JPS6150378B2 - - Google Patents
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- JPS6150378B2 JPS6150378B2 JP11825879A JP11825879A JPS6150378B2 JP S6150378 B2 JPS6150378 B2 JP S6150378B2 JP 11825879 A JP11825879 A JP 11825879A JP 11825879 A JP11825879 A JP 11825879A JP S6150378 B2 JPS6150378 B2 JP S6150378B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関し、特に半導体素子表
面のパシベーシヨン膜の構成に関する。
面のパシベーシヨン膜の構成に関する。
従来より半導体素子表面には特性安定化のた
め、シリコン酸化膜（SiO2膜）や燐シリケート
ガラス（PSG）等のガラス皮膜或いはシリコン窒
化膜（Si3N4膜）等の保護膜を形成することが行
なわれている。
め、シリコン酸化膜（SiO2膜）や燐シリケート
ガラス（PSG）等のガラス皮膜或いはシリコン窒
化膜（Si3N4膜）等の保護膜を形成することが行
なわれている。
これらのうちSiO3膜は不純物の汚染に対する
阻止力が弱く、また低温で成長させたSiO2膜は
クラツクが入りやすいので厚さを１〔μｍ〕以上
に厚くすることができない。
阻止力が弱く、また低温で成長させたSiO2膜は
クラツクが入りやすいので厚さを１〔μｍ〕以上
に厚くすることができない。
またPSG膜は汚染に対する阻止力は強いが耐湿
性に劣るので、特にモールド封止型半導体装置の
信頼度を低下させる一因となる場合がある。
性に劣るので、特にモールド封止型半導体装置の
信頼度を低下させる一因となる場合がある。
更にシリコン窒化膜は耐湿性は良いがクラツク
が入りやすいので、膜厚は実用上2000〜3000
〔Å〕より厚くすることができない。
が入りやすいので、膜厚は実用上2000〜3000
〔Å〕より厚くすることができない。
本発明の目的は上記問題点を解消して汚染に対
する阻止力が強く、耐湿性にすぐれ、且つクラツ
クが入りにくいパシベーシヨン膜を具備する半導
体装置の製造方法を提供することにある。
する阻止力が強く、耐湿性にすぐれ、且つクラツ
クが入りにくいパシベーシヨン膜を具備する半導
体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法の特徴は、半導
体素子上にポリフアセン及びポリアミノホスフア
センの中から選ばれた一つを用いた化学気相成長
法により前記半導体素子表面に燐を含むシリコン
酸化膜またはシリコン窒化膜を形成する工程を含
むことにある。
体素子上にポリフアセン及びポリアミノホスフア
センの中から選ばれた一つを用いた化学気相成長
法により前記半導体素子表面に燐を含むシリコン
酸化膜またはシリコン窒化膜を形成する工程を含
むことにある。
以下本発明の半導体装置の実施例を図面により
説明する。
説明する。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す要部
断面図である。
断面図である。
第１図に要部を示す第１の実施例は、シリコン
（Si）基板１表面を被覆するシリコン酸化膜
（SiO2膜）２とその上に選択的に形成されたアル
ミニウム（Ａ）配線層３と、更にその上に例え
ばポリアミノホスフアセン〔NP（NHCH3）2〕ｎ
とモノシラン（SiH4）の混合ガスを反応ガスとし
て用い、反応温度凡そ300〔℃〕、反応圧力凡そ20
〔Torr〕でプラズマ化学気相成長（プラズマ
CVD）法により燐を含むシリコン窒化膜
（Si3N4PN膜）４を被着することにより、該
Si3N4PN膜４をパシベーシヨン膜とする半導体装
置を作成した例である。
（Si）基板１表面を被覆するシリコン酸化膜
（SiO2膜）２とその上に選択的に形成されたアル
ミニウム（Ａ）配線層３と、更にその上に例え
ばポリアミノホスフアセン〔NP（NHCH3）2〕ｎ
とモノシラン（SiH4）の混合ガスを反応ガスとし
て用い、反応温度凡そ300〔℃〕、反応圧力凡そ20
〔Torr〕でプラズマ化学気相成長（プラズマ
CVD）法により燐を含むシリコン窒化膜
（Si3N4PN膜）４を被着することにより、該
Si3N4PN膜４をパシベーシヨン膜とする半導体装
置を作成した例である。
また第２図に示す第２の実施例は、シリコン基
板１表面を被覆するSiO2膜２上に選択的に形成
された第１のアルミニウム（Al）配線層３と、
その上にホスフアセン（〔NPCl2〕3）と酸素（O2）
とモノシラン（SiH4）との混合ガスを反応ガスと
して用い、反応温度凡そ350〔℃〕、反応圧力凡そ
20〔Torr〕でプラズマCVD法により燐（Ｐ）を
含むシリコン酸化膜（SiO2・P2O5・Cl膜）５を
被着し、該SiO2・P2O5・Cl膜５を弗酸系薬品で
選択的に除去して開口を設け、該開口部において
前記第１のアルミニウム配線層３と接続する第２
のアルミニウム（Al）配線層３′を形成し、更に
その上に前記第１の実施例で説明したSi3N4PN膜
４を被着することにより、該Si3N4PN膜４と前記
Si2・P2O5・Cl膜５との二重層をパシベーシヨン
膜とする半導体装置を作成した例である。
板１表面を被覆するSiO2膜２上に選択的に形成
された第１のアルミニウム（Al）配線層３と、
その上にホスフアセン（〔NPCl2〕3）と酸素（O2）
とモノシラン（SiH4）との混合ガスを反応ガスと
して用い、反応温度凡そ350〔℃〕、反応圧力凡そ
20〔Torr〕でプラズマCVD法により燐（Ｐ）を
含むシリコン酸化膜（SiO2・P2O5・Cl膜）５を
被着し、該SiO2・P2O5・Cl膜５を弗酸系薬品で
選択的に除去して開口を設け、該開口部において
前記第１のアルミニウム配線層３と接続する第２
のアルミニウム（Al）配線層３′を形成し、更に
その上に前記第１の実施例で説明したSi3N4PN膜
４を被着することにより、該Si3N4PN膜４と前記
Si2・P2O5・Cl膜５との二重層をパシベーシヨン
膜とする半導体装置を作成した例である。
上記第１の実施例で説明した燐を含むシリコン
窒化膜（Si3N4・PN膜）４は従来用いられて来た
シリコン窒化膜（Si3N4膜）より軟かくクラツク
を生じにくいので、１〜２〔μｍ〕の膜を形成す
ることが可能である。
窒化膜（Si3N4・PN膜）４は従来用いられて来た
シリコン窒化膜（Si3N4膜）より軟かくクラツク
を生じにくいので、１〜２〔μｍ〕の膜を形成す
ることが可能である。
また第２の実施例で説明した二重層のパシベー
シヨン膜の下層として用いたSiO2・P2・O5・Cl
膜５は従来用いられて来たPSG膜に比較して耐湿
性が改善されたので燐濃度を上げることができ、
従つて汚染に対する阻止力を確実なものとするこ
とができる。
シヨン膜の下層として用いたSiO2・P2・O5・Cl
膜５は従来用いられて来たPSG膜に比較して耐湿
性が改善されたので燐濃度を上げることができ、
従つて汚染に対する阻止力を確実なものとするこ
とができる。
なお、以上の実施例にあつては、燐を含むシリ
コン窒化膜または燐を含むシリコン酸化膜と窒化
膜との二重構造のパシベーシヨン膜について説明
したが、パシベーシヨン膜を燐を含むシリコン酸
化膜一層とすることも、またこれらの三層以上の
構造とすることも勿論可能である。
コン窒化膜または燐を含むシリコン酸化膜と窒化
膜との二重構造のパシベーシヨン膜について説明
したが、パシベーシヨン膜を燐を含むシリコン酸
化膜一層とすることも、またこれらの三層以上の
構造とすることも勿論可能である。
以上説明したごとく本発明の燐を含むシリコン
酸化膜または／及びシリコン窒化膜をパシベーシ
ヨン膜として具備する半導体装置は、該パシベー
シヨン膜が汚染に対する阻止力・耐湿性ともにす
ぐれ且つクラツクが生じにくいので信頼度が向上
する。
酸化膜または／及びシリコン窒化膜をパシベーシ
ヨン膜として具備する半導体装置は、該パシベー
シヨン膜が汚染に対する阻止力・耐湿性ともにす
ぐれ且つクラツクが生じにくいので信頼度が向上
する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す要部断面
図、第２図は本発明の第２の実施例を示す要部断
面図である。 １……半導体基板、４……燐を含むシリコン窒
化膜、５……燐を含むシリコン酸化膜。
図、第２図は本発明の第２の実施例を示す要部断
面図である。 １……半導体基板、４……燐を含むシリコン窒
化膜、５……燐を含むシリコン酸化膜。
Claims (1)
- １ 半導体素子上に、ポリフアセン及びポリアミ
ノホスフアセンの中から選ばれた一つを用いて化
学気相成長法を施すことにより、前記半導体素子
表面に燐を含むシリコン酸化膜またはシリコン窒
化膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11825879A JPS5642348A (en) | 1979-09-14 | 1979-09-14 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11825879A JPS5642348A (en) | 1979-09-14 | 1979-09-14 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5642348A JPS5642348A (en) | 1981-04-20 |
| JPS6150378B2 true JPS6150378B2 (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=14732162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11825879A Granted JPS5642348A (en) | 1979-09-14 | 1979-09-14 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5642348A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61178912U (ja) * | 1985-04-23 | 1986-11-08 | ||
| JPS62130797U (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-18 | ||
| JPS6335500U (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-07 |
-
1979
- 1979-09-14 JP JP11825879A patent/JPS5642348A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5642348A (en) | 1981-04-20 |
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