JPH02265242A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02265242A JPH02265242A JP8569089A JP8569089A JPH02265242A JP H02265242 A JPH02265242 A JP H02265242A JP 8569089 A JP8569089 A JP 8569089A JP 8569089 A JP8569089 A JP 8569089A JP H02265242 A JPH02265242 A JP H02265242A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract description 4
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 abstract description 2
- FRZOETBZPCJGAU-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy-silylamino]oxypropane Chemical compound C(C)(C)(C)ON(OC(C)(C)C)[SiH3] FRZOETBZPCJGAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 18
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法、特に、配線上の最終保
護用絶縁膜の製造方法に関するものである。
護用絶縁膜の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、ＡＩ配線上の最終保護用絶縁膜の形成方法は、第
２図に示すような構成であった。
２図に示すような構成であった。
第２図において、１は半導体基板、２は絶縁膜。
３はＡｉ！配線、４は第１の最終保護用絶縁膜、５はボ
イドを示す。すなわち、第２図のように、まず半導体基
板１の表面に絶縁膜２を形成した後、Ａｌｌ配線３を形
成する。次にシランとアンモニアを原料ガスとして、プ
ラズマ気相成長（ＣＶＤ）法により、８０００〜１００
００人のシリコンナイトライド膜を蒸着し、第１の最終
保護用゛絶縁膜４を形成する。
イドを示す。すなわち、第２図のように、まず半導体基
板１の表面に絶縁膜２を形成した後、Ａｌｌ配線３を形
成する。次にシランとアンモニアを原料ガスとして、プ
ラズマ気相成長（ＣＶＤ）法により、８０００〜１００
００人のシリコンナイトライド膜を蒸着し、第１の最終
保護用゛絶縁膜４を形成する。
（発明が解決しようとする課題）
このような従来の方法では、Ａａ配線３の上部の第１の
最終保護用絶縁膜４がオーバーハングになり、 ＡＩ２
配線間隔が１−以下になるとオーバーハングの上部同士
がつながるため第１の最終保護用絶縁膜４中にボイド５
が発生し、コンタミネーションをトラップし、その結果
、配線の信頼性を低下させるという問題があった。また
、第１の最終保護用絶縁膜４であるシリジンナイトライ
ド膜は、膜応力が著しく大きく、ＡＩ２配線３のストレ
スマイグレーシミンを増大させ、ＡＩ２配線３を断線さ
せるという問題もあった。
最終保護用絶縁膜４がオーバーハングになり、 ＡＩ２
配線間隔が１−以下になるとオーバーハングの上部同士
がつながるため第１の最終保護用絶縁膜４中にボイド５
が発生し、コンタミネーションをトラップし、その結果
、配線の信頼性を低下させるという問題があった。また
、第１の最終保護用絶縁膜４であるシリジンナイトライ
ド膜は、膜応力が著しく大きく、ＡＩ２配線３のストレ
スマイグレーシミンを増大させ、ＡＩ２配線３を断線さ
せるという問題もあった。
本発明はこのような課題を解決するもので、ＡＮ配線３
上の最終保護用絶縁膜中でのボイドの発生を防止すると
共に、ＡＪ配線のストレスマイグレーションによる断線
不良を抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
上の最終保護用絶縁膜中でのボイドの発生を防止すると
共に、ＡＪ配線のストレスマイグレーションによる断線
不良を抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するために、半導体基板の絶縁
膜上に形成された ［（ｔ−Ｃ，Ｈ，０）２ＳｉＮＨ，コ２ＮＨ（ビスジタ
ーシャリブトキシアミノシランイミド）を原料として、
減圧下でプラズマＣＶＤ法または光ＣＶＤ法により、シ
リコンオキシナイトライド膜を形成する工程を具備する
ものである。
膜上に形成された ［（ｔ−Ｃ，Ｈ，０）２ＳｉＮＨ，コ２ＮＨ（ビスジタ
ーシャリブトキシアミノシランイミド）を原料として、
減圧下でプラズマＣＶＤ法または光ＣＶＤ法により、シ
リコンオキシナイトライド膜を形成する工程を具備する
ものである。
（作 用）
したがって１本発明では、原料ガスとして、分子中にア
ルコキシ基を有するビスジターシャリブトキシアミノシ
ランイミドを用いているため、表面反応が支配的であり
、ＴＥ０１（テトラエトキシシラン）と同様にＡｆｆ配
線上に形成される最終保護用絶縁膜の段差被覆性は著し
く向上し、ＡＣ配線間隔が１戸以下となってもオーバー
ハングを防止でき、その結果、最終保護用＃！縁膜中で
のボイドの発生を抑制でき、また、ビスジターシャリブ
トキシアミノシランイミドは、分子中に０−３Ｌ−Ｎ結
合をもつため最終保護用絶縁膜はシリコンオキシナイト
ライド膜となり膜応力を著しく低減でき、ＡＩ２配線の
ストレスマイグレーションによる断線不良を抑制できる
。
ルコキシ基を有するビスジターシャリブトキシアミノシ
ランイミドを用いているため、表面反応が支配的であり
、ＴＥ０１（テトラエトキシシラン）と同様にＡｆｆ配
線上に形成される最終保護用絶縁膜の段差被覆性は著し
く向上し、ＡＣ配線間隔が１戸以下となってもオーバー
ハングを防止でき、その結果、最終保護用＃！縁膜中で
のボイドの発生を抑制でき、また、ビスジターシャリブ
トキシアミノシランイミドは、分子中に０−３Ｌ−Ｎ結
合をもつため最終保護用絶縁膜はシリコンオキシナイト
ライド膜となり膜応力を著しく低減でき、ＡＩ２配線の
ストレスマイグレーションによる断線不良を抑制できる
。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例における保護用絶縁膜形成の
構成断面を示した図である。第１図において、まず半導
体基板１の表面に絶縁膜２を形成した後、ＡＱ配ＩＩ３
を形成する。次に、原料ガスとして、［（ｔ−Ｃ４Ｈ１
ＩＯ）、５ｉＮＨ２コ２ＮＩ−Ｉ（ビスジターシャリブ
トキシアミノシランイミド）を用いて、プラズマＣＶＤ
法により反応圧力１０〜２０Ｔｏｒｒ、成長温度３５０
〜４００℃にて、屈折率が１．７０〜１．８０で、膜の
圧縮応力が３〜８ Ｘ １０”ｄｙｎｅ／ ｃｉのシリ
コンオキシナイトライド膜を８０００〜１．ＯＯＯＯ人
種度成長して、膜中にボイドの発生しない第２の最終保
護用絶縁膜６を形成する。
構成断面を示した図である。第１図において、まず半導
体基板１の表面に絶縁膜２を形成した後、ＡＱ配ＩＩ３
を形成する。次に、原料ガスとして、［（ｔ−Ｃ４Ｈ１
ＩＯ）、５ｉＮＨ２コ２ＮＩ−Ｉ（ビスジターシャリブ
トキシアミノシランイミド）を用いて、プラズマＣＶＤ
法により反応圧力１０〜２０Ｔｏｒｒ、成長温度３５０
〜４００℃にて、屈折率が１．７０〜１．８０で、膜の
圧縮応力が３〜８ Ｘ １０”ｄｙｎｅ／ ｃｉのシリ
コンオキシナイトライド膜を８０００〜１．ＯＯＯＯ人
種度成長して、膜中にボイドの発生しない第２の最終保
護用絶縁膜６を形成する。
（発明の効果）
上記実施例より明らかなように、本発明によれば、Ａａ
配線上に形成される最終保護用絶縁膜の段差被覆性は著
しく向上し、ＡＩ２配線間隔が１μｍ以下となってもオ
ーバーハングを防止でき、その結果、最終保護用絶縁膜
中でのボイドの発生を抑制できるだけでなく、最終保護
用絶縁膜をシリコンオキシナイトライド膜とすることに
より膜応力を著しく低減でき、Ａ１２配線のストレスマ
イグレーションによる断線不良を抑制でき、配線の信頼
性を著しく向上させる効果が得られ、所望の特性の半導
体装置を提供することができる。
配線上に形成される最終保護用絶縁膜の段差被覆性は著
しく向上し、ＡＩ２配線間隔が１μｍ以下となってもオ
ーバーハングを防止でき、その結果、最終保護用絶縁膜
中でのボイドの発生を抑制できるだけでなく、最終保護
用絶縁膜をシリコンオキシナイトライド膜とすることに
より膜応力を著しく低減でき、Ａ１２配線のストレスマ
イグレーションによる断線不良を抑制でき、配線の信頼
性を著しく向上させる効果が得られ、所望の特性の半導
体装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例における保護用絶縁膜形成の
構成断面図、第２図は従来例の保護用絶縁膜形成の構成
断面図である。 １ ・・・半導体基板、 ２ ・・・絶縁膜、 ３・・
Ａｄ配線、 ４ ・・・第１の最終保護用絶縁膜、 ５
・・・ボイド、 ６ ・・第２の最終保護用絶縁膜。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 半導イ埼（４１き、）１乏５ 柁昧隈 ＡＬ配廠 第２の最終体護旧絶縁扶 第 図 第 １１豪柊体護旧絶縁陳 ホ゛４１−′
構成断面図、第２図は従来例の保護用絶縁膜形成の構成
断面図である。 １ ・・・半導体基板、 ２ ・・・絶縁膜、 ３・・
Ａｄ配線、 ４ ・・・第１の最終保護用絶縁膜、 ５
・・・ボイド、 ６ ・・第２の最終保護用絶縁膜。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 半導イ埼（４１き、）１乏５ 柁昧隈 ＡＬ配廠 第２の最終体護旧絶縁扶 第 図 第 １１豪柊体護旧絶縁陳 ホ゛４１−′
Claims (1)
- 半導体基板の絶縁膜上に形成された配線上に、［（ｔ−
Ｃ＿４Ｈ＿３Ｏ）＿２ＳｉＮＨ＿２］＿２ＮＨ（ビスジ
ターシャリブトキシアミノシランイミド）を原料として
、減圧下でプラズマＣＶＤ法または光ＣＶＤ法により、
シリコンオキシナイトライド膜を形成する工程を具備す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8569089A JPH0812845B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8569089A JPH0812845B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265242A true JPH02265242A (ja) | 1990-10-30 |
| JPH0812845B2 JPH0812845B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=13865840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8569089A Expired - Fee Related JPH0812845B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812845B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012167060A3 (en) * | 2011-06-03 | 2013-01-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films |
| WO2018182318A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | Dnf Co., Ltd. | Composition for depositing silicon-containing thin film and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8569089A patent/JPH0812845B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012167060A3 (en) * | 2011-06-03 | 2013-01-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films |
| US9447287B2 (en) | 2011-06-03 | 2016-09-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films |
| US10319584B2 (en) | 2011-06-03 | 2019-06-11 | Versum Materials Us, Llc | Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films |
| WO2018182318A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | Dnf Co., Ltd. | Composition for depositing silicon-containing thin film and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812845B2 (ja) | 1996-02-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |