DE3141310A1 - Verfahren zur chemischen dampfabscheidung - Google Patents

Verfahren zur chemischen dampfabscheidung

Info

Publication number
DE3141310A1
DE3141310A1 DE19813141310 DE3141310A DE3141310A1 DE 3141310 A1 DE3141310 A1 DE 3141310A1 DE 19813141310 DE19813141310 DE 19813141310 DE 3141310 A DE3141310 A DE 3141310A DE 3141310 A1 DE3141310 A1 DE 3141310A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ing
dipl
pressure
chemical vapor
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813141310
Other languages
English (en)
Other versions
DE3141310C2 (de
Inventor
Seiichi Suwa Nagano Iwamatsu
Shoichi Komatsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suwa Seikosha KK filed Critical Suwa Seikosha KK
Publication of DE3141310A1 publication Critical patent/DE3141310A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3141310C2 publication Critical patent/DE3141310C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/005—Oxydation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

Beschreibung:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung. Als chemische Dampfabscheidung bezeichnet man den Vorgang, bei dem auf einem Substrat ein Film aus der Dampfphase aufwächst und das den Film bildende Material aus einer chemischen Reaktion gewonnen wird. Die vorliegende Erfindung betrifft insbesondere die Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung (CVD-Verfahren) zur Herstellung eines SiOp, Si^N4 oder Si-Films.
Bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen wie Transistoren oder ICs (integrierte Schaltungen) befinden sich auf dem Halbleitersubstrat ungleich verteilte Verbindungsteile/ auf denen mittels des CVD-Verfahrens ein Oxidfilm wie SiO- oder ein Nitridfilm wie Si-,Ν. ausgebildet wird. Zur Unterstützung der chemischen Reaktion erfolgt das Aufwachsen des Films auf dem Substrat herkömmlicherweise unter Erhitzen des Halbleitersubstrat^ bei Normaldruck oder Unterdruck. Das CVD-Verfahren bei Normaldruck oder Unterdruck beinhaltet jedoch das Problem, daß bei kleinen unebenen Teilen des Substrats keine ausreichende Bedeckung mit dem erzeugten Film erfolgt.
Es hat sich gezeigt, daß beim CVD-Verfahren die Dicke einer Grenzschicht, die während der Reaktion auf dem Substrat gebildet wird, die Bedeckung durch den herzustellenden Film beeinflußt. Fig. 1 soll dies erläutern. Wenn die chemische Dampfreaktion auf einem Substrat 1 mit einem querschnittsverminderten Teil bzw. einem Einschnitt 2 gemäß Fig. 1 (a) bei Unterdruck stattfindet, dann wird zwischen dem Substrat 1 und dem Reaktionsgas eine Grenzschicht 3 der Dicke ti gebildet. Diese Grenzschicht 3 füllt den Einschnitt 2, so daß das Reaktionsgas nicht in diesen Bereich gelangen kann. Der CVD-FiIm, der durch
Diffusion in die Grenzschicht gebildet wird, hat im Einschnitt 2 eine ungenügende Bedeckung, wie dies aus Fig. 1 (b) ersichtlich ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren der eingangs angegebenen Art zu schaffen, bei dem die aufgezeigten Probleme nicht auftreten, bei dem insbesondere also auch bei kleinen Unebenheiten bzw. Einschnitten auf dem Substrat eine ausreichende Bedeckung durch den herzustellenden Film auf dem Substrat erfolgt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die chemische Reaktion unter einem Druck von mehr als 0,98 bar (1 at) erfolgt.
■
Es hat sich gezeigt, daß bei Durchführung der chemischen Dampfreaktion unter Druck die erwähnte Grenzschicht so dünn wird, daß genügend Reaktionsgas in einen Einschnitt oder dergleichen gelangen kann. Damit kann auch im Inneren kleiner konkaver Teile oder Einschnitte auf dem Substrat, wie sie bei Super-LSüs auftreten, eine ausreichende Bedeckung bzw. Filmerzeugung erreicht werden. D.h. solch kleine konkave Teile erhalten die gleiche Filmdicke wie die übrige Oberfläche.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen:
Fig. 1(a) und (b) die Herstellung eines CVD-Films auf herkömmliche Weise,
Fig. 2 (a) und (b) die Herstellung eines CVD-Filras gemäß
der Erfindung,
Fig. 3 schematise!, eine nach dem Prinzip der
Erfindung arbeitende Vorrichtung.
Wie in Fig. 2 (a) dargestellt, bildet sich bei unter Druck erfolgender chemischer Dampfreaktion eine Grenzschicht 31 mit einer Dicke t2, die geringer als die Dicke ti in Fig. 1 (a) ist. Als Folge davon kann, wie in Fig. 2
(b) gezeigt, ein CVD-FiIm 4* mit ausreichender Bedeckung und genügender Füllung des Inneren des Einschnitts 2 ausgebildet werden. Die Dicke der Grenzschicht 3" ist dem Druck umgekehrt proportional, d.h. je höher der Druck ist, desto dünner wird die Dicke der Grenzschicht. Bei ausreichend dünner Grenzschicht gelangt das Reaktionsgas in den Einschnitt 2, ohne hieran durch die Grenzschicht gehindert zu sein. Der CVD-FiIm wird dann gleichförmig und mit großer Geschwindigkeit durch Diffusion in diese Grenzschicht erzeugt.
Anhand von Fig. 3 soll ein konkretes Beispiel des Verfahrens beschrieben werden. Fig. 3 zeigt eine für die Durchführung dieses Verfahrens geeignete Vorrichtung. In ihr ist 11 ein transparentes Quarzglasrohr.. 12 ist ein Werkstückhalter aus Quarz, der mit einem nicht gezeigten Rotationsantrieb verbunden ist. 13 ist ein Siliciumscheibchen, das auf dem Werkstückhalter 12 liegt. 14 ist ein Heizblock zum Erhitzen des Werkstückhalter. 17 ist ein rostfreier Träger. Unter Druck stehende Gase, SiH.> O_ und N2 werden über Druckregler 16a, 16b und 16c und Durchflußmesser 15a, 15b und 15c durch eine obere öffnung im Quarzglasrohr 11 unter einem Druck von etwa 9,8 bar (10 at) in das Quarzglasrohr 11 eingeführt. Durch Erhitzen der Gase während des Füllens des Quarzglasrohres auf 4000C mittels des Heizblocks 14 wird auf der Oberfläche des Sxliciumsubstrats aufgrund der nachstehenden chemischen
Reaktion ein SiO2-CVD-FiIm erzeugt: SiH4 - 2O2 si02~
HO. Ein Teil des Reaktionsgases strömt über einen Druckregler 19 zu einem Ausfluß 18.
314131
Auf die beschriebene Weise kann ein CVD-FiIm mit ausreichender Bedeckung im Einschnitt 2 erzeugt werden.
Das beschriebene Verfahren IaJJt sich in folgender Weise abwandeln. Man kann, nach Durchführung des CVD-Verfahrens das Verfahren unter Normaldruck öder Unterdruck fortsetzen. D.h. es wird zunächst ein CVD-FiIm auf kleinen unebenen Teilen unter hohem Druck mit ausreichender Bedeckung erzeugt und dann unter Normaldruck oder Unterdruck ein CVD-FiIm, dessen Dicke im Substratscheibchen oder zwischen den Substratscheibchen gleichförmig ist, gebildet. Auf flachen Teilen des Substrats ist die Dickenschwankung des CVD-Films bei Unterdruck geringer als bei Normaldruck und bei Normaldruck geringer als bei höherem Druck. Dagegen ist die Bedeckung kleiner unebener Teile des Substrats bei Verwendung von Druck besser als bei Normaldruck und erst recht besser als bei Unterdruck.
Leerseite

Claims (2)

  1. BLUMBACH . WESER · BERGEN · KRAMER ZWIRNER · HOFFMANN
    PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN
    Pdtentconsult Radeckestraße 43 8000 München 60 Telefon (089)883603/885604 Telex 05-212313 Telegramme Patentconsull Paientconsult Sonnenberger Slraße 43 6200 Wiesbaden Telefon (06121) 562943/561998 Telex 04-186237 Telegramme Palenlconsull
    Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha, 81/8769
    3-4, 4-chome, Ginza., Chuo~ku, HO/sa.
    Tokyo, Japan
    Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung
    Patentansprüche
    ι Λ1 Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung, dadurch ge kennzeichnet , daß die chemische Reaktion unter einem Druck von mehr als 0,98 bar erfolgt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß zur Herstellung eines SiO2-FiImS in einen Reaktionsbehälter, in dem sich ein Substrat befindet, SiH^,-, Oy- und N3-GaS unter einem Druck von etwa 9,8 bar bei einer Temperatur von etwa 4000C eingeleitet werden.
    München: R. Kramer Oipl.-Ing. . W. Wessr Dipl.-Phys. Dr. rer. nal. · E. Hoffmann Dipl.-Ing. Wiesbaden: P.G. Biumbach Dlpl.-Ing. . P. Rergen Prof.Dr. Jur.Dipl.-Ing., Pat.-Ass., Pat.-Anw.bis 1979 · G. Zwirner Dipl.-Ing. Dlpl.-W.-Ing.
DE3141310A 1980-10-24 1981-10-17 Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung Expired DE3141310C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55149206A JPS5772318A (en) 1980-10-24 1980-10-24 Vapor growth method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3141310A1 true DE3141310A1 (de) 1982-06-16
DE3141310C2 DE3141310C2 (de) 1986-12-04

Family

ID=15470140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3141310A Expired DE3141310C2 (de) 1980-10-24 1981-10-17 Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4404236A (de)
JP (1) JPS5772318A (de)
DE (1) DE3141310C2 (de)
FR (1) FR2492847B1 (de)
GB (1) GB2086871B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0104658A1 (de) * 1982-09-29 1984-04-04 Hitachi, Ltd. Verfahren zur Bildung eines dünnen Filmes

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61117841A (ja) * 1984-11-14 1986-06-05 Hitachi Ltd シリコン窒化膜の形成方法
JPS61236604A (ja) * 1985-04-11 1986-10-21 Toshiba Ceramics Co Ltd β−Ｓｉ↓３Ｎ↓４の合成方法
JPH0251230A (ja) * 1988-08-12 1990-02-21 Fuji Electric Co Ltd Ｃｖｄ酸化膜形成方法
US5221352A (en) * 1989-06-19 1993-06-22 Glaverbel Apparatus for pyrolytically forming an oxide coating on a hot glass substrate
GB8914047D0 (en) * 1989-06-19 1989-08-09 Glaverbel Method of and apparatus for pyrolytically forming an oxide coating on a hot glass substrate
US5601652A (en) * 1989-08-03 1997-02-11 United Technologies Corporation Apparatus for applying ceramic coatings
US5087477A (en) * 1990-02-05 1992-02-11 United Technologies Corporation Eb-pvd method for applying ceramic coatings
US5695819A (en) * 1991-08-09 1997-12-09 Applied Materials, Inc. Method of enhancing step coverage of polysilicon deposits
US5614257A (en) * 1991-08-09 1997-03-25 Applied Materials, Inc Low temperature, high pressure silicon deposition method
JP3121131B2 (ja) * 1991-08-09 2000-12-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低温高圧のシリコン蒸着方法
EP0572704B1 (de) * 1992-06-05 2000-04-19 Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mittels eines Verfahren zur Reformierung einer Isolationsschicht die bei niederiger Temperatur durch CVD hergestellt ist
US5370739A (en) * 1992-06-15 1994-12-06 Materials Research Corporation Rotating susceptor semiconductor wafer processing cluster tool module useful for tungsten CVD
US5434110A (en) * 1992-06-15 1995-07-18 Materials Research Corporation Methods of chemical vapor deposition (CVD) of tungsten films on patterned wafer substrates
KR20010032764A (ko) 1997-12-02 2001-04-25 베리 아이클스 아이오도사일렌 전구체로부터 형성된 실리콘계 필름과 그제조방법
DE69923436T2 (de) * 1998-03-06 2006-01-05 Asm America Inc., Phoenix Verfahren zum beschichten von silizium mit hoher kantenabdeckung
US6296711B1 (en) 1998-04-14 2001-10-02 Cvd Systems, Inc. Film processing system
WO1999053117A2 (en) 1998-04-14 1999-10-21 Cvd Systems, Inc. Film deposition system
US6136725A (en) * 1998-04-14 2000-10-24 Cvd Systems, Inc. Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate
KR100315441B1 (ko) * 1999-03-25 2001-11-28 황인길 반도체 소자 분리를 위한 얕은 트렌치 제조 방법
US20010051215A1 (en) * 2000-04-13 2001-12-13 Gelest, Inc. Methods for chemical vapor deposition of titanium-silicon-nitrogen films
US9443730B2 (en) 2014-07-18 2016-09-13 Asm Ip Holding B.V. Process for forming silicon-filled openings with a reduced occurrence of voids
US9837271B2 (en) 2014-07-18 2017-12-05 Asm Ip Holding B.V. Process for forming silicon-filled openings with a reduced occurrence of voids
US10460932B2 (en) 2017-03-31 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor device with amorphous silicon filled gaps and methods for forming

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3677799A (en) * 1970-11-10 1972-07-18 Celanese Corp Vapor phase boron deposition by pulse discharge
DE2113853C3 (de) * 1971-03-23 1973-12-13 Deutsche Edelstahlwerke Gmbh, 4150 Krefeld Verfahren zur Herstellung von fest haftenden verschleißfesten Überzügen aus Metallnitrid oder karbonitnd auf Hartmetallteilen
DE2263210B2 (de) * 1972-02-04 1977-03-17 Metallwerk Plansee AG & Co. KG, Reutte, Tirol (Österreich) Verschleissteil aus hartmetall, insbesondere fuer werkzeuge
US4167915A (en) * 1977-03-09 1979-09-18 Atomel Corporation High-pressure, high-temperature gaseous chemical apparatus
DD139602A1 (de) * 1978-11-09 1980-01-09 Hermann Plaenitz Verfahren zur erzeugung von boridschichten aus der gasphase

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573096A (en) * 1965-06-23 1971-03-30 Sperry Rand Corp Silane method for making silicon nitride
FR1541803A (fr) * 1966-09-06 1968-10-11 Western Electric Co Croissance de pellicules minces de nitrure de silicium
US3843398A (en) * 1970-06-25 1974-10-22 R Maagdenberg Catalytic process for depositing nitride films
US3808035A (en) * 1970-12-09 1974-04-30 M Stelter Deposition of single or multiple layers on substrates from dilute gas sweep to produce optical components, electro-optical components, and the like
US4018184A (en) * 1975-07-28 1977-04-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for treatment of semiconductor wafer
DE2739258C2 (de) * 1977-08-31 1985-06-20 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Aufbringung einer Siliciumcarbid und Siliciumnitrid enthaltenden Schutzschicht auf Kohlenstofformkörper
GB1530337A (en) * 1977-09-15 1978-10-25 Central Electr Generat Board Application of protective coatings to metal or metal with an oxide coating or to graphite
JPS5522862A (en) * 1978-08-07 1980-02-18 Nec Corp Manufacturing method for silicon oxidized film
JPS5559729A (en) * 1978-10-27 1980-05-06 Fujitsu Ltd Forming method of semiconductor surface insulating film

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3677799A (en) * 1970-11-10 1972-07-18 Celanese Corp Vapor phase boron deposition by pulse discharge
DE2113853C3 (de) * 1971-03-23 1973-12-13 Deutsche Edelstahlwerke Gmbh, 4150 Krefeld Verfahren zur Herstellung von fest haftenden verschleißfesten Überzügen aus Metallnitrid oder karbonitnd auf Hartmetallteilen
DE2263210B2 (de) * 1972-02-04 1977-03-17 Metallwerk Plansee AG & Co. KG, Reutte, Tirol (Österreich) Verschleissteil aus hartmetall, insbesondere fuer werkzeuge
US4167915A (en) * 1977-03-09 1979-09-18 Atomel Corporation High-pressure, high-temperature gaseous chemical apparatus
DD139602A1 (de) * 1978-11-09 1980-01-09 Hermann Plaenitz Verfahren zur erzeugung von boridschichten aus der gasphase

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z: Wear, 48, 1978, S. 251-266 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0104658A1 (de) * 1982-09-29 1984-04-04 Hitachi, Ltd. Verfahren zur Bildung eines dünnen Filmes

Also Published As

Publication number Publication date
GB2086871A (en) 1982-05-19
US4404236A (en) 1983-09-13
FR2492847B1 (fr) 1987-03-20
GB2086871B (en) 1984-04-18
DE3141310C2 (de) 1986-12-04
JPS5772318A (en) 1982-05-06
FR2492847A1 (fr) 1982-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3141310A1 (de) Verfahren zur chemischen dampfabscheidung
DE1619980C3 (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von dicken Schichten aus Halbleitermaterial
DE3244476C2 (de)
DE2422138C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Elektroden aus polykristallinem Silizium und Anwendung des Verfahrens
DE2549787C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Einkristallstruktur für lichtemittierende Dioden
DE2551632C2 (de) Verfahren zum Zusammensetzen von Sprachnachrichten
DE2839535A1 (de) Verfahren zur behandlung eines einkristallinen koerpers
DE19829309A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines thermischen Oxidfilms auf Siliciumcarbid
DE1282613B (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwaschen von Halbleitermaterial
DE1489258B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer duennen leitenden Zone unter der Oberflaeche eines Siliciumkoerpers
DE102017206612A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ausbilden einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat sowie Halbleitersubstrat
DE3032608A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen
DE19806334A1 (de) Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung
DE2304685B2 (de) Verfahren zur Herstellung mikroskopisch kleiner Metall- oder Metallegierungs-Strukturen
DE2841201C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE2419142B2 (de) Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterschicht mit einer niedrigen Störstellendichte auf einem Halbleitersubstrat mit einer hohen Störstellendichte
DE1544287A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Silizium-oder Germaniumstickstoff-Verbindung an der Oberflaeche eines Halbleiterkristalls
EP1852901A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schichtenstruktur
DE2535813C2 (de) Verfahren zur Herstellung einkristalliner Schichten aus Halbleitermaterial auf einer elektrisch isolierenden Unterlage
ATE12258T1 (de) Verfahren zum aufschluss von zellulosehaltigem material mit gasfoermigem fluorwasserstoff.
EP0489337B1 (de) Verfahren zur selektiven Abscheidung von Wolfram auf einer Siliziumoberfläche
DE3620223A1 (de) Einrichtung zum herstellen einer halbleitervorrichtung
DE2148431A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen
DE2458680A1 (de) Verfahren zur herstellung von dielektrisch isolierten substraten fuer monolithische integrierte halbleiterschaltkreise
DE19735990A1 (de) Verfahren zur Bildung eines ZrN-Films unter Verwendung einer CVD-Vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: KABUSHIKI KAISHA SUWA SEIKOSHA, SHINJUKU, TOKIO-TO

D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8366 Restricted maintained after opposition proceedings
8305 Restricted maintenance of patent after opposition
D4 Patent maintained restricted
8339 Ceased/non-payment of the annual fee