JPH0251230A - Ｃｖｄ酸化膜形成方法 - Google Patents
Ｃｖｄ酸化膜形成方法Info
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- JPH0251230A JPH0251230A JP20147288A JP20147288A JPH0251230A JP H0251230 A JPH0251230 A JP H0251230A JP 20147288 A JP20147288 A JP 20147288A JP 20147288 A JP20147288 A JP 20147288A JP H0251230 A JPH0251230 A JP H0251230A
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- oxide film
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- substrate
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子の多層配線間の絶縁膜あるいは最
終保護膜等として役立たせるために行うＣＶＤ酸化膜形
成方法に関する。
終保護膜等として役立たせるために行うＣＶＤ酸化膜形
成方法に関する。
半導体素子の多層配線間の絶縁膜あるいは最終保護膜等
として用いられる半導体材料の酸化膜をＣＶＤ法により
堆積することは、熱酸化膜と異なり比較的低温で得られ
ること、高純度化の容易なＳｉＨｍを原料として用いる
ことができるため、半導体材料に有害な不純物の混入を
避けられること、あるいは一般に成膜速度が大きいこと
等の利点があるので広く通用されている。
として用いられる半導体材料の酸化膜をＣＶＤ法により
堆積することは、熱酸化膜と異なり比較的低温で得られ
ること、高純度化の容易なＳｉＨｍを原料として用いる
ことができるため、半導体材料に有害な不純物の混入を
避けられること、あるいは一般に成膜速度が大きいこと
等の利点があるので広く通用されている。
〔発明が解決しようとする！Ｉ題）
半導体素子においてＣＶＤ酸化膜を形成する場合、段差
部被覆状Ｂ（ステップカバレージ）の問題がある。すな
わち、例えば第２図に示すように、シリコン基板１の上
にアルミニウム配線２のパターンを設け、その上にＣＶ
Ｄ法によりシリコン酸化ｒｓ３を形成した場合、配線２
による酸化膜３の段差部における厚さａの平面上の厚さ
ｂに対する比ａ ／ ｂ ｘ １００（％）をもってス
テップカバレージ率とする。このカバレージ率が小さい
とステップ部の絶縁強度の低下、酸化膜上に積層される
上層配線の密着性の劣化ないし断線の発生などの原因と
なるため、カバレージ率はできるだけ大きいことが望ま
しい。
部被覆状Ｂ（ステップカバレージ）の問題がある。すな
わち、例えば第２図に示すように、シリコン基板１の上
にアルミニウム配線２のパターンを設け、その上にＣＶ
Ｄ法によりシリコン酸化ｒｓ３を形成した場合、配線２
による酸化膜３の段差部における厚さａの平面上の厚さ
ｂに対する比ａ ／ ｂ ｘ １００（％）をもってス
テップカバレージ率とする。このカバレージ率が小さい
とステップ部の絶縁強度の低下、酸化膜上に積層される
上層配線の密着性の劣化ないし断線の発生などの原因と
なるため、カバレージ率はできるだけ大きいことが望ま
しい。
本発明の課題は、上記の問題に対処してステップカバレ
ージ率の良好なＣＶＤ酸化膜の形成方法を提供すること
にある。
ージ率の良好なＣＶＤ酸化膜の形成方法を提供すること
にある。
上記のｔＪ、Ｈの解決のために、本発明の方法は酸化膜
堆積時の半導体基板の温度を３８０ ’Ｃ以上に保持す
るものとする。
堆積時の半導体基板の温度を３８０ ’Ｃ以上に保持す
るものとする。
本発明は、ステップカバレージ率に温度依存性のあると
の認熾に基づくもので、３８０℃以上に加熱された半導
体基板上にＣＶＤ法酸化膜を堆積すれば、カバレージ率
が８５％以上になる。
の認熾に基づくもので、３８０℃以上に加熱された半導
体基板上にＣＶＤ法酸化膜を堆積すれば、カバレージ率
が８５％以上になる。
第２図に示すようにシリコン基ｖｉｌ上に０．６５ｍの
高さのアルミニウム配線２のパターンを設けたのち、枚
葉式平行平板プラズマＣＶＤ装置を用い、真空槽内にＳ
ＩＨ，を２０ｓｅｃｍ、ＮｚＯを６００ａｃｃｍ、キャ
リアガスとしての＾ｒを３００ｓｃｃ＋＊の流量で導入
し、真空度を１．Ｑ Ｔｏｒｒに保ち、高周波パワー３
０Ｗの条件でＣＶＤ法を行って０．５−の厚さの酸化Ｗ
ｊ４３を堆積させた。この際基板１を４００℃、３８０
℃、３６０℃１３４０℃、２４０℃の各温度に保持し、
カバレージ率ａ ／ ｂ×１００％への影響を調べた。
高さのアルミニウム配線２のパターンを設けたのち、枚
葉式平行平板プラズマＣＶＤ装置を用い、真空槽内にＳ
ＩＨ，を２０ｓｅｃｍ、ＮｚＯを６００ａｃｃｍ、キャ
リアガスとしての＾ｒを３００ｓｃｃ＋＊の流量で導入
し、真空度を１．Ｑ Ｔｏｒｒに保ち、高周波パワー３
０Ｗの条件でＣＶＤ法を行って０．５−の厚さの酸化Ｗ
ｊ４３を堆積させた。この際基板１を４００℃、３８０
℃、３６０℃１３４０℃、２４０℃の各温度に保持し、
カバレージ率ａ ／ ｂ×１００％への影響を調べた。
第１図はその結果を示し３６０℃以下の基板温度のとき
にはカバレージ率は７５％程度であったのに対し、基板
を３８０℃以上にした場合カバレージ率は８５％以上、
９０％程度に上昇した。
にはカバレージ率は７５％程度であったのに対し、基板
を３８０℃以上にした場合カバレージ率は８５％以上、
９０％程度に上昇した。
Ｃ発明の効果〕
本発明によれば、ＣＶＤ法による酸化膜形成時に半導体
基板温度を３８０℃以上にすることにより、段差部にお
けるステップカバレージ率は８５％以上になり、多層配
線間絶縁膜、最終保護膜としてこの酸化膜を用いた場合
、段差部での上層配線の断線あるいは絶縁性の劣化によ
る信鎖性の低下等の問題は起きなくなった。基板温度を
３８０℃以上に高めても１０００℃程虞の熱酸化法に比
すれば十分低温で、素子特性に対する悪影響が生ずるこ
とがない。
基板温度を３８０℃以上にすることにより、段差部にお
けるステップカバレージ率は８５％以上になり、多層配
線間絶縁膜、最終保護膜としてこの酸化膜を用いた場合
、段差部での上層配線の断線あるいは絶縁性の劣化によ
る信鎖性の低下等の問題は起きなくなった。基板温度を
３８０℃以上に高めても１０００℃程虞の熱酸化法に比
すれば十分低温で、素子特性に対する悪影響が生ずるこ
とがない。
第１図は本発明の効果を示すステップカバレージ率とＣ
ＶＤ法実施時の基板温度との関係線図、第２図は段差部
での酸化膜形成を示す断面図である。 １：Ｓｉ基板、２；Ｍ配線、３ ： ＣＶＤ酸化膜。 第２図 ＼ ｌ５ｒｉ数 第１図
ＶＤ法実施時の基板温度との関係線図、第２図は段差部
での酸化膜形成を示す断面図である。 １：Ｓｉ基板、２；Ｍ配線、３ ： ＣＶＤ酸化膜。 第２図 ＼ ｌ５ｒｉ数 第１図
Claims (1)
- １）酸化膜堆積時の半導体基板の温度を３８０℃以上に
保持することを特徴とするＣＶＤ酸化膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20147288A JPH0251230A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Ｃｖｄ酸化膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20147288A JPH0251230A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Ｃｖｄ酸化膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251230A true JPH0251230A (ja) | 1990-02-21 |
Family
ID=16441648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20147288A Pending JPH0251230A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Ｃｖｄ酸化膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0251230A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772318A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-06 | Seiko Epson Corp | Vapor growth method |
| JPS58166929A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-03 | Fujitsu Ltd | 化学的気相成長方法 |
| JPS62230026A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の形成方法 |
| JPS63272054A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20147288A patent/JPH0251230A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772318A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-06 | Seiko Epson Corp | Vapor growth method |
| JPS58166929A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-03 | Fujitsu Ltd | 化学的気相成長方法 |
| JPS62230026A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の形成方法 |
| JPS63272054A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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