DE3541798A1 - Verfahren zur diffusion von dotierungen - Google Patents

Verfahren zur diffusion von dotierungen

Info

Publication number
DE3541798A1
DE3541798A1 DE19853541798 DE3541798A DE3541798A1 DE 3541798 A1 DE3541798 A1 DE 3541798A1 DE 19853541798 DE19853541798 DE 19853541798 DE 3541798 A DE3541798 A DE 3541798A DE 3541798 A1 DE3541798 A1 DE 3541798A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diffusion
mask
substrate
silicon nitride
nitride layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19853541798
Other languages
English (en)
Inventor
Yoji Kanagawa Kato
Masaru Wada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of DE3541798A1 publication Critical patent/DE3541798A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • H01L21/2233—Diffusion into or out of AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

TER meer · Müller · Steinmeister : .. [Sony Corp. - S85P349
Beschreibung
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum selektiven Eindiffundieren von Dotierungen oder Verunreinigungen in die Obörflache eines Verbindungs-Halbleiters, wie eines Galliumarsenid-Halbleiters (GaAs) unter Bildung wohldefinierter Implantationsbereiche.
In jüngster Zeit werden Halbleiter auf der Grundlage von Verbindungs-Halbleitern, wie Galliumarsenid (GaAs) für die Praxis eingesetzt. Bei der Herstellung solcher Bauteile ist es erforderlich, eine selektive Diffusion von Dotierungen oder Verunreinigungen in das Substrat zu bewirken.
Bei einem typischen Beispiel des Standes der Technik wird ein SiOp-Isolierfilm mit Hilfe eines chemischen Dampfäbscheiduhgsverfahrens (chemischen Aufdampfverfahrens) auf dem GaAs-Substrat abgeschieden, worauf ein Diffusionsfenster durch Photoätzen in dem Film erzeugt wird. Unter Anwendung des SiOp-Isolierfilms als selektive Diffusionsmaske werden Dotierungen, wie Zink, in das Substrat eindiffundiert, um die erforderlichen Diffusionszonen zu bilden. Die Dotierungen neigen jedoch dazu, in der Nahe des Diffusiorisfensters an der Grenzfläche zwischen dem SiO9-FiIm und dem GaAs-Substrat über einen erheblichen Abstand in transversaler Richtung zu diffundieren, wodurch eine abnorme Diffusion verursacht wird, die es erschwert, die Größe und das Ausmaß des Diffusionsbereichs zu steuern. Der Begriff "abnormale transversale Diffusion" steht dafür, daß der Anteil des transversalen Diffusionsabstands in der Nähe der Masken/Substrat-Grenzflache groß ist in bezug auf die vertikale Diffusionstiefe. Wenn der transversale Diffusionsabstand mit dem Symbol χ und die vertikale Diffusionstiefe mit dem Symbol y bezeichnet
TER MEER · MÖLLER · STEINMEISTER: SOiiyCocp. S85P349
werden, so ergibt sich das Verhältnis o( durch die folgende Beziehung:
/ = Transversaler Piffusionsabstand χ
Vertikale Diffusionstiefe y 5
Im Fall der herkömmlichen Technik ist das Verhältnis d größer als 1, wobei im Fall eines SiO2-FiImS der Wert von c( häufig größer ist als 4.
Es ist allgemein anerkannt, daß die abnormale transversale Diffusion nicht nur dann auftritt, wenn ein SiO„-Film als selektive Diffusionsmaske verwendet wird, sondern auch dann, wenn ein Phosphosilicatglasfilm als Maske verwendet oder ein Siliciumnitridfilm auf dem Substrat abgeschieden wird. Bislang ist es nicht möglich gewesen, eine selektive Diffusion von Dotierungsstoffen mit der für das angestrebte Diffusionsmuster erforderlichen Genauigkeit einzudiffundieren.
Es ist somit festzuhalten, daß, wenn Dotierungsstoffe oder Verunreinigungen, wie Zink, selektiv in ein Substrat aus einem Verbindungs-Halbleiter, wie GaAs, eindiffundiert werden sollen, die oben beschriebene abnormale transversale Diffusion unvermeidbar auftritt, so daß die Genauigkeit des erzeugten Diffusionsmusters beeinträchtigt wird.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht somit darin, ein Verfahren zur selektiven Diffusion einer Dotierung in die Oberfläche eines Verbindungs-Halbleiters anzugeben, mit dem es gelingt, die abnormale transversale Diffusion zu unterdrücken und die selektive Diffusion der Dotierungsstoffe mit einer hohen Genauigkeit des angestrebten Musters auch bei Verwendung von Verbindungs-Halbleitern als Substratmaterialien zu bewirken.
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTSR - Sony Corp. - S85P349
Es hat sich nunmehr gezeigt, daß an der Grenzfläche zwischen den Verbindungs-Halbleitern und der Diffusionsmaske aufgrund des in der selektiven Diffusionsmaske vorhandenen Sauerstoffs eine Transmutationsschicht ausgebildet wird und daß diese sauerstoffhaltige Transmutationsschicht der wesentliche Grund für die oben angesprochene abnormale transversale Diffusion ist. Auf der Grundlage dieser Erkenntnis wurde die obige Aufgabe nunmehr durch die kennzeichnenden Merkmale des Verfahrens gemäß Hauptanspruch gelöst.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren zum selektiven Eindiffundieren von Dotierungen oder Verunreinigungen in die Oberfläche eines Verbindungs-Halbleiters, welches darin besteht, eine Diffusionsmaske zu verwenden, bei der die Dicke der sauerstoffhaltigen Schicht an der Grenzfläche zwischen der Maske und dem Substrat auf einen Weit von weniger als 2 nm (20Ä) eingestellt wird.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren zum selektiven Eindiffundieren einer Dotierung oder Verunreinigung in die Oberfläche eines Verbindungs-Halbleiters, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß man eine Diffusionsmaske in der Weise auf das Verbindungs-Halbleitersubstrat aufbringt, daß die Sauerstoff enthaltende Schicht an der Grenzfläche zwischen der Maske und dem Substrat weniger als 2 nm (20 A) dick ist und die Dotierung durch die Maske in das Substrat diffundiert.
Wenn die Dicke der sauerstoffhaltigen Schicht an der Grenzfläche zwischen der Maske und dem Substrat weniger als 2 nm (20 A) beträgt, wird die abnormale transversale Diffusion verhindert, so daß die Dotierungsstoffe selektiv mit einem hohen Maß der Genauigkeit in dem gewünschten Diffusionsmuster in das Substrat diffundiert werden können.
TER MEER · MÜLLER . STEINMEiSTCR „Sony. 9P^P* ~ S85P349
Die Erfindung sei im folgenden näher unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 eine Schnittansicht ähnlich der in der Fig. 1 dargestellten, die eine modifizierte Form der vorliegenden Erfindung wiedergibt;
Fig. 3 ein Blockdiagramm, welches die Art von Vorrichtung erläutert, die bei dem erfindungsgemäßen Diffusionsverfahren eingesetzt werden kann; und
Fig. 4 eine Ansicht ähnlich der in den Fig. 1 und 2 dargestellten, welche jedoch die herkömmlichen Methoden zum Diffundieren von Verunreinigungen in das Substrat verdeutlicht.
Im folgenden sei eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Eindiffundieren von Dotierungsstoffen näher erläutert, wobei in diesem Fall die Diffusion von elementarem Zink in ein GaAs-Substrat als Beispiel herangezogen wird, ohne daß die Erfindung auf diese Ausführungsform beschränkt sein soll. Vielmehr ist das erfindungsgemäße Verfahren auf die selektive Diffusion einer Vielzahl von anderen Dotierungsstoffen in Substrate, die aus beliebigen Verbindungs-Halbleitern aus Elementen der Gruppen III-V oder III-VI bestehen, anwendbar.
Die Fig. 1 zeigt ein vorbehandeltes GaAs-Substrat 1, auf dem eine Siliciumnitrid (SiN)-Schicht 2 und eine SiO3-
Schicht 3 in dieser Reihenfolge aufgebracht sind. Die Be-
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTER . . Sony Corp. - S85P349
dingungen sind derart gesteuert, daß die Dicke der sauerstoffhaltigen Schicht auf dem Substrat zwischen der SiN-Schicht 2 und dem GaAs-Substrat 1 weniger als 2 nm (20 Ä) beträgt.
Die Vorbehandlung des Substrats kann in der Weise durchgeführt werden, daß man das Substrat 1 mit Aceton, Trichlorethylen, Aceton und/oder einem Alkohol während jeweils 5 Minuten unter Anwendung von Ultraschallwellen wäscht, dann mit Wasser wäscht und mit einer Kaliumhydroxidlösung ätzt. Nach längerem Kontakt mit der Umgebungsluft bildet sich spontan auf dem in dieser Weise behandelten GaAs-Substrat 1 ein Oxidfilm. Zur Verminderung der Bildung des Oxidfilms auf ein Minimum wird der SiO„-Film 3 vorzugsweise mit Hilfe eines plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahrens aufgebracht. Bezüglich Einzelheiten dieses Verfahrens und seiner Anwendung darf auf "Metals Handbook", 9.Auflage, Band 5 (1982), Seiten 381 bis 386 verwiesen werden.
Die SiO_-Schicht 3 wird gegebenenfalls auf der SiN-Schicht 2 ausgebildet. Wenn die SiO^-Schicht 3 als selektive Diffusionsmaske verwendet wird, kann die Dicke der SiN-Schicht 2 im Bereich von einigen nm (einigen 10 Ä), beispielsweise etwa 5 nm (50 A) betragen, während die Dicke der SiO2~Schicht 3 einige 10 oder 100 nm (100 oder 1000 A), beispielsweise 100 nm (1000 Ä) betragen kann. Wenn lediglich eine SiN-Schicht 4 unter Ausschluß der SiO2-Schicht verwendet wird, wie es durch die Fig. 2 verdeutlicht wird, kann die Dicke der SiN-Schicht 4 im Bereich von einigen 10 bis einigen 100 nm (100 bis 1000 Ä), beispielsweise 200 nm (2000 Ä) betragen.
Dann wird beispielsweise unter Anwendung einer herkömmlichen Photolithographietechnik ein Diffusionsfenster 5 erzeugt. Anschließend wird eine Dotierung, wie Zink, in die
TER MEER · MÜLLER ■ STEINMEISTErR
>ony. Corp. - S85P349
Oberfläche des GaAs-Substrats diffundiert, wobei die SiO Schicht 3 und die SiN-Schicht 2 oder lediglich die SiN-Schicht 4 als Maske zur Definition des Diffusionsbereichs 6 verwendet werden.
Die Fig. 3 verdeutlicht ein Beispiel einer Diffusionsvorrichtung zur Durchführung der Diffusionsbehandlung. Bei der dargestellten Anordnung wird elementares Zink als Dotierung diffundiert und es wird eine metallorganische Verbindung, wie Diethylzink, als Zinkquelle eingesetzt. Das Diethylzink wird in einem Behälter 11 mit konstanter Temperatur bei einer Temperatur von etwa 20C gehalten. In den Behälter 11 wird gasförmiger Wasserstoff in über die Strömungssteuereinheit 3 gesteuerter Form eingeleitet, um Diethylzink in den Röhrenreaktor 10 zu überführen. Der gasförmige Wasserstoff wird mit gasförmigem Arsin (AsH3) aus der Gasbombe 12 vermischt, so daß gasförmiger Wasserstoff, der etwa 2 % Arsin enthält, in den Röhrenreaktor 10 überführt wird. Die Strömungsgeschwindigkeit des Diethylzinks und des Arsins werden durch die Strömungssteuereinrichtung 13 derart gesteuert, daß die Strömung typischerweise etwa 30 ml/min beträgt. Die lineare Geschwindigkeit längs der Substratoberfläche des Röhrenreaktors entspricht dann etwa 14 cm/s. Die Diffusionstemperatur in dem Röhrenreaktor 10 wird auf etwa 6000C eingestellt. Unter diesen Betriebsbedingungen beträgt die Dichte in der Nähe der Substratoberfläche 2 bis 3 χ ΙΟ19 cm bei einem Diffusionskoeffizienten von 7 χ 10~14 cm2/s. Die aus dem Röhrenreaktor abgeführten Gase werden über eine Ölfalle 14, eine Verbrennungskammer 15, die mit Wasserstoff- und Sauerstoffleitungen versorgt wird, und einem Kühler 16, durch den Kühlwasser strömt, abgeführt. Die abgeführten Gase werden durch Kühlen verflüssigt und in dem Behälter 17 gelagert.
Wenn eine Dotierung, wie Zink, in dieser Weise in das
TER MEER - MÜLLER · STEINMEISTER Sony Corp. - S85P.349
— Q —
GaAs-Substrat 1 diffundiert wird, wird die oben angesprochene abnormale Diffusion im wesentlichen verhindert. Das heißt, daß das Verhältnis d des horizontalen oder transversalen Diffusionsabstands χ in der Nähe des Substrats des Diffusionsbereichs 6 zu der vertikalen Diffusionstiefe y etwa 0,5 bis 1 beträgt, so daß eine selektive Diffusion der Dotierung mit dem gewünschten Maß der Genauigkeit entsprechend der Größe des Diffusionsmusters bewirkt wird.
Dies steht im Gegensatz zu der in der Fig. 4 dargestellten Methode des Standes der Technik. In dieser Fig. 4 ist ein SiO„-Isolationsfilm 22 gezeigt, der durch ein chemisches Aufdampfverfahren auf einem GaAs-Substrat 21 abgeschieden worden ist und in dem durch ein Photoätzverfahren ein Diffusionsfenster 23 erzeugt worden ist. Unter Anwendung des Si02-lsolationsfilms 22 als selektive Diffusionsmaske werden Dotierungsstoffe, wie Zink, unter Bildung eines Diffusionsbereichs 24 in das GaAs-Substrat 21 diffundiert.
In diesem Fall diffundieren die Verunreinigungen jedoch transversal über einen relativ großen Abstand an der Grenzfläche zwischen dem SiO9-FiIm 22 in der Nähe des Diffusionsfensters 23 und dem GaAs-Substrat 21, wobei diese abnormale Diffusion es schwierig macht, die Größe oder die Abmessungen des Diffusionsbereichs 24 zu steuern. In diesem Fall ist das oben definierte Verhältnis d. beträchtlich größer als 1.
Es ist festzuhalten, daß die Filmqualität und die Reinhext der SiN-Schicht und insbesondere deren Sauerstoffgehalt in Beziehung zu dem Brechungsindex stehen. Zur Verhinderung einer abnormalen Diffusion ist es notwendig, daß der Brechungsindex des SiN im Bereich von 2,0+0,07 liegt und die Dicke der Sauerstoff enthaltenden Schicht weniger als 2 nm (20 Ä) beträgt. Vorzugsweise liegt der Brechungsindex im Bereich von 2,0 + 0,05 und noch bevor-
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTF.R Sony Corp. S85P349
_ 10 _
zugter im Bereich von 2,0 ± 0,03.
Ein Beispiel zur Erzeugung der SiN-Schicht mit einem niedrigen Sauerstoffgehalt besteht darin, das GaAs-Substrat vor der Abscheidung der SiN-Schicht einer Glühbehandlung, beispielsweise während 15 Minuten bei 8500C, unter gleichzeitigem Aussetzeh einer Plasmaentladung in einer Wasserstoff gasatmosphäre zu unterwerfen, um in dieser Weise den auf dem GaAs-Substrat vorhandenen Oxidfilm zu reduzieren und die Filmdicke zu vermindern. Dann wird die SiN-Schicht durch das plasmaunterstützte chemische Aufdampfverfahren auf die in dieser Weise vorbehandelte Oberfläche abgeschieden unter Ausbildung einer extrem dünnen sauerstoffhaltigen Schicht an der Grenzfläche zwischen dem GaAs-Substrat und der SiN-Schicht.
Aus den obigen Ausführungen ist ersichtlich, daß das erfindungsgemäße Verfahren zum Diffundieren von Dotierungen es ermöglicht, eine selektive Diffusion der Dotierungsstoffe in das Substrat aus dem Verbindungs-Halbleiter zu bewirken, ohne daß eine abnormale Diffusion auftritt, so daß eine selektive Diffusion der Dotierungsstoffe mit einem hohen Maß der Genauigkeit des Diffusionsmusters möglich wird.
Leerseite -

Claims (10)

  1. TER MEER-MÜLLER-STEINMEISTER PATENTANWÄLTE-EUROPEAN PATENT ATTORNEYS O C Λ 1 "7 Q g
    Dipl.-Chem. Dr. N. ter Meer Dipl. Ing. H. Steinmeister
    Dipl. Ing F. E. Müller Artur-Ladebeck-Strasse 51
    Mauerkircherstrasse 45
    D-8000 MÜNCHEN 80 D-4800 BIELEFELD 1
    S85P349DE00 26. November 1985
    SONY CORPORATION
    6-7-35 Kitashinagawa
    Shinagawa-ku, Tokyo 141, Japan
    Verfahren zur Diffusion von Dotierungen
    Priorität: 27. November 1984, Japan, Nr. 248795/84 (P)
    Patentansprüche
    Verfahren zum selektiven Eindiffundieren einer Dotierung in die Oberfläche eines Verbindungs-Halbleiters, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Diffusionsmaske in der Weise auf das Verbindungs-Halbleitersubstrat aufbringt, daß die Sauerstoff enthaltende Schicht an der Grenzfläche zwischen der Maske und dem Substrat weniger als 2 nm (20 Ä) dick ist und die Dotierung durch die Maske in das Substrat diffundiert.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Verbindungs-Halbleiter Galliumarsenid (GaAs) eingesetzt wird.
    TER MEER · MÜLLER ■ STEINMEISTER - SonY Corp. - S85P349
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß als Dotierung elementares Zink eingesetzt wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß man die Oberfläche des Ver bindungs-Halbleiters vor dem Aufbringen der Diffusionsmaske mit einer Kaliumhydroxidlösung ätzt.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß mindestens der Teil der Diffusionsmaske, der mit dem Halbleitersubstrat in Kontakt steht, aus einer Siliciumnitrid-Schicht besteht.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch g e kennzeichnet, daß die Diffusionsmaske mit Hilfe eines plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahrens aufgebracht wird.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß man das Halbleitersubstrat vor der Bildung der Siliciumnitridschicht glüht und die plasmaunterstützte chemische Dampfabscheidung in einer Wasserstoffgasatmosphäre durchführt.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Siliciumnitridschicht einen Brechungsindex von 2,0 + 0,07 aufweist.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Siliciumnitridschicht einen Brechungsindex von 2,0 + 0,05 besitzt.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch g e -
    kennzeichnet, daß die Siliciumnitridschicht einen Brechungsindex von 2,0 + 0,03 aufweist.
DE19853541798 1984-11-27 1985-11-26 Verfahren zur diffusion von dotierungen Withdrawn DE3541798A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59248795A JP2533078B2 (ja) 1984-11-27 1984-11-27 不純物拡散方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3541798A1 true DE3541798A1 (de) 1986-06-12

Family

ID=17183506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19853541798 Withdrawn DE3541798A1 (de) 1984-11-27 1985-11-26 Verfahren zur diffusion von dotierungen

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4698122A (de)
JP (1) JP2533078B2 (de)
KR (1) KR940000500B1 (de)
CN (1) CN85109319A (de)
CA (1) CA1263932A (de)
DE (1) DE3541798A1 (de)
FR (1) FR2573918A1 (de)
GB (1) GB2168194B (de)
NL (1) NL8503292A (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3774036D1 (de) * 1986-08-11 1991-11-28 Siemens Ag Verfahren zur stabilisierung von pn-uebergaengen.
JPH0719757B2 (ja) * 1987-08-05 1995-03-06 三菱電機株式会社 半導体素子の製造方法
US5015323A (en) * 1989-10-10 1991-05-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Multi-tipped field-emission tool for nanostructure fabrication
US5821567A (en) * 1995-12-13 1998-10-13 Oki Electric Industry Co., Ltd. High-resolution light-sensing and light-emitting diode array
KR100198678B1 (ko) * 1996-02-28 1999-06-15 구본준 금속 배선 구조 및 형성방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1347885A (en) * 1971-08-09 1974-02-27 Anglo Swiss Equip Prod Grills
JPS5428072B2 (de) * 1972-07-20 1979-09-13
GB1558642A (en) * 1977-04-01 1980-01-09 Standard Telephones Cables Ltd Injection lasers
DE3103177A1 (de) * 1981-01-30 1982-08-26 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von polysiliziumstrukturen bis in den 1 (my)m-bereich auf integrierte halbleiterschaltungen enthaltenden substraten durch plasmaaetzen
US4361461A (en) * 1981-03-13 1982-11-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Hydrogen etching of semiconductors and oxides
JPS58196016A (ja) * 1982-05-12 1983-11-15 Hitachi Ltd 化合物半導体装置の製造方法
NL187373C (nl) * 1982-10-08 1991-09-02 Philips Nv Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
JPS6032364A (ja) * 1983-08-01 1985-02-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2168194A (en) 1986-06-11
GB2168194B (en) 1988-06-08
JP2533078B2 (ja) 1996-09-11
KR860004453A (ko) 1986-06-23
GB8529057D0 (en) 1986-01-02
US4698122A (en) 1987-10-06
KR940000500B1 (ko) 1994-01-21
CA1263932A (en) 1989-12-19
NL8503292A (nl) 1986-06-16
JPS61128520A (ja) 1986-06-16
FR2573918A1 (fr) 1986-05-30
CN85109319A (zh) 1986-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69219236T2 (de) Halbleiteranordnung mit einem mit sauerstoff angereicherten gebiet und deren herstellungsverfahren
EP0000897B1 (de) Verfahren zum Herstellen von lateral isolierten Siliciumbereichen
DE2908851C2 (de)
DE2422138A1 (de) Verfahren zur herstellung von elektroden aus halbleitermaterial
DE1544329A1 (de) Verfahren zur Herstellung epitaxialer Schichten bestimmter Form
DE2752439A1 (de) Verfahren zur herstellung von silicium-halbleiteranordnungen unter einsatz einer ionenimplantation und zugehoerige halbleiteranordnung
DE2030805A1 (de) Verfahren zur Ausbildung epitaxialer Kristalle oder Plattchen in ausgewählten Bereichen von Substraten
DE2005271C3 (de) Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat
DE3317222A1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiterstruktur
DE2419142C3 (de) Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterschicht mit einer niedrigen Störstellendichte auf einem Halbleitersubstrat mit einer hohen Störstellendichte
DE4130536A1 (de) Laserdiode fuer sichtbares licht
DE2211709C3 (de) Verfahren zum Dotieren von Halbleitermaterial
EP0126969A2 (de) Verfahren zum Herstellen von Strukturen von aus Metallsiliziden bzw. Silizid-Polysilizium bestehenden Schichten für integrierte Halbleiterschaltungen durch reaktives Ionenätzen
DE69320540T2 (de) Herstellungsverfahren von Verbindungshalbleitern
DE3541798A1 (de) Verfahren zur diffusion von dotierungen
DE3300716C2 (de)
DE2654979B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE2154386C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat durch Abscheiden aus einem Reaktionsgas/Trägergas-Gemisch
DE2657415C2 (de) Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdstoffen in ein Halbleitersubstrat
DE3728524C2 (de) Hochgeschwindigkeits-Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2742385A1 (de) Verbundbauelement mit einer epitaxial aufgewachsenen silizium-insel
DE2658304A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2753533A1 (de) Verfahren zum selektiven eindiffundieren von aluminium
DE69227852T2 (de) Eigengetterung für ein epitaxiales Halbleiterplättchen
DE1544323A1 (de) Verfahren zur Erzeugung von p-Diffusionen in Germanium und zur Herstellung doppelt diffundierter planarer Germaniumtransistoren

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee