DE3482970D1 - Halbleiteranordnung mit einem halbleiterkoerper worauf leiterbahnen angeordnet sind, welche durch ein fenster in einer isolierenden schicht verbunden sind und verfahren zum herstellen derselben. - Google Patents
Halbleiteranordnung mit einem halbleiterkoerper worauf leiterbahnen angeordnet sind, welche durch ein fenster in einer isolierenden schicht verbunden sind und verfahren zum herstellen derselben.Info
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/490,381 US4517225A (en) | 1983-05-02 | 1983-05-02 | Method for manufacturing an electrical interconnection by selective tungsten deposition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3482970D1 true DE3482970D1 (de) | 1990-09-20 |
Family
ID=23947802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE8484200602T Expired - Lifetime DE3482970D1 (de) | 1983-05-02 | 1984-05-02 | Halbleiteranordnung mit einem halbleiterkoerper worauf leiterbahnen angeordnet sind, welche durch ein fenster in einer isolierenden schicht verbunden sind und verfahren zum herstellen derselben. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4517225A (https=) |
| EP (1) | EP0124181B1 (https=) |
| JP (1) | JPS605545A (https=) |
| CA (1) | CA1215477A (https=) |
| DE (1) | DE3482970D1 (https=) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4794019A (en) * | 1980-09-04 | 1988-12-27 | Applied Materials, Inc. | Refractory metal deposition process |
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1983
- 1983-05-02 US US06/490,381 patent/US4517225A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-05-02 DE DE8484200602T patent/DE3482970D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-05-02 EP EP84200602A patent/EP0124181B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-05-02 CA CA000453393A patent/CA1215477A/en not_active Expired
- 1984-05-02 JP JP59087928A patent/JPS605545A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS605545A (ja) | 1985-01-12 |
| US4517225A (en) | 1985-05-14 |
| EP0124181B1 (en) | 1990-08-16 |
| EP0124181A2 (en) | 1984-11-07 |
| JPH0519819B2 (https=) | 1993-03-17 |
| EP0124181A3 (en) | 1986-09-10 |
| CA1215477A (en) | 1986-12-16 |
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|
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