NL8503292A - Werkwijze voor doen diffunderen van onzuiverheden. - Google Patents
Werkwijze voor doen diffunderen van onzuiverheden. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8503292A NL8503292A NL8503292A NL8503292A NL8503292A NL 8503292 A NL8503292 A NL 8503292A NL 8503292 A NL8503292 A NL 8503292A NL 8503292 A NL8503292 A NL 8503292A NL 8503292 A NL8503292 A NL 8503292A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- diffusion
- substrate
- layer
- mask
- silicon nitride
- Prior art date
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000009377 nuclear transmutation Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
- H01L21/2233—Diffusion into or out of AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
* ·» · ¥......._ · -1-
Werkwijze voor doen diffunderen van onzuiverheden
De onderhavige uitvinding betreft een werkwijze voor het selectief doen diffunderen van onzuiverheden zoals zink, tot in een substraat van een samengestelde halfgeleider zoals galliumarsenide (GaAs) voor het verschaffen van goed 5 bepaalde implantatiegebieden.
Onlangs zijn halfgeleiders die gebruik maken van galliumarsenide (GaAs) in praktisch gebruik gekomen. Bij de vervaardiging van dergelijke inrichtingen wordt het nodig selectieve diffusie van onzuiverheden tot in het substraat te 10 effectueren.
Bij een typisch voorbeeld volgens de stand van de techniek werd een SiO^-isolerende film door chemische-damp-neerslag (CVD) op het GaAs-substraat neergeslagen en werd een diffusievenster in de film door middel van foto-etsen gevormd.
15 Door gebruikmaking van de SiO^-isolerende film als selectief diffusiemasker, werden onzuiverheden zoals zink tot in het substraat voor het vormen van de vereiste diffusiezones gediffundeerd. De onzuiverheden echter hadden de neiging in dwarse richting over aanzienlijke afstand bij het grensvlak tussen de 20 SiC^-film in de nabijheid van het diffusievenster en het GaAs-substraat te diffunderen, hetgeen een abnormale diffusie creëerde, dat het moeilijk maakte de afmeting van de hoeveelheid van het diffusiegebied te beheersen.
Met "abnormale dwarse diffusie" wordt bedoeld, dat 25 de verhouding van de dwarse diffusieafstand in de nabijheid van het maskersubstraat-grensvlak groot is ten opzichte van de verticale diffusiediepte. Indien de dwarse diffusieafstand wordt aangegeven met het symbool x en de verticale diffusiediepte door y, wordt de verhouding α uitgedrukt als: dwarse diffusieafstand x 35 α = - verticale diffusiediepte y
In geval zoals bij de stand van de techniek is de verhouding α groter dan 1 en in het geval van een SiC^film is de waarde α veelal gelijk of meer dan 4.
Het is in het algemeen onderkend, dat de abnormale - ' ; y > r * -2- dwarse diffusie die slechts bestaat, wanneer een SiC^-film wordt gebruikt als het selectieve diffusiemasker, maar eveneens wanneer een fosforsilicaatglas (PSG-film) wordt gebruikt als masker of een siliciumnitridefilm op het substraat wordt 5 neergeslagen. Het is tot nu toe niet mogelijk geweest selectieve diffusie van onzuiverheden met de vereiste mate van nauwkeurigheid die vereist wordt bij het diffusiepatroon, te effectueren.
Samengevat, wanneer onzuiverheden zoals zink selec-10 tief op het substraat van een samengestelde halfgeleider zoals GaAs worden gediffundeerd, treedt de bovenbeschreven dwarse diffusie onvermijdelijk op, zodat de nauwkeurigheid van het diffusiepatroon wordt verminderd.
De onderhavige uitvinding verschaft een werkwijze 15 voor het doen diffunderen van onzuiverheden, waarbij de abnormale dwarse diffusie wordt onderdrukt en selectieve diffusie van de onzuiverheden wordt verkregen met een hoge patroon-nauwkeurigheid, onder gebruikmaking van samengestelde halfgeleiders als de substraatmaterialen.
20 Als resultaat van onze onderzoekingen voor het be reiken van het bovengenoemde doel, hebben de onderhavige uitvinders gevonden dat een transmutatielaag tussen de samengestelde halfgeleiders en het diffusiemasker gevormd wordt, vanwege het in het selectieve masker bevatte zuurstof en dat de 25 primaire reden van de bovenbeschreven dwarse abnormale diffusie zit in de aanwezigheid van een dergelijke zuurstof bevattende transmutatielaag. Deze vinding was de basis voor de onderhavige uitvinding.
De onderhavige uitvinding bestaat uit een werkwijze 30 voor het selectief doen diffunderen van een onzuiverheid tot in het oppervlak van een samengestelde halfgeleider, omvattende de volgende stappen: het aanbrengen van een diffusiemasker over het samengestelde halfgeleidersubstraat, eén en ander zodanig dat de zuurstof bevattende laag bij het grensvlak tus-
O
35 sen het masker en het substraat minder dan 20 A is; en het doen diffunderen van de onzuiverheid door het masker en tot in het substraat.
Wanneer de dikte van de zuurstof bevattende laag -3-
O
bij het masker-substraat-grensvlak op minder dan 20 A wordt ingesteld, wordt de abnormale dwarse diffusie verhinderd, zodat onzuiverheden selectief kunnen worden gediffundeerd met een hoge mate van nauwkeurigheid wat betreft het diffusiepa-5 troon in het substraat.
Andere doeleinden, kenmerken en details van de on-havige uitvinding zullen duidelijk worden vanuit de nu volgende gedetailleerde beschrijving, die in samenhang met de bijgevoegde tekening gelezen moet worden, waarin tonen: 10 fig.1 een dwarsdoorsnede-aanzicht dat een voorkeurs uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding toont? fig.2 een aan fig.1 gelijk dwarsdoorsnede-aanzicht, dat een gemodificeerde vorm van de onderhavige uitvinding toont ? 15 fig.3 een blokdiagram dat de soort inrichting illus treert, die gebruikt kan worden voor het doen diffunderen van onzuiverheden in overeenstemming met de onderhavige uitvinding? en fig.4 een aan de fig.1 en 2 gelijk aanzicht, dat 20 echter de methode volgens de stand van de techniek voor het diffunderen van onzuiverheden tot in het substraat toont.
Met verwijzing naar de tekening, zal een voorkeursuitvoeringsvorm van de werkwijze voor het doen diffunderen volgens de onderhavige uitvinding, in detail worden beschreven. 25 De nu volgende beschrijving is gemaakt in samenhang met de diffusie van elementair zink tot in een GaAs-substraat, maar opgemerkt moet worden, dat de onderhavige uitvinding eveneens kan worden toegepast bij de selectieve diffusie van een veelvoud van andere onzuiverheden tot in substraten die 30 uit verscheidene samengestelde halfgeleiders van de elementen uit de groepen III-V of II-VI bestaan.
Met verwijzing naar fig.1, wordt een voorbehandeld GaAs-substraat 1 getoond, waarop een siliciumnitride (SiN) laag 2 en een SiC>2-laag 3 in die volgorde zijn neergeslagen.
35 De omstandigheden zijn zodanig bestuurd, dat de dikte van de zuurstof bevattende laag het substraat tussen de SiN-laag 2 O , en het GaAs-substraat 1 minder dan 20 A is.
De voorbehandeling van het substraat kan worden -4- uitgevoerd door het onderwerpen van het substraat aan het wassen in aceton, trichloorethyleen, aceton en alcohol, elk gedurende 5 minuten, onder toediening van supersonische golven, gevolgd door het wassen met water en het etsen in een kalium-5 hydroxide-oplossing. Na verlengd contact met de omgevingslucht, wordt een oxidefilm spontaan gevormd op het zodoende behandelde GaAS-substraat 1. Teneinde de vorming van de oxidefilm tot een minimum te beperken, wordt de Si02~film 3 bij voorkeur neergeslagen door een door plasma bijgestane chemische-damp-10-neerslag-methode (PACVD). Voor details van een dergelijke methode en een beschrijving van de werking daarvan, wordt verwezen naar "Metals Handbook" Ninth Edition, Volume 5 (1982) , ! pages 381-386.
De Si02-laag 3 wordt naar keuze pp. de SiN-laag 2 ge-15 vormd. Wanneer de Si02~laag 3 wordt gebruikt als een selectief diffusiemasker, kan de dikte van de SiN-laag 2 in de orde van tien A, bijvoorbeeld 50 A terwijl die van de SiO?“laag 3 in
O “ O
de orde van honderden of duizenden A, bijvoorbeeld 1000 A kan zijn. Wanneer slechts een SiN-laag 4 gebruikt wordt onder uit-20 sluiting van de Si02-laag, zoals geïllustreerd is in fig.2, kan de filmdikte van de SiN-laag 4 in de orde van honderden of duizenden A, bijvoorbeeld 2000 A zijn.
Een diffusievenster 5 wordt vervolgens gevormd, bijvoorbeeld onder gebruikmaking van een conventionele foto-33 lithografische techniek. Een onzuiverheid zoals zink wordt dan vervolgens gediffundeerd tot in het oppervlak van het GaAs-substraat onder gebruikmaking van de Si02-laag 3 en de SiN-laag 2 of slechts de SiN-laag 4 als een masker voor de vorming van een diffusiegebied 6.
30 Fig.3 toont een voorbeeld van de diffusie-inrichting die gebruikt wordt voor het uitvoeren van de diffusieoperatie. In deze opstelling wordt elementaire zink gebruikt als de gediffundeerde onzuiverheid en wordt een organische metaalverbinding zoals diethylzink gebruikt als de zinkbron. Het diethyl-33 zink is bevat in een een constante temperatuur bezittende tank 11 die op een temperatuur van ongeveer 2°C wordt gehouden. Er wordt in de tank 11 een door een stromingsstuureenheid 13 gestuurd waterstofgas in gebracht voor het effectueren van bubbe- -5- len voor het toevoeren van diethylzink tot in een buisreactor 10. Arsine (AsH3)-gas van een gasbron 12 wordt gemengd met het waterstofgas en het resulterende waterstofbasisgas dat ongeveer 2% bevat, wordt overgebracht naar de buisreactor 10. De 5 stroomsnelheid van het diethylzink en het arsine worden gecontroleerd door de stromingsstuureenheid 13, waarbij de stroom typisch ongeveer 30 cc per minuut is. De lineaire snelheid langs het substraatoppervlak van de buisreactor is dan gelijk aan'ongeveer 14 cm per seconde. De diffusietemperatuur in de 10 buisreactor 10 wordt op ongeveer 600 °C ingesteld. Onder deze werkingscondities, is de dichtheid in de nabijheid van het substraatoppervlak 2 tot 3 x 10 cm , terwijl de diffusie- -14 2 coëfficiënt 7x10 cm per seconde is. De afvoergassen van de buisreactor worden afgevoerd door een olievanger 14, een 15 verbrandingskamer 15 die door middel van waterstof- en zuurstof-leidingen gevoed wordt, en een koeler 16 waardoorheen een wa-terkoelmiddel passeert. De afvoergassen worden door koeling vloeibaar gemaakt en opgeslagen in de tank 17.
Wanneer een onzuiverheid zoals zink op deze wijze 20 tot in het GaAs-substraat 1 wordt gediffundeerd, wordt de bovenbeschreven abnormale diffusie in hoofdzaak verhinderd. Dat wil zeggen de verhouding'a van de horizontale of dwarse diffu-sieafstand x in de nabijheid van het substraat van het diffusie-gebied 6 ten opzichte van de verticale diffusiediepte y is in 25 de orde van 0,5 tot 1, zodat selectieve diffusie van onzuiverheden wordt bereikt met de vereiste mate van nauwkeurigheid in de afmeting van het diffusiepatroon.
Dit moet in contrast gezien worden met fig.4, die een situatie afbeeldt, die bestond volgens de stand van de 30 techniek. In die figuur wordt een SiC^-isolerende film 22 getoond, die is neergeslagen door middel van chemische-dampneer-slag op een GaAs-substraat 21 waarbij een diffusievenster 23 door middel van foto-etsen gevormd is daarin. Onder gebruikmaking van de Si02~film 22 als 'een selectief diffusiemasker, 35 worden onzuiverheden zoals zink tot in het GaAs-substraat 21 voor het vormen van een diffusiegebied 24 gediffundeerd. De onzuiverheden worden echter in dwarse richting over een relatief grote afstand bij het grensvlak bij de Si02”film 22 in de
Λ. ' I C
-6- nabijheid van het diffusievenster 23 en het GaAs 21 gediffundeerd, waarbij deze abnormale diffusie het moeilijk maakt de afmeting of maten van het diffusiegebied 24 te beheersen.
Onder deze omstandigheden is de voorheen gedefinieerde ver-5 houding cc aanzienlijk groter dan 1 .
Opgemerkt moet worden, dat de filmkwaliteit en zuiverheid van de SiN-laag en bovenal de zuurstofinhoud gerelateerd zijn aan de brekingsindex. Voor het voorkomen van abnormale diffusie is het noodzakelijk dat de brekingsindex van de 10 SiN-laag in het gebied van 2,0 _+ 0,07 is, waarbij de dikte
O
van de zuurstof bevattende laag dan minder dan 20 A is. De brekingsindex is bij voorkeur in het gebied van 2,0 +_ 0,05 en meer in het bijzonder in het gebied van 2,0 + 0,03.
Als voorbeeld van een methode voor het fabriceren 15 van de SiN-laag met een lage zuurstofinhoud, kan het GaAs- substraat voor neerslag van de SiN-laag worden onderworpen aan ontlating, bijvoorbeeld bij 850°C gedurende 15 minuten, terwijl deze tegelijkertijd aan een plasmaontlading in een waterstofgasatmosfeer wordt onderworpen, voor het verminderen van de op 20 het GaAs-substraat aanwezige oxidefilm en het verminderen van de filmdikte. De SiN-laag wordt vervolgens aangebracht door de door plasma bijgestane chemische-dampneerslag-methode op het zo behandelde oppervlak voor het verschaffen van een extreem dunne zuurstof bevattende laag bij het grensvlak tussen 25 het GaAs-substraat en de SiN-laag.
Het zal te zien zijn uit het hierboven geschrevene, dat de werkwijze voor het doen diffunderen van onzuiverheden volgens de onderhavige uitvinding het mogelijk maakt selectieve diffusie van de onzuiverheden tot in het substraat van de 30 samengestelde halfgeleider mogelijk te maken, zonder aanleiding tot abnormale diffusie te geven en dat de halve selectieve diffusie van de onzuiverheden met een hoge mate van patroonafmetingsnauwkeurigheid wordt verkregen.
Daar veel zeer verschillende uitvoeringsvormen vol-35 gens de onderhavige uitvinding gemaakt kunnen worden zonder de geest en strekking van de onderhavige uitvinding te verlaten, moet het duidelijk zijn dat de onderhavige uitvinding niet beperkt is tot de specifieke uitvoeringsvormen daarvan, behalve zoals bepaald wordt door de bijgevoegde conclusies.
Claims (9)
1. Werkwijze voor het selectief doen diffunderen van een onzuiverheid tot in het oppervlak van een samengestelde halfgeleider, omvattende de volgende stappen: het aanbrengen van een diffusiemasker over het samengestelde 5 halfgeleidersubstraat, ëên en ander zodanig dat de zuurstof bevattende laag bij het grensvlak tussen het masker en het O substraat minder dan 20 A is; en het doen diffunderen van de onzuiverheid door het masker en tot in het substraat.
2. Werkwijze volgens conclusie 1', met het kenmerk dat de samengestelde halfgeleider galliumarsenide (GaAs) is.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk dat de onzuiverheid elementair zink is.
4. Werkwijze volgens conclusie 1, gekenmerkt door 15 de stap van het etsen van het oppervlak van de samengestelde halfgeleider met een kaliumhydroxide-oplossing voorafgaand aan het daarover aanbrengen van het diffusiemasker.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk dat tenminste dat deel van het diffusiemasker dat contact maakt 2o met het halfgeleidersubstraat, is samengesteld uit een laag siliciumnitride.
6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk dat de stap van het aanbrengen van het diffusiemasker wordt uitgevoerd door de door plasma bijgestane chemische-dampneer- 25 slag-methode.
7. Werkwijze volgens conclusie 6, omvattende de stappen van het onderwerpen van het halfgeleidersubstraat aan ontlating voorafgaand aan de vorming van de siliciumnitridelaag en het uitvoeren van de door plasma bijgestane chemische-damp- 30 neerslag in een waterstofgasomgeving.
8. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk dat de siliciumnitridelaag een brekingsindex van 2,0 _+ 0,07 heeft.
9. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk 35 dat de laag siliciumnitride een brekingsindex van 2,0 _+ 0,05 heeft. ----* « -διό. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk dat de laag siliciumnitride een brekingsindex van 2,0 _+ 0,03 heeft.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24879584 | 1984-11-27 | ||
| JP59248795A JP2533078B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 不純物拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8503292A true NL8503292A (nl) | 1986-06-16 |
Family
ID=17183506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8503292A NL8503292A (nl) | 1984-11-27 | 1985-11-27 | Werkwijze voor doen diffunderen van onzuiverheden. |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4698122A (nl) |
| JP (1) | JP2533078B2 (nl) |
| KR (1) | KR940000500B1 (nl) |
| CN (1) | CN85109319A (nl) |
| CA (1) | CA1263932A (nl) |
| DE (1) | DE3541798A1 (nl) |
| FR (1) | FR2573918A1 (nl) |
| GB (1) | GB2168194B (nl) |
| NL (1) | NL8503292A (nl) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3774036D1 (de) * | 1986-08-11 | 1991-11-28 | Siemens Ag | Verfahren zur stabilisierung von pn-uebergaengen. |
| JPH0719757B2 (ja) * | 1987-08-05 | 1995-03-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| US5015323A (en) * | 1989-10-10 | 1991-05-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Multi-tipped field-emission tool for nanostructure fabrication |
| US5821567A (en) * | 1995-12-13 | 1998-10-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array |
| KR100198678B1 (ko) * | 1996-02-28 | 1999-06-15 | 구본준 | 금속 배선 구조 및 형성방법 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1347885A (en) * | 1971-08-09 | 1974-02-27 | Anglo Swiss Equip Prod | Grills |
| JPS5428072B2 (nl) * | 1972-07-20 | 1979-09-13 | ||
| GB1558642A (en) * | 1977-04-01 | 1980-01-09 | Standard Telephones Cables Ltd | Injection lasers |
| DE3103177A1 (de) * | 1981-01-30 | 1982-08-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von polysiliziumstrukturen bis in den 1 (my)m-bereich auf integrierte halbleiterschaltungen enthaltenden substraten durch plasmaaetzen |
| US4361461A (en) * | 1981-03-13 | 1982-11-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Hydrogen etching of semiconductors and oxides |
| JPS58196016A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| NL187373C (nl) * | 1982-10-08 | 1991-09-02 | Philips Nv | Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. |
| JPS6032364A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59248795A patent/JP2533078B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-10-12 KR KR1019850007506A patent/KR940000500B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-11-26 DE DE19853541798 patent/DE3541798A1/de not_active Withdrawn
- 1985-11-26 CA CA000496260A patent/CA1263932A/en not_active Expired
- 1985-11-26 GB GB08529057A patent/GB2168194B/en not_active Expired
- 1985-11-26 CN CN198585109319A patent/CN85109319A/zh active Pending
- 1985-11-27 NL NL8503292A patent/NL8503292A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-11-27 US US06/802,475 patent/US4698122A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-11-27 FR FR8517518A patent/FR2573918A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2168194A (en) | 1986-06-11 |
| GB2168194B (en) | 1988-06-08 |
| JP2533078B2 (ja) | 1996-09-11 |
| KR860004453A (ko) | 1986-06-23 |
| DE3541798A1 (de) | 1986-06-12 |
| GB8529057D0 (en) | 1986-01-02 |
| US4698122A (en) | 1987-10-06 |
| KR940000500B1 (ko) | 1994-01-21 |
| CA1263932A (en) | 1989-12-19 |
| JPS61128520A (ja) | 1986-06-16 |
| FR2573918A1 (fr) | 1986-05-30 |
| CN85109319A (zh) | 1986-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Murota et al. | Low‐temperature silicon selective deposition and epitaxy on silicon using the thermal decomposition of silane under ultraclean environment | |
| US3511727A (en) | Vapor phase etching and polishing of semiconductors | |
| US3243323A (en) | Gas etching | |
| US6749687B1 (en) | In situ growth of oxide and silicon layers | |
| US3634150A (en) | Method for forming epitaxial crystals or wafers in selected regions of substrates | |
| WO1998040534A1 (en) | Method of reducing metal contamination during semiconductor processing in a reactor having metal components | |
| US4404236A (en) | High pressure chemical vapor deposition | |
| US3354008A (en) | Method for diffusing an impurity from a doped oxide of pyrolytic origin | |
| EP0362081B1 (fr) | Procédé de formation autoalignée de siliciure de tungstène | |
| NL8503292A (nl) | Werkwijze voor doen diffunderen van onzuiverheden. | |
| EP1044291A1 (en) | In situ growth of oxide and silicon layers | |
| US3215570A (en) | Method for manufacture of semiconductor devices | |
| Rem et al. | Incubation Time Measurements in Thin‐Film Deposition | |
| EP0067165A1 (en) | IMPROVED PROCESS FOR THE DISTRIBUTION OF BORON IN A PARTIAL VACUUM. | |
| US4188245A (en) | Selective open tube aluminum diffusion | |
| KR102647983B1 (ko) | 부착물 제거 방법 및 성막 방법 | |
| EP0348477B1 (en) | Vacuum deposition process | |
| JPS61294826A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPS62152626A (ja) | ミクロト−ム用ＳｉＣコ−テイング刃およびその製造方法 | |
| DE1444525A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| Reed | Residual impurity incorporation in the growth of high purity gallium-arsenide by metalorganic chemical vapor deposition | |
| JPS58175834A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| MUROTA et al. | Ultra-Clean Low-Pressure CVD Technology with High Selectivity | |
| JPH07201748A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPS5821818A (ja) | 窒化アルミニウム薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BV | The patent application has lapsed |