DE3541798A1 - Verfahren zur diffusion von dotierungen - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000009377 nuclear transmutation Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001481828 Glyptocephalus cynoglossus Species 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 102220033885 rs62643620 Human genes 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
- H01L21/2233—Diffusion into or out of AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Description
TER meer · Müller · Steinmeister : .. [Sony Corp. - S85P349
Beschreibung
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum selektiven Eindiffundieren von Dotierungen oder Verunreinigungen
in die Obörflache eines Verbindungs-Halbleiters, wie
eines Galliumarsenid-Halbleiters (GaAs) unter Bildung wohldefinierter Implantationsbereiche.
In jüngster Zeit werden Halbleiter auf der Grundlage von Verbindungs-Halbleitern, wie Galliumarsenid (GaAs) für
die Praxis eingesetzt. Bei der Herstellung solcher Bauteile ist es erforderlich, eine selektive Diffusion von
Dotierungen oder Verunreinigungen in das Substrat zu bewirken.
Bei einem typischen Beispiel des Standes der Technik wird ein SiOp-Isolierfilm mit Hilfe eines chemischen Dampfäbscheiduhgsverfahrens
(chemischen Aufdampfverfahrens) auf
dem GaAs-Substrat abgeschieden, worauf ein Diffusionsfenster
durch Photoätzen in dem Film erzeugt wird. Unter Anwendung des SiOp-Isolierfilms als selektive Diffusionsmaske werden Dotierungen, wie Zink, in das Substrat eindiffundiert,
um die erforderlichen Diffusionszonen zu
bilden. Die Dotierungen neigen jedoch dazu, in der Nahe des Diffusiorisfensters an der Grenzfläche zwischen dem
SiO9-FiIm und dem GaAs-Substrat über einen erheblichen
Abstand in transversaler Richtung zu diffundieren, wodurch eine abnorme Diffusion verursacht wird, die es erschwert,
die Größe und das Ausmaß des Diffusionsbereichs zu steuern. Der Begriff "abnormale transversale Diffusion"
steht dafür, daß der Anteil des transversalen Diffusionsabstands in der Nähe der Masken/Substrat-Grenzflache groß
ist in bezug auf die vertikale Diffusionstiefe. Wenn
der transversale Diffusionsabstand mit dem Symbol χ und die vertikale Diffusionstiefe mit dem Symbol y bezeichnet
TER MEER · MÖLLER · STEINMEISTER: SOiiyCocp. S85P349
werden, so ergibt sich das Verhältnis o( durch die folgende Beziehung:
/ = Transversaler Piffusionsabstand χ
Vertikale Diffusionstiefe y
5
Im Fall der herkömmlichen Technik ist das Verhältnis d
größer als 1, wobei im Fall eines SiO2-FiImS der Wert
von c( häufig größer ist als 4.
Es ist allgemein anerkannt, daß die abnormale transversale Diffusion nicht nur dann auftritt, wenn ein SiO„-Film
als selektive Diffusionsmaske verwendet wird, sondern auch dann, wenn ein Phosphosilicatglasfilm als Maske
verwendet oder ein Siliciumnitridfilm auf dem Substrat abgeschieden wird. Bislang ist es nicht möglich gewesen,
eine selektive Diffusion von Dotierungsstoffen mit der für das angestrebte Diffusionsmuster erforderlichen Genauigkeit
einzudiffundieren.
Es ist somit festzuhalten, daß, wenn Dotierungsstoffe
oder Verunreinigungen, wie Zink, selektiv in ein Substrat aus einem Verbindungs-Halbleiter, wie GaAs, eindiffundiert
werden sollen, die oben beschriebene abnormale transversale Diffusion unvermeidbar auftritt, so daß
die Genauigkeit des erzeugten Diffusionsmusters beeinträchtigt wird.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht somit darin, ein Verfahren zur selektiven Diffusion einer Dotierung
in die Oberfläche eines Verbindungs-Halbleiters anzugeben, mit dem es gelingt, die abnormale transversale
Diffusion zu unterdrücken und die selektive Diffusion der Dotierungsstoffe mit einer hohen Genauigkeit des angestrebten
Musters auch bei Verwendung von Verbindungs-Halbleitern als Substratmaterialien zu bewirken.
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTSR - Sony Corp. - S85P349
Es hat sich nunmehr gezeigt, daß an der Grenzfläche zwischen den Verbindungs-Halbleitern und der Diffusionsmaske
aufgrund des in der selektiven Diffusionsmaske vorhandenen
Sauerstoffs eine Transmutationsschicht ausgebildet wird und daß diese sauerstoffhaltige Transmutationsschicht
der wesentliche Grund für die oben angesprochene abnormale transversale Diffusion ist. Auf der
Grundlage dieser Erkenntnis wurde die obige Aufgabe nunmehr durch die kennzeichnenden Merkmale des Verfahrens
gemäß Hauptanspruch gelöst.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren zum selektiven Eindiffundieren von Dotierungen oder Verunreinigungen
in die Oberfläche eines Verbindungs-Halbleiters, welches darin besteht, eine Diffusionsmaske zu verwenden,
bei der die Dicke der sauerstoffhaltigen Schicht an der
Grenzfläche zwischen der Maske und dem Substrat auf einen Weit von weniger als 2 nm (20Ä) eingestellt wird.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren zum selektiven Eindiffundieren einer Dotierung oder Verunreinigung
in die Oberfläche eines Verbindungs-Halbleiters,
welches dadurch gekennzeichnet ist, daß man eine Diffusionsmaske in der Weise auf das Verbindungs-Halbleitersubstrat
aufbringt, daß die Sauerstoff enthaltende Schicht an der Grenzfläche zwischen der Maske und dem Substrat
weniger als 2 nm (20 A) dick ist und die Dotierung durch die Maske in das Substrat diffundiert.
Wenn die Dicke der sauerstoffhaltigen Schicht an der
Grenzfläche zwischen der Maske und dem Substrat weniger als 2 nm (20 A) beträgt, wird die abnormale transversale
Diffusion verhindert, so daß die Dotierungsstoffe selektiv mit einem hohen Maß der Genauigkeit in dem gewünschten
Diffusionsmuster in das Substrat diffundiert werden können.
TER MEER · MÜLLER . STEINMEiSTCR „Sony. 9P^P* ~ S85P349
Die Erfindung sei im folgenden näher unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erläutert. In den Zeichnungen
zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 eine Schnittansicht ähnlich der in der Fig. 1 dargestellten, die eine modifizierte Form der
vorliegenden Erfindung wiedergibt;
Fig. 3 ein Blockdiagramm, welches die Art von Vorrichtung erläutert, die bei dem erfindungsgemäßen
Diffusionsverfahren eingesetzt werden kann; und
Fig. 4 eine Ansicht ähnlich der in den Fig. 1 und 2 dargestellten, welche jedoch die herkömmlichen
Methoden zum Diffundieren von Verunreinigungen in das Substrat verdeutlicht.
Im folgenden sei eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens zum Eindiffundieren von Dotierungsstoffen
näher erläutert, wobei in diesem Fall die Diffusion von elementarem Zink in ein GaAs-Substrat als
Beispiel herangezogen wird, ohne daß die Erfindung auf diese Ausführungsform beschränkt sein soll. Vielmehr
ist das erfindungsgemäße Verfahren auf die selektive Diffusion einer Vielzahl von anderen Dotierungsstoffen
in Substrate, die aus beliebigen Verbindungs-Halbleitern aus Elementen der Gruppen III-V oder III-VI bestehen, anwendbar.
Die Fig. 1 zeigt ein vorbehandeltes GaAs-Substrat 1, auf dem eine Siliciumnitrid (SiN)-Schicht 2 und eine SiO3-
Schicht 3 in dieser Reihenfolge aufgebracht sind. Die Be-
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTER . . Sony Corp. - S85P349
dingungen sind derart gesteuert, daß die Dicke der sauerstoffhaltigen
Schicht auf dem Substrat zwischen der SiN-Schicht 2 und dem GaAs-Substrat 1 weniger als 2 nm
(20 Ä) beträgt.
Die Vorbehandlung des Substrats kann in der Weise durchgeführt werden, daß man das Substrat 1 mit Aceton, Trichlorethylen,
Aceton und/oder einem Alkohol während jeweils 5 Minuten unter Anwendung von Ultraschallwellen
wäscht, dann mit Wasser wäscht und mit einer Kaliumhydroxidlösung ätzt. Nach längerem Kontakt mit der Umgebungsluft
bildet sich spontan auf dem in dieser Weise behandelten GaAs-Substrat 1 ein Oxidfilm. Zur Verminderung
der Bildung des Oxidfilms auf ein Minimum wird der SiO„-Film 3 vorzugsweise mit Hilfe eines plasmaunterstützten
chemischen Dampfabscheidungsverfahrens aufgebracht. Bezüglich Einzelheiten dieses Verfahrens und
seiner Anwendung darf auf "Metals Handbook", 9.Auflage,
Band 5 (1982), Seiten 381 bis 386 verwiesen werden.
Die SiO_-Schicht 3 wird gegebenenfalls auf der SiN-Schicht
2 ausgebildet. Wenn die SiO^-Schicht 3 als selektive Diffusionsmaske
verwendet wird, kann die Dicke der SiN-Schicht 2 im Bereich von einigen nm (einigen 10 Ä), beispielsweise
etwa 5 nm (50 A) betragen, während die Dicke der SiO2~Schicht 3 einige 10 oder 100 nm (100 oder 1000
A), beispielsweise 100 nm (1000 Ä) betragen kann. Wenn lediglich eine SiN-Schicht 4 unter Ausschluß der SiO2-Schicht
verwendet wird, wie es durch die Fig. 2 verdeutlicht wird, kann die Dicke der SiN-Schicht 4 im Bereich
von einigen 10 bis einigen 100 nm (100 bis 1000 Ä), beispielsweise 200 nm (2000 Ä) betragen.
Dann wird beispielsweise unter Anwendung einer herkömmlichen Photolithographietechnik ein Diffusionsfenster 5 erzeugt.
Anschließend wird eine Dotierung, wie Zink, in die
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>ony. Corp. - S85P349
Oberfläche des GaAs-Substrats diffundiert, wobei die SiO Schicht 3 und die SiN-Schicht 2 oder lediglich die SiN-Schicht
4 als Maske zur Definition des Diffusionsbereichs 6 verwendet werden.
Die Fig. 3 verdeutlicht ein Beispiel einer Diffusionsvorrichtung zur Durchführung der Diffusionsbehandlung.
Bei der dargestellten Anordnung wird elementares Zink als Dotierung diffundiert und es wird eine metallorganische
Verbindung, wie Diethylzink, als Zinkquelle eingesetzt. Das Diethylzink wird in einem Behälter 11 mit konstanter
Temperatur bei einer Temperatur von etwa 20C gehalten. In
den Behälter 11 wird gasförmiger Wasserstoff in über die Strömungssteuereinheit 3 gesteuerter Form eingeleitet,
um Diethylzink in den Röhrenreaktor 10 zu überführen. Der gasförmige Wasserstoff wird mit gasförmigem Arsin
(AsH3) aus der Gasbombe 12 vermischt, so daß gasförmiger
Wasserstoff, der etwa 2 % Arsin enthält, in den Röhrenreaktor 10 überführt wird. Die Strömungsgeschwindigkeit
des Diethylzinks und des Arsins werden durch die Strömungssteuereinrichtung 13 derart gesteuert, daß die Strömung
typischerweise etwa 30 ml/min beträgt. Die lineare Geschwindigkeit längs der Substratoberfläche des Röhrenreaktors
entspricht dann etwa 14 cm/s. Die Diffusionstemperatur in dem Röhrenreaktor 10 wird auf etwa 6000C eingestellt.
Unter diesen Betriebsbedingungen beträgt die Dichte in der Nähe der Substratoberfläche 2 bis 3 χ ΙΟ19
cm bei einem Diffusionskoeffizienten von 7 χ 10~14
cm2/s. Die aus dem Röhrenreaktor abgeführten Gase werden
über eine Ölfalle 14, eine Verbrennungskammer 15, die mit Wasserstoff- und Sauerstoffleitungen versorgt
wird, und einem Kühler 16, durch den Kühlwasser strömt, abgeführt. Die abgeführten Gase werden durch Kühlen verflüssigt
und in dem Behälter 17 gelagert.
Wenn eine Dotierung, wie Zink, in dieser Weise in das
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— Q —
GaAs-Substrat 1 diffundiert wird, wird die oben angesprochene
abnormale Diffusion im wesentlichen verhindert. Das heißt, daß das Verhältnis d des horizontalen oder transversalen
Diffusionsabstands χ in der Nähe des Substrats des Diffusionsbereichs 6 zu der vertikalen Diffusionstiefe
y etwa 0,5 bis 1 beträgt, so daß eine selektive Diffusion der Dotierung mit dem gewünschten Maß der Genauigkeit
entsprechend der Größe des Diffusionsmusters bewirkt
wird.
Dies steht im Gegensatz zu der in der Fig. 4 dargestellten Methode des Standes der Technik. In dieser Fig. 4 ist ein
SiO„-Isolationsfilm 22 gezeigt, der durch ein chemisches
Aufdampfverfahren auf einem GaAs-Substrat 21 abgeschieden
worden ist und in dem durch ein Photoätzverfahren ein Diffusionsfenster 23 erzeugt worden ist. Unter Anwendung
des Si02-lsolationsfilms 22 als selektive Diffusionsmaske
werden Dotierungsstoffe, wie Zink, unter Bildung eines
Diffusionsbereichs 24 in das GaAs-Substrat 21 diffundiert.
In diesem Fall diffundieren die Verunreinigungen jedoch transversal über einen relativ großen Abstand an der
Grenzfläche zwischen dem SiO9-FiIm 22 in der Nähe des
Diffusionsfensters 23 und dem GaAs-Substrat 21, wobei
diese abnormale Diffusion es schwierig macht, die Größe oder die Abmessungen des Diffusionsbereichs 24 zu steuern.
In diesem Fall ist das oben definierte Verhältnis d. beträchtlich größer als 1.
Es ist festzuhalten, daß die Filmqualität und die Reinhext
der SiN-Schicht und insbesondere deren Sauerstoffgehalt in Beziehung zu dem Brechungsindex stehen. Zur
Verhinderung einer abnormalen Diffusion ist es notwendig, daß der Brechungsindex des SiN im Bereich von 2,0+0,07
liegt und die Dicke der Sauerstoff enthaltenden Schicht weniger als 2 nm (20 Ä) beträgt. Vorzugsweise liegt der
Brechungsindex im Bereich von 2,0 + 0,05 und noch bevor-
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTF.R Sony Corp. S85P349
_ 10 _
zugter im Bereich von 2,0 ± 0,03.
Ein Beispiel zur Erzeugung der SiN-Schicht mit einem niedrigen Sauerstoffgehalt besteht darin, das GaAs-Substrat
vor der Abscheidung der SiN-Schicht einer Glühbehandlung, beispielsweise während 15 Minuten bei 8500C, unter gleichzeitigem
Aussetzeh einer Plasmaentladung in einer Wasserstoff
gasatmosphäre zu unterwerfen, um in dieser Weise den auf dem GaAs-Substrat vorhandenen Oxidfilm zu reduzieren
und die Filmdicke zu vermindern. Dann wird die SiN-Schicht durch das plasmaunterstützte chemische Aufdampfverfahren
auf die in dieser Weise vorbehandelte Oberfläche abgeschieden unter Ausbildung einer extrem dünnen sauerstoffhaltigen
Schicht an der Grenzfläche zwischen dem GaAs-Substrat und der SiN-Schicht.
Aus den obigen Ausführungen ist ersichtlich, daß das erfindungsgemäße
Verfahren zum Diffundieren von Dotierungen es ermöglicht, eine selektive Diffusion der Dotierungsstoffe
in das Substrat aus dem Verbindungs-Halbleiter zu bewirken, ohne daß eine abnormale Diffusion auftritt,
so daß eine selektive Diffusion der Dotierungsstoffe mit einem hohen Maß der Genauigkeit des Diffusionsmusters
möglich wird.
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Claims (10)
- TER MEER-MÜLLER-STEINMEISTER PATENTANWÄLTE-EUROPEAN PATENT ATTORNEYS O C Λ 1 "7 Q gDipl.-Chem. Dr. N. ter Meer Dipl. Ing. H. SteinmeisterDipl. Ing F. E. Müller Artur-Ladebeck-Strasse 51Mauerkircherstrasse 45D-8000 MÜNCHEN 80 D-4800 BIELEFELD 1S85P349DE00 26. November 1985SONY CORPORATION6-7-35 KitashinagawaShinagawa-ku, Tokyo 141, JapanVerfahren zur Diffusion von DotierungenPriorität: 27. November 1984, Japan, Nr. 248795/84 (P)PatentansprücheVerfahren zum selektiven Eindiffundieren einer Dotierung in die Oberfläche eines Verbindungs-Halbleiters, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Diffusionsmaske in der Weise auf das Verbindungs-Halbleitersubstrat aufbringt, daß die Sauerstoff enthaltende Schicht an der Grenzfläche zwischen der Maske und dem Substrat weniger als 2 nm (20 Ä) dick ist und die Dotierung durch die Maske in das Substrat diffundiert.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Verbindungs-Halbleiter Galliumarsenid (GaAs) eingesetzt wird.TER MEER · MÜLLER ■ STEINMEISTER - SonY Corp. - S85P349
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß als Dotierung elementares Zink eingesetzt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß man die Oberfläche des Ver bindungs-Halbleiters vor dem Aufbringen der Diffusionsmaske mit einer Kaliumhydroxidlösung ätzt.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß mindestens der Teil der Diffusionsmaske, der mit dem Halbleitersubstrat in Kontakt steht, aus einer Siliciumnitrid-Schicht besteht.
- 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch g e kennzeichnet, daß die Diffusionsmaske mit Hilfe eines plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahrens aufgebracht wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß man das Halbleitersubstrat vor der Bildung der Siliciumnitridschicht glüht und die plasmaunterstützte chemische Dampfabscheidung in einer Wasserstoffgasatmosphäre durchführt.
- 8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Siliciumnitridschicht einen Brechungsindex von 2,0 + 0,07 aufweist.
- 9. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Siliciumnitridschicht einen Brechungsindex von 2,0 + 0,05 besitzt.
- 10. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch g e -kennzeichnet, daß die Siliciumnitridschicht einen Brechungsindex von 2,0 + 0,03 aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59248795A JP2533078B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 不純物拡散方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3541798A1 true DE3541798A1 (de) | 1986-06-12 |
Family
ID=17183506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853541798 Withdrawn DE3541798A1 (de) | 1984-11-27 | 1985-11-26 | Verfahren zur diffusion von dotierungen |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4698122A (de) |
JP (1) | JP2533078B2 (de) |
KR (1) | KR940000500B1 (de) |
CN (1) | CN85109319A (de) |
CA (1) | CA1263932A (de) |
DE (1) | DE3541798A1 (de) |
FR (1) | FR2573918A1 (de) |
GB (1) | GB2168194B (de) |
NL (1) | NL8503292A (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3774036D1 (de) * | 1986-08-11 | 1991-11-28 | Siemens Ag | Verfahren zur stabilisierung von pn-uebergaengen. |
JPH0719757B2 (ja) * | 1987-08-05 | 1995-03-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
US5015323A (en) * | 1989-10-10 | 1991-05-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Multi-tipped field-emission tool for nanostructure fabrication |
US5821567A (en) * | 1995-12-13 | 1998-10-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array |
KR100198678B1 (ko) * | 1996-02-28 | 1999-06-15 | 구본준 | 금속 배선 구조 및 형성방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1347885A (en) * | 1971-08-09 | 1974-02-27 | Anglo Swiss Equip Prod | Grills |
JPS5428072B2 (de) * | 1972-07-20 | 1979-09-13 | ||
GB1558642A (en) * | 1977-04-01 | 1980-01-09 | Standard Telephones Cables Ltd | Injection lasers |
DE3103177A1 (de) * | 1981-01-30 | 1982-08-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von polysiliziumstrukturen bis in den 1 (my)m-bereich auf integrierte halbleiterschaltungen enthaltenden substraten durch plasmaaetzen |
US4361461A (en) * | 1981-03-13 | 1982-11-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Hydrogen etching of semiconductors and oxides |
JPS58196016A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
NL187373C (nl) * | 1982-10-08 | 1991-09-02 | Philips Nv | Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. |
JPS6032364A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59248795A patent/JP2533078B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-10-12 KR KR1019850007506A patent/KR940000500B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-11-26 DE DE19853541798 patent/DE3541798A1/de not_active Withdrawn
- 1985-11-26 CA CA000496260A patent/CA1263932A/en not_active Expired
- 1985-11-26 GB GB08529057A patent/GB2168194B/en not_active Expired
- 1985-11-26 CN CN198585109319A patent/CN85109319A/zh active Pending
- 1985-11-27 NL NL8503292A patent/NL8503292A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-11-27 US US06/802,475 patent/US4698122A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-11-27 FR FR8517518A patent/FR2573918A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2168194A (en) | 1986-06-11 |
GB2168194B (en) | 1988-06-08 |
JP2533078B2 (ja) | 1996-09-11 |
KR860004453A (ko) | 1986-06-23 |
GB8529057D0 (en) | 1986-01-02 |
US4698122A (en) | 1987-10-06 |
KR940000500B1 (ko) | 1994-01-21 |
CA1263932A (en) | 1989-12-19 |
NL8503292A (nl) | 1986-06-16 |
JPS61128520A (ja) | 1986-06-16 |
FR2573918A1 (fr) | 1986-05-30 |
CN85109319A (zh) | 1986-09-10 |
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