * | 1976-09-09 | 1981-02-05 | Keiper Automobiltechnik Gmbh & Co Kg, 5630 Remscheid | Verstellbarer Fahrzeugsitz |
US4233256A (en) * | 1978-12-18 | 1980-11-11 | The Carborundum Company | Process for injection molding sinterable carbide ceramic materials |
US4668452A (en) * | 1980-02-26 | 1987-05-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Process for producing silicon carbide heating elements |
US4385020A (en) * | 1980-03-27 | 1983-05-24 | General Electric Company | Method for making shaped silicon-silicon carbide refractories |
JPS56129684A (en) * | 1980-05-06 | 1981-10-09 | Toshiba Ceramics Co | Silicon carbide molded body |
DE3108266A1 (de) * | 1981-03-05 | 1982-09-16 | Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich | Verfahren zur herstellung eines poroesen siliziumkarbidkoerpers |
JPS58500855A (ja) * | 1981-05-29 | 1983-05-26 | モ−ガナイト・スペシヤル・カ−ボンズ・リミテツド | 炭化ケイ素物体の製法 |
US4510191A (en) * | 1982-09-30 | 1985-04-09 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Casting nozzle |
DE3305529A1 (de) * | 1983-02-18 | 1984-08-23 | Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich | Verfahren zur herstellung poroeser, durchstroembarer formkoerper aus siliziumkarbid |
JPS6051655A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-23 | 株式会社東芝 | セラミックス焼結体の製造方法 |
JPS60138913A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体拡散炉管の製造方法 |
JPS60138914A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体拡散炉管の製造方法 |
DE3522194A1 (de) * | 1985-06-21 | 1987-01-02 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von glaskoerpern |
US4693988A (en) * | 1986-07-01 | 1987-09-15 | Kennecott Corporation | Single phase silicon carbide refractory |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP60149345A patent/JPS6212666A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-04 DE DE19863622517 patent/DE3622517A1/de active Granted
- 1986-07-09 IT IT21078/86A patent/IT1196945B/it active
-
1988
- 1988-06-29 US US07/213,459 patent/US4859385A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3275722A (en) * | 1959-07-08 | 1966-09-27 | Power Jets Res & Dev Ltd | Production of dense bodies of silicon carbide |
US3951587A (en) * | 1974-12-06 | 1976-04-20 | Norton Company | Silicon carbide diffusion furnace components |
DE2553651A1 (de) * | 1974-12-06 | 1976-06-10 | Norton Co | Halbleiter-diffusionsofenteile und verfahren zu deren herstellung |
FR2535312A1 (fr) * | 1982-10-28 | 1984-05-04 | Toshiba Ceramics Co | Element moule a base de carbure de silicium destine a etre utilise dans la fabrication de semi-conducteurs |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3701691A1 (de) * | 1986-07-31 | 1988-02-04 | Toshiba Ceramics Co | Verfahren zum herstellen einer ofenkomponente |
FR2638450A1 (fr) * | 1986-11-07 | 1990-05-04 | Gas Res Inst | Articles ceramiques tubulaires, procedes et appareils pour leur fabrication |
EP0284885A1 (de) * | 1987-03-30 | 1988-10-05 | Norton Company | Diffusionsofen-Komponenten aus Siliziumcarbid mit gasdichtem Überzug |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT8621078A1 (it) | 1988-01-09 |
IT1196945B (it) | 1988-11-25 |
JPH0380749B2 (de) | 1991-12-25 |
US4859385A (en) | 1989-08-22 |
DE3622517C2 (de) | 1989-06-22 |
IT8621078A0 (it) | 1986-07-09 |
JPS6212666A (ja) | 1987-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3622517C2 (de) | ||
DE3344050C2 (de) | ||
DE3923671C2 (de) | CBN-Schleifmittelkörner aus kubischem Bornitrid und ein Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69722873T2 (de) | Hoch korrosionsbeständiges Siliziumcarbidprodukt | |
DE3010545C2 (de) | Gesinterte Keramik, insbesondere für Zerspanungswerkzeuge, und Verfahren zur Herstellung derselben | |
WO2003101647A2 (de) | Verfahren zur endkonturnahen herstellung von hochporösen metallischen formkörpern | |
DE2640102A1 (de) | Fluechtiger binder fuer kernbrennstoff-materialien | |
DE2625214A1 (de) | Verfahren zur herstellung von gesinterten formkoerpern | |
DE2458690A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines formkoerpers aus siliziumnitrid | |
DE102008054596A1 (de) | Offenzellige Keramik- und/oder Metallschäume mit rauer umhüllender Oberfläche und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2222854A1 (de) | Verfahren zur Herstellung niedriglegierter Stahlpulver mit niedrigem Gehalt an oxidischen Bestandteilen | |
DE2910628C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines reaktionsgebundenen Siliciumkarbid-Körpers | |
DE3446891C2 (de) | ||
DE3338755A1 (de) | Formkoerper auf siliziumkarbidbasis zum einsatz bei der halbleiterherstellung | |
DE102019217654A1 (de) | Sphärisches Pulver zur Fertigung von dreidimensionalen Objekten | |
DE3116786C2 (de) | Homogener Siliciumcarbid-Formkörper und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3701691A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer ofenkomponente | |
DE2916817A1 (de) | Sinterkeramischer koerper aus hochdichtem siliciumcarbid und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3326835A1 (de) | Verfahren zur herstellung von kernbrennstoffprodukten | |
EP0622438A1 (de) | Keramisches Korundschleifmittel | |
DE1571295B1 (de) | Aluminiumosydgemische und geformte keramische gegenstände daraus | |
DE3843712A1 (de) | Titanborid-keramikmaterial und verfahren zu seiner herstellung | |
EP0573029B1 (de) | Verwendung eines feuerfesten, oxidischen Mikropulvers zur Herstellung von keramischen Massen und Formteilen | |
EP0394213B1 (de) | Keramische, gesinterte Körper | |
DE2062126A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kern brennstoff und nach diesen Verfahren hergestellter Kernbrennstoff |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |