JPH09235161A - 耐食性に優れたＳｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれからなる窯道具ならびに窯炉の内張材、およびこれらを用いた窯炉 - Google Patents
耐食性に優れたＳｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれからなる窯道具ならびに窯炉の内張材、およびこれらを用いた窯炉Info
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- JPH09235161A JPH09235161A JP8044729A JP4472996A JPH09235161A JP H09235161 A JPH09235161 A JP H09235161A JP 8044729 A JP8044729 A JP 8044729A JP 4472996 A JP4472996 A JP 4472996A JP H09235161 A JPH09235161 A JP H09235161A
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- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
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- F27B9/24—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace being carried by a conveyor
- F27B9/2407—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace being carried by a conveyor the conveyor being constituted by rollers (roller hearth furnace)
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
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- F27B9/30—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
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- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 腐食源であるイオン結合性の高い元素が存在
する高温環境下での耐食性に優れ、長期の使用に耐え得
るＳｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれらからなる窯道具を
提供することができる。 【解決手段】 ＳｉとＳｉＣを含有してなるＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質焼結体である。ＳｉＯ2の含有量が０．５重量％以
下で、かつ酸素含有量が０．２５重量％以下である、イ
オン結合性の高い元素を含む高温雰囲気下で耐食性を有
する。
する高温環境下での耐食性に優れ、長期の使用に耐え得
るＳｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれらからなる窯道具を
提供することができる。 【解決手段】 ＳｉとＳｉＣを含有してなるＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質焼結体である。ＳｉＯ2の含有量が０．５重量％以
下で、かつ酸素含有量が０．２５重量％以下である、イ
オン結合性の高い元素を含む高温雰囲気下で耐食性を有
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、耐食性に優れた
Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれからなる窯道具ならび
に窯炉の内張材、およびこれらを用いた窯炉に関する。
Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれからなる窯道具ならび
に窯炉の内張材、およびこれらを用いた窯炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】 従来、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体
は、その優れた耐熱性及び耐火性から工業上重要な位置
を占めており、具体例としては、クレーボンドの炭化珪
素質焼結体や窒化珪素結合の炭化珪素質焼結体が碍子、
衛生陶器、食器、額縁体及び陶管等の陶磁器やタイル等
の焼成用の棚組材や棚板として多用されている。また、
ＳｉＣ質焼結体として、ＳｉＣとＳｉを構成成分として
含むＳｉ−ＳｉＣ質焼結体が知られており、このＳｉ−
ＳｉＣ質焼結体は、主として半導体焼成用炉心管、ロー
ラーハースキルン用ローラー熱交換体用チューブ等の特
殊用途に用いられていた。
は、その優れた耐熱性及び耐火性から工業上重要な位置
を占めており、具体例としては、クレーボンドの炭化珪
素質焼結体や窒化珪素結合の炭化珪素質焼結体が碍子、
衛生陶器、食器、額縁体及び陶管等の陶磁器やタイル等
の焼成用の棚組材や棚板として多用されている。また、
ＳｉＣ質焼結体として、ＳｉＣとＳｉを構成成分として
含むＳｉ−ＳｉＣ質焼結体が知られており、このＳｉ−
ＳｉＣ質焼結体は、主として半導体焼成用炉心管、ロー
ラーハースキルン用ローラー熱交換体用チューブ等の特
殊用途に用いられていた。
【０００３】 しかしながら、従来のＳｉ−ＳｉＣ質焼
結体をそのまま窯炉の内張材として使用した場合、酸素
の存在下で加熱すると酸化を起こし強度低下を招いた
り、更に他の腐食源（例えば鉛、ビスマス、アンチモ
ン、塩素、フッ素等）が存在する環境ではその腐食源の
種類に応じて焼結体や窯の内張材と反応を起こしたりす
るため、窯炉の内張材の腐食劣化が加速されてしまい本
来の機能を果たすことができなくなり窯の寿命を低下さ
せるという問題があった。
結体をそのまま窯炉の内張材として使用した場合、酸素
の存在下で加熱すると酸化を起こし強度低下を招いた
り、更に他の腐食源（例えば鉛、ビスマス、アンチモ
ン、塩素、フッ素等）が存在する環境ではその腐食源の
種類に応じて焼結体や窯の内張材と反応を起こしたりす
るため、窯炉の内張材の腐食劣化が加速されてしまい本
来の機能を果たすことができなくなり窯の寿命を低下さ
せるという問題があった。
【０００４】 以上のことから、多様な分野における各
種の材料、製品の製造プロセスに対応してより厳しい雰
囲気環境下にも耐え得る信頼性の高い窯道具ならびに窯
炉の内張材が期待されている。
種の材料、製品の製造プロセスに対応してより厳しい雰
囲気環境下にも耐え得る信頼性の高い窯道具ならびに窯
炉の内張材が期待されている。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】 本発明は上記した従
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、特に腐食源が存在する高温の環境下での耐食
性に優れたＳｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれからなる窯
道具ならびに窯炉の内張材およびこれらを用いた窯炉を
提供するものである。
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、特に腐食源が存在する高温の環境下での耐食
性に優れたＳｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれからなる窯
道具ならびに窯炉の内張材およびこれらを用いた窯炉を
提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、ＳｉとＳｉＣを含有してなるＳｉ−ＳｉＣ質焼結
体であって、そのＳｉＯ2 の含有量が０．５重量％以下
でかつ酸素含有量が０．２５重量％以下である、イオン
結合性の高い元素を含む８００〜１４００℃の高温雰囲
気下で耐食性を有するＳｉ−ＳｉＣ質焼結体と、それか
ら構成されている窯道具ならびに窯炉の内張材が提供さ
れる。尚、高温雰囲気には、イオン結合性の高い元素が
Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔｌ、Ｐ
ｂ、Ｂｉ、Ｃｌ、Ｆの少なくとも一種であり、更に融点
が６５０℃以下、かつ沸点が１５００〜１７５０℃の金
属元素が含まれている。
れば、ＳｉとＳｉＣを含有してなるＳｉ−ＳｉＣ質焼結
体であって、そのＳｉＯ2 の含有量が０．５重量％以下
でかつ酸素含有量が０．２５重量％以下である、イオン
結合性の高い元素を含む８００〜１４００℃の高温雰囲
気下で耐食性を有するＳｉ−ＳｉＣ質焼結体と、それか
ら構成されている窯道具ならびに窯炉の内張材が提供さ
れる。尚、高温雰囲気には、イオン結合性の高い元素が
Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔｌ、Ｐ
ｂ、Ｂｉ、Ｃｌ、Ｆの少なくとも一種であり、更に融点
が６５０℃以下、かつ沸点が１５００〜１７５０℃の金
属元素が含まれている。
【０００７】 更に、本発明によれば、連続炉の少なく
とも８００〜１４００℃の加熱雰囲気に曝される領域を
本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体で構成されている窯炉が
提供される。
とも８００〜１４００℃の加熱雰囲気に曝される領域を
本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体で構成されている窯炉が
提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】 本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体
では、その酸素含有量が０．５重量％以下に制御されて
いるが、０．３重量％以下に制御することがより好まし
く、０．１重量％以下に制御することがさらに好まし
い。上記焼結体に含まれる酸素は、ＳｉＯ2 以外にＡ
ｌ、Ｆｅ、Ｃａ等の微量成分の酸化物として存在するも
のとがある。
では、その酸素含有量が０．５重量％以下に制御されて
いるが、０．３重量％以下に制御することがより好まし
く、０．１重量％以下に制御することがさらに好まし
い。上記焼結体に含まれる酸素は、ＳｉＯ2 以外にＡ
ｌ、Ｆｅ、Ｃａ等の微量成分の酸化物として存在するも
のとがある。
【０００９】 ＳｉＯ2 は、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の原
料であるＳｉＣ粉体及び金属Ｓｉに不純物として含まれ
るものおよび、Ｓｉ−ＳｉＣの製造過程での酸化により
生成するものとがあり、このいずれのＳｉＯ2 も耐クリ
ープ性を低下させる原因となる。又、焼成過程で、Ｓｉ
Ｏ及びＣＯが、ＳｉＯ2 とＣ粉体との反応によって生じ
るが、このガスがＳｉ，ＳｉＣ，Ｃとの酸化、還元を繰
り返しＳｉ−ＳｉＣ質焼結体のＯ2 量増加の原因とな
る。従って、酸素含有量を上記の値に制御することによ
り、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の耐酸化性及び耐クリープ性
を向上させることができる。
料であるＳｉＣ粉体及び金属Ｓｉに不純物として含まれ
るものおよび、Ｓｉ−ＳｉＣの製造過程での酸化により
生成するものとがあり、このいずれのＳｉＯ2 も耐クリ
ープ性を低下させる原因となる。又、焼成過程で、Ｓｉ
Ｏ及びＣＯが、ＳｉＯ2 とＣ粉体との反応によって生じ
るが、このガスがＳｉ，ＳｉＣ，Ｃとの酸化、還元を繰
り返しＳｉ−ＳｉＣ質焼結体のＯ2 量増加の原因とな
る。従って、酸素含有量を上記の値に制御することによ
り、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の耐酸化性及び耐クリープ性
を向上させることができる。
【００１０】 又、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体で
は、イオン結合性の高い元素を含む高温雰囲気が８００
〜１４００℃であることが好ましい。この理由として
は、８００℃以下の場合、イオン結合性の高い元素との
反応性が高くないので、他の材質でも対応でき、１４０
０℃以上の場合、金属Ｓｉ自身が１４１０℃付近で融解
し、反応を起こしてしまうためである。このため、本発
明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は、１３５０℃以下で使用す
ることが好ましい。
は、イオン結合性の高い元素を含む高温雰囲気が８００
〜１４００℃であることが好ましい。この理由として
は、８００℃以下の場合、イオン結合性の高い元素との
反応性が高くないので、他の材質でも対応でき、１４０
０℃以上の場合、金属Ｓｉ自身が１４１０℃付近で融解
し、反応を起こしてしまうためである。このため、本発
明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は、１３５０℃以下で使用す
ることが好ましい。
【００１１】 次に、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体
が、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔ
ｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｌ、Ｆ等の元素を含む雰囲気にさら
された場合の耐食性について説明する。即ち、後述の実
施例で詳しく説明するが、塩素、フッ素等のイオン結合
性の強い気体元素の場合では、特に高温で酸化物なかで
もＳｉＯ2 を多く含むセラミックスの粒界を激しく浸食
するが、本発明のＳｉＯ2 及びＯ2 の含有量を低下させ
たＳｉ−ＳｉＣ質焼結体では、浸食がほとんど進行しな
いことを確認した。また、本発明者が確認したところ、
Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔｌ、Ｐ
ｂ、Ｂｉを含む高温の雰囲気、すなわち、鉛、ビスマ
ス、アンチモン等の融点が６５０℃以下で沸点が１７５
０℃以下のイオン結合性の強い金属元素を含む被焼成物
を焼成する場合には、窯詰時や焼成の初期に発生した被
焼成物の微粉片が棚材や窯の内張材等に堆積したり、付
着したりしたものが、焼成中に融解しこれら内張材と反
応を起こし激しい腐食を起こすことが明らかになった。
しかし、沸点が１５００℃以上であるため通常の窯の焼
成帯の最高温度域付近でも蒸気化して排気されることが
ないのでより腐食が加速されると考えられた。
が、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔ
ｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｌ、Ｆ等の元素を含む雰囲気にさら
された場合の耐食性について説明する。即ち、後述の実
施例で詳しく説明するが、塩素、フッ素等のイオン結合
性の強い気体元素の場合では、特に高温で酸化物なかで
もＳｉＯ2 を多く含むセラミックスの粒界を激しく浸食
するが、本発明のＳｉＯ2 及びＯ2 の含有量を低下させ
たＳｉ−ＳｉＣ質焼結体では、浸食がほとんど進行しな
いことを確認した。また、本発明者が確認したところ、
Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔｌ、Ｐ
ｂ、Ｂｉを含む高温の雰囲気、すなわち、鉛、ビスマ
ス、アンチモン等の融点が６５０℃以下で沸点が１７５
０℃以下のイオン結合性の強い金属元素を含む被焼成物
を焼成する場合には、窯詰時や焼成の初期に発生した被
焼成物の微粉片が棚材や窯の内張材等に堆積したり、付
着したりしたものが、焼成中に融解しこれら内張材と反
応を起こし激しい腐食を起こすことが明らかになった。
しかし、沸点が１５００℃以上であるため通常の窯の焼
成帯の最高温度域付近でも蒸気化して排気されることが
ないのでより腐食が加速されると考えられた。
【００１２】 一方、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の
場合には、前記のイオン結合性の強い元素との反応状態
が起こらないためほとんど焼結体が浸食されず、特に鉛
及びビスマスはセラミック表面を流れるのみであった。
以上のことから、鉛、アンチモン及びビスマスを含む雰
囲気での高温接触反応において、本発明のＳｉ−ＳｉＣ
質焼結体は、耐食性に優れていることが判明した。さら
に、他のイオン結合性の高い元素であるＧｅ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｔｌと本発明のＳｉ−ＳｉＣ質
焼結体との反応性についても同様の確認したところ反応
はほとんど認められなかった。又、同じく、塩素やフッ
素を含む雰囲気の高温接触反応についても耐食性に優れ
ており、特に、フッ素の場合、ＰＳＺでは溶解してしま
うが、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の場合、組織内の
Ｓｉのみが浸食されるだけであることも見出した。
場合には、前記のイオン結合性の強い元素との反応状態
が起こらないためほとんど焼結体が浸食されず、特に鉛
及びビスマスはセラミック表面を流れるのみであった。
以上のことから、鉛、アンチモン及びビスマスを含む雰
囲気での高温接触反応において、本発明のＳｉ−ＳｉＣ
質焼結体は、耐食性に優れていることが判明した。さら
に、他のイオン結合性の高い元素であるＧｅ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｔｌと本発明のＳｉ−ＳｉＣ質
焼結体との反応性についても同様の確認したところ反応
はほとんど認められなかった。又、同じく、塩素やフッ
素を含む雰囲気の高温接触反応についても耐食性に優れ
ており、特に、フッ素の場合、ＰＳＺでは溶解してしま
うが、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の場合、組織内の
Ｓｉのみが浸食されるだけであることも見出した。
【００１３】 更に、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を
用いた窯炉の内張材等を構造部材に用いた窯炉は、乾燥
（水分除去）から焼成までの一連の工程を行うセラミッ
クスや電子部品等の焼成作業において好適に用いること
ができる。この場合、従来のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を用
いた窯炉の内張材では、酸素の存在下で加熱すると酸化
が進行し、特に、被焼成物中に他の腐食源（例えば、
鉛、ビスマス、アンチモン、塩素、フッ素等）が存在す
る環境における焼成工程ではその種類に応じて反応が加
速されたりするため、窯炉の内張材が浸食されてしま
い、窯炉を傷める原因となる。
用いた窯炉の内張材等を構造部材に用いた窯炉は、乾燥
（水分除去）から焼成までの一連の工程を行うセラミッ
クスや電子部品等の焼成作業において好適に用いること
ができる。この場合、従来のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を用
いた窯炉の内張材では、酸素の存在下で加熱すると酸化
が進行し、特に、被焼成物中に他の腐食源（例えば、
鉛、ビスマス、アンチモン、塩素、フッ素等）が存在す
る環境における焼成工程ではその種類に応じて反応が加
速されたりするため、窯炉の内張材が浸食されてしま
い、窯炉を傷める原因となる。
【００１４】 しかし、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体
を窯炉の内張材として用いると、耐食性、耐酸化性に優
れているため、窯炉の耐久性を向上させ、補修コストの
低減を図ることができる。即ち、腐食性ガスを発生する
原料や腐食原因物質を含むセラミックスを焼成しても内
張材の傷みが少なく、また、内張材が酸化劣化してその
微粉が被焼成物に落下することにより、得られる製品の
外観等を損なうこと（ボロフリ現象）を回避することが
できる。又、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は比重が小
さくて強度が良好なところから、内張材の厚さを薄くす
ることができる。更に、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の熱伝導
率が良好なことから、熱効率が向上し、燃費の削減が可
能になるとともにＳｉ−ＳｉＣを内張材とする窯炉で
は、炉内の均熱化が早く、均質な焼成物を得ることによ
る歩留の向上が期待できる。つまり、本発明のＳｉ−Ｓ
ｉＣ質焼結体を用いた窯炉の内張材は、多分野における
各材料の製造プロセスに対応してより厳しい環境に耐え
得る信頼性の高いものである。
を窯炉の内張材として用いると、耐食性、耐酸化性に優
れているため、窯炉の耐久性を向上させ、補修コストの
低減を図ることができる。即ち、腐食性ガスを発生する
原料や腐食原因物質を含むセラミックスを焼成しても内
張材の傷みが少なく、また、内張材が酸化劣化してその
微粉が被焼成物に落下することにより、得られる製品の
外観等を損なうこと（ボロフリ現象）を回避することが
できる。又、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は比重が小
さくて強度が良好なところから、内張材の厚さを薄くす
ることができる。更に、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体の熱伝導
率が良好なことから、熱効率が向上し、燃費の削減が可
能になるとともにＳｉ−ＳｉＣを内張材とする窯炉で
は、炉内の均熱化が早く、均質な焼成物を得ることによ
る歩留の向上が期待できる。つまり、本発明のＳｉ−Ｓ
ｉＣ質焼結体を用いた窯炉の内張材は、多分野における
各材料の製造プロセスに対応してより厳しい環境に耐え
得る信頼性の高いものである。
【００１５】 次に、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体か
らなる窯炉用の内張材を用いた連続炉の例を説明する。
図２は、本発明に適用した連続炉（ローラーハースキル
ン）の概略的な縦断正面図であり、図３は、本発明に適
用した連続炉（ローラーハースキルン）の一部を省略し
た概略的な縦断側面図である。当該連続炉はローラーハ
ースキルンであって、耐火煉瓦で形成された炉本体１１
内にその長手方向に延びる長い空洞を備え、同空洞内に
はその底部に複数の下側隔壁１２と、その頂部に複数の
上側隔壁１３がそれぞれ設けられている。これら各下側
隔壁１２は上方へ所定長さ延びているとともに、各上側
隔壁１３は各下側隔壁１２の上端縁に対向して下方へ所
定長さ延びていて、各下側隔壁１２の上端縁との間に所
定の間隔を保持して隙間を形成している。本発明では、
これら炉内部に接する隔壁、炉の内張、及びロール等と
いった高温で腐食雰囲気にさらされる部分をＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質焼結体で構成、特に、８００〜１４００℃に加熱さ
れる部分を構成することが好ましい。この隙間には、そ
の長手方向に多数のローラー１４が配設されている。各
ローラー１４は炉本体１１の左右の各側壁部１１ａを貫
通した状態で回転可能に支持されており、炉本体１１の
空洞を横切って左右に延びた状態で互いに並列的に配設
されている。各ローラー１４のうちの所定のものは図示
しない駆動モーターの駆動により回転駆動するように構
成されている。
らなる窯炉用の内張材を用いた連続炉の例を説明する。
図２は、本発明に適用した連続炉（ローラーハースキル
ン）の概略的な縦断正面図であり、図３は、本発明に適
用した連続炉（ローラーハースキルン）の一部を省略し
た概略的な縦断側面図である。当該連続炉はローラーハ
ースキルンであって、耐火煉瓦で形成された炉本体１１
内にその長手方向に延びる長い空洞を備え、同空洞内に
はその底部に複数の下側隔壁１２と、その頂部に複数の
上側隔壁１３がそれぞれ設けられている。これら各下側
隔壁１２は上方へ所定長さ延びているとともに、各上側
隔壁１３は各下側隔壁１２の上端縁に対向して下方へ所
定長さ延びていて、各下側隔壁１２の上端縁との間に所
定の間隔を保持して隙間を形成している。本発明では、
これら炉内部に接する隔壁、炉の内張、及びロール等と
いった高温で腐食雰囲気にさらされる部分をＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質焼結体で構成、特に、８００〜１４００℃に加熱さ
れる部分を構成することが好ましい。この隙間には、そ
の長手方向に多数のローラー１４が配設されている。各
ローラー１４は炉本体１１の左右の各側壁部１１ａを貫
通した状態で回転可能に支持されており、炉本体１１の
空洞を横切って左右に延びた状態で互いに並列的に配設
されている。各ローラー１４のうちの所定のものは図示
しない駆動モーターの駆動により回転駆動するように構
成されている。
【００１６】 これにより、当該連続炉においては、各
下側隔壁１２の上端縁とこれに対向する各上側隔壁１３
の下端縁との間に被焼成物であるセラミック成形品の搬
送路１５が形成されているとともに、空洞内を入口側か
ら出口側に大別して予熱領域Ｒ１、焼成領域Ｒ２、冷却
領域Ｒ３の３つの領域に区画されている。各領域には、
搬送路１５を挟んでその上下にガスバーナー１６がそれ
ぞれ多数配設されていて、被焼成物は予熱領域Ｒ１で漸
次昇温され、焼成領域Ｒ２では約１４００℃で焼成さ
れ、冷却領域Ｒ３では焼成物が漸次冷却されるように最
適な温度、および雰囲気が設定される。
下側隔壁１２の上端縁とこれに対向する各上側隔壁１３
の下端縁との間に被焼成物であるセラミック成形品の搬
送路１５が形成されているとともに、空洞内を入口側か
ら出口側に大別して予熱領域Ｒ１、焼成領域Ｒ２、冷却
領域Ｒ３の３つの領域に区画されている。各領域には、
搬送路１５を挟んでその上下にガスバーナー１６がそれ
ぞれ多数配設されていて、被焼成物は予熱領域Ｒ１で漸
次昇温され、焼成領域Ｒ２では約１４００℃で焼成さ
れ、冷却領域Ｒ３では焼成物が漸次冷却されるように最
適な温度、および雰囲気が設定される。
【００１７】 当該連続炉において、各下側隔壁１２は
炉本体１１と同様に耐火煉瓦で形成されており、炉本体
１１の頂壁部１１ｂにおける各下側隔壁１２の上端縁に
対向する部位には縦溝１１ｃが形成されているととも
に、縦溝１１ｃに連続して下方へ延びる縦溝１１ｄが炉
本体１１の両側壁部１１ａに形成されている。又、縦溝
１１ｄの底部には受承部材１７が配設されている。受承
部材１７は上方へ開口する断面Ｕ字状を呈していて、空
洞を横切って左右方向へ延びている。一例では、各上側
隔壁１３はＳｉ−ＳｉＣの焼結材からなる板材にて形成
されており、炉本体１１の頂部から各縦溝１１ｃ、１１
ｄ内に挿入されていて、その下端部を受承部材１７にて
受承され、かつその上端部を縦溝１１ｃ内に埋没させた
状態で頂壁部１１ｂに挟持されている。
炉本体１１と同様に耐火煉瓦で形成されており、炉本体
１１の頂壁部１１ｂにおける各下側隔壁１２の上端縁に
対向する部位には縦溝１１ｃが形成されているととも
に、縦溝１１ｃに連続して下方へ延びる縦溝１１ｄが炉
本体１１の両側壁部１１ａに形成されている。又、縦溝
１１ｄの底部には受承部材１７が配設されている。受承
部材１７は上方へ開口する断面Ｕ字状を呈していて、空
洞を横切って左右方向へ延びている。一例では、各上側
隔壁１３はＳｉ−ＳｉＣの焼結材からなる板材にて形成
されており、炉本体１１の頂部から各縦溝１１ｃ、１１
ｄ内に挿入されていて、その下端部を受承部材１７にて
受承され、かつその上端部を縦溝１１ｃ内に埋没させた
状態で頂壁部１１ｂに挟持されている。
【００１８】 受承部材１７の一例は、高温下で高強度
を有するＳｉ−ＳｉＣの焼結材からなるもので、その内
部には上側隔壁１３を受承した状態でセラミックファイ
バーのブランケットからなるシール部材が介在されてい
る。また、炉本体１１においては、その頂壁部１１ｂに
設けた縦溝１１ｃの上端開口部に、セラミックファイバ
ーのブランケットからなるシール部材１８が充填されて
いて、上側隔壁１３が外部から遮断されている。
を有するＳｉ−ＳｉＣの焼結材からなるもので、その内
部には上側隔壁１３を受承した状態でセラミックファイ
バーのブランケットからなるシール部材が介在されてい
る。また、炉本体１１においては、その頂壁部１１ｂに
設けた縦溝１１ｃの上端開口部に、セラミックファイバ
ーのブランケットからなるシール部材１８が充填されて
いて、上側隔壁１３が外部から遮断されている。
【００１９】 なお、当該連続炉においては、下側隔壁
１２の頂部が上方へ突出する三角形状に形成されてお
り、ローラー１４は下側隔壁１２の近傍においては、そ
の頂部を挟んで配設されて、ローラー１４が損傷した場
合には破損したローラー１４が炉本体１１の底部に落下
して、その後の被焼成物および焼成物の搬送に支障をき
たすことがないように配慮されている。
１２の頂部が上方へ突出する三角形状に形成されてお
り、ローラー１４は下側隔壁１２の近傍においては、そ
の頂部を挟んで配設されて、ローラー１４が損傷した場
合には破損したローラー１４が炉本体１１の底部に落下
して、その後の被焼成物および焼成物の搬送に支障をき
たすことがないように配慮されている。
【００２０】 このように構成した連続炉においては、
各上側隔壁１３の全てが炉本体１１内に位置するため温
度差が極めて大きい部分が発生することがない。このた
め、上側隔壁１３の大きな温度差に起因する損傷の発生
を防止することができる。また、当該連続炉において、
上側隔壁１３として採用している炭化珪素の焼結材から
なる板材は熱伝導が大きくかつ強度が高いことから、予
熱領域Ｒ１と焼成領域Ｒ２との区画する隔壁として適し
ている。尚、本実施例においては、本発明をローラーハ
ースキルンに適用した例について示したが、本発明は被
処理物の搬送手段を異にする各種の連続炉の内張材にも
同様に適用できる。
各上側隔壁１３の全てが炉本体１１内に位置するため温
度差が極めて大きい部分が発生することがない。このた
め、上側隔壁１３の大きな温度差に起因する損傷の発生
を防止することができる。また、当該連続炉において、
上側隔壁１３として採用している炭化珪素の焼結材から
なる板材は熱伝導が大きくかつ強度が高いことから、予
熱領域Ｒ１と焼成領域Ｒ２との区画する隔壁として適し
ている。尚、本実施例においては、本発明をローラーハ
ースキルンに適用した例について示したが、本発明は被
処理物の搬送手段を異にする各種の連続炉の内張材にも
同様に適用できる。
【００２１】 次に、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の
製造方法について説明する。まず、成形用原料として
は、ＳｉＣ粉末、Ｃ粉末、有機バインダ及び水分又は有
機溶剤を含有した原料を用いる。次いで、この成形用原
料を混連し、成形して得た成形体を、金属Ｓｉ雰囲気下
で、減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中に置き、成形体
中に金属Ｓｉを含浸させてＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を製造
する。
製造方法について説明する。まず、成形用原料として
は、ＳｉＣ粉末、Ｃ粉末、有機バインダ及び水分又は有
機溶剤を含有した原料を用いる。次いで、この成形用原
料を混連し、成形して得た成形体を、金属Ｓｉ雰囲気下
で、減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中に置き、成形体
中に金属Ｓｉを含浸させてＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を製造
する。
【００２２】 本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の製造方
法においては、焼結体中のＳｉＯ2 をＳｉＯガスにして
除去するために、焼成過程において、焼成温度を１２０
０〜１３５０℃で０．５〜２４時間保持する工程の後、
金属Ｓｉを上記成形体に含浸させるべく、１４２０〜１
４８０℃でさらに０．５〜２４時間保持する。１２００
〜１３５０℃で１〜２４時間保持することにより、Ｓｉ
Ｏ2 とＣ粉体とが反応し、気体であるＳｉＯ及びＣＯを
生じるため、焼結体中のＳｉＯ2 含有量を減らすことが
できるのであるが、この保持時間は、２〜２０時間であ
ることがより好ましく、５〜１５時間であることがさら
に好ましい。又、金属Ｓｉと共に１４２０〜１４８０℃
で１〜２４時間保持することにより、ＳｉＯ及びＣＯが
焼結体より抜ける際に生じた気孔に、溶融したＳｉが毛
細管現象により含浸し、気孔を少なくすることができる
のであるが、この保持時間は、２〜２０時間であること
がより好ましく、５〜１５時間であることがさらに好ま
しい。
法においては、焼結体中のＳｉＯ2 をＳｉＯガスにして
除去するために、焼成過程において、焼成温度を１２０
０〜１３５０℃で０．５〜２４時間保持する工程の後、
金属Ｓｉを上記成形体に含浸させるべく、１４２０〜１
４８０℃でさらに０．５〜２４時間保持する。１２００
〜１３５０℃で１〜２４時間保持することにより、Ｓｉ
Ｏ2 とＣ粉体とが反応し、気体であるＳｉＯ及びＣＯを
生じるため、焼結体中のＳｉＯ2 含有量を減らすことが
できるのであるが、この保持時間は、２〜２０時間であ
ることがより好ましく、５〜１５時間であることがさら
に好ましい。又、金属Ｓｉと共に１４２０〜１４８０℃
で１〜２４時間保持することにより、ＳｉＯ及びＣＯが
焼結体より抜ける際に生じた気孔に、溶融したＳｉが毛
細管現象により含浸し、気孔を少なくすることができる
のであるが、この保持時間は、２〜２０時間であること
がより好ましく、５〜１５時間であることがさらに好ま
しい。
【００２３】 気孔率（焼結の体積に対する気孔が占め
る体積の割合）は、０．８％以下とすることが望まし
い。この場合の金属Ｓｉの添加量は、含浸効率との関係
等から、０．８％の気孔率を実現するのに必要とされる
理論量より過剰なものとする必要がある。即ち、０．８
％の気孔率を実現するには、金属Ｓｉを当該理論量より
１．０５倍以上過剰に添加する必要がある。この際、添
加される金属Ｓｉは、ＳｉＣ＋Ｃ→ＳｉＣの反応に寄与
する分と、気孔を埋める分と、過剰なＳｉ分の３態様で
消費される。１．０５倍未満の場合には、Ｓｉの含浸不
良を生じ、得られる焼結体の気孔率が増大し、耐酸化性
を低下させることとなり好ましくない。又、過剰の金属
Ｓｉを付与することにより、焼結体の表面には余分なＳ
ｉが含出することになるが、これはサンドブラスト、旋
盤加工等によって除去することが可能である。
る体積の割合）は、０．８％以下とすることが望まし
い。この場合の金属Ｓｉの添加量は、含浸効率との関係
等から、０．８％の気孔率を実現するのに必要とされる
理論量より過剰なものとする必要がある。即ち、０．８
％の気孔率を実現するには、金属Ｓｉを当該理論量より
１．０５倍以上過剰に添加する必要がある。この際、添
加される金属Ｓｉは、ＳｉＣ＋Ｃ→ＳｉＣの反応に寄与
する分と、気孔を埋める分と、過剰なＳｉ分の３態様で
消費される。１．０５倍未満の場合には、Ｓｉの含浸不
良を生じ、得られる焼結体の気孔率が増大し、耐酸化性
を低下させることとなり好ましくない。又、過剰の金属
Ｓｉを付与することにより、焼結体の表面には余分なＳ
ｉが含出することになるが、これはサンドブラスト、旋
盤加工等によって除去することが可能である。
【００２４】 又、焼結体中のＳｉＯ2 量を前記の値に
制御するには、原料であるＳｉＣ粉体及び金属Ｓｉを選
択して用いることが好ましい。即ち、Ｃ粉体、ＳｉＣ粉
体及び金属Ｓｉに含まれるＳｉＯ2 量の総量を、これら
の総計の１．５重量％以下、より好ましくは１．２重量
％以下、さらに好ましくは０．５重量％以下で制御する
ことが望ましい。そのためには、ＳｉＣ粉体としては、
そのＳｉＯ2 含有量が０．０１〜１．５重量％、より好
ましくは０．０１〜１．２重量％、さらに好ましくは
０．０１〜０．５重量％であるものを用いることが望ま
しい。一方、金属Ｓｉとしては、そのＳｉＯ2 含有量が
０．０１〜１．５重量％、より好ましくは０．０１〜
１．２重量％、さらに好ましくは０．０１〜０．５重量
％であるものを用いることが望ましい。原料中のＳｉＯ
2 含有量が多い場合、上記の焼成方法のみでは、焼結体
中の酸素含有量を０．５重量％以下に減らすことが困難
だからである。
制御するには、原料であるＳｉＣ粉体及び金属Ｓｉを選
択して用いることが好ましい。即ち、Ｃ粉体、ＳｉＣ粉
体及び金属Ｓｉに含まれるＳｉＯ2 量の総量を、これら
の総計の１．５重量％以下、より好ましくは１．２重量
％以下、さらに好ましくは０．５重量％以下で制御する
ことが望ましい。そのためには、ＳｉＣ粉体としては、
そのＳｉＯ2 含有量が０．０１〜１．５重量％、より好
ましくは０．０１〜１．２重量％、さらに好ましくは
０．０１〜０．５重量％であるものを用いることが望ま
しい。一方、金属Ｓｉとしては、そのＳｉＯ2 含有量が
０．０１〜１．５重量％、より好ましくは０．０１〜
１．２重量％、さらに好ましくは０．０１〜０．５重量
％であるものを用いることが望ましい。原料中のＳｉＯ
2 含有量が多い場合、上記の焼成方法のみでは、焼結体
中の酸素含有量を０．５重量％以下に減らすことが困難
だからである。
【００２５】 さらに、本発明の焼結体の製造方法にお
いては、原料であるＣ粉体、ＳｉＣ粉体及び金属Ｓｉに
含まれるＦｅの総量は上記Ｃ粉体、ＳｉＣ粉体及び金属
Ｓｉの総計の０．５重量％以下、より好ましくは０．３
重量％以下、さらに好ましくは０．２重量％以下に制御
することが望ましい。又、Ｃａの総量を上記Ｃ粉体、Ｓ
ｉＣ粉体及び金属Ｓｉの総計の０．５重量％以下、より
好ましくは０．３重量％以下、さらに好ましくは０．２
重量％以下に制御することが望ましい。焼成過程におい
て、Ｆｅ及びＣａは、気化して一部失われるため、原料
中のＦｅ及びＣａ量を上記範囲に抑えることにより、焼
結体中のＦｅ及びＣａ量を前記の値とすることができ
る。
いては、原料であるＣ粉体、ＳｉＣ粉体及び金属Ｓｉに
含まれるＦｅの総量は上記Ｃ粉体、ＳｉＣ粉体及び金属
Ｓｉの総計の０．５重量％以下、より好ましくは０．３
重量％以下、さらに好ましくは０．２重量％以下に制御
することが望ましい。又、Ｃａの総量を上記Ｃ粉体、Ｓ
ｉＣ粉体及び金属Ｓｉの総計の０．５重量％以下、より
好ましくは０．３重量％以下、さらに好ましくは０．２
重量％以下に制御することが望ましい。焼成過程におい
て、Ｆｅ及びＣａは、気化して一部失われるため、原料
中のＦｅ及びＣａ量を上記範囲に抑えることにより、焼
結体中のＦｅ及びＣａ量を前記の値とすることができ
る。
【００２６】 なお、本発明における成形体の成形方法
としては、プレス成形、流し込み成形、押し出し成形の
いずれでも可能であるが、量産性の観点からはプレス加
工が好ましい。加圧方式としては油圧プレスが好まし
く、この場合の油圧プレス圧は、通常３００〜２０００
ｋｇ／ｃｍ2である。
としては、プレス成形、流し込み成形、押し出し成形の
いずれでも可能であるが、量産性の観点からはプレス加
工が好ましい。加圧方式としては油圧プレスが好まし
く、この場合の油圧プレス圧は、通常３００〜２０００
ｋｇ／ｃｍ2である。
【００２７】
【実施例】 本発明を実施例を用いてさらに詳しく説明
するが、本発明はこれらの実施例に限られるものではな
い。尚、各例によって得られた焼結体は、以下に示す方
法により性能を評価した。
するが、本発明はこれらの実施例に限られるものではな
い。尚、各例によって得られた焼結体は、以下に示す方
法により性能を評価した。
【００２８】 （酸素含有量の測定方法）６０ｍｍ×６
０ｍｍ×５ｍｍ（厚さ）のテストピースを切り出し、こ
れを錫にて溶融して溶融液とし、炭素還元雰囲気で酸素
より生じた一酸化炭素量の測定値から酸素含有量を求め
た。
０ｍｍ×５ｍｍ（厚さ）のテストピースを切り出し、こ
れを錫にて溶融して溶融液とし、炭素還元雰囲気で酸素
より生じた一酸化炭素量の測定値から酸素含有量を求め
た。
【００２９】 （Ｆｅ及びＣａの測定方法）蛍光Ｘ線法
により行った。
により行った。
【００３０】 （耐酸化性の評価方法）６０ｍｍ×６０
ｍｍ×５ｍｍ（厚さ）のテストピースを切り出し、これ
を１１５０℃の炉内へ放置し、９５％の温水で飽和させ
たＯ2ガス気流下で酸化させ、時間当たりの酸化増量を
測定することにより、耐酸化性を評価した。
ｍｍ×５ｍｍ（厚さ）のテストピースを切り出し、これ
を１１５０℃の炉内へ放置し、９５％の温水で飽和させ
たＯ2ガス気流下で酸化させ、時間当たりの酸化増量を
測定することにより、耐酸化性を評価した。
【００３１】 （耐クリープ性の評価方法）１１０ｍｍ
×２０ｍｍ×５ｍｍ（厚さ）のテストピースを切り出
し、これを図１に示すように１００ｍｍの間隔で下方か
ら支持し、大気中１３５０℃で中央部から下向きに３０
０ｋｇ／ｃｍ2の荷重をかけ、０〜１００ｈｒの間に変
形した量を測定した。
×２０ｍｍ×５ｍｍ（厚さ）のテストピースを切り出
し、これを図１に示すように１００ｍｍの間隔で下方か
ら支持し、大気中１３５０℃で中央部から下向きに３０
０ｋｇ／ｃｍ2の荷重をかけ、０〜１００ｈｒの間に変
形した量を測定した。
【００３２】 （実施例１、比較例１）平均粒径３μｍ
のＳｉＣ微粉と平均粒径１００μｍのＳｉＣ粗粒を３
０：７０の重量比で混合したＳｉＣ粉末に対し、平均粒
径１μｍのＣ粉を表１に示す割合で混合した。この混合
物１００重量部に対し有機バインダ（メチルセルロー
ス）２重量部、及び水分又は有機溶剤３重量部を配合
し、成形原料を得た。この際、後から添加する金属Ｓｉ
中の成分も含めてＳｉＯ2含有量、Ｆｅ及びＣａの量を
表１に示すような値に制御した。
のＳｉＣ微粉と平均粒径１００μｍのＳｉＣ粗粒を３
０：７０の重量比で混合したＳｉＣ粉末に対し、平均粒
径１μｍのＣ粉を表１に示す割合で混合した。この混合
物１００重量部に対し有機バインダ（メチルセルロー
ス）２重量部、及び水分又は有機溶剤３重量部を配合
し、成形原料を得た。この際、後から添加する金属Ｓｉ
中の成分も含めてＳｉＯ2含有量、Ｆｅ及びＣａの量を
表１に示すような値に制御した。
【００３３】
【表１】
【００３４】 次に、これらの原料をボールミルを用い
て解砕し、解砕した成形用原料を金型内に導入し、油圧
プレスを用いて５００ｋｇ／ｃｍ2で成形し、厚さ５ｍ
ｍの板状成形体（４００ｍｍ×４００ｍｍ）を得た。
て解砕し、解砕した成形用原料を金型内に導入し、油圧
プレスを用いて５００ｋｇ／ｃｍ2で成形し、厚さ５ｍ
ｍの板状成形体（４００ｍｍ×４００ｍｍ）を得た。
【００３５】 次いで、ＢＮ（窒化珪素）コーティング
の反応防止層を施したカーボンるつぼ中に、板状成形体
及び金属Ｓｉを設置した。金属Ｓｉは、ＳｉＣ粉体及び
Ｃ粉体に対して表１に示す割合となるように添加した。
この板状成形体及び金属Ｓｉを、１２００〜１３５０
℃、及び１４２０〜１４８０℃でそれぞれ表１に示す所
定時間保持して焼成を行い、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体を製
造した。尚、焼成は、ｌＴｏｒｒのアルゴンガス雰囲気
下にて行った。得られたＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の酸素含
有量、Ｆｅ含有量、Ｃａの含有量、耐酸化性、耐クリー
プ性の測定結果を表２に示す。
の反応防止層を施したカーボンるつぼ中に、板状成形体
及び金属Ｓｉを設置した。金属Ｓｉは、ＳｉＣ粉体及び
Ｃ粉体に対して表１に示す割合となるように添加した。
この板状成形体及び金属Ｓｉを、１２００〜１３５０
℃、及び１４２０〜１４８０℃でそれぞれ表１に示す所
定時間保持して焼成を行い、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体を製
造した。尚、焼成は、ｌＴｏｒｒのアルゴンガス雰囲気
下にて行った。得られたＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の酸素含
有量、Ｆｅ含有量、Ｃａの含有量、耐酸化性、耐クリー
プ性の測定結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】表２より、従来品と比較して明らかに本発
明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は、優れた耐酸化性、耐クリ
ープ性を有することがわかる。
明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は、優れた耐酸化性、耐クリ
ープ性を有することがわかる。
【００３８】 （実施例２：耐腐食性の評価試験１）試
験体として、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体と比較例と
して数種類の市販のセラミックス（主にムライト、Ｓｉ
Ｏ2結合ＳｉＣ、ＳｉＯ2質レンガ、Ｓｉ−ＳｉＣ等）を
用いた。直径１０ｍｍ、高さ２０ｍｍのイオン結合性の
高い元素（表３記載の元素）を含有したペレット（供試
体）を試験体に接触、保持した時（表３記載の条件）に
おける試験体の浸透深さ、耐食性を観察した。得られた
結果を表３に示す。
験体として、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体と比較例と
して数種類の市販のセラミックス（主にムライト、Ｓｉ
Ｏ2結合ＳｉＣ、ＳｉＯ2質レンガ、Ｓｉ−ＳｉＣ等）を
用いた。直径１０ｍｍ、高さ２０ｍｍのイオン結合性の
高い元素（表３記載の元素）を含有したペレット（供試
体）を試験体に接触、保持した時（表３記載の条件）に
おける試験体の浸透深さ、耐食性を観察した。得られた
結果を表３に示す。
【００３９】
【表３】
【００４０】 （実施例３：耐腐食性の評価試験２）本
発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体をＣａＦ2雰囲気下で（ロ
ーラーハースキルンの内張材として）５カ月、１２カ
月、２１カ月間用いた時の平均腐食量、重量増加率変
化、嵩比重変化、気孔率変化、曲げ強度変化を測定し
た。尚、この評価試験における測定温度範囲は、７７３
〜１１９０℃の領域に３０ｍｍ×４０ｍｍ×５ｔのサン
プルを置き、定期的に取り出し、評価を行った。得られ
た結果を図４〜７に示す。
発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体をＣａＦ2雰囲気下で（ロ
ーラーハースキルンの内張材として）５カ月、１２カ
月、２１カ月間用いた時の平均腐食量、重量増加率変
化、嵩比重変化、気孔率変化、曲げ強度変化を測定し
た。尚、この評価試験における測定温度範囲は、７７３
〜１１９０℃の領域に３０ｍｍ×４０ｍｍ×５ｔのサン
プルを置き、定期的に取り出し、評価を行った。得られ
た結果を図４〜７に示す。
【００４１】 （実施例４：耐腐食性の評価試験３）試
験体として、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体と比較例と
して数種類のセラミック（主にＳｉ−ＳｉＣ、ＰＳＺ、
Ｓｉ3Ｎ4、アルミナ等）を用いた。反応物質である元素
が塩素及びフッ素である場合を想定して、塩酸及びフッ
酸を用い、オートクレーブ内で試験体を保持した時の平
均腐食量及び強度低下率を測定した。尚、塩酸を用いた
試験では、密閉状態、３６％ＨＣ１×１５０℃×２０
０ｈｒ、大気開放状態、２０％ＨＣｌ×９０℃×１０
００ｈｒの２つの条件で行った。又、フッ酸を用いた試
験では、１０％ＨＦ×９０℃×１６８ｈｒの条件で行っ
た。得られた結果を表４に示す。
験体として、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体と比較例と
して数種類のセラミック（主にＳｉ−ＳｉＣ、ＰＳＺ、
Ｓｉ3Ｎ4、アルミナ等）を用いた。反応物質である元素
が塩素及びフッ素である場合を想定して、塩酸及びフッ
酸を用い、オートクレーブ内で試験体を保持した時の平
均腐食量及び強度低下率を測定した。尚、塩酸を用いた
試験では、密閉状態、３６％ＨＣ１×１５０℃×２０
０ｈｒ、大気開放状態、２０％ＨＣｌ×９０℃×１０
００ｈｒの２つの条件で行った。又、フッ酸を用いた試
験では、１０％ＨＦ×９０℃×１６８ｈｒの条件で行っ
た。得られた結果を表４に示す。
【００４２】
【表４】
【００４３】 （考察１：耐腐食性の評価試験１）表３
より、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は、イオン結合性
の高い元素（Ｐｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｔｌ）を含む雰囲気の高温接触反応に
おいて、従来存在しているセラミック材料と比較して、
腐食の状態が明らかに少ないことから、耐食性に優れて
いることが判明した。
より、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は、イオン結合性
の高い元素（Ｐｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｔｌ）を含む雰囲気の高温接触反応に
おいて、従来存在しているセラミック材料と比較して、
腐食の状態が明らかに少ないことから、耐食性に優れて
いることが判明した。
【００４４】 次に、表３より、例えば鉛を含む雰囲気
の高温接触反応では、従来存在するセラミックの大部分
について、浸食がかなり進行する傾向にあることがわか
る。又、比較的、耐食性があるセラミック（Ｎ−１０
０；日本ガイシ製）であっても、反応による表面のへこ
みが生じ、更にその表面に鉛化合物が広がり、全体に固
着している。一方、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の場
合、ほとんど浸食されておらず、鉛がセラミック表面を
流れた後が観測された。以上のことから、鉛を含む雰囲
気の高温接触反応により、耐食性に優れていることが判
明した。
の高温接触反応では、従来存在するセラミックの大部分
について、浸食がかなり進行する傾向にあることがわか
る。又、比較的、耐食性があるセラミック（Ｎ−１０
０；日本ガイシ製）であっても、反応による表面のへこ
みが生じ、更にその表面に鉛化合物が広がり、全体に固
着している。一方、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の場
合、ほとんど浸食されておらず、鉛がセラミック表面を
流れた後が観測された。以上のことから、鉛を含む雰囲
気の高温接触反応により、耐食性に優れていることが判
明した。
【００４５】 更に、表３より、例えばビスマスを含む
雰囲気の高温接触反応では、従来存在するセラミックの
大部分について浸食がかなり進行し、粒界に隙間が生
じ、内部まで反応していることがわかる。又、比較的、
耐食性があるセラミック（Ｎ−１００；日本ガイシ製）
であっても、その表面にビスマス化合物が広がり、全体
に固着している。一方、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体
の場合、ほとんど浸食されておらず、ビスマスがセラミ
ック表面を流れた跡が観測された。以上のことから、ビ
スマスを含む雰囲気の高温接触反応において、耐食性に
優れていることが判明した。尚、本発明のＳｉ−ＳｉＣ
質焼結体は、その他のイオン結合性の高い元素（Ｓｂ，
Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｔｌ）を含む雰
囲気の高温接触反応においても、耐食性に優れているこ
とが、表３より明らかである。
雰囲気の高温接触反応では、従来存在するセラミックの
大部分について浸食がかなり進行し、粒界に隙間が生
じ、内部まで反応していることがわかる。又、比較的、
耐食性があるセラミック（Ｎ−１００；日本ガイシ製）
であっても、その表面にビスマス化合物が広がり、全体
に固着している。一方、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体
の場合、ほとんど浸食されておらず、ビスマスがセラミ
ック表面を流れた跡が観測された。以上のことから、ビ
スマスを含む雰囲気の高温接触反応において、耐食性に
優れていることが判明した。尚、本発明のＳｉ−ＳｉＣ
質焼結体は、その他のイオン結合性の高い元素（Ｓｂ，
Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｔｌ）を含む雰
囲気の高温接触反応においても、耐食性に優れているこ
とが、表３より明らかである。
【００４６】 （考察２：耐腐食性の評価試験２）Ｃａ
Ｆ2雰囲気下の高温接触反応において、本発明のＳｉ−
ＳｉＣ質焼結体は、１年間の使用後でも強度低下を生じ
ていない。それいついて、以下に説明する。
Ｆ2雰囲気下の高温接触反応において、本発明のＳｉ−
ＳｉＣ質焼結体は、１年間の使用後でも強度低下を生じ
ていない。それいついて、以下に説明する。
【００４７】 図４〜７に示したグラフより、Ｓｉ−Ｓ
ｉＣ質焼結体をローラーハースキルンの内張材として用
いた時における使用期間５カ月、１２カ月、２１カ月に
ついての考察を行う。もとの材料が完全に均一なもので
なく製造上のバラツキがあるため分かりにくいが、 ５カ月、１２カ月、２１カ月と使用期間を延長させ
ても、その重量増加率嵩比量変化、気孔率変化、強度変
化に大差がないデータであり期間よりも使用温度に左右
されることを示している。 使用温度が８００℃前後と１１００℃前後の２点に
について考えると、下記の傾向がある。 即ち、１１００℃前後では、材料の変化があまりない。
しかし、８００℃前後では材料に気孔を生じ、その中に
雰囲気ガス成分が侵入し、見掛け上嵩比重が変化してい
ないように見えるが、曲げ強度の低下傾向からわずかで
はあるが浸食傾向が進んでいる。このように温度域によ
って、浸食による寿命の差はあるが、最も劣化した８０
０℃前の領域ですら１２カ月の使用後２０Ｋｇｆ／ｍｍ
2の強度を保持できる材料は本発明の材料だけである。
ｉＣ質焼結体をローラーハースキルンの内張材として用
いた時における使用期間５カ月、１２カ月、２１カ月に
ついての考察を行う。もとの材料が完全に均一なもので
なく製造上のバラツキがあるため分かりにくいが、 ５カ月、１２カ月、２１カ月と使用期間を延長させ
ても、その重量増加率嵩比量変化、気孔率変化、強度変
化に大差がないデータであり期間よりも使用温度に左右
されることを示している。 使用温度が８００℃前後と１１００℃前後の２点に
について考えると、下記の傾向がある。 即ち、１１００℃前後では、材料の変化があまりない。
しかし、８００℃前後では材料に気孔を生じ、その中に
雰囲気ガス成分が侵入し、見掛け上嵩比重が変化してい
ないように見えるが、曲げ強度の低下傾向からわずかで
はあるが浸食傾向が進んでいる。このように温度域によ
って、浸食による寿命の差はあるが、最も劣化した８０
０℃前の領域ですら１２カ月の使用後２０Ｋｇｆ／ｍｍ
2の強度を保持できる材料は本発明の材料だけである。
【００４８】 （考察３：耐腐食性の評価試験３）表４
より、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の場合、塩酸を用
い、オートクレーブ内で試験体を保持した時、従来存在
しているセラミックと比較し、耐食性が高いことが判明
した。但し、ここで強度低下率に注目すると、密閉状態
の場合と比較し、大気開放状態の場合、ＳＥＭによる観
察では変化はないが、強度低下をきたしていることが判
明した。更に、フッ酸を用い、オートクレーブ内で試験
体を保持した時、従来存在しているセラミック、ＰＳＺ
では、溶解してしまうが、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結
体の場合、フッ酸により組織内のＳｉのみが浸食される
ことが判明した。
より、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の場合、塩酸を用
い、オートクレーブ内で試験体を保持した時、従来存在
しているセラミックと比較し、耐食性が高いことが判明
した。但し、ここで強度低下率に注目すると、密閉状態
の場合と比較し、大気開放状態の場合、ＳＥＭによる観
察では変化はないが、強度低下をきたしていることが判
明した。更に、フッ酸を用い、オートクレーブ内で試験
体を保持した時、従来存在しているセラミック、ＰＳＺ
では、溶解してしまうが、本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結
体の場合、フッ酸により組織内のＳｉのみが浸食される
ことが判明した。
【００４９】 尚、各評価試験で用いた試験体は以下の
ような組成、調製されたものである。 （１）本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は、実施例１によ
って調製されたものである。 （２）ＭＸ−８００の組成は、ＳｉＯ2 ２８ｗｔ％，
Ａｌ2Ｏ3 ７１ｗｔ％，その他（Ｃａ，Ｆｅ等） １ｗ
ｔ％である。 （３）ＭＸ−２００の組成は、ＳｉＣ ２２ｗｔ％，Ｓ
ｉＯ2 １７ｗｔ％，Ａｌ2Ｏ3 ６０ｗｔ％，その他
（Ｃａ，Ｆｅ等） １ｗｔ％である。 （４）Ｎ−１００の組成は、ＳｉＣ ９０ｗｔ％，Ｓｉ
Ｏ2 ７ｗｔ％，Ａｌ2Ｏ3 ２ｗｔ％，その他（Ｃａ，
Ｖ，Ｆｅ等） ｌｗｔ％である。 （５）Ｓｉ3Ｎ4は、平均粒径３μｍのα−Ｓｉ3Ｎ4に５
ｗｔ％のＭｇＯを加え、よく混合後、６０ｍｍ×６０ｍ
ｍ×５ｔの板を５００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力でプレスす
る。その後、Ｎ2雰囲気中、１７００℃で２時間焼成し
たものである。 （６）ＩＳＯＬＩＴＥ ＬＢＫ３０は、ＳｉＯ2質軽量
レンガであり、比重は０．８８ｇ／ｃｃである。 （７）ＯＹＫ ＳＫ３４は、ＳｉＯ2質レンガであり、
比重は２．１９ｇ／ｃｃである。 （８）ＰＳＺ ３モル％のＹ2Ｏ3を含むＺｒＯ2粉末（平均粒径２μ
ｍ）を混合した後７０ｍｍ×７０ｍｍ×６ｔの板を５０
０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力でプレス成形し、その後大気
中、１４５０℃で１時間焼成したものである。 （９）Ａｌ2Ｏ3 平均粒径０．５μｍのＡｌ2Ｏ3に１ｗｔ％のＭｇＯを添
加し混合した後７０ｍｍ×７０ｍｍ×６ｔの板を５００
ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力でプレス成形し、その後大気中、
１７００℃で２時間焼成したものである。 （１０）ＳＳＣ 平均粒径０．５μｍのβ−ＳｉＣにＢ4Ｃを０．５ｗｔ
％の添加し混合した後７０ｍｍ×７０ｍｍ×６ｔの板を
５００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力でプレス成形し、その後Ａ
ｒｌａｔｍの雰囲気で１８００℃まで昇温度しついで真
空で２２５０℃まで昇温度し２時間保持焼成したもので
ある。
ような組成、調製されたものである。 （１）本発明のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は、実施例１によ
って調製されたものである。 （２）ＭＸ−８００の組成は、ＳｉＯ2 ２８ｗｔ％，
Ａｌ2Ｏ3 ７１ｗｔ％，その他（Ｃａ，Ｆｅ等） １ｗ
ｔ％である。 （３）ＭＸ−２００の組成は、ＳｉＣ ２２ｗｔ％，Ｓ
ｉＯ2 １７ｗｔ％，Ａｌ2Ｏ3 ６０ｗｔ％，その他
（Ｃａ，Ｆｅ等） １ｗｔ％である。 （４）Ｎ−１００の組成は、ＳｉＣ ９０ｗｔ％，Ｓｉ
Ｏ2 ７ｗｔ％，Ａｌ2Ｏ3 ２ｗｔ％，その他（Ｃａ，
Ｖ，Ｆｅ等） ｌｗｔ％である。 （５）Ｓｉ3Ｎ4は、平均粒径３μｍのα−Ｓｉ3Ｎ4に５
ｗｔ％のＭｇＯを加え、よく混合後、６０ｍｍ×６０ｍ
ｍ×５ｔの板を５００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力でプレスす
る。その後、Ｎ2雰囲気中、１７００℃で２時間焼成し
たものである。 （６）ＩＳＯＬＩＴＥ ＬＢＫ３０は、ＳｉＯ2質軽量
レンガであり、比重は０．８８ｇ／ｃｃである。 （７）ＯＹＫ ＳＫ３４は、ＳｉＯ2質レンガであり、
比重は２．１９ｇ／ｃｃである。 （８）ＰＳＺ ３モル％のＹ2Ｏ3を含むＺｒＯ2粉末（平均粒径２μ
ｍ）を混合した後７０ｍｍ×７０ｍｍ×６ｔの板を５０
０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力でプレス成形し、その後大気
中、１４５０℃で１時間焼成したものである。 （９）Ａｌ2Ｏ3 平均粒径０．５μｍのＡｌ2Ｏ3に１ｗｔ％のＭｇＯを添
加し混合した後７０ｍｍ×７０ｍｍ×６ｔの板を５００
ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力でプレス成形し、その後大気中、
１７００℃で２時間焼成したものである。 （１０）ＳＳＣ 平均粒径０．５μｍのβ−ＳｉＣにＢ4Ｃを０．５ｗｔ
％の添加し混合した後７０ｍｍ×７０ｍｍ×６ｔの板を
５００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力でプレス成形し、その後Ａ
ｒｌａｔｍの雰囲気で１８００℃まで昇温度しついで真
空で２２５０℃まで昇温度し２時間保持焼成したもので
ある。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
腐食源であるイオン結合性の高い元素、特に、鉛、ビス
マス、アンチモン、塩素、フッ素等が存在する高温の環
境下での耐食性に優れ、長期の使用に耐え得るＳｉ−Ｓ
ｉＣ質焼結体およびそれからなる窯道具ならびに窯炉の
内張材およびこれらを用いた窯炉を提供することができ
る。従って、本発明の焼結体は、多分野における各材料
の製造プロセスに対応してより厳しい環境に耐え得る信
頼性の高い窯炉の内張材に好ましく用いることができ
る。
腐食源であるイオン結合性の高い元素、特に、鉛、ビス
マス、アンチモン、塩素、フッ素等が存在する高温の環
境下での耐食性に優れ、長期の使用に耐え得るＳｉ−Ｓ
ｉＣ質焼結体およびそれからなる窯道具ならびに窯炉の
内張材およびこれらを用いた窯炉を提供することができ
る。従って、本発明の焼結体は、多分野における各材料
の製造プロセスに対応してより厳しい環境に耐え得る信
頼性の高い窯炉の内張材に好ましく用いることができ
る。
【図１】 耐クリープ性評価試験の例を示す側面説明図
である。
である。
【図２】 本発明に適用した連続炉（ローラーハースキ
ルン）の概略的な縦断正面図である。
ルン）の概略的な縦断正面図である。
【図３】 本発明に適用した連続炉（ローラーハースキ
ルン）の一部を省略した概略的な縦断側面図である。
ルン）の一部を省略した概略的な縦断側面図である。
【図４】 ＣａＦ2雰囲気下（ローラーハースキルン）
での本発明におけるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の温度変化に
よる重量増加率を示したグラフである。
での本発明におけるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の温度変化に
よる重量増加率を示したグラフである。
【図５】 ＣａＦ2雰囲気下（ローラーハースキルン）
での本発明におけるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の温度変化に
よる嵩比重を示したグラフである。
での本発明におけるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の温度変化に
よる嵩比重を示したグラフである。
【図６】 ＣａＦ2雰囲気下（ローラーハースキルン）
での本発明におけるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の温度変化に
よる気孔率を示したグラフである。
での本発明におけるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の温度変化に
よる気孔率を示したグラフである。
【図７】 ＣａＦ2雰囲気下（ローラーハースキルン）
での本発明におけるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の温度変化に
よる曲げ強度を示したグラフである。
での本発明におけるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体の温度変化に
よる曲げ強度を示したグラフである。
１１ 炉本体 １１ａ 側壁面 １１ｂ 頂壁面 １１ｃ，１１ｄ 縦溝 １２ 下側隔壁 １３ 上側隔壁 １４ ローラー １５ 搬送路 １６ ガスバーナー １７ 受承部材 １８ シール部材 Ｒ１ 予熱領域 Ｒ２ 焼成領域 Ｒ３ 冷却領域
Claims (6)
- 【請求項１】 ＳｉとＳｉＣを含有してなるＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質焼結体であって、ＳｉＯ2 の含有量が０．５重量％
以下で、かつ酸素含有量が０．２５重量％以下である、
イオン結合性の高い元素を含む高温雰囲気下で耐食性を
有することを特徴とするＳｉ−ＳｉＣ質焼結体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高温雰囲気が８００〜
１４００℃であることを特徴とするＳｉ−ＳｉＣ質焼結
体。 - 【請求項３】 イオン結合性の高い元素が、Ｇｅ、Ａ
ｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂ
ｉ、Ｃｌ、Ｆの少なくとも１種である請求項１及び２に
記載のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体。 - 【請求項４】 イオン結合性の高い元素が、融点が６５
０℃以下で、かつ沸点が１５００〜１７５０℃の金属元
素である請求項１〜３記載のＳｉ−ＳｉＣ質焼結体。 - 【請求項５】 請求項１〜４に記載のＳｉ−ＳｉＣ質焼
結体から構成されていることを特徴とする窯道具ならび
に窯炉の内張材。 - 【請求項６】 連続炉の少なくとも８００〜１４００℃
に加熱される領域に請求項１〜４記載のＳｉ−ＳｉＣ質
焼結体で構成される窯炉の内張材を用いていることを特
徴とする窯炉。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8044729A JPH09235161A (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 耐食性に優れたＳｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれからなる窯道具ならびに窯炉の内張材、およびこれらを用いた窯炉 |
| US08/803,442 US5851941A (en) | 1996-03-01 | 1997-02-20 | Si/SiC-based sintered material having excellent corrosion resistance and kiln furniture |
| DE19708249A DE19708249C2 (de) | 1996-03-01 | 1997-02-28 | Auf Si/SiC basierendes gesintertes Material mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit und dessen Verwendungen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8044729A JPH09235161A (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 耐食性に優れたＳｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれからなる窯道具ならびに窯炉の内張材、およびこれらを用いた窯炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09235161A true JPH09235161A (ja) | 1997-09-09 |
Family
ID=12699540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8044729A Pending JPH09235161A (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 耐食性に優れたＳｉ−ＳｉＣ質焼結体およびそれからなる窯道具ならびに窯炉の内張材、およびこれらを用いた窯炉 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5851941A (ja) |
| JP (1) | JPH09235161A (ja) |
| DE (1) | DE19708249C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009229164A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Ngk Insulators Ltd | 酸素濃度測定方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030035901A1 (en) * | 2001-08-17 | 2003-02-20 | Eiji Tani | Silicon carbide-based, porous, lightweight, heat-resistant structural material and manufacturing method therefor |
| JP3699992B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2005-09-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素系耐熱性超軽量多孔質構造材及びその製造方法 |
| JP3960933B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2007-08-15 | 日本碍子株式会社 | 高熱伝導性放熱材及びその製造方法 |
| JP4245177B2 (ja) * | 2006-07-10 | 2009-03-25 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | 熱処理装置 |
| DE102009052686A1 (de) * | 2009-11-11 | 2011-05-12 | Dekema Dental-Keramiköfen GmbH | Brennhilfsmittel |
| ITBO20100248A1 (it) * | 2010-04-22 | 2011-10-23 | Siti B & T Group S P A | Forno per ceramiche ad efficienza migliorata |
| DE102011051270A1 (de) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Benteler Automobiltechnik Gmbh | Rolle für einen Rollenofen sowie Rollenofen und Verfahren zur Herstellung einer Rolle für einen Rollenofen |
| KR101429139B1 (ko) * | 2013-05-06 | 2014-08-13 | 한국내화 주식회사 | 고로 스테이브용 규소-탄화규소 충진재 |
| USD956833S1 (en) * | 2019-10-31 | 2022-07-05 | Towa Corporation | Plunger unit |
| DE102022000067B3 (de) * | 2022-01-08 | 2023-05-17 | Fritz Wiehofsky | Brat-, Grill-, Back- und/oder Kochgeschirr sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4795673A (en) * | 1978-01-09 | 1989-01-03 | Stemcor Corporation | Composite material of discontinuous silicon carbide particles and continuous silicon matrix and method of producing same |
| JPS57501578A (ja) * | 1980-10-27 | 1982-09-02 | ||
| JPS6169116A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング用サセプター |
| JPS6212666A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 東芝セラミツクス株式会社 | 半導体用炉芯管の製造方法 |
| US4789506A (en) * | 1986-11-07 | 1988-12-06 | Gas Research Institute | Method of producing tubular ceramic articles |
| DE3723869C1 (en) * | 1987-07-18 | 1989-01-26 | Didier Werke Ag | Refractory lining of an industrial furnace |
| JP2642573B2 (ja) * | 1991-12-27 | 1997-08-20 | 日本碍子株式会社 | ＳｉＣ質焼結体 |
| JPH06287091A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-10-11 | Ngk Insulators Ltd | ＳｉＣ含有遠赤外線放射体、乾燥装置及び焼成装置 |
| US5417803A (en) * | 1993-09-29 | 1995-05-23 | Intel Corporation | Method for making Si/SiC composite material |
| JP3042297B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2000-05-15 | 王子製紙株式会社 | 炭化珪素材料の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-01 JP JP8044729A patent/JPH09235161A/ja active Pending
-
1997
- 1997-02-20 US US08/803,442 patent/US5851941A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-28 DE DE19708249A patent/DE19708249C2/de not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009229164A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Ngk Insulators Ltd | 酸素濃度測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19708249A1 (de) | 1997-09-04 |
| DE19708249C2 (de) | 2002-03-21 |
| US5851941A (en) | 1998-12-22 |
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